CN1422388A - 依照干涉图案对衬底上材料的选择性沉积 - Google Patents

Abstract

揭示了在衬底上优先沉积材料的方法。材料可通过把电磁干涉图案引导到衬底上来选择性地加热符合干涉图案最大值的衬底区域上优先沉积。然后把衬底暴露在能够根据表面温度在表面上优先积累的气相材料之下。

Description

依照干涉图案对衬底上材料的选择性沉积

技术领域

本发明涉及依照引导到衬底上的干涉图案优先沉积材料来构图的方法，以及由该方法制造的成品。

背景技术

人们已经发展了许多在衬底上沉积材料构图的技术。这些技术中有许多包括了使用掩模板来制造所需图案。例如，可以把材料沉积到衬底上的掩模板上。然后可以除去掩模板，使得在衬底上由掩模板所暴露部分中的材料留下来。其它技术包括形成均匀的材料涂层，在涂层上放置掩模板，蚀刻由掩模板暴露的涂层部分，并且除去掩模板。在许多情况下，特别在图案尺寸较小的情况下，掩模板由光刻技术制造。光刻通常需要涂覆光刻胶层，选择性地对光刻胶曝光，对光刻胶显影，并且除去光刻胶的显影(develop)(或未显影的)部分。这些步骤产生了掩模板。建立在掩模板上的构图技术包括了掩模板制造步骤，该技术需要许多制造步骤，每个步骤都要花费时间。

发明内容

本发明提供在衬底上布置图案材料的方法，例如形成线栅型反射器和/或偏振器或其它光学元件。本发明包括根据引导到衬底上干涉图案的最大和最小值选择性地加热衬底。依照由干涉图案产生的温度差较佳地把材料沉积到衬底上。本发明的方法可用于不使用掩模板选择性地沉积材料。本发明的方法也可以用于在少许步骤甚至在一个步骤中对衬底做图案。本发明的方法也可以用于依照不同的干涉图案通过连续或同时在相同的衬底中沉积材料来沉积交叠的图案结构。

在一个方面，本发明提供了在衬底表面优先地沉积材料来制造线栅光学元件的方法，它包括了以下步骤，把电磁干涉图案引导到衬底表面来优先地根据干涉图案加热衬底表面的所选部分，通过根据干涉图案把衬底暴露在气相中的传导材料来选择性地沉积衬底表面上的传导材料，该材料能够作为表面温度的函数进行优先积累。

在一些实施例中，可以在衬底表面上重叠互相相干的光束来形成干涉图案，并且可以沉积材料来形成具有由干涉图案尺寸大致确定的尺寸的结构。在这些实施例中，拥有比重叠光束的光斑尺寸和/或间距小的结构可以不使用掩模板就沉积到衬底上。

本发明也提供了通过在衬底表面区域上引导两束或更多互相相干的电磁束从而形成电磁干涉图案来较佳地在衬底表面上沉积材料，根据干涉图案优先加热部分衬底表面，其中柱面透镜放置在至少其中一个电磁束的路径上；并且通过把衬底暴露在气相中的材料下，根据干涉图案在衬底表面上选择性地沉积材料，所述材料能够作为表面温度的函数优先进行积累。可以把其它光学元件放置到一个或更多束流的路径中，而不是或除了柱面透镜，包括微透镜，微透镜列阵，微棱镜，衍射光栅，衍射光学元件，球面透镜，非球面透镜，非柱面透镜，等等。

附图说明

图1示出在***中执行本发明方法的元件。

图2示出根据本发明的一个实施例所示的优先沉积。

图3(a)示出为在衬底上形成干涉图案的***。

图3(b)示出为在衬底上形成干涉图案的另一个***。

具体实施方式

本发明的方法适于在衬底上优先地沉积材料。这些方法通常包括引导电磁辐射干涉图案到衬底上来加热衬底的所选区域。在干涉图案的高强度区域可以局部地加热衬底，而符合干涉图案低强度区域的衬底区域可以保持相对低温。因此，可以产生通常符合干涉图案的表面温度分布。那是，通常符合干涉图案高强度区域的高温区域和通常符合干涉图案低强度区域的低温区域。

可以根据由干涉图案设定的温度分布来选择性地沉积制造线栅光学元件。选择性沉积通常包括把衬底暴露在气态材料，所述气态材料能够作为由干涉图案产生的温度分布中的表面温度差的函数在表面上优先积累。例如，可以把粘着系数随着干涉图案产生的温度范围内温度变化的的材料蒸发沉积到衬底上。在另一个实施例中，所使用的反应气体(诸如那些用于化学气相沉积过程的反应气体)对反应和材料沉积有温度阈值，温度阈值存在于由干涉图案产生的温度分布中的最高和最低表面温度之间。

依照电磁干涉图案加热衬底，可以在衬底上选择性地沉积各种周期，重复率或其它多重结构，由此这些结构的横向尺寸和/或间距小于电磁辐射的斑点尺寸。这与通常的激光化学沉积过程(LCVD)不同，在LCVD中沉积结构的横向尺寸大致符合激光斑点尺寸。这样，能够直接沉积的具有较小间距图案结构能够有较小的间距，例如小于可见光波长。这在制造线栅光学元件中特别有用。

图1示出用于本发明制造方法的***中的元件。该***包括电磁辐射源100，干涉图案产生装置104，和衬底108。通常，为了暴露在沉积材料下，衬底至少要放在真空室或其它沉积室中。该***的其它元件可以处于沉积室中或在沉积室外。通常，辐射源处于沉积室外。

根据本***的结构，干涉图案产生装置104可以远离衬底108或与衬底108的表面一致。例如，如果把衍射光栅用作产生图案的装置，一般它可以放置到距离衬底108一段距离并且在辐射源100和衬底108之间的位置。如果重叠的互相相干的光束作为干涉图案的产生装置，重叠将通常发生在衬底表面。

根据该结构，可以在辐射源100和干涉图案发生装置104之间放置各种光学元件，诸如透镜，光圈，光束分离器，狭缝，光栅，镜子，滤波器，以及其它这类元件或其组合。在相似在方法中，各种光学元件可以放置在干涉图案发生装置104和衬底108之间，例如在干涉图案发生装置与衬底表面不符合的那种结构中。

辐射源100可以是任意适宜产生电磁辐射的源，通过电磁辐射形成能够用于选择性加热衬底表面的干涉图案。合适辐射源包括激光器，灯，电子束，离子束，等等。代表性的辐射源包括单色源或在相对狭窄的波长带宽内进行辐射的辐射源。也可以使用发射多个波长或多个已分辨的波长波段的辐射源。具体可用激光器。激光源可以提供相干准直的光源，其强度可以加热衬底区域。按照所需具体应用，激光辐射可以是连续的或是脉冲的。

对具体辐射源类型的选择包括入射辐射的波长，入射辐射的强度，和其它这类特性，这类选择可以依赖于形成干涉图案的方法，用于沉积的衬底类型，被沉积的材料，沉积方法，和尺寸，间距，和沉积到衬底上结构的形状。例如，诸如准分子激光器之类的紫外激光器可以用于选择性加热玻璃衬底。通常，激光器特别适于在衬底表面由两束或更多相互相干的光束交叠产生干涉图案的***。对于这些***，可以在光路中使用光束分离器和/或镜子来把激光分离成两个或更多相互相干的适于在衬底表面重叠的光束。

参考图1，干涉图案发生装置104可以是任意合适的光学元件，光学元件的组合，或任意的形成电磁干涉图案的方法。例如，如上所述，激光光束可以在衬底表面分离和再合并。入射辐射的波长和两束光在衬底表面重叠的角度可以用于确定在表面上形成的干涉条纹图案。可以使用多个光束分离器来产生多于两个互相相干的光束。例如，可以产生四个互相相干的光束并且适宜的重叠来产生两维干涉图案(诸如格栅或点图案)。狭缝，衍射光栅等也可以用来形成干涉图案。在狭缝和衍射光栅的情况中，可以使用单一光束来形成干涉图案，然后干涉图案可以由一系列透镜投射到衬底表面。

可以把各种光学元件布置在电磁辐射源和干涉图案产生装置之间。例如，光束分离器可以用于形成多个相似光束，镜子可以用于改变光束方向，光圈可以用于使光束截面具有某种形状，透镜可以用于聚焦光束，扩展光束和塑造光束外形。可以使用这些和其它光学元件的各种组合。

再参考图1，衬底108可以包括能够具有由所选入射辐射加热的表面的任意衬底。有用的衬底可以包括一个或多个的下面特性：它们可以是玻璃，塑料和其它有机材料，或金属和其它诸如半导体和陶瓷之类的无机材料；它们可以是板型，薄膜型，坚硬的，或可弯曲的；它们可以是不透明的，半透明的，或透明的；它们可以包括其它这样的特性或其合适的组合方法。对于不会另外充分地吸收入射辐射的本来表面的衬底，可以涂覆上一层或更多层材料来形成可以由入射辐射充分加热的表面。例如，可以在玻璃衬底上涂覆金属层来增加衬底吸收入射辐射的能力。但是，甚至在没有其它层时，玻璃衬底可以充分地吸收入射辐射，例如当用紫外光来形成干涉图案时。

如上所述，可以使用各种衬底结构。通常，衬底可以包括一层或更多层相同或不同的材料，并且处于坚硬或半坚硬片或可弯曲或半弯曲的薄膜。所用衬底材料和结构可以依赖于兼容用于形成干涉图案的辐射，兼容沉积材料，兼容任意沉积前工序或沉积后工序过程(诸如加热步骤，辐射步骤，涂覆步骤，蚀刻步骤，镀覆步骤，等等)，并且兼容极限(end)使用应用。例如，当该图案的极限使用包括透射至少一部分可见光的线栅光学元件时，可以选用对可见光透明的衬底作为根据本发明的用于优先沉积的衬底。

通常在优先沉积前，也需要在衬底的一侧或两侧都沉积防反射涂层。例如，当本发明的方法用于制作可见光偏振线栅光学元件时，在衬底上沉积防反射涂层可以增加元件的透光量。

因为干涉图案的尺寸和间距可以很小，使用足够低的平面内热传导来保持在干涉图案最大值区域和干涉图案最小值区域之间的温度差，从而允许根据干涉图案进行优先材料积聚是有利的。而使用相对衬底平面的平面内热传导率的在衬底厚度方向(Z-轴)有较高热传导率的衬底也是有用的。比平面热传导率高的z轴热传导率可以促进通过衬底的热转移，而不是转移到衬底表面邻旁较冷的区域。这可以帮助保持由干涉图案产生的温度分布。使用在衬底表面上在衬底平面中有各向异性的热传导率的衬底也是有用的。例如，当和线性干涉条纹图案一致的线性结构沉积时，可以使用有各向异性的平面内热传导率的衬底并且把高热传导率的方向对准干涉图案条纹方向是有用的。

根据本发明的方法，根据引导到衬底上的干涉图案可以把材料优先沉积到衬底区域上。适宜的沉积方法包括在任意衬底表面上作为由干涉图案产生温度范围的表面温度函数的优先积累材料的任意方法。能级沉积的材料包括在与温度有关的方式中能够凝结在表面上形成的薄膜或层的任意材料。特别适宜的材料包括金属(例如铜，金，银，铝，镍，铂)，金属合金，金属氧化物，金属硫化物，半金属(例如碳，硅，锗)，半金属氧化物，和其它这类金属和其组合物。

在本发明方法中用于优先沉积材料的一种沉积方法是激光化学气相沉积(LCVD)。LCVD通常包括把衬底暴露到反应气体中而衬底的一部分暴露在激光光束下。在反应气体可以进行反应的阈值温度，激光光束加热衬底的暴露部分，留下从气相沉积在表面上的材料。LCVD已用于在衬底上“写”金属线，例如，通过在沿着衬底表面的路径上移动激光光束。金属线的宽度大致符合在表面激光点的直径。

在本发明的方法中，可以使用电磁干涉图案来根据干涉图案优先加热衬底上的区域。干涉图案可以包括尺寸小于衬底上入射辐射斑点尺寸的图案(例如，线，点，栅条，等等)。干涉图案可以用于产生上述衬底上的较热和较冷的区域。使用合适的反应气体，通过把引导到衬底上的干涉图案所建立的较热区域优先反应和积累材料。图2示出这个概念。图2示出在衬底220的表面上重叠两个互相相干的电磁光束200和201来形成干涉图案210。干涉图案210的特点是强度上的一系列最大值212和最小值214。干涉图案可以设定类似于系列局部温度最大值和最小值的表面温度分布。在适宜的条件下，会发生化学气相沉积的阈值温度可以位于局部温度最大值和局部温度最小值之间。沉积材料218这样可以优先地积累到温度超过阈值温度的区域。

在本发明中也可以使用更常规的沉积方法。例如，可以使用物理气相沉积技术来沉积材料。通常，物理气相沉积包括以在较冷表面上的积累速度通常比较热表面快的速度从气相凝结材料到表面上。在本发明中，材料可以凝结在由干涉图案照射的衬底区域上，优先在那个区域的较冷区域进行积累。

由重叠互相相干光束形成的干涉条纹也对在衬底表面上的小高度振动十分灵敏。在一些应用中，最好减少衬底表面的粗糙度。在其它应用中，需要使用表面等高线(无论哪些等高线是设计的或是无意的)来改变表面干涉条纹的位置或形状。

不同于物理气相沉积和化学气相沉积的沉积方法也能够用于根据引导到衬底表面上的干涉图案导致材料的优先积累。示范的沉积方法包括那些根据表面温度差形成线栅光学元件的优先沉积的传导材料。

如上所述，可以用不同的方法产生干涉图案。示范的方法是通过在衬底表面上重叠两个或更多的互相相干的电磁束，诸如激光光束。例如，可以使用一个或更多的光束分离器使激光光束分离并且接着在衬底表面再合并这些光束来产生互相相干的束流。图3(a)示出了这样的***，其中来自激光器300的光束由光束分离器302分离成两束，标记为A和B。光束A可以沿着一条光路，即由可选透镜304A扩展，由可选镜306A改变方向并且导向衬底310。如上所述，可以在光束A的光路中选择使用其它光学元件。光束B可以同样地经过一个光路，即由可选透镜304B扩展，由可选镜306B改变方向并且引向衬底310。光束A和B被引向衬底310这样它们在表面的一个区域重叠。在衬底表面的干涉图案间距由光束A和B间在衬底表面上重叠时的角度θ和光束波长决定。

重叠互相相干光束来形成干涉图案，它对在衬底的位置和角度的微小变化十分灵敏。因此，当曝光时，最好把衬底固定在相对于光学***的其余部分保留一个固定的位置。较佳要注意充分地把***与振动分开，这些振动在曝光时会改变干涉图案。

另一个重叠互相相干电磁束的方法是通过在适当位置的衬底表面成角度处放置一面或更多的镜子使得例如一部分激光光束入射到一面或更多面镜子上而另一部分激光光束直接入射到衬底上。这个想法由图3(b)示出。这里激光器300’产生一个光束，它可选地由透镜320扩展，由一个或更多的光圈再成形(没有示出)，由镜子改变方向(没有示出)，等等。接着光束引向衬底310’和镜子322。对镜子322进行定位和定向使得一部分光束入射到镜子上并且反射到衬底上，这样一部分光束直接入射到衬底上。光束的两部分重叠并且形成在衬底表面上的干涉图案。伴随着上述光束分离***，干涉图案的尺寸可以由在重叠中的光束部分间的角度和光束波长确定。

其它形成干涉图案的方法包括把远距产生的干涉图案投射到衬底上。例如，干涉图案可以通过衍射一个或更多的光束并且接着适宜地把条纹投射到衬底上。在这个情况中，在衬底表面的干涉图案尺寸依赖于衍射光栅和任意放大，缩小，失真，滤光，或在到达衬底前其它干涉图案尺寸或形状的改变。

可以把两套或更多套有不同间距和/或不同图案和/或方向的干涉图案同时或连续地引导到相同的衬底上。这使得可以根据不同的图案在相同的衬底上连续或同时地形成沉积的图案。这可以由两个或更多的辐射源完成，或由有不同波长的成套辐射源完成，或使用各自发射多于一个波长的一个或更多的辐射源完成。

在光路中使用透镜和/或光圈也可以更改干涉图案。例如，通过在至少一个光束路径中放置柱面透镜可以形成有线性调频脉冲周期的平行干涉条纹，确定柱面透镜的方向使得它的等(uniform)轴平行于衬底表面。线性调频脉冲干涉图案是条纹间距在各个相继的条纹中逐渐变小的那些图案。可以通过改变一个或更多的柱面透镜的聚焦长度，改变透镜和干涉平面间的距离，或在第二个光束的路径中放置另一个柱面透镜(相似方向)来控制干涉图案的线性调频脉冲比率(也就是相继条纹间距的百分比变化)。

通过在一个或更多光束的路径中使用柱面透镜也可以得到等距的弯曲干涉条纹。为了得到弯曲条纹，需要确定柱面透镜的方向使得它的等轴与衬底表面的垂直轴成非零的和非垂直角。例如，开始确定柱面透镜的方向使它对到线性调频脉冲条纹，然后把透镜绕着平行于通过透镜的光束方向的轴旋转90°。在这样的结构中，干涉图案的曲率半径可以由柱面透镜的聚焦长度以及透镜和衬底间的距离控制。

又是，可以在一个和更多的光束路径中放置一个或更多的柱面和/或球面透镜来产生既是弯曲线性调频脉冲的干涉条纹。也可以用非球面或非柱面透镜产生与那些使用柱面和球面透镜得到的条纹图案作比较有不同线性调频脉冲或弯曲分布的条纹图案。

也可以用微光学元件同时形成多于一类干涉图案。例如，在表面上有小棱镜的平面透明衬底可以被放置到一束光的光路中来产生平行干涉条纹线的小矩形区域，其中干涉条纹线与周围区域中的条纹相比有不同的周期。也可以使用显微透镜和显微透镜组同时产生类似于上述方法中的多个或一组小区域弯曲和线性调频脉冲条纹。

可以在一个或更多的光束中放置衍射光学元件(换一种说法，在文献中称之为全息光学元件或计算机生成全息图)。衍射光学元件包括在透明(或反射)衬底上改变冲击波前光学相位的表面浮雕(surface-relief)。这样的衍射元件起着象一个具有任意但可控制光学形状的透镜而一样的作用。表面浮雕结构(虽然不总是，但一般是光波长的数量级)的深度使得衍射元件很薄并且(当作为多级衍射光学元件制作时)在设计波长的衍射效率大于95％时工作。另外，可以调制通过透明衍射光学元件传输的光振幅。例如，在衍射元件表面一些区域沉积的金属可以用于阻挡光，从而在干涉平面的相应位置不产生干涉条纹。

上面没有描述的其它光学元件也可以用于改变干涉图案的条纹形状，尺寸，方向，间距，等等。

如上所述，可以将本发明的方法用于在衬底上优先沉积材料来形成用于具的对应于导引在衬底上干涉图案的尺寸的线栅光学元件。沉积结构可以包括一系列均匀间隔的平行线，一系列有变化间距的平行线，一系列等距曲线，一系列变距曲线栅格图案(例如交叉阴影线图案)，点阵图案，或其它由一种干涉图案或由两种或更多种重叠的或叠加干涉图案在表面上形成的图案组合。该结构也可以制成对称或反对称横截面分布(下面另外讨论)。

在根据本发明方法的优先沉积以后，可以执行其它步骤来形成所需器件或装置。例如，可以执行蚀刻后背工序和/或另外的沉积工序。优先沉积会在衬底的非所要求的区域积累一些材料，与所需位置积累的材料相比，虽然量较少。在这样的情况中，可以执行背面蚀刻(etch back)工序，例如均匀减少横越衬底的沉积材料的厚度。可以执行背面蚀刻来减少或完全除去积累在非理想区域的材料，同时在所需区域保持充足的沉积材料。在相似情况下，可以使用蚀刻工序来蚀刻下面的衬底，或布置在那里的层，并且在衬底上积累的材料用作蚀刻掩模板。接着优先积累的材料可以保持在衬底上或被除去来展现衬底图案。

优先积累的材料也可以用作进一步沉积的模板。例如，可以在衬底上根据干涉图案沉积相对小量的导电材料。然后，图案导电材料可以用作电镀时的晶(seed)层来形成导电材料的较厚图案。也能够结合诸如背部蚀刻工序的次优先沉积工序和其它沉积工序来得到所需结果。也可以使用相同干涉图案进行另外的优先沉积工序来使用不同材料对已形成层的结构作图案。例如，诸如氧化物的绝缘层可以根据干涉图案沉积，接着根据相同干涉图案在氧化物的顶部沉积金属。其它相似过程或其变化也可以用来形成重叠图案，层结构，或更复杂的形状和图案。

本发明的方法可以用于制造许多不同的应用的图案。本发明优先积累方法的一个优点是可能在衬底表面上形成材料图案，在那里的图案区域的尺寸和/或间距比激光或其它电磁辐射的斑点尺寸小。另外，结构间距可以制造得比可见光波长更小。因为干涉图案尺寸可以是可见光波长的量级或更小，根据本发明方法制造的图案可以具体用于许多光学应用，包括但不仅限于，诸如线栅偏振片，线栅反射器之类的线栅光学元件以及它们的组合。也可以制造诸如衍射光栅，光筛等等其它光学元件。本发明形成图案的方法也可以包括使用工艺中的中间结构，诸如当结构用作上述蚀刻掩模板和/或母版层。

可以使用本发明的方法制造线栅反射器和/或偏振片。例如，可以在衬底上形成平行金属线的周期性排列来制造线栅偏振片。线栅偏振片理论是已知的。通常，当非偏振光入射到有周期性排列的平行导线线栅偏振片上时，线栅将反射偏振平行于导线的光并且透射偏振垂直于导线的光。这个条件对光波长比导线间距离大得多的情况(条件通常是λ/5≥d，其中λ表示受作用的波长并且d是导线间距)是成立的。通过在衬底表面形成两套平行线可以制造线栅反射器，各组平行线通常是互相正交的。

通过结构线栅偏振片和线栅反射器的组合能够制造有用的装置。例如，正方形线栅反射器图案可以沉积为可以反射红外辐射的尺寸(例如，使用的线间距为大约200到500nm或更多)。在相同的衬底上，可以形成线型线栅图案，它起到在可见光波长范围内的反射偏振片作用(例如，使用的线间距为大约50到100nm或更少)。这样叠加起来的结构可以用来结合可见光偏振功能和防热功能。

如上所述，根据本发明在衬底上优先沉积的结构的横截面分布可以是对称的或反对称的。反对称结构是有用的，例如，形成闪耀衍射光栅。通过产生反对称温度分布(例如，相对干涉图案倾斜衬底表面)，通过控制材料沉积的方向(例如通过在离位垂直(off-normal)轴把准直束引到衬底上来进行材料的物理气相材料沉积)，通过诸如蚀刻或遮蔽涂覆沉积的后沉积工序，或通过其它适宜的方法来获得反对称结构。

尽管本发明主要涉及按照符合电磁干涉图案的表面温度分布的温度依赖的材料沉积，也可以把用于优先加热衬底的相同干涉图案用于不使用掩模板的光刻胶层上做图案。例如，可以在下面的方法中制造线栅偏振片和/或反射器。衬底上可以涂覆上一层材料，诸如是适合形成线栅装置的金属。然后在金属层或其它层上可以涂覆光刻胶层。然后以上述任意合适的方法把光刻胶暴露在干涉图案下。然后把光刻胶显影来暴露出符合在干涉图案的下面层。然后蚀刻下面层的暴露部分并且除去光刻胶在衬底上留下线栅偏振片或反射器。在类似的方法中，也可用光刻胶作为沉积掩模板而不是蚀刻掩模板来形成线栅。如上所述，来自一个或更多的辐射源的多重干涉图案可以用于同时或连续地曝光光刻胶，使得在形成图案后，在下面层的蚀刻后可以形成叠加图案。

那些普通技术人员将清楚在不背离本发明的范围和精神的情况下对本发明的各种修改和变换。可以理解这个发明并不由这里描述的示范实施例和实例所过分限定，并且这些由举例方法给出的实例和实施例处于只在下面列出的权利要求所限定的本发明的范围中。

Claims (14)

1.一种在衬底表面优先沉积材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

把两束或更多束相干电磁束引导到在衬底表面上的一个区域上，从而形成电磁干涉图案，根据干涉图案优先加热一部分衬底表面，其中把柱面透镜放置在至少一个电磁束的路径中；并且

根据干涉图案，通过把衬底暴露在气相中的材料下，在衬底表面上选择性沉积材料，所述材料能够作为表面温度的函数进行优先积累。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中干涉图案包括一系列有线性调频脉冲间距的平行条纹。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中干涉图案包括一系列有相同间距的弯曲条纹。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中干涉图案包括一系列有线性调频脉冲间距的弯曲条纹。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在另一个电磁束的路径上放置另一个柱面透镜。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中光学元件包括放置在至少一个电磁束路径上的一个或更多的微透镜，微透镜列阵，微棱镜，或衍射光栅。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中干涉图案是通过使一个或更多的电磁束通过衍射光学元件来形成的。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中光学元件包括放置在至少一个电磁束路径上的一个或更多的球面透镜，非球面透镜，或非柱面透镜。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中衬底包括玻璃。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中衬底包括金属。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中衬底包括半导体。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中衬底包括塑料。

13.一种在衬底表面优先沉积材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

把两束或更多束相干电磁束引导到衬底表面来形成电磁干涉图案，根据干涉图案优先加热部分衬底表面，其中在至少一个电磁束的路径上放置一个或更多的微透镜，微透镜列阵，微棱镜，衍射光栅，或洗射光学元件；并且

通过把衬底暴露在气相中的材料下，根据干涉图案在衬底表面上选择性沉积材料，所述材料能够作为表面温度的函数进行优先积累。

14.一种在衬底表面优先沉积材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

把两束或更多束相干电磁束引导到衬底表面的一个区域上来形成电磁干涉图案，根据干涉图案优先加热部分衬底表面，其中在至少一个电磁束的路径上放置一个或更多的非球面透镜或非柱面透镜；以及

通过把衬底暴露在气相中的材料下，根据干涉图案在衬底表面上选择性沉积材料，所述材料能够作为表面温度的函数进行优先积累。

Images