CN1542709A - 电光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电光装置，该电光装置在TFT阵列基板上，在定义图像显示区域和周边区域之间的边框区域上设置边框图案，该边框图案作为与电容布线相同的膜而形成，并且形成在该边框区域的至少一部分上。该边框图案还与连接在外部电路连接端子的布线作为相同的膜而形成。由此，通过极力地防止在图像的周围出现因漏光而造成的像来提高画质。

Description

电光装置及电子设备

技术领域

本发明涉及比如，有源矩阵驱动的液晶装置、电子纸等的电泳装置、EL(电致发光)显示器等的电光装置的技术领域。另外，本发明还涉及具有这样的电光装置的电子设备的技术领域。

背景技术

在过去，人们知道有下述的电光装置，即，在基板上，设置呈矩阵状排列的像素电极和分别与各电极连接的薄膜晶体管(Thin Film Transistor；在下面适当地称为“TFT”)、与各TFT连接的并分别与行和列平行地设置的数据线和扫描线等，由此，可实现所谓的有源矩阵驱动。

在这样的电光装置中，除了上述以外，还具有与上述基板对置地设置的对置基板，在该对置基板上，设置有与像素电极对置地设置的对置电极等，此外，设置夹持于像素电极与对置电极之间的液晶层等，由此，可实现图像显示。即，液晶层内的液晶分子的取向状态伴随在像素电极与对置电极之间设定的规定的电位差而适当变化，由此，可通过透过该液晶层的光的透射率的变化，来进行图像显示。

另外，上述电光装置中的基板包括设置了扫描线、数据线和像素电极等的图像显示区域，和设置了扫描线驱动电路、数据线驱动电路、及用于向这些电路供给规定的信号的外部电路连接端子等的周边区域。

但是，过去的电光装置具有下述这样的问题。即，在上述周边区域，通常，设置用于粘接基板和对置基板的密封材料。从容易处理、获得较强的粘接力等方面来说，该密封材料最好采用光固化型树脂。在此场合，为了将该密封材料固化，必须对夹持于基板和对置基板之间的密封材料照射光。

另一方面，必须在图像显示区域和周边区域形成用于将上述的扫描线和数据线与扫描线驱动电路和数据线驱动电路连接的布线、向数据线适当地供给图像信号的取样电路、及供给图像信号本身的图像信号线等各种布线。按照这些方式，必须在周边区域上的规定区域，同时形成上述密封材料和上述各种布线等，但是，在该区域中，为了对该密封材料进行固化，通过设置规定的间隙等的措施，确保光的通道。

但是，如果这样，则在实际使用制作好的电光装置时，产生光通过作为光的通道而设置的上述规定的间隙等而泄漏的问题。即，将该电光装置用作如液晶投影机等的投影型显示器的光阀时，将光投射给该光阀，穿过该光阀的光以放大的方式投射到屏幕上，由此，进行图像显示，但是如果具有上述规定的间隙等，则在穿过光阀的光中混合有从该间隙泄漏的光。在这样的场合，产生在屏幕上的图像的周围映入上述各种布线等的图案的像等的情况，造成降低图像的质量的结果。

另外，在过去的电光装置中，有时为了提高像素电极的电位保持特性，在图像显示区域形成存储电容器。由于希望构成该存储电容器的其中一个电极(在下面将其称为“电容电极”)保持在恒定的电位，故与形成于周边区域的外部电路连接端子连接。但是，在此场合，如果采用通过接触孔将两者之间连接的方式，则由于该接触孔会导致电阻增加以及会产生每个接触孔的特性不同的情况等原因，电容电极或从其延伸的布线的时间常数增加，其结果是，产生在图像上出现串扰等的不利情况。另外，在上述的布线按照横跨图像显示区域的方式形成的场合，会观察到所谓的横向串扰。

发明内容

本发明是针对上述的问题而提出的，本发明的课题在于提供下述的电光装置，该电光装置极力地防止在图像的周围出现因漏光而产生的像，或通过适宜地向电容电极供给规定电位来显示高质量的图像。另外，本发明的课题还在于提供具有这样的电光装置的电子设备。

为了解决上述课题，在本发明的电光装置中，

在基板上设置有：沿一定方向延伸的数据线，与沿和该数据线交叉的方向延伸的扫描线；开关元件，该开关元件通过上述扫描线提供扫描信号；以及像素电极，该像素电极由上述数据线提供图像信号，并通过上述开关元件提供，

上述基板包括：图像显示区域，该图像显示区域是作为上述像素电极和开关元件的形成区域而规定的；周边区域，该周边区域规定上述图像显示区域的周边；以及边框图案，该边框图案作为与下述第1布线相同的膜而形成，构成定义上述图像显示区域和上述周边区域的边框区域的至少一部分，

在上述图像显示区域上设置有：存储电容器，该存储电容器在规定期间保持上述像素电极的电位；第1布线，该第1布线向构成该存储电容器的电容电极供给规定电位。

按照本发明的电光装置，通过扫描线向作为开关元件的一个实例的薄膜晶体管供给扫描信号，由此，进行其导通截止的控制。另一方面，通过数据线向像素电极供给图像信号，由此，对应于上述薄膜晶体管的导通截止，在像素电极上施加或不施外加该图像信号。由此，本发明的电光装置可进行所谓的有源矩阵驱动。另外，在本发明中，通过形成以规定期间保持像素电极的电位的存储电容器，使像素电极的电位保持特性提高。

另外，特别是在本发明中，上述基板包括图像显示区域和周边区域，在其中的前者中，形成上述的像素电极、开关元件、存储电容器和第1布线。另外，在本发明中，在定义周边区域或定义图像显示区域和周边区域间的边框区域的至少一部分上，具有作为与上述第1布线相同的膜而形成的边框图案。这里所谓的“边框区域”，比如在图像显示区域呈矩形的场合，作为用规定的宽度取该矩形的边缘的区域而规定。因此，此场合的边框区域从平面看，呈口字状。另外，将周边区域定义为从图像显示区域的中心观看时从呈口字状的边框区域的外缘至更远的区域。另外，所谓的“作为相同的膜而形成”指在该电光装置的制造工序中，边框图案和第1布线的前驱膜在同一时机形成，并且，对该前驱膜同时进行规定的图案制作处理(比如，光刻和蚀刻工序等)。

此外，上述边框图案形成于前述那样的边框区域的至少一部分上。由此，要透过该边框区域的光的行进被边框图案遮挡。因此，按照本发明，在与形成有边框图案的区域相对应的份上，可防止在背景技术中描述的那样的漏光的情况，由此，可防止各种布线等的图案的像映入像的周围等的情况，从而可显示更高质量的图像。

还有，在本发明中，边框图案既可按照与形成于图像显示区域上的第1布线电连接的方式形成，也可按照两者之间在图案上断开的方式形成。

再有，在本发明中，作为使第1布线具有向电容电极供给规定电位的功能的结构，可采用比如，该第1布线与电容电极连接或在其上延伸设置这样的结构。在这里，“与电容电极连接”包括比如，在电容电极和第1布线形成于设于基板上的叠层结构中的不同的层中的场合，通过接触孔使它们电连接等的情况。另一方面，第1布线“在电容电极上延伸设置”包括下述的情况，即，比如，从平面看与该电容电极连续的图案(即，在该图案中，在形成该图案的平面内，包括可称为“第1布线”的部分和可爱称为“电容电极”的部分这两者)形成于同一层上等。

另外，值得注意的是，因为本发明的“边框图案”形成于边框区域上，所以将其命名为“边框图案”，仅此而已，不意味着该边框图案一定具有边框的形状(“边框图案形成于‘边框区域的至少一部分’”这句话包含这个意思)。另外，这样的边框图案也可按照越过边框区域而到达周边区域的方式形成。

在本发明的电光装置的另一方式中，还包括与上述基板对置地设置的对置基板、与将上述基板和上述对置基板粘接的密封材料，上述边框图案形成于形成有上述密封材料的密封区域的至少一部分上。

按照该方式，基板和对置基板通过由比如光固化性树脂等形成的密封材料粘接。在此场合，如果边框区域呈上述那样的口字状，则可假定形成有密封材料的密封区域包括该边框区域的口字状的全部或一部分、或不包括它们，位于该边框区域的外缘以远的位置，并且呈比该口字状稍大的口字状(因此，该密封区域的至少一部分是包含在上述周边区域中的区域。)。

按照本方案，像这样，即使在边框区域以远的部分，仍形成有上述边框图案，由此，要透或密封区域的光的行进也被该边框图案遮挡。因此，按照本发明，由于可更加有效地防止各种布线等的图案的像映入图像的周围的情况，故可显示更高质量的图像。

在本发明的电光装置的另一方式中，还包括与上述基板对置的对置基板、与形成于该对置基板上的对置电极，上述边框图案包括与上述对置电极电连接的连接部分。

按照该方式，边框图案具有与对置电极电连接的连接部分，即，对置电极和边框图案处于电连接的状态，两者总是处于同一电位。因此，边框图案同时具有前述的防止漏光的功能和向对置电极供给电位的这两种功能，由此，可简化装置的结构。

在本发明的电光装置的另一方式中，上述边框图案按照与上述第1布线电连接的方式形成。

按照该方式，边框图案和第1布线总是处于同一电位。如果这样，则边框图案同时具有前述的防止漏光的功能和向第1布线供给电位的功能的两种功能，由此，可简化装置的结构。顺便说一下，由于边框图案和第1布线像上述那样作为相同的膜而形成，故可将“按照电连接的方式形成”两者的典型方式想像为，在边框挡光膜和与第1布线共同的前驱膜中以两者不断开方式进行制作图案处理的场合(即，在该场合，在从平面看连续的图案上，具有可称为“边框图案”的部分和可称为“第1布线”的部分这两者。)。

另外，如果将本方式与实现前述的边框图案和对置电极之间的电连接的方式组合，则边框图案、对置电极和第1布线这三者总是处于同一电位。如果这样，则显然，更好地实现装置的结构简化。

在具有连接部分的方式中，也可这样形成，即，上述连接部分对应于上述对置基板的角部而设置。

按照这样的结构，比如，在图像显示区域呈矩形状的场合，可按照与该图像显示区域的四个角部相对应的方式、或按照与取该图像显示区域的边缘的边框区域或其以远的密封区域的4个角部相对应的方式，设置连接部分等。在此场合，获得适合实现边框图案和对置电极之间的电连接，同时不妨碍图像显示的作用效果。

此外，本方式中所谓的“角部”显然包括对置基板本身的四个角部的部分，另外还包括具有平面看从这些各角部进行一定的扩展(比如，以该角部的部分为中心的同心圆式的扩展)的部分。此外，所谓的连接部分“对应于角部而设置”除了该连接部分设置在上述那样的全部的4个角部的情况以外，还包括按照与图像显示区域的3个角部以下相对应的方式设置等的情况。

在本发明的电光装置的另一方式中，上述边框图案按照围绕上述图像显示区域的全周的方式形成。

按照本方式，由于边框图案按照围绕上述图像显示区域的全周的方式形成，故从原理上说，还可完全将透过边框区域或密封区域的光遮挡。因此，可更加有效地发挥上述的防止漏光的作用，从而可显示更高质量的图像。

还有，在本方式中，在按照围绕上述上述图像显示区域的全周的方式形成的边框图案中，具有与上述对置电极的“连接部分”的场合，可更加可靠地使该边框图案和对置电极电连接。其原因在于，由于边框图案的所有部分都电连接(换言之，作为没有间断的图案而形成)，另外上述连接部分可像上述的实例那样，按照与图像显示区域的四个角部，即，边框图案或密封区域的4个角部相对应的方式形成，因此，即使在边框图案的一部分和连接部分中的任何一者因某种原因而无法电连接的情况下，仍可通过另一部分无停滞地实现电连接(换言之，边框图案、或该边框图案上的连接部分为较长的结构)。由此，在这样的方式中，可极稳定地保持对置电极的电位，可很好地对夹持于对置电极和像素电极之间的电光物质的一个实例的液晶分子的取向状态进行调整，从而可显示更高质量的图像。

另一方面，在前述的边框图案具有与对置电极电连接的连接部分的方案中，也可这样形成，即，上述图像显示区域从平面看呈矩形状，上述边框图案包括沿上述矩形的三条边连续的第1图案、和沿剩余的一条边形成并且按照与上述第1图案断开的方式形成的第2图案，上述连接部分位于上述第1图案上。

按照这样的结构，首先，由于边框图案包括沿矩形形状图像显示区域的三条边连续形成的第1图案，并且该连接部分位于该第1图案上，故与按照围绕上述图像显示区域的全周的方式形成边框图案的方式相同，可更加可靠地使边框图案和对置电极之间电连接，可极稳定地保持对置电极的电位。

还有，在本方式中，由于除了具有第1图案以外，还具有沿上述矩形的剩余的一条边形成、并且按照与上述第1图案断开的方式形成的第二图案，故可获得下述的作用效果。即，在形成有该第2图案的区域比如，与形成有数据线驱动电路的区域相对应的场合，在被由该数据线驱动电路控制的取样电路牵引的图像信号线、与对置基板上的对置电极之间，有产生电容耦合的危险。如果产生该电容耦合，则对其中一个的通电会使另一个的电位变化，故难于显示所需的图像。但是，按照本方式，由于在该区域中形成上述第2图案，故在图像信号线和对置电极之间存在该第2图案，从而可抑制上述电容耦合的发生。因此，按照本方式，可良好地显示所需的图像。

另外，显然，前述的按照围绕图像显示区域的全周的方式形成边框图案的方式，也可完全获得这样的作用效果。

此外，本方案中的“第1图案”和“第2图案”，以及后述的方案中的“第3图案”～“第6图案”的术语仅仅表示各自为由单独的概念规定的半导体工艺上的图案(换言之，“A”～“F”不过为单纯的“名称”。)。

或者，也可这样形成，即，上述图像显示区域从平面看呈矩形状，上述边框图案包括沿上述矩形中的相对的二条边而形成的第三图案、和沿剩余的二条边而形成、并且按照与上述第3图案断开的方式形成的第四图案，上述连接部分位于上述第3图案上。

按照这样的方式，首先，边框图案包括沿矩形形状的图像显示区域的相对的二条边而形成的第3图案，并且上述连接部分位于该第3图案上。从前述的定义方面来说，一般假定该第3图案包括断开地形成的二条直线状的布线。按照该方式，该二条直线状的布线中的每条布先至少可以具有2个上述连接部分。因此，可更加可靠地使对置电极和边框图案之间的电连接。

还有，在本方式中，除了具有上述第3图案以外，还包括沿上述矩形形状的剩余的二条边而形成、并且按照与上述第3图案断开的方式形成的第四图案。由此，与前述的第2图案相同，在形成有第4图案的区域比如与形成有数据线驱动电路的区域相对应的场合，可防止图像信号线和对置电极之间的电容耦合的发生。

另外，也可这样形成，即，上述图像显示区域从平面看呈矩形状，上述边框图案包括按照除了与上述矩形中的一个角部相对应的部分以外均连续的方式形成的第5图案、和形成于与上述一个角部相对应的部分并且按照与上述第5图案断开的方式形成的第6图案，上述连接部分位于上述第5图案和第6图案中的至少一者上。

按照这样的结构，首先，包括按照除了与呈矩形的图像显示区域中的一个角部相对应的部分以外均连续的方式形成的第5图案，且上述连接部分可位于上述第5图案上。因此，作为典型方式，可考虑有3个连接部分位于该第5图案上的方式。

此外，在本方式中，除了具有第5图案以外，还包括形成于与上述一个角部相对应的部分并且按照与上述第5图案断开的方式形成的第6图案，上述连接部分可位于第6图案上。因此，作为典型方式，可考虑1个连接部分位于该第6图案上的方式。

由此，按照本方式，可获得与上述的边框图案和对置电极之间的电连接的可靠性、或图像信号线和对置电极之间的电容耦合的发生的抑制等大致相同的作用效果。

另外，显然，本方式的边框图案的方式，或与前述的边框图案有关的各种方式包括使边框图案的形成方式的变化增加的含义。由此，还可更加容易地实现从外部电路连接端子牵引到数据线驱动电路、扫描线驱动电路、或上述连接部分的各种布线的布置(或图案制作)。

在本发明的电光装置的另一方式中，在上述周边区域上还设置有沿上述基板的边缘部形成的外部电路连接端子、与在该外部电路连接端子上延伸设置的第2布线，上述第2布线中的至少一部分作为与上述第1布线相同的膜，并且与上述第1布线电连接地形成。

按照该方式，在周边区域形成外部电路连接端子和第2布线，其中的第2布线的至少1部分作为与上述第1布线相同的膜，并且与上述第1布线电连接地形成。在这里，“作为相同的膜而形成”与针对边框图案和第1布线所描述的含义相同。按照该方式，第2布线中的至少一部分和第1布线形成于数据线、扫描线和像素电极等所构成的叠层结构中的同一层中，另外，两者由相同材料形成。顺便说一下，由于在本发明中第1布线和边框图案作为相同的膜而形成，故按照本方式，第1布线、边框图案和第2布线中的任何一者都作为相同的膜而形成。

按照该方式，第1，由于外部电路连接端子、第2布线和第1布线可形成于同一层上，故可降低这些各部分之间的电阻。

顺便说一下，在过去，前述的各部分形成在各自不同的层，由此，该各部分之间的电连接采用接触孔等。但是，如果采用接触孔，则由于该接触孔回导致电阻增加，且会产生每个接触孔的特性不同的情况，因此电容电极或从其延伸的布线的时间常数增加，其结果是，在图像上产生串扰等不利情况。另外，在上述的布线按照横跨图像显示区域的方式形成的场合，会观察到所谓的横向串扰。

但是，在本方式中，由于像已描述的那样，可以使外部电路连接端子、第2布线和第1布线形成在同一层，故可避免上述那样的不利情况。

另外，第2，对于将本方案与上述的在边框图案上具有连接部分的方案，或按照围绕图像显示区域的全周的方式形成边框图案的方案，以及上述的具有包括第1图案、第2图案、第3图案、第4图案、第5图案和第6图案的边框图案的方式组合的电光装置(在下面将该电光装置的方式称为“并用方式”)来说，特别可获得下述的特有的作用效果。即，在该并用方式的电光装置中，由于在边框图案上具有该边框图案和对置电极之间的连接部分，故该边框图案不但具有上述的漏光防止效果等，还具有作为向对置电极供给规定的电位的布线的功能。在这里，在该并用方式中，由于与该边框图案一起，第2布线、第1布线也作为相同的膜而形成，故可降低各部分和外部电路连接端子之间的电阻。

由于这样的情况，在上述并用方式中，将从外部电路连接端子到第2布线，进而到边框图案的电阻抑制得很低，故该边框图案的电位可保持稳定的状态，因此对置电极的电位也可保持稳定的状态。另外，由于第1布线可与边框图案电连接，故该第1布线的电位以及与其连接，或延伸设置于其上的电容电极的电位也可保持在稳定的状态。

如果像这样，采用并用方式，则边框图案、第2布线和第1布线作为相同的膜，并且以电连接的方式形成，并且在该边框图案中具有上述连接部分，故可更加有效地获得本方式的作用效果(降低电阻)和因具有连接部分而带来的作用效果(相对对置电极的电位供给功能)这两种作用效果。

在本方式中，上述第1布线也可隔着层间绝缘膜形成于上述数据线上。

按照这样的结构，可适宜地构成由形成于基板上的扫描线、数据线、像素电极和外部电路连接端子等构成的叠层结构。

即，首先，因为外部电路连接端子必须具有暴露于外部的电极，故最好形成于前述的叠层结构中的较上层。因为，否则的话，必须从叠层结构的最顶层部分开设与上述电极连通的较深的接触孔等。另一方面，按照本方式，由于第1布线形成于数据线上，故与该第1布线作为相同的膜而形成、并与外部电路连接端子连接或在其上延伸设置的第二布线也形成于数据线上。因此，第2布线形成于上述叠层结构中的较上层。

根据上面所述，在本方案中，即使在外部电路连接端子形成于较上层的情况下，与其连接或在其上延伸设置的第2布线也形成于较上层，因此，可容易地实现两者之间的电连接。如果像这样，采用本方式，则可适宜地形成前述的叠层结构。

或者，也可将上述第1布线形成于包括上述像素电极的层的下层上。

按照这样的结构，可更加合理地实现外部电路连接端子和第2布线之间的电连接。即，如果必须使像素电极与电光物质相对，则在第1布线形成于具有像素电极的层的下层的场合，作为典型方式可假定成下述情况，即，该第1布线按照从电光物质的层看时，在其与像素电极之间仅仅夹持一层绝缘膜的方式形成这样的情况。另外，在该场合，由于作为与第1布线相同的膜而形成的第2布线也形成于具有像素电极层的下层，故在该第2布线上通常仅仅具有前述绝缘膜。这是因为，通常，在周边区域，形成于像素电极之下的绝缘膜的表面曝露于外部。

因此，按照本方式，容易将构成外部电路连接端子的电极极曝露于外部。另外，在与第2布线的电连接可采用将第2布线从前述电极延伸设置的方式。

如果像这样，采用本方式，则可合理地实现外部电路连接端子和第2布线之间的电连接。

另外，在具有第2布线的电光装置的另一方式中，也可这样形成，即，上述第1布线和上述边框图案不按照电连接的方式形成，上述第2布线的第1部分和上述第1布线电连接，上述第2布线的第2部分和上述边框图案电连接，上述第1部分与上述外部电路连接端子的第1部分连接，上述第2部分与上述外部电路连接端子的第2部分连接。

如果采用这样的结构，可使边框图案和第1电极各自保持不同的电位。在此场合，如果注意到第1布线用于向电容电极供给规定电位，并且设置将对置电极与边框图案连接的前提，则可使边框图案和第1布线各自保持不同的电位的情况与可使电容电极和对置电极各自保持不同的电位的情况意义相同。其原因在于，如果向外部电路连接端子的第1部位供给某电位，则由于该第1部分与第2布线的第1部分、第1布线和电容电极连接，故电容电极保持在该电位，另一方面，如果向外部电路连接端子的第2部分供给不同于上述某电位的电位，则由于该第2部分与第2布线的第2部分、边框图案和对置电极连接，故对置电极保持该电位。另外，对于将这些概念具体化的方式，在后面将要描述的发明实施例中作为“第5实施例”来进行描述。

由此，按照本方式，可适宜地调整在该电光装置的内部产生的各种电作用。

在本发明的电光装置的另一方式中，上述第1布线由挡光性材料形成。

按照本方式，由于第1布线为与电容电极连接或在其上延伸设置的布线，并且形成于图像显示区域内，故在图像显示区域内部，可实现与形成有第1布线的区域相对应的挡光。由此，可防止光胡乱地射入在构成作为上述开关元件的一个实例的薄膜晶体管的半导体层(活性层)上的情况，从而可抑制该半导体层的漏光电流，因此可防止在图像上发生闪烁等情况。

另外，按照本方式，作为与第1布线相同的膜而形成的第2布线也由挡光性材料形成。因此，对于作为形成于周边区域上的开关元件的薄膜晶体管，可获得与前述相同的作用效果，从而可期待该薄膜晶体管的正确的动作。

此外，按照本方式，作为与第1布线相同的膜而形成的边框图案也由挡光性材料形成。因此，可更加有效地获得前述的漏光防止的作用效果。

还有，作为本方案的“挡光性材料“，除了包括比如，光反射率较大的Al(铝)等，还包括具有Ti(钛)、Cr(铬)、W(钨)、Ta(钽)、Mo(钼)等的高熔点金属中的至少一者的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、以及将这些成分叠置而形成的物质等。

在本发明的电光装置的另一方式中，上述第1布线包括由不同的材料形成的叠层结构。

按照本方式，比如，构成第1布线的底层为由铝形成的层、其顶层为由氮化钛形成的层等的二层结构。在此场合，通过底层的铝层可获得较高的导电性和光反射率较高的挡光性能，同时通过顶层的氮化钛层，在对形成于第1布线上的层间绝缘膜等的前驱膜进行制作图案处理时或在层间绝缘膜等中形成接触孔时，可获得防止所谓的击穿的发生(即，由氮化钛形成的层起所谓的抗蚀层的功能)的功能。

如果像这样，采用本方式，由于第1布线作为具有“叠层结构”的布线而形成，故不但可使第1布线承担向电容电极供给电极的功能，而且可提对其赋予新的功能，从而可实现其高功能化。

另外，作为本方案的“叠层结构”，显然，除了上述的方式，还可采用各种结构。

此外，按照本方式，作为与第1布线相同的膜而形成的第2布线和边框图案均具有由不同的材料形成的叠层结构，构成该叠层结构的相应材料的选择可从在考虑第2布线和边框图案所承担的功能(即，外部电路连接端子与扫描线驱动路和数据线驱动电路的连接(第2布线)、从第2布线到第1布线的电位供给的桥接(边框图案)等)的基础上赋予新的功能的观点来进行。另外，从此观点来说，最好采用包括作为低电阻的材料的一个实例的铝的前述的二层结构。

在本发明的电光装置的另一方式中，还包括与上述基板对置的对置基板、与形成于该对置基板上的挡光膜，上述边框图案按照与上述挡光膜重合的方式形成。

按照此方式，比如，在从对置基板朝向基板投射光的场合，在边框区域，首先，通过上述挡光膜挡光，接着，通过边框图案挡光。这样，采用本方案，由于可实现二重的挡光，故可以更加有效地实现前述的漏光防止的作用效果。

在本方式中，上述挡光膜也可包括按照沿上述对置基板的边缘部延伸的方式形成的边框挡光膜。

按照这样的结构，由于挡光膜包括边框挡光膜，故前述的二重的挡光会更加良好地实现。

为了解决上述的课题，本发明的电子设备包括上述的本发明的的电光装置(其中，包括其各种方式)。

按照本发明的电子设备，由于具有上述本发明的电光装置，故可防止各种布线等的图案的像映入图像的周围等的情况，由此，可实现可显示高质量的图像的投影仪、液晶电视机、便携式电话、电子笔记体、字处理器、取景型或监视直视型的录像机、工作站、可视电话、POS终端、触摸面板等的各种电子设备。

根据下面描述的实施例，可明确本发明的这样的作用和和其它优点。

附图说明

图1为从对置基板侧观看TFT阵列基板与形成在其上的各结构要素时的电光装置的平面图；

图2为沿图1中的H-H’线的剖面图；

图3为构成电光装置的图像显示区域的、呈矩阵状的多个像素的各种元件、布线等的等效电路图；

图4为形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的邻接的多个像素组的平面图，为仅仅表示底层部分(图6中至标号70(存储电容器)的底层的部分)的结构的图；

图5为形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的邻接的多个像素组的平面图，为仅仅表示顶层部分(图6中的从标号70(存储电容器)以上的顶层的部分)的结构的图；

图6为将图4和图5重合时的沿A-A’线的剖面图；

图7为与图6所示的叠层结构相对应的剖面图，(a)为图2中的带有标号Z的圆内部分的放大图，(b)为图2中的带有标号S的圆内部分的放大图；

图8为与图1相同的内容的图，是为了特别用于说明边框图案和电容布线等的结构而清楚地表示两个要素的配置关系的图；

图9为与图8相同的内容的图，是表示本发明的第2实施例的电光装置的边框图案的形状的图；

图10为将图9所示的标号D附近放大、并将该部分的电路结构等一起表示的说明图；

图11为与图10相同的内容的图，是表示边框图案的形成方式不同的图；

图12为与图8相同的内容的图，是表示本发明的第3实施例的电光装置的边框图案的形状的图；

图13为与图8相同的内容的图，是表示本发明的第4实施例的电光装置的边框图案的形状的图；

图14为与图8相同的内容的图，是表示本发明的第5实施例的电光装置的边框图案的形状的图；

图15为本发明的各实施例的投射型液晶装置的平面图。

标号的说明：

标号3a表示扫描线；

标号6a表示数据线；

标号9a表示像素电极；

标号10表示TFT阵列基板；

标号10a表示图像显示区域；

标号20表示对置基板；

标号21表示对置电极；

标号30表示TFT；

标号53表示边框挡光膜；

标号70表示存储电容器；

标号101表示数据线驱动电路；

标号104表示扫描线驱动电路；

标号102表示外部电路连接端子；

标号106表示上下导通件；

标号300表示电容电极；

标号400表示电容布线(第1布线)；

标号406、461、462、463、464表示边框图案；

标号404、408表示布线(第2布线)。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的实施例进行描述。在以下的实施例中，本发明的电光装置用于液晶装置。

(第1实施例)

(电光装置的整体结构)

首先，参照图1和图2，对本发明的电光装置的第1实施例的整体结构进行描述。在这里，从对置基板侧观看TFT阵列基板与形成在其上的各结构要素时的电光装置的平面图，图2为沿图1中的H-H，线的剖面图。在这里，以作为电光装置的一个实例的驱动电路内置型的TFT有源矩阵驱动方式的液晶装置为实例。

在图1和图2中，在第1实施例的电光装置中，TFT阵列基板10和对置基板20相对地设置。在该TFT阵列基板10和对置基板20之间，密封有液晶层50，该TFT阵列基板10和对置基板20通过密封材料52而相互粘接，该密封材料52设置于位于图像显示区域10a的周围的密封区域。

该密封材料52由用于将两块基板贴合的、比如紫外线固化型树脂、热固化树脂等形成，在制造过程中，在将其涂敷TFT阵列基板10上后，通过紫外线照射、加热等方式使其固化。另外，在密封材料52中，分散有玻璃纤维或玻璃珠等的间隔材料，其用于使TFT阵列基板10和对置基板20之间的间距(基板之间的间隙)为规定值。即，第1实施例的电光装置适合用作投影仪的光阀，以较小的尺寸进行放大显示。

按照并行于设置有密封材料52的密封区域的内侧的方式，将规定图像显示区域10a的边框区域的挡光性的边框挡光膜53设置于对置基板20侧。但是，这样的边框挡光膜53的一部分或全部也可作为内置挡光膜而设置于TFT阵列基板10侧。另外，在第1实施例中，具有规定上述图像显示区域10a的周边的周边区域。换言之，在第1实施例中，特别是，从TFT阵列基板10的中心观看，该边框挡光膜53以远的部分作为周边区域而规定。

在周边区域中的位于设置有密封材料52的密封区域的外侧的区域，数据线驱动电路101和外部电路连接端子102沿TFT阵列基板10的一条边设置。另外，扫描线驱动电路104按照沿与上述一条边邻接的2条边、并且被上述边框挡光膜53覆盖的方式设置。此外，为了将如此设置于图像显示区域10a的两侧的2个扫描线驱动电路104之间连通，按照沿TFT阵列基板10中的剩余一条边、并且被上述边框挡光膜53覆盖的方式设置多根布线105。其中，数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104通过布线404与外部电路连接端子102连接。

另外，在对置基板20的4个角部，设置有用作两基板之间的上下电连接端子的上下导通件106。该上下导通件106是将银粉等的导电性颗粒等固化而制成的。另一方面，在TFT阵列基板10中，在与这些角部相对的区域设置上下电连接端子。由于这些措施，可使TFT阵列基板10和对置基板20之间实现导通。

在图2中，在TFT阵列基板10上，在形成有像素开关用的TFT和扫描线、数据线等的布线后的像素电极9a上，形成有取向膜。另一方面，在对置基板20上，除了对置电极21以外，形成有格子状或条带状的挡光膜23，此外，在最顶层部分形成有取向膜。另外，液晶层50比如，由具有一种或混合有多种的向列液晶的液晶形成，在该一对取向膜之间处于规定的取向状态。

具有像上述那样的整体结构的第1实施例的电光装置的特征在于与上述各种要素中的布线404、上下导通件106等有关的具体结构，关于这一点，将参照图7等，在后面进行具体描述。

此外，也可在图1和图2所示的TFT阵列基板10上，形成上述的数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等，还形成：取样电路，该取样电路对图像信号线上的图像信号进行取样处理后供给数据线；预充电电路，该预充电电路在图像信号之前，分别将规定电压电平的预充电信号供给多根数据线；检查电路等，该检查电路用于在制造过程中和出厂时检查电光装置的质量、缺陷等。

(像素部的结构)

下面参照图3～图7，对本发明的第1实施例的电光装置的像素部的结构进行描述。在这里，图3为构成电光装置的图像显示区域的矩阵状的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路，图4和图5为形成有数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板的邻接的多个像素组的平面图。另外，图4和图5分别按照分成后述的叠层结构中的底层部分(图4)和顶层部分(图5)的方式进行图示。

另外，图6为将图4和图5重合的场合的沿A-A’线的剖面图，图7(a)和图7(b)分别为图2中的带有标号Z的圆内部分的放大图和图1中的上下导通件106所在的部分的剖面图，它们均为与图6所示的叠层结构相对应的剖面图。在图6和图7中，为了使各层、各部件为可从图面上识别的程度的尺寸，故使各层、各部件的缩尺不同。

(像素部的电路结构)

在图3中，在构成第1实施例的电光装置的图像显示区域的形成矩阵状的多个像素中，分别形成像素电极9a和用于对该像素电极9a进行开关控制的TFT30，供给图像信号的数据线6a与该TFT30的源极电连接。写入数据线6a中的图像信号S1、S2、...Sn可以按照此顺序以线顺序供给，也可一组一组地向邻接的多根数据线6a供给。

另外，像这样构成，即，栅极3a与TFT30的栅极电连接，按照规定的定时，脉冲式地将扫描信号G1、G2、...Gm按照此顺序以线顺序施加于扫描线11a和栅极3a上。像素电极9a与TFT30的漏极电连接，通过使作为开关元件的TFT30之在一定期间关闭该开关，在规定的定时写入从数据线6a供给的图像信号S1、S2、...Sn。

通过像素电极9a写入作为电光物质的一个实例的液晶中的规定电平的图像信号S1、S2、...Sn在一定期间保持于形成于对置基板上的对置电极之间。在液晶中，通过外加的电压电平，分子集合的取向和秩序产生变化，可调制光，进行灰度显示。如果是常白模式，则对应于以各像素的单位施加的电压，入射光的透射率减小，如果为常黑模式，则对应于按照各像素的单位施加的电压，入射光的透射率增加，从整体上，从电光装置射出具有与图像信号相对应的对比度的光。

为了防止在这里保持的图像信号的泄漏，与形成于像素电极9a和对置电极之间的液晶电容并联地添加存储电容器70。该存储电容器70与扫描线11a并排地设置，具有恒定电位侧电容电极，并且具有固定在恒定电位上的电容电极300。

(像素部的具体结构)

下面参照图4～7，对通过上述数据线6a、扫描线11a和栅极3a、TFT30等，实现上述那样的电路动作的电光装置的具体结构进行描述。

首先，在图4和图5中，多个像素电极9a呈矩阵状地设置于TFT阵列基板10上(轮廓通过虚线部表示)，分别沿像素电极9a的纵、横的边界设置数据线6a和扫描线11a。数据线6a像后述的那样，由包括铝膜等的叠层结构形成，扫描线11a由比如导电性的多晶硅膜等形成。另外，扫描线11a通过接触孔与栅极3a电连接，该栅极3a与半导体层1a中的在图中用右上的斜线区域表示的沟道区域1a’对置，该栅极3a包含在该扫描线11a中。

即，分别在栅极3a和数据线6a交叉的部位，设置有沟道区域1a’包含在扫描线11a中的栅极3a对置设置的像素开关用的TFT30。由此，TFT30(除了栅极)位于栅极3a和扫描线11a之间。

另外，像作为图4和图5的沿A-A’线的剖面图的图6所示的那样，电光装置包括：TFT阵列基板10，该TFT阵列基板10由比如，石英基板、玻璃基板、硅基板形成；对置基板20，该对置基板20按照与TFT阵列基板10对置的方式设置，由比如，玻璃基板、石英基板形成。

在TFT阵列基板10一侧，像图6所示的那样，设置有上述的像素电极9a，在其上侧，设置有进行了摩擦处理等的规定的取向处理的取向膜16。像素电极9a由比如ITO膜等的透明导电性膜形成。另一方面，在对置基板20一侧，在其整体表面上设置对置电极21，在其下侧，设置进行了研磨处理等的规定的取向处理的取向膜22。该对置电极21与上述的像素电极9a一样，由比如ITO膜等的透明导电性膜形成。

在像这样对置地设置的TFT阵列基板10和对置电极21之间，在被上述的密封材料52(参照图1和图2)围绕的空间内，密封有液晶等的电光物质，形成液晶层50。该液晶层50在不施加来自像素电极9a的电场的状态下，通过取向膜16和22，取规定的取向状态。

另一方面，在TFT阵列基板10上，除了具有上述的像素电极9a和取向膜16以外，还具有由包含这些部分的各种结构构成的叠层结构。该叠层结构像图6所示的那样，按照由下而上的顺序，由包含扫描线11a的第1层、包含具有栅极3a的TFT30等的第2层、包含存储电容器70的第3层、包含数据线6a等的第4层、包含作为本发明的“第1布线”的一个实例的电容布线400等的第5层、以及包含上述像素电极9a和取向膜16等的第6层(最顶层)构成。

另外，在第1层与第2层之间设置基底绝缘膜12，在第2层与第3层之间设置第1层间绝缘膜41，在第3和第4层之间设置第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层之间设置第3层间绝缘膜43，在第5层和第6层之间设置第4层间绝缘膜44，以防止上述的各部分之间短路。另外，在各个绝缘膜12、41、42、43和44中，还开设有接触孔等，该接触孔使比如，TFT30的半导体层1a的高浓度源极区域1d和数据线6a电连接。在下面，针对这些组成部分，按照由下而上的顺序进行描述。另外，前述中的第1层～第3层是作为底层部分在图4中示出的第4～第6层是作为顶层部分在图5中示出的。

(叠层结构·第1层的结构—扫描线等—)

首先，在第1层中，设置有由包含比如Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔点金属中的至少1个的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将这些成分叠置而形成的物质、或导电性多晶硅等形成的扫描线11a。按照从平面看沿图4的X方向的方式，呈条带状地制作该扫描线11a的图案。在更详细地观看时，条带状的扫描线11a包括：主线部，该主线部沿图4的X方向延伸；突出部，在该突出部中延伸设置有数据线6a或电容布线400，该突出部沿图4的Y方向延伸。另外，从邻接的扫描线11a延伸的突出部不相互连接，因此，该扫描线11a呈逐根断开的形状。

(叠层结构·第2层的结构—TFT等—)

其次，作为第2层，设置包括栅极3a的TFT30。该TFT30像图6所示的那样，具有LDD(轻掺杂漏)结构，作为其组成部分，包括：上述的栅极3a；半导体层1a的沟道区域1a’，该半导体层1a比如，由多晶硅膜形成，通过来自栅极3a的电场形成了沟道；包含栅极绝缘膜的绝缘膜2，该栅极绝缘膜将栅极3a和半导体层1a绝缘；半导体层1a中的低浓度源极区域1b和低浓度漏极区域1c、以及高浓度源极区域1d和高浓度漏极区域1e。

此外，在第1实施例中，在第2层中，作为与上述栅极3a相同的膜，形成了中继电极719。该中继电极719按照从平面看像图4所示的那样位于沿各像素电极9a的X方向延伸的一条边的大致中央的方式呈岛状地形成。由于中继电极719和栅极3a作为相同的膜而形成，故在后者由比如，导电性多晶硅膜等形成的场合，前者也由导电性多晶硅膜形成。

(叠层结构·第1和第2层间的结构—基底绝缘膜—)

像图6所示的那样，在上面已描述的扫描线11a上，并且在TFT30之下，设置有由比如氧硅化膜等形成的基底绝缘膜12。基底绝缘膜12除了具有将TFT30与扫描线11a之间进行层间绝缘的功能以外，另外通过形成于TFT阵列基板10的整个面上，还具有防止因TFT阵列基板10的表面研磨时的粗糙、和清洗后残留的污物等原因使像素开关用的TFT30的特性变化的功能。

在基底绝缘膜12上，从平面看在半导体层1a的两侧开设有沿按照后述的数据线6a延伸的半导体层1a的沟道长度的方向的槽状的接触孔12cv，对应于该接触孔12cv，叠置于其上方的栅极3a包括在底侧呈凹状的部分。另外，按照埋住该接触孔12cv的整体的方式形成棚极3a，由此，在该栅极3a中，延伸设置有与其成一体地形成的侧壁部3b。由此，TFT30的半导体层1a像图4中良好地所示的那样，从平面看，从侧方覆盖，至少可抑制来自该部分的光的射入。

此外，该侧壁部3b像图4所示的那样，按照埋住上述接触孔12cv的方式形成，并且其底端与上述扫描线11a接触。在这里，由于扫描线11a像上述那样呈条带状，故对于位于某行的栅极3a和扫描线11a来说，只要着眼于该行，就总是处于相同电位。

(叠层结构·第3层的结构—存储电容器等—)

像图6所示的那样，在上述第2层之后的第3层上设置有存储电容器70。该存储电容器70这样形成，即，作为与TFT30的高浓度漏极区域1e和像素电极9a连接的像素电位侧电容电极的下部电极71，与作为恒定电位侧电容电极的电容电极300隔着电介质膜75而对置地设置。通过该存储电容器70，可显著地提高像素电极9a的电位保持特性。另外，由图4的平面图可知，由于第1实施例的存储电容器70没有延伸到大致与像素电极9a的形成区域相对应的光透射区域(换言之，由于被收纳在挡光区域内)，故电光装置整体的像素开口率保持得很大，由此，可显示更加明亮的图像。

在这里，也可采用下述的结构，即，作为上述像素电极侧电容电极的电极按照与下部电极71相反的方式设置于存储电容器70的上部。在此场合，当然，作为恒定电位侧电容电极的电容电极300设置于存储电容器70的下部。作为优选的实例，像素电位侧电容电极与TFT30中的高浓度漏极区域1e的延长的高浓度漏极区域1e作为相同的膜，作为恒定电位侧电容电极的电容电极300位于TFT30的下方，也可与用于遮挡从下方侵入TFT30的入射光的挡光层作为相同的层。此时，后述的电容布线400，最好是与作为恒定电位侧电容电极的电容电极300同一层的膜，这样结构简单，但是，并不限于此。

更具体地说，下部电极71由比如导电性的多晶硅膜形成，用作像素电位侧电容电极。但是，下部电极71也可由具有金属或合金的单一层膜或多层膜形成。另外，该下部电极71除了具有作为像素电极侧电容电极的功能以外，还具有将像素电极9a和TFT30的高浓度漏极区域1e中继连接的功能。顺便说一下，在这里所说的中继连接通过上述的的中继电极719进行。

电容电极300用作存储电容器70的恒定电位侧电容电极。在第1实施例中，为了使电容电极300的电位为恒定电位，通过与处于恒定电位的电容布线400(将在后面描述)电连接的方式实现。在这里，在用于使电容电极300处于恒定电位的连接中，对电容布线400进行中继处理，比如，电容布线400也可按照作为与电容电极300相同的膜而延长的方式形成。通过该结构，不需要另外一层电容布线400，因此消除了因接触电阻而使布线电阻增大的问题，另外，由于不需另外设置作为电容布线400的层，故工艺也简单。

另外，电容电极300由包括Ti、Cr、W、Ta、Mo等的高熔点金属中的至少1个的金属单质、合金、金属硅化物、聚硅化物、将这些成分叠置而形成的物质形成，最好由钨硅化物形成。

因此，电容电极300具有遮挡要从顶侧射入TFT30的光的功能。

电介质膜75像图6所示的那样，比如，由厚度在5～200nm左右的较薄的HTO(高温氧化)膜、LTO(低温氧化)膜等的氧化硅膜，或氮化硅膜等形成。从加大存储电容器70的观点来说，只要能够充分地获得膜的可靠性，电介质膜75可越薄越好。

在第1实施例中，该电介质膜75像图6所示的那样具有二层结构，即，底层为氧化硅膜75a、顶层为氮化硅膜75b。按照稍大于像素电位侧电容电极的下部电极71的尺寸制作顶层的氮化硅膜75b的图案，使其收纳于挡光区域(非开口区域)内。

(叠层结构·第2和第3层间的结构—第1层间绝缘膜—)

在上面描述的TFT30～栅极3a和中继电极719上，并且在存储电容器70的下方，形成由比如NSG(非掺杂硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜和氧化硅膜等形成的第1层间绝缘膜41，最好由NSG形成。

另外，在该第1层间绝缘膜41上开设有将TFT30的高浓度源极区域1d和后述的数据线6a电连接的接触孔81，该接触孔81穿过后述的第2层间绝缘膜42。另外，在第1层间绝缘膜41中开设有将TFT30的高浓度漏极区域1e和构成存储电容器70的下部电极71电连接的接触孔83。此外，在第1层间绝缘膜41中开设有用于将构成存储电容器70的作为像素电位侧电容电极的下部电极71和中继电极719电连接的接触孔881。此外，在第1层间绝缘膜41中开设有用于将中继电极719和后述的第2中继电极6a2电连接的接触孔82，该接触孔82在穿过后述的第2层间绝缘膜。

(叠层结构·第4层的结构—数据线等—)

在上述第3层之后的第4层上，设置有数据线6a。该数据线6a像图6所示的那样，作为3层结构的膜而形成，由下至上依次为，由铝形成的层(参照图6中的标号4 1A)、由氮化钛形成的层(参照图6的标号41TN)、由氮化硅膜形成的层(参照图6中的标号401)。用稍大于其底层的铝层和氮化钛层的尺寸制作氮化硅膜的图案，以将之覆盖。

另外，在该第4层上，作为与数据线6a相同的膜，形成有电容布线用中继层6a1和第2中继电极6a2。它们像图5所示的那样，在从平面观看时，没有按照具有与数据线6a连续的平面形状的方式形成，各层之间按照在图案上断开的方式形成。比如，如果着眼于位于图5中的最左方的数据线6a，则在其右方形成有大致呈四边形的电容布线用中继层6a1、在其右方形成有具有稍大于电容布线用中继层6a1的面积、大致呈四边形的第2中继电极6a2。

(叠层结构·第3和第4层间的结构—第2层间绝缘膜—)

在上面描述的电容电极70上、并且在数据线6a的下方，形成第2层间绝缘膜42，该第2层间绝缘膜42为比如，NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等，最好由采用TEOS气体的等离子CVD法形成。在该第2层间绝缘膜42中，开设有上述的接触孔81，该接触孔81将TFT30的高浓度源极区域1d和数据线6a电连接，并且开设有接触孔801，该接触孔801将上述电容布线用中继层6a1与作为存储电容器70的上部电极的电容电极300电连接。另外，在第2层间绝缘膜42中，形成有上述的接触孔882，该接触孔882用于将第2中继电极6a2和中继电极719电连接。

(叠层结构·第5层的结构—电容布线等—)

在上述第4层之后的第5层上，形成电容布线400。

该电容布线400按照从平面看，像图5所示的那样，分别沿图中的X方向和Y方向延伸的方式，呈格子状形成。特别是在该电容布线400中的沿图中的Y方向延伸的部分，按照覆盖数据线6a的方式，并且按照大于该数据线6a的宽度形成。另外，在沿图中的X方向延伸的部分在各像素电极9a的一条边的中间附近具有缺口部，以便确保形成后述的第3中继电极402的区域。

此外，在分别沿图5中的XY方向延伸的电容布线400的交差部分的角部，按照埋住该角部的方式设置大致呈三角形状的部分。通过在电容布线400中设置该大致呈三角形状的部分，可有效地进行相对TFT30的半导体层1a的光的遮挡。即，要从斜上方进入半导体层1a中的光被该三角形的部分反射，或吸收，不会到达半导体层1a。因此，抑制光泄漏电流的发生，可显示没有闪烁等的高质量的图像。

该电容布线400从设置有像素电解电极9a的图像显示区域10a延伸到其周围，通过与对置电极电位、驱动电路或其它周边电路的恒定电位源电连接，处于恒定电位(参照后述的与布线404有关的描述)。

如果具有如此按照覆盖数据线6a的整体的方式形成、并且处于恒定电位的电容布线400，则可排除在该数据线6a和像素电极9a之间产生的电容耦合影响。即，可避免像素电极9a的电位随着数据线6a的通电而变化的情况，从而可减小在图像上产生沿数据线6a的显示不均匀等的可能性。特别是在第1实施例中，由于电容布线400呈格子状，故即使在扫描线11a所延伸的部分也可以抑制无用的电容耦合的产生。

另外，在第5层中，作为与这样的电容布线400相同的膜，形成第3中继电极402。该第3中继电极402具有通过后述的接触孔804和89对第2中继电极6a2和像素电极9a之间的电连接进行中继的功能。另外，在电容布线400和第3中继电极402之间从平面看没有形成连续的形状，两者之间在图案上断开。

另一方面，上述电容布线400和第3中继电极402具有底层为由铝形成的层、顶层为由氮化钛形成的层的二层结构。由于像这样，电容布线400和第3中继电极402包含光反射性能较优良的铝，并且包含光吸收性能较优良的氮化钛，故该电容布线400和第3中继层402可用作挡光层。即，如果采用种结构，则可在其上侧遮挡入射光相对TFT30的半导体层1a(参照图6)的行进。

另外，特别是在第1实施例中，在图像显示区域10a以外的区域，像图7(a)和图7(b)所示的那样，形成延伸设置在上述电容布线400的牵引布线，更具体地说，形成由布线404(相当于本发明的“第2布线”的一个实例。)和边框图案406构成的牵引布线。下面，参照前面涉及的各图和图8，对该牵引布线的结构进行描述。在这里，图8为与图1的内容相同的图，是用于明确地表示特别是由布线404和边框图案406构成的牵引布线和电容布线400的配置关系的图。此外，在图8中，为了实现前述目的，特意将布线404的缩尺、边框图案406的缩尺、以及平面形状和排列间距等进行了改变，以适于辨认，另外，适当地省略了图1等中所示的部分中的几个要素(比如，图1的数据线驱动电路101、或图5中的第3中继电极402等)。

首先，在周边区域，像图7(a)和图8所示的那样，与电容布线400隔着边框图案406而延伸设置有布线404。即，该布线404作为与电容布线400和第3中继电极402(在下面有时称为“电容布线400”)相同的膜形成于第3层间绝缘膜43上。由此，布线404与上述电容布线400和第3中继电极402一样，具有底层为由铝形成的层、顶层为由氮化钛形成的层的二层结构。

该布线404的一部分构成参照图1和图2而描述的外部电路连接端子102Q。具体地说，通过在形成于布线404上的第4层间绝缘膜44上形成与布线404连通的接触孔44H1，使该布线404的顶面露在外部，从而形成外部电路连接端子102Q。

还有，此时，在开设接触孔44H1时，也可去除由布线404的顶层的氮化钛形成的膜。由此，由于在将该布线404和外部电路电连接时，该外部电路直接与由底层的铝形成的膜连接，故可使连接面的电阻降低。此外，如果残留由布线404的顶层的氮化钛形成的膜，则在通过该外部电路连接端子102Q对该电光装置进行检查时，由于由氮化钛形成的膜为硬质的膜，故有产生检查端子滑动的危险，但是，如果去除由氮化钛形成的膜，则不会产生这样的不利情况。

顺便说一下，图7(a)所示的布线404对于图1所示的所有外部电路连接端子102的都以相同的方式形成，但是，其中延伸设置于电容布线400中的部分，即，实现与电容布线400电连接的部分为它们中的一部分。即，像图8或图1所示的那样，外部电路连接端子102中的仅仅与特定的外部电路连接端子102Q相对应的布线404延伸设置于电容布线400，与剩余的外部电路连接端子102相对应的布线404，作为与电容布线400相同的膜而形成，两者按照在图案上断开的方式形成。

另一方面，在第1实施例中，还像图7(b)和图8所示的那样，形成上述电容布线400等、以及在上述的布线404上延伸设置的边框图案406。即，该边框图案406作为与电容布线400等和边框图案406相同的膜而形成于第3层间绝缘膜43上。由此，边框图案406也具有与上述电容布线400等一样的底层为由铝形成的层、顶层为由氮化钛形成的层的二层结构。

边框图案406像图8所示的那样，从平面看按照埋住定义图像显示区域10a和周边区域的边框区域(即，与边框挡光膜53的形成区域相对应的区域)和该边框区域周围的密封材料52的形成区域的方式、或按照围绕图像显示区域10a的全周的方式形成，其整体大致呈口字状。由于该边框图案406像图8中的下方所示的那样，延伸设置于与上述的特定的外部电路连接端子102Q连接的布线404，故边框图案406和特定的外部电路连接端子102Q相互电连接。另外，边框图案406延伸设置于电容布线400上，因此，该电容布线400和特定的外部电路连接端子102Q也相互电连接。根据上面所述，其结果是，与特定的外部电路连接端子102Q连接的布线404、边框图案406和电容布线400总是处于相同电位。

另外，边框图案406的一部分像图7(b)所示的那样，通过接触孔44H2露出在外部后，填充包含上下导通件106的密封材料52，由此，还使边框图案406和对置电极21之间实现电连接(另外，在边框图案406上与上下导通件106接触的部分称为“连接部分406C”)。像参照图1而描述的那样，上下导通件106设置于对置基板20的4个角部，该连接部分406C与之对应地设置于该4个角部。

根据上面描述，在第1实施例中，与特定的外部电路连接端子102Q连接的布线404、边框图案406、电容布线400和对置电极21总是处于相同的电位。

此外，在开设接触孔44H2时，也可去除由边框图案406的顶层的氮化钛形成的膜。由此，上下导通件106与由该边框图案406的底层的铝形成的膜直接连接，从而可降低接触面的电阻。另外，如果具有由氮化钛形成的膜，则由于该由氮化钛形成的膜为硬质的膜，故不会埋住上下导通件106，有可能产生因接触面积减小而使电阻值增加的不利情况，但是如果去除由氮化钛形成的膜就不会产生这样的不利情况。

还有，在图7中，作为与形成于图像显示区域的扫描线11a相同的膜形成台阶差调整膜11aP，另外，作为与栅极3a和中继电极719相同的膜形成台阶差调整膜3aP。由于具有这些台阶差调整膜11aP和3aP，故可进行使图像显示区域和周边区域的叠层结构的整体高度大致相同等的调整。

(叠层结构·第4和第5层间的结构—第3层间绝缘膜—)

像图6所示的那样，在数据线6a上，并且在电容布线400之下，形成第3层间绝缘膜43，该第3层间绝缘膜43为NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等，最好是通过采用TEOS气体的等离子CVD法形成。在该第3层间绝缘膜43中，分别开设有接触孔803和接触孔804，该接触孔803用于将上述电容布线400和电容布线用中继层6a1电连接，该接触孔804用于将第3中继电极402和第2中继电极6a2电连接。

(叠层结构·第6层和第5层与第6层间的结构—像素电极等—)

最后，在第6层上，像上述那样，像素电极9a形成矩阵状，在该像素电极9a上形成取向膜16。另外，在该像素电极9a下面形成第4层间绝缘膜44，该第4层间绝缘膜44由NSG、PSG、BSG、BPSG等的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等，最好由NSG形成。在该第4层间绝缘膜44中，开设有接触孔89，该接触孔89用于将像素电极9a和上述第3中继电极402之间电连接。在像素电极9a与TFT30之间，通过该接触孔89和第3中继层402、以及上述接触孔804、第2中继层6a2、接触孔882、中继电极719、接触孔881、下部电极71和接触孔83而实现电连接。

此外，在第1实施例中，第4层间绝缘膜44的表面通过CMP(化学机械研磨)等而进行平坦化处理，减小因位于其下方的各种布线、元件等的台阶差所造成的液晶层50的取向不良。但是，也可代替如此对第4层间绝缘膜44进行平坦化处理的方式、或与该方式相结合，在TFT阵列基板10、基底绝缘膜12、第1层间绝缘膜41、第2层间绝缘膜42和第3层间绝缘膜43中的至少1个中开设槽，埋住数据线6a等的布线和TFT30等，进行平坦化处理。

(该电光装置的作用效果)

按照像上述那样构成的第1实施例的电光装置，特别是由于形成作为第5层的结构而描述的由布线404和边框图案406形成的牵引布线，故可实现下述这样的作用效果。

首先，第1，在第1实施例中，由于边框图案406形成于边框区域和密封区域，故在形成有该边框图案406的区域中，像图7(b)的箭头L1所示的那样，可防止产生漏光，因此，可防止在图像的周围映入各种布线等的图案的像。因此，按照第1实施例，可显示更高质量的图像。

特别是，由于第1实施例的边框图案406按照围绕图像显示区域10a的全周的方式形成，故从原理上说，还可完全地将透过边框区域或密封区域的光隔绝。另外，由于边框图案406具有底层为由铝层形成的层、顶层为由氮化钛形成的层(均相当于本发明的“挡光性材料”的一个实例。)的二层结构，故可更加可靠地发挥上述光遮挡作用。另外，从图8可知，由于边框图案406按照不与图像显示区域10a重合的方式形成，故边框图案406不会阻碍透过图像显示区域10a的光。即，可显示所需的图像。另外，在密封材料52由光固化性树脂等形成的场合，其固化时所必需的光照射可从图7(b)的上方，即，从对置基板20侧进行。

另外，与此相关，在第1实施例中，在对置基板20上，形成边框挡光膜53，由此，还可实现图7(b)的箭头L2所示那样的挡光。在此场合，即使存在透过边框挡光膜53的光，该光也会被邻近的下一个边框图案406反射或吸收。如果像这样，采用第1实施例，则可实现所谓的二重的挡光。

其次，在第1实施例中，由于边框图案406通过上下导通件106实现了与对置电极21的电连接，并且还实现了与电容布线400的电连接，故边框图案406不但具有上述的光泄漏防止作用的功能，而且还具有向对置电极21供给电位、以及向电容布线400、进而向电容电极300供给电位(该电位供给通过接触孔801和803以及电容布线用中继层6a1而进行。参照图6)的功能。由此，使装置的结构简化。

与此相关，上下导通件106的设置部位像图8和图1所示的那样，与图像显示区域10a的四个角部相对应，因此，在适宜地实现边框图案406和对置电极21之间的电连接的同时，不会妨碍图像显示。此外，由于边框图案406按照围绕图像显示区域10a的全周的方式形成，故可更加可靠地使边框图案406与对置电极21之间电连接。其原因在于：由于边框图案406的所有的部分都电连接(换言之，作为无间断的图案而形成)，另外由于多个连接部分406C按照与图像显示区域10a的4个角部，即边框图案406的4个角部相对应的方式形成，故即使在边框图案406的一部分或4个上下导通件106中的任何一个因某种原因而无法实现电连接的情况下，仍可通过其它的部分没有停滞地实现电连接。

通过以上的方式，按照第1实施例，可稳定地保持对置电极21的电位，可适宜地调整夹持于该对置电极21和像素电极9a之间的液晶层50内的液晶分子的取向状态，从而可显示更高质量的图像。

另外，在第1实施例中，像图8所示的那样，与边框图案406连接的2个外部电路连接端子102Q设置于图中的左右，但是，本发明不限于这样的方式。比如，可只在图中的左和右中的一方设置与边框图案406连接的外部电路连接端子102Q。

另一方面，在第1实施例中，由于像前述那样，具有向对置电极21和电容布线400供给电位的功能的边框图案406作为与布线404的一部分，即与特定的外部电路连接端子102Q连接的布线404相同的膜，并且以电连接的方式形成，故与各组成部分比如形成于不同的层、并且通过接触孔实现电连接这样的场合相比较，可降低各组成部分之间的电阻值。因此，不但可向对置电极21供给稳定的电位，而且可防止电容布线400等的高电阻所造成的串扰的发生等情况。

与此相关，在第1实施例中，布线404和电容布线400隔着第3层间绝缘膜43形成于数据线6a上。由此，可比较容易地实现布线404和电容布线400作为相同的膜而形成的要求、外部电路连接端子102必须曝露于外部的要求、以及必须使布线404和外部电路连接端子102之间电连接的要求(参照图7(a))。另外，特别是在第1实施例中，由于布线404和电容布线400均形成于包含像素电极9a的第6层的下方，即，与该像素电极9a之间只隔着第4层间绝缘膜44，故前述的作用效果会更加有效地实现。

即，通过这样的结构，由于用于构成外部电路连接端子102的接触孔44H1像图7(a)所示的那样，可仅仅形成于第4层间绝缘膜44，故其深度较浅，该接触孔44H1的形成比较容易。

(第2实施例)

下面参照图9～图11，对本发明的第2实施例进行描述。在这里，图9为与图8的内容相同的图，不同点在于边框图案的形成方式。但是，在图9中，与图8不同的是，电容布线400的图示也省略。另外，图10和图11为对图9所示的标号D附近进行放大、并且将其与该部分的电路结构等一起表示的说明图。另外，在第2实施例与上述的第1实施例的电光装置的整体结构、像素部的结构等的几乎全部的部分完全相同。因此，在下面，与第1实施例相同的部分的说明省略，主要仅仅对第2实施例的特征性的结构进行描述。

在图9中，形成由边框图案461A和461B构成的边框图案461。其中，边框图案461A相当于本发明的“第1图案”的一个实例，像图9所示的那样，沿呈矩形状的图像显示区域10a中的三条边(图中的顶边、左边和右边)连续地形成。另外，边框图案461B相当于本发明的“第2图案”的一个实例，沿图像显示区域10a中的剩余的一条边(图中的底边)连续地形成，并且按照与上述的边框图案461A断开的方式形成(参照图中的标号461G)。另外，上下导通件106位于其中的边框图案461A上。

按照这样的方式，与上述第1实施例相同，边框图案461A和其上的4个上下导通件106的结构较长，由此，可更加可靠地使边框图案461和对置电极21之间电连接，可极稳定地保持对置电极21的电位。另外，由于具有边框图案461A和461B，故与前述的第1实施例相同，可获得防止漏光的作用效果。

另外，特别是在第2实施例中，通过边框图案461B，可获得下述这样的作用效果。即，在第2实施例中，边框图案461B对应于在图9中省略图示的数据线驱动电路101(参照图1)所形成的区域而形成。

该数据线驱动电路101附近的结构像图10所示的那样。

即，从数据线驱动电路101引出的控制线114与构成取样电路118的开关元件202的栅极连接。

另一方面，开关元件202的源极通过引出布线116与图像信号线115连接，其漏极与数据线6a连接。由此，通过数据线驱动电路101对开关元件202的导通截止进行控制，从而，可对从图像信号线115向数据线6a的图像信号的供给的有无进行控制。

但是，在具有这样的结构的数据线驱动电路101附近的结构中，在上述引出布线116与对置基板20上的对置电极21之间，有产生电容耦合的危险。如果产生电容耦合，则由于对其中一者的通电会改变另一者的电位，故难于显示所需的图像。

然而，按照第2实施例，像图10所示的那样，由于在该区域形成有上述的边框图案461B，故在图像信号线115和对置电极21之间具有该边框图案461B，从而可抑制上述电容耦合的发生。因此，按照第2实施例，可适宜地显示所需的图像。顺便说一下，为了更加有效地获得这样的效果，最好将边框图案保持在恒定电位。为此，比如，可将该边框图案461B与图9中未示出的电容布线400(参照图8)连接。

此外，像前述的第1实施例那样按照围绕图像显示区域10a的全周的方式形成边框图案406的方式，同样可以获得这样的作用效果。

还有，在上述第2实施例中，边框图案461B按照大致全部地覆盖取样电路118和从该取样电路118延伸的引出布线116的方式形成，但是，本发明不限于这样的方式。

比如，也可像图11所示的那样，形成呈长条状断开的边框图案461BB。顺便说一下，在采用这样的结构的场合，与图10不同，不必使这些长条状的边框图案461BB保持在恒定电位，可使其处于浮游状态(漂移电位)。

(第3实施例)

下面参照图12对本发明的第3实施例进行描述。在这里，图12为与图8内容相同的图，而边框图案的形成方式不同。但是，在图12中，与图8不同的是，电容布线400的图示也省略。另外，第3实施例与上述的第1实施例的电光装置的整体结构与像素部的结构等的几乎全部的部分完全相同。因此，在下面，与第1实施例相同的部分的描述省略，主要仅仅对第3实施例的特征性的结构进行描述。

在图12中，形成由边框图案462C和462D构成的边框图案462。其中，该边框图案462C相当于本发明的“第3图案”的一个实例，像图12所示的那样，沿呈矩形的图像显示区域10a中的对应的二条边(图中的左边和右边)而形成。另外，边框图案462D相当于本发明的“第4图案”的一个实例，沿图像显示区域10a中的剩余的二条边(图中的顶边和底边)形成，并且按照与上述的边框图案462C断开的方式形成(参照图中的标号462G)。

此外，上下导通件106位于其中的边框图案462C上。

按照这样的方式，在图12中沿图像显示区域10a的左边和右边作为2个直线状图案而形成的边框图案462C上，分别各自具有2个上下导通件106。因此，就这方面来说，与第1实施例相同，由于可形成较长的结构，故可更加可靠地使边框图案462和对置电极21之间电连接。

另外，按照边框图案462D，与上述第2实施例的边框图案461B相同，可极力地防止引出布线116和对置电极21之间的电容耦合的发生。

显然，由于具有边框图案462C和462D，故与前述的第1实施例相同，还可获得防止漏光的作用效果。

(第4实施例)

下面参照图13，对本发明的第4实施例进行描述。在这里，图13为与图8的内容相同的图，不同点在于边框图案的形成方式。但是，在图13中，与图8不同，电容布线400的图示也省略。另外，第4实施例与上述的第1实施例的电光装置的整体结构，像素部的结构等的几乎全部的部分完全相同。因此，在下面，与第1实施例相同的部分的描述省略，主要对第4实施例的特征性的结构进行描述。

在图13中，形成由边框图案463E和463F构成的边框图案463。其中，边框图案463E相当于本发明的“第5图案”的一个实例，像图13所示的那样，按照除去与呈矩形状的图像显示区域10a的一个角部相对应的部分以外均连续的方式形成。另外，边框图案463F相当于本发明的“第6图案”的一个实例，形成于与上述一个角部相对应的部分，并且按照与上述边框图案463E断开的方式形成(参照图中标号463G)。另外，其中，边框图案463E和463F中的任何一个上都具有上下导通件106。

按照这样的方式，显然，可获得与上述第1～第3实施例大致相同的作用效果，即，边框图案463和对置电极21之间的电连接的可靠性、或引出布线116和对置电极21之间的电容耦合的发生抑制、以及防止漏光等的作用效果。

(第5实施例)

下面参照图14，对本发明的第5实施例进行描述。在这里，图14为与图8的内容相同的图，不同点在于边框图案的形成方式等。另外，第5实施例与前述的第1实施例的电光装置的整体结构，像素部的结构等的几乎全部的部分完全相同。因此，在下面，与第1实施例相同的部分的描述省略，主要对第5实施例的特征性的结构进行描述。

首先，在图14中，形成呈大致与上述第4实施例相同的图案形状的边框图案464。即，边框图案464由除去图像显示区域10a的一个角部以外均连续地形成的边框图案464E和形成于与上述一个角部相对应的部分的边框图案464F构成。

此外，在边框图案464E和464F中，形成三个和一个上下导通件106的方面、形成用于向该上下导通件106供给电位的布线404的方面、以及该布线404的一部分与特定的外部电路连接端子102Q连接的方面均与上述第4实施例相同。但是，特别是第5实施例的布线404相当于本发明的“第2布线的第1部分”的一个实例，特定的外部电路连接端子102Q相当于本发明的“外部电路连接端子的第1部分”的一个实例。

还有，在第5实施例中，该边框图案464E和464F不与电容布线电连接。即，边框图案464和电容布线400’虽然作为相同的膜而形成，但是，它们在图案上按照断开的方式形成(参照图中的标号46G)。并且，布线408延伸设置于如此不能够从边框图案464接收电位的供给的电容布线400’。该布线408相当于本发明的“第2布线的第2部分”的一个实例，从分隔边框图案464E和464F的间隙464G中穿过，与特定的外部电路连接端子102Q(相当于本发明的“外部电路连接端子的第2部分”的一个实例)连接。

总之，在第5实施例中，布线404、边框图案464、布线408和电容布线400’全部作为相同的膜而形成(显然，包括第3中继电极402)，虽然布线404和边框图案464之间、以及布线408和电容布线400’之间分别实现电连接，但是在前者和后者之间没有实现电连接。

按照这样的方式，可使提供给对置电极21、电容布线400’、以及与电容电极300的电位不同。即，对置电极21通过上下导通件106与边框图案464、布线404、特定的外部电路连接端子102Q连接，故如果向该外部电路连接端子102Q供给对置电极21用的电位，则可将对置电极21保持在该电位。另一方面，由于电容布线400’以及与其电连接的电容电极300(参照图6)与布线408、特定的外部电路连接端子102R连接，故如果向该外部电路连接端子102R供给与上述对置电极21用的电位不同的电容电极300用的电位，则可使该电容布线300保持在该电位。像这样，按照第5实施例，由于可使对置电极21和电容电极300分别保持在不同的电位，故可适宜地调整在该电光装置中产生的各种电作用。

另外，同样在第5实施例中，与上述第1～第4实施例相同，边框图案464和对置电极21之间的可靠的电连接的确保、或图像信号线115和对置电极21之间的电容耦合发生的抑制、以及漏光防止等这些方面没有变化。

此外，在上述第2～第4实施例中，由于上下导通件106和对置电极21以及电容布线400，与边框图案461、462和463电连接，故必须向特定的外部电路连接端子102Q供给与对置电极21和电容布线400或电容电极300共同的电位。但是，本发明不限于这样的方式。即，也可像在第5实施例中所描述的那样，对于第2～第4实施例，也利用构成边框图案461、462和463的间隙461G、462G和463G，不与对置电极21用的电位一起供给电容布线400、或电容电极300用的电位。

还有，在上述第1～第5实施例中，也可将供给特定的外部电路连接端子102Q或102R的电位用作供给扫描线驱动电路104的低电位侧的恒定电位。按照该方式，对置电极21、电容电极300的电位与该恒定电位相同。或者，也可代替上述这样的结构，将供给外部电路连接端子102Q或102R的电位用作供给数据线驱动电路101的恒定电位。

(电子设备)

下面针对将在上面具体描述的电光装置用作光阀的电子设备的一个实例的投影型彩色显示器的实施例的整体结构，特别是光学结构进行描述。在这里，图15为投影型彩色显示器的图示性的剖面图。

在图15中，作为本实施例的投影型彩色显示器的一个实例的液晶投影仪1100配备3个包括驱动电路装载于TFT阵列基板上的液晶装置的液晶组件，分别用作RGB用的光阀100R、100G和100B。在液晶投影仪1100中，如果从金属卤化物灯等的白色光源的灯单元1102发出投射光，则通过3个反射镜1106和2个二向色镜1108，分成与RGB三原色相对应的光分量R、G和B，分别被送向与各颜色相对应的光阀100R、100G和100B。特别是在此时，为了防止因光路较长而使光量损失，B光通过由入射透镜1122、中继透镜1123和射出透镜1124构成的中继透镜***1121而导向。另外，分别通过光阀100R、100G和100B而调制的与三原色相对应的光分量通过二向色棱镜1112再次合成，然后，通过投射透镜1114，作为彩色图像而投影于屏幕1120上。

本发明不限于上述的实施例，在不脱离权利要求和说明书整体所表达的本发明的要点或思想的范围内，可适当地改变，伴随这样的改变的电光装置和电子设备也包括在本发明的技术范围中。

Claims (21)

1.一种电光装置，其特征在于：

在基板上设置有：

沿一定方向延伸的数据线，与沿和该数据线交叉的方向延伸的扫描线；

开关元件，该开关元件由上述扫描线提供扫描信号；以及，

像素电极，该像素电极由上述数据线通过上述开关元件提供图像信号；

在上述基板中，包括：

图像显示区域，该图像显示区域是作为上述像素电极和上述开关元件的形成区域而规定的；

周边区域，该周边区域规定上述图像显示区域的周边；

在上述图像显示区域上，设置有：

存储电容器，该存储电容器将上述像素电极的电位保持规定时间；

第1布线，该第1布线向构成该存储电容器的电容器电极供给规定电位；以及，

边框图案，该边框图案作为与上述第1布线相同的膜而形成，构成定义上述图像显示区域和上述周边区域的边框区域的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述边框图案按照至少覆盖用于将图像信号供给数据线的取样电路的方式形成。

3.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述第1布线作为与供给有上述规定电位的一侧的电容器电极相同的膜，是上述电容器电极延长而形成的。

4.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述边框图案的至少一部分按照呈长方形断开的方式形成，处于漂移电位。

5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，还包括与上述基板对置的对置基板，与将上述基板和上述对置基板粘接的密封材料；

上述边框图案形成在形成有上述密封材料的密封区域的至少一部分上。

6.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，还包括与上述基板对置的对置基板，与形成在上述对置基板上的对置电极；

上述边框图案具有与上述对置电极电连接的连接部分。

7.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述边框图案按照与上述第1布线电连接的方式形成。

8.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于，上述连接部分对应于上述对置基板的角部而设置。

9.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述边框图案按照围绕上述图像显示区域的全周的方式形成。

10.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于，上述图像显示区域从平面看呈矩形；

上述边框图案包括第1图案和第2图案，该第1图案沿上述矩形的三条边连续地形成，该第2图案沿剩余的一条边形成，并且与上述第1图案断开地形成；

上述连接部分位于上述第1图案上。

11.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于，上述图像显示区域从平面看呈矩形；

上述边框图案包括第3图案和第4图案，该第3图案沿上述矩形的相对的二条边形成，该第4图案沿剩余的二条边形成，并且与上述第3图案断开地形成；

上述连接部分位于上述第3图案上。

12.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于，上述图像显示区域从平面看呈矩形；

上述边框图案包括第5图案和第6图案，该第5图案按照除了与上述矩形中的一个角部相对应的部分以外的其它部分均连续的方式形成，该第6图案形成在与上述一个角部相对应的部分，并且与上述第5图案断开地形成；

上述连接部分位于上述第5图案和第6图案中的至少一者上。

13.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，在上述周边区域上，还设置有沿上述基板的边缘部形成的外部电路连接端子，与延伸到该外部电路连接端子的第2布线；

上述第2布线中的至少一部分作为与上述第1布线相同的膜而形成，并且按照与上述第1布线电连接的方式形成。

14.根据权利要求13所述的电光装置，其特征在于，上述第1布线隔着层间绝缘膜形成在上述数据线上。

15.根据权利要求13所述的电光装置，其特征在于，上述第1布线形成在包括上述像素电极的层的下层上。

16.根据权利要求13所述的电光装置，其特征在于，上述第1布线和上述边框图案不按照电连接的方式形成；而且

上述第2布线的第1部分和上述第1布线电连接；

上述第2布线的第2部分和上述边框图案电连接；

上述第1部分与上述外部电路连接端子的第1部分连接；

上述第2部分与上述外部电路连接端子的第2部分连接。

17.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述第1布线由遮光性材料形成。

18.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，上述第1布线具有由不同的材料形成的叠层结构。

19.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，还包括与上述基板对置的对置基板，与形成在该对置基板上的遮光膜；

上述边框图案按照与上述遮光膜重合的方式形成。

20.根据权利要求19所述的电光装置，其特征在于，上述遮光膜包括按照沿上述对置基板的边缘部延伸的方式形成的边框遮光膜。

21.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～20中的任意一项所述的电光装置。

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