CN118073299A - 一种散热结构及半导体装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种散热结构及半导体装置。散热结构包括：散热件，散热件的一侧表面设有焊接区域；第一阻挡结构，设于焊接区域内，且围绕焊接区域的中心排布；第一阻挡结构与焊接区域的边缘的距离小于第一阻挡结构与焊接区域的中心的距离；焊接层，设于焊接区域内；导热基板，设于焊接层远离散热件的一侧；导热基板在散热件上的正投影与焊接区域重合。这样，一方面，第一阻挡结构可以提高焊接区域的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层中的空洞；另一方面，当空洞出现时，第一阻挡结构可以将焊接区域边缘的空洞阻挡，防止空洞朝向焊接区域的中心方向延展，从而有利于降低空洞区域的面积，进而有利于提升散热结构的散热性能。
Description
技术领域
本申请涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种散热结构及半导体装置。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一种MOS场效应和双极型晶体管复合的电力电子器件，它既具有MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）易于驱动、控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通压降低、通态电流大、损耗小的优点。鉴于IGBT器件的这些优点，使其成为当今先进电力电子装置的主选开关器件，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航天航空等国民经济的各个领域。
IGBT器件是一种标准尺寸的模块产品，在电机驱动、感应加热、风能发电、光伏等领域应用十分广泛。但是IGBT器件在使用中会产生大量的热量，尤其是开关频率高的IGBT器件，若散热不及时使IGBT器件长期工作在较高温度下，会造成IGBT器件的使用寿命降低。一般地，IGBT器件所产生的热量主要是经陶瓷基板传到散热板最终传导出去，其中，陶瓷基板通过焊片与散热板接合。然而，陶瓷基板与散热板之间的空洞易影响IGBT器件的散热。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够改善散热性能的散热结构及半导体装置。
第一方面，本申请实施例提供一种散热结构，包括：
散热件，所述散热件的一侧表面设有焊接区域；
第一阻挡结构，设于所述焊接区域内，且围绕所述焊接区域的中心排布；所述第一阻挡结构与所述焊接区域的边缘的距离小于所述第一阻挡结构与所述焊接区域的中心的距离；
焊接层，设于所述焊接区域内；以及
导热基板，设于所述焊接层远离所述散热件的一侧；所述导热基板在所述散热件上的正投影与所述焊接区域重合。
本申请实施例提供的散热结构，通过在散热件的焊接区域内设置围绕焊接区域的中心排布的第一阻挡结构，进一步使第一阻挡结构与焊接区域的边缘的距离小于第一阻挡结构与焊接区域的中心的距离。如此，相当于在靠近焊接区域边缘的区域设置环向布置的第一阻挡结构，这样，一方面，第一阻挡结构可以提高焊接区域的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层中的空洞；另一方面，当空洞出现时，第一阻挡结构可以将焊接区域边缘的空洞阻挡，防止空洞朝向焊接区域的中心方向延展，从而有利于降低空洞区域的面积，进而有利于提升散热结构的散热性能。
在其中一个实施例中，所述第一阻挡结构与所述焊接区域的边缘的距离介于1mm-10mm。
在其中一个实施例中，所述第一阻挡结构靠近所述散热件一侧表面与所述第一阻挡结构远离所述散热件一侧表面之间具有第一距离，所述焊接层靠近所述散热件一侧表面与所述焊接层远离散热件一侧表面之间具有第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。
在其中一个实施例中，所述第一阻挡结构在所述散热件上的正投影为闭合环状。
在其中一个实施例中，所述第一阻挡结构包括多个第一子阻挡体，所述多个第一子阻挡体围绕所述焊接区域的中心间隔排布。
在其中一个实施例中，所述多个第一子阻挡体围绕所述焊接区域的中心均匀排布；
任意相邻两个所述第一子阻挡体之间的距离介于1mm-5mm。
在其中一个实施例中，所述散热结构还包括第二阻挡结构，所述第二阻挡结构设于所述焊接区域内，且位于所述第一阻挡结构的内侧；所述第二阻挡结构围绕所述焊接区域的中心排布，且与所述第一阻挡结构相间隔。
在其中一个实施例中，所述第二阻挡结构与所述第一阻挡结构之间的距离介于1mm-5mm。
在其中一个实施例中，所述散热结构还包括设于所述焊接区域内的第三阻挡结构，所述第三阻挡结构呈条状排布于所述第一阻挡结构的内侧。
第二方面，本申请实施例提供一种半导体装置，包括第一方面中的散热结构。
本申请实施例提供的半导体装置，通过在散热件的焊接区域内设置围绕焊接区域的中心排布的第一阻挡结构，进一步使第一阻挡结构与焊接区域的边缘的距离小于第一阻挡结构与焊接区域的中心的距离。如此，相当于在靠近焊接区域边缘的区域设置环向布置的第一阻挡结构，这样，一方面，第一阻挡结构可以提高焊接区域的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层中的空洞；另一方面，当空洞出现时，第一阻挡结构可以将焊接区域边缘的空洞阻挡，防止空洞朝向焊接区域的中心方向延展，从而有利于降低空洞区域的面积，进而有利于提升半导体装置的散热性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或示例性实施例中的技术方案，下面将对实施例或示例性实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中的陶瓷基板与散热板之间产生空洞的示意图。
图2为本申请一实施例提供的一种散热结构的截面结构示意图。
图3为图2所示散热结构的散热件和第一阻挡结构的俯视示意图。
图4为图2所示散热结构在产生空洞的情况下的示意图。
图5为本申请一实施例提供的另一种散热结构的散热件和第一阻挡结构的俯视示意图。
图6为本申请一实施例提供的再一种散热结构的散热件、第一阻挡结构和第二阻挡结构的俯视示意图。
图7为本申请一实施例提供的又一种散热结构的散热件、第一阻挡结构和第三阻挡结构的俯视示意图。
图8为本申请一实施例提供的又一种散热结构的散热件、第一阻挡结构和第三阻挡结构的俯视示意图。
附图标记说明：
1、陶瓷基板；2、焊片；3、散热板；4、空洞；
10、散热结构；11、散热件；11a、焊接区域；12、第一阻挡结构；121、第一子阻挡体；13、焊接层；14、导热基板；15、第二阻挡结构；16、第三阻挡结构。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本申请的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参照图1所示，在传统技术中，IGBT器件所产生的热量主要是经陶瓷基板1传到散热板3最终传导出去，其中，陶瓷基板1通过焊片2与散热板3接合。然而，在实际的产品中，陶瓷基板1下方的焊片2存在大面积的空洞4，进而影响IGBT器件的散热。发明人经过研究发现，其成因主要有以下几点：一是焊片2面积较大，融化过程中不同区域的融化时间存在细微差别而导致润湿过程不同；二是散热板3在前期加工时加入预弯处理，所以散热板3表面是弧面，而焊片2和陶瓷基板1均是平面结构，因此在焊接前接触时，焊片2与散热板3之间存在空隙，焊片2融化时有较多空气被包裹入，导致出现空洞4，此外空洞4易发生延展导致空洞4进一步扩大。
鉴于上述问题，本申请实施例提供一种散热结构及半导体装置，通过在散热件的焊接区域内设置围绕焊接区域的中心排布的第一阻挡结构，进一步使第一阻挡结构与焊接区域的边缘的距离小于第一阻挡结构与焊接区域的中心的距离。如此，相当于在靠近焊接区域边缘的区域设置环向布置的第一阻挡结构，这样，一方面，第一阻挡结构可以提高焊接区域的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层中的空洞；另一方面，当空洞出现时，第一阻挡结构可以将焊接区域边缘的空洞阻挡，防止空洞朝向焊接区域的中心方向延展，从而有利于降低空洞区域的面积，进而有利于提升散热结构的散热性能。
第一方面，参照图2和图3所示，本申请实施例提供一种散热结构10，该散热结构10可以用于功率器件的散热。示例性地，功率器件可以是可控硅(Silicon ControlledRectifier，SCR)半导体器件、金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）半导体器件、绝缘栅双极型晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor，IGBT)半导体器件等。
具体地，该散热结构10包括散热件11、第一阻挡结构12、焊接层13和导热基板14。散热件11的一侧表面设有焊接区域11a。第一阻挡结构12设于焊接区域11a内，且围绕焊接区域11a的中心排布。第一阻挡结构12与焊接区域11a的边缘的距离小于第一阻挡结构12与焊接区域11a的中心的距离。焊接层13设于焊接区域11a内。导热基板14设于焊接层13远离散热件11的一侧。导热基板14在散热件11上的正投影与焊接区域11a重合。
需要说明的是，散热件11的一侧表面上可以设有一个焊接区域11a，也可以设有多个焊接区域11a。当散热件11的一侧表面上设有多个焊接区域11a时，该多个焊接区域11a间隔排布。焊接区域11a的中心指焊接区域11a的图形的几何中心。
在一个实施例中，导热基板14可以是陶瓷基板。具体地，陶瓷基板由导热性良好的陶瓷构成。陶瓷基板例如由以氧化铝、氮化铝或氮化硅为主成分的材料构成。可以理解的是，功率器件设置于陶瓷基板远离散热件11的一侧。
本申请实施例提供的散热结构10，通过在散热件11的焊接区域11a内设置围绕焊接区域11a的中心排布的第一阻挡结构12，进一步使第一阻挡结构12与焊接区域11a的边缘的距离小于第一阻挡结构12与焊接区域11a的中心的距离。如此，相当于在靠近焊接区域11a边缘的区域设置环向布置的第一阻挡结构12，这样，一方面，第一阻挡结构12可以提高焊接区域11a的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层13中的空洞4；另一方面，参照图4所示，当空洞4出现时，第一阻挡结构12可以将焊接区域11a边缘的空洞4阻挡，防止空洞4朝向焊接区域11a的中心方向延展，从而有利于降低空洞4的面积，进而有利于提升散热结构10的散热性能。此外，本申请实施例还可以拓宽导热基板14焊接的工艺窗口，增加生产过程的稳定性，提高生产效率。进一步地，对导热基板14和焊接材料的选型和尺寸设计也有更灵活的选择。
在其中一个实施例中，参照图3和图5所示，第一阻挡结构12与焊接区域11a的边缘的距离为L1，L1介于1mm-10mm。示例性地，L1可以是1mm、3mm、4mm、5.5mm、7mm、8.5mm、10mm或介于上述任意两个数值之间。
通过使第一阻挡结构12与焊接区域11a的边缘的距离小于或等于10mm，能够使得第一阻挡结构12比较靠近焊接区域11a的边缘，并且与焊接区域11a的中心的距离足够大，从而使得较大区域内的焊接层13均能够被第一阻挡结构12保护，从而不发生空洞4，不仅有利于提升导热基板14与散热件11的连接稳定性，而且有利于保证导热基板14与散热件11之间具有较好的导热性能；另一方面，通过使第一阻挡结构12与焊接区域11a的边缘的距离大于或等于1mm，能够避免第一阻挡结构12太靠近焊接区域11a的边缘，防止初始空洞4发生在第一阻挡结构12的内侧（靠近焊接区域11a的中心的一侧）导致第一阻挡结构12无法阻挡空洞4朝焊接区域11a的中心延展。
在其中一个实施例中，参照图4所示，第一阻挡结构12靠近散热件11一侧表面与第一阻挡结构12远离散热件11一侧表面之间具有第一距离H1，焊接层13靠近散热件11一侧表面与焊接层13远离散热件11一侧表面之间具有第二距离H2，第一距离H1小于第二距离H2。在这里，第一距离H1也可以理解为第一阻挡结构12的高度，第二距离H2也可以理解为焊接层13的厚度。
如此，可以提高焊接区域11a的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层13中的空洞4。
在其中一个实施例中，第一距离H1与第二距离H2的比值介于1/3-1/2。如此，一方面，有助于提高焊接区域11a的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层13中的空洞4；另一方面，可以保证第一阻挡结构12具有一定的高度，从而使第一阻挡结构12具有较好的阻挡能力。
在其中一个实施例中，参照图5所示，第一阻挡结构12在散热件11上的正投影为闭合环状，即：第一阻挡结构12为环状结构。示例性地，第一阻挡结构12的形状可以为椭圆环、圆环、矩形环等。
上述设置，可以使第一阻挡结构12的阻挡效果较好，当空洞4出现时，第一阻挡结构12可以将焊接区域11a边缘的空洞4较好地阻挡，防止空洞4朝向焊接区域11a的中心方向延展，从而有利于降低空洞4的面积，进而有利于提升散热结构10的散热性能。
在其中一个实施例中，参照图3和图6所示，第一阻挡结构12包括多个第一子阻挡体121，多个第一子阻挡体121围绕焊接区域11a的中心间隔排布，即：第一阻挡结构12的整体呈间断的环状。
上述设置，一方面有利于降低第一阻挡结构12的用材，另一方面有利于使焊接层13与第一阻挡结构12“嵌合”紧密，提升焊接层13与第一阻挡结构12的结合度，从而提升导热基板14和散热件11的连接稳定性。
在其中一个实施例中，参照图6所示，多个第一子阻挡体121围绕焊接区域11a的中心均匀排布。如此，有利于提升第一阻挡结构12在环向方向上的阻挡均匀性，从而提升第一阻挡结构12的阻挡性能。
进一步地，任意相邻两个第一子阻挡体121之间的距离为L2，L2介于1mm-5mm。示例性地，L2可以是1mm、3mm、4mm、5mm或介于上述任意两个数值之间。
通过上述设置，一方面，能够避免相邻两个第一子阻挡体121之间的间隙较大，降低空洞4经由该间隙朝焊接区域11a的中心延展的可能性；另一方面，使焊接层13能够较好地嵌合在相邻两个第一子阻挡体121之间，从而提升焊接层13与第一阻挡结构12的结合度。
在其中一个实施例中，参照图6所示，散热结构10还包括第二阻挡结构15，第二阻挡结构15设于焊接区域11a内，且位于第一阻挡结构12的内侧。第二阻挡结构15围绕焊接区域11a的中心排布，且与第一阻挡结构12相间隔。在这里，第一阻挡结构12的内侧指第一阻挡结构12靠近焊接区域11a中心的一侧。
如此，一方面，可以进一步提高焊接区域11a的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层13中的空洞4；另一方面，第一阻挡结构12和第二阻挡结构15可以共同将焊接区域11a边缘的空洞4阻挡，防止空洞4朝向焊接区域11a的中心方向延展，从而有利于降低空洞4的面积，进而有利于提升散热结构10的散热性能。
在其中一个实施例中，第二阻挡结构15与焊接区域11a的边缘的距离小于第二阻挡结构15与焊接区域11a的中心的距离。
在其中一个实施例中，第二阻挡结构15在散热件11上的正投影为闭合环状，即：第二阻挡结构15为环状结构。示例性地，第二阻挡结构15的形状可以为椭圆环、圆环、矩形环等。
上述设置，可以使第二阻挡结构15的阻挡效果较好，当空洞4出现时，第二阻挡结构15可以将焊接区域11a边缘的空洞4较好地阻挡，防止空洞4朝向焊接区域11a的中心方向延展，从而有利于降低空洞4的面积，进而有利于提升散热结构10的散热性能。
在其中一个实施例中，第二阻挡结构15包括多个第二子阻挡体（图未示出），多个第二子阻挡体围绕焊接区域11a的中心间隔排布，即：第二阻挡结构15的整体呈间断的环状。
上述设置，一方面有利于降低第二阻挡结构15的用材，另一方面有利于使焊接层13与第二阻挡结构15“嵌合”紧密，提升焊接层13与第二阻挡结构15的结合度，从而提升导热基板14和散热件11的连接稳定性。
在其中一个实施例中，多个第二子阻挡体围绕焊接区域11a的中心均匀排布。如此，有利于提升第二阻挡结构15在环向方向上的阻挡均匀性，从而提升第二阻挡结构15的阻挡性能。
进一步地，任意相邻两个第二子阻挡体之间的距离为介于1mm-5mm。示例性地，上述距离可以是1mm、3mm、4mm、5mm或介于上述任意两个数值之间。
通过上述设置，一方面，能够避免相邻两个第二子阻挡体之间的间隙较大，降低空洞4经由该间隙朝焊接区域11a的中心延展的可能性；另一方面，使焊接层13能够较好地嵌合在相邻两个第二子阻挡体之间，从而提升焊接层13与第二阻挡结构15的结合度。
在其中一个实施例中，参照图6所示，第二阻挡结构15与第一阻挡结构12之间的距离为L3，L3介于1mm-5mm。示例性地，L3可以是1mm、3mm、4mm、5mm或介于上述任意两个数值之间。
上述设置，一方面，能够使得第二阻挡结构15比较靠近焊接区域11a的边缘，并且与焊接区域11a的中心的距离足够大，从而使得较大区域内的焊接层13均能够被第二阻挡结构15保护，从而不发生空洞4，不仅有利于提升导热基板14与散热件11的连接稳定性，而且有利于保证导热基板14与散热件11之间具有较好的导热性能；另一方面，防止第二阻挡结构15与第一阻挡结构12过于“拥挤”，导致焊料不易流入二者之间的间隙从而产生空洞4。
需要说明的是，第二阻挡结构15的数量可以是多个，该多个第二阻挡结构15依次嵌套。进一步地，相邻两个第二阻挡结构15之间的距离介于1mm-5mm。
在其中一个实施例中，参照图7所示，散热结构10还包括设于焊接区域11a内的第三阻挡结构16，第三阻挡结构16呈条状排布于第一阻挡结构12的内侧。如此，一方面，可以进一步提高焊接区域11a的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层13中的空洞4；另一方面，即使空洞4延展至第一阻挡结构12或第二阻挡结构15的内侧，也能够阻挡空洞4进一步延展扩散，从而有利于降低空洞4的面积，进而有利于提升散热结构10的散热性能。
可以理解的是，第三阻挡结构16的数量可以是多个，该多个第三阻挡结构16可以是间隔排布，也可以是相互交叉。
参照图8所示，在一个具体的实施例中，第三阻挡结构16的数量为两个，两个第三阻挡结构16呈“十”字交叉。如此，一方面，可以进一步提高焊接区域11a的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层13中的空洞4；另一方面，即使空洞4延展至第一阻挡结构12或第二阻挡结构15的内侧，也能够较好地阻挡空洞4进一步延展扩散，从而有利于降低空洞4的面积，进而有利于提升散热结构10的散热性能。
第二方面，本申请实施例提供一种半导体装置，包括第一方面中的散热结构10。具体地，该半导体装置还包括半导体器件，半导体器件设置于导热基板14远离散热件11的一侧。该半导体器件可以是功率器件，示例性地，功率器件可以是可控硅(SiliconControlled Rectifier，SCR)半导体器件、金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）半导体器件、绝缘栅双极型晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor，IGBT)半导体器件等。
可以理解的是，一个散热结构10上可以设有一个或多个半导体器件。
本申请实施例提供的半导体装置，通过在散热件11的焊接区域11a内设置围绕焊接区域11a的中心排布的第一阻挡结构12，进一步使第一阻挡结构12与焊接区域11a的边缘的距离小于第一阻挡结构12与焊接区域11a的中心的距离。如此，相当于在靠近焊接区域11a边缘的区域设置环向布置的第一阻挡结构12，这样，一方面，第一阻挡结构12可以提高焊接区域11a的表面张力，增加了焊料在融化后的润湿性，有助于减少焊接层13中的空洞4；另一方面，当空洞4出现时，第一阻挡结构12可以将焊接区域11a边缘的空洞4阻挡，防止空洞4朝向焊接区域11a的中心方向延展，从而有利于降低空洞4的面积，进而有利于提升半导体装置的散热性能。
在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种散热结构，其特征在于，包括：
散热件，所述散热件的一侧表面设有焊接区域；
第一阻挡结构，设于所述焊接区域内，且围绕所述焊接区域的中心排布；所述第一阻挡结构与所述焊接区域的边缘的距离小于所述第一阻挡结构与所述焊接区域的中心的距离；
焊接层，设于所述焊接区域内；以及
导热基板，设于所述焊接层远离所述散热件的一侧；所述导热基板在所述散热件上的正投影与所述焊接区域重合。
2.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述第一阻挡结构与所述焊接区域的边缘的距离介于1mm-10mm。
3.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述第一阻挡结构靠近所述散热件一侧表面与所述第一阻挡结构远离所述散热件一侧表面之间具有第一距离，所述焊接层靠近所述散热件一侧表面与所述焊接层远离散热件一侧表面之间具有第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。
4.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述第一阻挡结构在所述散热件上的正投影为闭合环状。
5.根据权利要求1所述的散热结构，其特征在于，所述第一阻挡结构包括多个第一子阻挡体，所述多个第一子阻挡体围绕所述焊接区域的中心间隔排布。
6.根据权利要求5所述的散热结构，其特征在于，所述多个第一子阻挡体围绕所述焊接区域的中心均匀排布；
任意相邻两个所述第一子阻挡体之间的距离介于1mm-5mm。
7.根据权利要求1-6任一项所述的散热结构，其特征在于，所述散热结构还包括第二阻挡结构，所述第二阻挡结构设于所述焊接区域内，且位于所述第一阻挡结构的内侧；所述第二阻挡结构围绕所述焊接区域的中心排布，且与所述第一阻挡结构相间隔。
8.根据权利要求7所述的散热结构，其特征在于，所述第二阻挡结构与所述第一阻挡结构之间的距离介于1mm-5mm。
9.根据权利要求1-6任一项所述的散热结构，其特征在于，所述散热结构还包括设于所述焊接区域内的第三阻挡结构，所述第三阻挡结构呈条状排布于所述第一阻挡结构的内侧。
10.一种半导体装置，其特征在于，包括半导体芯片及如权利要求1-9任一项所述的散热结构，所述半导体芯片设于所述导热基板上。
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