CN1532901A - 具有空腔的电子器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明关于具有一半导体芯片之一电子器件与其制造方法。在此例中，半导体芯片(4)之顶面(7)具有电路结构(5)，其形成一空腔(2)之底部区域，每一个空腔(2)被一塑料制的空腔架构(8)所围绕且具有半导体材料所制之一空腔覆盖物(2)。

Description

具有空腔的电子器件及其制造方法
技术领域
本发明关于一种具有一半导体芯片之电子器件，其具有一顶面具有电路结构，且系被配置在一空腔中。再者，本发明关于一种制造装置的方法。
背景技术
电子器件系被装置具有一空腔用以接受具有电路结构之半导体芯片，例如接受表面声波过滤器，亦称为SAW，或者用以接收大块声波过滤器，亦称为BAW。为了确定在一半导体芯片上之一空腔在此表面区域之上具有电路结构，整个半导体芯片系被与结构复杂的陶瓷壳体物键合或者一复杂且成本高的技术系被使用来形成塑料壳体物架构于平坦的铅架上，在其中，半导体芯片系接着在他们整个尺寸中被连结。此具有半导体芯片之空腔结构不仅具有一复杂且成本高的建造且亦相对庞大与不容易微小化。
发明内容
本发明的目的系具体说明一种成本有效的电子器件，其具有空腔，以及一种用以制造此电子器件的方法，其同时可被大大地降低其空间尺寸而无损害电子特性，特别是过滤器特性。
本发明的目的藉由独立权利要求之内容而达成。本发明有利的发展揭露于附属权利要求。
本发明详细说明一具有一半导体芯片之电子器件，其具有一顶面电路结构，在每一个例子中形成一空腔之底部区域。每一个空腔被一塑料制空腔架构所围绕，空腔架构铺放于半导体芯片之顶面。一半导体材料所制之空腔覆盖物系被配置于空腔架构之上。此一装置具有优点，因为在半导体芯片上之空腔架构围绕电路结构区域，使此一电子器件与传统装置相比可被大大地缩减其尺寸，特别是当半导体芯片不必须被键合到一空腔壳体物时，更确切的说，一空腔出现在半导体芯片上且仅在电路结构区域或者是在对应电路结构之区域，其需要此一空腔配置。
再者，一半导体材料制成之空腔壳体物具有表面结构之一电子特性之正向效应，特别是当半导体材料制成之空腔壳体物之相关介电常数低的时候。此电子器件中，半导体芯片铺放为一层叠一层，类似一三明治的方式，系彼此相当紧密而使空腔之两层之间的空间小于200微米。
空腔架构可能藉由图样化一光阻层而形成，在半导体芯片顶面上之接点区域维持无塑料空腔架构。半导体芯片上之电路结构可经由在半导体芯片顶面上之接点区域以及外部接点之内部区域之间的键合连接被驱动。粘着膜系被施加在具有电路结构之半导体芯片以及作为空腔壳体物之半导体芯片背面上。在具有电路结构之半导体芯片上的第一粘着膜固定半导体芯片于外部接点之内部区域上。在制造半导体芯片顶面接点区域以及外部接点之内部区域之间的键合连接期间，其提供具有电路结构之半导体芯片之一牢固的定位。
在半导体芯片背面上的第二粘着膜其作为空腔壳体物而具有此粘着膜补偿塑料层形成空腔架构之不平坦的优点。再者，粘着膜确认关于随后的塑料壳体组成物施加完全的密封用以埋入半导体芯片，因此没有塑料组成物填充空腔。
外部接点系被配置在电子器件之底面且可能放置在整个电子器件底面。此系与当半导体芯片的面积增加，其可能被制一增加数量的外部接点于底面的优点相关联。
一更加微小化的电子器件变成可能的，藉由在键合线以及半导体芯片之接点区域之间的键合连接以及介于键合线与外部接点之内部区域之间的键合连接均具有一键合弧。此键合弧可比藉由热压缩头可能制造更平坦而被制造。在热压缩头的例子中，键合线，在键合连接之后，一开始系被向上拉长垂直于接点区域在一键合线弧可被附着之前。因为此上拉键合线弧必须被配置在作为空腔壳体物之半导体芯片以及有效半导体芯片之间，一相对大的距离剩余在两个半导体之间且因此一相对高的空腔残余。此空腔之高度藉由使用平坦键合弧于半导体芯片以及外部接点之内部区域上且藉由省掉热压缩头可被大量地缩减可被大量地缩减。
在一本发明之另一实施例中，提供埋藏一复数的半导体芯片以形成一半导体芯片模块，在一塑料壳体组成物中。在此例子中，半导体芯片模块具有一复数的空腔藉由一般空腔壳体物来封闭。本发明之此实施例提供之优点为，对于一较大量的电路结构，分别的个别半导体芯片系具有空腔架构被提供。对于空腔覆盖物，相较之下，仅一大面积的半导体芯片被提供，其缩减制造成本。
一种用于制造具有至少一空腔在一半导体芯片之一表面区域上之电子器件具有下列方法步骤。第一，提供一具有半导体芯片位置之半导体晶圆，其具有电路结构而被提供具有空腔于预定的表面区域中。一图样化的塑料层被施加到此半导体晶圆，具有电路结构被提供而具有空腔无残留且具有空腔架构之形成。该层系仅一少量微米厚且可能具有一厚度上达200微米。
在半导体晶圆藉由锯开被分开成第一半导体芯片之前，一粘着膜系被施加到半导体芯片之背面。此粘着膜确认半导体晶圆在分开成为具有粘着的粘着层之第一半导体芯片的制程中不偏移。在半导体晶圆已经分开成具有粘着之粘着膜之第一半导体芯片之后，半导体芯片被施加一金属架用于无平坦导体之壳体物而具有半导体芯片之粘着键合且固化粘着膜在半导体芯片之背面上。
此处，亦如此，粘着膜用以固定半导体芯片，而精准地在外部接点之内部区域上。此固定支持接点区域之一牢固的键合于具有接点台于外部接点之内部区域上之半导体芯片。该接点台可能具有一可键合确认层关于外部接点之金属。此确认层具有金或金的合金。他们支持在半导体芯片顶面之接点区域以及金属架之外部接点之内部区域之间的键合连接的制造。
之后，空腔架构系被以第二半导体芯片覆盖。为了此目的，第二半导体芯片同样地具有一粘着膜在其背面上，其粘着膜对应于第一半导体芯片之粘着膜。在第二半导体芯片之背面上的此粘着膜提供用来补偿围绕每一个电路结构之空腔架构之不平坦。在第二半导体芯片之安装作为空腔壳体物之后，半导体芯片具有键合线可被封装于一塑料壳体组成物中。在此例中，键合线，半导体芯片以及空腔架构系被埋入塑料组成物中，且仅外部接点在电子器件之底面而无填充而可得到。
在半导体芯片已经封装在壳体塑料组成物中之后，已经接受一多重电子器件之金属架可被分开成为个别的电子器件。此方法具有优点为空腔架构以及第一与第二粘着膜可在晶圆阶段以一相对价钱低廉的方法被同时准备用于一复数的电子器件。随之而来的，可能使用一复数的从半导体技术所知之尝试以及测试步骤。
特别是，当一光阻层被施加于半导体晶圆的顶面时，以及随后以光微影方法图样化来形成空腔架构。在此光图样化期间，电路结构以及在半导体芯片上之接点区域可被维持无光阻。为了此目的，可能使用一光阻具有习惯上商业性的缩写为SU8。后者可非常好地被图样化以制造一复数的空腔，藉由小型网再细分，仅在半导体芯片之预定的位置。结果，一极小，微小化的足印可被制造。在较大结构的例子中，亦可能去使用印刷技术以实现空腔架构。在此连接中，特别的优点藉由丝网印刷技术或者罩幕印刷技术被提供，其中仅空腔架构其本身以网状型式被制造，而电路结构仍维持完全无塑料。第一与第二粘着膜在半导体芯片背面均可能包含UV-可预先固化的材料且在藉由钻石切割分开之前系遭受UV辐射，为了达成藉由紫外线光因预先固化在分开安装中之一固定。过度且在纯预先固化的使用UV光，第一以及第二粘着膜可能为热可固化的。一对应的热固化步骤可能在以第一粘着膜施加半导体芯片于今暑假之外部接点之内部区域上之后以及键合连接之键合之前被产生。此确认半导体芯片不可在键合期间被偏移。
本发明现在将以参考随附图标被更加详细的解释。
附图说明
图1显示一概略的剖面图经由本发明一第一实施例之电子器件。
图2显示一概略的剖面图经由本发明一第二实施例之电子器件。
图3显示一概略的剖面图经由本发明一第三实施例之电子器件。
附图中的参考标号表示意思如下：
1，10，100  电子器件
2  空腔
3  表面区域
4  半导体芯片
5  电路结构
6  图样化塑料层
7  半导体芯片顶面
8  空腔架构
9  第一粘着膜
11 键合连接
12 半导体芯片顶面上的接点区域
13 内部区域
14 外部接点
15 覆盖半导体芯片
16 覆盖半导体芯片之背面
17 第二粘着膜
18 壳体塑料组合物
19 第一半导体芯片之背面
20 空腔覆盖物
21 电子器件底面
22 键合线
23 键合弧
24 热压缩头
25 可键合涂层
具体实施方式
图1显示一概略的剖面图经由本发明一第一实施例之电子器件1。整个装置系被埋入一塑料壳体组成物18中，其具有金属外部接点14于电子器件1之底面21上。经由这些金属外部接点14，进入第一半导体芯片4之电路结构5；该电路结构5系一大块声波过滤器，其上一空腔2系被配置。该空腔2系被配置直接地在电路结构5之上而在半导体芯片之顶面7上且仅留下电路结构5之表面区域3无一塑料层6。此塑料层6形成一空腔架构围绕着电路结构5。此空腔架构系朝着顶面藉由一另一半导体芯片15而被封闭，其系藉由一粘着膜17被固定在空腔架构8之上。此粘着膜17密封空腔2相关于塑料壳体组成物18，因此没有塑料壳体组成物18可在电子器件1之铸造期间穿透进入空腔2。再者，膜17补偿空腔架构8之不平坦。半导体材料在具有电路结构5之较低半导体芯片4以及较上方的覆盖半导体芯片15中为硅。
在本发明之此实施例中，在空腔架构8之外部，接点区域12系被配置在半导体芯片4之顶面7上。该接点区域12系经由热压缩头24以及键合线22被连接到一可键合的在外部接点14之内部区域13上之涂层25。整个键合连接11系被埋入塑料壳体组成物18中。电路结构5之较低的半导体芯片4系藉由其背面19被固定在外部接点14之内部区域上以一第一粘着膜9。键合连接11系在第二半导体芯片15之前被制造，以其粘着膜17，系被放置在空腔架构8之上。
较低半导体芯片4之第一粘着膜9以及覆盖半导体芯片15之第二粘着膜17均以UV辐射的辅助被预先固化为了在从一晶圆分开为半导体芯片期间之固定目的。在锯开成为个别的芯片厚，如图1所示，粘着膜9以及17系在180℃下30分钟被固化。这些粘着膜9以及17之基本材料系由一聚烯烃形成而具有一厚度为120微米。切割压力大于50N/2平方毫米在25℃下且甚至在250℃下一切割力几乎为8N/2平方公分结果。这些膜系更加被区分藉由他们小比例的氯离子小于8.5ppm且钠离子小于0.5ppm。在本发明之此实施例中粘着膜全部的厚度系为150微米。
图2显示一概略的剖面图经由本发明一第二实施例之电子器件10。具有相似于图1所示组件功能之组件系藉由相同的参考符号来识别且系不个别讨论。根据图1实施例与本实施例之间的不同为空腔2被设计为比图1所示实施例更加平坦。此平坦的设计可能藉由省掉热压缩头来连接接点区域12于半导体芯片4之顶面上来制造且返回来形成一热压缩弧23在半导体芯片4以及可键合区域25上。此选择键合连接之一键合弧23之方法使电子器件可以更加微小化。
图3显示一概略的剖面图经由本发明一第三实施例之电子器件100。此处，亦相同，具有相似于前述图标中所示组件功能之组件系藉由相同的参考符号来识别。电子器件系一电路模块，其中三个半导体芯片4具有电路结构5，被提供具有空腔2于他们的顶面7上。为了此目的，一空腔架构8系被配置在每一半导体芯片上藉由一光可图样化的塑料层6。延伸超过全部的空腔为一单一半导体芯片15所制造正常空腔覆盖20，其系被提供具有一以烯烃制造之聚粘着膜17于其背面16，该粘着膜，一方面来说，密封关于塑料壳体组成物18之空腔2且，另一方面来说，部长空腔架构8之不平坦。在此模块中，亦相同的，外部接点14铺放在电子器件100之底面21上。

Claims (13)

1.制造具空腔(2)之电子器件(1)于一半导体芯片(4)上之一表面区域(3)之方法，包括
-提供一具有半导体芯片位置之半导体晶圆，其具有被提供具有空腔(2)于预定之表面区域(3)中之电路结构(5)，
-施加一以图样化之塑料层(6)至该半导体晶圆上，具有该被提供具有空腔(2)而无填充且具有空腔架构(8)之组成之电路结构(5)之顶面，
-施加一第一粘着膜(9)到该半导体晶圆之背面，且预先交叉连接该粘着膜(9)，
-分开该半导体晶圆为第一半导体芯片(4)，具有粘附之粘着膜(9)，
-施加该半导体芯片(4)到一金属架以形成具有半导体芯片(4)之粘着键合之无平坦导体壳体且固化该粘着膜(9)于该半导体芯片(4)之背面(19)上，
-制造键合连接(11)于半导体芯片(4)顶面(7)上之接点区域(12)以及该金属架之外部接点(14)之内侧区域(13)之间，
-以半导体芯片(15)覆盖该空腔架构(8)，其具有一粘着膜(17)于他们的背面(16)，
-封装该半导体芯片(4)于一塑料壳体组成(18)中，
-分开该金属架为个别的电子器件(1)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于
一光阻层系被施加到该半导体晶圆之顶面且系随后光微影图样化以形成空腔架构(8)以使该电路结构(5)以及该半导体芯片(4)上之该接点区域(12)维持无光阻。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于
该图样化之塑料层(6)系藉由印刷技术来施加。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于
于该半导体芯片(1，10，100)背面上之该第一以及第二粘着膜(9，17)系为UV-可预先固化的且在分开之前系遭受UV辐射。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于该第一与第二粘着膜(9，17)系可热固化的，且在以第一粘着膜(9)施加该半导体芯片(4)于一金属架之外部接点(14)之内侧区域(13)上之后且在该键合连接(11)之一键合之前，系藉由一热固化步骤来热固化。
6.具有一半导体芯片(4)之电子器件，其具有一顶面(7)具有电路结构(5)，其在每一例子中形成一空腔(2)之底部区域，每一空腔(2)被塑料制的一空腔架构(8)所围绕，且该空腔架构(8)位于该半导体芯片(4)之该顶面(7)上且一半导体材料所制之空腔覆盖(20)被配置在该空腔架构(8)之上。
7.根据权利要求6所述的电子器件，其特征在于
该半导体芯片(4)之该顶面(7)上的接点区域(12)系无该空腔架构(8)之塑料且系经由键合连接(11)被连接到外部接点(14)之内部区域(13)。
8.根据权利要求6或7所述的电子器件，其特征在于
具有电路结构(5)之该半导体芯片(4)以及作为空腔覆盖(20)之该半导体芯片(15)在每一个例子中具有一粘着膜(9，17)之一UV可固化的粘着层于他们的背面(16，19)。
9.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的电子器件，其特征在于
该外部接点(14)系被配置在该电子器件(1)之底面(21)上。
10.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的电子器件，其特征在于一复数的半导体芯片(4)，形成一半导体芯片模块，系被埋入一塑料壳体组成物(18)中且具有复数的空腔(2)以一共通空腔覆盖物(20)来封闭。
11.根据权利要求6到8中任一权利要求所述的电子器件，其特征在于该半导体芯片(4)上的电路结构(5)具有大块声波过滤器且/或表面声波过滤器。
12.根据权利要求6到11中任一权利要求所述的电子器件，其特征在于在键合线(22)以及该半导体芯片(4)之接点区域(12)之间的该键合连接以及键合线(22)以及该外部接点(14)之内部区域(13)之间的键合连接均具有一键合弧(23)。
13.根据权利要求6到12中任一权利要求所述的电子器件，其特征在于该第一以及第二粘着膜(9，17)具有一厚度介于100以及150微米之间。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110690868A (zh) * 2019-09-27 2020-01-14 无锡市好达电子有限公司 一种滤波器的新型晶圆级封装方法
CN111326482A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 中芯集成电路（宁波）有限公司 表面声波器件的封装结构及其晶圆级封装方法

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004042941B3 (de) * 2004-09-02 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Hochfrequenzmodul mit Filterstrukturen und Verfahren zu dessen Herstellung
US7327044B2 (en) * 2005-01-21 2008-02-05 Fox Electronics Integrated circuit package encapsulating a hermetically sealed device
EP1688997B1 (de) 2005-02-02 2014-04-16 Infineon Technologies AG Elektronisches Bauteil mit gestapelten Halbleiterchips
US20060211233A1 (en) * 2005-03-21 2006-09-21 Skyworks Solutions, Inc. Method for fabricating a wafer level package having through wafer vias for external package connectivity and related structure
US7576426B2 (en) * 2005-04-01 2009-08-18 Skyworks Solutions, Inc. Wafer level package including a device wafer integrated with a passive component
US7384817B2 (en) 2005-05-13 2008-06-10 Sandisk Corporation Method of assembling semiconductor devices with LEDs
DE102005034011B4 (de) 2005-07-18 2009-05-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil für Hochfrequenzen über 10 GHz und Verfahren zur Herstellung desselben
US7807506B2 (en) 2006-02-03 2010-10-05 Infineon Technologies Ag Microelectromechanical semiconductor component with cavity structure and method for producing the same
DE102006005419B4 (de) * 2006-02-03 2019-05-02 Infineon Technologies Ag Mikroelektromechanisches Halbleiterbauelement mit Hohlraumstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
JP4910512B2 (ja) * 2006-06-30 2012-04-04 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
US7635606B2 (en) * 2006-08-02 2009-12-22 Skyworks Solutions, Inc. Wafer level package with cavities for active devices
WO2008078898A1 (en) * 2006-12-22 2008-07-03 Lg Innotek Co., Ltd High frequency module and manufacturing method thereof
KR101349544B1 (ko) * 2007-01-30 2014-01-08 엘지이노텍 주식회사 고주파 모듈
US20080217708A1 (en) * 2007-03-09 2008-09-11 Skyworks Solutions, Inc. Integrated passive cap in a system-in-package
US7741720B2 (en) * 2007-09-25 2010-06-22 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic device with wire bonds adhered between integrated circuits dies and printed circuit boards
US8063318B2 (en) * 2007-09-25 2011-11-22 Silverbrook Research Pty Ltd Electronic component with wire bonds in low modulus fill encapsulant
US7659141B2 (en) * 2007-09-25 2010-02-09 Silverbrook Research Pty Ltd Wire bond encapsulant application control
EP2215655A4 (en) 2007-11-30 2014-07-30 Skyworks Solutions Inc CAPACITATION AT WAFBERBENE USING FLIP-CHIP ATTACHMENT
US8900931B2 (en) * 2007-12-26 2014-12-02 Skyworks Solutions, Inc. In-situ cavity integrated circuit package
DE102009042479A1 (de) 2009-09-24 2011-03-31 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Bauelement auf einem Trägersubstrat und Anordnung sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbzeuges und Halbzeug
JP5252007B2 (ja) * 2011-03-08 2013-07-31 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
US8749056B2 (en) * 2011-05-26 2014-06-10 Infineon Technologies Ag Module and method of manufacturing a module
DE102013102213B4 (de) 2013-03-06 2020-01-02 Snaptrack, Inc. Miniaturisiertes Bauelement mit Dünnschichtabdeckung und Verfahren zur Herstellung
US9527728B2 (en) * 2013-07-22 2016-12-27 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit package and method
WO2015098793A1 (ja) * 2013-12-25 2015-07-02 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
US9571061B2 (en) 2014-06-06 2017-02-14 Akoustis, Inc. Integrated circuit configured with two or more single crystal acoustic resonator devices
US9673384B2 (en) 2014-06-06 2017-06-06 Akoustis, Inc. Resonance circuit with a single crystal capacitor dielectric material
US9537465B1 (en) 2014-06-06 2017-01-03 Akoustis, Inc. Acoustic resonator device with single crystal piezo material and capacitor on a bulk substrate
US9912314B2 (en) 2014-07-25 2018-03-06 Akoustics, Inc. Single crystal acoustic resonator and bulk acoustic wave filter
US9805966B2 (en) 2014-07-25 2017-10-31 Akoustis, Inc. Wafer scale packaging
US9716581B2 (en) 2014-07-31 2017-07-25 Akoustis, Inc. Mobile communication device configured with a single crystal piezo resonator structure
US9917568B2 (en) 2014-08-26 2018-03-13 Akoustis, Inc. Membrane substrate structure for single crystal acoustic resonator device
US11832521B2 (en) 2017-10-16 2023-11-28 Akoustis, Inc. Methods of forming group III-nitride single crystal piezoelectric thin films using ordered deposition and stress neutral template layers
US11476825B2 (en) 2016-03-11 2022-10-18 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11581866B2 (en) 2016-03-11 2023-02-14 Akoustis, Inc. RF acoustic wave resonators integrated with high electron mobility transistors including a shared piezoelectric/buffer layer and methods of forming the same
US11356071B2 (en) 2016-03-11 2022-06-07 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with improved TCF manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US10979024B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US11418169B2 (en) 2016-03-11 2022-08-16 Akoustis, Inc. 5G n41 2.6 GHz band acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979023B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.9 GHz c-V2X and DSRC acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979022B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11177868B2 (en) 2016-03-11 2021-11-16 Akoustis, Inc. Front end module for 6.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11411168B2 (en) 2017-10-16 2022-08-09 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via sputtering
US11424728B2 (en) 2016-03-11 2022-08-23 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11063576B2 (en) 2016-03-11 2021-07-13 Akoustis, Inc. Front end module for 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11683021B2 (en) 2016-03-11 2023-06-20 Akoustis, Inc. 4.5G 3.55-3.7 GHz band bulk acoustic wave resonator RF filter circuit
US11316496B2 (en) 2016-03-11 2022-04-26 Akoustis, Inc. Method and structure for high performance resonance circuit with single crystal piezoelectric capacitor dielectric material
US10581398B2 (en) 2016-03-11 2020-03-03 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
US10985732B2 (en) 2016-03-11 2021-04-20 Akoustis, Inc. 5.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10523180B2 (en) 2016-03-11 2019-12-31 Akoustis, Inc. Method and structure for single crystal acoustic resonator devices using thermal recrystallization
US11184079B2 (en) 2016-03-11 2021-11-23 Akoustis, Inc. Front end module for 5.5 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US11394451B2 (en) 2016-03-11 2022-07-19 Akoustis, Inc. Front end module for 6.1 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10355659B2 (en) 2016-03-11 2019-07-16 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11736177B2 (en) 2016-03-11 2023-08-22 Akoustis Inc. Front end modules for 5.6 GHz and 6.6 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuits
US11677372B2 (en) 2016-03-11 2023-06-13 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator with dielectric protective layer manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US11558023B2 (en) 2016-03-11 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method for fabricating an acoustic resonator device
US11070184B2 (en) 2016-03-11 2021-07-20 Akoustis, Inc. Piezoelectric acoustic resonator manufactured with piezoelectric thin film transfer process
US10979026B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10615773B2 (en) 2017-09-11 2020-04-07 Akoustis, Inc. Wireless communication infrastructure system configured with a single crystal piezo resonator and filter structure
US11451213B2 (en) 2016-03-11 2022-09-20 Akoustis, Inc. 5G n79 Wi-Fi acoustic triplexer circuit
US11411169B2 (en) 2017-10-16 2022-08-09 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US10110189B2 (en) 2016-11-02 2018-10-23 Akoustis, Inc. Structure and method of manufacture for acoustic resonator or filter devices using improved fabrication conditions and perimeter structure modifications
US20210257993A1 (en) 2016-03-11 2021-08-19 Akoustis, Inc. Acoustic wave resonator rf filter circuit device
US10673513B2 (en) 2016-03-11 2020-06-02 Akoustis, Inc. Front end module for 5.2 GHz Wi-Fi acoustic wave resonator RF filter circuit
US10979025B2 (en) 2016-03-11 2021-04-13 Akoustis, Inc. 5G band n79 acoustic wave resonator RF filter circuit
US11689186B2 (en) 2016-03-11 2023-06-27 Akoustis, Inc. 5.5 GHz Wi-Fi 5G coexistence acoustic wave resonator RF filter circuit
US10217930B1 (en) 2016-03-11 2019-02-26 Akoustis, Inc. Method of manufacture for single crystal acoustic resonator devices using micro-vias
US11895920B2 (en) 2016-08-15 2024-02-06 Akoustis, Inc. Methods of forming group III piezoelectric thin films via removal of portions of first sputtered material
US10431580B1 (en) 2017-01-12 2019-10-01 Akoustis, Inc. Monolithic single chip integrated radio frequency front end module configured with single crystal acoustic filter devices
US11856858B2 (en) 2017-10-16 2023-12-26 Akoustis, Inc. Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films
US11557716B2 (en) 2018-02-20 2023-01-17 Akoustis, Inc. Method and structure of single crystal electronic devices with enhanced strain interface regions by impurity introduction
DE112019004304T5 (de) 2018-08-27 2021-05-27 Akoustis, Inc. Akustische volumenwellen-resonator filter-vorrichtungen hoher leistung
US11618968B2 (en) 2020-02-07 2023-04-04 Akoustis, Inc. Apparatus including horizontal flow reactor with a central injector column having separate conduits for low-vapor pressure metalorganic precursors and other precursors for formation of piezoelectric layers on wafers
US11496108B2 (en) 2020-08-17 2022-11-08 Akoustis, Inc. RF BAW resonator filter architecture for 6.5GHz Wi-Fi 6E coexistence and other ultra-wideband applications
US11901880B2 (en) 2021-01-18 2024-02-13 Akoustis, Inc. 5 and 6 GHz Wi-Fi coexistence acoustic wave resonator RF diplexer circuit
CN116398581A (zh) * 2023-03-29 2023-07-07 中国科学院国家空间科学中心 一种用于探空火箭数传发射机的晶振减振装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5283468A (en) * 1988-05-30 1994-02-01 Canon Kabushiki Kaisha Electric circuit apparatus
US5345201A (en) * 1988-06-29 1994-09-06 Raytheon Company Saw device and method of manufacture
US5323051A (en) * 1991-12-16 1994-06-21 Motorola, Inc. Semiconductor wafer level package
JPH07231239A (ja) * 1994-02-16 1995-08-29 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波装置
DE19620940A1 (de) * 1995-11-17 1997-05-22 Werner Prof Dr Buff Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69718693T2 (de) * 1996-03-08 2003-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren
JP2973940B2 (ja) * 1996-09-20 1999-11-08 日本電気株式会社 素子の樹脂封止構造
JPH11127055A (ja) * 1997-10-23 1999-05-11 Murata Mfg Co Ltd 複合電子部品
JPH11219984A (ja) * 1997-11-06 1999-08-10 Sharp Corp 半導体装置パッケージおよびその製造方法ならびにそのための回路基板
US5969461A (en) * 1998-04-08 1999-10-19 Cts Corporation Surface acoustic wave device package and method
JP3832102B2 (ja) * 1998-08-10 2006-10-11 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
US6376915B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-23 Rohm Co., Ltd Semiconductor device and semiconductor chip
US6448635B1 (en) * 1999-08-30 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Surface acoustical wave flip chip
JP3880278B2 (ja) * 2000-03-10 2007-02-14 オリンパス株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
KR100387395B1 (ko) 2000-11-04 2003-06-18 에쓰에쓰아이 주식회사 에어캐비티를 갖는 플라스틱 패캐지 및 그 제조방법
JP3683179B2 (ja) * 2000-12-26 2005-08-17 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7518223B2 (en) * 2001-08-24 2009-04-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices and semiconductor device assemblies including a nonconfluent spacer layer
JP2003249840A (ja) * 2001-12-18 2003-09-05 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
DE10206919A1 (de) 2002-02-19 2003-08-28 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Erzeugung einer Abdeckung, Verfahren zum Herstellen eines gehäusten Bauelements
JP4179038B2 (ja) * 2002-06-03 2008-11-12 株式会社村田製作所 表面弾性波装置
US7141782B2 (en) * 2004-05-24 2006-11-28 Exquisite Optical Technology, Ltd. Image sensor with protective package structure for sensing area

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111326482A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 中芯集成电路（宁波）有限公司 表面声波器件的封装结构及其晶圆级封装方法
CN110690868A (zh) * 2019-09-27 2020-01-14 无锡市好达电子有限公司 一种滤波器的新型晶圆级封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100380616C (zh) 2008-04-09
US20040201090A1 (en) 2004-10-14
DE10310617A1 (de) 2004-09-30
DE10310617B4 (de) 2006-09-21
US7268436B2 (en) 2007-09-11

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