CN118040630A - Mcu外接调控io口防雷击超高压防静电电路 - Google Patents
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Abstract
MCU外接调控IO口防雷击超高压防静电电路,包括主控芯片MCU,所述主控芯片MCU的输入端与自恢复保险丝PTC1的一端连接,所述自恢复保险丝PTC1的另一端与外接调控连接;所述自恢复保险丝PTC1的一端与抑制二极管TVS1一端连接,所述抑制二极管TVS1的另一端接地,所述抑制二极管TVS1的另一端与放电管GDT的输入端连接,所述放电管GDT的第一导通端与所述自恢复保险丝PTC1的另一端连接,第二导通端接地。
Description
技术领域
本发明涉及LED驱动电源领域,尤其涉及MCU外接调控IO口防雷击超高压防静电电路。
背景技术
针对现在智能控制发展越迅速,MCU外接调控器件越来广泛,但MCU的IO口都比较脆弱,当外接调控端口因异常触碰或人体操作产生的静电信号超过MCU电压允许范围的时候很容易导致IO口损坏。
发明内容
为解决上述问题,本技术方案提供MCU外接调控IO口防雷击超高压防静电电路。
为实现上述目的,本技术方案如下:
MCU外接调控IO口防雷击超高压防静电电路,包括主控芯片MCU,所述主控芯片MCU的输入端与自恢复保险丝PTC1的一端连接,所述自恢复保险丝PTC1的另一端与外接调控连接;
所述自恢复保险丝PTC1的一端与抑制二极管TVS1一端连接,所述抑制二极管TVS1的另一端接地,所述抑制二极管TVS1的另一端与放电管GDT的输入端连接,所述放电管GDT的第一导通端与所述自恢复保险丝PTC1的另一端连接,第二导通端接地。
在一些实施例中,外接调控为PWM信号、拨码开关、电阻以及光敏传感器的一种。
本申请有益效果为:
本申请由放电管、TVS管、PTC组成MCU外接调控端口防反接;防雷击、静电的保护电路,采用多层防护方法保护主控MCU,更好实现主控芯片达到多样化 功能,而不受外界信号干扰或损坏。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本发明实施例的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参照图1所示,MCU外接调控IO口防雷击超高压防静电电路,包括主控芯片MCU,所述主控芯片MCU的输入端与自恢复保险丝PTC1的一端连接,所述自恢复保险丝PTC1的另一端与外接调控连接;
所述自恢复保险丝PTC1的一端与抑制二极管TVS1一端连接,所述抑制二极管TVS1的另一端接地,所述抑制二极管TVS1的另一端与放电管GDT的输入端连接,所述放电管GDT的第一导通端与所述自恢复保险丝PTC1的另一端连接,第二导通端接地。外接调控为PWM信号、拨码开关、电阻以及光敏传感器的一种。
当外接调控连接端口处因人体操作产生静电,或祼露的连接线触碰到其它异常信号时而接受到电压增大到超过气体放电管GDT气体的绝缘强度时,两极间的间隙将放电击穿,由原来的绝缘状态转化为导电状态, 导通后放电管两极之间的电压维持在放电弧道所决定的残压水平,对MCU的IO口构成第一级保护;第二级保护由TVS1和PTC1构成,当图中IOINT处电压异常达到TVS1 击穿电压时迅速由高阻态变为低阻态,给瞬间电流提供一个低阻抗导通路径 ,同时将异常高压箝制在一个安全水平之内;PTC1是自恢复保险丝,当IO INT处电压异常,TVS1击穿导通时对地短路时 自恢复保险丝元件的自热使其阻抗增加,把电流限制到足够小,起到过电流保护作用 ,环境到达产品开关温度后,可起到过温保护作用。当外接调控连接端口处正常时,TVS1 GDT成高阻态,PTC1成低阻态,不影响正常调控信号的输入。
以上所述仅为本申请的较佳实施例,并非用来限定本申请实施的范围,其他凡其原理和基本结构与本申请相同或近似的,均在本申请的保护范围之内。
Claims (2)
1.MCU外接调控IO口防雷击超高压防静电电路,其特征在于,包括主控芯片MCU,所述主控芯片MCU的输入端与自恢复保险丝PTC1的一端连接,所述自恢复保险丝PTC1的另一端与外接调控连接;
所述自恢复保险丝PTC1的一端与抑制二极管TVS1一端连接,所述抑制二极管TVS1的另一端接地,所述抑制二极管TVS1的另一端与放电管GDT的输入端连接,所述放电管GDT的第一导通端与所述自恢复保险丝PTC1的另一端连接,第二导通端接地。
2.根据权利要求1所述的MCU外接调控IO口防雷击超高压防静电电路,其特征在于:外接调控为PWM信号、拨码开关、电阻以及光敏传感器的一种。
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