CN1483665A - 一种硒化锌（ZnSe）粉末材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种硒化锌(ZnSe)粉末材料的制备方法，按(1－1.35)∶1的比例将单质硒粉(Se)和单质锌粉(Zn)混合，搅拌均匀，放入坩埚，并置于真空室中，坩埚为间接加热。将坩埚加热至300℃－380℃可获得硒化锌(ZnSe)的初级反应生成物，将初级硒化锌(ZnSe)的反应生成物研磨，再次置于真空中加热退火，退火温度在550℃－700℃，时间为90分钟即可获得高纯度的硒化锌(ZnSe)粉末材料，该材料是一种具有国防应用价值的重要的光电材料。

Description

一种硒化锌(ZnSe)粉末材料的制备方法
一、所属技术领域
本发明属于光电材料领域，涉及一种粉末材料，特别涉及一种硒化锌(ZnSe)粉末材料的制备方法，该方法所制备的硒化锌(ZnSe)粉末材料，适用于为制备硒化锌(ZnSe)薄膜，硒化锌(ZnSe)单晶体材料提供高纯度的硒化锌原料。
二、背景技术
硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体光电材料，在光致发光和电致发光器件、太阳能电池、激光技术、红外探测器、热成像技术等领域都有着重要的用途。目前，硒化锌(ZnSe)制备技术主要有化学浴沉积法、化学气相沉积法、电化学沉积法、分子束外延法、金属有机化学气相沉积法、光化学沉积法等。
三、发明内容
本发明的目的在于，提供一种物理方法制备硒化锌(ZnSe)粉末材料，本发明所需的设备简单，操作简单，制备的材料纯度高，结晶结构形式单一。
实现上述发明目的的技术解决方案是：硒化锌(ZnSe)粉末材料的制备首先按(1-1.35)∶1的比例将单质硒粉(Se)和单质锌粉(Zn)混合，搅拌均匀，放入坩埚中，坩埚置于真空***的真空室中，坩埚为间接加热，当坩埚加热至300℃-380℃时，硒和锌发生化合反应，形成硒化锌(ZnSe)的初级反应生成物，将硒化锌(ZnSe)的初级反应生成物研磨，再次置于真空中加热退火，退火温度控制在550℃-700℃，时间为90分钟即可获得高纯度的硒化锌(ZnSe)粉末材料。
本发明是一种硒化锌(ZnSe)粉末材料的制备方法，依据下列步骤进行：
1)(1-1.35)∶1的比例将单质硒粉(Se)和单质锌粉(Zn)混合，搅拌均匀。
2)搅拌均匀的混合物放入坩埚中，坩埚用钨丝间接加热，并置于真空***的真空室中。
3)真空抽至10-1至10-2Pa时，加热坩埚。当加热温度达到300℃-380℃时，混合物进行化合反应，生成初级反应物。
4)初级反应物研磨后置于坩埚中，在真空条件下加热退火，退火温度为550℃-700℃，经过90分钟退火，可获得纯度较高的硒化锌(ZnSe)粉末材料。
四、具体实施方式
以下结合发明人依照本发明的技术方案给出的实施例作进一步的详细说明。
实施例1：
(一)按(1-1.35)∶1的摩尔比将单质硒粉(Se)和单质锌粉(Zn)混合，搅拌均匀，将搅拌均匀的硒和锌粉混合物放入坩埚中，坩埚是用耐高温陶瓷做成的，并用钨丝间接加热，置于真空***的真空室中。
(二)将真空***的真空室的真空抽至10-1至10-2Pa时，加热坩埚。当加热温度达到300℃-380℃时，混合物开始进行化合反应，生成硒化锌(ZnSe)的初级反应生成物。
(三)将硒化锌(ZnSe)初级反应生成物从真空室中取出并进行研磨，经研磨后，再次放置于坩埚中，在真空条件下加热退火。
(四)节退火温度为550℃-700℃，进行90分钟加热退火。
(五)缓慢降低退火温度，达到室温时，将反应物取出，即可获得纯度较高的硒化锌(ZnSe)粉末材料。
实施例2：
1)按(1-1.35)∶1的摩尔比将单质硒粉(Se)和单质锌粉(Zn)混合，搅拌均匀，将搅拌均匀的硒和锌粉混合物放入坩埚中，坩埚是用耐高温陶瓷做成的，并用钨丝间接加热，置于真空***的真空室中。
2)真空***的真空室的真空抽至10-1至10-2Pa时，加热坩埚。当加热温度达到300℃-380℃时，混合物开始进行化合反应，生成硒化锌(ZnSe)的初级反应生成物。
3)硒化锌(ZnSe)初级反应生成物从真空室中取出并进行研磨，经研磨后，再次放置于坩埚中，在真空条件下加热退火。
4)节退火温度为550℃-700℃，进行90分钟加热退火。
5)慢降低退火温度，达到室温时，将反应物取出，即可获得纯度较高的硒化锌(ZnSe)粉末材料。

Claims (1)

1.一种硒化锌(ZnSe)粉末的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)取单质硒粉(Se)和单质锌粉(Zn)按摩尔比(1-1.35)∶1的比例混合，搅拌均匀；
2)将搅拌均匀单质硒粉(Se)和单质锌粉(Zn)的混合物置于坩埚中，置于真空***的真空室中并抽真空；
3)当真空抽至10-1至10-2Pa时，加热坩埚，当加热温度达到300℃-380℃时，混合物进行化合反应，生成初级反应物；
4)将初级反应物研磨后置于坩埚中，在真空条件下加热退火，退火温度为550℃-700℃，时间为90min，即可获得纯度较高的硒化锌(ZnSe)粉末材料。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100369817C (zh) * 2006-02-16 2008-02-20 西安交通大学 利用管式气氛炉快速升温制备硒化锌纳米晶薄膜的方法
CN101025416B (zh) * 2007-01-04 2011-11-23 山东师范大学 发光硒化锌纳米棒的合成方法及发光硒化锌纳米棒的用途
CN101665245B (zh) * 2008-09-01 2012-02-01 西北工业大学 一种用于单晶生长的硒化锌多晶材料的制备方法
CN102586949A (zh) * 2012-02-24 2012-07-18 长春理工大学 一种硒化锌纳米带的制备方法
CN102586950A (zh) * 2012-02-24 2012-07-18 长春理工大学 一种制备硒化锌纳米纤维的方法
CN102602898A (zh) * 2012-02-24 2012-07-25 长春理工大学 一种制备单分散硒化锌粒子的方法
CN106365130A (zh) * 2016-09-13 2017-02-01 中国科学院理化技术研究所 一种快速制备ZnSe粉末的方法
CN106477536B (zh) * 2016-10-17 2018-10-16 西北工业大学 一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法
CN109943884A (zh) * 2019-03-28 2019-06-28 北京中材人工晶体研究院有限公司 一种硒化锌原料高温提纯方法
CN110255508A (zh) * 2019-06-26 2019-09-20 南京睿扬光电技术有限公司 一种高性能的硒化锌混合膜料及其制备工艺
CN114000108A (zh) * 2021-10-30 2022-02-01 平顶山学院 在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100369817C (zh) * 2006-02-16 2008-02-20 西安交通大学 利用管式气氛炉快速升温制备硒化锌纳米晶薄膜的方法
CN101025416B (zh) * 2007-01-04 2011-11-23 山东师范大学 发光硒化锌纳米棒的合成方法及发光硒化锌纳米棒的用途
CN101665245B (zh) * 2008-09-01 2012-02-01 西北工业大学 一种用于单晶生长的硒化锌多晶材料的制备方法
CN102586950B (zh) * 2012-02-24 2013-10-23 长春理工大学 一种制备硒化锌纳米纤维的方法
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CN102586949B (zh) * 2012-02-24 2013-10-23 长春理工大学 一种硒化锌纳米带的制备方法
CN102602898B (zh) * 2012-02-24 2013-10-23 长春理工大学 一种制备单分散硒化锌粒子的方法
CN102586949A (zh) * 2012-02-24 2012-07-18 长春理工大学 一种硒化锌纳米带的制备方法
CN106365130A (zh) * 2016-09-13 2017-02-01 中国科学院理化技术研究所 一种快速制备ZnSe粉末的方法
CN106477536B (zh) * 2016-10-17 2018-10-16 西北工业大学 一种超高纯度硒化镉多晶材料的制备方法
CN109943884A (zh) * 2019-03-28 2019-06-28 北京中材人工晶体研究院有限公司 一种硒化锌原料高温提纯方法
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CN110255508B (zh) * 2019-06-26 2023-06-30 南京睿扬光电技术有限公司 一种高性能的硒化锌混合膜料及其制备工艺
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CN114000108B (zh) * 2021-10-30 2023-10-17 平顶山学院 在ZnSe/Si异质结界面嵌入CdSe调控层的制备方法

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