CN103779829A - 负载保护电路 - Google Patents

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林静忠
崔富山
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Hon Hai Precision Industry Co Ltd
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Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd
Hon Hai Precision Industry Co Ltd
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Abstract

一种负载保护电路,其包括开关单元、触发单元、过压及低压保护单元、与电源单元连接的断电锁定单元。开关单元连接于电源单元与负载之间,其用于在导通时将电源单元提供的供电电压输出给负载并在断开时停止将所述供电电压输出给负载。过压及低压保护单元用于在开关单元导通时接收所述供电电压,并在供电电压大于第一阈值电压或者小于第二阈值电压时产生第一保护信号。触发单元响应第一保护信号产生第一控制信号;该开关单元响应第一控制信号断开。断电锁定单元用于根据电源单元提供的供电电压及第一保护信号控制触发单元持续产生第一控制信号。

Description

负载保护电路
技术领域
本发明涉及一种负载保护电路。
背景技术
负载,例如台式电脑主机、电视机、电冰箱、笔记本电脑等,通常都具有电源适配器。众所周知,电源适配器是插接220V交流电压,并将220V交流电压转换成12V或24V等直流电压,以提供给负载供电。然而,当电路出现故障导致过电压输出时,上述过电压会对负载中的电子元器件(例如降压IC、电容、磁珠等)造成损伤。
针对上述情况,业界通常设置有保险丝,该保险丝连接于电源适配器与负载之间。当上述过电压出现时,保险丝自动熔断,使得过电压不会输出至负载。然而,当上述故障排除后,需要更换已熔断的保险丝才能使电路正常工作,操作较为复杂。
发明内容
鉴于此,有必要提供一种可提供过电压保护且操作简便的负载保护电路。
一种负载保护电路,其包括开关单元、触发单元、过压及低压保护单元或者连接于开关单元与负载之间的过流保护单元。该开关单元连接于电源单元与负载之间,其用于在导通时将电源单元提供的供电电压输出给负载并在断开时停止将所述供电电压输出给负载;该过压及低压保护单元用于在开关单元导通时接收所述供电电压,并在供电电压大于第一阈值电压或者小于第二阈值电压时产生第一保护信号;该触发单元响应第一保护信号产生第一控制信号;该开关单元响应第一控制信号断开。或者过流保护单元用于在开关单元导通时接收从电源单元经由开关单元及过流保护单元流至负载的负载电流,并在负载电流大于阈值电流时产生第二保护信号。该负载保护电路还包括与电源单元连接的断电锁定单元,该断电锁定单元用于根据电源单元提供的供电电压及第一保护信号控制触发单元持续产生第一控制信号。或者断电锁定单元还用于根据供电电压及第二保护信号控制触发单元产生第一控制信号并控制触发单元持续输出第二保护信号至断电锁定单元。
上述负载保护电路,由于当电源单元200提供的供电电压呈过压或低压状态时,可通过控制开关单元断开的方式(即通过控制电子开关的方式)来实现过压或低压保护。而现有技术中当电源单元提供的供电电压呈过压状态时,需要通过熔断保险丝的方式来实现过压保护。当故障排除后,本实施方式中的电子装置由于只需要通过电子开关的方式使开关单元呈导通状态即可使电子装置恢复正常工作,相对于现有技术中需要更换保险丝才能恢复正常工作,操作较为简便。
附图说明
图1为一较佳实施方式的负载保护电路的功能模块图。
图2为一较佳实施方式的负载保护电路之电路图。
主要元件符号说明
电子装置 900
负载保护电路 100
电源单元 200
负载 300
接口单元 10
侦测单元 20
开关单元 30
突波保护单元 40
过流保护单元 50
断电锁定单元 60
触发单元 70
过压及低压保护单元 80
第一插孔 1
第二插孔 2
第三插孔 3
第一插脚 11
第二插脚 12
第三插脚 13
第一侦测电阻 R1
第二侦测电阻 R2
侦测MOS管 Q1
侦测二极管 D1
第二电解电容 C2
第二电阻 R3
第三电阻 R4
第四电阻 R5
限流电阻 R6
第三MOS管 Q3
第四MOS管 Q4
第二二极管 D2
第三二极管 D3
比较器 U1
第三分压电阻 R13
第四分压电阻 R14
第五分压电阻 R15
第六分压电阻 R16
电感 L1
第一二极管 D9
第一三极管 Q10
第一电阻 R7
齐纳二极管 D10
第一电解电容 C1
第一MOS管 Q11
第二MOS管 Q12
第一分压电阻 R11
第二分压电阻 R12
触发MOS管 Q13
触发二极管 D4
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1,一较佳实施方式的电子装置900包括负载保护电路100、电源单元200及负载300。电源单元200以电源适配器为例进行说明,电源适配器是插接220V交流电压,并将220V交流电压转换成12V或5V等直流电压,以通过负载保护电路100提供给负载300供电;负载300以显示器为例进行说明。
负载保护电路100包括接口单元10、侦测单元20、开关单元30、突波保护单元40、过流保护单元50、断电锁定单元60、触发单元70、过压及低压保护单元80。
接口单元10用于与负载300插接。
侦测单元20用于在侦测到负载300与接口单元10插接时产生侦测信号,并在侦测到负载300未与接口单元10插接时停止产生侦测信号。
开关单元30连接于电源单元200与突波保护单元40之间,过流保护单元50连接于突波保护单元40与接口单元10之间。开关单元30用于响应侦测信号导通电源单元200与突波保护单元40之间的电性连接,使得电源单元200提供的供电电压依次通过开关单元30、突波保护单元40、过流保护单元50及接口单元10输出给负载300,以给负载300供电。
突波保护单元40用于在开关单元30导通一预定时间段内对供电电压进行限流,并将限流后的供电电压依次通过过流保护单元50及接口单元10输出给负载300,以防止开关单元30导通瞬间产生的突波电流对负载300造成冲击。突波保护单元40还用于在开关单元30导通上述预定时间段后不对供电电压进行限流,并将供电电压通过过流保护单元50及接口单元10输出给负载300。
过流保护单元50用于在开关单元30导通时接收从电源单元200经由开关单元30、突波保护单元40、过流保护单元50及接口单元10流至负载300的负载电流,并在负载电流大于阈值电流时产生第二保护信号。当负载电流大于阈值电流时代表电子装置900处于过流状态。
断电锁定单元60与电源单元200、过流保护单元50及触发单元70连接。断电锁定单元60用于接收电源单元200提供的供电电压。断电锁定单元60用于根据供电电压及第二保护信号控制触发单元70产生第一控制信号并控制触发单元70持续输出第二保护信号至断电锁定单元60。
开关单元30响应第一控制信号断开电源单元200与突波保护单元40之间的电性连接,因此电源单元200提供的负载电流不能通过开关单元30、突波保护单元40、过流保护单元50及接口单元10流至负载300,实现了对负载300的过流保护。另外,由于断电锁定单元60还根据供电电压及第二保护信号控制触发单元70持续输出第二保护信号至断电锁定单元60,可保证触发单元70持续给开关单元30提供第一控制信号,以将开关单元30锁定为断开状态。从而实现了当电路故障导致上述负载电流过大时,将开关单元30断开并锁定为断开状态,以待电路故障排除后当电源单元200输出供电电压且负载300与接口单元10插接时自动控制开关单元30为导通状态,使电子装置900恢复正常工作。
上述突波保护单元40还用于在开关单元30导通一预定时间段内控制过流保护单元50不输出第二保护信号,以防止误操作。
过压及低压保护单元80用于在开关单元30导通电源单元200与突波保护单元40之间的电性连接时接收从过流保护单元50传送来的供电电压,并将上述供电电压与第一阈值电压及第二阈值电压进行比较。当供电电压大于第一阈值电压或者小于第二阈值电压时,过压及低压保护单元80产生第一保护信号。在本实施方式中,第一阈值电压大于第二阈值电压,当供电电压大于第一阈值电压时代表电子装置900处于过压状态,当供电电压小于第二阈值电压时代表电子装置900处于低压状态。
触发单元70响应第一保护信号产生第一控制信号,开关单元30响应第一控制信号断开电源单元200与突波保护单元40之间的电性连接。断电锁定单元60还与过压及低压保护单元80连接,断电锁定单元60用于根据电源单元200提供的供电电压及第一保护信号控制触发单元70持续产生第一控制信号,以将开关单元30锁定为断开状态。从而实现了当电路故障导致上述供电电压过压或低压时,将开关单元30断开并锁定为断开状态,以待电路故障排除后当电源单元200输出供电电压且负载300与接口单元10插接时自动控制开关单元30为导通状态,使电子装置900恢复正常工作。
由于电子装置900中当电源单元200提供的供电电压呈过压或低压状态或者电源单元200提供的负载电流呈过流状态时,可通过控制开关单元30断开的方式(即通过控制电子开关的方式)来实现过压、低压或过流保护。而现有技术中当电源单元提供的供电电压呈过压或低压状态或者电源单元提供的负载电流呈过流状态时,需要通过熔断保险丝的方式来实现过压、低压或过流保护。当故障排除后,本实施方式中的电子装置900由于只需要控制开关单元30呈导通状态即可使电子装置900恢复正常工作,相对于现有技术中需要更换保险丝才能恢复正常工作,操作较为简便。
可以理解的是,在其他实施方式中,负载保护电路100可以不包括接口单元10及侦测单元20,此时开关单元30可响应用户操作导通或断开,例如用户操作电子装置900上的按钮(图未示)即可控制开关单元30导通或断开。另外,负载保护电路100可以不包括过流保护单元50及突波保护单元40,也可以实现在电源单元200提供的供电电压过压时,实现了将开关单元30锁定为断开状态。
请一并参阅图2,接口单元10包括由导电材料制成且相互绝缘设置的第一插孔1、第二插孔2及第三插孔3,第一插孔1依次通过接口单元10、过流保护单元50、突波保护单元40及开关单元30电性连接电源单元200,第三插孔3接地。负载300包括第一插脚11、第二插脚12及第三插脚13,第二插脚12与第三插脚13电性连接。侦测单元20包括第一侦测电阻R1、第二侦测电阻R2、侦测MOS管Q1及侦测二极管D1,侦测二极管D1的阴极连接第二插孔2,侦测二极管D1的阳极通过第二侦测电阻R2连接侦测MOS管Q1的栅极;侦测MOS管Q1的源极连接电源单元200。侦测MOS管Q1的漏极连接开关单元30,第一侦测电阻R1连接于侦测MOS管Q1的源极与栅极之间。当接口单元10与负载300插接时,第一插脚11、第二插脚12及第三插脚13分别与第一插孔1、第二插孔2及第三插孔3电性连接,使得第二插孔2接地,使得侦测MOS管Q1导通,从而侦测MOS管Q1的漏极输出高电平侦测信号至开关单元30,使开关单元30导通,电源单元200提供的供电电压依次通过开关单元30、突波保护单元40、过流保护单元50及接口单元10输出至负载300,以给负载供电。
突波保护单元40包括第二电解电容C2、第二电阻R3、第三电阻R4、第四电阻R5、限流电阻R6、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第二二极管D2及第三二极管D3。第三MOS管Q3的栅极通过第三电阻R4接地,第三MOS管Q3的源极通过开关单元30连接电源单元200,第三MOS管Q3的漏极通过过流保护单元50连接接口单元10,第二电阻R3连接于第三MOS管Q3的栅极与源极之间;限流电阻R6连接于第三MOS管Q3的源极与漏极之间。
第四MOS管Q4的栅极连接第二电解电容C2的正极,第二电解电容C2的负极接地。第四MOS管Q4的源极连接第三MOS管Q3的源极,第四MOS管Q4的漏极连接第三MOS管Q3的栅极。第四电阻R5连接于第四MOS管Q4的源极与栅极之间,第二二极管D2的阳极连接第四MOS管Q4的栅极,第二二极管D2的阴极连接第四MOS管Q4的源极;第三二极管D3的阳极连接第四MOS管Q4的漏极,第三二极管D3的阴极连接过流保护单元50。
过流保护单元50包括比较器U1、第三分压电阻R13、第四分压电阻R14、第五分压电阻R15、第六分压电阻R16及电感L1,电感L1的第一端通过限流电阻R6连接开关单元30,电感L1的第二端通过接口单元10连接负载300。第四分压电阻R14的一端接地,第四分压电阻R14的另一端通过第三分压电阻R13连接电感L1的第一端,比较器U1的同相输入端连接于第三分压电阻R13与第四分压电阻R14之间。第六分压电阻R16的一端接地,第六分压电阻R16的另一端通过第五分压电阻R15连接电感L1的第二端,比较器U1的反相输入端连接于第五分压电阻R15与第六分压电阻R16之间;比较器U1的输出端连接断电锁定单元60。
过压及低压保护单元80包括第一二极管D9、第一三极管Q10、第一电阻R7、齐纳二极管D10及第一电解电容C1。第一二极管D9的阳极连接于电感L1与接口单元10之间,第一二极管D9的阴极连接第一电解电容C1的正极,第一电解电容C1的负极接地。齐纳二极管D10的阴极通过第一电阻R7与第一二极管D9的阳极连接,齐纳二极管D10的阳极接地。第一三极管Q10的基极与齐纳二极管D10的阴极连接,第一三极管Q10的发射极与第一二极管D9的阴极连接,第一三极管Q10的集电极与触发单元70的栅极连接,第一三极管Q10的集电极用于输出所述第一保护信号。
断电锁定单元60包括第一MOS管Q11、第二MOS管Q12、第一分压电阻R11及第二分压电阻R12。触发单元70包括触发MOS管Q13及触发二极管D4。触发二极管D4的阳极与第一三极管Q10的集电极连接,触发二极管D4的阴极与第一MOS管Q11的栅极连接,第一MOS管Q11的源极接地,第一MOS管Q11的漏极通过第一分压电阻R11与第二MOS管Q12的栅极连接;第二MOS管Q12的源极与电源单元连接,第二分压电阻R12连接于第二MOS管Q12的栅极与源极之间,第二MOS管Q12的漏极与触发二极管D4的阳极连接;触发MOS管Q13的栅极与第一三极管Q10的集电极连接,触发MOS管Q13的源极接地,触发MOS管Q13的漏极连接开关单元30。
负载保护电路100的工作原理介绍如下:
上面有讲到,当负载300与接口单元10插接时,第二插孔2接地,因而侦测MOS管Q1导通,侦测MOS管Q1的栅极输出高电平信号(也即侦测单元20输出至开关单元30的侦测信号)给开关单元30,使得开关单元30导通。
首先介绍突波保护单元40,当接口单元10与负载300插接使得开关单元30导通时,在开关单元30导通的瞬间,第二电解电容C2的正极相当于接地(为低电平),使得第四MOS管Q4导通;第三MOS管Q3的栅极电压大致等于电源单元200的供电电压,第三MOS管Q3的源极电压等于电源单元200的供电电压,因此第三MOS管Q3截止,第三MOS管Q3的源极接收的上述供电电压经过限流电阻R6限流后被传送至电感L1的第一端Vcc1。由于供电电压经过限流电阻R6限流后经过电感L1及接口单元10传送至负载300,因此在一定程度上限制了开关单元30导通瞬间所产生的突波电流经过电感L1及接口单元10传送至负载300,避免了上述突波电流对负载300的损坏。在开关单元30导通预定时间段后,第二电解电容C2的正极由于充电变为高电平,导致第四MOS管Q4截止;进而使得第三MOS管Q3导通,由于第三MOS管Q3的源极及漏极之间的电阻之电阻值远小于限流电阻R6之电阻值,因此第三MOS管Q3的源极接收的上述供电电压不会经过限流电阻R6限流后被传送至电感L1的第一端Vcc1,第三MOS管Q3的源极接收的上述供电电压经过第三MOS管Q3传送至电感L1的第一端Vcc1,进而通过接口单元10传送至负载300。
接着介绍过流保护单元50,当流过电感L1的电流(等于从电源单元200经由开关单元30、突波保护单元40、过流保护单元50及接口单元10流至负载300的负载电流)小于一阈值电流时,比较器U1的同相输出端的电压小于比较器U1的反相输出端的电压,因此比较器U1的输出端输出低电平信号,因此第一MOS管Q11截止。
当流过电感L1的电流(即上述负载电流)大于阈值电流时,由于电感L1存在内阻,也即电感L1具有分压作用,使得比较器U1的同相输出端的电压大于比较器U1的反相输出端的电压,因此比较器U1的输出端输出高电平信号(也即过流保护单元50输出的第二保护信号),因此第一MOS管Q11导通,使得第二MOS管Q12导通,进而导致触发MOS管Q13导通,触发MOS管Q13的漏极输出低电平信号(即触发单元70输出的第一控制信号)至开关单元30,使得开关单元30断开电源单元200与突波保护单元40之间的电性连接。另外,由于当第二MOS管Q12导通时,电源单元200提供的供电电压通过第二MOS管Q12传送至触发二极管D4的阳极,进而使得第一MOS管Q11的栅极持续接收到高电平信号(也即持续接收到第二保护信号),因此可维持触发MOS管Q13持续输出第一控制信号,进而将开关单元30锁定为断开状态,因而实现了过流保护。
另外,第四MOS管Q4在开关单元30导通瞬间时呈导通状态,使得供电电压通过第三二极管D3传送至比较器U1的反向输入端,导致比较器U1的反相输入端的电压高于比较器U1的同相输入端的电压,因而比较器U1的输出端输出低电平信号,也即使得过流保护单元50不输出第二保护信号,使得开关单元30保持导通状态,避免了误操作。
最后介绍过压及低压保护单元80,当过压及低压保护单元80接收来自过流保护单元50的供电电压且当上述供电电压大于第一阈值电压时,齐纳二极管D10反向击穿,使得第一三极管Q10的基极电压为低,从而第一三极管Q10导通,第一三极管Q10的集电极输出高电平信号(也即上述第一保护信号)至触发MOS管Q13的栅极,触发MOS管Q13导通,从而控制开关单元30断开。
当上述供电电压小于第二阈值电压时,第一三极管Q10的基极电压为低,从而第一三极管Q10导通,与上述上述供电电压大于第一阈值电压时一样,开关单元30断开。由于第一三极管Q10的集电极输出的高电平信号(也即上述第一保护信号)同时通过触发二极管D4传送至第一MOS管Q11的栅极,使得第一MOS管Q11导通,进而使得第二MOS管Q12导通,触发MOS管Q13的栅极接收供电电压而导通并且通过触发二极管D4维持第一MOS管Q11呈导通状态,因此可以将开关单元30锁定为断开状态。
本技术领域的普通技术人员应当认识到,以上的实施方式仅是用来说明本发明,而并非用作为对本发明的限定,只要在本发明的实质精神范围之内,对以上实施例所作的适当改变和变化都落在本发明要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种负载保护电路,其包括开关单元、触发单元、过压及低压保护单元或者连接于开关单元与负载之间的过流保护单元;该开关单元连接于电源单元与负载之间,其用于在导通时将电源单元提供的供电电压输出给负载并在断开时停止将所述供电电压输出给负载;该过压及低压保护单元用于在开关单元导通时接收所述供电电压,并在供电电压大于第一阈值电压或者小于第二阈值电压时产生第一保护信号;该触发单元响应第一保护信号产生第一控制信号;该开关单元响应第一控制信号断开;或者过流保护单元用于在开关单元导通时接收从电源单元经由开关单元及过流保护单元流至负载的负载电流,并在负载电流大于阈值电流时产生第二保护信号;
其特征在于:该负载保护电路还包括与电源单元连接的断电锁定单元,该断电锁定单元用于根据电源单元提供的供电电压及第一保护信号控制触发单元持续产生第一控制信号;或者断电锁定单元还用于根据供电电压及第二保护信号控制触发单元产生第一控制信号并控制触发单元持续输出第二保护信号至断电锁定单元。
2.如权利要求1所述的负载保护电路,其特征在于:该负载保护电路还包括连接于开关单元与负载之间的过流保护单元,该过流保护单元用于在开关单元导通时接收从电源单元经由开关单元及过流保护单元流至负载的负载电流,并在负载电流大于阈值电流时产生第二保护信号,该断电锁定单元还用于根据供电电压及第二保护信号控制触发单元产生第一控制信号并控制触发单元持续输出第二保护信号至断电锁定单元。
3.如权利要求2所述的负载保护电路,其特征在于:该负载保护电路还包括连接于开关单元与过流保护单元之间的突波保护单元,该突波保护单元用于在开关单元导通一预定时间段内对所述供电电压进行限流,并将限流后的供电电压通过过流保护单元输出给负载;该突波保护单元还用于在开关单元导通所述预定时间段后不对供电电压进行限流并将所述供电电压通过过流保护单元输出给负载;该突波保护单元还用于在开关单元导通一预定时间段内控制过流保护单元不输出第二保护信号。
4.如权利要求1所述的负载保护电路,其特征在于:该负载保护电路还包括侦测单元及接口单元,该开关单元连接于电源单元与接口单元之间,该侦测单元用于接收电源单元提供的供电电压并在侦测到接口单元与负载插接时输出侦测信号,该开关单元响应侦测信号导通电源单元与接口单元之间的电性连接,使得所述供电电压依次通过开关单元及接口单元输出给负载;该侦测单元还用于在侦测到接口单元未与负载插接时停止输出侦测信号。
5.如权利要求1所述的负载保护电路,其特征在于:该过压及低压保护单元包括第一二极管、第一三极管、第一电阻、齐纳二极管及第一电解电容,该第一二极管的阳极连接于开关单元与负载之间,该第一二极管的阴极连接第一电解电容的正极,该第一电解电容的负极接地;该齐纳二极管的阴极通过第一电阻与第一二极管的阳极连接,该齐纳二极管的阳极接地;第一三极管的基极与齐纳二极管的阴极连接,第一三极管的发射极与第一二极管的阴极连接,第一三极管的集电极与触发单元连接,第一三极管的集电极用于输出所述第一保护信号。
6.如权利要求5所述的负载保护电路,其特征在于:该触发单元包括触发MOS管及触发二极管,该断电锁定单元包括第一MOS管、第二MOS管、第一分压电阻及第二分压电阻;该触发二极管的阳极与第一三极管的集电极连接,该触发二极管的阴极与第一MOS管的栅极连接,该第一MOS管的源极接地,该第一MOS管的漏极通过第一分压电阻与第二MOS管的栅极连接;第二MOS管的源极与电源单元连接,该第二分压电阻连接于第二MOS管的栅极与源极之间,该第二MOS管的漏极与触发二极管的阳极连接;该触发MOS管的栅极与第一三极管的集电极连接,该触发MOS管的源极接地,该触发MOS管的漏极连接开关单元。
7.如权利要求2所述的负载保护电路,其特征在于:该过流保护单元包括比较器、第三分压电阻、第四分压电阻、第五分压电阻、第六分压电阻及电感,该电感的第一端连接开关单元,该电感的第二端连接负载;第四分压电阻的一端接地,第四分压电阻的另一端通过第三分压电阻连接电感的第一端,比较器的同相输入端连接于第三分压电阻与第四分压电阻之间;第六分压电阻的一端接地,该第六分压电阻的另一端通过第五分压电阻连接电感的第二端,比较器的反相输入端连接于第五分压电阻与第六分压电阻之间;比较器的输出端连接断电锁定单元并用于输出所述第二保护信号。
8.如权利要求3所述的负载保护电路,其特征在于:该突波保护单元包括第二电解电容、第二电阻、第三电阻、限流电阻、第三MOS管、第四MOS管、第二二极管、第三二极管及第四电阻,该第三MOS管的栅极通过第三电阻接地,该第三MOS管的源极通过开关单元连接电源单元,该第三MOS管的漏极连接过流保护单元,该第二电阻连接于第三MOS管的栅极与源极之间;该限流电阻连接于第三MOS管的源极与漏极之间;
该第四MOS管的栅极连接第二电解电容的正极,该第二电解电容的负极接地;该第四MOS管的源极连接第三MOS管的源极,该第四MOS管的漏极连接第三MOS管的栅极;第四电阻连接于第四MOS管的源极与栅极之间;该第二二极管的阳极连接第四MOS管的栅极,该第二二极管的阴极连接第四MOS管的源极;该第三二极管的阳极连接第四MOS管的漏极,该第三二极管的阴极连接过流保护单元。
9.如权利要求4所述的负载保护电路,其特征在于:该接口单元包括由导电材料制成且相互绝缘设置的第一插孔、第二插孔及第三插孔,该第一插孔通过开关单元电性连接电源单元,该第三插孔接地;该负载包括第一插脚、第二插脚及第三插脚,该第二插脚与第三插脚电性连接;该侦测单元包括第一侦测电阻、第二侦测电阻、侦测MOS管及侦测二极管,该侦测二极管的阴极连接第二插孔,该侦测二极管的阳极通过第二侦测电阻连接侦测MOS管的栅极;侦测MOS管的源极连接电源单元,该侦测MOS管的漏极连接开关单元,该第一侦测电阻连接于侦测MOS管的源极与栅极之间;当接口单元与负载插接时,该第一插脚、第二插脚及第三插脚分别与第一插孔、第二插孔及第三插孔电性连接,使第二插孔接地,使得侦测MOS管导通,从而侦测MOS管的漏极输出所述侦测信号。
10.如权利要求6所述的负载保护电路,其特征在于:该第一三极管为NPN型三极管,该第一MOS管为NMOS管,该第二MOS管为PMOS管。
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
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