CN1296375A - 通孔填充方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种操作简单并且高效地进行通孔填充的方法,其特征在于,在对具有盲通孔的基板进行导电化处理之后,使用含有下述成分(A)~(E)的酸性铜镀浴进行电镀;(A)100~300g/L的硫酸铜;(B)30~150g/L的硫酸;(C)10~1000mg/L从聚乙二醇、聚丙二醇、普路罗尼克型表面活性剂等中选择的第一成分(聚合物成分);(D)0.1~20mg/L从磺烷基磺酸钠、双磺基有机化合物等中选择的第二成分(载体成分):(E)0.05~10mg/L从聚亚烷基亚胺、1-羟乙基-2-烷基氯化咪唑啉、金胺及其衍生物等中选择的第三成分(均化剂成分)。
Description
本发明涉及通孔填充(via filling)方法,更详细地说,涉及将金属填充到设置在印刷线路板等基板上的盲孔(blind hole)等细孔中的通孔填充方法。
最近,作为移动电话、个人计算机、电视机、游戏机等电子装置的电路安装法,可以使用组合安装法。这种组合安装法是在积层板上设置细孔[通孔(through-hole)或通孔(via-hole)],借助于在这些细孔中析出的金属来实现各个电路层之间的连接。在这些细孔中,对于作为盲(blind)细孔的通孔(via hole)(下文统称为“通孔”)来说,一般都是利用电镀通孔或填充通孔的方法来实现各层之间的连接。
其中,对那些在通孔的内侧面和底面形成了金属膜的通孔进行电镀时,难以在这些孔上淀积导体层,另外,在进行层间连接时,为了保证通电,必须增大金属膜的析出面积。另一方面,如果采用将金属填充到通孔中的通孔填充法,就能使细孔完全填满,而且,如果在通孔填充之后的通孔表面是平坦的话,就能在该平坦的孔穴上再形成孔穴,这样有利于向下定位。而通孔电镀法对绝缘体的平坦化有一定限制,因此,作为其替代的方法,一种可以将层间的细孔填满的通孔填充法的必要性正日益增高。
传统的通孔填充法有下面两种,第一种方法是使处于带有小孔的绝缘层底部的导体层活化,进而采用电镀铜的方法在其上面形成接线柱,最后通过研磨除去露出到绝缘层表面上的析出铜来使基板平滑化,第二种方法是利用化学镀铜工艺来仅仅使小孔底部的导体层活化,然后利用化学镀将金属选择地淀积在活化区上。在这两种方法中,前一种方法导致析出相当厚的铜镀层,因此存在必须对铜镀层进行研磨的问题,而后一种方法的问题是,为了获得必要厚度的铜镀层,必须花费相当长的时间。
因此,人们迫切要求开发一种操作简单、效率高的通孔填充方法,本发明的目的是提供一种符合上述要求的技术。
本发明者们针对能够高效地进行通孔填充操作的酸性铜镀浴进行了各种研究,结果发现,为了利用电镀来填满盲通孔,适宜使用硫酸铜浓度高而且硫酸浓度低的镀浴。
也就是说,过去一般在对印刷线路基板进行镀铜时使用的硫酸铜镀浴的基本组成是硫酸铜75g/L、硫酸180g/L,但是,为了将盲通孔填满,优选使用基本组成为硫酸铜225g/L、硫酸55g/L左右的装饰用铜镀浴。
然而,在按这种组成来对印刷线路基板进行电镀时,即便使用了印刷线路基板用的添加剂,所获产品的物理性能(铜镀膜的延伸率或抗拉强度)变差,而且镀层厚度的差异大,这些都是存在的问题。
进而,本发明者们为了克服由于上述组成导致物理性能劣化的缺点而进行了反复的研究,结果发现,通过调整添加剂的配合量,可以获得一种具有与常规印刷线路基板镀浴同等物理性能,而且其通孔填充性(孔穴填满性)优良的酸性铜镀浴,并且发现,通过使用这种镀浴,可以使铜优先地析出在印刷线路基板等的盲通孔中。
也就是说,本发明提供一种通孔填充方法,该方法是在对具有盲通孔的基板进行导电化处理之后,使用含有下述成分(A)~(E)的酸性铜镀浴进行电镀:
(A)100~300g/L的硫酸铜;
(B)30~150g/L的硫酸;
(C)10~1000mg/L从聚丙二醇、普路罗尼克(Pluronic)非离子型表面活性剂、Tetronic型表面活性剂、聚乙二醇·甘油醚或聚乙二醇·二烷基醚中选择的第一成分;
(D)0.1~20mg/L从磺烷基磺酸钠、双磺基有机化合物和二硫代氨基甲酸衍生物中选择的第二成分;
(E)0.05~10mg/L从聚亚烷基亚胺、1-羟乙基-2-烷基氯化咪唑啉、金胺及其衍生物、甲基紫及其衍生物、结晶紫及其衍生物和烟鲁黑(Janus black)及其衍生物中选择的第三成分。
为了实施本发明,必须首先对具有盲通孔的基板进行导电化处理。
作为本发明的通孔填充方法对象的基板,可以举出那些具有孔径50~200μm左右、深(树脂层厚度)30~100μm左右的盲通孔的印刷线路基板等的基板,作为具体基板的例子,可以举出那些可让IC裸露端(bare tip)直接插装的组装式基板等。在该基板上,除了有通孔(via-hole)之外,也可以混杂有通孔(through-hole),另外,也可以存在沟槽。
对该基板的导电化处理可以按常规的方法例如化学镀金属法或溅射法来进行。
接着对经过导电化处理的基板使用含有上述成分(A)~(E)的酸性铜镀液进行镀铜。在这种酸性铜镀浴的组成中,作为成分(A)的硫酸铜的浓度适宜为100~300g/L,优选为180~250g/L。另一方面,作为成分(B)的硫酸的浓度适宜为30~150g/L,优选为40~80g/L。所说成分(A)和成分(B)的含量与传统装饰用硫酸铜镀浴中的相应含量相同。另外,除了上述成分(A)和成分(B)之外,优选还存在氯离子,其浓度按氯浓度计优选为20~100mg/L,特别优选为40~80mg/L。
另外,作为成分(C)的第一成分,一般也称为聚合物成分,作为其具体例子,可以举出下面的聚合物。
(1)由下面式(Ⅰ)表示的聚丙二醇
HO-(C3H6O)n1-H (Ⅰ)
(式中,n1表示1~20的数)
(2)下面式(Ⅱ)表示的普路罗尼克(pluronic)非离子型表面活性剂
HO-(C2H4O)12-(C3H6O)m2-(C2H4O)n2-H (Ⅱ)
(式中,n2和l2表示1~30的数,m2表示10~100的数)
(式中,n3表示1~200的数,m3表示1~40的数)
(式中,n4、m4和l4各自表示1~200的数)
(5)由下面式(Ⅴ)表示的聚乙二醇·二烷基醚
R1O-(C2H4O)n5-OR2 (Ⅴ)
(式中,R1和R2表示氢原子或碳原子数1~5的低级烷基,n5表示2~200的数)
上述的成分(C),可以使用其中的任一种,或将其中任意几种混合使用,作为其浓度,适宜为10~1000mg/L左右,优选为50~300mg/L左右。
另外,作为成分(D)的第二成分,一般也称为载体成分,作为其具体例子,可以举出下面的化合物。
(1)由下面式(Ⅵ)表示的磺烷基磺酸盐
HS-L1-SO3M1 (Ⅵ)
(式中,L1表示碳原子数1~18的饱和或不饱和的亚烷基,M1表示碱金属)
(2)由下面式(Ⅶ)表示的双磺基有机化合物
X1-L2SSL3-Y1 (Ⅶ)
(式中,L2或L3表示碳原子数1~18的饱和或不饱和的亚烷基,X1和Y1表示硫酸盐残基或磷酸盐残基)
(式中,R3和R4表示氢原子或碳原子数1~3的低级烷基,L4表示碳原子数3~6的亚烷基,X2表示硫酸盐残基或磷酸盐残基)
上述的成分(D)也可以使用其中的任一种,或将其中任意几种混合使用,作为其浓度,适宜为0.1~20mg/L左右,优选为0.5~5mg/L左右。
另外,作为成分(E)的第3成分,一般是被称为均化剂(leveller)的成分,作为其具体例,可以举出下面的化合物。
(式中,L5、L6和L7表示碳原子数1~3的低级亚烷基,n6和m5表示1~200的数)
(式中,R5表示碳原子数14~20的饱和或不饱和的烷基,X3表示卤素原子)
(式中,R10、R11、R12、R13、R14和R15表示氢原子或碳原子数1~3的低级烷基,X4表示卤素原子)
(式中,R16和R17表示低级烷基,R18表示羟基、氨基、羟苯基或羟苯重氮基,X5表示卤素原子)
上述的成分(E)也可以使用其中的任一种,或将其中任意几种混合使用,作为其浓度,适宜为0.05~10mg/L左右,优选为0.1~2mg/L左右。
在使用以上的酸性铜镀液进行镀铜时,只要按照常规的硫酸铜电镀条件,利用直流或PR电流进行电解即可。也就是说,浴温可以是23~27℃左右,电流密度可以是1~3A/dm2左右。另外,在一般情况下,优选采用鼓泡法进行搅拌。
在按照以上说明的本发明方法进行操作时,为了完全填满盲通孔所需的时间随通孔的直径及其深度的不同而异,例如,为要完全填满一个直径100μm、深50μm的孔穴,在2.0A/dm2电流密度的条件下只需电镀60分钟左右即可,这时在表面上(通孔以外的部分)的镀层厚度为20μm左右。
下面举出实施例来详细地描述本发明,但本发明不受这些实施例的任何限制。
实施例1
如图1所示,在一块粘贴铜箔的环氧树脂印刷线路基板上形成一种直径100μm、深60μm的盲通孔。首先对该印刷线路基板进行化学镀铜,以使得在通孔的内壁及基板的表面上析出0.5μm的铜层(以下称为“导电化处理”)。在进行该化学镀铜操作时使用Riser thoronprocess(ライザトロンプロセス)(荏原ユ-ジライト社制)。
然后对该经过导电化处理并具有盲通孔的印刷线路基板,分别利用下述3种镀浴,以2A/dm2的阴极电流密度进行硫酸铜电镀。在这时使用的比较浴1是在装饰用硫酸铜镀浴的组成中添加入一般作为印刷电路基板用硫酸铜镀浴的添加剂使用的物质而形成的。
在开始电镀的45分钟、60分钟和75分钟后,利用显微镜来调查在表面上的铜镀层厚度和孔穴被铜填满的比例。所获结果示于表1中。
应予说明,孔穴被铜填满的比例(孔穴填满比例)可以按下述方法求得,也就是首先按图2所示测定穴内的电镀层厚度(a)以及从穴底至表面的厚度(b),然后用(b)除(a)来求出其百分比,以此作为孔穴填满比例。
(硫酸铜镀浴组成)
本发明浴1
硫酸铜 225g/L
硫酸 55g/L
氯离子 60mg/L
普路罗尼克L64* 100mg/L
金胺** 2mg/L
SPS+ 5mg/L
*旭电化公司制
**在化合物(Ⅺ)中,R6=R7=R8=R9=CH3
+在化合物(Ⅶ)中,L2=L3=C3H6,X1=Y1=-SO3H
本发明浴2
硫酸铜 100g/L
硫酸 150g/L
氯离子 60mg/L
普路罗尼克L64* 100mg/L
金胺** 2mg/L
SPS+ 5mg/L
*、**、+的定义同上
比较浴1
硫酸铜 225g/L
硫酸 55g/L
氯离子 60mg/L
cubright(キユ一ブライト)TH** 5mg/L
++荏原ユ一ジライト株式会社制(结果)[表1]
电镀时间(分) | 表面镀层厚度(μm) | 孔穴填满比例(%) | ||
本发明浴1 | 本发明浴2 | 比较浴1 | ||
456075 | 152025 | 85100100 | 7090100 | 202530 |
从以上结果可以看出,当以过去一般作为硫酸铜镀浴使用的比较浴1进行镀铜时,盲通孔内的镀层厚度与表面的镀层厚度相等或稍薄一些,但是当使用本发明浴进行镀铜时,表面镀层厚度为20~25μm,而对于深度为60μm的孔穴则有可能被铜填满。
实施例2
除了使用下述的本发明浴3和改变盲通孔的孔径之外,其余与实施例1同样地进行,并调查其孔穴填满情况。结果示于表2中。(硫酸铜镀浴组成)
本发明浴3
硫酸铜 225g/L
硫酸 55g/L
氯离子 60mg/L
Tetronic TR704* 200mg/L
烟鲁黑** 1mg/L
MPS+ 0.5mg/L
*旭电化工业公司制
**在化合物(ⅩⅢ)中,R16=R17=C2H5,
R18=羟苯基重氮基,X5=Cl-
+在化合物(Ⅵ)中,L1=C3H6、M1=Na(结果)[表2]
电镀时间(分) | 表面镀层厚度(μm) | 孔穴填满比例(%) | ||||
200μm穴 | 100μm穴 | 80μm穴 | 60μm穴 | 50μm穴 | ||
456075 | 152025 | 859095 | 90100100 | 90100100 | 8595100 | 708090 |
从以上结果可以看出,当孔深为60μm时,直径为80~100μm(深宽比1.0~0.8)的孔穴具有最高效率的孔穴填满性,当孔穴的直径大于或小于上述范围时,其孔穴填满性皆降低。
实施例3
对于印刷线路板用的镀铜工艺来说,析出铜膜的物理性能是很重要的,因此在本实施例中把使用本发明镀浴获得的铜膜的物理性能与使用通常的印刷基板用浴(比较浴2)和装饰用浴(比较浴3)获得的铜膜的物理性能进行了比较。比较时,使用各种不同的镀浴在不锈钢板上电镀成50μm厚的铜膜,然后将镀膜从不锈钢板上剥离,并将该铜膜制成宽10mm带状的试验片,用一台拉伸试验机测定这些试验片的延伸率和抗拉强度。结果示于表3中。(硫酸铜镀浴组成)
本发明浴1
硫酸铜 225g/L
硫酸 55g/L
氯离子 60mg/L
普路罗尼克L64* 100mg/L
聚乙二醇二烷基醚** 100mg/L
金胺+ 2mg/L
SPS++ 5mg/L
*旭电化社制
**在化合物(Ⅴ)中,R1=R2=C3H7,
+在化合物(Ⅺ)中,R6=R7=R8=R9=CH3
++在化合物(Ⅶ)中,L2=L3=C3H6,X1=Y1=-SO3H
比较浴2(印刷线路基板用浴)
硫酸铜 75g/L
硫酸 180g/L
氯离子 60mg/L
cubright(キユ一ブライト)TH# 5ml/L
#荏原ユ一ジライト社制
比较浴3(装饰用浴)
硫酸铜 225g/L
硫酸 55g/L
氯离子 60mg/L
聚乙二醇4000 100mg/L
SPS++ 1mg/L
硫脲 0.1mg/L
烟鲁绿##(Janus green) 0.1mg/L
**与本发明浴1相同
##和光化药工业社制(结果)[表3]
镀浴 | 延伸率(%) | 抗拉强度(kg/mm2) |
本发明浴1比较浴2比较浴3 | 19206 | 282725 |
根据以上结果可以确认,使用本发明浴获得的铜膜具有与使用常规印刷电路基板用镀浴获得的铜膜同等优良的物理性能。
另一方面,在向具有与本发明浴相等铜浓度和硫酸浓度的装饰浴组成中加入以往传统的添加剂的情况下(比较例3),虽然在孔穴填满性方面具有相应的效果,但是所获铜膜的物理性能不好,因此作为印刷线路基板等基板使用时的实用性很低。因此,适合于通孔填充操作的镀浴与添加剂成分的组合也有很大关系。
实施例4
由于在图案基板(pattern board)上设置有许多盲通孔,因此试验了图案基板上的沟槽(电线沟)是否也能够与通孔同样地被析出的铜填满。试验时,使用本发明浴1(实施例1、实施例3)和比较浴2(实施例3)对一块如图3所示那样具有宽50μm、深(保护膜厚度)50μm的电线沟槽的图案基板进行电镀处理,试验在电镀时析出的铜是否能够达到与周围的保护膜同样的高度。
在该试验中,保护膜的壁是绝缘的,并且没有对其进行诸如化学镀铜之类的导电化处理,因此它的情况与对孔穴的填充情况有根本区别。也就是说,在孔穴填充时,孔穴的壁面也进行了导电化处理,因此在孔穴的全部面积上都有电解铜析出,但是,在对图案基板进行电镀时,只在沟槽底部的铜表面上有电解铜析出。
(结果)
按照2A/dm2的阴极电流密度,利用各种镀浴进行预定时间的硫酸铜电镀,测定在不同时间形成的表面铜镀层厚度和沟槽被铜填满的比例,将所获结果示于表4中。
[表4]
电镀时间(分) | 表面镀层厚度(μm) | 沟槽填满比例(%) | |
本发明浴1 | 比较浴2 | ||
45607590 | 15202530 | 708095100 | 30405060 |
由以上结果可以看出,使用印刷线路基板用的镀浴来电镀铜时,在电线沟槽内的镀层厚度只与表面的镀层厚度相同或者稍薄一些,但是如果使用本发明浴来电镀铜,则在表面镀层达到30μm时,就能使深度为50μm的沟槽完全被铜填满。
对附图的简单说明
图1是表示在实施例1中使用的印刷线路基板的盲通孔的示意图。
图2是表示用于求出孔穴填满比例的测定方法的示意图。
图3是表示在实施例4中使用的基板上存在的保护膜之间的沟槽的示意图。
Claims (3)
1.一种通孔填充方法,其特征在于,
在对具有盲通孔的基板进行导电化处理之后,使用含有下述成分(A)~(E)的酸性铜镀浴进行电镀:
(A)100~300g/L的硫酸铜;
(B)30~150g/L的硫酸;
(C)10~1000mg/L从聚丙二醇、普路罗尼克非离子型表面活性剂、Tetronic型表面活性剂、聚乙二醇·甘油醚或聚乙二醇·二烷基醚中选择的第一成分;
(D)0.1~20mg/L从磺烷基磺酸钠、双磺基有机化合物和二硫代氨基甲酸衍生物中选择的第二成分;
(E)0.05~10mg/L从聚亚烷基亚胺、1-羟乙基-2-烷基氯化咪唑啉、金胺及其衍生物、甲基紫及其衍生物、结晶紫及其衍生物和烟鲁黑及其衍生物中选择的第三成分。
2.如权利要求1所述的通孔填充方法,其中的导电化处理通过化学镀或溅射法进行。
3.如权利要求1所述的通孔填充方法,在所说酸性铜镀浴中的氯浓度为20~100mg/L。
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB001338897A Expired - Lifetime CN1202697C (zh) | 1999-11-12 | 2000-11-09 | 通孔填充方法 |
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---|---|
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Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101925265A (zh) * | 2009-04-03 | 2010-12-22 | 公立大学法人大阪府立大学 | 铜填充方法 |
CN101453837B (zh) * | 2007-11-28 | 2011-03-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种印刷电路板的孔导电化方法 |
CN102071443A (zh) * | 2009-10-15 | 2011-05-25 | 上村工业株式会社 | 铜电解镀覆浴和电解镀覆铜的方法 |
CN102883523A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-16 | 广东易事特电源股份有限公司 | 一种具有增强铜箔电流承载能力的pcb板 |
CN103572334A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-12 | 东莞市富默克化工有限公司 | 一种pcb通孔盲孔电镀铜溶液及其制备方法和电镀方法 |
CN104562102A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 苏州福莱盈电子有限公司 | 一种高深度盲孔电镀铜溶液 |
CN105132977A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-12-09 | 广东东硕科技有限公司 | 一种用于线路板制造的调整液及其制备方法 |
CN105392288A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-09 | 江门崇达电路技术有限公司 | 一种pcb上金属化盲孔的制作方法 |
CN105917032A (zh) * | 2013-11-25 | 2016-08-31 | 乐思股份有限公司 | 铜的电沉积 |
CN106132116A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-11-16 | 广州美维电子有限公司 | 一种线路板盲孔填铜工艺 |
CN106245073A (zh) * | 2010-05-19 | 2016-12-21 | 诺发***有限公司 | 用金属电化学填充高纵横比的大型凹入特征的方法、水溶液电镀槽溶液、电镀设备以及*** |
CN109972180A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-05 | 博敏电子股份有限公司 | 2,2'-二硫代二吡啶的新用途及采用其的电镀填孔添加剂及采用该添加剂的电镀方法 |
TWI677269B (zh) * | 2018-08-31 | 2019-11-11 | 健鼎科技股份有限公司 | 電路板結構的孔內電鍍方法 |
CN111295468A (zh) * | 2017-11-09 | 2020-06-16 | 安美特德国有限公司 | 用于电解铜沉积的电镀组合物、其用途以及在基材的至少一个表面上电解沉积铜或铜合金层的方法 |
CN112030199A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-12-04 | 江苏艾森半导体材料股份有限公司 | 一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及电镀液 |
WO2021128417A1 (zh) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 江苏赛夫特半导体材料检测技术有限公司 | 一种半导体用镀铜添加剂 |
CN115418686A (zh) * | 2022-11-07 | 2022-12-02 | 深圳创智芯联科技股份有限公司 | 一种玻璃基板的通孔高深度电镀铜液及其电镀铜工艺 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6776893B1 (en) * | 2000-11-20 | 2004-08-17 | Enthone Inc. | Electroplating chemistry for the CU filling of submicron features of VLSI/ULSI interconnect |
US20050081744A1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-04-21 | Semitool, Inc. | Electroplating compositions and methods for electroplating |
US6800188B2 (en) * | 2001-05-09 | 2004-10-05 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Copper plating bath and plating method for substrate using the copper plating bath |
JP2003105584A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-04-09 | Electroplating Eng Of Japan Co | 微細配線埋め込み用銅メッキ液及びそれを用いた銅メッキ方法 |
US6736954B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
KR100417335B1 (ko) * | 2002-03-04 | 2004-02-05 | 삼성전기주식회사 | 비아 홀 충전용 산성 동도금 첨가제 조성물 및 이를이용한 비아 홀 충전방법 |
US20050072683A1 (en) * | 2003-04-03 | 2005-04-07 | Ebara Corporation | Copper plating bath and plating method |
US7384531B1 (en) | 2004-02-19 | 2008-06-10 | Hutchinson Technology Incorporated | Plated ground features for integrated lead suspensions |
JP4499502B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2010-07-07 | 荏原ユージライト株式会社 | めっき用レベリング剤、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、酸性銅めっき浴および該めっき浴を用いるめっき方法 |
TW200632147A (zh) * | 2004-11-12 | 2006-09-16 | ||
US20060204685A1 (en) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Eastman Kodak Company | Inkjet media comprising mixture of fusible reactive polymer particles |
US20060213780A1 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Electroplating composition and method |
JP4816901B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2011-11-16 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴 |
US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
GB2436169A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-19 | Garry Myatt | Creation of copper filled blind vias using laser ablation in a double sided PCB |
JP4850595B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2012-01-11 | 株式会社Adeka | 電解銅メッキ浴及び電解銅メッキ方法 |
JP5145661B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2013-02-20 | 株式会社トッパンNecサーキットソリューションズ | 印刷配線板の製造方法及びめっき装置 |
US7875804B1 (en) | 2006-09-27 | 2011-01-25 | Hutchinson Technology Incorporated | Plated ground features for integrated lead suspensions |
EP2161355A4 (en) | 2007-05-21 | 2012-01-25 | Uyemura C & Co Ltd | ELECTROLYTIC COPPER BATH |
TWI341554B (en) * | 2007-08-02 | 2011-05-01 | Enthone | Copper metallization of through silicon via |
US7905994B2 (en) * | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
US20090188553A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Emat Technology, Llc | Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures |
JP2010171170A (ja) * | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Hitachi Cable Ltd | 銅回路配線基板およびその製造方法 |
US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
US8262895B2 (en) * | 2010-03-15 | 2012-09-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
US8268157B2 (en) * | 2010-03-15 | 2012-09-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
US20110220512A1 (en) | 2010-03-15 | 2011-09-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating bath and method |
JP5505153B2 (ja) * | 2010-07-16 | 2014-05-28 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
JP5580135B2 (ja) * | 2010-08-03 | 2014-08-27 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板の製造方法及びプリント配線板 |
JP6031319B2 (ja) * | 2012-10-04 | 2016-11-24 | ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 | 電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
JP6290666B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-03-07 | 京セラ株式会社 | 多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法 |
JP6457881B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2019-01-23 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2053860C3 (de) * | 1970-10-29 | 1980-11-06 | Schering Ag | Saures wäßriges Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender Kupferüberzüge |
US4038161A (en) * | 1976-03-05 | 1977-07-26 | R. O. Hull & Company, Inc. | Acid copper plating and additive composition therefor |
US4316778A (en) * | 1980-09-24 | 1982-02-23 | Rca Corporation | Method for the manufacture of recording substrates for capacitance electronic discs |
US4576685A (en) * | 1985-04-23 | 1986-03-18 | Schering Ag | Process and apparatus for plating onto articles |
US4781801A (en) * | 1987-02-03 | 1988-11-01 | Mcgean-Rohco, Inc. | Method of copper plating gravure rolls |
US4786746A (en) * | 1987-09-18 | 1988-11-22 | Pennsylvania Research Corporation | Copper electroplating solutions and methods of making and using them |
US5460848A (en) * | 1994-04-07 | 1995-10-24 | Madison Chemical Co., Inc. | Composition and process for mechanical plating of nickel-containing coatings on metal substrates |
-
2000
- 2000-10-23 KR KR1020000062208A patent/KR100659544B1/ko active IP Right Grant
- 2000-10-24 TW TW089122361A patent/TW507506B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-11-09 CN CNB001338897A patent/CN1202697C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-10 JP JP2000342784A patent/JP4472157B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-13 US US09/709,331 patent/US6518182B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101453837B (zh) * | 2007-11-28 | 2011-03-30 | 比亚迪股份有限公司 | 一种印刷电路板的孔导电化方法 |
CN101925265A (zh) * | 2009-04-03 | 2010-12-22 | 公立大学法人大阪府立大学 | 铜填充方法 |
CN102071443A (zh) * | 2009-10-15 | 2011-05-25 | 上村工业株式会社 | 铜电解镀覆浴和电解镀覆铜的方法 |
CN102071443B (zh) * | 2009-10-15 | 2016-03-02 | 上村工业株式会社 | 铜电解镀覆浴和电解镀覆铜的方法 |
CN106245073A (zh) * | 2010-05-19 | 2016-12-21 | 诺发***有限公司 | 用金属电化学填充高纵横比的大型凹入特征的方法、水溶液电镀槽溶液、电镀设备以及*** |
CN102883523A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-16 | 广东易事特电源股份有限公司 | 一种具有增强铜箔电流承载能力的pcb板 |
CN102883523B (zh) * | 2012-09-27 | 2016-05-04 | 广东易事特电源股份有限公司 | 一种具有增强铜箔电流承载能力的pcb板 |
CN103572334B (zh) * | 2013-11-20 | 2016-06-22 | 东莞市富默克化工有限公司 | 一种pcb通孔盲孔电镀铜溶液及其制备方法和电镀方法 |
CN103572334A (zh) * | 2013-11-20 | 2014-02-12 | 东莞市富默克化工有限公司 | 一种pcb通孔盲孔电镀铜溶液及其制备方法和电镀方法 |
CN105917032A (zh) * | 2013-11-25 | 2016-08-31 | 乐思股份有限公司 | 铜的电沉积 |
CN104562102A (zh) * | 2014-12-31 | 2015-04-29 | 苏州福莱盈电子有限公司 | 一种高深度盲孔电镀铜溶液 |
CN105132977A (zh) * | 2015-08-31 | 2015-12-09 | 广东东硕科技有限公司 | 一种用于线路板制造的调整液及其制备方法 |
CN105132977B (zh) * | 2015-08-31 | 2017-12-29 | 广东东硕科技有限公司 | 一种用于线路板制造的调整液及其制备方法 |
CN105392288A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-09 | 江门崇达电路技术有限公司 | 一种pcb上金属化盲孔的制作方法 |
CN106132116A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-11-16 | 广州美维电子有限公司 | 一种线路板盲孔填铜工艺 |
CN111295468A (zh) * | 2017-11-09 | 2020-06-16 | 安美特德国有限公司 | 用于电解铜沉积的电镀组合物、其用途以及在基材的至少一个表面上电解沉积铜或铜合金层的方法 |
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