CN118102811A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开的实施例提供了一种显示面板及显示装置，应用于显示技术领域，能够解决显示面板的阳极表面出现小黑点的问题。一种显示面板，包括显示区和周边区，周边区包括第一周边区和第二周边区；显示面板包括：基底、第一源漏金属层、第一钝化层、阻挡坝，阻挡坝位于周边区且围绕显示区设置，第一源漏金属层延伸至第一周边区，且延伸至阻挡坝远离显示区的一侧；第一钝化层位于第一周边区，第一钝化层覆盖第一源漏金属层的位于阻挡坝远离显示区一侧的部分；显示面板还包括：第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层远离基底的一侧，且位于第一周边区，第二钝化层覆盖第一钝化层中位于阻挡坝远离显示区一侧的部分；显示面板应用于显示装置中。

Description

一种显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

显示面板，例如，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板，或者QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板等由于其自发光的特点，已经被越来越广泛的应用在手机、平板、电脑、电视等各种显示装置中。

制备显示面板的堆叠膜层时，往往会因为制备工艺的偏差导致对前面已经制备完成的膜层造成过刻，容易使堆叠设置在该被过刻的膜层下方的金属膜层裸漏，裸漏的金属膜层的材料与显示面板阳极层的材料产生化学反应并析出在阳极表面，导致显示面板的阳极表面出现小黑点，影响显示面板的显示效果。

发明内容

本公开一些实施例解决的技术问题是：如何防止显示面板的金属膜层裸漏，降低显示面板的阳极表面出现小黑点的概率。

为解决上述技术问题，本公开一些实施例提供了一种显示面板，包括显示区和位于显示区周围的周边区，周边区包括第一周边区和第二周边区，第二周边区包括绑定区；显示面板包括：基底、设置于基底一侧的第一源漏金属层、设置于第一源漏金属层远离基底一侧的第一钝化层、设置于第一钝化层远离基底一侧的阻挡坝，阻挡坝位于周边区且围绕显示区设置；第一源漏金属层延伸至第一周边区，且延伸至阻挡坝远离显示区的一侧；第一钝化层包括位于第一周边区的第一部分，第一钝化层的第一部分覆盖第一源漏金属层的位于阻挡坝远离显示区一侧的部分；显示面板还包括：第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层远离基底的一侧，且包括位于第一周边区的第一部分，第二钝化层的第一部分覆盖第一钝化层的第一部分中位于阻挡坝远离所述显示区一侧的部分。

本公开一些实施例的有益效果是：通过将第一周边区的第一源漏金属层位于阻挡坝远离显示区一侧的部分覆盖第一钝化层的第一部分，将第一周边区的第一钝化层的第一部分位于阻挡坝远离显示区一侧的部分覆盖第二钝化层的第一部分，对第一源漏金属层位于阻挡坝远离显示区一侧的部分形成双层保护，有效防止将显示面板的金属层，例如第一源漏金属层裸漏，降低了显示面板阳极表面出现小黑点的概率。

在一些实施例中，第一钝化层的第一部分由第一源漏金属层位于阻挡坝远离显示区一侧的部分的表面上延伸至基底表面上。

在一些实施例中，阻挡坝包括第一阻挡坝与第二阻挡坝，第二阻挡坝相对第一阻挡坝远离显示区。

在一些实施例中，第一源漏金属层延伸至第二周边区，且延伸至第二阻挡坝远离显示区的一侧；第一钝化层还包括位于第二周边区的第二部分，第一钝化层的第二部分覆盖第一源漏金属层位于第一阻挡坝和第二阻挡坝之间的部分；第二钝化层还包括位于第二周边区的第二部分，第二钝化层的第二部分覆盖第一钝化层位于第一阻挡坝和第二阻挡坝之间的部分。

在一些实施例中，第一源漏金属层包括沿第一方向延伸的多条第一电压信号线，多条第一电压信号线位于显示区，且延伸至第一周边区；第一源漏金属层还包括第一电压信号总线，第一电压信号总线位于第一周边区，第一电压信号总线半包围显示区，第一电压信号总线的外侧位于第二阻挡坝远离显示区一侧，第一电压信号总线与多条第一电压信号线连接；第一源漏金属层还包括两条第一电压信号连接线，两条第一电压信号连接线位于第二周边区，且两条第一电压信号连接线分别与第一电压信号总线的两端连接；第一电压信号连接线由第一阻挡坝靠近显示区的一侧延伸至第二阻挡坝远离显示区的一侧；第一钝化层的第一部分覆盖第一电压信号总线位于第二阻挡坝远离显示区一侧的部分，第一钝化层的第二部分覆盖第一电压信号连接线位于第一阻挡坝和第二阻挡坝之间的部分；第二钝化层的第一部分和第二部分覆盖第一钝化层位于周边区的部分。

在一些实施例中，显示面板还包括位于第一钝化层和第二钝化层之间的第二源漏金属层，第二源漏金属层延伸至第二阻挡坝靠近显示区的一侧，第二源漏金属层与第一源漏金属层在周边区连接；显示面板还包括位于第二钝化层远离基底一侧的阳极层，阳极层包括位于周边区的搭接阳极，搭接阳极与第二源漏金属层延伸至第二阻挡坝靠近显示区的一侧的部分连接；显示面板还包括位于阳极层远离基底一侧的阴极层，搭接阳极与阴极层的位于周边区的部分连接。

在一些实施例中，显示面板还包括位于第一钝化层远离基底一侧的第一平坦层，第一平坦层至少位于显示区；第二源漏金属层位于第一平坦层远离基底一侧；显示面板还包括位于第二源漏金属层远离基底一侧的第二平坦层，第二平坦层至少位于显示区；第二钝化层位于第二平坦层远离基底一侧，第二钝化层还包括位于显示区的第三部分，第二钝化层的第三部分包括至少一个钝化断层；阳极层还包括位于显示区的至少一个阳极，阳极在基底的正投影位于钝化断层在基底的正投影内；显示面板还包括位于阳极层远离基底一侧的像素界定层，像素界定层包括至少一个像素开口；像素开口与阳极对应设置；显示面板包括由像素界定层贯穿至第二平坦层的凹槽，凹槽位于像素开口的至少一侧；钝化断层的边缘部分从凹槽的侧壁伸出，钝化断层伸出的边缘部分靠近基底的一面与凹槽的底部之间具有空隙。

在一些实施例中，显示面板还包括位于阳极层远离基底一侧的发光层，发光层包括位于像素开口内的发光部；阴极层位于发光层和像素界定层远离基底一侧；显示面板还包括位于阳极层和发光层之间的第一载流子公共层，和/或位于发光层和阴极层之间的第二载流子公共层；第一载流子公共层和/或第二载流子公共层位于凹槽内的部分在钝化断层伸出的边缘部分处断开，阴极层位于凹槽内的部分在钝化断层伸出的边缘部分处断开。

在一些实施例中，发光层包括依次层叠设置的第一发光层、连接层和第二发光层，第一发光层靠近阳极层，所述连接层位于所述凹槽内的部分在所述钝化断层伸出的边缘部分处断开。

在一些实施例中，显示面板还包括位于阴极层远离基底一侧的第一封装层；位于第一封装层远离基底一侧的第二封装层；位于第二封装层远离基底一侧的第三封装层；第二封装层的边界位于第一阻挡坝靠近显示区的一侧，第一封装层和第三封装层覆盖显示区和周边区。

在一些实施例中，第一钝化层的材料为氮化硅，厚度为2500埃～3000埃。

在一些实施例中，第二钝化层的材料为氮化硅，厚度为500埃～2500埃。

本公开一些实施例还提供了一种显示装置，包括上面所述的显示面板。

本公开一些实施例将上面所述的显示面板应用于显示装置中，降低了显示装置的显示区出现小黑点的概率。

附图说明

为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。

图1为一些实施例中显示面板的平面图；

图2为根据图1中C-C剖面线得到的一种剖面图；

图3为根据图1中C-C剖面线得到的另一种剖面图；

图4A为本公开一些实施例中显示面板的平面图；

图4B为本公开一些实施例中显示面板左边框区信号走线平面图；

图5为图4A中第二周边区的膜层结构平面图；

图6为根据图5中D-D剖面线得到的剖面图；

图7为根据图4A中E-E剖面线得到的剖面图；

图8为根据图4A中F-F剖面线得到的剖面图；

图9为图8中凹槽位置处的放大图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。

本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。

显示面板，例如，OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板，或者QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)显示面板等由于其自发光的特点，已经被越来越广泛的应用在手机、平板、电脑、电视等各种显示装置中。

如图1所示，显示面板100包括显示区AA与围绕显示区AA设置的周边区BB，阻挡坝Dam位于周边区BB并围绕显示区AA设置；在一些实施例中，显示面板100的膜层包括衬底、依次层叠设置于衬底一侧的有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极金属层、第二栅极绝缘层、第二栅极金属层、层间介质层、第一源漏金属层、第一钝化层、第一平坦层、第二源漏金属层、第二平坦层、第二钝化层、阳极层、像素界定层、发光层、阴极层、封装层。这些膜层中，有一些膜层为连续的整层铺设的膜层，有一些膜层为图案化膜层，有一些膜层仅位于显示区AA，有一些膜层由显示区AA延伸至周边区BB，有一些膜层包括位于显示区AA的一部分和位于周边区BB的一部分，且这两部分分隔；其中，基底作为承载所有膜层的基层，各膜层在基底上的正投影的边界不同。

如图2所示，图2为根据图1中剖面线CC得到的剖视图，需要说明的是，图2中仅示意出与第一源漏金属层相关的结构，并未示意出周边区所设置的全部膜层。在一些示例中，显示面板100的周边区BB所设置的膜层为：基底1、设置于基底1一侧的第一源漏金属层SD1、设置于第一源漏金属层SD1远离基底1一侧的第一钝化层PVX1，其中，在周边区BB中，第一钝化层PVX1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧，即第一钝化层PVX1位于阻挡坝Dam***，阻挡坝Dam设置于第一源漏金属层SD1远离基底1一侧。

制备显示面板100的各膜层时，显示面板100膜层中的金属膜层，例如为第一源漏金属层SD1在周边区BB的部分延伸到阻挡坝Dam远离显示区AA的一侧，第一源漏金属层SD1延伸到阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分在远离基底1的一侧层叠设置有第一钝化层PVX1，第一钝化层PVX1覆盖第一源漏金属层SD1延伸到阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分。在制备后续的膜层，例如在制备第二源漏金属层SD2和/或第二钝化层PVX2时，需要对第二源漏金属层SD2和/或第二钝化层PVX2进行图案化处理，将第二源漏金属层SD2和/或第二钝化层PVX2的位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分刻蚀掉，在刻蚀过程中，容易对设置于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的第一钝化层PVX1造成过刻，致使第一钝化层PVX1覆盖的阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的第一源漏金属层SD1裸露，第一源漏金属层SD1的材料例如为钛铝复合材料，第一源漏金属层SD1例如为层叠设置的钛-铝-钛(Ti-AL-Ti)膜层；在制备显示面板100的阳极层Ano时，阳极材料例如为银，在刻蚀阳极层Ano图案的过程中，由于第一源漏金属层SD1裸露，第一源漏金属层SD1的铝离子在刻蚀液中析出并进入刻蚀液中，第一源漏金属层SD1的铝离子随着刻蚀液到达显示面板100显示区AA的阳极层Ano，阳极层Ano的银离子与刻蚀液中第一源漏金属层SD1的铝离子进行置换并析出在阳极表面，导致显示面板100阳极表面出现小黑点，影响显示面板100的显示效果。

基于此，如图1、图3所示，本公开一些实施例提供了一种显示面板100，包括显示区AA和位于显示区AA周围的周边区BB，周边区BB包括第一周边区BB1和第二周边区BB2，第二周边区BB2包括绑定区BB2-2。显示面板100包括：基底1、设置于基底1一侧的第一源漏金属层SD1、设置于第一源漏金属层SD1远离基底1一侧的第一钝化层PVX1、设置于第一钝化层PVX1远离基底1一侧的阻挡坝Dam，阻挡坝Dam位于周边区BB且围绕显示区AA设置；第一源漏金属层SD1延伸至第一周边区BB1，且延伸至阻挡坝Dam远离显示区AA的一侧；第一钝化层PVX1包括位于第一周边区BB1的第一部分PVX1-1，第一钝化层的第一部分PVX1-1覆盖第一源漏金属层SD1的位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分；显示面板100还包括：第二钝化层PVX2，第二钝化层PVX2位于第一钝化层PVX1远离基底1的一侧，且包括位于第一周边区BB1的第一部分PVX2-1，第二钝化层的第一部分PVX2-1覆盖第一钝化层的第一部分PVX1-1中位于阻挡坝Dam远离所述显示区AA一侧的部分。

示例性地，如图1所示，显示面板100包括显示区AA，显示面板100的显示区AA包括多个子像素，多个子像素例如呈阵列排布，子像素是显示面板100进行画面显示的最小单元，每个子像素可显示一种单一的颜色，例如红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)，每个子像素均包括一个发光器件及一个用于驱动该发光器件发光的像素驱动电路，像素驱动电路可以由多个TFT(薄膜晶体管)和Cst(存储电容器)电连接构成。在每个子像素中，发光器件与下方对应的像素驱动电路电连接，具体是发光器件的阳极与对应的像素驱动电路电连接，这样，被输入至显示面板100内部的阳极电压，通过像素驱动电路传输至发光器件的阳极，同时，向发光器件的阴极传输阴极电压，从而使得阳极和阴极之间形成电场，驱动发光器件发出光线。

示例性地，如图1所示，显示面板100包括位于显示区AA周围的周边区BB，周边区BB可以包括第一周边区BB1和第二周边区BB2，第一周边区BB1可以包括显示面板100上边框区、左边框区、右边框区的至少一个边框区，第二周边区BB2可以包括显示面板100的下边框区，示例性地，显示面板100的左边框区和右边框区在第一方向X上相对设置，上边框区和下边框区在第二方向Y上相对设置，第一方向X和第二方向Y交叉；其中第一方向X例如为多个子像素排列的行方向，第二方向Y例如为多个子像素排列的列方向，第一方向X和第二方向Y垂直。在第二周边区BB2，例如下边框区位置可以包括电极弯折区BB2-1与绑定区BB2-2，绑定区BB2-2可以用于绑定柔性电路板并通过电极弯折区BB2-1翻折到显示面板100的背面，减小了第二周边区BB2例如下边框区的宽度，满足了目前显示面板100窄边框的需求。

示例性地，如图3所示，在显示面板100的第一周边区BB1，例如显示面板100的上边框区、左边框区、右边框区处，显示面板100设置有：基底1、设置于基底1一侧的第一源漏金属层SD1、设置于第一源漏金属层SD1远离基底1一侧的第一钝化层的第一部分PVX1-1、设置于第一钝化层PVX1第一部分远离基底1一侧的阻挡坝Dam、设置于第一钝化层PVX1第一部分远离基底1一侧的第二钝化层的第一部分PVX2-1。

需要说明的是，显示面板100周边区BB的膜层堆叠与显示区AA的膜层堆叠存在区别，显示面板100的显示区AA进行画面显示，显示区AA的膜层堆叠可以包括每一个子像素的像素驱动电路膜层堆叠以及与像素驱动电路相对应的发光器件的膜层堆叠，显示面板100的周边区BB无需进行画面显示，可以用于布置多个信号走线，周边区BB的膜层堆叠可以包括多个信号走线的膜层堆叠。

示例性地，在显示面板100的第一周边区BB1，例如显示面板100的上边框区、左边框区、右边框区处，基底1可以为显示面板100各膜层堆叠的基础，基底1可以为刚性的，也可以为柔性的。阻挡坝Dam位于周边区BB且围绕显示区AA设置，阻挡坝Dam用于阻挡显示区AA的相关有机层在制备过程中的外溢，并且可以有效阻止外界的水氧对显示面板100内部的膜层造成腐蚀。

示例性地，在显示面板100的第一周边区BB1，例如显示面板100的上边框区、左边框区、右边框区处，第一源漏金属层SD1延伸至阻挡坝Dam远离显示区AA的一侧；在第一周边区BB1的第一源漏金属层SD1可以用来布置信号走线，第一源漏金属层SD1的材料可以为复合材料，例如为钛-铝-钛(Ti-AL-Ti)复合材料，第一钝化层的第一部分PVX1-1覆盖第一源漏金属层SD1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分，第一钝化层的第一部分PVX1-1还位于阻挡坝Dam下方，第二钝化层的第一部分PVX2-1覆盖第一钝化层的第一部分PVX1-1中位于阻挡坝Dam远离所述显示区AA一侧的部分。

本公开一些实施例在显示面板100的第一周边区BB1，例如显示面板100的上边框区、左边框区、右边框处区，通过将第一钝化层的第一部分PVX1-1覆盖第一源漏金属层SD1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分，第二钝化层的第一部分PVX2-1覆盖第一钝化层的第一部分PVX1-1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分，对第一源漏金属层SD1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分形成双层保护，有效避免在后续膜层的图案化处理过程中，对第一钝化层PVX1和第二钝化层PVX2组成的组合膜层造成过刻，从而避免将显示面板100的金属层，例如第一源漏金属层SD1裸漏，降低了显示面板100阳极表面出现小黑点的概率。

在一些实施例中，如图3所示，第一钝化层的第一部分PVX1-1由第一源漏金属层SD1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分的表面上延伸至基底1表面上，即第一钝化层的第一部分PVX1-1覆盖第一源漏金属层SD1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧部分的上表面以及侧面，并且第一钝化层的第一部分PVX1-1远离显示区AA的一端延伸至基底1表面上，第一钝化层PVX1与基底1接触。第二钝化层的第一部分PVX2-1覆盖第一钝化层的第一部分PVX1-1位于阻挡坝Dam远离所述显示区AA一侧的部分。这样的设置将第一源漏金属层SD1位于阻挡坝Dam远离显示区AA一侧的部分更好的覆盖，防止空气中的水汽进入显示面板100对显示面板100中的膜层造成腐蚀，影响显示面板100的使用寿命，同时可以更好地防止在制备后续膜层时将金属膜层，例如第一源漏金属层SD1裸漏，降低显示面板100的阳极表面出现小黑点的概率。

在一些实施例中，如图1和图3所示，阻挡坝Dam包括第一阻挡坝Dam1与第二阻挡坝Dam2，第二阻挡坝Dam2相对第一阻挡坝Dam1远离显示区AA，第二阻挡坝Dam2的高度高于第一阻挡坝Dam1，可以更好地阻挡相关有机层在制备过程中的外溢；阻挡坝Dam可以利用显示面板100中的其他膜层制作，简化制备工艺。

在一些实施例中，如图5、图6所示，第一源漏金属层SD1延伸至第二周边区BB2，且延伸至第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧；第一钝化层PVX1还包括位于第二周边区BB2的第二部分PVX1-2，第一钝化层的第二部分PVX1-2覆盖第一源漏金属层SD1位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分；第二钝化层PVX2还包括位于第二周边区BB2的第二部分PVX2-2，第二钝化层的第二部分PVX2-2覆盖第一钝化层PVX1位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分。

示例性地，如图5所示，在显示面板100的第二周边区BB2，例如显示面板100的下边框区处，第一源漏金属层SD1从显示面板100的左边框区与右边框区向下延伸至显示面板100的下边框区，第一源漏金属层SD1在下边框区处分为左右两部分，并延伸至第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧；第一钝化层的第二部分PVX1-2覆盖第一源漏金属层SD1位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分，第二钝化层的第二部分PVX2-2覆盖第一钝化层的第二部分PVX1-2位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分，对第一源漏金属层SD1位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分形成双层保护，有效避免在后续膜层的图案化处理过程中，对第一钝化层PVX1和第二钝化层PVX2组成的组合膜层造成过刻，从而防止将显示面板100的金属层，例如第一源漏金属层SD1裸漏，降低了显示面板100阳极表面出现小黑点的概率。

需要说明的是，显示面板100的第二周边区BB2，例如显示面板100的下边框区，第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧包括电极弯折区BB2-1与绑定区BB2-2，绑定区BB2-2可以用于绑定柔性电路板并通过电极弯折区BB2-1翻折到显示面板100的背面，以满足目前显示面板100窄边框的需求。此时显示面板100下边框区的电极弯折区BB2-1需要具有较好的弯折性能，由于第一钝化层PVX1与第二钝化层PVX2均为无机材料，具有较高的硬度与强度，如果将第一钝化层的第二部分PVX1-2覆盖第一源漏金属层SD1在第二周边区BB2内延伸至第二阻挡坝Dam2远离显示区AA一侧的部分，第二钝化层的第二部分PVX2-2覆盖第一钝化层的第二部分PVX1-2延伸至第二阻挡坝Dam2远离显示区AA一侧的部分，第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧将会有较高的硬度与强度，在电极弯折区BB2-1弯折的过程中，通常会产生较大的应力，可能会导致电极弯折区BB2-1的一些膜层剥离，损坏显示面板100，因此，在显示面板100的下边框区中第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧通常使用显示面板100的相关有机膜层来覆盖第一源漏金属层SD1，既保证了下边框区中电极弯折区BB2-1的弯折性能，又保证了第一源漏金属层SD1不被裸露。

在一些实施例中，如图3、图4A、图5、图6所示，图3可以作为根据图1中剖面线CC得到的剖面图，也可以作为根据图4A中剖面线EE到的剖面图，图3旨在示意出第一源漏金属层SD1、第一钝化层PVX1、第二钝化层PVX2和阻挡坝Dam的位置关系。第一源漏金属层SD1位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2下方，第一源漏金属层SD1包括沿第一方向X延伸的多条第一电压信号线SD1-1，多条第一电压信号线SD1-1位于显示区AA，且延伸至第一周边区BB1，示例性地，多条第一电压信号线SD1-1延伸至第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间。第一源漏金属层SD1还包括第一电压信号总线SD1-2，第一电压信号总线SD1-2位于第一周边区BB1，第一电压信号总线SD1-2半包围显示区AA，也就是说，第一电压信号总线SD1-2位于上边框区、左边框区和右边框区，将显示区AA的上侧、左侧和右侧包围。第一电压信号总线SD1-2的外侧位于第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧，第一电压信号总线SD1-2与多条第一电压信号线SD1-1连接。第一源漏金属层SD1还包括两条第一电压信号连接线SD1-3，两条第一电压信号连接线SD1-3位于第二周边区BB2，且两条第一电压信号连接线SD1-3分别与第一电压信号总线SD1-2的两端连接。第一电压信号连接线SD1-3由第一阻挡坝Dam1靠近显示区AA的一侧延伸至第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧。

第一钝化层的第一部分PVX1-1覆盖第一电压信号总线SD1-2位于第二阻挡坝Dam2远离显示区AA一侧的部分，第一钝化层的第二部分PVX1-2覆盖第一电压信号连接线SD1-3位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分；第二钝化层的第一部分PVX2-1和第二部分覆盖第一钝化层PVX1位于周边区BB的部分。

示例性地，如图4A、4B所示，第一源漏金属层SD1可以用于设置信号走线，例如，第一源漏金属层SD1位于显示区AA的部分可设置沿第一方向X延伸的多条第一电压信号线SD1-1，例如为横向VSS信号线，多条第一电压信号线SD1-1沿第一方向X延伸到第一周边区BB1，示例性地，多条第一电压信号线SD1-1沿第一方向X延伸至第一周边区BB1的第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间，例如第一电压信号线SD1-1由显示区AA延伸至左边框区和右边框区。在第一周边区BB1可以设置第一电压信号总线SD1-2，例如为VSS信号总线，多条第一电压信号线SD1-1连接到第一电压信号总线SD1-2上，第一电压信号总线SD1-2在第一周边区BB1，例如显示面板100的上边框区、左边框区、右边框区位置包围显示区AA，示例性地，第一电压信号总线SD1-2的内侧位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间，第一电压信号总线SD1-2的外侧位于第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧。多条第一电压信号线SD1-1延伸至第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的端部与第一电压信号总线SD1-2的内侧连接。第一电压信号总线SD1-2在左边框区、右边框区沿第二方向Y延伸至第二周边区BB2边缘；在显示面板100的第二周边区BB2，第一源漏金属层SD1可以设置两条第一电压信号连接线SD1-3，两条第一电压信号连接线SD1-3分别与第一电压信号总线SD1-2在左边框区、右边框区位置延伸至第二周边区BB2边缘的两端连接，且两条第一电压信号连接线SD1-3由第一阻挡坝Dam1靠近显示区AA的一侧沿第二方向Y延伸至第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧，也就是说，第一电压信号连接线SD1-3在基底1上的正投影依次跨过第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2在基底1上的正投影。

示例性地，如图3所示，在第一周边区BB1，第一钝化层的第一部分PVX1-1覆盖第一电压信号总线SD1-2位于第二阻挡坝Dam2远离显示区AA一侧的部分；第二钝化层的第一部分PVX2-1覆盖第一钝化层的第一部分PVX1-1延伸至第二阻挡坝Dam2远离显示区AA的一侧的部分。

示例性地，如图6所示，在第二周边区BB2，第一钝化层的第二部分PVX1-2覆盖第一源漏金属层SD1的两条第一电压信号连接线SD1-3位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分；第二钝化层的第二部分PVX2-2覆盖第一钝化的第二部分位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间的部分。

在一些实施例中，如图7所示，显示面板100还包括位于第一钝化层PVX1和第二钝化层PVX2之间的第二源漏金属层SD2，第二源漏金属层SD2延伸至第二阻挡坝Dam2靠近显示区AA的一侧，第二源漏金属层SD2与第一源漏金属层SD1在周边区BB连接；显示面板100还包括位于第二钝化层PVX2远离基底1一侧的阳极层Ano，阳极层Ano包括位于周边区BB的搭接阳极Ano-1，搭接阳极Ano-1与第二源漏金属层SD2延伸至第二阻挡坝Dam2靠近显示区AA的一侧的部分连接；显示面板100还包括位于阳极层Ano远离基底1一侧的阴极层Cad，搭接阳极Ano-1与阴极层Cad的位于周边区BB的部分连接。

示例性地，如图7所示，在显示面板100的第一周边区BB1，从下到上依次叠层设置有：衬底11、缓冲层12、第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、层间介质层ILD、第一源漏金属层SD1、第一钝化层第一部分PVX1-1、第一平坦层PLN1、第二源漏金属层SD2、第二平坦层PLN2、第二钝化层第一部分PVX2-1、搭接阳极Ano-1、像素界定层PDL、隔垫物PS、阴极层Cad、封装层TFE，其中，衬底11、缓冲层12、第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、层间介质层ILD组成基底1，第一阻挡坝Dam1利用像素界定层PDL与隔垫物PS制作，第二阻挡坝Dam2利用第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2、像素界定层PDL与隔垫物PS制作，第一阻挡坝Dam1与第二阻挡坝Dam2还可利用其他膜层制作，例如第一阻挡坝Dam1利用第二平坦层PLN2与像素界定层PDL制作，第二阻挡坝Dam2利用第一平坦层PLN1、第二平坦层PLN2、像素界定层PDL制作，在此处不做限定。

第二源漏金属层SD2可以用于设置信号走线，例如第二源漏金属层SD2包括沿第二方向Y延伸的纵向第一电压信号线SD2-1，例如为纵向VSS信号线，且第二源漏金属层SD2的多条信号线由显示区AA沿第二方向延伸至周边区BB。在周边区BB内，第二源漏金属层SD2延伸至第二阻挡坝Dam2靠近显示区AA的一侧，第二源漏金属层SD2与第一源漏金属层SD1在第二阻挡坝Dam2靠近显示区AA一侧的部分连接，如图4A所示，纵向第一电压信号线SD2-1延伸至上边框区中第二阻挡坝Dam2靠近显示区AA的一侧，与第一电压信号总线SD1-2通过过孔连接；纵向第一电压信号线SD2-1还延伸至下边框区中第二阻挡坝Dam2靠近显示区AA的一侧，与第一电压信号连接线SD1-3(VSS信号连接线)通过过孔连接。

在一些实施例中，纵向第一电压信号线SD2-1还设置于第一周边区BB1的左边框区和右边框区，示例性地，纵向第一电压信号线SD2-1位于第一阻挡坝Dam1和第二阻挡坝Dam2之间，一条纵向第一电压信号线SD2-1与多条第一电压信号线SD1-1延伸至左边框区或右边框区的端部通过过孔连接。在另一些实施例中，多条纵向第一电压信号线SD2-1和多条第一电压信号线SD1-1在显示区AA相互交叉设置，在二者交叠位置处，纵向第一电压信号线SD2-1与第一电压信号线SD1-1通过过孔连接。

通过上述设置，实现第二源漏金属层SD2与第一源漏金属层SD1在周边区BB/显示区AA连接，能够在第一源漏金属层SD1和第二源漏金属层SD2形成网状电压信号传输网，使得第一电压信号能够由第一电压信号总线SD1-2传输至多条第一电压信号线SD1-1，且传输至多条纵向第一电压信号线SD2-1，实现第一电压信号(VSS)的换层传输，便于将后续VSS信号传输至阴极层。同时这样设置有利于降低信号线电阻，降低信号传输的损耗，提高信号均匀性。

示例性地，显示面板100的阳极层Ano包括位于显示区AA的多个阳极Ano-2和位于显示面板100的第一周边区BB1的搭接阳极Ano-1，多个阳极Ano-2和搭接阳极Ano-1同层设置，搭接阳极Ano-1与显示面板100显示区AA的阳极Ano-2断开，单独发挥作用，显示面板100的阴极层Cad为铺设在显示区AA和周边区BB的整面连续膜层，如图7所示，阴极层Cad的边界相比像素界定层PDL的边界更靠近显示面板100边缘，阴极层Cad的边缘部分与搭接阳极Ano-1接触。搭接阳极Ano-1的作用为连接第二源漏金属层SD2与阴极层Cad，即搭接阳极Ano-1与第二源漏金属层SD2延伸至第二阻挡坝Dam2靠近显示区AA的一侧的部分连接，搭接阳极Ano-1与阴极层Cad延伸至第一周边区BB1的部分连接，从而将第二源漏金属层SD2所传输的信号通过搭接阳极Ano-1传输至位于周边区BB的阴极层Cad，进而将位于显示区AA的阴极层Cad接入电压信号，通过这样的结构，实现了显示面板100显示区AA阴极层Cad与第一周边区BB1的第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2的VSS信号线的电连接。

需要说明的是，在另一些实施例中，阴极层Cad的边界可以相对像素界定层PDL的边界靠近显示区AA，阴极层Cad无需延伸至与搭接阳极Ano-1直接接触的位置，阴极层Cad可以穿过像素界定层PDL中的过孔，与搭接阳极Ano-1连接，从而实现显示面板100显示区AA阴极层Cad与第一周边区BB1的第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2的VSS信号线的电连接。因此，能够实现显示面板100显示区AA阴极层Cad与第一周边区BB1的第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2的VSS信号线连接的方式均落入本公开一些实施例的保护范围，在此处不一一举例。

同时，显示面板100周边区BB的信号走线可根据具体情况设置为不同的方案，例如VSS信号线可以只设置在第一源漏金属层SD1，也可以设置在第一源漏金属层SD1、第二源漏金属层SD2以及第三源漏金属层，第一源漏金属层SD1可以只设置VSS信号线，也可以设置其他信号线，例如VDD信号线等，因此，本公开一些实施例在此处不做过多限定，各种信号线的设置方案均落入本公开一些实施例的保护范围。

在一些实施例中，如图8所示，显示面板100还包括位于第一钝化层PVX1远离基底1一侧的第一平坦层PLN1，第一平坦层PLN1至少位于显示区AA；第二源漏金属层SD2位于第一平坦层PLN1远离基底1一侧；显示面板100还包括位于第二源漏金属层SD2远离基底1一侧的第二平坦层PLN2，第二平坦层PLN2至少位于显示区AA；第二钝化层PVX2位于第二平坦层PLN2远离基底1一侧，第二钝化层PVX2还包括位于显示区AA的第三部分PVX2-3，第二钝化层的第三部分PVX2-3包括至少一个钝化断层PVX2-31；阳极层Ano还包括位于显示区AA的至少一个阳极Ano-2，阳极Ano-2在基底1的正投影位于钝化断层PVX2-31在基底1的正投影内；显示面板100还包括位于阳极层Ano远离基底1一侧的像素界定层PDL，像素界定层PDL包括至少一个像素开口PDL-1；像素开口PDL-1与阳极Ano-2对应设置；显示面板100包括由像素界定层PDL贯穿至第二平坦层PLN2的凹槽4，凹槽4位于像素开口PDL-1的至少一侧；钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2从凹槽4的侧壁伸出，钝化断层PVX2-31伸出的边缘部分pv2靠近基底1的一面与凹槽4的底部之间具有空隙41。

示例性地，如图8所示，在显示面板100的显示区AA，从下到上依次层叠设置有：衬底11、缓冲层12、有源层ACT、第一栅极绝缘层GI1、第一栅极金属层Gate1、第二栅极绝缘层GI2、第二栅极金属层Gate2、层间介质层ILD、第一源漏金属层SD1、第一钝化层第三部分PVX1-3、第一平坦层PLN1、第二源漏金属层SD2、第二平坦层PLN2、第二钝化层第三部分PVX2-3、阳极层Ano、像素界定层PDL、发光层EL、隔垫物PS、阴极层Cad、封装层TFE，其中，衬底11、缓冲层12、第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、层间介质层ILD组成基底1，阳极层Ano、像素界定层PDL、发光层EL、阴极层Cad统称为发光器件层3，发光器件层3包括至少一个发光器件，即像素界定层PDL包括至少一个像素开口PDL-1，阳极层Ano包括至少一个阳极Ano-2，发光层EL包括至少一个发光部EL1，一个阳极Ano-2对应一个像素开口PDL-1，且阳极Ano-2至少一部分位于像素开口PDL-1内，一个发光部EL1对应设置于一个像素开口PDL-1内。

第二钝化层的第三部分PVX2-3包括多个钝化断层PVX2-31，一个阳极Ano-2在基底1上的正投影位于一个钝化断层PVX2-31在基底1上的正投影内，即一个阳极Ano-2位于一个钝化断层PVX2-31远离基底1的一侧，且钝化断层PVX2-31的边界相对于阳极Ano-2的边界向外延伸。通过这样设置，能够使阳极形成在平坦的表面上，提高阳极的平坦度。

显示面板100包括像素界定层PDL贯穿至第二平坦层PLN2的凹槽4，凹槽4位于像素开口PDL-1的至少一侧；钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2从凹槽4的侧壁伸出，即凹槽4暴露钝化断层PVX2-31的伸出的边缘部分pv2，钝化断层PVX2-31伸出的边缘部分pv2靠近基底1的一面与凹槽4的底部之间具有空隙41。

在制作凹槽4时，由于像素界定层PDL与第二平坦层PLN2均为有机膜层，例如可以使用光刻工艺在像素界定层PDL和第二平坦层PLN2中制作凹槽，钝化断层PVX2-31为无机膜层，在制备凹槽4的过程中，像素界定层PDL和第二平坦层PLN2被去除，暴露出钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2，而无机膜层不会被光刻工艺去除，从而在凹槽4内钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2被保留，显影液会与钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2周围的第二平坦层PLN2材料发生反应，即显影液与位于钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2侧面和下方的第二平坦层PLN2材料发生反应，直至蚀刻至设定深度，最终第二钝化层的第三部分PVX2-3的边缘部分pv2靠近基底1的一面与凹槽4的底部之间具有空隙41，如图9所示，从最终得到的凹槽4的结构来看，凹槽4的侧壁由像素界定层PDL和第二平坦层PLN2组成，凹槽4的底部由第二平坦层PLN2组成，钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2由凹槽4的侧壁伸出，可以理解为在凹槽4内有一部分钝化断层PVX2-31凸出。

采用光刻工艺制备凹槽的步骤如下：

S1、将掩膜版放置于像素界定层PDL远离基底1的一侧，对像素界定层PDL和第二平坦层PLN2进行曝光。

例如，掩膜版包括开口，开口暴露像素界定层PDL上将要制备凹槽4的区域，采用光学照射的方式，对像素界定层PDL和第二平坦层PLN2被开口暴露的区域进行曝光。

S2、采用显影液在像素界定层PDL和第二平坦层PLN2中形成凹槽4。

利用显影液将像素界定层PDL、第二平坦层PLN2的被曝光的部分去除，保留未被曝光的部分，在显影过程中，显影液不会蚀刻钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2，可在钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2靠近基底1的一面(钝化断层PVX2-31下方)造成侧刻，从而在钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2靠近基底1的一面与凹槽4的底部之间形成空隙41。通过控制显影过程的时长来控制对第二平坦层PLN2的刻蚀深度。

在一些实施例中，显示面板100还包括位于阳极层Ano远离基底1一侧的发光层EL，发光层EL包括位于像素开口内的发光部EL1；阴极层Cad位于发光层EL和像素界定层PDL远离基底1一侧；显示面板100还包括位于阳极层Ano和发光层EL之间的第一载流子公共层，和/或位于发光层EL和阴极层Cad之间的第二载流子公共层；第一载流子公共层和/或第二载流子公共层位于凹槽4内的部分在钝化断层PVX2-31伸出的边缘部分pv2处断开，阴极层Cad位于凹槽4内的部分在钝化断层PVX2-31伸出的边缘部分pv2处断开。

发光器件层3包括阳极层Ano和阴极层Cad，及夹设于阳极层Ano和阴极层Cad之间的发光层EL，以及位于阳极层Ano和发光层EL之间的第一载流子公共层，例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一者，和/或位于发光层EL和阴极层Cad之间的第二载流子公共层，例如电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一者，在显示面板100中，由于不同颜色子像素的发光层的材料不同，因此通常采用高精度金属掩膜板分别制作不同颜色的发光层EL；与发光层EL的制备工艺不同，处于阳极层Ano和发光层EL之间以及阴极层Cad和发光层EL之间的膜层是整层连通的结构，即不同颜色子像素中处于阳极层Ano和发光层EL之间以及阴极层Cad和发光层EL之间的膜层是共用的，通常整层制作。在阳极和阴极上施加电压，使阳极和阴极之间产生电场，可以驱动阳极中的空穴和阴极中的电子在发光层中复合，从而使显示面板100发出光线。

由于第一载流子公共层、第二载流子公共层、阴极层Cad为整层制作，因此，在凹槽4的位置，由于钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2靠近基底1的一面与凹槽4的底部之间有空隙41，即在凹槽4内，钝化断层PVX2-31的边缘部分pv2凸出，第一载流子公共层和/或第二载流子公共层在此处断开，阴极层Cad也在此处断开，防止相邻两个像素之间发出的光发生串扰，改善显示效果。

在一些实施例中，发光层EL包括依次层叠设置的第一发光层、连接层和第二发光层，第一发光层靠近阳极层Ano，连接层位于凹槽4内的部分在钝化断层PVX2-31伸出的边缘部分pv2处断开。将第一发光层和第二发光层通过中间连接层，例如为电荷产生层连接在一起，构成串联式发光器件，进而形成显示面板100，串联式显示面板100与传统显示面板100相比较，串联式显示面板100拥有极高的电流发光功率效率，其电流发光功率效率可以随着串联发光层的个数呈倍数增长；在相同电流密度下，串联式显示面板100与传统显示面板100的老化机制相似，但是由于串联式显示面板100的初始亮度可以在很小的驱动电流下变得很大，若换算成同样初始亮度时，串联式显示面板100的寿命比传统显示面板100长很多。串联发光层的数量并不局限于2个，可以设置为很多个串联的发光层，在此处对串联发光层的个数不做限定。

在一些实施例中，如图1、图7、图8所示，显示面板100还包括位于阴极层Cad远离基底1一侧的第一封装层TFE1；位于第一封装层TFE1远离基底1一侧的第二封装层TFE2；位于第二封装层TFE2远离基底1一侧的第三封装层TFE3；第二封装层TFE2的边界位于第一阻挡坝Dam1靠近显示区AA的一侧，第一封装层TFE1和第三封装层TFE3覆盖显示区AA和周边区BB。封装层TFE覆盖在发光器件层3远离基底1的一侧，将显示面板100包覆起来，以避免外界环境中的水汽和氧气进入显示面板100内，损伤发光器件层3中的有机材料而造成显示面板100的寿命缩短。

如图7、图8所示，常用的封装技术有盖板封装、激光玻璃封装、面封装和薄膜封装，此处以薄膜封装为例，封装的薄膜分为层叠的第一封装层TFE1、第二封装层TFE2、第三封装层TFE3，第一封装层TFE1、第三封装层TFE3的材料为无机材料，制备工艺一般采用等离子体化学气相沉积工艺，其材料和制备工艺决定了无机膜是具有均匀膜厚的薄膜；第二封装层TFE2的材料为有机材料，具有流动性，制备工艺一般采用喷墨打印工艺，其材料和制备工艺决定了第二封装层TFE2是具有平坦表面、膜厚不均匀的薄膜。阻挡坝Dam用于阻挡相关有机层，例如第二封装层TFE2在制备过程中的外溢，因此，第二封装层TFE2的边界可以位于第一阻挡坝Dam1靠近显示区AA的一侧，第一封装层TFE1、第三封装层TFE3的无机材料可以更好地避免外界环境中的水汽和氧气进入显示面板100内，第一封装层TFE1、第三封装层TFE3的边界可以延伸至切割槽边缘，覆盖显示面板100的显示区AA和周边区BB。

如图1、图4A和图7所示，在显示面板100边缘位置，靠近显示面板100的边界处设置至少一条切割槽Slit，切割槽Slit围绕显示区设置，且位于阻挡坝Dam***，还位于封装层***，在第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、层间介质层ILD的边界处开至少一个槽，在层间介质层ILD的边缘位置的表面形成第一平坦层PLN1，第一平坦层PLN1嵌入第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、层间介质层ILD的开槽中，制成至少一条切割槽Slit，切割槽Slit的数量可视情况而定，此处不做限定；多条切割槽Slit远离衬底11的一侧设置像素界定层PDL，切割槽Slit利用有机层，例如第一平坦层PLN1制作，多条切割槽Slit远离衬底11的一侧设置像素界定层PDL，可有效利用有机层的缓冲性能，防止切割时产生应力，损坏显示面板100。

在一些实施例中，第一钝化层PVX1的材料为氮化硅，厚度为2500埃～3000埃；第二钝化层PVX2的材料为氮化硅，厚度为500埃～2500埃。这样的厚度范围既防止了制备显示面板100过程中造成第一钝化层PVX1、第二钝化层PVX2的过刻将第一钝化层PVX1、第二钝化层PVX2下方的金属膜层例如第一源漏金属层SD1裸漏，又保证了显示面板100的薄型化需求。

本公开一些实施例还提供了一种显示装置，包括上面所述的显示面板100。通过将上面所述的显示面板100应用于显示装置中，例如手机、平板、电脑、电视等，降低了显示装置的显示区出现小黑点的概率。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示面板，其特征在于，包括显示区和位于所述显示区周围的周边区，所述周边区包括第一周边区和第二周边区，所述第二周边区包括绑定区；

所述显示面板包括：

基底；

设置于所述基底一侧的第一源漏金属层；

设置于所述第一源漏金属层远离所述基底一侧的第一钝化层；

设置于所述第一钝化层远离所述基底一侧的阻挡坝，所述阻挡坝位于所述周边区，且围绕所述显示区设置；所述第一源漏金属层延伸至所述第一周边区，且延伸至所述阻挡坝远离所述显示区的一侧；所述第一钝化层包括位于所述第一周边区的第一部分，所述第一钝化层的第一部分覆盖所述第一源漏金属层的位于所述阻挡坝远离所述显示区一侧的部分；

显示面板还包括：第二钝化层，所述第二钝化层位于所述第一钝化层远离所述基底的一侧，且包括位于所述第一周边区的第一部分，所述第二钝化层的第一部分覆盖所述第一钝化层的第一部分中位于所述阻挡坝远离所述显示区一侧的部分。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一钝化层的第一部分由所述第一源漏金属层位于所述阻挡坝远离所述显示区一侧的部分的表面上延伸至所述基底表面上。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡坝包括第一阻挡坝与第二阻挡坝，所述第二阻挡坝相对所述第一阻挡坝远离所述显示区。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏金属层延伸至第二周边区，且延伸至所述第二阻挡坝远离所述显示区的一侧；

所述第一钝化层还包括位于所述第二周边区的第二部分，所述第一钝化层的第二部分覆盖所述第一源漏金属层位于所述第一阻挡坝和所述第二阻挡坝之间的部分；

所述第二钝化层还包括位于所述第二周边区的第二部分，所述第二钝化层的第二部分覆盖所述第一钝化层位于所述第一阻挡坝和所述第二阻挡坝之间的部分。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一源漏金属层包括沿第一方向延伸的多条第一电压信号线，所述多条第一电压信号线位于所述显示区，且延伸至所述第一周边区；

所述第一源漏金属层还包括第一电压信号总线，所述第一电压信号总线位于所述第一周边区，所述第一电压信号总线半包围所述显示区，所述第一电压信号总线的外侧位于所述第二阻挡坝远离所述显示区一侧，所述第一电压信号总线与所述多条第一电压信号线连接；

所述第一源漏金属层还包括两条第一电压信号连接线，所述两条第一电压信号连接线位于所述第二周边区，且两条所述第一电压信号连接线分别与所述第一电压信号总线的两端连接；所述第一电压信号连接线由所述第一阻挡坝靠近所述显示区的一侧延伸至所述第二阻挡坝远离所述显示区的一侧；

所述第一钝化层的第一部分覆盖所述第一电压信号总线位于所述第二阻挡坝远离所述显示区一侧的部分，所述第一钝化层的第二部分覆盖所述第一电压信号连接线位于所述第一阻挡坝和所述第二阻挡坝之间的部分；

所述第二钝化层的第一部分和第二部分覆盖所述第一钝化层位于所述周边区的部分。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：位于所述第一钝化层和所述第二钝化层之间的第二源漏金属层，所述第二源漏金属层延伸至所述第二阻挡坝靠近所述显示区的一侧；所述第二源漏金属层与所述第一源漏金属层在所述周边区连接；

位于所述第二钝化层远离所述基底一侧的阳极层；所述阳极层包括位于所述周边区的搭接阳极，所述搭接阳极与所述第二源漏金属层延伸至所述第二阻挡坝靠近所述显示区的一侧的部分连接；

位于所述阳极层远离所述基底一侧的阴极层；所述搭接阳极与所述阴极层的位于所述周边区的部分连接。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

位于所述第一钝化层远离所述基底一侧的第一平坦层，所述第一平坦层至少位于所述显示区；所述第二源漏金属层位于所述第一平坦层远离所述基底一侧；

位于所述第二源漏金属层远离所述基底一侧的第二平坦层，所述第二平坦层至少位于所述显示区，所述第二钝化层位于所述第二平坦层远离所述基底一侧；

所述第二钝化层还包括位于所述显示区的第三部分，所述第二钝化层的第三部分包括至少一个钝化断层；所述阳极层还包括位于所述显示区的至少一个阳极，所述阳极在所述基底的正投影位于所述钝化断层在所述基底的正投影内；

位于所述阳极层远离所述基底一侧的像素界定层，所述像素界定层包括至少一个像素开口；所述像素开口与所述阳极对应设置；

所述显示面板包括由所述像素界定层贯穿至所述第二平坦层的凹槽，所述凹槽位于所述像素开口的至少一侧；所述钝化断层的边缘部分从所述凹槽的侧壁伸出，所述钝化断层伸出的边缘部分靠近所述基底的一面与所述凹槽的底部之间具有空隙。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

位于所述阳极层远离所述基底一侧的发光层，所述发光层包括位于所述像素开口内的发光部；所述阴极层位于所述发光层和所述像素界定层远离所述基底一侧；

所述显示面板还包括：位于所述阳极层和发光层之间的第一载流子公共层，和/或，位于所述发光层和所述阴极层之间的第二载流子公共层；

所述第一载流子公共层和/或所述第二载流子公共层位于所述凹槽内的部分在所述钝化断层伸出的边缘部分处断开，所述阴极层位于所述凹槽内的部分在所述钝化断层伸出的边缘部分处断开。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括依次层叠设置的第一发光层、连接层和第二发光层，所述第一发光层靠近所述阳极层，所述连接层位于所述凹槽内的部分在所述钝化断层伸出的边缘部分处断开。

10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

位于所述阴极层远离所述基底一侧的第一封装层；

位于所述第一封装层远离所述基底一侧的第二封装层；

位于所述第二封装层远离所述基底一侧的第三封装层；

所述第二封装层的边界位于所述第一阻挡坝靠近所述显示区的一侧，所述第一封装层和所述第三封装层覆盖所述显示区和周边区。

11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一钝化层的材料为氮化硅，厚度为2500埃～3000埃。

12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二钝化层的材料为氮化硅，厚度为500埃～2500埃。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～12任意一项所述的显示面板。