CN118176561A - 带电粒子检查***的晶片边缘检测 - Google Patents

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Abstract

公开了一种改进的晶片检查方法。该改进的方法包括存储指令集的非暂态计算机可读介质，这些指令可由设备的至少一个处理器执行以使设备执行方法，该方法包括：将晶片放置在载物台上的位置处；以及沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使导电环在距离晶片的边缘的预定距离内；调节施加到导电环的电压或施加到晶片的电压，使得施加到导电环的电压基本上等于施加到晶片的电压，以跨导电环的内部部分和晶片的外部部分提供基本上一致的电场。

Description

带电粒子检查***的晶片边缘检测
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年11月2日提交的美国申请63/274,918的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文的描述涉及带电粒子束装置领域，并且更具体地涉及带电粒子检查***的晶片边缘检查。
背景技术
带电粒子束装置能够通过检测来自在由带电粒子束装置产生的带电粒子束撞击时的晶片基板的表面的次级电子、背散射电子、镜像电子或其他类型的电子来产生晶片基板的二维图像。在半导体工业中的半导体晶片上使用的各种带电粒子束装置用于各种目的，诸如晶片处理(例如，电子束直写光刻***)、过程监测(例如，关键尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM))、晶片检查(例如，电子束检查***)、缺陷分析(例如，缺陷审查SEM，或称DR-SEM和聚焦离子束***，或称FIB)等。
在晶片检查期间，可以发现并去除晶片中的任何潜在缺陷，以便在后续阶段在晶片中形成无缺陷的结构。在晶片检查过程期间，晶片可以放置在导电环内部，也称为晶片保持器(载物台)上的高压(HV)环结构。导电环也可以称为补偿环。在常规***中，导电环和晶片边缘之间存在间隙，这会在检查过程期间在晶片边缘附近产生扭曲的电位。
发明内容
本公开的实施例提供了用于检查晶片的***和方法。
一些实施例提供了一种检查晶片的方法，包括：
将晶片放置在载物台上的位置处；沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使导电环能够在距离晶片的边缘的预定距离内；调节施加到导电环的电压，使得施加到导电环的电压能够基本上等于施加到晶片的电压，从而跨导电环的内部部分和晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
一些实施例提供了一种检查晶片的***，包括：被配置为支撑具有晶片边缘的晶片的载物台；载物台的导电环，该导电环包括：一个或多个可移动部段，被配置为径向向内移动以使导电环能够移动到距离晶片边缘的预定距离内；以及
控制器，包括电路***，该电路***被配置为调节施加到导电环的电压或施加到晶片的电压，以使施加到导电环的电压能够与施加到晶片的电压基本上相似，从而跨导电环的内部部分和晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，该指令集能够由设备的至少一个处理器执行以使设备执行方法，该方法包括：将晶片放置在载物台上的位置处；沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使导电环能够在距离晶片的边缘的预定距离内；调节施加到导电环的电压或施加到晶片的电压，使得施加到导电环的电压能够基本上等于施加到晶片的电压，以跨导电环的内部部分和晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
附图说明
图1是示出与本公开的一些实施例一致的示例电子束检查(EBI)***的示意图。
图2是示出了与本公开的一些实施例一致的示例电子束工具的示意图，该示例电子束工具可以是图1的示例电子束检查***的一部分。
图3A是与本公开的一些实施例一致的在晶片装载期间的示例***的顶视图的示图。
图3B是与本公开的一些实施例一致的在晶片装载之后的示例***的顶视图的示图。
图4A是与本公开的一些实施例一致的在晶片装载期间的示例***的横截面图的示图。
图4B是与本公开的一些实施例一致的在晶片装载之后的示例***的横截面图的示图。
图5是示出与本公开的一些实施例一致的被耦合以与图3A、图3B、图4A或图4B的***一起工作的示例控制器和示例传感器的示意图。
图6是示出与本公开的一些实施例一致的用于检查晶片的示例方法的流程图。
图7是示出与本公开的一些实施例一致的用于消除晶片边缘附近的扭曲电场的示例方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细参考示例实施例，其示例在附图中示出。下面的描述参考了附图，其中除非另有说明，不同附图中的相同附图标记表示相同或相似的元件。下述示例实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅仅是与所附权利要求中记载的主题相关的各方面一致的装置和方法的示例。在不限制本公开的范围的情况下，可以在利用电子束(“e-beam”)的***中提供检测***和检测方法的背景下描述一些实施例。然而，本公开不限于此。可以类似地应用其他类型的带电粒子束(例如，包括质子、离子、μ子或任何其他携带电荷的粒子)。此外，用于检测的***和方法可以用在其他成像***中，诸如光学成像、光子检测、x射线检测、离子检测等。
电子器件由形成在称为基板的半导体材料片上的电路构成。半导体材料可以包括例如硅、砷化镓、磷化铟或硅锗等。许多电路可以一起形成在同硅片上，称为集成电路或IC。这些电路的尺寸已显着减小，因此可以在基板上安装更多的电路。例如，智能手机中的IC芯片可以小至拇指甲，但可能包含超过20亿个晶体管，每个晶体管的尺寸小于人类头发尺寸的千分之一。
制造这些具有极小结构或部件的IC是一个复杂、耗时且昂贵的过程，通常涉及数百个单独的步骤。即使是一个步骤中的误差也有可能导致成品IC出现缺陷，使其无法使用。因此，制造工艺的目标之一就是避免此类缺陷，以最大限度地提高工艺中制造的功能IC的数目。也就是说，提高工艺的总体产率。
提高产率的一个要素是监控芯片制造过程，以确保生产出足够数量的功能集成电路。监控该过程的一种方法是检查芯片电路结构在其形成的各个阶段。可以使用扫描带电粒子显微镜(“SCPM”)执行检查。例如，SCPM可以是扫描电子显微镜(SEM)。SCPM可用于对这些极小的结构进行成像，实际上，拍摄晶片结构的“图片”。该图像可用于确定结构是否正确形成在正确的位置。如果结构有缺陷，则可以调节过程，因此缺陷不太可能再次发生。
SEM的工作原理类似于相机。相机通过接收和记录从人或物体反射或发射的光的强度来拍摄图片。SEM通过接收和记录从晶片结构反射或发射的能量或电子数量来拍摄“图片”。在拍摄这样的“图片”之前，可以将电子束投射到结构上，并且当电子从结构(例如，从晶片表面、从晶片表面下方的结构、或两者)反射或发射(“出射”)时，SEM的检测器可以接收并记录这些电子的能量或数量以生成检查图像。为了拍摄这样的“图片”，电子束可以扫描穿过晶片(例如，以逐行或之字形方式)，并且检测器可以接收来自电子束投影下的区域(称为“束斑”)的出射电子。检测器可以一次接收并记录来自每个束斑的出射电子，并将为所有束斑记录的信息结合起来以生成检查图像。一些SEM使用单个电子束(称为“单束SEM”)拍摄单个“图片”来生成检查图像，而一些SEM使用多个电子束(称为“多束SEM”)以并行拍摄晶片的多个“子图片”并将它们拼接在一起以生成检查图像。通过使用多个电子束，SEM可以向结构上提供更多的电子束以获得这些多个“子图片”，从而导致更多的电子从结构中出射。因此，检测器可以同时接收更多的出射电子，并以更高的效率和更快的速度生成晶片结构的检查图像。
通常，结构在被放置在称为载物台或电动卡盘(e-chuck)的平台上的基板(例如，硅基板)上制成，以用于成像。该平台可以包括围绕晶片的晶片保持器。在常规的晶片平台***中，当晶片被放置在晶片保持器中时，晶片边缘与晶片保持器的内圆之间存在间隙。该间隙会导致晶片边缘附近的电场不连续或扭曲，从而影响SEM的性能。特别地，电场的扭曲会导致电子束散焦、偏转、扭曲，从而影响晶片的任何相对应图像。在一些情况下，位于间隙中的高压(HV)环结构可用于提供附加的电压，使得晶片边缘附近的电位更加均匀。然而，导电环可能是固定的，并且晶片边缘和环之间的间隙不能被调节。当晶片没有完美地位于环结构内时，诸如晶片偏离中心的情况，就会出现问题。在这种情况下，导电环可能需要在不同位置提供不同的补偿电压。此外，在至少一些常规***中，导电环可能位于晶片表面下方，从而需要非常高的补偿电压(几kV)以获得期望的补偿性能。
一般来说，在当前的常规***中，扭曲的电场不能被完全补偿，或者必须调节电子光学***中的附加补偿元件以将对图像质量的影响降低到可接受的水平。因此，当前晶片检查的***和工艺可能由于晶片边缘附近的不均匀电场而导致许多误差。
为了改进晶片检查过程，消除或最小化晶片边缘附近的扭曲电场可能是有利的。根据本公开的至少一些实施例，引入了围绕晶片的可调节分段导电环。在一些示例中，每个可调节部段可以径向向内/向外或向上/向下移动。在一些示例中，一些部段可以是静止的或固定的，其余部段可以是可移动的，并且可移动部段可以被配置为移动晶片以接触固定部段。例如，至少一些部段可以被径向向外移动以创建用于放置晶片的区域。在放置晶片之后，部段可以被径向向内和向上/向下移动，直到每个部段接触或尽可能靠近晶片边缘并与晶片的暴露表面齐平。有利的是，上述过程使晶片边缘附近的电位分布更加均匀，从而提高晶片边缘附近的成像能力。
如本文所使用的，除非另外具体说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除非不可行。例如，如果规定部件可以包括A或B，则除非另有明确说明或不可行，否则该部件可以包括A或B、或A和B。作为第二个示例，如果规定：部件可以包括A、B或C，那么，除非另有具体说明或不可行，否则该部件可以包括A或B或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。
图1示出了与本公开的一些实施例一致的示例性电子束检查(EBI)***100。EBI***100可用于成像。如图1所示，EBI***100包括主室101、装载/锁定室102、射束工具104和设备前端模块(EFEM)106。射束工具104位于主室101内。
EFEM 106包括第一装载端口106a和第二装载端口106b。EFEM 106可以包括附加的(多个)装载端口。第一装载端口106a和第二装载端口106b接纳包含晶片(例如，半导体晶片或由其他(多种)材料制成的晶片)或待检查样品(晶片和样品可以互换使用)的晶片前开口式传送盒(FOUP)。“批次”是可以装载用于批量处理的多个晶片。
EFEM 106中的一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片传送到装载/锁定室102。装载/锁定室102连接到装载/锁定真空泵***(未示出)，该***去除装载/锁定室102中的气体分子以达到低于大气压力的第一压力。在达到第一压力之后，一个或多个机械臂(未示出)可以将晶片从装载/锁定室102传送到主室101。主室101连接到主室真空泵***(未示出)，该主室真空泵***去除主室101中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力之后，晶片受到射束工具104的检查。射束工具104可以是单射束***或多射束***。
控制器109电连接到射束工具104。控制器109可以是被配置为执行EBI***100的各种控制的计算机。虽然控制器109在图1中被示出为位于包括主室、装载/锁定室102和EFEM 106的结构的外部，应当理解，控制器109可以是该结构的一部分。
在一些实施例中，控制器109可以包括一个或多个处理器(未示出)。处理器可以是能够操纵或处理信息的通用或特定电子设备。例如，处理器可以包括任意数目的以下各项的任何组合：中央处理单元(或“CPU”)、图形处理单元(或“GPU”)、光学处理器、可编程逻辑控制器、微控制器、微处理器、数字信号处理器、知识产权(IP)核、可编程逻辑阵列(PLA)、可编程阵列逻辑(PAL)、通用阵列逻辑(GAL)、复杂可编程逻辑器件(CPLD)、现场
可编程门阵列(FPGA)、片上***(SoC)、专用集成电路(ASIC)以及能够进行数据处理的任何类型的电路。处理器还可以是虚拟处理器，其包括分布在经由网络耦合的多个机器或设备上的一个或多个处理器。
在一些实施例中，控制器109还可以包括一个或多个存储器(未示出)。存储器可以是能够存储处理器可访问的代码和数据(例如，经由总线)的通用或特定电子设备。例如，存储器可以包括任意数目的以下各项的任意组合：随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、光盘、磁盘、硬盘驱动器、固态驱动器、闪存驱动器、安全数字(SD)卡、记忆棒、紧凑型闪存(CF)卡或任何类型的存储设备。这些代码可以包括操作***(OS)和用于特定任务的一个或多个应用程序(或“apps”)。存储器还可以是虚拟存储器，其包括分布在经由网络耦合的多个机器或设备上的一个或多个存储器。
图2示出了根据本公开的实施例的示例成像***200。图2的电子束工具104可以被配置为在EBI***100中使用。电子束工具104可以是单射束装置或多射束装置。如图2所示，电子束工具104包括电动样品台201和由电动样品台201支撑以保持待检查的晶片203的晶片保持器202。电子束工具104还包括物镜组件204、电子检测器206(其包括电子传感器表面206a和206b)、物镜孔径208、会聚透镜210、射束限制孔径212、枪孔径214、阳极216和阴极218。应当理解，电子检测器206也可以是单件，例如环形类型。在一些实施例中，物镜组件204可以包括改进的摆动物镜延迟浸没透镜(SORIL)，其包括极片204a、控制电极204b、偏转器204c和激励线圈204d。电子束工具104可以附加地包括能量色散x射线光谱仪(EDS)检测器(未示出)以表征晶片203上的材料。
通过在阳极216和阴极218之间施加加速电压，从阴极218发射初级电子束220。初级电子束220穿过枪孔径214和射束限制孔径212，这两者都可以确定进入会聚透镜210的电子束的尺寸，会聚透镜210位于射束限制孔径212下方。会聚透镜210在射束进入物镜孔径208之前聚焦初级电子束220，以在进入物镜组件204之前设置电子束的尺寸。偏转器204c偏转初级电子束220以便于在晶片上进行射束扫描。例如，在扫描过程中，可以控制偏转器204c以在不同时间点将初级电子束220顺序偏转到晶片203的顶表面的不同位置上，以提供用于晶片203的不同部分的图像重建的数据。此外，还可以控制偏转器204c以在不同时间点将初级电子束220偏转到特定位置处的晶片203的不同侧上，以提供用于该位置处的晶片结构的立体图像重建的数据。此外，在一些实施例中，
阳极216和阴极218可以产生多个初级电子束220，并且电子束工具104可以包括多个偏转器204c以将多个初级电子束220同时投射到晶片的不同部分/侧面，以提供用于晶片203不同部分的图像重建的数据。
激励线圈204d和极片204a产生磁场，该磁场开始于极片204a的一端并终止于极片204a的另一端。被初级电子束220扫描的晶片203的一部分可以浸没在磁场中并且可以被充电，这进而产生电场。电场在初级电子束220与晶片203碰撞之前降低了在晶片203表面附近撞击的初级电子束220的能量。与极片204a电隔离的控制电极204b控制晶片203上的电场以防止晶片203的微拱并确保适当的射束聚焦。
在接收初级电子束220时，可以从晶片203的一部分发射次级电子束222。次级电子束222可以在电子检测器206的传感器表面206a和206b上形成束斑。电子检测器206可以产生表示束斑强度的信号(例如，电压、电流等)并将该信号提供给图像处理***250。次级电子束222的强度以及所得束斑可以根据晶片203的外部或内部结构变化。此外，如上所述，初级电子束220可以被投射到晶片的顶表面的不同位置或特定位置处的晶片的不同侧面上，以产生具有不同的强度的次级电子束222(以及由此产生的束斑)。因此，通过将束斑的强度与晶片203的位置进行映射，处理***可以重建反映晶片203的内部或表面结构的图像。
成像***200可以用于检查电动样品台201上的晶片203并且包括电子束工具104，如上所述。成像***200还可包括图像处理***250，该图像处理***250包括图像获取器260、存储器270和控制器109。图像获取器260可包括一个或多个处理器。例如，图像获取器260可以包括计算机、服务器、大型主机、终端、个人计算机、任何类型的移动计算设备等、或其组合。图像获取器260可以通过诸如电导体、光纤电缆、便携式存储介质、IR、蓝牙、互联网、无线网络、无线电或其组合的介质与电子束工具104的检测器206连接。图像获取器260可以接收来自检测器206的信号并且可以构建图像。因此，图像获取器260可以获取晶片203的图像。图像获取器260还可以执行各种后处理功能，例如生成轮廓、在所获取的图像上叠加指示符等。图像获取器260可以执行所获取的图像的亮度和对比度等的调节。存储器270可以是诸如硬盘、云存储、随机存取存储器(RAM)、其他类型的计算机可读存储器等的存储介质。存储器270可以与图像获取器260耦合并且可以用于将扫描的原始图像数据保存为原始图像和后处理图像。图像获取器260和存储器270可以连接到控制器109。在一些实施例中，图像获取器260、存储器270和控制器109可以集成在一起作为一个控制单元。
在一些实施例中，图像获取器260可以基于从检测器206接收的成像信号获取样品的一个或多个图像。成像信号可对应于用于进行带电粒子成像的扫描操作。获取的图像可以是包括多个成像区域的单个图像。单个图像可存储在存储器270中。单个图像可以是可分成多个区域的原始图像。每个区域可包括一个包含晶片203的特征的成像区域。如将参考图3A、图3B、图3A和图4B解释的那样，消除电场扭曲分两个步骤完成，1)通过闭合晶片和HV环之间的间隙，以及2)通过调节导电环的x-y位置(包括高度)，使得晶片和导电环都处于同一水平。晶片和导电环之间的零间隙以及晶片和导电环的相同高度最终允许两者被供应相同的电位。相同的电位延伸了与晶片相同的电场的连续性，导致其边缘处的电场均匀。
图3A是与本公开的一些实施例一致的在晶片装载期间的示例***的顶视图的示图。图3A示出了晶片台301、晶片303和导电环302的四个部段302-1、302-2、303-3、302-4。应当理解，导电环302具有内部部分和外部部分。导电环的内部部分是更接近晶片303的部分，其中导电环302的内部部分上的电场的任何扭曲会对晶片303的外部部分上的电场产生较大影响。导电环的外部部分是远离晶片的部分，并且导电环外部部分上的电场的任何扭曲(如果有的话)对晶片303的外部部分上的电场影响很小。还示出了晶片台301的内圆301-1，其包围晶片303和导电环302。晶片的内圆301-1和导电环部段(302-1、302-2、302-3、302-4)之间的间隙由301-2示出。类似地，导电环部段(302-1、302-2、302-3、302-4)和晶片303之间的间隙由301-3示出。导电环的厚度由“d”表示。厚度d足够大，使得晶片303的边缘距离内圆301-1足够远，以最小化晶片边缘电场的影响。在一些实施例中，厚度d可以是几毫米或微米或取决于设计考虑的任何合适的值。应当理解，厚度d是预定义的。
在一些实施例中，在装载晶片303期间，晶片台301保持静止。然后，导电环302的四个部段(302-1、302-2、302-3和302-4)通过留下足够的间隙而被朝向晶片台301的内圆301-1径向向外移动，该间隙由晶片和导电环302之间的301-3示出。导电环部段可以单独移动，或者一次全部移动或者以任意组合移动。这有助于避免与晶片303的边缘碰撞。为了避免任何潜在的碰撞，导电环302部段保持在允许内圆301-1和导电环部段之间存在间隙301-2的位置。在装载晶片303之后，导电环的四个部段(302-1、302-2、302-3和302-4)可以朝向晶片303径向向内移动，以使它们之间的间隙301-3基本上可以忽略不计。
虽然优选的是，导电环302和晶片303之间以及导电环302之间以及相邻部段(302-1、302-2、302-3和302-4)之间没有间隙或零间隙，应当理解，可能会出现由制造缺陷、设计约束和目标导致的一些间隙。在一些实施例中，所公开的***被设计为具有间隙尺寸的1％至10％的间隙公差，间隙尺寸以微米为单位来被测量。
图3B示出了在装载晶片303之后所公开的***的顶视图。可以看出，由于导电环部段已经移动得更靠近晶片303，所以部段和晶片303之间的间隙301-3基本上是最小的(例如，零或几微米的间隙)。在一些实施例中，为了避免晶片碰撞，间隙的范围可以从1到10微米。通常，5-10微米的间隙(该范围的较高端)可能适合图像质量要求不太严格的检测应用。1-5微米(该范围的较低端)可能适合需要更高图像质量或图像质量要求更严格的计量应用。
在一些实施例中，导电环部段302-1、302-2、302-3和302-4被设计为具有与晶片303的半径相同的内曲率半径，因此，间隙301-3可以完全被闭合。此外，与图3A中的相比，图3B中的内圆和导电环部段之间的间隙301-2更大。
此外，可以向导电环302提供与晶片303相同的电位，从而将来自晶片303的边缘的电场的连续性在部段上延伸。关于这一点的更多细节将参考图4A和图4B进行解释。
虽然图3A和图3B示出了具有四个部段的导电环，但可以理解的是，可以使用任意数目的部段。例如，部段的最小数目可以是两个。此外，可以理解的是，一些部段可以处于固定位置。例如，可以理解的是，部段302-4可以相对于径向方向处于固定位置，而其他部段(即，段302-1、302-2和302-3)可以径向向内和向外移动。
如上所述的移动导电环302的过程可以被称为导电环调节过程。在一些实施例中，为了节省导电环调节过程所需的时间，可以有两组晶片台，第一晶片台用于执行电子束检查，第二晶片台用于并行执行晶片装载和导电环调节过程。也就是说，第一晶片台中的晶片可以经历电子束检查，而第二晶片台中的晶片可以经历晶片装载和导电环调节过程。值得注意的是，在第一晶片台中的晶片经过电子束检查后，可以调节导电环以移除晶片，并且可以将第一晶片台移动至晶片装载位置以装载下一个晶片。同时，第二个晶片台在经过导电环调节过程后，可以被定位以进行检查。
图4A示出了在装载晶片303并且导电环部段302-2和晶片303之间的间隙301-3已经基本上闭合之后的***的横截面图。图4A示出了放置在电子卡盘401上的晶片303以及放置在可调节机械组件402上的导电环部段302-2。电子卡盘301用于向晶片303施加所需的电位。在一些实施例中，机械组件402相对于晶片303和晶片台301沿着x、y或z轴在任意方向上移动。以这样的方式调节机构，使得导电环302的x-y位置至少基本上类似于晶片303的顶表面的x-y位置。应当理解，在工艺中的此时，在晶片边缘407和导电环部段302-2之间不存在间隙，并且晶片303的顶部和导电环部段302-2的顶部基本上具有相同的高度。换句话说，导电环302和晶片两者的顶表面基本上共面。
虽然优选的是导电环302和晶片303以及导电环302的所有相邻部段(302-1、302-2、302-3和302-4)处于完全相同的x-y位置，值得注意的是，基于制造缺陷，它们的x-y位置可能会出现一些差异、设计约束等。在一些实施例中，所公开的***被设计为具有小于一微米的x-y位置公差。
在一些实施例中，所公开的***可以包括至少一个位置传感器以感测导电环部段302-2的x-y位置。位置传感器可以向机械组件402发送控制信号，该控制信号指示x-y位置是小于还是大于晶片303的x-y位置。如之前所解释的，x-y位置可以包括高度。在感测到低于或高于晶片303的高度之后，可以向上或向下移动机械组件，直到导电环302-2的高度变得基本上等于晶片303的高度。
在该工艺阶段，可以向导电环302和晶片303提供相同的电压，使得晶片边缘307附近的电位分布更加均匀，其细节将关于图4B进行解释。
图4B示出了晶片303和导电环302上的电位分布406(406-1和406-2)。电位分布406-2表示更均匀的电位，而电位分布406-1表示非均匀(扭曲)的电位。可以看出，在晶片303和导电环302的顶部上有更均匀的电位分布406-2。不均匀的电位分布406-1在间隙301-2中，其远离晶片303，特别是晶片边缘407。因此，当在晶片边缘附近进行检查时，不均匀电位分布406-1对带电粒子束性能的影响较小。换言之，由于间隙301-2远离晶片边缘407，因此可以最小化或消除不均匀电位分布406-1以及由此产生的边缘电场对带电粒子束的影响。
图5是示出与本公开的一些实施例一致的、被耦合以与图3A、图3B、图4A或图4B的***一起工作的示例控制器和示例传感器的示意图。如将关于图5解释的，在一些实施例中，可以在所公开的***中实现包括电压感测单元和位置感测单元的控制器。电压感测单元连同其他电路可用于确保施加到导电环302的电压与晶片303的电压基本上相同。在一些示例中，两个电压可以由电路***彼此独立地调节。类似地，位置感测单元可用于确保导电环302的x-y位置与晶片302的x-y位置相同。
如图5所示，***500包括控制器502，其被配置为从晶片303和导电环302获取信息。
控制器502还被配置为确保导电环302与晶片处于相同的x-y位置，并且施加与晶片303相同的电压。控制器502可以包括电压感测单元516、电压控制单元506、位置感测单元514、位置控制单元504以及误差放大器508和510。电压感测单元516、误差放大器510以及电压控制单元506形成反馈回路，用于控制导电环302的电压或晶片303的电压或两者，以协助提供跨导电环302和晶片303的外部部分(包括晶片边缘407)的基本上均匀的电场。类似地，位置感测单元514、误差放大器508和位置控制单元504可形成反馈回路，用于控制导电环302的x-y位置以及导电环与晶片边缘之间的间隙，以协助提供跨导电环302和晶片303的外部部分(包括晶片边缘407)的基本上均匀的电场。
电压感测单元516可以包括用于感测晶片电压的第一电压传感器和用于感测导电环的第二电压传感器。在其他示例中，可以存在用于感测电压两者或电压之间的差值的单个传感器。在一些其他示例中，可以存在多个传感器。控制器502可以被配置为从第一电压传感器获取晶片电压信息并且从第二电压传感器获取导电环电压信息。
一般而言，电压感测单元516可以感测晶片303和导电环302的电压，并产生表示晶片303的电压的晶片电压感测信号501和表示导电环的电压的导电环电压信号503，这两者都可以被馈送到误差放大器510。可以使用本领域中任何公知的方法(诸如经由光耦合器)来感测晶片303和导电环302的电压。应当理解，误差放大器510可以产生与晶片303和导电环302的电压之间的差值成正比的误差电压505。误差电压505被馈送到电压控制单元506，电压控制单元506可以通过增大或减小导电环302的电压(如信号507所示)来调节导电环302的电压以基本上使误差电压505等于0。电压控制单元506还可以通过增大或减小晶片303的电压(如信号521所示)来调节晶片303的电压，以基本上使误差电压505等于0。应当理解，零误差电压可以指示导电环302的电压与晶片303的电压相同或基本上相同。换句话说，零误差电压可以指示在晶片303的晶片边缘407附近的电场中不存在扭曲。
此外，控制器502还可以被配置为从位置感测单元514获取晶片x-y位置信息和导电环x-y位置信息。控制器502还可以被配置为通过向上或向下移动来调节导电环302的x-y位置或通过向上或向下移动来调节晶片303的x-y位置，使得导电环302的顶表面至少基本上与晶片303的顶表面共面。在一些示例中，控制器502可以通过利用其内部电路的以下示例性实现来获取晶片x-y位置信息和导电环x-y位置信息。
在一些实施例中，位置感测单元514可以包括多个传感器。在一些实施例中，第一位置传感器可以被耦合以感测晶片303的水平以产生晶片位置信号511。位置感测单元514可以包括第二位置传感器，用于感测导电环302的水平以产生导电环位置信号513。可以将晶片位置感测信号511和导电环位置感测信号513两者提供到误差放大器508。可以使用本领域中任何公知的方法来感测晶片303和导电环302的位置，诸如经由可以将位置转换成诸如电压或电流的电信号的位置或运动传感器。
应当理解，误差放大器508可以产生与晶片303和导电环302的位置之间的差值成正比的误差电压515。误差电压515可以被馈送到位置控制单元504，位置控制单元504可以通过增大或减小导电环302的位置(如信号517所示)来调节导电环302的位置，以基本上使误差电压515基本上等于零。位置控制单元504还可以通过增大或减小晶片303的位置(如信号519所示)来调节晶片303的位置，以基本上使误差电压515基本上等于零。应当理解，零误差电压可以指示导电环302的位置与晶片303的位置基本上相同。换句话说，零误差电压可以指示在晶片的边缘附近存在基本上均匀的电场。
控制器502可以包括其他电路***或硬件或软件(未示出)以控制导电环302的电压和位置。例如，控制器可以具有软件查找表，该软件查找表可以包括与误差电压505和515相对应的条目。电压控制单元506和位置控制单元504可以使用查找表条目来调节导电环302的电压或位置。在一些实施例中，导电环302和机械组件402可以由包括非磁性金属材料(例如，钛、铝等)或具有非磁性金属涂层的绝缘材料的材料制成。
应当注意，电压感测可以包括感测任何类型的电特性，诸如直流电(dc)或交流电(ac)。在本公开中可以使用dc电路或ac电路，而不落入本公开的范围之外。
图6是示出与本公开的一些实施例一致的用于晶片接地的示例方法600的流程图。方法600可以由可与带电粒子束装置(例如，EBI***100)耦合的控制器执行。例如，控制器可以是图2中的控制器109或图5中的控制器502。控制器可被编程以实施方法600。
在步骤610，可将晶片放置在载物台和电子卡盘上。晶片可以是图3A中的晶片303。为了提供用于放置晶片的更多空间，可将一个或多个部段(例如，图3A中的段302-1、302-2、302-3和302-4)径向向外移动。
在步骤620，导电环的一个或多个部段(例如，图3B的部段302-1、302-2、302-3和302-4)可以径向向内移动以围绕晶片，直到内圆、导电环部段和晶片之间达到预定间隙。
在步骤630，可以获取电压感测数据和位置感测数据以确定是否需要调节导电环的位置或电压或者是否需要调节晶片的位置或电压。例如，返回参考图5，来自电压感测单元516的晶片电压感测信号501和导电环电压感测信号503可以由控制器502获取。类似地，晶片位置感测信号511和来自位置感测单元514的导电环位置感测信号513可以由控制器502获取。
在步骤640，可以检查是否需要调节导电环或晶片的位置。如果是，则该方法可以进行到步骤660。如果不是，则该方法可以返回到步骤630以检查是否获取位置感测数据。
在步骤650，可以检查是否需要调节导电环或晶片的电压。如果是，则该方法可以进行到步骤670。如果不是，则该方法可以返回到步骤630以检查是否获取位置感测数据。
步骤640和650可以基于设计考虑和***性能以任何次序顺序执行或并行执行或以任何组合执行。
在步骤660，可以相对于晶片调节导电环302的位置，使得导电环和晶片的顶表面共面。例如，返回参考图5，控制器502可以使用误差放大器508和位置控制单元504基于误差电压515并经由增加或减小位置信号517来增加或减小导电环的位置。控制器502可以使用误差放大器508和位置控制单元504基于误差电压515并经由增加或减小位置信号519来增加或减小晶片的位置。
在步骤670，可以调节导电环302的电压以在其表面上产生均匀的电位分布。例如，返回参考图5，控制器502可以使用误差放大器510和电压控制单元506基于误差电压505来增大或减小导电环的电压。
步骤670将在图7中更详细地解释。
图7是示出与本公开的一些实施例一致的用于在晶片边缘附近创建基本上均匀的电场的示例方法700的流程图。具体地，方法700阐述了图6的步骤670。
在步骤710，可以使用传感器(例如，图5所示的电压感测单元516)来感测晶片的电压以产生第一感测电压。
在步骤720，可以使用传感器(例如，图5所示的电压感测单元516)来感测导电环的电压以产生第二感测电压。
在步骤730，第一感测电压和第二感测电压可以通过控制器(例如，图5中所示的控制器502)进行比较，并且可以产生与两个电压之间的差值成正比的误差电压(例如，图5中所示的误差电压505)。
在步骤740，可以将误差电压(例如，图5所示的误差电压505)提供给反馈回路以增大或减小导电环的电压(例如，信号507)或者增大或减小晶片的电压(例如，信号521)以使误差电压基本上为零。
还应当注意的是，与图1至图7相关联地描述的装置和***可以不限于用于晶片检查。相反，它们可以用于包括高压部件和可调节机械组件并且需要均匀电压分布或消除晶片边缘附近的任何扭曲的任何***或装置。例如，这样的***或装置可以包括但不限于SEM、透射电子显微镜(TEM)或X射线机。
可以提供一种非暂态计算机可读介质，其存储用于处理器(例如，图1的控制器109的处理器)的指令，以执行图像处理、数据处理、数据库管理、图形显示、带电粒子束装置或另一成像装置的操作、执行晶片检查、径向向外移动导电环以产生将晶片放置在载物台上的空间、将晶片放置在载物台上、径向向内移动导电环直到导电环位于距离晶片边缘的预定距离内、感测导电环和晶片的电压、感测导电环和晶片的位置、调节导电环的电压等于晶片的电压以产生基本上均匀的电场、调节导电环的位置等于晶片的位置以使两者的顶表面共面等。非暂态介质的常见形式包括例如软盘、柔性盘、硬盘、固态驱动器、磁带或任何其他磁性数据存储介质、CD-ROM、任何其他光学数据存储介质、具有孔图案的任何物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM或任何其他闪存、NVRAM、高速缓存、寄存器、任何其他存储芯片或存储盒以及其网络版本。
可以使用以下条款进一步描述实施例：
1.一种检查晶片的方法，包括：
将所述晶片放置在载物台上的位置处；
沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使所述导电环在距离所述晶片的边缘的预定距离内；以及
调节施加到所述导电环的电压以使施加到所述导电环的电压基本上等于施加到所述晶片的电压，以跨所述导电环的内部部分和所述晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
2.根据条款1所述的方法，还包括：
径向向外移动所述导电环以增加所述装载物台上用于放置所述晶片的位置的面积。
3.根据条款1和2中任一项所述的方法，其中所述导电环包括一个或多个固定部段，并且其中沿径向方向向内移动所述一个或多个可移动部段还包括：
沿第二径向方向移动所述一个或多个可移动部段以使所述晶片能够在所述一个或多个固定部段的预定距离内。
4.根据条款1至3中任一项所述的方法，其中所述导电环由机械组件支撑。
5.根据条款4所述的方法，其中所述机械组件包括用于所述导电环的每个部段的单独的机械组件。
6.根据条款第4条所述的方法，还包括：
使用所述机械组件调节所述导电环的高度以使所述导电环的顶表面与所述晶片的顶表面基本上共面。
7.根据条款1至6中任一项所述的方法，还包括：
获取晶片电压信息以产生第一感测电压，
获取导电环电压信息以产生第二感测电压，
通过所述控制器比较所述第一感测电压和所述第二感测电压，以及
基于所述比较调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压。
8.根据第7条所述的方法，其中基于所述比较调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压还包括：
增加或减小施加到所述导电环的电压以基本上类似于施加到所述晶片的电压。
9.根据第7条所述的方法，其中基于所述比较调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压还包括：
将施加到所述晶片的电压增加或减小为基本上类似于施加到所述导电环的电压。
10.根据条款7所述的方法，还包括：通过第一电压传感器获取所述晶片电压信息并且通过第二电压传感器获取所述导电环电压信息。
11.根据条款1至10中任一项所述的方法，还包括：通过沿向上方向移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段来调节所述导电环的高度。
12.根据条款1至11中任一项所述的方法，还包括：通过沿向下方向移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段来调节导电环高度。
13.根据条款11和12中任一项所述的方法，还包括：通过第一位置传感器获取晶片高度信息。
14.根据条款11和12中任一项所述的方法，还包括：通过第二位置传感器获取导电环高度信息。
15.一种检查晶片的***，包括：
载物台，被配置为支撑具有晶片边缘的晶片；
所述载物台的导电环，所述导电环包括：一个或多个可移动部段，被配置为径向向内移动以使所述导电环能够移动到距离所述晶片边缘的预定距离内；以及
控制器，包括电路***，所述电路***被配置为调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压，以使施加到所述导电环的电压能够与施加到所述晶片的电压基本上相似，以跨所述导电环的内部部分和所述晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
16.根据条款15所述的***，其中所述导电环被配置为径向向外移动以增加所述载物台上用于放置所述晶片的位置的面积。
17.根据条款15和16中任一项所述的***，其中所述导电环由机械组件支撑。
18.根据条款17所述的***，其中所述机械组件包括用于所述导电环的每个部段的单独的机械组件。
19.根据条款15至18中任一项所述的***，其中所述导电环包括沿径向方向固定的一个或多个固定部段，并且其中所述一个或多个可移动部段沿径向方向是可移动的并且被配置为使所述晶片能够在所述一个或多个固定部段的预所述定距离内。
20.根据条款15至19中任一项所述的***，其中所述预定距离是几微米。
21.根据条款15至20中任一项所述的***，其中所述控制器包括电路***，所述电路***被配置为彼此独立地调节施加到所述导电环的电压和施加到所述晶片的电压。
22.根据条款17所述的***，其中所述机械组件被配置为向上或向下移动所述导电环，使得所述多个部段中的每个部段的顶表面的高度和所述晶片的顶表面基本上共面。
23.根据条款18所述的***，其中所述机械组件被配置为向上移动所述多个部段中的每个部段。
24.根据条款18所述的***，其中所述机械组件被配置为向下移动所述多个部段中的每个部段。
25.根据条款15至24中任一项所述的***，其中：
所述控制器包括被配置为获取晶片电压信息并产生第一感测电压的电路***；其中
所述控制器包括被配置为获取导电环电压信息产生第二感测电压的电路***；并且其中
所述控制器包括被配置为基于所述第一感测电压和所述第二感测电压的比较来调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压的电路***。
26.根据条款25所述的***，其中所述控制器包括电路***，所述电路***被配置为调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压以跨所述一个或多个可移动部段和所述晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
27.根据条款15至26中任一项所述的***，其中当径向向内移动时，所述一个或多个可移动部段彼此邻接。
28.根据条款15至27中任一项所述的***，其中当所述导电环闭合时的内曲率半径基本上类似于所述晶片的半径。
29.根据条款15至28中任一项所述的***，其中所述一个或多个可移动部段中的每个部段均具有预定义的厚度。
30.根据条款25所述的***，其中为了获取所述晶片电压信息，所述控制器包括被配置为经由第一电压传感器感测晶片电压的电路***。
31.根据条款25所述的***，其中为了获取所述导电环电压信息，所述控制器包括被配置为经由第二电压传感器感测所述导电环电压的电路***。
32.一种检查晶片的***，包括：
载物台，被配置为支撑具有晶片边缘的晶片；
所述载物台的导电环，所述导电环包括：一个或多个可移动部段，被配置为径向向外移动以增加所述晶片保持器上用于放置所述晶片的位置的面积，并被配置为径向向内移动以使所述导电环能够被移动到距离所述晶片边缘的预定距离内；
控制器，包括电路***，所述电路***被配置为调节所述导电环的所述一个或多个可移动部段的高度或所述晶片的高度，以使所述导电环的顶表面能够与所述晶片的顶表面基本上共面。
33.根据第32条所述的***，其中所述导电环被配置为径向向外移动以增加所述载物台上用于放置所述晶片的位置的面积。
34.根据条款32和33中任一项所述的***，其中所述导电环由至少一个机械组件支撑。
35.根据第34条所述的***，其中所述机械组件包括用于所述导电环的每个部段的单独的机械组件。
36.根据条款32至35中任一项的***，其中所述导电环包括沿径向方向固定的一个或多个固定部段，并且其中所述一个或多个可移动部段沿径向方向是可移动的并且被配置为使所述晶片能够移动到所述一个或多个部段的所述预定距离内。
37.根据条款32至36中任一项的***，其中所述控制器包括电路***，所述电路***被配置为跨所述导电环的内部部分和所述晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
38.根据条款32至37中任一项的***，其中所述预定距离是几微米。
39.根据条款32至38中任一项所述的***，其中所述控制器包括电路***，所述电路***被配置为调节以向上或向下移动所述导电环，使得所述多个部段中的每个部段的顶表面和所述晶片的顶表面的高度基本上共面。
40.根据条款34所述的***，其中所述机械组件被配置为向上移动所述多个部段中的每个部段。
41.根据第34条所述的***，其中所述机械组件被配置为向下移动所述多个部段中的每个部段。
42.根据条款32至41中任一项所述的***，其中当径向向内移动时，所述一个或多个可移动部段彼此邻接。
43.根据第36条所述的***，其中当所述晶片位于所述一个或多个部段的所述预定距离内时，所述导电环的内曲率半径基本上类似于所述晶片的半径。
44.根据条款32至43中任一项的***，其中所述一个或多个可移动部段中的每个部段具有预定义的厚度。
45.根据条款32至44中任一项的***，其中：
所述控制器包括被配置为获取晶片高度信息并生成第一感测高度的电路***；其中
所述控制器包括被配置为获取导电环高度信息并生成第二感测高度的电路***；并且其中
所述控制器包括被配置为基于所述第一感测高度和所述第二感测高度的比较来调节所述导电环高度或所述晶片高度并进一步校正它们之间的差值。
46.根据条款45所述的***，其中为了获取所述晶片高度信息，所述控制器包括被配置为经由第一位置传感器感测晶片高度的电路***。
47.根据条款45所述的***，其中为了获取所述导电环高度信息，所述控制器包括用于经由第二位置传感器感测所述导电环高度的电路***。
48.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令能够由设备的至少一个处理器执行以使所述设备执行方法，所述方法包括：
将所述晶片放置在载物台上的位置处；
沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使所述导电环在距离所述晶片的边缘的预定距离内；以及
调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压，使得施加到所述导电环的电压能够基本上等于施加到所述晶片的电压，以跨所述导电环的内部部分和所述晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
49.根据第48条所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
径向向外移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段以增加所述载物台上用于放置所述晶片的位置的面积。
50.根据条款48和49中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
沿径向方向向内移动所述一个或多个可移动部段，还包括：
沿第二径向方向移动所述一个或多个可移动部段，以使所述晶片在被包括在所述导电环中的一个或多个固定部段的预定距离内。
51.根据条款48至50中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中所述导电环由机械组件支撑。
52.根据条款48至51中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中所述导电环的所述一个或多个可移动部段的每个部段由单独的机械组件支撑。
53.根据条款50所述的非暂态计算机可读介质，其中所述导电环包括沿径向方向固定的一个或多个固定部段，并且其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
沿径向方向移动所述一个或多个可移动部段，以使所述晶片在所述一个或多个固定部段的所述预定距离内。
54.根据条款51所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：：
配置所述机械组件以向上或向下移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段，或者使得所述一个或多个可移动部段中的每个部段的顶表面与所述晶片的顶表面的高度基本上共面。
55.根据条款48至54中任一项所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
获取晶片电压信息以产生第一感测电压,
获取导电环电压信息以产生第二感测电压，
通过所述控制器比较所述第一感测电压和所述第二感测电压，并且
基于所述比较调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压。
56.根据第53条所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
将施加到所述导电环的电压增加或减小为基本上类似于施加到所述晶片的电压。
57.根据第54条所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
将施加到所述晶片的电压增加或减小为基本上类似于施加到所述导电环的电压。
58.根据条款55所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
通过第一电压传感器获取所述晶片电压信息，并且通过第二电压传感器获取所述导电环电压信息。
59.根据条款52所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
通过沿向上方向移动所述导电环来调节所述导电环的所述一个或多个可移动部段的高度。
60.根据条款52所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
通过沿向下方向移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段来调节所述导电环的所述一个或多个可移动部段的高度。
61.根据条款48所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
通过第一位置传感器获取晶片高度信息。
62.根据条款48所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备进一步执行：
通过第二位置传感器获取导电环高度信息。
63.一种检查晶片的方法，包括：
将所述晶片放置在载物台上的位置处；
沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使所述导电环能够在距离所述晶片的边缘的预定距离内；以及
调节所述导电环的高度或所述晶片的高度以使所述导电环的顶表面能够与所述晶片的顶表面基本上共面。
64.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令集能够由设备的至少一个处理器执行以使所述设备执行方法，所述方法包括：
将所述晶片放置在载物台上的位置处；
沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使所述导电环能够在距离所述晶片的边缘的预定距离内；以及
65.调节所述导电环的所述一个或多个可移动部段的高度或所述晶片的高度，以使所述导电环的顶表面能够与所述晶片的顶表面基本上共面。
附图中的框图示出了根据本公开的各种示例实施例的***、方法和计算机硬件或软件产品的可能实现的架构、功能和操作。就这一点而言，流程图或框图中的每个框可以表示代码的模块、段或部分，其包括用于实现指定逻辑功能的一个或多个可执行指令。应当理解，在一些备选实施方式中，框中指示的功能可以不按附图中标注的顺序发生。例如，连续示出的两个框可以基本上被同时执行或实现，或者两个框有时可以以相反的顺序执行，这取决于所涉及的功能。一些框也可以被省略。还应当理解的是，框图中的每个框以及框的组合可以由执行指定功能或动作的基于专用硬件的***来实现，或者由专用硬件和计算机指令的组合来实现。
应当理解，本公开的实施例不限于上面已经描述的和附图中示出的确切构造，并且可以在不脱离其范围的情况下做出各种修改和改变。

Claims (15)

1.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令能够由设备的至少一个处理器执行以使所述设备执行方法，所述方法包括：
将所述晶片放置在载物台上的位置处；
沿径向方向向内移动导电环的一个或多个可移动部段，以使所述导电环能够在距离所述晶片的边缘的预定距离内；以及
调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压，使得施加到所述导电环的电压能够基本上等于施加到所述晶片的电压，以跨所述导电环的内部部分和所述晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
2.根据权利要求1所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
径向向外地移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段以增加所述载物台上用于放置所述晶片的位置的面积。
3.根据权利要求1所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
沿径向方向向内移动所述一个或多个可移动部段还包括：
沿第二径向方向移动所述一个或多个可移动部段以使所述晶片能够在被包括在所述导电环中的一个或多个固定部段的预定距离内。
4.根据权利要求1所述的非暂态计算机可读介质，其中所述导电环由机械组件支撑。
5.根据权利要求1所述的非暂态计算机可读介质，其中所述导电环的所述一个或多个可移动部段中的每个部段由单独的机械组件支撑。
6.根据权利要求3所述的非暂态计算机可读介质，其中所述导电环包括沿径向方向固定的一个或多个固定部段，并且其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
沿径向移动所述一个或多个可移动部段，以使所述晶片在所述一个或多个固定部段的预定距离内。
7.根据权利要求4所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
配置所述机械组件以向上或向下移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段，或者使得一个或多个可移动部段中的每个可移动部段的顶表面与所述晶片的顶表面的位置基本上共面。
8.根据权利要求1所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
获取晶片电压信息以产生第一感测电压，
获取导电环电压信息以产生第二感测电压，
通过所述控制器比较所述第一感测电压和所述第二感测电压，以及
基于所述比较来调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压。
9.根据权利要求6所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
增加或减小施加到所述导电环的电压以基本上类似于施加到所述晶片的电压。
10.根据权利要求7所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
将施加到所述晶片的电压增加或减小为基本上类似于施加到所述导电环的电压。
11.根据权利要求8所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
通过第一电压传感器获取所述晶片电压信息，并且通过第二电压传感器获取所述导电环电压信息。
12.根据权利要求5所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
通过沿向上方向移动所述导电环来调节所述导电环的所述一个或多个可移动部段的所述位置。
13.根据权利要求5所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
通过沿向下方向移动所述导电环的所述一个或多个可移动部段来调节所述导电环的所述一个或多个可移动部段的所述位置。
14.根据权利要求1所述的非暂态计算机可读介质，其中所述指令集能够由所述至少一个处理器执行以使所述设备还执行：
通过第一位置传感器获取晶片位置信息。
15.一种检查晶片的***，包括：
载物台，被配置为支撑具有晶片边缘的晶片；
所述载物台的导电环，所述导电环包括一个或多个可移动部段，所述一个或多个可移动部段被配置为径向向内移动，以使所述导电环能够被移动到距离所述晶片边缘的预定距离内；并且
控制器，包括电路***，所述电路***被配置为调节施加到所述导电环的电压或施加到所述晶片的电压，以使施加到所述导电环的电压与施加到所述晶片的电压基本上相似，从而跨所述导电环的内部部分和所述晶片的外部部分提供基本上一致的电场。
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