CN1286898C - 弹性体成型品 - Google Patents

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Abstract

本发明提供在大于等于275℃的高温下耐用并且耐高密度等离子体的含氟弹性体成型品，其是利用耐热***联剂将交联性含氟弹性体组合物交联后得到的交联的含氟弹性体成型品，所述交联性含氟弹性体组合物是将一次平均粒径小于等于5μm的α型氧化铝或氮化铝等无机填料，混合在具有CN基和COOH基等全氟弹性体等的含氟弹性体成分中形成的。

Description

弹性体成型品
技术领域
本发明涉及含氟弹性体成型品，其维持了加工性(橡胶练性)和交联性，并具有良好的密封性以及可以抑制在超过275℃的高温使用，尤其是高温连续使用或临时高温使用时由热导致的恶化，并且耐高密度等离子体性优异。
背景技术
在半导体制造领域中，最重要的课题之一是避免在其制造工序中混入称为微粒的微粒状杂质。对于例如半导体制造装置的密封中使用的O-环等密封材料，也存在同样的课题。此处，构成密封材料的弹性体成型品上结合的填料使用超微粒(一次平均粒径为0.005～0.05μm)时，即使通过如等离子体照射等处理使填料从密封材料向外部飞散时，也不会发生因填料比形成于半导体上的微细图案的线间距离(通常大于等于0.2μm)小而埋在线间发生接线，因此，对填料的微粒化进行了研究。
另外，与常用的碳黑相比，在半导体制造装置的领域中，因为氧化铝填料具有良好的耐等离子体性(等离子体照射环境下较少发生重量减少和产生微粒的性质)，而开始使用氧化铝填料(例如WO 01/32782号小册子)。
除上述问题之外，最近，在使用装置进行半导体制造中需要在230～300℃的高温进行加工处理。作为有助于如此高温的耐热性的弹性体成型品，公开的有交联用弹性体组合物(特开2000-290454公报)，该组合物中混合了经硅烷偶联剂等硅烷类化合物进行表面处理后的氧化铝等无机填料。根据特开2000-290454公报，成型加工性可以得到改善，但没有关于粒径的记载，并且也没有用途的记载。表面处理中使用的硅烷类化合物，作为杂质最终成为了污染的原因。
另外，特表2000-502122公报公开了以二氧化钛或氧化铝等为填料的组合物，但是没有记载所使用的填料的粒径，其课题也不在于防止产生微粒。而且，由于二氧化钛为必需成分，所以存在成型品因等离子体照射而减少的重量变多的问题。
另外，WO 01/32782号小册子中记载了混合有微粒状(一次平均粒径为0.005～0.05μm)无机填料的交联用弹性体组合物，但是没有对275℃或高于275℃的耐热性的特性进行评价。
一般，在交联用的弹性体组合物中，所混合的无机填料的粒径越小其表面活性越强，高温下使用时，会使弹性体恶化。所以，WO 01/32782号小册子中记载的交联用弹性体组合物，在275℃或高于275℃的高温环境下，弹性体开始恶化，压缩永久变形等变大，密封能力下降(参阅下述比较例1～4)。
此外，特开平1-118560号公报中记载了在弹性体中混合平均粒径为0.1～10μm的氧化铝填料，但是弹性体交联时，使用的是不含氟原子的交联剂(TAIC)的过氧化物交联体系，不以耐热性为目的，所以也不能得到耐热性弹性体成型品。
另外，特开2000-154369号公报中提出了作为硫化剂使用可以提高耐热性的硫化剂，泛泛记载了混合粒径为0.1～30μm的金属氧化物填料的目的，但具体使用的是大于等于10μm的金属氧化物填料，而没有教导因填料的种类不同，弹性成型品的耐热性会发生变化，当然也没有提示是否具有优异的耐热性。
另外，这些文献中，没有指出无机填料会给耐高密度等离子体性造成什么样的影响，以及什么样的填料有助于提供兼具耐等离子体性和耐热性的弹性体成型品。
另外，杜邦橡胶(エラストマ一)日本(株)生产的Kalrez(氟醚橡胶)8475、Kalrez8575(都是商品名)，作为耐热性特别优异的密封材料已为人们所知，但是在下述本发明的恶劣的等离子体照射条件下，由NF3等离子体照射导致的重量减少方面，Kalrez8475为5.83重量％，Kalrez8575为3.52重量％，其不能满足更高的耐等离子体特性的要求。
发明内容
本发明的目的是得到即使在高温下使用也不会发生由热导致的恶化，即使受到高密度的等离子体照射，也不会恶化的成型品。
本发明涉及弹性体成型品，其是将交联性的含氟弹性体组合物交联后得到的交联的含氟弹性体成型品，所述交联性的含氟弹性体组合物相对于100重量份的含氟弹性体成分含有0.5～100重量份的一次平均粒径小于等于5μm的无机填料，对于所述含氟弹性体成型品，在如下条件(1)下，其压缩永久变形小于等于50％，优选小于等于40％，更优选小于等于30％，并且在如下条件(2)下其在受到NF3等离子体照射时减少的重量小于等于3％，优选小于等于2％。
条件(1)：
样品：O-环(AS-568A-214)
测定条件：依据JIS K6262-1997测定在275℃、70小时后的压缩永久变形
条件(2)：
样品：O-环(AS-568A-214)
测定装置：ICP高密度等离子体装置
当氧气量为2.704×10-2Pa m3/s、RF输出为800W、压力为1.33Pa时，该装置获得如下参数。
(参数)
电子温度Te：4.54eV
电子密度Ne：5.81×1010cm-3
离子浓度Ni：1.14×1011cm-3
饱和离子电流Ii：2.87mAcm-2
等离子体电位Vp：27.76V
浮点电位Vf：11.42V
测定条件：
NF3流量：2.704×10-2Pa m3/s
压力：1.33Pa
RF输出：800W
照射时间：30分钟
频率：13.56MHz
作为交联体系，优选仅使用非氟类交联剂的过氧化物交联体系以外的耐热交联体系。
作为无机填料，优选至少包含一种含铝的无机填料、仅包含含铝的无机填料、至少包含一种实质上仅含有铝作为金属原子的无机填料、或仅包含实质上仅含有铝作为金属原子的无机填料。
作为无机填料，特别优选氧化铝填料、氮化铝填料或氟化铝填料。
作为氧化铝填料中较优选的氧化铝填料，可举出通过X射线晶体结构衍射法测定的衍射图中出现的依强度从大到小的顺序选定的6个峰(以下称为“主峰”)，都是来自于氧化铝α型晶体结构的峰的氧化铝填料；尤其是通过X射线晶体结构衍射法测定的衍射图中出现的全部峰，实质上都仅是来自于氧化铝α型晶体结构的峰的氧化铝填料。
无机填料的一次平均粒径优选小于等于1.0μm，更优选小于等于0.2μm。
作为含氟弹性体，优选具有交联性基团的全氟弹性体，特别优选其含有来源于具有2～3个碳原子的全氟烯烃的结构单元、来源于全氟乙烯基醚的结构单元和来源于可形成交联性基团的单体的结构单元。
作为含氟弹性体的交联性基团，优选CN基和/或COOH基。
作为交联用含氟弹性体进行交联时使用的交联剂，优选如下述式1、式2、式3、式4和/或式5所示的化合物，
式1：
Figure C0282520800081
(式1中，R1是-SO2-、-O-、-C(＝O)-、
Figure C0282520800091
具有1～10个碳原子的亚烷基、具有1～10个碳原子的全氟亚烷基或单键电子；X1相同或不同，是-OH、-NH2、-SH、-NHR或-NHAr，其中-NHR中的R是具有1～6个碳原子的直链或支链的取代或未取代的烷基，-NHAr中的Ar是取代或未取代的苯基或萘基)；
式2：
(式2中，R2是直链或支链的取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚芳基、
Figure C0282520800093
其中R3是-SO2-、-O-、-C(＝O)-、或单键电子)；
式3：
(式3中，m是1～10的整数)；
式4：
Figure C0282520800096
(式4中，X2相同或不同，是H或NH2，p表示1～10的整数)；
式5：
Figure C0282520800101
(式5中，X3相同或不同，是H或NH2，Y相同或不同，是H或OH)；
特别优选所述式1中R1为 的化合物。
另外，作为交联促进剂，也可以含有有机锡化合物。
本发明的弹性体成型品当用于半导体的制造装置的密封时特别有效。
附图说明
图1是本发明实施例1和比较例6中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图2是本发明实施例2中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图3是本发明实施例3中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图4是本发明实施例4中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图5是本发明比较例1中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图6是本发明比较例2中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图7是本发明比较例3中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图8是本发明比较例4中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
图9是本发明比较例5中使用的氧化铝填料的X射线晶体结构衍射图。
具体实施方式
本发明的弹性体成型品是将交联性含氟弹性体组合物交联后得到的，所述交联性含氟弹性体组合物是由具有特定的一次平均粒径的无机填料与具有交联性基团的含氟弹性体以特定比例混合形成的，所述含氟弹性体成型品由在高温(275℃)下的压缩永久变形小于等于50％并且在NF3等离子体照射时减少的重量小于等于3％的物理特性限定。
作为所使用的无机填料，可举出例如二氧化钛、氧化硅、氧化铝、氧化锌等金属氧化物填料；硫酸钡、硫酸铝等硫酸盐填料；碳酸钡等碳酸盐填料；氢氧化铝等金属氢氧化物填料；氮化铝、氮化硅等氮化物填料；氟化铝、氟化钙等氟化物填料；硅酸铝、硅酸钙等硅酸盐填料；磷酸钙、磷酸铝等磷酸盐填料；硼酸铝等硼酸盐填料；碳化硅、碳化铝、碳化钙等碳化物填料等，其中，从耐高密度等离子体性优异的角度考虑，优选仅含有铝作为金属原子的无机填料。对仅含有铝作为金属原子的无机填料进行举例，可举出三氢化铝、氧化铝、硫化铝、亚硫酸铝、硫酸铝、连二硫酸铝、氨基磺酸铝、硒化铝、***铝、硒酸铝、碲化铝、亚碲酸铝、碲酸铝、氟化铝、氯化铝、氯酸铝、高氯酸铝、碘化铝、氮化铝、硝酸铝、磷化铝、次亚磷酸二氢铝、亚磷酸氢铝、次磷酸铝、正磷酸铝、磷酸氢铝、磷酸三氢铝、焦磷酸铝、焦磷酸氢铝、偏磷酸铝、硫代亚磷酸铝、硫代次磷酸铝、砷化铝、亚砷酸铝、正砷酸铝、焦砷酸铝、六氟化铝铵、硫酸铝铵、硒酸铝铵、硫酸铝肼、氟化铝肼或它们的水合物。在不损害本发明目的的范围内，这些无机填料可以合用2种或2种以上，也可以将1种或1种以上不含有铝作为金属原子的无机填料合用，还可以将1种或1种以上含有铝和至少一种其他金属原子的无机填料合用。
在不损害本发明目的的范围内，可以使用含有铝和至少一种其他金属原子的无机填料。对含有铝和至少一种其他金属原子的无机填料举例，可举出锑化铝、铋酸铝、溴化铋铝、氢化铝锂、铝酸锂、铝酸氢锂、氮化铝锂、六氟化铝三锂、氢化铝钠、铝酸钠、铝钠酰胺、六氟化铝三钠、氯化铝钠、硫酸铝钠、铝酸钾、铝钾酰胺、六氟化铝三钾、氯化铝钾、硫酸铝钾、硒酸铝钾、硫酸铝铷、六氟化铝铷、六氟化铝铯、硫酸铝铜、硫酸铝银、铝酸铍、氢化铝镁、铝酸镁、硫酸铝镁、铝酸钙、铝酸锶、铝酸钡、铝酸锌、硫酸铝锌、铝酸镉、沸石或者它们的水合物。
在不损害本发明目的的范围内，这些无机填料可以合用2种或2种以上，也可以合用1种或1种以上不含有铝的无机填料。
对于微粒型的无机填料，一般认为，因其为微粒，所以与粒径大的颗粒相比，其表面活性高，例如各种催化活性、吸附活性等，如果成为微粒，会损害弹性体自身的耐热性，而使其改性。的确，大多数无机填料出现了这种现象，但是本发明人等发现，氧化铝填料，特别是通过X射线晶体结构衍射法测定时衍射图中出现的主要峰全都是来自于氧化铝的α型晶体结构的峰的氧化铝填料，意外地没有出现由表面活性引起的恶化现象。氧化铝的晶型有α型、γ型、δ型、θ型等，但是只有使用α型氧化铝才会有这种现象。
尤其是用X射线晶体结构衍射法测定时衍射图中出现的峰实质上都仅是来自于氧化铝α型晶体结构的峰的氧化铝填料中，这种特殊现象显著。此处所说的“实质上都仅是来自于氧化铝α型晶体结构的峰”，是指不能明确地观察到来自于氧化铝其他晶型的峰。
在用X射线晶体结构衍射法测定时衍射图中出现的氧化铝α型晶体的峰，在衍射角为35度、43度和57度处观察到锐峰形式的主峰，在衍射角为25度、37度、52度、66度、68度处观察到小峰(下述的图1、2、9)。作为“主峰”为α型晶体的例子，可举出例如下述图3和图4。另一方面，其他晶型的峰小并且宽(下述图5～8)，可与α型明显区分。
另一方面，本发明人等还发现氮化铝填料也不会发生由表面活性引起的恶化现象。
以氧化铝为代表的无机填料的一次平均粒径为小于等于5μm，优选小于等于1.0μm，更优选小于等于0.2μm。
所述填料用于半导体制造装置用途的弹性体成型品时，从减小产生所谓微粒的角度考虑，优选粒径小的填料。下限是可物理、化学制造或可粉碎的范围，通常为0.001μm。
作为本发明弹性体成分的含氟弹性体，优选具有交联性基团的全氟弹性体，从成型品的机械强度优异的角度出发，特别优选其含有来源于具有2～3个碳原子的全氟烯烃的结构单元、来源于全氟乙烯基醚的结构单元和来源于可形成交联性基团的单体的结构单元。
具有2～3个碳原子的全氟烯烃中有四氟乙烯(TFE)和六氟丙烯(HFP)，从低温下富含柔软性的角度考虑，优选TFE。有时与HFP进一步共聚合后使用。
作为全氟乙烯醚，优选以CF2＝CF-O-Rf 1表示的化合物，其中Rf 1为具有1～8个碳原子的直链状或支链状全氟烷基或具有1～20个碳原子的全氟氧烷基。具体可举出全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、全氟(丙基乙烯基醚)、全氟(丁基乙烯基醚)等全氟(烷基乙烯基醚)；CF2＝CFO[CF2CF(CF2)O]2CF2CF2CF3等全氟(烷氧基乙烯基醚)。从成型品的机械强度优异的角度考虑，特别优选全氟(甲基乙烯基醚)(PMVE)。
作为交联性基团，可举出羧基(COOH)、烷氧羰基(COOR)、氰基(CN)、碘原子或溴原子等，但是优选交联时可获得耐热交联结构的COOH、COOR或CN，特别优选可形成耐热性优异的交联结构的COOH或CN。
作为可提供所述交联性基团的单体，可举出例如以下式表示的含有氰基的单体、含有羧基的单体、含有烷氧羰基的单体等。
(式中，m为0～5，n为1～8。)；
Figure C0282520800132
(n为1～4)；
Figure C0282520800133
(n为2～5)；
Figure C0282520800134
(n为1～6)；
Figure C0282520800135
(n为1～5)：或
(n为0～5)，
[X4为CN、COOH或COOR5，其中R5为具有1～10个碳原子选择性含有氟原子的烷基]。其中，从交联反应性好、有助于形成耐热性优异的成型品的角度出发，优选含有氰基的单体、含有羧基的单体。
作为所述含氟弹性体的具体例子，没有限制，可以举出如下例子。
(1)TFE/PMVE/CF2＝CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2CN(50～75/25～50/0.1～20摩尔％)
从交联反应性好、有助于形成耐热性优异的成型品的角度考虑，该物质是优选的。
(2)TFE/PMVE/CF2＝CFOCF2CF2CF2OCF(CF3)CN(50～75/25～50/0.1～20摩尔％)
从交联反应性好、有助于形成耐热性优异的成型品的角度考虑，该物质是优选的。
(3)TFE/CF2＝CF(OCF2CF(CF3))2OCF2CF2CF3/CF2＝CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2CN(60～85/15～40/0.1～20摩尔％)
从交联反应性好、有助于形成耐热性优异、低温下的柔软性也优异的成型品的角度考虑，该物质是优选的。
作为本发明所使用的其它含氟弹性体的具体例子，优选以式(I)表示的可交联含氟弹性体或片段化含氟弹性体。其在主链的末端和/或支链具有羧基、氰基和/或烷氧羰基作为交联部位。
X1-[A-(Y1)p]q-[B-(Y2)r]s-X2     (I)
(式中，X1和X2根据聚合时的引发剂或链转移剂而改变，或根据对末端基团的修饰，X1和X2可任意改变，没有特殊的限定，例如可以相同或不同，都可以是羧基、烷氧羰基、氰基、碘原子、溴原子或磺酸基等。Y1和Y2可以相同或不同，都可以是侧链上有羧基、烷氧羰基或氰基的2价有机基团，A是弹性含氟聚合物链的片段，B是非弹性含氟聚合物链的片段，p是0～50的整数，q是1～5的整数，r是0～10的整数，s是0～3的整数，其中X1、X2、Y1或Y2中任何一个都可以是氰基、羧基或烷氧羰基，Y1和Y2可以随机进入A或B的片段中)。所述片段化含氟弹性体在WO 99/24484号小册子中有详细的记载，这些描述也可以应用于本发明。
所述含氟弹性体可通过乳液聚合法、悬浮聚合法、溶液聚合法等聚合法制造。
作为聚合引发剂，优选使用可使羧基、或可生成羧基的基团(例如氟化酰基、氯化酰基、CF2OH，它们中的任何一个在水的存在下都可以生成羧基)存在于弹性体的末端的物质。作为具体的例子，可举出例如过硫酸铵(APS)、过硫酸钾(KPS)等。
另外，聚合时可以使用调整分子量时通常使用的链转移剂，但是因为会降低在末端引入的可生成羧基的基团的比例，所以尽量不使用链转移剂。但是，链转移剂只要是可使所述基团存在于弹性体末端的物质，就没有这种限制。不使用链转移剂时，通过在低压，例如小于2MPa·G，优选小于等于1MPa·G，进行聚合，就可以调整分子量。对其他的聚合条件没有特殊的限定，但是优选在聚合体系的pH小于等于3的强酸性条件下进行聚合，以便不经过下述的酸处理，得到在末端和/或支链具有羧基的聚合产物。
根据不同的聚合条件，得到的聚合物有的不含有游离羧基，但它们通过如下的酸处理也可转换为游离羧基。
本发明使用的含氟弹性体，优选通过对聚合产物进行酸处理，将聚合产物中存在的羧酸金属盐或铵盐等基团转换为羧基。作为酸处理方法，可以采用下述方法，例如用盐酸、硫酸、硝酸等进行清洗，或用这些酸将聚合反应后的混合物体系调整为pH小于等于3。
从简化工序的角度考虑，优选该酸处理作为通过凝析从聚合反应混合物中分离聚合产物的凝析手段使用。另外，也可以对聚合混合物进行酸处理后，采用冷冻干燥等方法分离聚合产物。还可以采用通过超声波等进行凝析或通过机械力进行凝析等的方法。
另外，也可以利用发烟硫酸，氧化含有碘或溴的含氟弹性体，从而引入羧基。
含氟弹性体中引入的交联性基团是COOH基或CN基时，从使交联密度适中的角度考虑，交联性基团的量为大于等于0.1摩尔％，优选为0.2～5摩尔％，更优选为0.2～3摩尔％。
相对于100重量份的交联性含氟弹性体，无机填料的混合量为0.5～150重量份，优选为0.5～100重量份，更优选为1～50重量份。无机填料的混合量如果过少，不能发挥添加无机填料的効果，如果过多，成型品的密封性降低，硬度也变大了。
本发明中的交联可以在各种交联体系进行，但为了使耐热性提高，优选仅使用了非氟类交联剂的过氧化物交联体系以外的耐热交联体系。作为“仅使用了非氟类交联剂的过氧化物交联体系”，例如其为以异氰脲酸三丙烯酸酯(TAIC)为代表的交联促进剂和使用过氧化物交联剂的过氧化交联体系时，利用该交联体系不能得到充分的耐热性。
作为可赋予特别优异的耐热性的交联体系，可以举出交联性基团为COOH基或CN基，使用所述式(1)～(5)所示的交联剂作为交联剂的体系。
作为式(1)的交联剂的具体例子，可举出例如2，2-二(3-氨基-4-羟基苯基)六氟丙烷(通用名：二(氨基苯酚)AF)、2，2-二(3-氨基-4-巯基苯基)六氟丙烷、四氨基苯、二-3，4-二氨基苯基甲烷、二-3，4-二氨基苯基醚、2，2-二(3，4-二氨基苯基)六氟丙烷、2，2-二[3-氨基-4(N-甲基氨基)苯基]六氟丙烷、2，2-二[3-氨基-4(N-苯基氨基)苯基]六氟丙烷、2，2-二[3-氨基-4(N-甲基氨基)苯基]六氟丙烷、2，2-二[3-氨基-4(N-苯基氨基)苯基]六氟丙烷等。
作为式(2)的交联剂的具体例子，可举出例如2，2-二[N-(2-氨基苯基)-(3-氨基苯基)]六氟丙烷、2，2-二[N-(2-氨基苯基)-(4-氨基苯基)]六氟丙烷等。
作为式(3)的交联剂的具体例，可举出例如
Figure C0282520800161
等。
作为式(4)的交联剂的具体例子，可举出例如全氟己二酰二胺腙、全氟辛二酰二胺腙等。
作为式(5)的交联剂的具体例子，可举出例如
Figure C0282520800162
Figure C0282520800163
等。
其中，从使成型品的耐热性和耐药品性提高的角度考虑，优选式(1)和式(2)的交联剂，特别是2，2-二[3-氨基-4(N-苯基氨基)苯基]六氟丙烷(bisAF-PA)、2，2-二[N-(2-氨基苯基)-(3-氨基苯基)]六氟丙烷、2，2-二[N-(2-氨基苯基)-(4-氨基苯基)]六氟丙烷。
优选相对于100重量份的弹性体，交联剂的混合量为0.1～10重量份、优选为0.5～5重量份。
根据需要，可以使用交联促进剂代替交联剂，或混合加入交联促进剂。作为交联促进剂，可举出例如有机锡化合物、在120～225℃可产生氨气的有机和/或无机铵盐、在40～330℃可产生氨气的有机和/或无机化合物、惰性载体吸附的氨等。另外，代替交联剂单独使用交联促进剂时，交联体系为三嗪交联体系。
优选相对于100重量份的弹性体，交联促进剂的混合量为0.01～10重量份，优选为0.01～5重量份。
除所述交联体系外，交联体系也可以采用多元醇交联体系等。作为交联剂，从可形成耐热性优异的成型品的角度考虑，优选异氰脲酸三丙烯酯的3个丙烯基中的氢原子被氟取代后的氟化异氰脲酸三丙烯酯(F-TAIC，US4320216等)，当使用F-TAIC时，交联体系也可以是过氧化物交联体系。
在本发明中，根据需要可以混合交联用含氟弹性体组合物中可以混合的一般的添加物，例如填充剂、加工助剂、增塑剂、着色剂等，也可以混合1种或1种以上的不同于所述添加剂的常用交联剂或交联促进剂。另外，在不损害本发明効果的范围内，也可以混合公知的氟橡胶。
交联性含氟弹性体组合物可通过使用一般的橡胶用加工机械，例如开放辊、班拍里混炼机、捏合机等，将所述成分混合进行制备。另外，也可采用使用密闭式混合机的方法或从混合乳液中共凝析的方法进行制备。
由所述组合物得到预成型体的方法可以采用一般方法，可以采用利用模具进行加热压缩的方法、加热后压入模具中的方法、用挤出机挤出的方法等公知的方法进行。软管或电线等挤出制品，由于挤出后可保持其形状，所以可以直接使用不使用交联剂挤出的预成型体。当然，也可以使用利用交联剂通过蒸汽等进行加热交联后的预成型体。另外，对于O-环等形状的制品，在未交联状态下，即使脱模后，也难以保持其形状时，可通过使用利用交联剂预先交联后的预成型体实施。
本发明涉及如此交联得到的弹性体成型品。
本发明的成型品具有高机械强度和耐热性。此外，令人惊喜的是尤其在压缩永久变形方面，这个密封材料不可欠缺的密封性评价标准，即使在275℃的高温时，其也可小到50％或50％以下，理想的情况下可以小到40％或40％以下，更甚可以小到30％或30％以下。
并且，耐等离子体性也得到提高，例如，清洗后在所述照射条件(2)下，对在氮气气流下于200℃加热24小时后的成型品(O-环：AS-568A-214)照射NF3等离子体时，重量变化可以抑制在3％或3％以下，理想的情况下可以抑制在2％或2％以下。
对于清洗，可以举出的优选的方法有例如WO99/49997号小册子记载的特殊的清洗法，即通过超纯净水进行清洗的方法、于清洗温度通过液状的清洁用有机化合物或无机水溶液进行清洗的方法、干式蚀刻清洗方法、提取清洗方法，通过这些清洗处理，可以极高度地进行清洁，并且可得到逸出气体量少、耐等离子性优异的半导体制造装置用成型品。
本发明的含氟弹性体成型品可适用于半导体制造装置用的成型品，尤其是要求高清洁度的半导体制造装置，特别是要进行高密度等离子体照射的半导体制造装置的密封用的密封材料。作为密封材料，可举出O-环、角-环、垫片、巴金垫、油密封、轴承密封、唇形密封等。
另外，本发明的含氟弹性体成型品可用作半导体制造装置中使用的各种弹性体制品，例如隔膜、圆管、软管、各种橡胶辊等。另外，也可用作层叠用材料、内衬用材料。
本发明所说的半导体制造装置并不限于制造半导体的装置，其范围广泛，还包括制造液晶面板和等离子体面板的装置等，要求高清洁度的半导体领域中使用全部制造装置。
具体的来说，可列举出的例子有如下的半导体制造装置。
(1)蚀刻装置
干蚀刻装置
等离子体蚀刻装置
反应性离子蚀刻装置
反应性离子束蚀刻装置
溅射蚀刻装置
离子束蚀刻装置
湿蚀刻装置
灰化装置
(2)清洗装置
干式蚀刻清洗装置
UV/O3清洗装置
离子束清洗装置
激光束清洗装置
等离子体清洗装置
气体蚀刻清洗装置
提取清洗装置
索氏提取清洗装置
高温高压提取清洗装置
微波提取清洗装置
超临界提取清洗装置
(3)曝光装置
分档器
涂布显影机
(4)研磨装置
CMP装置
(5)成膜装置
CVD装置
溅射装置
(6)扩散-离子注入装置
氧化扩散装置
离子注入装置
实施例
下面举出实施例来说明本发明，但本发明不仅限于所述实施例。
本实施例和比较例中测定的一次平均粒径和X射线晶体结构衍射法得到的衍射图，是采用如下方法测定的。
(一次平均粒径)
利用由氮气吸附法求出的BET比表面积s(m2/g)和构成无机填料的无机化合物的密度d(g/cm3)，依据下式算出粒径。其中，假设无机填料为圆球，其粒径均相同。
粒径(nm)＝6×103/(d×s)
另外，氧化铝的密度为3.9g/cm3、氮化铝的密度3.05g/cm3、二氧化钛的密度4.26g/cm3。其他的无机化合物使用例如化学大辞典(共立出版)中记载的值等通用值。
(X射线晶体结构衍射法)
测定装置：X射线衍射计。理学电机(株)生产的RAD-RA(商品名)
X射线源：Cu-Kα(用单色器(モノクロメ一タ一)单色化)
测定范围：2θ＝5～80度
制造例1(含有CN基的含氟弹性体的制造)
向不具有着火源的内部容积为6升的不锈钢制的高压釜中，加入2升纯水、20g乳化剂
Figure C0282520800201
0.18g pH调节剂12水磷酸氢二钠盐，用氮气充分交换体系内部的气体，排气后，以600rpm进行搅拌，同时升温至50℃，通入四氟乙烯(TFE)和全氟(甲基乙烯基醚)(PMVE)的混合气体(TFE/PMVE＝25/75摩尔比)，使内部压力为0.78MPa·G。然后，以氮压压入20ml浓度为527mg/ml的过硫酸铵(APS)水溶液，引发反应。
随着聚合的进行，内部压力降低，当降低到0.69MPa·G时，以氮压压入4.6g的CF2＝CFOCF2CF(CF3)OCF2CF2CN(CNVE)。然后，将9.4g的TFE和10.6g的PMVE分别以自身压力压入，以使压力成为0.78MPa·G。然后，与未进行反应时同样地压入TFE、PMVE，在0.69～0.78MPa·G之间反复进行升压、降压，同时分别在TFE和PMVE的总量为140g、260g、380g和500g时，以氮压压入4.6g的CNVE。
聚合反应开始20小时后，TFE和PMVE的总通入量为600g时，冷却高压釜，放出未反应的单体，得到固体成分的浓度为21.2重量％的水性分散体2650g。
该水性分散体中的2400g用7200g的水进行稀释，搅拌下慢慢地加入到5600g的3.5重量％的盐酸水溶液中。添加后，搅拌5分钟，然后过滤凝析物，再将得到的聚合物加到4kg的HCFC-141b中，搅拌5分钟，再次过滤。然后用HCFC-141b清洗，反复进行4次过滤操作，然后于60℃真空干燥72小时，得到500g含有CN基的含氟弹性体凝析物。
由19F-NMR分析结果可知该弹性体单体的单元组成为TFE/PMVE/CNVE＝59.1/40.0/0.9摩尔％。该含有CN基的全氟弹性体称为“弹性体A”。
制造例2(含碘含氟弹性体的制造)
向不具有着火源的内部容积为6升的不锈钢制的高压釜中，加入2升纯水、20g乳化剂C7F15COONH4、0.18g pH调节剂12水磷酸氢二钠盐，用氮气充分交换体系内部的空气，排气后，以600rpm进行搅拌，同时升温至50℃，通入TFE和PMVE的混合气体(TFE/PMVE＝27/73摩尔比)，使内部压力为1.18MPa·G。然后，以氮压压入2ml浓度为186mg/ml的过硫酸铵(APS)水溶液，引发反应。
随着聚合的进行，内部压力降低，当降低到1.08MPa·G时，以氮压压入4.0g的作为二碘化物的I(CF2)4I。然后，将21.0g的TFE和21.0g的PMVE分别以自身压力压入，以使压力成为1.18MPa·G。然后，与未进行反应时同样地压入TFE、PMVE，反复进行升压、降压。分别在TFE和PMVE的总量为430g、511g、596g和697g时，以氮压压入1.5g的作为碘化物的ICH2CF2CF2OCF＝CF2，反应开始后，每12小时以氮压压入2ml的35mg/ml的APS水溶液继续进行反应，29小时后停止聚合。
在干冰/甲醇中，将得到的水性分散液冻结，进行凝析，解冻后，用水洗凝析物，然后真空干燥，得到847g的弹性体。该弹性体的孟纳粘度ML1+10(100℃)为58。
另外，由19F-NMR分析结果可知该弹性体的含有碘的单体单元以外的单元组成为TFE/PMVE＝62.9/37.1摩尔％，元素分析算出的碘含有量为0.28重量％。该含有碘的全氟弹性体称为“弹性体B”。
实施例1
以重量比为100/4.25/15，混合制造例1得到的末端具有羧基的含有CN基的含氟弹性体(弹性体A)、用journal·of·polymer·science的聚合物化学(polymer chemistry)编的Vol.20，2381～2393页(1982)记载的方法合成的交联剂2，2-二[3-氨基-4-(N-苯基氨基)苯基]六氟丙烷(交联剂A)、和氧化铝填料(住友化学工业(株)生产的AKP-50(商品名)，一次平均粒径为0.15μm，晶型实质上只有α型，参阅图1)，用悬臂辊搅拌混合制备可交联的含氟弹性体组合物。
于180℃，对该含氟弹性体组合物挤压25分钟，进行交联，然后在烘箱中以290℃实施18小时的焙烘交联，制成O-环(AS-568A-214)被测样品。测定该被测样品的压缩永久变形和受NF3等离子体照射时减少的重量。结果示于表1。
(压缩永久变形)
依据JIS K6262-1997，测定在275℃、70小时后O-环(AS-568A-214)的压缩永久变形。
(NF3等离子体照射时减少的重量)
测定装置：ICP高密度等离子体装置((株)サムコインタ一ナシヨナル研究所生产的Model.RIE-101IPH，商品名)
测定条件(2)：
NF3流量：2.704×10-2Pa m3/s
压力：1.33Pa
RF输出：800W
照射时间：30分钟
频率：13.56MHz
被测样品的清洗处理：通过在大量的H2SO4/H2O2(重量比为6/4)混合液中于100℃搅拌15分钟，而对O-环进行充分的清洗，随后，用5％的HF，于25℃清洗15分钟，然后，用纯水于100℃煮沸清洗2小时，再在氮气气流下，于200℃干燥24小时。
照射操作：为了使等离子体照射装置腔内的氛围气稳定，作为腔前处理，进行5分钟的实际气体空放电。然后，将装有被测样品的铝制容器置于RF电极的中心部，在上述条件下照射等离子体。
重量测定：使用Sertorious·GMBH生产的电子分析天平2006MPE(商品名)测定，测定到0.01mg，0.01mg位四舍五入。
实施例2～5
除无机填料使用表1所示的填料外，与实施例1同样地制备含氟弹性体，然后通过硫化成型，制成O-环(AS-568A-214)。
对制成的各O-环，与实施例1同样，测定压缩永久变形和NF3等离子体照射时减少的重量。结果示于表1。
表1中，所使用的无机填料为如下物质。
填料1(实施例1)：氧化铝填料(住友化学工业(株)生产的AKP-50(商品名)，一次平均粒径为0.15μm，晶型实质上仅为α型。参阅图1)
填料2(实施例2)：氧化铝填料(大明化学(株)生产的TM-DAR(商品名)，一次平均粒径为0.11μm，晶型实质上仅为α型。参阅图2)
填料3(实施例3)：氧化铝填料(昭和电工(株)生产的UA-5105(商品名)，一次平均粒径为0.15μm，晶型主要是α型。参阅图3)
填料4(实施例4)：氧化铝填料(昭和电工(株)生产的UA-5205(商品名)，一次平均粒径为0.09μm，晶型主要是α型。参阅图4)
填料5(实施例5)：氮化铝填料((株)德山(トクヤマ)生产的高纯度氮化铝粉末Grade(グレ一ド)F(商品名)，一次平均粒径为0.58μm。)
表1
                                实施例
  1   2   3   4   5
 含氟弹性体交联剂无机填料种类晶型衍射图一次平均粒径(μm)   弹性体A交联剂A填料1氧化铝只有α型图10.15   弹性体A交联剂A填料2氧化铝只有α型图20.11   弹性体A交联剂A填料3氧化铝主要为α型图30.15   弹性体A交联剂A填料4氧化铝主要为α型图40.09   弹性体A交联剂A填料5氮化铝--0.58
 压缩永久变形(275℃×70小时) 20％ 20％ 18％ 21％ 17％
 等离子体照射时减少的重量 1.66％ 1.65％ 1.58％ 1.60％ 1.73％
比较例1～4
与实施例1同样地制备含氟弹性体，不同之处在于，作为氧化铝填料使用表2所示的填料，于180℃进行挤压交联，挤压交联时间如表2所示。然后，通过硫化成型，制成O-环(AS-568A-214)。
对制成的各O-环，与实施例1同样，测定压缩永久变形和NF3等离子体照射时减少的重量。结果示于表2。
表2中，所使用的无机填料为如下物质。
填料6(比较例1)：氧化铝填料(住友化学工业(株)生产的AKP-G008(商品名)，一次平均粒径为0.02μm，晶型的主要峰为θ型。参阅图5)
填料7(比较例2)：将比较例1中使用的氧化铝填料(住友化学工业(株)生产的AKP-G008(商品名)，一次平均粒径为0.02μm，晶型的主要峰为θ型)，于1100℃烧结3小时得到的物质。混合存在α型晶体和θ型晶体(参阅图6)。
填料8(比较例3)：氧化铝填料(大明化学(株)生产的TM-300(商品名)，一次平均粒径为0.007μm，晶型的主要峰为γ型。参阅图7)
填料9(比较例4)：氧化铝填料(デグサ·ヒユルス公司生产的Al2O3-C(商品名)，一次平均粒径为0.015μm，晶型的主要峰为δ型。参阅图8)
比较例5
以重量比为100/10/1/3，将制造例2得到的末端为碘的含氟弹性体(弹性体B)、交联促进剂Perhexa25B(商品名，日本油脂工业(株)生产)、交联剂异氰脲酸三烯丙酯(TAIC)、氧化铝填料(填料10，龙森(株)生产的AO-802(商品名)，一次平均粒径为0.26μm，晶型实质上仅为α型。参阅图9)混合，用悬臂辊搅拌混合制备可交联的含氟弹性体组合物。
在160℃挤压交联10分钟(一次交联)、180℃焙烘交联4小时(二次交联)的条件下，对该含氟弹性体组合物，进行过氧化物交联，制成O-环(AS-568A-214)被测样品。与实施例1同样，测定该被测样品的压缩永久变形和受NF3等离子体照射时减少的重量。结果示于表2。
比较例6
与比较例5同样地制备含氟弹性体，不同之处在于，作为氧化铝填料使用填料1(氧化铝填料(住友化学工业(株)生产的AKP-50(商品名))，一次平均粒径为0.12μm，晶型实质上仅为α型。参阅图1)，弹性体B/Perhexa25B/TAIC/氧化铝填料的混合比为100/1.5/4.0/15(重量比)。然后通过硫化成型制成O-环(AS-568A-214)。
对制成的各O-环，与实施例1同样，测定压缩永久变形和受NF3等离子体照射时减少的重量。结果示于表2。
比较例7
与实施例1同样地制备含氟弹性体，不同之处在于，使用二氧化钛填料(填料11，富士钛工业(株)生产的TM-1(商品名)，晶型为金红石型，一次平均粒径为0.28μm。)，代替氧化铝填料，弹性体A/交联剂A/填料11的混合比为100/2.8/23(重量比)。然后通过硫化成型，制成O-环(AS-568A-214)。
对制成的O-环，与实施例1同样，测定压缩永久变形和NF3等离子体照射时减少的重量。结果示于表2。
产业上利用的可能性
根据本发明，可以提供在大于等于275℃的高温下耐用并且耐高密度等离子体的含氟弹性体成型品。
表2
                                              比较例
  1   2   3   4   5   6   7
  含氟弹性体交联剂交联促进剂无机填料种类晶型衍射图一次平均粒径(μm)挤压交联时间(180℃)   弹性体A交联剂A-填料6氧化铝只有θ型图50.0225分钟   弹性体A交联剂A-填料7氧化铝α型和θ型混合图60.0225分钟   弹性体A交联剂A-填料8氧化铝只有γ型图70.007160分钟   弹性体A交联剂A-填料9氧化铝只有δ型图80.015130分钟   弹性体BTAICPerhexa25B填料10氮化铝只有α型图90.26-   弹性体BTAICPerhexa25B填料1氧化铝只有α型图10.15-   弹性体A交联剂A-填料11二氧化钛--0.2825分钟
  压缩永久变形(275℃×70小时)   61％   57％   70％   83％   68％   63％   17％
  等离子体照射时减少的重量   1.65％   1.58％   1.71％   1.63％   2.17％   1.65％   5.98％

Claims (11)

1、含氟弹性体成型品，其是通过仅使用非氟类交联剂的过氧化物交联体系以外的耐热交联体系将交联性含氟弹性体组合物交联后得到的交联的含氟弹性体成型品，所述交联性含氟弹性体组合物相对于100重量份的含氟弹性体成分含有0.5～100重量份的一次平均粒径小于等于5μm的无机填料，其中，无机填料是氮化铝填料或氧化铝填料，所述氧化铝填料通过X射线晶体结构衍射法测定的衍射图中出现的依强度从大到小的顺序选定的6个峰都是来自于氧化铝α型晶体结构的峰，对于所述含氟弹性体成型品，在如下条件1下其压缩永久变形小于等于50％，并且在如下条件2下其受NF3等离子体照射时减少的重量小于等于3％
条件1：
样品：O-环    AS-568A-214
测定条件：依据JIS K6262-1997测定在275℃、70小时后的压缩永久变形
条件2：
样品：O-环    AS-568A-214
测定装置：ICP高密度等离子体装置
测定条件：
NF3流量：2.704×10-2Pa m3/s
压力：1.33Pa
RF输出：800W
照射时间：30分钟
频率：13.56MHz。
2、如权利要求1所述的弹性体成型品，其中，所述无机填料是氧化铝填料，通过X射线晶体结构衍射法测定的衍射图中出现的全部峰，都仅是来自于氧化铝α型晶体结构的峰。
3、如权利要求1或2所述的弹性体成型品，其中，无机填料的一次平均粒径小于等于1.0μm。
4、如权利要求1或2所述的弹性体成型品，其中，无机填料的一次平均粒径小于等于0.2μm。
5、如权利要求1或2所述的弹性体成型品，其中，含氟弹性体是具有交联性基团的全氟弹性体。
6、如权利要求5所述的弹性体成型品，其中，具有交联性基团的全氟弹性体含有来源于具有2～3个碳原子的全氟烯烃的结构单元、来源于全氟乙烯基醚的结构单元和来源于形成交联性基团的单体的结构单元。
7、如权利要求1或2所述的弹性体成型品，其中，含氟弹性体具有CN基和/或COOH基作为交联性基团。
8、如权利要求1、2或6所述的弹性体成型品，其中，所述交联性含氟弹性体组合物是含有如下述式1、式2、式3、式4和/或式5所示的化合物作为交联剂的组合物，
式1：
式1中，R1是-SO2-、-O-、-C(＝O)-、 具有1～10个碳原子的亚烷基、具有1～10个碳原子的全氟亚烷基或单键电子；X1相同或不同，是-OH、-NH2、-SH、-NHR或-NHAr，其中-NHR中的R是具有1～6个碳原子的直链或支链的取代或未取代的烷基，-NHAr中的Ar是取代或未取代的苯基或萘基；
式2：
式2中，R2是直链或支链的取代或未取代的亚烷基、取代或未取代的亚芳基、 其中R3是-SO2-、-O-、-C(＝O)-、或单键电子；
式3：
Figure C028252080004C3
式3中，m是1～10的整数；
式4：
Figure C028252080004C4
式4中，X2相同或不同，是H或NH2，p表示1～10的整数；
式5：
式5中，X3相同或不同，是H或NH2，Y相同或不同，是H或OH。
9、如权利要求8所述的弹性体成型品，其中，交联剂是所述式1中R1为：
Figure C028252080004C6
X1为： 的化合物。
10、如权利要求7所述的弹性体成型品，其中，含有有机锡化合物作为交联促进剂。
11、如权利要求1、2、6、9或10所述的成型品，其应用于半导体制造装置的密封。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050107544A1 (en) * 2003-11-13 2005-05-19 Shuhong Wang Plasma resistant curable fluoroelastomer composition
JP2005313154A (ja) * 2004-03-29 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 高濃度微粒子濃縮物、高濃度微粒子濃縮物の製造方法、粉体および粉体製造方法
US20060270780A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Ping Xu High purity perfluoroelastomer composites and a processes to produce the same
US7488781B2 (en) 2005-05-25 2009-02-10 Gore Enterprise Holdings, Inc. High purity transparent perfluoroelastomer parts and a process to produce the same
ATE491747T1 (de) * 2005-07-26 2011-01-15 Daikin Ind Ltd Härtbare zusammensetzung, daraus erhaltener formkörper und verfahren zur herstellung eines formkörpers
JP5100097B2 (ja) * 2006-12-04 2012-12-19 ニチアス株式会社 フッ素ゴム成形体並びにこれを使用したゴム材料及びｏリング
JP2012505948A (ja) * 2008-10-22 2012-03-08 ダイキン工業株式会社 パーフルオロエラストマー組成物
US20100140222A1 (en) * 2008-12-10 2010-06-10 Sun Jennifer Y Filled polymer composition for etch chamber component
EP2584627B1 (en) 2010-06-18 2016-10-05 Shandong Huaxia Shenzhou New Material Co., Ltd. Composite having ion exchange function and preparation method and use thereof
JP5748844B2 (ja) 2010-06-18 2015-07-15 シャンドン・フアシャ・シェンゾウ・ニュー・マテリアル・カンパニー・リミテッド イオン交換機能を有するフッ素含有イオノマー複合体、その調製方法及び使用
US9012106B2 (en) 2010-06-18 2015-04-21 Shandong Huaxia Shenzhou New Material Co., Ltd Fluorine containing ionomer composite with ion exchange function, preparation method and use thereof
IN2014DN07915A (zh) * 2012-03-20 2015-04-24 Rhodia Operations
WO2013158933A1 (en) * 2012-04-18 2013-10-24 Drexel University Integration of digital image correlation with acoustic emissions
US9315644B2 (en) * 2012-12-03 2016-04-19 E I Du Pont De Nemours And Company Cured perfluoroelastomer article
JP7518450B2 (ja) 2022-07-25 2024-07-18 ダイキン工業株式会社 架橋性組成物および成形品

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2891294B2 (ja) * 1995-07-13 1999-05-17 日本メクトロン株式会社 含フッ素エラストマー組成物
US5696189A (en) * 1995-12-01 1997-12-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Perfluoroelastomer compositions
DE69822656T2 (de) * 1997-11-06 2005-02-10 Daikin Industries, Ltd. Formmasse
JP3145357B2 (ja) * 1998-09-14 2001-03-12 株式会社森清化工 封止材用組成物および封止材
JP4240716B2 (ja) * 1999-02-01 2009-03-18 ユニマテック株式会社 含フッ素エラストマー組成物
EP1253172B1 (en) * 1999-11-04 2012-03-14 Daikin Industries, Ltd. Use of molded elastomer comprising crosslinkable fluoroelastomer composition for semiconductor production apparatus
JP2001164066A (ja) * 1999-12-13 2001-06-19 Nichias Corp 耐プラズマ性ふっ素ゴム組成物
JP4331368B2 (ja) * 2000-01-06 2009-09-16 三菱電線工業株式会社 半導体製造装置用シール

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