CN1661871A - 半导体激光器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体激光器。以叠层在半导体基板(1)上，形成条形状发光区域，进行激光振荡的方式，叠层半导体层，从而形成半导体叠层部(9)；在其一端部，以降低反射率而达到规定的反射率的方式，形成第1电介质膜(17)；在另一端部形成第2电介质膜(18)。第1电介质膜具有满足以下条件的膜厚，即，在将激光振荡的振荡波长λ设定在一定值的、相对于氧化铝膜的厚度的反射率的变化曲线中，达到所要求的反射率，并且，在该反射率变化的曲线的斜率为正，或相对于波长的反射率变化的曲线的斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。这样即使温度升高且振动波长变化也能够使输出稳定化，同时即使是高输出用也能够提高其COD能级。

Description

半导体激光器
技术领域
本发明涉及特别适合用于CD、DVD(数字多用途盘：digital versatiledisk)、DVD-ROM、可写入数据的CD-R/RW等的拾音器(pick-up)用光源的半导体激光器。具体涉及即使是在高输出用的情况下，COD能级(level)也高、且能够长寿命化的半导体激光器。
背景技术
半导体激光器例如具有如图5所示的结构，即，以在半导体基板21上形成条形状的发光区域的方式叠层半导体层而形成半导体叠层部22，从晶片片状劈开而形成谐振器端面，并在其两端面形成第1电介质膜23及第2电介质膜24以便调节两端面的反射率，通过从片状再次切割等而进行芯片化。在该结构中，以主要从条形状的发光区域的一方的端面(前端面)射出光，从另一端面(后端面)产生振荡输出监视器所用的微小的输出的方式，调节两端部的反射率。另外，如图5所示，在由Si基板或AlN等构成的辅助固定件25上固定半导体激光器，然后装在光的拾音器等中。
设在端面上的第1电介质膜23及第1电介质膜24，为了以如上所述的振荡输出为主而从前端面射出，因此以减小前端面的反射率、增大后端面的反射率的方式形成，但要将其反射率确定在多大程度、或者用1层形成还是用多层形成电介质膜，是根据作为其目的的半导体激光器设定，即能以多种结构形成。例如已有人提出了以下结构，即，通过在前端面分别设置按光学距离0.15波长的膜厚的Al2O3膜和按光学距离0.04波长的膜厚的Si膜各1层，以2％以下左右的低的反射率，容易得到高输出，同时能谋求防止端面的热造成的破坏(COD)，而且，通过在后端面例如交替设置4层按光学距离0.25波长的膜厚的Al2O3和SiO2，从而能以92％的高反射率形成(例如，参照特开昭62-230076号公报)。
如上所述，半导体激光器以相对于其振荡波长使前端面及后端面达到所要求的反射率的方式，在条形状发光区域的劈开面设置电介质膜，调节反射率。但是，如果半导体激光器开始工作，则通过电流集中在发光区域上发光，使发光区域的温度上升，而该温度上升使振荡波长变长。因此，存在因发光区域的温度上升，使阈值电流升高且发光效率降低，同时振荡波长的变化造成反射率变化，导致输出变动的问题。
另外，在高输出的半导体激光器中，以减小射出端面侧的反射率，容易从其前端面取出输出的方式，形成第1电介质膜。另外，关于前端面的反射率，由于返回的光会造成的噪音的影响等，因此不是越小越好，而是如上所述，根据情况要按所要求的反射率调整。该电介质膜由于是通过溅射等而形成，因此如果达到所要求的反射率，在制造成本上优选尽可能薄的电介质膜，即一般以达到所要求的反射率的薄膜形成。
可是，在是CD-R/RW用半导体激光器这样的高输出用的情况下，半导体激光器芯片的劈开面和第1电介质膜的界面成为电场分布的腹地部分，特别是在80mW以上的高输出半导体激光器中，存在例如即使以达到8.5％左右的低反射率的方式形成第1电介质膜，第1电介质膜的温度也上升，COD(致命的光学损伤)能级降低而容易破坏，如果进行在高温(例如75℃)下高输出(例如200mW)的加速寿命试验，则出现半导体激光器在100～250小时的短时间内就被破坏的问题。
发明内容
本发明是鉴于以上的事实提出的，其目的在于提供一种半导体激光器，其具有以下结构，即，即使半导体激光器开始工作，温度上升，振荡波长变化，也能够使输出稳定化，同时即使是高输出用的、射出侧端面(前端面)的COD能级容易降低的半导体激光器，也能够提高其COD能级。
本发明人针对随着半导体激光器工作造成的温度上升，不能正确控制振荡输出的问题，及在高输出用半导体激光器等中，如果在高温(例如75℃)下进行高输出(例如200mW)的加速寿命试验，则出现半导体激光器在100～250小时的短时间内就破坏的问题，进行了深入研究。结果发现以下情况，即，由于将厚度设定为、在能得到所要求的反射率的通常的电介质膜的厚度中的、使将其厚度设定在一定值且使光的波长变化时的反射率的变化规律是随着波长增大反射率也增大的厚度，因此如果振荡波长变长则外部量子效率就降低，且输出进一步降低的情况，以及，如果在激光器芯片的劈开端面产生的热的散发不充分，该热就会熔化劈开面的半导体结晶，从而导致该端面破坏的情况。
另外还发现了以下情况，即，电介质膜通过采用相对于所要求的波长附近的波长变化的反射率变化为负的电介质膜的厚度，可以使得如果向振荡波长变长的方向变化则反射率下降，外部量子效率提高且输出也增大，从而能够抑制其影响，而且还发现了以下情况，即，通过采用导热率大的氧化铝且以尽量加厚的方式形成前端面上的电介质膜，能够充分散发热，且即使是250mW以上的高输出用半导体激光器，也能够较高地维持COD能级。
本发明的半导体激光器具有以下结构，即，具有：半导体基板；以叠层在该半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层的半导体叠层部；在该半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以按达到规定反射率的方式形成的第1电介质膜；在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜。而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且该氧化铝膜的厚度为，在所述激光振荡波长λ下按相对于氧化铝膜的厚度的反射率的变化曲线中，达到所要求的反射率，且该反射率变化的曲线的斜率为正的同时，光学距离达到0.6λ以上的厚度。
此处，所谓光学距离，指的是光路长(optical path length)，即表示光沿折射率为n介质中通过距离L左右时的nL。
本发明的半导体激光器，具有：半导体基板；以叠层在该半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层的半导体叠层部；在该半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以达到规定反射率的方式形成的第1电介质膜；在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜。而且，所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，该氧化铝膜的厚度为，达到所要求的反射率的厚度，并且是当相对于光的波长的所述反射率变化的曲线中振荡波长成为所述λ时斜率为负的厚度，同时是使光学距离达到0.6λ以上的厚度。
将所述第1电介质膜的厚度设置为，在所述反射率的曲线中，反射率Rf的相对于光的波长λ的变化率dRf/dλ达到-1≤(dRf/dλ)＜0的厚度，这样，有助于实现相对于由半导体激光器的动作引起的振荡波长变化的输出稳定化。
所述第1电介质膜的厚度，优选能够以按光学距离达到0.6λ以上、1.5λ以下的厚度设定，则条形状发光区域端部的散热性良好，并且，即使制造时产生膜厚偏差，也能够抑制反射率的变化。
如果采用本发明，由于按达到所要求的反射率的厚度形成的同时，以按光学距离达到0.6λ以上的厚度形成射出端面侧的电介质膜，因此能够通过电介质膜有效地散发在条形状发光区域端面产生的热，能够解决端面因过度加热而破损的问题。即，在以往的半导体激光器中，条形状发光区域的射出侧端面，为了以射出所要求的输出的方式达到所要求的反射率，只是设置单层或多层的电介质膜，但如果采用本发明，由于不仅调节反射率，而且还能良好地进行端面的散热，因此通过只用1层散热率比半导体层好的氧化铝形成，并且将其厚度加厚到按光学距离0.6λ以上，就能够从大面积散热。结果，能够抑制条形状发光区域端面的温度上升，能够提高COD能级，即使进行高温(75℃)、高输出(200mW)的刻蚀，也能够500小时以上的长时间地、无破坏地连续工作，形成非常长寿命的半导体激光器。
此外，在本发明中，由于加厚第1电介质膜的厚度，并且，不仅以达到所要求的反射率方式设定厚度，而且按将波长设定在一定值时的相对于电介质膜厚的反射率的变化为正的厚度设定，或者，按将电介质膜的厚度设定在一定值时的相对于波长的反射率的变化为负的厚度设定，因此如果半导体激光器开始工作，其振荡波长就会变长，但相对于稍微变长的波长，在相同厚度的电介质膜中，反射率降低。其结果，向外部射出的激光的输出朝增大方向变化，且温度上升则由于能够抵消阈值电流增大造成的输出降低，因此能提高外部量子效率，从而即使因半导体激光器芯片工作而使温度上升，也能够在几乎不降低向外部射出的输出的情况下工作。
另外，所述的第1电介质膜侧(前端面)的反射率，特别是在高输出的半导体激光器中，由于设定在低至几％左右的低反射率，因此通过不仅按所要求的反射率设定，而且按相对于电介质膜厚的反射率的变化为正的厚度设定，从而，在振荡波长向长波长侧偏移的情况下，如后述的一样，相对于电介质膜厚的反射率向极小侧偏移，进而能够将反射率变化抑制在低的状态。即，在位于反射率小而接近反射率曲线的极小附近的所要求的反射率下，极小侧的相反侧的反射率的变化大，但在极小侧由于反射率的变化小，因此即使向长波长侧偏移，也能够将反射率的偏移抑制在小的范围。
附图说明
图1A及图1B是表示本发明的半导体激光器的一实施方式的立体及剖面的说明图。
图2是表示在将波长设定在一定值时的相对于电介质膜的厚度的、端面反射率的变化的图。
图3是表示在将电介质膜的厚度设定在一定值时的相对于波长的、端面反射率的变化的图。
图4是表示相对于电介质膜的厚度的COD特性的变化的图。
图5是将以往的半导体激光器搭载在辅助固定件上的图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的半导体激光器。如图1A中其一实施方式的剖面说明图所示，本发明的半导体激光器，以叠层在半导体基板1上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层，并由此形成半导体叠层部9。然后，在该半导体叠层部9的条形状发光区域(参照图1B的射束点P)的一端部，以按降低反射率而达到所要求的反射率的方式，形成第1电介质膜17，在条形状的发光区域的另一端部，以达到高反射率的方式，形成第2电介质膜18。在本发明中，其特征在于，由氧化铝膜形成第1电介质膜17，该氧化铝膜的厚度是，在将振荡波长λ设定在一定值时的相对于氧化铝膜厚的反射率变化的曲线中，达到所要求的反射率，并且，其反射率变化的曲线的斜率为正的厚度的同时，以按光学距离达到0.6λ以上、优选0.7λ以上、更优选0.8λ以上的厚度设定。
如上所述，本发明人为解决以下问题，即，半导体激光器一开始工作，振荡波长就变长，且振荡波长变化造成反射率的变化使输出降低的问题，及在高输出用半导体激光器中，特别是如果进行加速寿命试验，容易在短时间内破坏半导体激光器的问题，进行了深入研究。结果发现，设在端面的电介质膜在以往的厚度中，如果振荡波长变长，则由于反射率更加增大，且其变化率也增大，因此输出进一步降低，而与此相对，电介质膜的厚度由于采用相对于所要求的波长附近的波长变化的、反射率变化为负的厚度，因此如果向振荡波长变长的方向变化，则反射率的变化减小，而且由于反射率本身也向减小的方向变化，因此可提高外部量子效率，且能够抑制振荡波长的变化造成的输出的降低。另外还发现，如果在激光器芯片的劈开端面产生的热的散发不充分，则该热就会熔化劈开面的半导体结晶，导致该端面破坏，但通过作为第1电介质膜17，采用导热率良好的氧化铝且加厚，则能够充分散热并能够抑制COD造成的破坏。
即，在作为第1电介质膜17采用氧化铝(Al2O3)的1层结构，使设在条形状发光区域的劈开面的厚度具有多种变化的情况下，光波长为780nm时(A)及790nm时(B)的反射率Rf的变化如图2所示，如果使第1电介质膜17的厚度t变化，则其反射率就会周期性变化。以往，在设置该第1电介质膜17时，由于是利用溅射法等进行，因此要附着10nm厚需要3分钟左右，这样由于费时间，所以采用所要求的反射率(例如在780nm，为8.5％)的最初的厚度，即90nm左右的厚度。
但是如B所示，在长波长的790nm时，从成为大致向右平行移动的状态的曲线看出，要得到相同的反射率，需要加厚电介质膜的厚度。另外，如果以在所述的780nm时设置适合所要求的反射率的膜厚的第1电介质膜17的状态下，变化振荡波长而使其变长，则由于电介质膜的厚度不变化，因此反射率就会高于最初设定的反射率(达到图2的b1的位置)。因此外部量子效率降低，导致射出的输出也降低。
为此，本发明人通过以下方式解决了该问题，即，不仅以达到所要求的反射率的方式设定电介质膜的厚度，而且还以能具有在振荡波长变长时反射率变化小的关系的方式设定电介质膜的厚度。即如上述图2所示，前端面的反射率，特别是在高输出的半导体激光器中，由于以减小前端面的反射率，尽量使其从前端面射出的方式，按低反射率设定，因此在按相对于电介质膜的厚度的、反射率的变化曲线中，多将反射率设定在极小点的附近，而在极小点侧，相对于电介质膜的厚度的变化的、反射率的变化小，但在极小点的相反侧，相对于电介质膜厚变化的反射率的变化就很大。
另外，如图2中B所示，波长变长时的相对于同样的厚度的反射率的曲线，多少向膜厚变厚的方向偏移。因此，例如在波长为780nm时，即使是相同的反射率(图2的a1、a2、a3、a4)，只要是在反射率曲线的斜率为正(dRf/dt＞0)的位置(图2的a2、a4)，则对于在其厚度下的波长长的光，反射率就会接近极小方向(图2的b2、b4)，使反射率的变化减小。因此，如果由工作温度而加长振荡波长，则在该波长下的反射率Rf本身也减小，从而外部量子效率提高，而温度上升使阈值电流增大，以补偿一些降低的振荡输出。
在上述的研究中，通过研究相对于电介质膜膜厚t的反射率Rf的变化，将反射率向不易变化的方向设定，从而研究了与半导体激光器的振荡波长的变化对应的方法，但如上所述，如果利用因半导体激光器工作而使温度上升，则阈值电流就会增大，从而使输出降低。因此，在通过温度上升而使振荡波长加长时，通过设定为根据电介质膜的反射率Rf降低的膜厚，从而补正由温度上升造成的输出变化。即，例如，如果将达到所要求的反射率Rf时的膜厚设定在一定值，而使光波长变化，则如图3所示，反射率Rf根据波长λ的变化周期性地变化。因此，例如在能够得到所要求的反射率的厚度中，通过采用处于所要求的波长例如780nm附近、且相对于波长的反射率Rf的变化率(dRf/dλ)为负的厚度t，能够抵消温度上升形成的输出变化。
另外，如果反射率Rf的相对于波长的变化率(dRf/dλ)的绝对值不太大，则例如即使斜率为负值，由于反射率的变化过大，因此优选满足-1≤(dRf/dλ)＜0。在满足此条件的情况下，通过从图2选择达到所要求的反射率的电介质膜的厚度，不仅可以抑制随着由半导体激光器工作而产生的温度升高引起的振荡效率的降低，还可以抑制其输出变化。
此外，如上所述，通过将电介质膜的厚度设定在一定值以上，能够提高散热性，且即使是高输出的半导体激光器，也能够非常高地维持COD能级，而且，即使进行500小时以上的高温(75℃)、高输出(200mW)的刻蚀，也不会被破坏。即，作为第1电介质膜，通过采用导热率高的氧化铝，并对其厚度进行多种变化，研究了COD特性的变化情况。其结果，如图4所示，通过将按光学距离0.6λ以上的厚度(相对于780nm的波长，如果将氧化铝的折射率n设定为1.62，物理上的电介质膜的厚度在240nm以上)，优选设定在按光学距离0.7λ以上，更优选设定在0.8λ以上，能够充分散热，而且在0.6λ的厚度以及采用250mW以上的高输出用半导体激光器，进行上述的加速刻蚀试验的情况下，也发现了对30个试样进行500小时破损试验的结果1个都没有出现破损。
从该散热的角度考虑，电介质膜的厚度越厚越好，但是如果太厚则要耗费更长的成膜时间，因此会导致成本上升，同时难于用厚的电介质膜正确控制反射率，因此优选按光学距离在1.5λ以下。具体是，要将反射率设定在8.5％，通过按光学距离设定在0.83λ(氧化铝膜的物理厚度为0.83λ/n＝400nm)，能够减小温度上升对输出的影响，也能够将寿命设定在非常高的高寿命。
设在后端面上的第2电介质膜18，为了使其能反射大部分光而在谐振器内振荡，并从前端面侧取出大的输出，以反射率Rf达到例如80％～95％的方式，分别以λ/(4n)的厚度(λ为振荡波长，n为电介质膜的折射率)，将α-Si(无定形硅)膜和Al2O3膜形成2组左右。但是该后端面只要能得到所要求的反射率Rf就可以，而不限制电介质膜的材料、组合等。
半导体基板1、半导体叠层部9及电极15、16的部分，与以往的普通半导体激光器的结构相同。作为半导体叠层部9，例如可采用作为红外光的780nm波长用的AlGaAs系化合物半导体，或作为红色光的650nm波长发光用的InGaAlP系化合物半导体。作为用于叠层这些半导体材料的半导体基板1，一般采用GaAs基板，但也可以是其它化合物半导体。此外，半导体基板1的导电形，根据与组装半导体激光器的位置关系，可采用朝基板侧的导电形的n型或p型的任何一种，也可按照该基板1的导电形，确定叠层的半导体层的导电形。在以下的具体例中，说明半导体基板1为n型的例子。
在图1A及图1B所示的例中，半导体叠层部9由以下各部分构成，即，由n型包覆层2、未掺杂或n型或者p型的活性层3及p型的第1包覆层4、p型刻蚀阻止层5、p第2包覆层6、盖体层7、及埋入在脊状刻蚀的p型的第2包覆层6的两侧的n型的电流阻挡层13、设在盖体层7及电流阻挡层13的表面上的p型接触层8构成。
具体是，例如在MOCVD(有机金属化学气相淀积)装置内装入n型GaAs基板1，并与作为反应气体的三乙基镓(TEG)、三甲基铝(TMA)、三甲基铟(TMIn)、磷化氢(PH3)、三氢化砷(AsH3)、以及以与半导体层的导电形对应的方式，与载流子气体氢(H2)一同导入作为n型掺杂气体的H2Se或作为p型掺杂气体的二甲基锌(DMZn)等必要材料，再通过在500～700℃左右的范围内外延生长各半导体层，得到上述的各半导体层的叠层结构。
n型包覆层2例如由Alx1Ga1-x1As(0.3≤x1≤0.7，例如x1＝0.5)构成，且以2～4μm左右的范围形成。活性层3具有Aly1Ga1-y1As(0.05≤y1≤0.2，例如y1＝0.15)的大块结构，或者，由Aly2Ga1-y2As(0.01≤y2≤0.1，例如y2＝0.05)构成的晶片层和由Aly3Ga1-y3As(0.2≤y3≤0.5、y2＜y3，例如y3＝0.3)构成的障壁层的单一或多重量子阱(SQW或MQW)结构，且整体以0.01～0.2μm的范围形成。p型第1包覆层4，以0.1～0.5μm的范围形成Alx2Ga1-x2As(0.3≤x2≤0.7，例如x2＝0.5)。另外，也可以采用以下结构，即，在任何的层间夹装设置其它半导体层，例如在活性层3和包覆层2、4的之间夹装光引导层等。
另外，刻蚀阻止层5，使用p型或未掺杂的例如In0.49Ga0.51P，以0.01～0.05μm的厚度范围形成在p型第1包覆层4上。p型第2包覆层6，使用Alx3Ga1-x3As(0.3≤x3≤0.7，例如x3＝0.5)，以0.5～3μm的范围形成。在其上面，以0.01～0.05μm的范围形成由p型In0.49Ga0.51P构成的盖体层7。通过刻蚀盖体层7及p型第2包覆层6的两侧，形成脊部11，并在其两侧，以横向埋入脊部11的方式，形成例如由AlzGa1-zAs(0.5≤z≤0.8，例如z＝0.6)构成的电流阻挡层13。
在这里，刻蚀阻止层5不局限于使用In0.49Ga0.51P，例如也可以使用In0.49(Ga0.8Al0.2)0.51P等。关于盖体层7，当在后续工序中生长接触层的时候，可以在半导体叠层部10的表面上形成氧化膜等，并为了防止被污染，可以形成GaAs等其它半导体层，此外，如果能够防止表面被污染，也可以不形成。此外，形成脊部11时的刻蚀例如可采用以下方法，即，利用CVD法等，形成由SiO2或SiNx等构成的掩模，并利用例如干刻蚀等，有选择地刻蚀盖体层7，然后通过利用HCl这样的刻蚀液，刻蚀p型第2包覆层6，从而如图所示以例如条形状(与纸面的垂直的方向)形成脊部11。另外，有时还去除露出的刻蚀阻止层5。
在盖体层7及电流阻挡层13上，接触层8由例如p型GaAs层，以0.05～10μm的厚度范围形成。另外，在该接触层8的表面上形成由Ti/Au等构成的p侧电极15，此外在半导体基板1的背面上，在通过研磨变薄后，形成由Au/Ge/Ni或Ti/Au等构成的n侧电极16。在该电极形成后，通过劈开等，对晶片进行芯片化。
在上述例中，是举出了AlGaAs系化合物半导体的例子，但在是由InGaAlP系化合物构成的情况下，作为上述的n型及p型包覆层可采用In0.49(Ga1-uAlu)0.51P(0.45≤u≤0.8，例如u＝0.7)，作为活性层可采用由In0.49(Ga1-v1Alv1)0.51P(0≤v1≤0.25，例如v1＝0)/In0.49(Ga1-v2Alv2)0.51P(0.3≤v2≤0.7，例如v2＝0.4)形成的多重量子阱(MQW)结构等，此外，作为电流阻挡层可采用GaAs或InAlP。除此以外，能够与上述例同样地构成。
此外，在上述例中是采用了脊结构的半导体激光器，当然用其他结构的导体激光器也是同样的，例如可采用以下结构，即，在包覆层之间叠层电流阻挡层并通过刻蚀去除作为电流注入区域的带形槽的SAS从而获得的结构。
如果采用本发明，如上所述，不只是为了达到所要求的反射率的目的，而设置设在条形状发光区域的前端部(射出侧)端面上的电介质膜，还为能够充分散热且提高COD能级而将其形成一定厚度以上，并且还为了即使相对于因工作而变化的振荡波长的偏差，也能够抑制其输出变化，而设置射出端面侧的电介质膜。其结果，得到寿命非常长的、而且输出特性稳定的半导体激光器。
本发明，能够用于CD、DVD、DVD-ROM、可写入数据的CD-R/RW等的拾音器用光源，并且也能够用于个人电脑等电器设备。

Claims (15)

1.一种半导体激光器：
具有：
半导体基板、
以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部、
在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以按达到规定的反射率的方式形成的第1电介质膜、
在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；
而且，
所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件厚度，即，在所述振荡波长λ下、相对于氧化铝膜厚度的反射率的变化曲线中，达到所要求的反射率，并且，在该反射率变化的曲线的斜率为正的同时，按光学距离为0.6λ以上的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征是：
将所述第1电介质膜的厚度设定为按光学距离达到0.6λ以上、1.5λ以下。
3.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征是：
所述第1电介质膜的厚度设定为按光学距离达到0.7λ以上。
4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征是：
所述第1电介质膜的厚度设定为按光学距离达到0.8λ以上。
5.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征是：
以将无定形硅膜和氧化铝膜分别按光学距离λ/4的厚度交替的方式，形成所述第2电介质膜。
6.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征是：
所述半导体叠层部由AlGaAs系化合物半导体或者InGaAlP系化合物半导体形成。
7.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征是：
所述半导体叠层部的条形状发光区域形成为脊状结构。
8.一种半导体激光器：
具有：
半导体基板、
以叠层在所述半导体基板上，形成条形状发光区域，进行振荡波长λ的激光振荡的方式叠层半导体层而形成的半导体叠层部、
在所述半导体叠层部的所述条形状发光区域的一端部，以成为规定的反射率的方式形成的第1电介质膜、
在所述条形状发光区域的另一端部，以达到与所述第1电介质膜相比更高的高反射率的方式形成的第2电介质膜；
而且，
所述第1电介质膜由氧化铝膜形成，且所述氧化铝膜的厚度是满足以下条件的厚度，即，达到所要求的反射率，并且，当相对于光的波长的所述反射率变化的曲线中振荡波长成为所述λ时斜率为负，同时按光学距离为0.6λ以上的厚度。
9.如权利要求8所述的半导体激光器，其特征是：
所述第1电介质膜被设置为具有满足以下条件的厚度，即，在所述反射率曲线中，反射率Rf的相对于光的波长λ的变化率dRf/dλ达到-1≤(dRf/dλ)＜0。
10.如权利要求8所述的半导体激光器，其特征是：
将所述第1电介质膜的厚度设定为按光学距离达到0.6λ以上、1.5λ以下。
11.如权利要求8所述的半导体激光器，其特征是：
所述第1电介质膜的厚度设定为按光学距离达到0.7λ以上。
12.如权利要求8所述的半导体激光器，其特征是：
所述第1电介质膜的厚度设定为按光学距离达到0.8λ以上。
13.如权利要求8所述的半导体激光器，其特征是：
以将无定形硅膜和氧化铝膜分别按光学距离λ/4的厚度交替的方式，形成所述第2电介质膜。
14.如权利要求8所述的半导体激光器，其特征是：
所述半导体叠层部由AlGaAs系化合物半导体或者InGaAlP系化合物半导体形成。
15.如权利要求8所述的半导体激光器，其特征是：
所述半导体叠层部的条形状发光区域形成为脊状结构。
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