CN1440578A - Iii族氮化物半导体发光器件 - Google Patents

Iii族氮化物半导体发光器件 Download PDF

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Abstract

在III族氮化物半导体发光器件中使用了发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。通过控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度和作为阻挡层的AlGaN层的厚度，以优化这些因素，提高该发光器件的输出功率。

Description

III族氮化物半导体发光器件
发明领域
本发明涉及III族氮化物半导体发光器件。更具体地说，本发明涉及能够发射较短波长光线的III族氮化物半导体发光器件。
发明背景
大家都知道III族氮化物半导体发光器件是能够发射从蓝色至绿色光线的发光二极管。这样的III族氮化物半导体发光器件还可用作发射波长小于可见光波长的光线(近紫外至紫外)的发光二极管。
能够发射短波长光线的III族氮化物半导体发光器件是公知的，但是近来要求这样的发光器件具有更高的发光效率和输出功率。
发明内容
本发明的发明人经过认真研究，对能够发射短波长光线的III族氮化物半导体发光器件进行了改进。最终设计出下述发光器件。换句话说，得到的III族氮化物半导体发光器件能够发射波长为360nm-550nm的光线，该发光器件包括发光层，该发光层有一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。
这样设计的III族氮化物半导体发光器件与传统产品相比能够以更高的输出功率发射短波长的光线(上述装置中波长为360nm-550nm的光线)。
另外，在上述装置中，控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度，控制作为阻挡层的AlGaN层的厚度，控制阱层及与之相邻的阻挡层的总厚度，优化这些因素。用这种方法可以提高III族氮化物半导体发光器件的输出功率。
另外，优化作为发光层底涂层的夹层，从这个观点出发也是为了提高III族氮化物半导体发光器件的输出功率。
附图简述
图1示出作为阱层的InGaN层的厚度与发光器件的光强度(lightintensity)之间的关系。
图2示出InGaN层的生长速率与发光器件的光强度之间的关系。
图3示出InGaN层的生长温度与发光器件的光强度之间的关系。
图4示出作为阻挡层的AlGaN层的厚度与发光器件的光强度之间的关系。
图5示出第一个AlGaN层的生长温度与发光器件的光强度之间的关系。
图6示出第一个AlGaN层的杂质浓度与发光器件的光强度之间的关系。
图7示出根据本发明的一个实施方案的III族氮化物半导体发光器件的叠层结构。
图8示出根据本发明的一个实施方案的发光二极管的结构。
图9示出InGaN阱层和AlGaN阻挡层的单元对厚度与发光器件的PL光强度之间的关系。
在这些附图中，参考数字1表示发光二极管，参考数字13表示n型接触层，参考数字14表示夹层，参考数字15表示发光层，参考数字15a表示包覆层，参考数字15b表示阱层，参考数字15c表示阻挡层，参考数字16表示p型包覆层，参考数字18表示p型接触层。本发明的最佳实施方案
下面详述本发明。
在本发明的一个方面中，用于提高发光输出功率目的的波长范围是360-550nm。在本发明中，用于提高发光输出功率目的的波长范围优选是360-520nm，更优选360-490nm，甚至更优选360-460nm，最优选360-430nm。
在本发明的说明书中，III族氮化物半导体发光器件用通式AlXGaYIn1-X-YN(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)表示，并且包括AlN，即所谓的GaN和InN二元***与所谓的AlXGa1-XN、AlXIn1-XN和GaXIn1-XN(如上所述0＜X＜1)三元***。一些III族元素可以用硼(B)、铊(Tl)等替换。一些氮(N)原子可以用磷(P)、砷(As)、锑(Sb)、铋(Bi)等取代。III族氮化物半导体层可含有任意掺杂剂。作为n型杂质，可以使用Si、Ge、Se、Te、C等，作为p型杂质，可以使用Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等。然后用电子射线或等离子体照射已经掺有p型杂质的III族氮化物半导体，或者在炉子内加热已经掺有p型杂质的III族氮化物半导体。形成III族氮化物半导体层的方法没有具体限制，但是除了金属有机化学气相沉积法(MOCVD法)外，还可以用下述公知方法形成III族氮化物半导体层：分子束外延法(MBE法)、氢化物气相外延法(HVPE法)、溅射法、离子电镀法、电子喷淋法等。
在本发明中，用特定的III族氮化物半导体形成特定层。
本发明的发光层包括由InGaN层形成的阱层和由AlGaN层形成的阻挡层。本发明的发光层具有叠层结构，其具有***位于其两侧的AlGaN层之间的InGaN层。
另一方面，在发光层有一个或多个单元对，每一个单元对都包括AlGaN层和InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最终层，即最外层。换句话说，AlGaN层处于发光层的p型接触层一侧上。另一方面，发光层的n型接触层侧是由AlGaN层或InGaN层形成的。单元对的数目优选是1-10，更优选2-8，甚至更优选3-7，进一步优选3-6，最优选3-5。
发光层发射光线的波长主要取决于InGaN层中In和Ga的组成比。
为了发射短波长光线，组成比优选是4-20％，更优选4-15％，甚至更优选4-10％，最优选4-8％。
图1示出作为阱层的InGaN层的厚度与发光器件在20mA时的光强度之间的关系。(除非特别指出，发光器件的光强度在后面都表示在施加20mA的情况下测定的发光器件的光强度)。当构成实施例(参看图7和8)中所示的发光器件1中的发光层的三个InGaN层厚度如横坐标所示进行变化时，得到图1所示的结果。
从图1的结果可以看出：InGaN层的厚度优选是35-50(3.5-5.0nm)，更优选37-48(3.7-4.8nm)，甚至更优选40-45(4.0-4.5nm)。
图2示出InGaN层的生长速率与发光器件的发光强度之间的关系。
当构成实施例中所示的发光器件中的发光层的InGaN层的生长速率如横坐标所示进行变化时，得到图2所示的结果。
从图2的结果可以看出：InGaN层的生长速率优选是0.2-0.7/s(0.02-0.07nm/s)，更优选0.25-0.6/s(0.025-0.06nm/s)，甚至更优选0.35-0.5/s(0.035-0.05nm/s)。
为了得到图2的结果，通过改变材料气体(TMG、TMI、氨气)的流速控制InGaN层的生长速率。
图3示出InGaN层的生长温度与发光器件的发光强度之间的关系。
当构成实施例中所示的发光器件中的发光层的InGaN层的生长温度如横坐标所示进行变化时，得到图3所示的结果。
从图3的结果可以看出：InGaN层的生长温度优选是850℃或更低，更优选840℃或更低。只要InGaN层能够生长，则对InGaN层生长温度的下限没有特别限定。
图4示出作为阻挡层的AlGaN层的厚度与发光器件的发光强度之间的关系。当构成实施例中所示的发光器件中的发光层的四个AlGaN层厚度如横坐标所示进行变化时，得到图4所示的结果。
从图4的结果可以看出：AlGaN层的厚度优选是50(5.0nm)或更高，更优选60(6.0nm)或更高，甚至更优选70(7.0nm)或更高。AlGaN层厚度的上限没有特别限定，但从生产步骤等方面考虑，上限优选为100-500(10-50nm)。
最接近p型接触层的AlGaN层是帽层，因此优选比其它AlGaN层厚10-30％。
图9示出作为阱层的InGaN层和与之相邻的作为阻挡层的AlGaN层的单元对的厚度与发光器件的光致发光(PL)的光强度之间的关系。图9的结果说明：当根据图7所示实施方案的叠层(低温下形成的缓冲层)受到He-Cd激光束照射时会形成PL光谱。在图9中，实线所示的样品A表示一个单元对的厚度为16nm(160)的情况，虚线所示的样品B表示一个单元对的厚度为8nm(80)的情况。从图9的结果可以看出：样品B显示由发光层发射的具有一定波长(385nm或更长)的光很弱，而样品A显示发射的该波长的光很强。在370nm附近发射的光是由于该元件的GaN层造成的。
从图9的结果可以看出：一个单元对的厚度优选为10nm或更高，更优选10-100nm，甚至更优选10-50nm，进一步优选10-20nm。
阱层和阻挡层的厚度都没有特别限定，但是，图7的结果是在使阱层厚度与阻挡层厚度之比保持为约3∶7的条件下得到的。
可以认为发光强度随阱层和阻挡层厚度的增加而增加的原因如下。换句话说，因为阻挡层的厚度增加，所以能够防止载流子泄漏，还能够防止p层侧的Mg扩散。另外，当阱层厚度增加到一定程度时，载流子就受到充分地限制。当这些层的总厚度增加时，发光层的结晶度提高。
本发明的另一方面集中在作为发光层底涂层且由AlGaN形成的夹层上。
图5示出AlGaN夹层的生长温度与发光器件的发光强度之间的关系。
当作为发光层底涂层的AlGaN夹层(第一个夹层)的生长温度如横坐标所示进行变化时，得到图5所示的结果。
从图5的结果可以看出：AlGaN夹层的生长温度优选是865-905℃，更优选870-900℃，甚至更优选880-890℃。
图6示出AlGaN夹层的杂质浓度与发光器件的发光强度之间的关系。
当作为实施例中所示的发光器件中的发光层底涂层的AlGaN夹层的杂质浓度如横坐标所示进行变化时，得到图6所示的结果。
从图6的结果可以看出：AlGaN夹层的杂质浓度优选为2×1016/cm3或更高，更优选1×1017/cm3。杂质浓度的上限没有特别限定，但优选为1×1019/cm3或更低。
在图6的实施例中，用Si作为杂质掺杂AlGaN夹层。
AlGaN夹层的厚度没有特别限定，但优选为100-300nm。
下面描述本发明的实施例。
图7示出本发明的一个实施方案的发光二极管1的半导体叠层结构。
对各个层说明如下。层：             组成：                    掺杂剂     (厚度)p型接触层17：    p-Al0.02Ga0.98N：        Mg         (75nm)p型包覆层16：    p-Al0.10-0.45Ga0.90-0.55N： Mg         (小于70nm)发光层15：       多量子阱包覆层15a：      Al0.04-0.10Ga0.96-0.90N                (5-10.5nm)阱层15b：        In0.06-0.07Ga0.94-0.93N                (3.5-5nm)阻挡层15c：      Al0.04-0.10Ga0.96-0.90N                (5-10.5nm)夹层14：         n-Al0.04-0.06Ga0.96-0.94N： Si         (100-300nm)n型接触层13      n-GaN：                  Si         (4μm)缓冲层12：       AlN                                 (20nm)基板11：         蓝宝石(a平面)                       (350μm)
载流子的浓度如下。
p型接触层17中的载流子浓度为1×1017/cm3或更高。
p型包覆层16中的载流子浓度为0.5-2.0×1017/cm3。
夹层14中的载流子浓度为2.0×1018/cm3或更高。
n型接触层13中的载流子浓度为1.0×1018/cm3或更高。用于n型接触层13、p型包覆层16和p型接触层17的基板温度(生长温度)为1000℃或更高。作为缓冲层，可以使用所谓的低温缓冲层，但是在本发明的实施例中使用的是高温缓冲层(参见日本特许公开专利JP2001-15443A)。
上述发光二极管1的基板11是用蓝宝石制成的，但本发明并不限于此。基板材料的例子包括尖晶石(MgAl2O4)、SiC(包括6H、4H、3C)、氧化锌(ZnO)、硫化锌(ZnS)、氧化镁、III族氮化物半导体单晶体(GaAs、GaP等)和硅(Si)。
用下述方法生产具有上述结构的发光二极管。
首先，将所述的蓝宝石基板11在通过MOCVD装置的反应器的氢气物流中加热到1130℃，以清洗其表面(a平面)。
然后将TMA和NH3加入处于基板温度下的反应器，用MOCVD法使由AlN形成的缓冲层12生长。
然后使基板温度保持1130℃，以此形成n型接触层13。然后用普通的方法(MOCVD法)形成III族氮化物半导体层14-17。
在MOCVD法中，将氨气和烷基化III族化合物如三甲基镓(TMG)、三甲基铝(TMA)和三甲基铟(TMI)的气体应用于已加热至合适温度的基板上，以进行热解反应，从而使所需要的晶体在基板上生长。作为杂质，可以使用硅烷或乙硅烷，以将硅加入基板。作为杂质，可以使用(RC5H4)2Mg，以将镁(Mg)加入基板。
如上所述，能够使第一个夹层14生长的基板温度优选为865-905℃(参见图5)，在该实施例中该温度为885℃。
如图3所示，能够使发光层15中的InGaN层15b生长的基板温度优选为850℃或更低，在该实施例中该温度为840℃。
只要含铟(In)的阱层不消失，则对发光层15中的AlGaN层15a的生长温度没有特别限定，但是该实施例中的基板温度是885℃。
使p型包覆层16和p型接触层的基板温度保持为1000℃。
然后以Ti/Ni为掩模通过离子蚀刻法除去一部分半导体层，以曝光n型接触层13，在其上形成n电极极板21(参见图8)。
然后将光致抗蚀剂均匀地施加在半导体表面上。然后光刻该半导体，从p型接触层17中除去形成电极的区域中的光致抗蚀剂，使p型接触层17在该区域曝光。用真空镀金属机在曝光的p型接触层17上形成Au-Co发光电极层19。
然后用类似的方法真空沉积p电极极板20和n电极极板21。
具有如此结构的发光二极管能够发射波长为382nm的光。工业实用性
本发明决不限于上述本发明的实施方案和对实施例的描述。在不背离权利要求书的条件下，只要本领域普通技术人员易于预见，则各种变化都包括在本发明中。
下面列举出本申请公开的内容。
第一、本申请公开了一种包括发光层的III族氮化物半导体发光器件，发光层有一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm。另外，AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。另外，InGaN层可以以0.02-0.07nm/s的生长速率形成。另外，InGaN层可以以850℃或更低的生长温度形成。InGaN层的厚度、AlGaN层的厚度、InGaN层的生长速率和InGaN层的生长速度可以任意组合。另外，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。另外，该发光器件可以包括生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。
第二、本申请公开了一种包括发光层的III族氮化物半导体发光器件的生产方法，其中，发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。所述的方法任意采用下述步骤：(i)以0.02-0.07nm/s的生长速率形成InGaN层的步骤，(ii)以850℃或更低的生长温度形成InGaN层的步骤，和(iii)在形成夹层前以865-905℃的生长温度形成由AlGaN制成的夹层的步骤。这些步骤(i)-(iii)可以任意组合应用。在上述任一步骤中，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。
另外，形成的发光层以发射波长为360-550nm或360-430nm的光。
另外，上述InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm，上述AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。
在步骤(iii)中，上述夹层的杂质浓度可以是2×1016/cm3或更高。
第三、本申请公开了一种用于能够发射波长为360nm-550nm的光的III族氮化物半导体发光器件的叠层，该发光器件包括发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。此处，InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm。另外，AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。另外，InGaN层可以以0.02-0.07nm/s的生长速率形成。另外，InGaN层可以以850℃或更低的生长温度形成。InGaN层的厚度、AlGaN层的厚度、InGaN层的生长速率和InGaN层的生长速率可以任意组合。另外，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。另外，该发光器件可以包括生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。
第四，本申请公开了一种能够由发光层发射波长为360-550nm或360-430nm的光的叠层，该叠层包括由生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。
第五，本申请公开了一种包括发光层的叠层，发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。此处，InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm。另外，AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。另外，InGaN层可以以0.02-0.07nm/s的生长速率形成。另外，InGaN层可以以850℃或更低的生长温度形成。InGaN层的厚度、AlGaN层的厚度、InGaN层的生长速率和InGaN层的生长速率可以任意组合。另外，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。另外，该发光器件可以包括由生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。
第六、本申请公开了一种包括发光层的叠层的生产方法，发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。所述的方法任意采用下述步骤：(i)以0.02-0.07nm/s的生长速率形成InGaN层的步骤，(ii)以850℃或更低的生长温度形成InGaN层的步骤，(iii)在形成夹层前以865-905℃的生长速率形成由AlGaN制成的夹层的步骤。这些步骤(i)-(iii)可以任意组合应用。在上述任一步骤中，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。
另外，可以形成发光层以发射波长为360-550nm或360-430nm的光。
另外，上述InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm，上述AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。
在步骤(iii)中，上述夹层的杂质浓度可以是2×1016/cm3或更高。
第七、本申请公开了一种能够发射波长为360nm-550nm的光的III族氮化物半导体发光器件，该发光器件包括发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间，其中，一个所述InGaN层和连续叠加在所述InGaN层上的一个所述AlGaN层的厚度之和是10nm或更大。此处，InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm。另外，AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。另外，InGaN层可以以0.02-0.07nm/s的生长速率形成。另外，InGaN层可以以850℃或更低的生长温度形成。InGaN层的厚度、AlGaN层的厚度、InGaN层的生长速率和InGaN层的生长速率可以任意组合。另外，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。另外，该发光器件可以包括生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。
第八、本申请公开了一种包括发光层的III族氮化物半导体发光器件，发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间，其中，一个所述InGaN层和连续叠加在所述InGaN层上的一个所述AlGaN层的厚度之和是10nm或更大。此处，InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm。另外，AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。另外，InGaN层可以以0.02-0.07nm/s的生长速率形成。另外，InGaN层可以以850℃或更低的生长温度形成。InGaN层的厚度、AlGaN层的厚度、InGaN层的生长速率和InGaN层的生长速率可以任意组合。另外，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。另外，该发光器件可以包括生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。
第九、本申请公开了一种用于能够发射波长为360nm-550nm的光的III族氮化物半导体发光器件的叠层，该发光器件包括发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间，其中，一个所述InGaN层和连续叠加在所述InGaN层上的一个所述AlGaN层的厚度之和是10nm或更大。此处，InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm。另外，AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。另外，InGaN层可以以0.02-0.07nm/s的生长速率形成。另外，InGaN层可以以850℃或更低的生长温度形成。InGaN层的厚度、AlGaN层的厚度、InGaN层的生长速率和InGaN层的生长速率可以任意组合。另外，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。另外，该发光器件可以包括生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。
第十，本申请公开了一种用于包括发光层的III族氮化物半导体发光器件的叠层，发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间，其中，一个所述InGaN层和连续叠加在所述InGaN层上的一个所述AlGaN层的厚度之和是10nm或更大。此处，InGaN层的厚度可以预定为3.5-5nm。另外，AlGaN层的厚度可以预定为5nm或更大。另外，InGaN层可以以0.02-0.07nm/s的生长速率形成。另外，InGaN层可以以850℃或更低的生长温度形成。InGaN层的厚度、AlGaN层的厚度、InGaN层的生长速率和InGaN层的生长速率可以任意组合。另外，发光层可以包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。另外，该发光器件可以包括生长温度为865-905℃和/或杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN形成的夹层，所述的发光层形成在所述的夹层上面。

Claims (32)

1、一种发射波长为360nm-550nm的光的III族氮化物半导体发光器件，该发光器件包括发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间。
2、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm。
3、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大。
4、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的。
5、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
6、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm且所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大。
7、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm且所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的。
8、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
9、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大且所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的。
10、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
11、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
12、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm，所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大且所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的。
13、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm，所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
14、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大，所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
15、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm，所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
16、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层的厚度是3.5-5nm，所述的AlGaN层的厚度是5nm或更大，所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
17、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的发光层包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层。
18、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，发射出的光的波长是360-430nm。
19、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的发光层包括一个或多个单元对，每一个单元对都包括所述的AlGaN层和所述的InGaN层的叠层，所述的AlGaN层叠加在InGaN层上面作为最外层，发射出的光的波长是360-430nm。
20、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其还包括生长温度为865-905℃的由AlGaN制成且与所述的发光层相邻放置的夹层。
21、根据权利要求1所述的III族氮化物半导体发光器件，其还包括杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN制成且与所述的发光层相邻放置的夹层。
22、根据权利要求1所述的IH族氮化物半导体发光器件，其还包括生长温度为865-905℃、杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN制成且与所述的发光层相邻放置的夹层。
23、一种III族氮化物半导体发光器件，该发光器件包括：生长温度为865-905℃的由AlGaN制成的夹层，和在所述的夹层上面形成的发光层，所述夹层能够从所述发光层上发射出波长为360-550nm的光。
24、根据权利要求23所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的波长为360-430nm。
25、一种III族氮化物半导体发光器件，该发光器件包括杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN制成的夹层和在所述的夹层上面形成的发光层，所述夹层能够从所述发光层发射出波长为360-550nm的光。
26、根据权利要求25所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的波长为360-430nm。
27、一种III族氮化物半导体发光器件，该发光器件包括生长温度为865-905℃、杂质浓度为2×1016/cm3或更高的由AlGaN制成的夹层和在所述的夹层上面形成的发光层，所述的夹层能够从所述发光层发射出波长为360-550nm的光。
28、根据权利要求27所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的波长为360-430nm。
29、一种发射出波长为360nm-550nm的光的III族氮化物半导体发光器件，该发光器件包括：发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层***位于其两侧的AlGaN层之间，其中，一个所述InGaN层和连续叠加在所述InGaN层上的一个所述AlGaN层的厚度之和是10nm或更大。
30、根据权利要求29所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的。
31、根据权利要求29所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
32、根据权利要求29所述的III族氮化物半导体发光器件，其中，所述的InGaN层是以0.02-0.07nm/s的生长速率形成的且所述的InGaN层是以850℃或更低的生长温度形成的。
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