CN1308931C - 光记录载体记录方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光记录载体记录方法，该方法用于通过将辐射束(12)引导至光记录载体(20)的记录表面(21)上来形成凹区和凸区。对于每个将被记录的凹区，辐射束被设定到至少一个能够在写功率照射周期(31)内形成凹区的写功率电平(PW)，并且对于凹区之间的每个凸区，辐射束被设定到至少一个在底功率照射周期(51)内不能形成凹区的底功率电平(P0)。为了在不增加整体抖动的条件下将附加LML通道的位嵌入主通道，根据本发明提出在用于形成LML凸区的LML凸区照射周期(55)内将底功率电平(P0)临时增加到LML凸区功率电平(P11)，该LML凸区功率电平(P11)接近于写功率电平(PW)，以及在用于形成LML凹区的LML凹区照射周期(35)内将写功率电平(PW)临时降低到LML凹区功率电平(Pp1)，该LML凹区功率电平(Pp1)接近于底功率电平(P0)。

Description

光记录载体记录方法和设备
本发明涉及光记录载体记录方法，该方法用于通过将辐射束引导至光记录载体的记录表面上来形成凹区(pit)和凸区(land)，对于每个将被记录的凹区，辐射束被设定到至少一个能够在写功率照射周期内形成凹区的写功率电平，并且对于凹区之间的每个凸区，辐射束被设定到至少一个在底(bottom)功率照射周期内不能形成凹区的底功率电平。本发明还涉及用于执行这种方法的相应光记录载体记录设备。
这种记录方法可以从可记录CD(CD-R)***规格说明书(也被称为橙皮书)中得知。通过在写功率照射周期内把具有写功率电平的辐射束施加到光记录载体的记录表面来形成凹区。写功率照射周期的时间长度取决于将要记录的凹区的长度。凹区的长度被表示为参数nT，其中T表示数据信号中的参考时钟的一个周期的时间长度，n表示预先确定的整数。对于CD-R***，n在3到11的范围中。为了形成凸区，在底功率照射周期内将辐射束设定到低于写功率电平的底功率电平。
用于在主通道的位流中嵌入次通道的位流的方法可以从WO00/57417 A1中得知。其中通过有限多电平(LML)编码来将次通道的位嵌入主通道。将主通道的位流编码在反射信号的零交叉中，将次(LML)通道的位编码在反射幅度中，即，使用凹区和凸区的幅度水平来编码次通道的位。
本发明的一个目的是提供允许在可记录的光记录载体上应用LML编码并满足以下标准的光记录载体记录方法和相应的设备：
-应该获得在标准运行长度的调制与它的相应LML等效物之间的可接受的差，也就是，优选为凸区调制中降低30％和凹区调制中增加30％，以及
-在高频信号中看到的降低的效果的长度应该等于未修改的效果的长度。
优选地，对于在未修改的效果中观察到的串扰，应该维持朝向前面和后面效果的热串扰。此外，优选地，LML效果应该在不增加总体抖动的条件下可以与标准效果完全互换。抖动是在数字化的读信号的电平转换与时钟信号中的相应转换之间的时间差的标准偏移，该时间差通过所述时钟的一个周期的持续时间得以标准化。
所述目的是通过一种用于通过将辐射束引导至光记录载体的记录表面上来形成凹区和凸区的光记录载体记录方法来实现的，对于每个将被记录的凹区，辐射束被设定到至少一个能够在写功率照射周期内形成凹区的写功率电平，并且对于凹区之间的每个凸区，辐射束被设定到至少一个在底功率照射周期内不能形成凹区的底功率电平，该方法的特征在于：在用于形成LML凸区的LML凸区照射周期内将底功率电平临时增加到LML凸区功率电平，该LML凸区功率电平接近于写功率电平，以及在用于形成LML凹区的LML凹区照射周期内将写功率电平临时降低到LML凹区功率电平，该LML凹区功率电平接近于底功率电平。根据本发明，通过在形成凹区和凸区的时候控制辐射束的功率电平来影响光记录载体上所存储的信号的反射幅度。因此，可以判定是应该写入具有不同反射幅度的LML凹区还是“标准”凹区，或者判定是应该写入具有不同反射幅度的LML凸区还是“标准”凸区。
根据本发明，为了使抖动最小化，对LML凸区功率电平和LML凹区功率电平进行优化。选择LML凸区功率电平使得写入与“标准”凸区相比更暗一些的凸区，选择LML凹区功率电平使得写入与“标准”凹区相比更亮一些的凹区。因此，对于LML减小了眼图的包络。对于凸区，较高的反射水平得到减小，而在凹区中，较低的反射水平得到提高。
有不同的参数用于优化所述的写策略。特别地，可以优化：临时增加底功率电平的时间长度、临时降低写功率电平的时间长度、以及LML凸区功率电平和LML凹区功率电平以便找到这样一种妥协，即其中的幅度得到足够的降低，同时观察到串扰中的最小增加，并且使抖动的增加最小化。LML凸区功率电平至少被控制成接近于写功率电平，并且LML凹区功率电平至少被控制成接近于底功率电平，优选为高于底功率电平。LML凸区功率电平被设定在写功率电平的0.70到1.30倍的范围内，并且优选地被设定在0.90到1.1倍的范围内；LML凹区功率电平被设定在写功率电平的0.05到0.50倍的范围内，并且优选地被设定在写功率电平的0.1到0.40倍的范围内。用于所述功率电平的特定值是通过分别优化功率电平的临时降低的持续时间和功率电平的临时增加的持续时间来获得的。
LML凹区功率电平的临时降低应当优选地稍微移到写功率照射周期的后半部分或末尾。临时降低的位置的正确定位对于得到调制的对称降低是重要的。相似地，LML凸区功率电平的临时增加优选地稍微位于底功率照射周期的前半部分。
为了保证某些决定热串扰的峰值温度，在写功率照射周期内将写功率电平临时增加到LML凹区纠正功率电平，按照一个优选实施例，LML凹区纠正功率电平高于写功率电平。LML凹区纠正功率电平被设定在写功率电平的1.01到1.30倍的范围内，并且优选地被设定在写功率电平的1.01到1.10倍的范围内。
为了分别控制凹区或凸区的有效长度，优选地，将写功率照射周期和/或底功率照射周期分别增加附加的写功率照射周期或附加的底功率照射周期。朝向前面凹区的热串扰看来似乎过大，尤其是在所述LML凹区照射周期内将写功率电平临时增加到LML凹区纠正功率电平的时候。增加脉冲长度使得能够降低标称功率，其结果是降低了对于相邻凹区的热串扰。
LML凹区增加功率电平被设定在写功率电平的0.50到0.95倍的范围内，并且优选地被设定在写功率电平的0.80到0.90倍的范围内。LML凸区增加功率电平被设定在写功率电平的0.03到0.70倍的范围内，并且优选地被设定在写功率电平的0.03到0.50倍的范围内。附加的写功率照射周期和/或附加的底功率照射周期分别具有优选在0.2到0.7T(尤其是0.5T或0.25T)之间的时间长度。
LML凸区照射周期和/或LML凹区照射周期具有优选为0.5T到2T(尤其是1T到1.25T)的时间长度。这种周期优选是较短的，但是这种周期越短，在所述周期内的功率电平就必须越高。通常，凹区或凸区的运行长度越长，就可以分别选择越长的LML凹区照射周期或LML凸区照射周期。
作为可记录光介质的替换写策略，可以使用脉冲的策略，根据该策略，为了记录凹区，将辐射束以写脉冲的形式设定到写功率电平，并且为了通过临时降低写功率电平来形成LML凹区，遗漏(leaveout)至少一个写脉冲。优选地，然后与用于形成“标准”凹区的写脉冲的标准写功率电平相比，剩余写脉冲的写功率电平被增加。
本发明还涉及用于以凹区和凸区的形式将由一个数据信号表示的数据记录到光记录载体的光记录载体记录设备，通过将辐射束引导至所述光记录载体的记录表面来记录所述凹区和凸区，该记录设备包含用于提供辐射束的辐射源和控制装置，该控制装置用于将所述数据信号转换成为连接到辐射源的辐射控制信号，以便控制由辐射源产生的辐射束的功率，所述控制装置操作来控制辐射束的功率，使得对于每个将被记录的凹区，功率被设定到至少一个能够在写功率照射周期内形成凹区的写功率电平，并且对于凹区之间的每个凸区，功率被设定到至少一个在底功率照射周期内不能形成凹区的底功率电平，其特征在于，控制装置还操作来控制辐射束的功率，使得在用于形成LML凸区的LML凸区照射周期内将底功率电平临时增加到LML凸区功率电平，该LML凸区功率电平接近于写功率电平，并且在用于形成LML凹区的LML凹区照射周期内将写功率电平临时降低到LML凹区功率电平，该LML凹区功率电平接近于底功率电平。优选地，所述设备还包含抖动控制装置，用于测量抖动并用于产生一个连接到控制装置的抖动控制信号，来控制辐射束的功率和控制功率电平的时间长度及持续时间，从而使抖动最小化。
虽然本发明是通过使用CD-R***作为示例解释的，但对于本领域的技术人员很明显，本发明还可用于替换的光记录***。
现在将结合附图更详细地解释本发明，在附图中：
图1是多电平编码的图解，
图2显示了根据本发明的记录设备的实施例，
图3是写入I7凹区的图解，
图4是写入I5凹区的图解，
图5是写入I7凸区的图解，
图6是写入I5凸区的图解，并且
图7是使用脉冲的策略写入I6凹区的图解。
图1解释了有限多电平(LML)编码的概念。显示了一种反射信号1，使用运行长度有限(RLL)编码将主通道数据流编码成该反射信号1，并使用LML编码将次通道(LML通道)的数据流编码成该反射信号1。RLL编码利用限制器电平(slicer level)2对信号1的零交叉使用空间调制，如箭头3所示，LML编码使用反射幅度的幅度调制，如箭头4所示。运行长度，即凹区和凸区的长度，用参数n·T表示，其中T表示数据信号中的参考时钟的一个周期的时间长度，n表示预先确定的整数。对于CD-R***，运行长度被限制在3到11的范围内，即，3≤n≤11。
LML调制主要被引入用于更长的运行长度，例如，在CD-R***中用于等于或长于5T的运行长度。通过控制这种更长运行长度的每个凹区和凸区的反射幅度，可以将附加的位值嵌入每个这种更长的运行长度。然后可将均具有标准反射幅度的“标准”凹区5和“标准”凸区6解释成位值为零的位，同时可以将均具有降低的反射幅度的LML凹区7和LML凸区8解释成位值为1的位，反之亦然。
幅度的降低优选是在运行长度的中间区域内实现的。对于较短的运行长度，降低的中间区域接近于运行长度的前沿和后沿。通道的脉冲响应造成前沿和后沿的抖动增加。此外，对于LML信息的直接检测，应当为所有可能的运行长度使用单独的限制器电平。因此，将LML编码限制到那些达到眼图中的全调制的运行长度。
图2显示了按照本发明用于将数据信号10记录到盘形光记录载体20的记录表面21上的光记录载体记录设备。光记录载体20借助于马达11围绕其中心旋转。通过辐射源13生成辐射束12，并将通过透镜14把该辐射束12聚焦到记录表面21。
数据信号10被加到控制装置15。其中通过转换单元17将数据信号10转换成控制信号16，并将该控制信号16加到控制单元18。其中生成用于控制由辐射源13产生的辐射功率的辐射控制信号19。
为了控制辐射束的功率以及功率电平的时间长度和持续时间以便使得到的抖动最小化，提供了抖动控制单元22用于测量在向光记录载体20写入信号之后的抖动。由抖动控制单元22进行的所述的测量和控制发生在向光记录载体20写入信号的期间，也就是，通过生成同样被加到所述控制单元18的抖动控制信号23。
下面将参照图3-7中所示的几个例子更详细地解释按照本发明的方法，在图3-7中显示了用于写凹区、凸区、LML凹区或LML凸区的几个写信号。
图3A显示了用于在记录载体上形成运行长度为7T的标准凹区(通常称为I7凹区)的写信号30。为了形成前面的凸区，将辐射束功率设定到底功率电平P0，该底功率电平P0优选地等于读功率电平。为了写I7凹区，之后在写功率照射周期31内将功率电平增加到写功率电平PW，在这一特定实施例中，写功率照射周期31等于6.5T。在形成后面的凸区之前，首先将功率电平降到零，然后设定到用于形成凸区的底功率电平P0。
图3B显示了用于形成运行长度同样为7T的I7LML凹区的写信号32。为了形成所述LML凹区，在写入前面的凸区非常短的时间段33之后，首先将功率电平增加到写功率电平PW。接着，在第一凹区纠正周期34中将功率电平进一步增加到LML凹区纠正功率电平Pp2，所述第一凹区纠正周期34几乎为写功率照射周期31的一半。在那之后，在第二凹区纠正周期36内将功率电平再次增加到LML凹区纠正功率电平Pp2之前，在LML凹区照射周期35中使功率电平急剧降低到LML凹区功率电平Pp1，直到完成LML凹区。
从图3B中可见，LML凹区纠正功率电平Pp2高于写功率电平PW。一般来说，LML凹区纠正功率电平Pp2被设定在写功率电平PW的1.01到1.30倍的范围内。在特定实施例中，为了写入所示的I7LML凹区，LML凹区纠正功率电平Pp2被设为写功率电平PW的1.1倍。
LML凹区功率电平Pp1通常被设定在写功率电平PW的0.05到0.5倍的范围内。在图3B的特定实施例中，它优选地设为写功率电平PW的0.1倍。通常，LML凹区功率电平Pp1接近于底功率电平P0，优选为高于底功率电平P0。
优选地，把在LML凹区照射周期35中的功率电平的临时降低移到写脉冲的末尾。LML凹区照射周期35的位置的正确定位对于实现调制的对称降低是重要的。所述周期35的持续时间和功率电平Pp1本身可被用于找到这样的一个折衷，即其中的幅度得到足够的降低，并且观察到串扰中最小的增加。在图3所示的例子中，该周期的持续时间为1.25T。
在初始周期33中设定的功率电平可适合于在写入前面的凸区之后在记录载体上存储的热量。在形成一个较短的凸区后，前面的凹区的残留热量将存在于记录载体中。相对于此凹区之前是较长凸区的情况，在这种情况中可以使用降低的初始功率来写入下一个凹区。这种方法被称为热平衡。于是凹区策略取决于相邻的凸区。这也在图3A和3B中得到了解释。如果在凹区之前的凸区是较短的凸区，或者在LML凹区之前的凸区是较短的凸区，特别是I3或I4凸区，即运行长度为3T或4T的凸区，则应该在初始周期33中将功率电平设定为初始降低的功率电平PW3(对于I 3-凸区)或PW4(对于I4-凸区)。
图4A和4B显示了用于写入标准I5凹区和I5LML凹区的另一实施例。用于写入如图4A所示的I5凹区的写信号40与用于写入如图3A所示的I7凹区的写信号30基本相同，只不过写功率照射周期41的长度短于相对应的周期31。用于形成如图4B所示的I5LML凹区的写信号42也与如图3B所示的用于形成I7LML凹区的写信号32非常相似，除了某些功率电平和设定了这些功率电平的持续时间。
在初始周期43内，首先将功率电平设为写功率电平PW，或者，如果前面的凸区很短，则如上面解释地将功率电平设为降低的写功率电平。接着，在第一纠正周期44中，将功率电平设为LML凹区纠正功率电平Pp2，在本实施例该LML凹区纠正功率电平Pp2优选地被设为写功率电平PW的1.07倍。在写功率照射周期41的将近一半之后，在LML凹区照射周期45内将功率电平降低到LML凹区功率电平Pp1，该LML凹区功率电平Pp1优选地被设为写功率电平PW的0.35倍。接着，在第二凹区纠正周期46中将功率电平再次增加到LML凹区纠正功率电平Pp2。周期45同样具有1.25T的持续时间。
在纠正周期44、46中对于侧面凸起(side lobe)(即，标准写功率的增加)的控制对于保证决定热串扰的峰值温度来说是重要的。在如图4B所示的I5 LML凹区的情况中，用于如图3B所示的I7 LML凹区的LML凹区纠正功率电平Pp2看来似乎不足以补偿凹区长度中的损失。第一，功率电平可能过高，因为大于写功率电平PW的1.1倍的功率电平会增加最大所需功率，此外朝向前面凹区的热串扰也看来似乎过大。因此，在本实施例中，写脉冲的长度通过0.5T的LML凹区增加周期47在物理上得到了增加，在该0.5T的LML凹区增加周期47中，功率电平降低到LML凹区增加功率电平Pp3，所述LML凹区增加功率电平Pp3通常被设定在功率电平PW的0.5到0.9倍的范围内。在这里显示的特定实施例中，它被设为写功率电平PW的0.9倍。增加信号42的脉冲长度使得能够降低标称功率，其结果是降低了对于相邻凹区的热串扰。
图5和6显示了用于写入凸区和LML凸区的相应的写信号。图5A显示了用于写入运行长度为7T的标准凸区的写信号50。如这里可见的，在底功率照射周期51的开始，将功率电平设为零，在较短的周期之后，将功率电平增加到底功率电平P0。在图5B中，显示了用于写入运行长度同样为7T的LML凸区的写信号52。同样，在初始周期53中，将功率电平设为零，之后在第一凸区写周期54中将功率电平增加到底功率电平P0。接着，在第二凸区写周期56中将功率电平再次降低到底功率电平P0之前，在LML凸区照射周期55中将功率电平增加到LML凸区功率电平P11。为了降低标称功率，并作为结果降低对于相邻凹区的热串扰，将LML凸区脉冲的脉冲长度(即底功率照射周期51)增加了附加的底功率照射周期57，在所述附加的底功率照射周期57中，将功率电平增加到LML凸区增加功率电平P13。
通常来说，LML凸区功率电平P11被设定在写功率电平PW的0.7到1.3倍的范围内。在特定实施例中，为了形成17LML凸区，将LML凸区功率电平P11设为写功率电平PW的1.1倍。LML凸区增加功率电平P13通常被设定在写功率电平PW的0.03到0.75倍的范围内。在图5B显示的实施例中，它被优选地设为写功率电平PW的0.5倍。周期55的持续时间为1.25T。
图6A和6B显示了用于形成I5凸区和15LML凸区的实施例。这里显示了用于形成I5凸区的写信号60，该写信号60除了更短的底功率照射周期61以外与图5A所示的写信号50相同。图6B显示了写信号62，该写信号62除了功率电平P11、P13和周期63-67的持续时间以外也与图5B所示的写信号52相同。在这个实施例中，LML凸区功率电平P11被设为写功率电平PW的0.9倍，LML凸区增加功率电平P13被设为写功率电平PW的0.03倍。这里，周期65的持续时间为1T。
根据本发明，使用上面参照图3-6描述的参数来控制写信号，以使得在标准运行长度调制和它相应的LML等效物之间有可接受的差。当LML凹区和凸区的调制低于未修改的凹区和凸区30％时，如果补偿电平得到了正确地优化，则LML通道中的位检测仍然十分健壮，同时可以在没有任何损耗的条件下检测到原来的主RLL通道。此外，通过调整这些参数，可以使凹区和凸区的运行长度与未修改的情况相等。最后，可以获得总体抖动的优化，即，抖动的最小化。
可以将脉冲的策略作为用于象CD-R这样的可记录光介质(的替换写策略。已知脉冲的策略需要更大的功率。然而，LML-效果的调制电平看来似乎对写功率的变化非常敏感，尤其是在使用基于如上面解释的热平衡的方法时。当使用基于脉冲的策略时，这个问题大体上得到了解决。
图7A显示了基于这种脉冲的策略用于形成I6凹区的写信号70。在写功率照射周期71中，功率电平在写功率电平PW和底功率电平P0之间切换5次，即，写信号70包含五个脉冲73用以形成I6凹区。图7显示了用于形成I6 LML凹区的相应的写信号72。所述信号72仅包含四个脉冲74、75，即，在图7A所示五个脉冲73中间的那个脉冲被遗漏。此外，在脉冲周期中，功率电平增加到更高电平，也就是，在头两个脉冲74中增加到第一LML凹区功率电平Pp11，在接下来的两个脉冲75中增加到第二LML凹区功率电平Pp12。优选地，在图7B所示的本实施例中，第一LML凹区功率电平Pp11被设为写功率电平PW的1.1倍，第二LML凹区功率电平Pp12被设为写功率电平PW的1.15倍。
虽然已经参照可记录CD(CD-R)解释了本发明，但是对于本领域的技术人员来说很明显，本发明还可应用于其他可记录或可重写的光记录介质，例如可重写CD或DVD，象DVD-R、DVD+R和DVD-RAM。此外，本发明不限于某些代码或某一运行长度限制下的代码。另外，本发明不仅可用于具有如图所示的运行长度的凹区和凸区，还可通用于其他所有运行长度。

Claims (21)

1.一种用于通过将辐射束(12)引导至光记录载体(20)的记录表面(21)上来形成凹区和凸区的光记录载体记录方法，对于每个将被记录的凹区，辐射束被设定到至少一个能够在写功率照射周期(31)内形成凹区的写功率电平(PW)，并且对于凹区之间的每个凸区，辐射束被设定到至少一个在底功率照射周期(51)内不能形成凹区的底功率电平(P0)，
其特征在于，在用于形成LML凸区的LML凸区照射周期(55)内将底功率电平(P0)临时增加到LML凸区功率电平(P11)，该LML凸区功率电平(P11)接近于写功率电平(PW)，并且在用于形成LML凹区的LML凹区照射周期(35)内将写功率电平(PW)临时降低到LML凹区功率电平(Pp1)，该LML凹区功率电平(Pp1)接近于底功率电平(P0)。
2.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凸区功率电平(P11)被设定在写功率电平(PW)的0.70到1.30倍的范围内，并且LML凹区功率电平(Pp1)被设定在写功率电平(PW)的0.05到0.50倍的范围内。
3.根据权利要求2所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凸区功率电平(P11)被设定在写功率电平(PW)的0.90到1.1倍的范围内，并且LML凹区功率电平(Pp1)被设定在写功率电平(PW)的0.1到0.40倍的范围内。
4.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凹区照射周期(35)至少主要地位于写功率照射周期(31)的后半部分中。
5.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凸区照射周期(55)至少主要地位于底功率照射周期(51)的前半部分中。
6.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，在所述写功率照射周期(31)中将写功率电平(PW)临时增加到LML凹区纠正功率电平(Pp2)，所述LML凹区纠正功率电平(Pp2)高于写功率电平(P0)。
7.根据权利要求6所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凹区纠正功率电平(Pp2)被设定在写功率电平(PW)的1.01到1.30倍的范围内。
8.根据权利要求7所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凹区纠正功率电平(Pp2)被设定在写功率电平(PW)的1.01到1.10倍的范围内。
9.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，将写功率照射周期(31)增加附加的写功率照射周期(47)，并且将写功率电平(PW)降低到LML凹区增加功率电平(Pp3)，该LML凹区增加功率电平(Pp3)高于LML凹区功率电平(Pp1)。
10.根据权利要求9所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凹区增加功率电平(Pp3)被设定在写功率电平(PW)的0.50到0.95倍的范围内。
11.根据权利要求10所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凹区增加功率电平(Pp3)被设定在写功率电平(PW)的0.80到0.90倍的范围内。
12.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，将底功率照射周期(51)增加附加的底功率照射周期(57)，并且将底功率电平(P0)增加到LML凸区增加功率电平(P13)，该LML凸区增加功率电平(P13)低于写功率电平(PW)。
13.根据权利要求12所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凸区增加功率电平(P13)被设定在写功率电平(PW)的0.03到0.70倍的范围内。
14.根据权利要求13所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凸区增加功率电平(P13)被设定在写功率电平(PW)的0.03到0.50倍的范围内。
15.根据权利要求9或12所述的光记录载体记录方法，其特征在于，附加的写功率照射周期(47)和/或附加的底功率照射周期(57)具有0.2T到0.7T的时间长度，其中T表示数据信号中的参考时钟的一个周期的时间长度。
16.根据权利要求15所述的光记录载体记录方法，其特征在于，附加的写功率照射周期(47)和/或附加的底功率照射周期(57)分别具有0.5T或0.25T的时间长度。
17.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凸区照射周期(55)和/或LML凹区照射周期(35)具有0.5T到2T的时间长度，其中T表示数据信号中的参考时钟的一个周期的时间长度。
18.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，LML凸区照射周期(55)和/或LML凹区照射周期(35)具有1T到1.25T的时间长度，其中T表示数据信号中的参考时钟的一个周期的时间长度。
19.根据权利要求1所述的光记录载体记录方法，其特征在于，为了记录凹区，将辐射束以写脉冲的形式设定到写功率电平，并且为了通过临时降低写功率电平来形成LML凹区，遗漏至少一个写脉冲。
20.根据权利要求19所述的光记录载体记录方法，其特征在于，增加剩余写脉冲的写功率电平。
21.一种用于以凹区和凸区的形式将由一个数据信号(10)表示的数据记录到光记录载体(20)的记录表面(21)上的光记录载体记录设备，通过将辐射束(12)引导至所述光记录载体(20)的记录表面(21)来记录所述凹区和凸区，该记录设备包含用于提供辐射束(12)的辐射源(13)和控制装置(15)，该控制装置(15)用于将所述数据信号(10)转换成为连接到辐射源(13)的辐射控制信号(19)，以便控制由辐射源(13)产生的辐射束(12)的功率，所述控制装置(15)操作来控制辐射束(12)的功率，使得对于每个将被记录的凹区，功率被设定到至少一个能够在写功率照射周期(31)内形成凹区的写功率电平(PW)，并且对于凹区之间的每个凸区，功率被设定到至少一个在底功率照射周期(51)内不能形成凹区的底功率电平(P0)，
其特征在于，控制装置(15)还操作来控制辐射束(12)的功率，使得在用于形成LML凸区的LML凸区照射周期(55)内将底功率电平(P0)临时增加到LML凸区功率电平(P11)，该LML凸区功率电平(P11)接近于写功率电平(PW)，并且在用于形成LML凹区的LML凹区照射周期(35)内将写功率电平(PW)临时降低到LML凹区功率电平(Pp1)，该LML凹区功率电平(Pp1)接近于底功率电平(P0)。
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