CN1630940A - 偏振分析方法 - Google Patents

偏振分析方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1630940A
CN1630940A CN03803614.2A CN03803614A CN1630940A CN 1630940 A CN1630940 A CN 1630940A CN 03803614 A CN03803614 A CN 03803614A CN 1630940 A CN1630940 A CN 1630940A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
photopermeability
polarized light
light component
analysis method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN03803614.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100521135C (zh
Inventor
菊池俊彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN1630940A publication Critical patent/CN1630940A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100521135C publication Critical patent/CN100521135C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0641—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211—Ellipsometry

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

在氧化膜(301)的下层，形成有：由金属布线(302)和层间绝缘膜(303)构成的B层，和由在与金属布线(302)正交方向形成的金属布线(304)和层间绝缘膜(305)所构成的D层的多层布线。入射光中的s偏振光成分由B层界面反射，p偏振光成分由D层界面反射，计算各个振幅反射率Rs、Rp，计算作为s偏振光成分和p偏振光成分的振幅比ψ和相位差Δ的函数的tanψ和cosΔ，得到基准数据，基于该基准数据来求出氧化膜(301)的膜厚(tA)。由此，能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。

Description

偏振分析方法
技术领域
本发明涉及一种偏振分析方法，特别涉及一种在半导体装置的制造工序的膜厚测量、蚀刻形状等截面形状的测量中适合的偏振分析方法。
背景技术
一直以来，例如在半导体装置的制造工序的膜厚检查工序等中，利用使用椭圆偏振计的光学膜厚测量。
图2是表示使用这种椭圆偏振计的光学膜厚测量的大致情况的图。如图上述，在使用椭圆偏振计的光学膜厚测量中，将来自光源101的光，通过调整偏振状态的偏振光元件102、调整相位的补偿板103的各个光学元件，由此形成椭圆偏振状态的入射光，照射到样品107上。
然后，在来自样品107的反射光的光路上，设置用于调整偏振状态的检光元件104、用于选择规定波长的光的分光器105、检测器106，对于反射光的各个波长测量偏振状态，得到光谱。
例如，如图3所示，在测量在Si基板202上成膜的氧化膜(栅氧化膜等)201的膜厚的情况下，如上述那样，从空气(折射率＝N0)200中以角度θ0照射的椭圆偏振状态的入射光，由氧化膜(折射率＝N1)201表面反射，同时，其大部分入射到氧化膜201中。之后，入射到氧化膜201内的入射的光，由Si基板202界面(基板面)(折射率＝N2)反射，从氧化膜201内返回到空气200中，与在氧化膜201表面的反射光偏振干涉。
对于上述这样的光，计算各个p偏振光成分和s偏振光成分，由各个相位差Δ和振幅比ψ计算出膜厚。
Si基板202面的反射光的p偏振光成分(r1p)和s偏振光成分(r1s)，分别由下面的公式来计算。
r1p＝(n2cosθ1-n1cosθ2)/(n2cosθ1+n1cosθ2)
r1s＝(n1cosθ1-n2cosθ2)/(n1cosθ1+n2cosθ2)
另外，检测的光的p偏振光成分(Rp)和s偏振光成分(Rs)可根据上述r1p、r1s和氧化膜201面的反射光的p偏振光成分(r0p)和s偏振光成分(r0s)，由下面的公式计算偏振状态。
Rp＝(r0p+r1pexp(-2iδ))/(1+r0p·r1pexp(-2iδ))
Rs＝(r0s+r1sexp(-2iδ))/(1+r0s·r1 sexp(-2iδ))
其中，(δ＝2πn1tcosθ1/λ)
最终，使用Rp/Rs＝tan(ψ)·exp(-iΔ)，对各个波长来计算cosΔ和tanψ，由此得到波长依赖光谱。然后，将氧化膜201的膜厚值t作为参数，比较实测的光谱和理论的光谱，由此能够计算出膜厚值t。
另外，如图4所示，在Si基板202上形成的氧化膜201，在具有格子构造(grating structure)的情况下，也能够利用椭圆偏振计进行该格子构造的截面形状的测量，这种情况下，如图5所示，将图案部分分割为L等分，将格子部分作为L层的积层膜来求出形状。在这种方法中，存在空气和格子构造的介电常数的混合层，利用各个界面发生n次衍射光的模式来计算截面形状。这种情况下，图5所示的格子图案假设为无限重复区域。将格子构造分割为L层，基于各层的空气和格子部分的体积比来结算介电常数。以处于该L层的积层构造的角度入射光时，构建在各层的界面中发生反射和透过的n次衍射光这样的模型，分别计算s偏振光成分、p偏振光成分的振幅反射率。最终能够根据cosΔ和tanψ的波长依赖性来求出截面形状。
上述膜厚测量方法中，任何截面形状的测量方法中，基板面(下层反射面)由Si、Al、Cu等光吸收系数k大的材料(光透过性低的低光透过性材料)构成，能够适用于膜厚较厚、平坦的非透过性的情况。
但是，在上述膜厚测量方法和截面形状测量方法中，在作为测量对象的氧化膜的下层具有多层布线构造的样品的情况下，具有不能进行膜厚测量和截面形状测量这样的问题。
即，例如，在如图6所示的样品情况下，如图6(a)所示，在由作为测量膜厚的对象的氧化膜301构成的a层的下层，形成由金属布线302和层间绝缘膜303构成的b层、由金属布线304和层间绝缘膜305构成的c层，如该图(b)、(c)所示，具有使得b层的金属布线302和c层的金属布线304正交而形成的多层布线构造。在这样的多层布线构造中，氧化膜301和层间绝缘膜303、305由二氧化硅等光透过性高的高光透过性材料构成，金属布线302、304由Cu、Al、W等光透过性低的低光透过性材料构成。而且，在图6(a)中，306、307由SiN膜或者SiC膜等构成，是CMP(化学机械抛光)工序中所利用的阻挡(stopper)层。
另外，在图7所示的样品的情况下，此外，氧化膜301具有格子构造。
在具有上述这样多层布线构造的样品的情况下，由于下层的反射面的构造是复杂的，所以每当计算理论光谱时，假设由a层的表面与a层和b层的界面反射来计算理论光谱，既使假设由a层的表面与b层和c层的界面所反射来计算理论光谱，也不能进行膜厚测量和截面形状测量。
为此，一直以来，在进行在多层布线构造上形成的膜的膜厚测量等的情况下，在制造工序中，投入与制品晶片不同的试样晶片，在试样晶片(裸Si)上形成成为测量对象的膜，通过光学方法进行膜厚测量。
另外，既使在测量蚀刻形状的情况下，也要进行投入试样晶片、成膜、抗蚀涂布、曝光、蚀刻工序，由SEM观察截面，进行形状管理。
为此，在任何情况下，具有试样晶片数越多其制造成本越增加这样的问题。
另外，也能够在芯片内设置膜厚测量或者蚀刻形状测量的监视图案，利用已有方法来测量该位置。但是，随着IC的高集成化，在芯片内设置具有一定大小的监视图案是困难的。另外，由于作为假设设置的图案较大，所以在CMP的工序处理中，引起图8所示那样的金属布线302的表面被切削成碗型的凹状，在将与金属布线302的界面作为反射面来测量膜厚等的情况下，具有测量精度恶化这样的问题。
因此，为了测量、管理在多层布线上形成的膜的膜厚和截面形状，谋求以非破坏、高生产率来测量制品晶片的任意位置的方法的开发。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种偏振分析方法，其能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。
本发明提供一种偏振分析方法，在对表面上具有测量对象的膜的被测量物以规定入射角照射规定波长的椭圆偏振状态的入射光时，通过理论计算求出从上述被测量物反射的反射光的p偏振光成分和s偏振光成分的基于相位差(Δ)的值和基于振幅比(ψ)的值，得到基准数据，同时，通过测量求出实际的对上述被测量物照射上述入射光时反射的反射光的p偏振光成分和s偏振光成分的基于相位差(Δ)的值和基于振幅比(ψ)的值，通过与上述基准数据比较，进行上述膜的分析，其特征在于，在得到上述基准数据时，使得上述p偏振光成分的反射面和上述s偏振光成分的反射面不同，来进行上述理论计算。
另外，本发明特征在于，上述比较基于至少2个以上的波长进行。
另外，本发明特征在于，上述比较基于至少2个以上的入射角进行。
另外，本发明的特征在于，基于上述相位差(Δ)的值是cosΔ，基于上述振幅比(ψ)的值是tanψ。
另外，本发明的特征在于，上述被测量物具有：在最上层形成的、由光透过性高的高光透过性材料构成的第一层；在上述第一层下设置的、由光透过性高的高光透过性材料和光透过性低的低光透过性材料所构成的第二层；在第二层下设置的、由光透过性高的高光透过性材料所构成的第三层；在上述第三层下设置的、由光透过性低的低光透过性材料所构成的基板。
另外，本发明的特征在于，上述第二层中，上述高光透过性材料和上述低光透过性材料具有在层平面方向交互配置的直线状布线构造，上述p偏振光成分的偏振光面与上述直线状布线平行。
另外，本发明的特征在于，在上述基板和上述第三层之间，光透过性高的高光透过性材料和光透过性低的低光透过性材料，具有第四层，其至少在表面上具有在层平面方向交互配置的直线状布线构造，上述第四层的直线状布线的方向是与上述第二层的直线状布线方向正交的方向。
另外，本发明的特征在于，上述s偏振光成分在上述第二层上反射，上述p偏振光成分透过上述第二层，在上述第四层上反射。
另外，本发明的特征在于，上述理论计算中的上述第二层，对上述p偏振光成分的折射率与对上述s偏振光成分的折射率是不同的。
另外，本发明的特征在于，上述光透过性低的低光透过性材料是金属布线材料，上述光透过性高的高光透过性材料是绝缘材料。
另外，本发明的特征在于，测量上述测量对象的膜的膜厚、折射率、截面形状的至少任何一个。
附图说明
图1是用于说明本发明的测量方法的一个实施方式的图。
图2是表示本发明方法所使用的椭圆偏振计的大致构成的图。
图3是表示用于说明已有的膜厚测量方法的基板截面的大致构成的图。
图4是表示用于说明已有的截面形状测量方法的基板截面的大致构成的图。
图5是表示用于说明已有的截面形状测量方法的基板截面的大致构成的图。
图6是表示用于说明已有技术的问题点的基板截面的大致构成的图。
图7是表示用于说明已有技术的问题点的基板截面的大致构成的图。
图8是表示用于说明已有技术的问题点的基板截面的大致构成的图。
具体实施方式
下面，参照附图关于实施方式来说明本发明的细节。
图1表示了测量上述图6所示的具有多层布线构造的试样的氧化膜301的膜厚(tA)的情况的例子，所以在该图中，为了简化说明，关于图6所示的阻挡层306、307，省略了图示。另外，在该图中，(a)表示照射的光中的s偏振光成分的举动，(b)表示p偏振光成分的举动。而且，测量所使用的椭圆偏振计的构成，如上述的图2所示那样，由光源101、偏振光元件102、补偿板103、检光元件104、分光器105、检测器106等构成。
如图1(a)所示，从折射率为N0的空气300中照射到由折射率为NA的氧化膜301构成的A层的入射光的s偏振光成分，其一部分以反射角θ0从A层表面反射(r0s)，剩余部分入射到A层。
然后，入射到A层内的s偏振光成分通过A层，到达由金属布线302和层间绝缘膜303构成的B层的界面，但s偏振光成分在与金属布线302的布线方向(布线的长度方向)垂直的方向有振幅，所以，不能通过在B层的金属布线302间形成的层间绝缘膜303的形成区域，在与B层的界面以反射角θ1反射。该反射光的振幅反射率r1s由下面表示：
r1s＝(NAcosθ1-NBscosθ2)/(NAcosθ1+NBscosθ2)
而且，NBs是对B层的s偏振光成分的折射率。
该反射光(r1s)通过B层，与由A层表面反射的反射光(r0s)干涉，其干涉光的振幅反射率Rs是：
Rs＝(r0s+r1s exp(-2iδ))/(1+r0s·r1s exp(-2iδ))
其中，
δ＝2πNAtAcosθ1/λ
r0s＝(N0cosθ0-NAcosθ1)/(N0cosθ0+NAcosθ1)
另一方面，图1(b)表示照射光中p偏振光成分的举动。从折射率为N0的空气300中照射到由折射率为NA的氧化膜301构成的A层的入射光的p偏振光成分，其一部分以反射角θ0从A层表面反射(r0p)，剩余部分入射到A层内。
然后，入射到A层内的p偏振光成分，通过A层，到达与由金属布线302和层间绝缘膜303构成的B层的界面，但由于p偏振光成分在与金属布线302的布线方向(布线的长度方向)平行的方向有振幅，所以能够通过在B层金属布线302间形成的层间绝缘膜303形成区域。然后，该通过的p偏振光成分还通过仅由层间绝缘膜303构成的C层，到达与由金属布线304和层间绝缘膜305构成的D层的界面。而且，而且，如该图所示，在与B层的界面、与C层的界面，一部分p偏振光成分以反射角θ1、θ2反射。
D层的金属布线304相对p偏振光成分的振幅方向是垂直的，所以p偏振光成分不能通过在D层的金属布线304间形成的层间绝缘膜305形成区域，到达与D层的界面的p偏振光成分，在这里以反射角θ3反射。该反射光的振幅反射率r3p由下面的公式表示：
r3p＝(NDcosθ3-NCcosθ4)/(NDcosθ3+NCcosθ4)
相对s偏振光成分的B层和相对p偏振光成分的D层，实质上作用为基板面(非透过面)，所以在相对s偏振光成分的B层的折射率NBs和相对p偏振光成分的D层的折射率ND之间，ND＝NBs成立。但是，限于B层和C层的金属布线的线宽和间隔相等的情况。
由与D层的界面反射的反射光(r3p)通过C层，与由与C层的界面所反射的反射光(r2p)干涉，该干涉光的振幅反射率R2p为：
R2p＝(r2p+r3p exp(-2iδ))/(1+r2p·r3p exp(-2iδ))
但是，
δ＝2πNC tCcosθ3/λ
r2p＝(NCcosθ2-NBpcosθ3)/(NCcosθ2+NBpcosθ3)
这里，如关于B层进行说明，在已经的s偏振光成分的计算中，将B层的折射率定义为NBs，但B层是包含因膜厚改变折射率的Cu、W、Al等金属的层。在这样的层的情况下，在相对s偏振光成分而起到基板面(非透过面)的功能的情况下和相对p偏振光成分而作为透过膜发挥功能的情况下，折射率不同，NBs≠NBp。
在上述干涉光(R2p)通过B层的情况下，如果也同样考虑，B层的振幅反射率R1p为：
R1p＝(r1p+R2p exp(-2iδ))/(1+r1p·R2p exp(-2iδ))
但是，
δ＝2πNBp tBcosθ2/λ
r1p＝(NBpcosθ1-NAcosθ2)/(NBp cosθ1+NA cosθ2)
最终，A层表面的振幅反射率Rp是：
Rp＝(r0p+R1p exp(-2iδ))/(1+r0p·R1p exp(-2iδ))
但是，
δ＝2πNA tAcosθ1/λ
r0p＝(NA cosθ0-N0 cosθ1)/(NA cosθ0+N0 cosθ1)
如上所述，在作用为基板面(非透过面)的反射面，根据分别分为s偏振光成分和p偏振光成分来计算的振幅反射率Rs、Rp，作为s偏振光成分和p偏振光成分的振幅比ψ和相位差Δ的函数的tanψ和cosΔ由下面的公式能够计算：
Rs/Rp＝tanψ·exp(-iΔ)
以上关于任意波长进行了说明，所以对于连续的多个波长，通过计算tanψ和cosΔ，可得到作为基准数据的λ-tanψ和λ-cosΔ的光谱数据。
然后，分配关于膜厚和膜质的参数来比较关于不同的A层膜厚tA而这样求出的基准数据的光谱数据和实际测量得到的实测的光谱数据，将表示该误差的统计量最小或者最大的膜厚作为输出值，利用这种方法，能够测量在多层布线上形成的氧化膜301(A层)的膜厚。
而且试样旋转90°的情况下，也可以是s偏振光成分和p偏振光成分的反射、透过相反的图案。
另外，如上述，s偏振光成分和p偏振光成分分别由各个不同的面反射，计算tanψ和cosΔ的波长依赖性，与实测的光谱比较的方法，如图7所示那样，也能够使用于格子构造的蚀刻形状测量等截面形状测量中。关于在最上层形成的截面形状计算，使用这样的方法，如图5所示，将图案部分分割为n等分，将格子部分作为n层积层膜来求出形状。
此外，在上述实施方式中，说明了在B层和D层上形成相互正交的金属布线302、304的情况，但对于下层的D层，既使没有金属布线304，由基板面等非透过面构成，也同样能够适用。
此外，通过代替波长来改变入射角也能够得到同样的效果。例如，在图1中，改变入射角θ0来进行测量，得到cosΔ和tanψ的入射角依赖性。然后，基于上述公式利用多个入射角来计算，得到θ-cosΔ和θ-tanψ的基准数据。比较基准数据和实测的光谱数据，能够求出关于希望的膜厚和截面形状的物理量。
以上进行了说明，如按照本发明，能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。
产业上的可利用性
本发明的偏振分析方法，在进行半导体装置的制造的半导体制造产业等中能够使用。因此，具有产业上的可利用性。

Claims (11)

1.一种偏振分析方法，在对表面上具有测量对象的膜的被测量物以规定入射角照射规定波长的椭圆偏振状态的入射光时，通过理论计算求出从所述被测量物反射的反射光的p偏振光成分和s偏振光成分的基于相位差(Δ)的值和基于振幅比(Ψ)的值，得到基准数据，同时，
通过测量求出实际的对所述被测量物照射所述入射光时反射的反射光的p偏振光成分和s偏振光成分的基于相位差(Δ)的值和基于振幅比(Ψ)的值，通过与所述基准数据比较，进行所述膜的分析，其特征在于，
在得到所述基准数据时，使得所述p偏振光成分的反射面和所述s偏振光成分的反射面不同来进行所述理论计算。
2.根据权利要求1所述的偏振分析方法，其特征在于，
所述比较基于至少2个以上的波长进行。
3.根据权利要求1所述的偏振分析方法，其特征在于，
所述比较基于至少2个以上的入射角进行。
4.根据权利要求1所述的偏振分析方法，其特征在于，
基于所述相位差(Δ)的值是cosΔ，基于所述振幅比(Ψ)的值是tanΨ。
5.根据权利要求1所述的偏振分析方法，其特征在于，
所述被测量物具有：
在最上层形成的、由光透过性高的高光透过性材料构成的第一层；
在所述第一层下设置的、由光透过性高的高光透过性材料和光透过性低的低光透过性材料所构成的第二层；
在第二层下设置的、由光透过性高的高光透过性材料所构成的第三层；
在所述第三层下设置的、由光透过性低的低光透过性材料所构成的基板。
6.根据权利要求5所述的偏振分析方法，其特征在于，
所述第二层中，所述高光透过性材料和所述低光透过性材料具有在层平面方向交互配置的直线状布线构造，
所述p偏振光成分的偏振光面与所述直线状布线平行。
7.根据权利要求6所述的偏振分析方法，其特征在于，
在所述基板和所述第三层之间，光透过性高的高光透过性材料和光透过性低的低光透过性材料，具有至少在表面上具有在层平面方向交互配置的直线状布线构造的第四层，
所述第四层的直线状布线的方向是与所述第二层的直线状布线方向正交的方向。
8.根据权利要求7所述的偏振分析方法，其特征在于，
所述s偏振光成分在所述第二层上反射，所述p偏振光成分透过所述第二层，在所述第四层上反射。
9.根据权利要求5所述的偏振分析方法，其特征在于，
所述理论计算中的所述第二层，对所述p偏振光成分的折射率与对所述s偏振光成分的折射率是不同的。
10.根据权利要求5所述的偏振分析方法，其特征在于，
所述光透过性低的低光透过性材料是金属布线材料，所述光透过性高的高光透过性材料是绝缘材料。
11.根据权利要求1所述的偏振分析方法，其特征在于，
测量所述测量对象的膜的膜厚、折射率、截面形状的至少任何一个。
CNB038036142A 2002-02-18 2003-02-10 偏振分析方法 Expired - Fee Related CN100521135C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP40506/2002 2002-02-18
JP2002040506A JP3878027B2 (ja) 2002-02-18 2002-02-18 偏光解析方法及び光学的膜厚測定装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1630940A true CN1630940A (zh) 2005-06-22
CN100521135C CN100521135C (zh) 2009-07-29

Family

ID=27678309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038036142A Expired - Fee Related CN100521135C (zh) 2002-02-18 2003-02-10 偏振分析方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6950186B2 (zh)
JP (1) JP3878027B2 (zh)
CN (1) CN100521135C (zh)
AU (1) AU2003207200A1 (zh)
WO (1) WO2003069667A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102553787A (zh) * 2011-12-23 2012-07-11 广东工业大学 一种涂浆机上浆量检测装置及方法
CN103674892A (zh) * 2013-11-21 2014-03-26 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法
TWI460408B (zh) * 2013-02-04 2014-11-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 偏振光檢測系統
TWI460407B (zh) * 2013-02-04 2014-11-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 偏振光的檢測方法
CN104870933A (zh) * 2012-11-12 2015-08-26 索泰克公司 用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法
CN111433559A (zh) * 2017-12-12 2020-07-17 科磊股份有限公司 增强计量目标信息内容

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10319843A1 (de) 2003-05-03 2004-12-02 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bestimmen der Tiefe einer vergrabenen Struktur
TWI331213B (en) 2005-11-29 2010-10-01 Horiba Ltd Sample analyzing method, sample analyzing apparatus,and recording medium
JP4317558B2 (ja) * 2006-08-23 2009-08-19 株式会社堀場製作所 試料解析方法、試料解析装置及びプログラム
US20070178611A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Shoaib Zaidi Semiconductor wafer having measurement area feature for determining dielectric layer thickness
JP5264374B2 (ja) * 2008-09-02 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 パターン形状検査方法及び半導体装置の製造方法
JP5471367B2 (ja) * 2009-11-30 2014-04-16 株式会社島津製作所 膜厚測定方法及び膜厚測定装置
JP5857714B2 (ja) * 2011-12-16 2016-02-10 富士通セミコンダクター株式会社 パターン測定方法及び半導体装置の製造方法
CN115284162B (zh) * 2022-07-19 2024-03-19 华虹半导体(无锡)有限公司 介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3781245B2 (ja) * 1997-12-26 2006-05-31 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US6483580B1 (en) * 1998-03-06 2002-11-19 Kla-Tencor Technologies Corporation Spectroscopic scatterometer system
IT1306911B1 (it) * 1998-06-30 2001-10-11 Stmicroelettronica Srl Metodo per misurare lo spessore di uno strato di silicio danneggiatoda attacchi con plasma

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102553787A (zh) * 2011-12-23 2012-07-11 广东工业大学 一种涂浆机上浆量检测装置及方法
CN104870933A (zh) * 2012-11-12 2015-08-26 索泰克公司 用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法
CN104870933B (zh) * 2012-11-12 2017-05-24 索泰克公司 用于测量多层半导体结构的层的厚度变化的方法
US9759546B2 (en) 2012-11-12 2017-09-12 Soitec Method for measuring thickness variations in a layer of a multilayer semiconductor structure
TWI460408B (zh) * 2013-02-04 2014-11-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 偏振光檢測系統
TWI460407B (zh) * 2013-02-04 2014-11-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 偏振光的檢測方法
CN103674892A (zh) * 2013-11-21 2014-03-26 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法
CN103674892B (zh) * 2013-11-21 2015-09-30 中国科学院上海技术物理研究所 一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法
CN111433559A (zh) * 2017-12-12 2020-07-17 科磊股份有限公司 增强计量目标信息内容

Also Published As

Publication number Publication date
US6950186B2 (en) 2005-09-27
CN100521135C (zh) 2009-07-29
WO2003069667A1 (fr) 2003-08-21
JP2003243467A (ja) 2003-08-29
JP3878027B2 (ja) 2007-02-07
AU2003207200A1 (en) 2003-09-04
US20050007592A1 (en) 2005-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1630940A (zh) 偏振分析方法
CN1261736C (zh) 利用散射测量的线路轮廓不对称测量法
KR102080203B1 (ko) 조합된 ｘ­선 및 광학적 계측
TWI756454B (zh) 使用有效介質概算之多層膜度量
TW200821571A (en) Multiple measurement techniques including focused beam scatterometry for characterization of samples
KR20150036355A (ko) 조합된 ｘ-레이 및 광학 계측을 위한 모델 구축 및 분석 엔진
TW201350783A (zh) 基於跨於一晶圓之參數變化之量測模型最佳化
CN109540007B (zh) 超厚薄膜的测量方法和测量装置
US9243886B1 (en) Optical metrology of periodic targets in presence of multiple diffraction orders
KR101813314B1 (ko) 박막의 조성을 측정하기 위한 방법 및 시스템
US20030235270A1 (en) Method of estimating preferred orientation of polycrystalline material
JP3712481B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003282507A (ja) 光学測定による残膜の判定方法
JP2003243467A5 (zh)
JP2009283759A (ja) 半導体装置およびその製造方法
Stiedl et al. Characterization of oxide layers on technical copper material using ultraviolet visible (UV–Vis) spectroscopy as a rapid on-line analysis tool
KR20200035164A (ko) 격자상의 박막들 및 격자상의 밴드갭 측정
US8049213B2 (en) Feature dimension measurement
US7801713B1 (en) Generating a model using global node optimization
JP4641890B2 (ja) 測定方法、および半導体装置の製造方法
Diebold et al. Metrology for on-chip interconnect dielectrics
US7049844B1 (en) Test patterns for optical measurements on multiple binary gratings
JP3698266B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP3762786B2 (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
Jiang et al. Addressing thin film thickness metrology challenges of 14nm BEOL layers

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090729

Termination date: 20160210

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee