CN1567409A - 主动式有机发光显示器驱动装置与方法 - Google Patents
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Abstract
一种主动式有机发光显示器驱动装置与方法,包括本发明提出的驱动元件,其包括一写入元件、一归零元件、一驱动元件、一切换元件、以及一储存元件,此装置是利用自动归零的机制,以补偿各晶体管元件的临界电压的变异,借以改善影像的均匀性;数据载入的方式是利用一电流源对储存元件充电,控制电流源的大小或充电时间的长短可以调变载入电压的大小,这样可比相关发明节省1个电容,借以增加像素的开口率,同时,可以降低驱动方式的复杂度。
Description
技术领域
本发明涉及一种主动式有机发光显示器驱动装置与方法,尤其涉及一种改善有机发光显示器的影像不均匀的驱动装置与方法。
背景技术
有机发光显示器(Organic Light Emitting Display;OLED)依驱动方式可分为被动式(Passive Matrix;PMOLED)与主动式(Active Matrix;AMOLED)。而所谓的主动式驱动OLED(AMOLED),即是利用薄膜晶体管(Thin Film Transistor;TFT),搭配电容(Capacitor)储存信号,来控制OLED的亮度灰阶表现。
虽然被动式OLED的制作成本及技术门槛较低,却受制于驱动方式,分辨率无法提高,因此应用产品尺寸局限于约5英寸以内,产品将被限制在低分辨率小尺寸市场。若要得到高精细及大画面则需要以主动驱动方式为主,所谓的主动式驱动是以电容储存信号,所以当扫描线扫过后像素仍然能保持原有的亮度;至于被动驱动下,只有被扫描线选择到的像素才会被点亮。因此在主动驱动方式下,OLED并不需要驱动到非常高的亮度,因此可延长产品的寿命,也可以实现高分辨率的需求。OLED结合TFT的技术可实现主动式驱动OLED,可符合对目前显示器市场上对于画面播放的流畅度、以及分辨率的越来越高的要求,充分展现OLED上述的优越的特性。
在玻璃基板上成长TFT的技术,可为非晶硅(amorphoussilicon;a-Si)制程与低温多晶硅(Low Temperature poly-silicon;LTPS)制程,LTPS TFT与a-Si TFT的最大分别在于其电性与制程繁简的差异。LTPS TFT拥有较高的载子移动率,较高载子移动率意味着TFT能提供更充分的电流,然而其制程上却较繁复;而a-SiTFT则反之,虽然a-Si的载子移动率不如LTPS,但由于其制程较简单且成熟,因此在成本上具有不错的竞争优势。
这样,由于低温多晶硅(LTPS)制程能力的限制,导致所制造出来的薄膜晶体管(TFT)元件其临界电压(Threshold Voltage)及电子迁移率(Mobility)会产生变异,因此每个TFT元件的特性会有所不同。当***使用习用2T1C(2个TFT晶体管与1个电容)的驱动电路,并使用模拟电压(Analog Voltage)调变方式以表现灰阶时,因不同像素的TFT之间有不同特性,即使不同像素中输入相同的数据电压(Data Voltage)信号,仍可能产生不同大小的输出电流,造成有机发光二极管元件(OLED)发出不同大小的亮度。因此影像灰阶的表现易受TFT元件特性变异的影响,而破坏了有机发光二极管面板影像的均匀性(Image Uniformity)。
于是,为解决上述面板影像的均匀性的缺点,美国专利US6,229,506“主动矩阵发光二极管像素结构及其方法(Active MatrixLight Emitting Diode Pixel Structure And Concomitant Method)”,此专利中有提出一种4T2C(4个TFT晶体管与1个电容)的像素电路,如图3所示。此电路使用一种称为自动归零(Auto-Zero)的机制,以补偿TFT元件临界电压的变异,改善影像的均匀性。其动作原理叙述如下:
驱动线路的控制信号的驱动时序分为归零阶段(Auto-ZeroPhase)410、载入数据阶段(Load Data Phase)420、以及发光阶段(Illuminate Phase)430,请参阅图4所示,是图3的控制信号时序图。
在归零阶段410之前,晶体管P3及晶体管P4为截止(OFF),晶体管P2为导通(ON),此时流过有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode;OLED)360的电流为前一个画面框(Frame)的电流,由晶体管P1的Vsg(源极、栅极电压差,即储存于储存元件Cs’两端的电压差)来控制。
进入归零阶段410之后,先导通(ON)晶体管P4,接着导通(ON)晶体管P3,使晶体管P1的漏极(Drain)与栅极(Gate)相连接,形成一个二极管的接法,然后截止(OFF)晶体管P2,此时晶体管P1的栅极(Gate)电压会上升至一电压值,此电压值等于高电位(Vdd)减去晶体管P1的临界电压(threshold voltage;Vth),亦即储存于储存元件Cs’两端的电压差为晶体管P1的临界电压,之后再将晶体管P3截止(OFF),即可使晶体管P1的临界电压(Vth)储存在储存元件Cs’上,完成归零阶段的动作。
接下来进入加载数据阶段420,若数据线(Date Line)310上变动的电压为ΔV,透过晶体管P4及储存元件Cc’而连接(Couple)到晶体管P1的栅极(Gate)端,因此,储存于储存元件Cs’两端的电压差为ΔV×[Cc’/(Cc’+Cs’)]加上原本存于Cs’的Vth,亦即晶体管P1的Vsg会包含晶体管P1的Vth,这使得晶体管P1输出的电流仅与数据线310上变动的电压(ΔV)有关,而不受每个像素内晶体管的Vth的影响。
最后再进入发光阶段430,此时让晶体管P4截止(OFF),且使晶体管P2导通(ON),晶体管P1会输出目前画面框(Frame)的电流流过有机发光二极管360,使有机发光二极管360元件发亮。
虽然此4T2C的像素电路可以补偿各像素内的晶体管元件临界电压(Vth)的变异,改善显示器整体影像的均匀性,但使用的元件包含4个晶体管与2个电容,由于电容会占去显示像素很大的面积,导致像素的开口率会大幅降低。而除了数据线310、扫描线320、电源供应线(Vdd)350之外,还需有归零控制线(Auto-Zero Line)330与发光控制线(Illuminate Line)340等控制线路,所以驱动方式的复杂程度会因此增加,造成需使用非标准形式的扫描驱动IC及数据驱动IC,增加制造的成本。
发明内容
于是,本发明的主要目的在于解决上述传统的缺陷,避免缺陷存在,本发明可应用在低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)主动式有机发光二极管显示器(AMOLED)的装置中,以改善主动式有机发光二极管面板影像不均匀的缺点;同时本发明技术驱动方式的复杂程度较低,而且可以使用传统的被动式(Passive-Matrix)有机发光二极管显示器的扫描驱动IC及数据驱动IC即可,这样可以降低制造成本。
为达上述目的,本发明提出的驱动元件包括一写入元件、一归零元件、一驱动元件、一切换元件、以及一储存元件,此装置是利用自动归零的机制,以补偿各晶体管元件的临界电压的变异,借以改善影像的均匀性。与4T2C的像素电路装置比较,本发明可以节省1个电容,增加像素的开口率;同时,驱动方式的复杂度可以降低。
附图说明
图1是本发明的装置示意图;
图2是图1的控制信号时序图;
图3是美国专利US 6,229,506的像素电路示意图;以及
图4是图3的控制信号时序图。
具体实施方式
有关本发明的详细内容及技术说明,现配合附图说明如下:
请参阅图1所示,是本发明的装置示意图。如图所示:该装置包括:
一数据线110,一扫描线120,一归零控制线130,一显示控制线140,一电源供应线150;
一写入元件T1,该写入元件T1的漏极(drain)与数据线110相连接,栅极(gate)与扫描线相连接;
一归零元件T2,该归零元件T2的栅极(gate)与归零控制线130相连接;
一驱动元件T3,该驱动元件T3的栅极与上述写入元件T1的源极(source)相连接,其漏极与上述的归零元件T2的源极相连接,而其源极与上述的电源供应线150相连接;
一切换元件T4,该切换元件T4的栅极(gate)与上述显示控制线140相连接,其源极与归零元件T2的源极和驱动元件T3的漏极相连接;
一储存元件Cs,该储存元件Cs有两端,一端与上述的驱动元件T3的源极相连接,另一端和上述写入元件T1的源极、归零元件T2的漏极与驱动元件T3的栅极连接处相连接;
一发光元件160,该发光元件160一端为正极,与上述切换元件T4的漏极相连接,另一端为负极,该负极接地(GND)。
其中,该写入元件T1、归零元件T2、驱动元件T3、以及切换元件T4各为一薄膜晶体管;该储存元件Cs是为一储存电容(StorageCapacitor);该发光元件160是为一有机发光二极管。
接下来针对本发明的动作原理叙述如下:请同时配合图2所示,是图1的控制信号时序图。本发明的驱动时序是可分为归零阶段(Auto-Zero Phase)210、扫描阶段(Scan Phase)220与显示阶段(Display Phase)230三阶段。
在进入归零阶段210之前,写入元件T1及归零元件T2为截止(OFF),驱动元件T3及切换元件T4为导通(ON),此时流过发光元件160的电流为前一个画面框(Frame)的电流,该画面框(Frame)的电流由驱动元件T3的Vsg(源极、栅极电压差,即储存于储存元件Cs两端的电压差)来控制。
进入归零阶段210之后,先导通(ON)归零元件T2,使驱动元件T3的漏极(Drain)与栅极(Gate)相连接,形成一个二极管的接法,接着再将切换元件T4截止(OFF),这会使驱动元件T3的栅极(Gate)电压上升至一电压值,此电压值等于高电位(Vdd)减去晶体管T3的临界电压(Vth),亦即储存于储存元件Cs两端的电压差为驱动元件T3的临界电压,之后再将归零元件T2截止(OFF),即可使驱动元件T3的临界电压(Vth)储存在储存元件Cs上,完成归零阶段210的动作。
接下来进入扫描阶段220,此时写入元件T1为导通(ON),又数据线110上提供一定电流Ic,此定电流(Ic)会对储存元件Cs进行充电动作,若定电流(Ic)对储存元件Cs充电的时间为Tc,则驱动元件T3的栅极(Gate)电压会变成〔Vdd-Vth-(Ic×Tc/C)〕(C为储存元件Cs的电容量),亦即储存于储存元件Cs两端的电压差为(Ic×Tc/C)加上原本存于储存元件Cs的驱动元件T3的临界电压(Vth),因此驱动元件T3的Vsg会包含驱动元件T3的临界电压(Vth),这使得驱动元件T3输出的电流只与数据线110上的定电流(Ic)大小,以及定电流Ic对储存元件Cs充电时间(Tc)长短有关,而不受薄膜晶体管元件的临界电压(Vth)变异的影响。
所以,就本发明装置与方法而言,只要适当调变数据线110上定电流(Ic)的大小,及定电流(Ic)对储存元件Cs充电时间(Tc)的长短,即可调整驱动元件T3输出的电流大小;而,驱动元件T3输出的电流大小可以控制,也就控制了发光元件160发出的亮度,实现利用发光元件160显示整体影像的灰阶表现。又,在扫描阶段220,乃从第一条扫描线开始进行扫描信号的写入动作,依序执行到最后一条扫描线。
完成各扫描线的信号写入动作之后,最后再进入显示阶段230,此时将切换元件T4导通(ON),使驱动元件T3输出目前画面框(Frame)的电流,同时使该电流流过发光元件160,让发光元件160发出相对应影像数据的灰阶的亮度。
本发明是利用自动归零(Auto-Zero)的机制,以补偿各晶体管元件的临界电压的变异,借以改善影像的均匀性。同时,与美国专利US 6,229,506中提出的4T2C像素电路比较,本发明具有以下的优点:本发明是一4T1C的像素电路装置,又电容对一像素而言所占面积极大,于是使用本发明因为比通常所使用的节省了1个电容,所以可增加像素的开口率;另外,驱动方式的复杂度亦可以降低,可使用已知的被动式(Passive-Matrix)有机发光二极管显示器的扫描驱动IC及数据驱动IC即可,将可使制造成本大为减少。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (8)
1.一种主动式有机发光显示器驱动装置,所述驱动装置是显示画面的每一像素的元件装置,其特征在于所述装置包括:
一数据线(110),一扫描线(120),一归零控制线(130),一显示控制线(140),一电源供应线(150);
一写入元件(T1),所述写入元件(T1)的漏极与数据线(110)相连接,栅极与扫描线(120)相连接;
一归零元件(T2),所述归零元件(T2)的栅极与归零控制线(130)相连接;
一驱动元件(T3),所述驱动元件(T3)的栅极与上述写入元件(T1)的源极相连接,其漏极与上述的归零元件(T2)的源极相连接,而其源极与上述的电源供应线(150)相连接;
一切换元件(T4),所述切换元件(T4)的栅极与上述显示控制线(140)相连接,其源极与归零元件(T2)的源极和驱动元件(T3)的漏极相连接;
一储存元件(Cs),所述储存元件(Cs)有两端,一端与上述的驱动元件(T3)源极相连接,另一端和上述写入元件(T1)的源极、归零元件(T2)的漏极、以及驱动元件(T3)的栅极连接处相连接;以及
一发光元件(160),所述发光元件(160)一端为正极,与上述切换元件(T4)的漏极相连接,另一端为负极,所述负极接地(GND)。
2.根据权利要求1所述的主动式有机发光显示器驱动装置,其特征在于所述写入元件(T1)是一薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的主动式有机发光显示器驱动装置,其特征在于所述归零元件(T2)是一薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的主动式有机发光显示器驱动装置,其特征在于所述驱动元件(T3)是一薄膜晶体管。
5.根据权利要求1所述的主动式有机发光显示器驱动装置,其特征在于所述切换元件(T4)是一薄膜晶体管。
6.根据权利要求1所述的主动式有机发光显示器驱动装置,其特征在于所述储存元件(Cs)是一储存电容。
7.根据权利要求1所述的主动式有机发光显示器驱动装置,其特征在于所述发光元件(160)是一有机发光二极管。
8.一种主动式有机发光显示器驱动方法,其特征在于所述驱动方法包括:
将驱动时序分为归零阶段(210)、扫描阶段(220)、以及显示阶段(230)三个阶段;
在进入归零阶段(210)之前,写入元件(T1)及归零元件(T2)为截止(OFF),驱动元件(T3)及切换元件(T4)为导通(ON),此时流过发光元件(160)的电流为前一个画面框(Frame)的电流,且所述电流由驱动元件(T3)的Vsg(源极、栅极电压差)来控制;
进入归零阶段(210)之后,先导通(ON)归零元件(T2),使驱动元件(T3)的漏极与栅极相连接,形成一个二极管的接法,接着再将切换元件(T4)T4截止,这会使驱动元件(T3)T3的栅极(Gate)电压上升至一电压值,此电压值等于高电位(Vdd)减去驱动元件(T3)的临界电压(Vth),亦即储存在储存元件(Cs)两端的电压差为驱动元件(T3)的临界电压,之后再将归零元件(T2)截止(OFF),即可使驱动元件(T3)的临界电压(Vth)储存在储存元件(Cs)上,完成归零阶段(210)的动作;
接下来进入扫描阶段(220),此时写入元件(T1)为导通(ON),又数据线(110)上提供一定电流(Ic),此定电流(Ic)会对储存元件(Cs)进行充电动作,若定电流(Ic)对储存元件(Cs)充电的时间为Tc,则驱动元件(T3)T3的栅极(Gate)电压会变成〔Vdd-Vth-(Ic×Tc/C)〕,其中C为储存元件(Cs)的电容量,亦即储存于储存元件(Cs)两端的电压差为(Ic×Tc/C)加上原本存于储存元件(Cs)的驱动元件(T3)的临界电压(Vth),于是,驱动元件(T3)的Vsg会包含驱动元件(T3)的临界电压(Vth),这使得驱动元件(T3)输出的电流只与数据线(110)上的定电流(Ic)大小、以及定电流Ic对储存元件(Cs)充电时间(Tc)长短有关;
借此,适当调变数据线(110)上定电流(Ic)的大小、及定电流(Ic)对储存元件(Cs)Cs充电时间(Tc)的长短,即可调整变动驱动元件(T3)输出的电流大小,也控制了发光元件(160)发出的亮度。
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