CN1450839A - 电致发光显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是在有机EL显示装置中，可在通过激光束的照射而进行编号的工序中，避免产生划线粉所导致的元件不合格。在装置基板(210)密封后才进行通过激光束(300)的照射而进行编号的工序。由于通过照射激光束，由铬层所形成的编号区域(213)飞散的划线粉(301)，被密封树脂(220)以及密封基板(230)阻挡，所以不至于附着在装置基板(210)上的有机EL元件(211)上。
Description
技术领域
本发明涉及电致发光显示装置的制造方法，特别涉及具有通过激光照射，将文字或记号等刻设于上述装置基板上的工序的电致发光显示装置的制造方法。
背景技术
近年来，使用电致发光(Electro Luminescence：以下，称为“EL”)元件的EL显示装置，逐渐被视为一种取代CRT或LCD的显示装置而受到各方瞩目。
以下针对有机EL显示装置的显示像素的构成例进行说明。
图6表示有机EL显示装置的显示像素附近的平面图，图7(a)表示沿图6中的A-A线的剖面图，图7(b)表示沿图6中的B-B线的剖面图。
如图6以及图7所示，显示像素115形成于由栅极信号线51与漏极信号线52所围住的区域，这些显示像素115由若干个配置成矩阵状。
该显示像素115中，配置有：作为自发光元件的有机EL元件60；用于控制供给到该有机EL元件60的电流的时序的开关用TFT(ThinFilm Transistor)30；将电流供给到有机EL元件60的驱动用TFT 40；以及保持电容。此外，有机EL元件60，是由：作为第一电极的阳极61、由发光材料所形成的发光元件层、和作为第二电极的阴极63所形成。
即，在两信号线51、52的交点附近具有用作开关用TFT的第一TFT 30，该TFT 30的源极33s是兼用作与保持电容电极线54之间形成电容的电容电极55，并与用作EL元件驱动用TFT的第二TFT 40的栅极电极41相连，第二TFT 40的源极43s与有机EL元件60的阳极61相连，而另一端的漏极43d则与作为有机EL元件60的电流供给源的驱动电源线53相连。
此外，保持电容电极线54与栅极信号线51平行配置。该保持电容电极线54由铬等形成，并通过栅极绝缘膜12在与TFT的源极33s相连的电容电极55之间蓄积电荷形成电容。该保持电容56是为了保持施加于第二TFT 40的栅极电极41的电压而设。
如图7所示，有机EL显示装置，是在由玻璃或合成树脂等所形成的基板、或具有导电性的基板、或半导体基板等的基板10上依序层积TFT及有机EL元件而成。但是，当使用具有导电性的基板以及半导体基板作为基板10时，是先在这些基板10上形成SiO2或SiNx等的绝缘膜，再在这上面形成第一、第二TFT和有机EL元件。不论第一或第二TFT，均形成顶部栅极的构造，即栅极电极是隔着栅极绝缘膜而位于有源层的上方。
首先，对作为开关用TFT的第一TFT 30进行说明。
如图7(a)所示，用CVD法等，使非晶硅膜(以下，称为“a-Si膜”)成膜于由石英玻璃、无碱玻璃等所形成的绝缘性基板10上，用激光照射该a-Si膜，使之熔融再结晶，形成多晶硅膜(以下，称为“p-Si膜”)，以此作为有源层33。在该有源层33上，形成SiO2膜或SiNx膜的单层膜或层积体作为栅极绝缘膜12。然后在其上方配置具有兼作为由Cr(铬)、Mo(钼)等高熔点金属所形成的栅极电极31的栅极信号线51和由A1所形成的漏极信号线52的，作为有机EL元件的驱动电源的由Al(铝)金属所形成的驱动电源线53。
然后，在栅极绝缘膜12和有源层33上的所有面上，具有依照SiO2膜、SiNx膜以及SiO2膜的顺序层积形成的层间绝缘膜15，并设有在对应于漏极33d而设的接触孔中填充A1等金属的漏极电极36，还在所有面上形成由有机树脂制成的使表面平坦的平坦化绝缘膜17。
接着，说明作为有机EL元件的驱动用TFT的第二TFT 40。如图7(b)所示，在石英玻璃、无碱玻璃等所形成的绝缘性基板10上依序形成：通过激光照射a-Si膜使之多结晶化而形成的有源层43；栅极绝缘膜12；以及由Cr、Mo等高熔点金属所形成的栅极电极41，在该有源层43处，设有沟道43c，与位于该沟道43c的两侧的源极43s和漏极43d。
然后，在栅极绝缘膜12和有源层43上的所有面上，形成依照SiO2膜、SiNx膜以及SiO2膜的顺序层积的层间绝缘膜15，并配置了在对应于漏极43d而设的接触孔中填充有A1等金属而与驱动电源连接的驱动电源线53。还具有在所有面上由例如有机树脂等制成的使表面平坦的平坦化绝缘膜17。
接着，在与该平坦化绝缘膜17的与源极43s对应的位置上形成接触孔，并将通过该接触孔与源极43s接触的由ITO形成的透明电极、即有机EL元件的阳极61设置于平坦化绝缘膜17上。使各像素呈岛状分离形成该阳极61。
有机EL元件60，其构造是依照：由氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明电极所形成的阳极61，由MTDATA(4，4-二(3-甲基苯基苯基氨基)联苯(4，4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)所形成的第一空穴输送层；由TPD(4，4，4-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)(4，4，4-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)所形成的第二空穴输送层所形成的空穴输送层62；由包含喹吖(二)酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯并[h]喹啉酚-铍络合物)形成的发光层63；以及由Bebq2所形成的电子输送层64、由镁·铟合金或铝、或铝合金所形成的阴极65的顺序层积而成。
有机EL元件60，是在发光层内部使从阳极61注入的空穴与从阴极65注入的电子再结合，以激起形成发光层的有机分子而产生激发子。在该激发子放射钝化的过程中从发光层发出光，该光则由透明的阳极61透过透明绝缘基板放射至外部而发光。
具有上述构成的有机EL显示装置，如图8所示，是在称为母玻璃的玻璃基板200上，由若干个有机EL装置201以一定的间隔形成矩阵状。根据图8的例子，形成4×4个有机EL装置201。然后形成是与各个有机EL装置201邻接的，用于刻设表示该有机EL装置201的制造号码、批量号码等制造信息的文字或记号等的编号区域202。
图9是在编号区域202中刻设文字或记号等的方法的示意图，并与图8的A-A线的剖面图相对应。在玻璃基板200上，隔着绝缘膜120形成由铬层构成的编号区域202。
这些绝缘膜120以及编号区域202，是利用上述有机EL装置201的制造工序的一部份形成的。例如，绝缘膜120是在构成TFT 30，40的栅极绝缘膜12工序的同一工序中形成，而编号区域202则是在构成TFT 30、40的栅极31，41的工序的同一工序中形成。
然后，通过将激光束300照射在该编号区域202上并在编号区域202的表面划线，以刻设文字或记号等。
经过此后的工序，在玻璃基板200上完成有机EL装置201。然后，玻璃基板200通过使用密封树脂与未图示的密封基板贴合而密封。再将贴合的玻璃基板200、密封基板切断，分割为各个有机EL面板。
发明内容
但是，在将激光束300照射在编号区域202上进行刻设文字或记号等的工序中，由于激光束的照射会导致飞散的划线粉附着于玻璃基板200上的TFT或有机EL元件等的元件形成区域，所以成为TFT等元件不合格的原因。
本发明就是鉴于上述现有技术的问题而完成的发明，其特征为，具有：在装置基板上形成有机EL装置的工序；使用密封树脂在上述装置基板与密封基板的外周部将两者贴合的工序；以及通过激光束的照射，将文字或记号等刻设于上述密封树脂的外侧的上述装置基板表面的预定层区域的工序。
根据本发明，由于是在装置基板密封后才进行通过激光束的照射而进行的编号工序，如此一来，便不会发生因激光束的照射而飞散的划线粉，附着于装置基板上的TFT或有机EL元件等元件形成区域的情况。这样，可避免因划线粉导致元件不合格的情形产生。
附图说明
图1表示本发明的实施方式的密封后的装置基板的状态的剖面图。
图2表示本发明的实施方式的由母玻璃基板分割出来的一个有机EL面板的平面图。
图3是图2的B-B线剖面图。
图4是图3的虚线部分的放大图。
图5表示另一种编号方法的剖面图。
图6表示有机EL显示装置的显示像素附近的平面图。
图7(a)～(b)是有机EL显示装置的剖面图。
图8是形成于母玻璃上的有机EL装置的配置的平面图。
图9是图8的A-A线剖面图。
符号说明
210装置基板；211有机EL装置；212外部连接用电极；213编号区域214绝缘膜；220密封树脂；230密封基板；300激光束；301划线粉
具体实施方式
接着，参照附图详细说明有本发明实施方式的电致发光显示装置的制造方法。图1表示经过密封的装置基板的状态的剖面图。
图中，210是具有若干个装置基板的母玻璃基板，在其表面上以预定的间隔形成具备有机EL装置211的有机EL面板。母玻璃基板(装置基板)210，其平面是与图8所示构成一样，在各显示像素中都具有机EL元件。有机EL装置211的构成，与图6以及图7所示构成相同。
该装置基板210是利用密封树脂220而与密封基板230贴合。密封树脂220是由例如环氧树脂等所形成，并以区分有机EL装置211的方式涂布。
然后，如上所述，将经过密封的装置基板210切断，分割为各个有机EL面板。图2是表示一个这种有机EL面板的平面图。此外，图3是图2的B-B线的剖面图。
装置基板210与密封基板230，是使用密封树脂220在外周部相贴合，在其内侧，形成有机EL装置211。然后，在密封后，将密封基板230的一端部分切断，露出装置基板210的周边部。
这样，在所露出的装置基板210的周边部，形成编号区域213，以刻设用于表示有机EL装置211的制造号码、批量号码等制造信息的文字或记号等。此外，在所露出的装置基板210的周边部，取出源自内部有机EL装置211的配线，形成若干个外部连接用电极212。该外部连接用电极212，与未图示的FPC(Flexible Printed Circuit)相连。
下面，参照图4说明编号工序。图4为图3中以虚线所围住的区域的放大图。在装置基板210表面，形成由SiNx、SiO2的层积膜所构成的绝缘膜214，而在该绝缘膜214上，则形成了由铬层所构成的编号区域213。
绝缘膜214，例如是在形成有机EL装置211的TFT的栅极绝缘膜的工序的同一工序中形成，编号区域213是在形成TFT的栅极的工序的同一工序中形成。
然后，通过向该编号区域213上照射激光束300而在编号区域213表面划线，以刻设文字或记号等。例如刻设代表制造号码的P1X048-06等记号。可任意选择刻设的文字或记号等。
尽管该激光束的照射，会造成划线粉301(铬粉等)飞散，但是因为有机EL装置211已经密封处理，且划线粉可通过密封树脂及与有机EL装置211相对的密封基板230加以阻隔，因此可避免发生因划线粉附着于有机EL装置211部份上而造成元件不合格的问题。
图5是另一种编号工序的说明图。根据上述实施例，是采用当密封基板230的一端部分地被切断、而露出装置基板210的周边部的状态下，进行激光束的照射，但并不限定于这种方式，也可如图5所示，在密封基板230的一端未进行部分切断的状态下，即，在密封基板230延伸至与编号区域213形成相对的情况下，同样可通过激光束，刻设文字或记号等。
在这种情况下，激光束300通过密封基板230而照射在编号区域213，如果密封基板230为玻璃材料时，就没什么特别的问题。此外，因激光束的照射而飞散的划线粉，同样可通过与密封树脂220和有机EL装置211相对的密封基板230加以阻隔，故可避免发生元件不合格的问题。
此外，在上述的各实施方式中，表示的是将TFT的栅极绝缘膜设置于编号区域213的下层的情形，但不限于这种方式，并非一定要将栅极绝缘膜设置于编号区域213的下层。
根据本发明，由于是在装置基板密封后才通过激光束的照射进行编号工序，因此，因激光束的照射而飞散的划线粉，可由密封树脂以及密封基板加以阻隔，而不致附着于装置基板上的TFT上或有机EL元件等元件形成区域。这样，就可避免因划线粉而导致的元件不合格的问题的产生。
Claims (6)
1.一种电致发光显示装置的制造方法，其特征为：具有
在装置基板上形成有机EL装置的工序；
用密封树脂在所述装置基板与密封基板的外周部将两者贴合的工序；
以及通过激光束的照射，将文字或记号等刻设于所述密封树脂的外侧的所述装置基板表面的预定层区域的工序。
2.如权利要求1所述的电致发光显示装置的制造方法，其特征是：所述预定层区域，是在构成所述有机EL装置的TFT的栅极的形成工序的同一工序中形成。
3.如权利要求2所述的电致发光显示装置的制造方法，其特征是：所述预定层区域，由铬层区域或钼层区域构成。
4.一种电致发光显示装置的制造方法，其特征为：具有
在装置基板上形成有机EL装置的工序；
用密封树脂在所述装置基板与密封基板的外周部将两者贴合的工序；
将位于所述密封树脂外侧的密封基板部分去除，以露出所述装置基板的周边部的工序；
以及通过激光束的照射，将文字或记号等刻设于所述装置基板的周边部的预定层区域的工序。
5.如权利要求4所述的电致发光显示装置的制造方法，其特征是：所述预定层区域，是在构成所述有机EL装置的TFT的栅极的形成工序的同一工序中形成。
6.如权利要求4所述的电致发光显示装置的制造方法，其特征是：所述预定层区域由铬层区域或钼层区域所构成。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104037356A (zh) * | 2013-03-05 | 2014-09-10 | 株式会社理光 | 有机电致发光装置和制造方法以及有机电致光源装置 |
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