CN1637555A - 用于液晶显示器件的基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于液晶显示器件的基板，该基板包括：在基板上彼此交叉以限定出像素区的栅线和数据线；位于所述栅线和数据线交叉点附近的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体图案、源极和漏极；对应于所述栅线、数据线和薄膜晶体管的黑矩阵；设置在黑矩阵上并且具有第一和第二部分的第一绝缘层，第一部分对应于像素区并且具有第一厚度，第二部分具有小于第一厚度的第二厚度；设置在第一绝缘层上并对应于第一部分的滤色片图案；以及设置在所述滤色片图案上方并且与所述薄膜晶体管连接的像素电极。

Description

用于液晶显示器件的基板及其制造方法
本申请要求享有2003年12月30日在韩国递交的韩国专利申请2003-99918号的韩国专利申请的权益，在此引用其全文作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)器件，尤其涉及一种用于LCD器件的基板及其制造方法。
背景技术
直到近来，显示器件主要使用阴极射线管(CRT)。目前，平板显示器件正在代替CRT。人们已经努力研究并开发出了各种各样的平板显示器件，例如，液晶显示器件(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场发射显示器件以及电致发光显示器件(ELD)，用于代替CRT。在这些平板显示器件中，液晶显示器件具有例如分辨率高、重量轻、外形薄、尺寸小以及电压需求低等诸多优点。
通常，液晶显示器件包括彼此面对并分隔开的两个基板，在该两个基板之间设有液晶材料。各基板都包括彼此面对的电极。施加到电极的电压产生贯穿液晶材料的电场。液晶材料中的液晶分子的排列根据产生的电场强度变化为产生的电场的方向，由此改变液晶显示器件的光透射比。这样，液晶显示器件通过改变产生的电场强度显示图像。
图1示出了按照现有技术的液晶显示器件的示意图。如图1所示，液晶显示器件11包括上基板5、下基板22以及在该两基板之间的液晶材料14。上基板5称为滤色片基板，包括滤色片图案8、滤色片图案8之间的黑矩阵6以及在滤色片图案8和黑矩阵6上的公共电极18。下基板22称为阵列基板，包括像素电极17、薄膜晶体管T、栅线13、数据线15以及存储电容C。数据线15和栅线13彼此交叉以限定像素区P。各像素区P包括像素电极17和用作开关元件的薄膜晶体管T。薄膜晶体管T设置在栅线13和数据线15的交叉点处。存储电容C连接到像素电极17并且具有用作第一电极的存储电极30，并将与存储电极30重叠的栅线13用作第二电极。由于在粘接上基板5和下基板22的过程中的不对准，可能会漏光。
图2示出了沿图1中的II-II线提取的截面图。如图2所示，薄膜晶体管T包括设置在第一基板22上的栅极32、半导体图案34、源极36和漏极38，在薄膜晶体管T上设置钝化层40。对应于栅线13、数据线15和薄膜晶体管T的黑矩阵6设置在第二基板5上。对应于各像素P的红、绿和蓝滤色片图案8a、8b和8c也设置在第二基板5上。
为了防止干扰，数据线15和栅线13与像素电极17分别间隔开第一距离A和第二距离B。由于通过第一和第二距离A和B会发生漏光，黑矩阵6覆盖第一和第二距离A和B。另外，黑矩阵6阻止入射光影响半导体图案34。由于在粘接上基板5和下基板22的过程中可能发生未对准的现象，黑矩阵6具有误差余量以补偿未对准现象。这样，减少了液晶显示器件的孔径比。如果粘接上基板5和下基板22的未对准程度大于该误差余量，则部分第一和第二距离A和B没有由黑矩阵6覆盖，从而产生漏光现象。因此，液晶显示器件的显示质量降低。
发明内容
因此，本发明涉及一种用于液晶显示器件的基板及其制造方法，能够基本上克服由于现有技术的局限和缺点产生的一个或多个问题。
本发明的一个目的在于提供一种能够提高孔径比的用于液晶显示器件的基板及其制造方法。
本发明的另一目的在于提供一种能够防止漏光的用于液晶显示器件的基板及其制造方法。
本发明的附加特征和优点将在下面的说明书中进行描述，并且其中一部分可以从说明书中变得明显，或者通过对本发明的实践学习。通过说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构可以实现并获得本发明的这些目的和其它优点。
为了获得这些和其它优点，并按照本发明的目的，如具体和广泛描述的，一种用于液晶显示器件的基板包括：在基板上彼此交叉以限定出像素区的栅线和数据线；位于所述栅线和数据线的交叉点附近的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体图案、源极和漏极；对应于所述栅线、数据线和薄膜晶体管的黑矩阵；设置在所述黑矩阵上并且包括第一和第二部分的第一绝缘层，所述第一部分对应于所述像素区并且具有第一厚度，所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；设置在所述第一绝缘层上并且对应于所述第一部分的滤色片图案；以及设置在所述滤色片图案上方并且连接到所述薄膜晶体管的像素电极。
按照另一方面，一种用于液晶显示器件的基板的制造方法包括：形成彼此交叉以限定出像素区的栅线和数据线；形成在所述栅线和数据线的交叉点附近的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体图案、源极和漏极；形成对应于所述栅线、数据线和薄膜晶体管的黑矩阵；在所述黑矩阵上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成对应于所述像素区的滤色片图案；使用所述滤色片图案作为掩模部分去除所述第一绝缘层，使得所述第一绝缘层包括对应于所述滤色片图案的第一部分和第二部分，其中第一部分比第二部分厚；以及在所述滤色片上形成连接到所述薄膜晶体管的像素电极。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，以提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
所包括的附图用于进一步理解本发明，并且作为说明书的一个组成部分，其连同说明书一起示出了本发明的实施例并解释本发明的原理。
图1示出了现有技术的液晶显示器件的示意图；
图2示出了沿图1中的II-II线提取的截面图；
图3A和3B分别示出了按照本发明第一和第二实施例用于液晶显示器件的基板的平面图；
图4A到4G、5A到5G和6A到6G分别示出了沿图3A中的IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了按照本发明实施例用于液晶显示器件的基板的制造方法；
图7A到7G、8A到8G和9A到9G示出了按照本发明实施例用于部分去除第三绝缘层的详细工艺截面图。
具体实施方式
下面参照附图详细描述本发明的优选实施例。
图3A和3B分别示出了按照本发明第一和第二实施例用于液晶显示器件的基板的平面图。如图3A所示，在基板100上形成彼此交叉以限定像素区P的栅线102和数据线118。与栅线102相连接的栅焊盘电极106设置在栅线102的一端。与数据线118相连接的数据焊盘电极120设置在数据线118的一端。栅焊盘电极106和数据焊盘电极120分别具有栅焊盘接触孔142和数据焊盘接触孔144，并且分别通过栅焊盘接触孔142和数据焊盘接触孔144与栅焊盘端子146和数据焊盘端子148相接触。
薄膜晶体管T设置在栅线102和数据线118的交叉点附近。各像素区P中的薄膜晶体管T包括栅极104、半导体图案110、源极114和漏极116。像素电极138与漏极116相连接。在像素区P内分别形成红滤色片图案(R)134a、绿滤色片图案(G)134b和蓝滤色片图案(B)134c。
连接线117在像素区P内连接漏极116和存储电极122。存储电极122和与存储电极122重叠的栅线102限定存储电容Cst。存储电极122通过存储接触孔132连接像素电极138。因此，像素电极138通过连接线117与漏极116相连接并且与存储电极122相连接，这样数据信号可以通过薄膜晶体管T施加到像素电极138。由于滤色片图案134a、134b和134c设置在薄膜晶体管T上，图3A所示的用于液晶显示器件的基板可以称为晶体管上滤色片(COT)基板。
在薄膜晶体管T上方设置黑矩阵128。对应于栅线102、数据线118和薄膜晶体管T的黑矩阵128可以防止漏光。而且，黑矩阵128保护薄膜晶体管T。
图3B中按照本发明第二实施例的基板与图3A中第一实施例的基板除了漏极116和像素电极138的连接外基本相似。在图3A中，像素电极138通过连接线117与漏极116相连接，而在图3B中，像素电极138直接通过漏极接触孔133与漏极116接触。换句话说，由于在漏极116上形成有漏极接触孔133，在第二实施例中不使用图3A中的连接线117连接像素电极138和漏极116。而且，图3B中的存储电极122具有岛状形状。
图4A到4G、5A到5G和6A到6G是分别沿图3A中的IV-IV、V-V和VI-VI线提取的截面图，示出了按照本发明第一实施例用于液晶显示器件的基板的制造方法。除了连接像素电极和漏极的方法外，按照本发明第一实施例的制造方法可以相似地应用于按照本发明的第二实施例中。
在图4A、5A和6A中，在基板100上沉积第一金属并对其构图以形成栅线102、在栅线102一端的栅焊盘电极106以及从栅线102突出的栅极104。在基板100上方形成第一绝缘层108作为栅绝缘层108。第一绝缘层108可以由氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiNx)制成。在第一绝缘层108上顺序沉积本征非晶硅和掺杂非晶硅。对本征非晶硅和掺杂非晶硅构图以形成具有有源层111和欧姆接触层112的半导体图案110。
如图4B、5B和6B所示，在具有半导体图案110的基板100的上方沉积第二金属并对其构图以形成数据线118、在数据线118一端的数据焊盘电极120、源极114、漏极116、图3A中的连接线117和存储电极122。源极114和漏极116彼此分隔开并且接触欧姆接触层112。
第二金属可以是铬(Gr)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)或者铜(Cu)。如图3A所示，在第一实施例中形成连接线117。但是，如图3B所示，在第二实施例中没有形成连接线117并且存储电极122具有岛状形状。
在形成源极114和漏极116之后，使用源极114和漏极116作为蚀刻掩模蚀刻欧姆接触层112。这样，欧姆接触层112被分为两层。通过用于欧姆接触层112的蚀刻工艺暴露出的有源层111区域是沟道区。然后，在具有源极114和漏极116的基板100上形成第二绝缘层124。第二绝缘层124可以由氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiNx)制成。
如图4C、5C和6C所示，在第二绝缘层124上沉积不透明材料126并对其构图以形成黑矩阵128。不透明材料可以是低介电常数的有机材料。黑矩阵128对应于栅线102、数据线118和薄膜晶体管T。第二绝缘层124增加了黑矩阵128对薄膜晶体管T的粘附性。黑矩阵128遮蔽薄膜晶体管T以免受入射光的影响。
如图4D、5D和6D所示，在具有黑矩阵128的基板100上形成第三绝缘层130。第三绝缘层130可以由氧化硅(SiO2)或者氮化硅(SiNx)制成并且具有厚度D。
如图4E所示，对第三和第二绝缘层130和124构图以形成暴露出存储电极122的存储接触孔132、暴露出数据焊盘电极120的数据焊盘接触孔144(如图6E所示)。而且，如图5E所示，对第三、第二和第一绝缘层130、124和108构图以形成暴露出栅焊盘电极106的栅焊盘接触孔142。如图3B所示，该构图也形成暴露出漏极116的漏极接触孔133，并且在第二实施例中形成存储接触孔132。
在图4F、5F和6F中，在构图的第三绝缘层130上沉积绿色树脂并对其构图以在像素区P中形成绿滤色片图案(G)134b。按照与绿滤色片图案134b相似的工艺形成图3A中的红滤色片图案(R)134a和蓝滤色片图案(B)134c。
在形成红、绿和蓝滤色片图案134a、134b和134c之后，部分去除通过滤色片图案134a、134b和134c暴露出的第三绝缘层130以形成深度d。深度d可以大于第三绝缘层130的平均表面粗糙度。平均表面粗糙度可以是第三绝缘层130的表面粗糙度的均方根(RMS)。可以通过干蚀刻工艺或者湿蚀刻工艺进行第三绝缘层130的部分去除。
因此，由滤色片图案134a、134b和134c覆盖的第三绝缘层130的第一部分具有厚度D，并且通过滤色片图案134a、134b和134c暴露出的第三绝缘层130的第二部分具有厚度D-d。在部分去除第三绝缘层130的工艺中，滤色片图案134a、134b和134c用作蚀刻掩模。
如图4G、5G和6G所示，在具有滤色片图案134a、134b和134c的基板100上沉积透明导电材料并对其构图，以在像素区P内形成像素电极138、在栅焊盘电极106上形成栅焊盘端子146以及在数据焊盘电极120上形成数据焊盘端子148。透明导电材料可以是氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)。像素电极138通过存储接触孔132接触存储电极122、栅焊盘端子146通过栅焊盘接触孔142接触栅焊盘电极106并且数据焊盘端子148通过数据焊盘接触孔144接触数据焊盘电极120。如图4G所示，按照第一实施例，像素电极138通过图3A中的连接线117与漏极116相连接并且与存储电极122相连接。但是，如图3B所示，在第二实施例中不形成连接线117，并且像素电极138通过漏极接触孔133直接接触漏极116。
在上述制造方法中，通过部分去除第三绝缘层130的工艺，可以去除剩余在存储接触孔132、栅焊盘接触孔142和数据焊盘接触孔144内的残留彩色树脂。而且，可以提高像素电极138、栅焊盘端子146和数据焊盘端子148以及其下的层(例如第三绝缘层130)的粘附性。
图7A到7G、8A到8G和9A到9G示出了按照本发明第一实施例用于部分去除第三绝缘层的工艺截面图。除了像素电极和漏极的连接之外，按照第一实施例部分去除第三绝缘层的详细工艺可以应用于第二实施例中第三绝缘层的去除。
如图7A、8A和9A所示，在具有厚度D的第三绝缘层130上沉积光刻胶150，并且将包括透明部分M1、遮挡部分M2和半透明部分M3的光掩模M设置在光刻胶150之上。透明部分M1透射光，遮挡部分M2遮蔽光，并且半透明部分M3透射大约透明部分M1所透射光的一半。半透明部分M3可以由狭缝或者半透明材料构成，并且部分暴露出光刻胶150。其中光刻胶150使用正型光刻胶，即曝光的部分被显影。
半透明部分M3对应于要形成存储接触孔和数据焊盘接触孔的区域。透明部分M1对应于要形成栅焊盘接触孔的区域。在第二实施例中，半透明部分M3还对应于要形成漏极接触孔的区域。
如图7B、8B和9B所示，通过上述用于光刻胶150(图7A、8A和9A中的)的曝光工艺和显影工艺形成光刻胶图案150a。部分去除对应于半透明部分M3的部分光刻胶图案150a，并且完全去除对应于透明部分M1的部分光刻胶图案150a。
参照图7C、8C和9C，通过光刻胶图案150a完全蚀刻位于栅焊盘电极106上方的第三绝缘层130。如图7D、8D和9D所示，灰化光刻胶图案150a(图7C、8C和9C中的)，由此形成削减的灰化光刻胶图案150b。因此，通过灰化，例如干蚀刻工艺，通过灰化的光刻胶图案150b暴露出位于存储电极122和数据焊盘电极120上方的第三绝缘层130。在第二实施例中，还暴露出位于漏极116上方的第三绝缘层130。
如图7E、8E和9E所示，使用灰化的光刻胶图案150b蚀刻位于存储电极122和数据焊盘电极120上方的第三和第二绝缘层130和124以及位于栅焊盘电极106上方的第二和第一绝缘层124和108。在蚀刻工艺中，完全蚀刻位于存储电极122和数据焊盘电极120上方的第三绝缘层130，并且部分蚀刻位于存储电极122和数据焊盘电极120上方的第二绝缘层124。而且，完全蚀刻位于栅焊盘电极106上方的第二绝缘层124，并且部分蚀刻位于栅焊盘电极106上方的第一绝缘层108。部分蚀刻第二绝缘层124和第一绝缘层108的原因是防止化学反应，例如在剥离灰化的光刻胶图案150b和形成滤色片图案时，第一和第二绝缘层108和124下面的金属层的腐蚀。在第二实施例中，用与第一实施例中蚀刻位于存储电极122和数据焊盘电极120上方的第三和第二绝缘层130和124相似的方法蚀刻位于漏极116上方的第三和第二绝缘层130和124。
如图7F、8F和9F所示，剥离灰化的光刻胶图案150b(图7E、8E和9E所示的)，然后，在第三绝缘层130上沉积绿色树脂并且对其构图以在像素区P内形成绿滤色片图案(G)134b。
如图7G、8G和9G所示，使用绿滤色片图案134b作为蚀刻掩模蚀刻第三、第二和第一绝缘层130、124和108。在该蚀刻工艺中，部分去除第三绝缘层130以形成深度d。因此，由绿滤色片图案134b覆盖的第三绝缘层130的第一部分具有厚度D，并且通过滤色片图案134a、134b和134c暴露出的第三绝缘层130的第二部分具有厚度D-d。完全蚀刻被部分去除并位于存储电极122和数据焊盘电极120上方的第二绝缘层124，以暴露出存储电极122和数据焊盘电极120并且形成存储接触孔132和数据焊盘接触孔144。而且，完全蚀刻被部分去除并位于栅焊盘电极106上方的第一绝缘层124，以暴露出栅焊盘电极106并且形成栅焊盘接触孔142。在第二实施例中，以与蚀刻位于存储电极122和数据焊盘电极120上方的第二绝缘层124相似的方法完全蚀刻位于漏极116上方的第二绝缘层124。
在本发明的上述实施例中，在具有薄膜晶体管的基板上形成滤色片图案和黑矩阵。因此，不用考虑粘接液晶显示器件的上、下基板中的不对准问题。在本发明的实施例中，液晶显示器件的孔径比得到增加并且减少了漏光现象。在本发明上述实施例的制造方法中，部分去除第三绝缘层。因此，可以去除剩余在孔中的残留彩色树脂，并且能够提高像素电极、栅焊盘电极和数据焊盘电极以及各层的粘附性。另外，在上述的制造方法中，部分蚀刻第一和第二绝缘层。因此，可以防止例如位于第一和第二绝缘层下方的金属层的腐蚀等化学反应。
对于本领域的技术人员来说，很明显，在不脱离本发明的精神和范围内可以对上述的用于液晶显示器件的基板及其制造方法进行各种各样的修改和变化。因此，本发明覆盖所附权利要求书及其等同物范围内的修改和变化。

Claims (25)

1、一种用于液晶显示器件的基板，包括：
在基板上彼此交叉以限定出像素区的栅线和数据线；
位于所述栅线和数据线的交叉点附近的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅
极、半导体图案、源极和漏极；
对应于所述栅线、数据线和薄膜晶体管的黑矩阵；
设置在所述黑矩阵上并且包括第一部分和第二部分的第一绝缘层，所述第一部分对应于所述像素区并且具有第一厚度，所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；
设置在所述第一绝缘层上并且对应于所述第一部分的滤色片图案；以及
设置在所述滤色片图案上方并且连接到所述薄膜晶体管的像素电极。
2、按照权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一厚度和第二厚度之间的差值大于所述第一绝缘层的平均表面粗糙度。
3、按照权利要求2所述的基板，其特征在于，所述平均表面粗糙度是所述第一绝缘层的表面粗糙度的均方根。
4、按照权利要求1所述的基板，其特征在于，还进一步包括与所述栅线重叠的存储电极，其中所述第一绝缘层具有第一接触孔，并且所述存储电极通过该第一接触孔接触所述像素电极。
5、按照权利要求4所述的基板，其特征在于，还进一步包括连接所述漏极和存储电极的连接线。
6、按照权利要求4所述的基板，其特征在于，所述第一绝缘层具有第二接触孔，使得所述像素电极通过该第二接触孔直接接触所述漏极。
7、按照权利要求4所述的基板，其特征在于，还进一步包括设置在所述第一绝缘层和存储电极之间的第二绝缘层，其中该第二绝缘层具有所述第一接触孔。
8、按照权利要求1所述的基板，其特征在于，所述黑矩阵设置在所述第一绝缘层和薄膜晶体管之间。
9、按照权利要求1所述的基板，其特征在于，还进一步包括设置在所述栅线一端的栅焊盘，以及设置在所述数据线一端的数据焊盘。
10、按照权利要求9所述的基板，其特征在于，所述栅焊盘包括与所述栅线连接的栅焊盘电极，以及接触该栅焊盘电极的栅焊盘端子。
11、按照权利要求9所述的基板，其特征在于，所述数据焊盘包括与所述数据线连接的数据焊盘电极，以及接触该数据焊盘电极的数据焊盘端子。
12、一种用于液晶显示器件的基板的制造方法，包括：
形成彼此交叉以限定出像素区的栅线和数据线；
形成在所述栅线和数据线的交叉点附近的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体图案、源极和漏极；
形成对应于所述栅线、数据线和薄膜晶体管的黑矩阵；
在所述黑矩阵上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成对应于所述像素区的滤色片图案；
使用所述滤色片图案作为掩模部分去除所述第一绝缘层，使得所述第一绝缘层包括对应于所述滤色片图案的第一部分和第二部分，其中第一部分比第二部分厚；以及
在所述滤色片上形成连接到所述薄膜晶体管的像素电极。
13、按照权利要求12所述的方法，其特征在于，所述部分去除所述第一绝缘层包括去除该第一绝缘层以形成一定深度，该深度大于所述第一绝缘层的平均表面粗糙度。
14、按照权利要求13所述的方法，其特征在于，所述平均表面粗糙度是所述第一绝缘层的表面粗糙度的均方根。
15、按照权利要求12所述的方法，其特征在于，还进一步包括以形成所述漏极相同的工艺形成存储电极，使得该存储电极与所述栅线重叠并且接触所述像素电极。
16、按照权利要求15所述的方法，其特征在于，还进一步包括以形成所述漏极相同的步骤形成连接线，使得该连接线连接所述漏极和存储电极。
17、按照权利要求16所述的方法，其特征在于，还进一步包括在所述第一绝缘层和存储电极之间形成第二绝缘层。
18、按照权利要求17所述的方法，其特征在于，还进一步包括：
在所述第一绝缘层上沉积光刻胶；
使用包括透明部分、遮挡部分和对应于所述存储电极的半透明部分的掩模对所述光刻胶曝光；
使所述光刻胶显影以形成光刻胶图案，使得该光刻胶图案对应于所述半透明部分和遮挡部分；
灰化该光刻胶图案以去除对应于所述半透明部分的光刻胶图案；
使用灰化的光刻胶图案去除所述第一绝缘层并且部分去除所述第二绝缘层；以及
去除所述部分去除的第二绝缘层以形成暴露出所述存储电极的接触孔。
19、按照权利要求15所述的方法，其特征在于，还进一步包括在所述第一绝缘层和存储电极之间形成第二绝缘层。
20、按照权利要求19所述的方法，其特征在于，还进一步包括
在所述第一绝缘层上沉积光刻胶；
使用包括透明部分、遮挡部分和对应于所述存储电极的半透明部分的掩模对所述光刻胶曝光；
使所述光刻胶显影以形成光刻胶图案，使得该光刻胶图案对应于所述半透明部分和遮挡部分；
灰化该光刻胶图案以去除对应于所述半透明部分的光刻胶图案；
使用灰化的光刻胶图案去除所述第一绝缘层并且部分去除所述第二绝缘层；以及
去除所述部分去除的第二绝缘层以形成暴露出所述存储电极和漏极的第一和第二接触孔。
21、按照权利要求12所述的方法，其特征在于，还进一步包括：
在所述栅线的一端形成栅焊盘；以及
在所述数据线的一端形成数据焊盘。
22、按照权利要求21所述的方法，其特征在于，所述形成栅焊盘包括：
形成与所述栅线连接的栅焊盘电极；
在所述栅焊盘电极上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层和第一绝缘层之间形成第三绝缘层；
对所述第一、第二和第三绝缘层构图以形成接触孔；
形成通过所述接触孔连接所述栅焊盘电极的栅焊盘端子。
23、按照权利要求22所述的方法，其特征在于，对所述第一、第二和第三绝缘层构图包括：
在所述第一绝缘层上沉积光刻胶；
使用包括透明部分、遮挡部分和半透明部分的掩模对所述光刻胶曝光，其中所述透明部分对应于所述栅焊盘电极；
使所述光刻胶显影以形成光刻胶图案，使得该光刻胶图案对应于所述半透明部分和遮挡部分；
使用所述光刻胶图案去除所述第一绝缘层；
灰化该光刻胶图案以去除对应于所述半透明部分的光刻胶图案；
使用灰化的光刻胶图案去除所述第三绝缘层并且部分去除所述第二绝缘层；以及
去除所述部分去除的第二绝缘层以形成所述接触孔。
24、按照权利要求21所述的方法，其特征在于，所述形成数据焊盘包括：
形成与所述数据线连接的数据焊盘电极；
形成位于所述数据焊盘电极和所述第一绝缘层之间的第二绝缘层；
对所述第一和第二绝缘层构图以形成接触孔；
形成通过所述接触孔接触所述数据焊盘电极的数据焊盘端子。
25、按照权利要求24所述的方法，其特征在于，所述对第一和第二绝缘层构图包括：
在所述第一绝缘层上沉积光刻胶；
使用包括透明部分、遮挡部分和半透明部分的掩模对所述光刻胶曝光，其中所述半透明部分对应于所述数据焊盘电极；
使所述光刻胶显影以形成光刻胶图案，使得该光刻胶图案对应于所述半透明部分和遮挡部分；
灰化该光刻胶图案以去除对应于所述半透明部分的光刻胶图案；
使用灰化的光刻胶图案去除所述第一绝缘层并且部分去除所述第二绝缘层；以及
去除所述部分去除的第二绝缘层以形成所述接触孔。
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