CN117968972A - 一种真空***卤素检漏法 - Google Patents
一种真空***卤素检漏法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117968972A CN117968972A CN202311805879.2A CN202311805879A CN117968972A CN 117968972 A CN117968972 A CN 117968972A CN 202311805879 A CN202311805879 A CN 202311805879A CN 117968972 A CN117968972 A CN 117968972A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- leakage
- leak
- halogen
- pressure
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 title claims abstract description 89
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 8
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 4
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 3
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 claims description 3
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XWCDCDSDNJVCLO-UHFFFAOYSA-N Chlorofluoromethane Chemical compound FCCl XWCDCDSDNJVCLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- -1 chloride halide Chemical class 0.000 description 2
- OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N iodoform Chemical compound IC(I)I OKJPEAGHQZHRQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Examining Or Testing Airtightness (AREA)
Abstract
本发明提供了一种真空***卤素检漏法，包括有以下步骤：S1、将检漏管连通在被检***上；S2、对检漏管进行气压检测；S3、然后对可能存在漏孔的位置进行检测；S4、示漏气体产生卤素效应；本发明在使用的时候，先对检漏管进行有效的检测气压，便于提前查询到检漏管的漏孔存在，防止在检漏管不存在有漏孔的情况下进行卤素检漏法的使用，造成一定的资源和人力的浪费，并且采用的卤素效应进行检测漏孔的位置，可以有效的提高检测的效果，并且能够实现精准的定位漏孔，且检测现象明显，便于进行识别和确定，以及能够通过设备进行显示，实现自动化操作。
Description
技术领域
本发明涉及卤素检漏法领域，具体而言，涉及一种真空***卤素检漏法。
背景技术
用含有卤素(氟、氯、溴、碘)的气体为示漏气体的检漏仪器称为卤素检漏仪。该类仪器分两类：其一为传感器(即探头)与被检件相连接的称为固定式(也称内探头式)卤素检漏仪；其二为传感器(即吸枪)在被检件外部搜索的称为便携式(也称外探头式)卤素检漏仪。示漏气体有氟里昂、氯仿、碘仿、四氯化碳等，卤素检漏仪灵敏度可达3.2×lO-9Pam3/s。
参照现有公开号为CN111398361A的中国专利，其公开了一种宽量程的卤素检漏***及其检测方法；通过卤素气敏薄膜对卤素气体的高灵敏响应，实现卤素气体的宽量程、安全、快速、准确的检测，检测过程安全可靠，对环境以及人体不会造成损害。
但是，上述技术在进行使用的时候，没有实现对检漏管进行气压检测，无法获取检漏管是否存在有漏孔，容易造成资源和人力的浪费，并且采用的卤素气敏薄膜进行检测，检测结果不够明显，容易造成忽略等问题。
发明内容
为了弥补以上不足，本发明提供了一种真空***卤素检漏法，旨在改善现有技术没有实现对检漏管进行气压检测，无法获取检漏管是否存在有漏孔，容易造成资源和人力的浪费，并且采用的卤素气敏薄膜进行检测，检测结果不够明显，容易造成忽略等问题。
本发明实施例提供了一种真空***卤素检漏法，包括有以下步骤：
S1、将检漏管连通在被检***上：将可能存在有漏孔的检漏管连通在被检***上，并且进行共同抽真空；
S2、对检漏管进行气压检测：在检漏管抽真空到一定压强后，关闭阀门将检漏管与泵隔开，若检漏管漏气或材料放气，容器中的压强将随时间而上升，用真空计每隔一定时间计量一次容器中的压强，可得出压强/时间曲线；
S3、然后对可能存在漏孔的位置进行检测：检漏时，用喷枪在被检***可疑处喷畋，若有漏孔时，示漏气体经漏孔进入被检***和检漏管，若不存在有漏孔，则示漏气体不会进入到被检***和检漏管中；
S4、示漏气体产生卤素效应：在示漏气体进入到检漏管中，并且进入到被检***中的时候，产生卤素效应，使得离子流I剧增，并且在指示仪表和蜂鸣器同时反映出来，据此可判定漏孔位置，并且粗略地估计漏孔漏率。
在上述实现过程中，本发明在使用的时候，先对检漏管进行有效的检测气压，便于提前查询到检漏管的漏孔存在，防止在检漏管不存在有漏孔的情况下进行卤素检漏法的使用，造成一定的资源和人力的浪费，并且采用的卤素效应进行检测漏孔的位置，可以有效的提高检测的效果，并且能够实现精准的定位漏孔，且检测现象明显，便于进行识别和确定，以及能够通过设备进行显示，实现自动化操作。
在一种具体的实施方案中，所述S1中的抽真空采用的是真空泵进行操作，通过真空泵实现对检漏管和被检***进行抽取真空，然后保持检漏管和被检***的真空环境，便于后续进行卤素检漏。
在上述实现过程中，真空泵的设定可以实现对检漏管和被检***进行抽取真空，便于实现对检漏管进行后续的卤素检漏。
在一种具体的实施方案中，所述检漏管的最大容许漏率如下所示：
对于动态真空***，只要其平衡压力能够达到所要求的真空度，这时即使存在着漏孔，也认为***的漏率是容许的，该情况下***的漏率称为最大容许漏率，动态真空***的最大容许漏率qLmax应满足以下公式：
qLmax≤1/10PWS
式中PW为***工作压力，S为***的有效抽速
对于静态真空***，要求在一定时间内，其压力维持在容许的压力以下，这时即使存在着漏孔，同样认为该***的漏率是容许的，该情况下***的漏率称为最大容许漏率，如果要求在时间t内，容积为V的***的压力由p升至p+，则其最大容许漏率qLme3应满足
qLmax≤(Pt-P)V/t。
在上述实现过程中，通过计算可以准确的获得最大容许漏率的数值，便于在后续的卤素检漏的过程中进行使用，有效的消除误差，提高精准度。
在一种具体的实施方案中，所述S2中的压强检测采用的是真空计进行检测，并且检测的结果包括有以下几种：
直线A：压强不随时间变化，说明***即不漏气，也不放气；
直线B：压强开始上升很快，而后上升速度渐渐减慢而趋于平衡，说明容器没有漏气；真空度上不去的原因主要是放气的影响，因为放气速率随压强的升高和时间的延长而降低，故曲线渐趋向于平衡；
直线C：是一斜率为ΔP/Δt的直线，这说明只有漏气而没有放气；
曲线D：开始压强上升较快，而后渐渐减慢，最后变成斜率为ΔP/Δt的直线，这说明容器即有放气也有漏气；曲线D认为是B和C的叠加，如果出现曲线C和曲线D的情况，则判定***有漏气。
在上述实现过程中，根据不同的结果，可以实现对检漏管的漏孔情况进行判定，即通过压强的变化进行判定是否存在有漏孔，便于后续进行卤素检漏。
在一种具体的实施方案中，所述S3喷枪用于实现对示漏气体进行喷射，若在检漏管存在有漏孔的位置进行喷射的时候，则示漏气体则会进入到检漏管中，使得被检***能够产生卤素效应，便于获取漏孔位置。
在上述实现过程中，通过喷枪实现对检漏管进行喷射示漏气体，便于有效的确定漏孔的位置，若存在有漏孔，示漏气体进入到检漏管中，在被检***中发生卤素反应，结果显示明显，便于观测。
在一种具体的实施方案中，所述S3中的示漏气体多用氯的卤化物，所述示漏气体的采用包括有氟利昂、氯仿、四氯化碳、三氯乙烯、氟氯烷和氯仿，主要采用氯仿用于进行检漏，在检漏时，卤素气体充于被检件内，用喷枪在外部寻找漏孔。
在上述实现过程中，示漏气体是含有氯的卤化物，800-900℃温度下金属铂发生正离子发射，当遇到卤素气体时，这种发射会急剧增，便于进行检测漏孔的位置。
在一种具体的实施方案中，所述S4中的被检***中包括有加热电源、直流电源、传感器、离子流放大器和输出显示组成，且还包括有加热丝、阴极、阳极，且阴极为外筒，阳极为内筒，以及加热丝、阴极、阳极均用铂材制成，阳极被加热丝加热后发射正离子，被阴极接收的离子流放大器指示出来，且通过输出显示进行指示。
在上述实现过程中，被检***中包括有电力源，实现对***进行供电，并且通过加热丝实现对阳极进行加热，便于阳极和阴极进行检测卤素气体的存在，并且结果通过输出显示进行显示，便于获得结果信息。
在一种具体的实施方案中，所述阳极在所述加热丝的加热下，在800-900℃温度下会发生正离子发射，当遇到卤素气体时，这种发射会急剧增加，就是所谓的卤素效应，所述加热丝与所述加热电源电性连接，所述阴极和所述阳极组成传感器，通过所述直流电源实现对***进行供电。
在上述实现过程中，阳极采用铂材制成，便于在高温下进行发生正离子发射，并且这个反应过程在遇到卤素气体的时候，会剧烈增加，可以有效的进行观测，即效果明显，便于被观测到。
在一种具体的实施方案中，所述被检***的指示与卤素气体的浓度有关：一般，低浓度的指示是线性的，中等浓度的是非线性的，而当浓度很高时仪器出现饱和或中毒现象；在进行性能测试或检漏时，进入传感器的卤素气体的浓度不宜高于百万分之一，固定式卤素检漏仪传感器应在lO-1-10oPa压力范围内工作，压力过高或过低都会导致仪器灵敏度的下降。
在上述实现过程中，在进行检测的时候，卤素气体的浓度影响被检***的指示，需要卤素气体的浓度在一定的范围内，便于显示结构和提高设备的灵敏度，提高检测结果的精准度。
在一种具体的实施方案中，所述S4中的漏孔漏率是指在漏孔入口压力为1.01×105Pa，出口压力低于1.33×103Pa，温度为296±3K的标准条件下，单位时间内流过漏孔的露点温度低于248K的空气的气体量。
在上述实现过程中，通过单位时间漏孔处的空气气体量便于实现对漏孔的漏率进行估算，有效的获取到漏孔的各项数据信息。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明在使用的时候，先对检漏管进行有效的检测气压，便于提前查询到检漏管的漏孔存在，防止在检漏管不存在有漏孔的情况下进行卤素检漏法的使用，造成一定的资源和人力的浪费，并且采用的卤素效应进行检测漏孔的位置，可以有效的提高检测的效果，并且能够实现精准的定位漏孔，且检测现象明显，便于进行识别和确定，以及能够通过设备进行显示，实现自动化操作。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本发明实施方式提供的步骤流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行描述。
为使本发明实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本发明在使用的时候，先对检漏管进行有效的检测气压，便于提前查询到检漏管的漏孔存在，防止在检漏管不存在有漏孔的情况下进行卤素检漏法的使用，造成一定的资源和人力的浪费，并且采用的卤素效应进行检测漏孔的位置，可以有效的提高检测的效果，并且能够实现精准的定位漏孔，且检测现象明显，便于进行识别和确定，以及能够通过设备进行显示，实现自动化操作；用于解决现有技术没有实现对检漏管进行气压检测，无法获取检漏管是否存在有漏孔，容易造成资源和人力的浪费，并且采用的卤素气敏薄膜进行检测，检测结果不够明显，容易造成忽略等问题。
请参阅图1，本发明提供一种真空***卤素检漏法，包括有以下步骤：
S1、将检漏管连通在被检***上：将可能存在有漏孔的检漏管连通在被检***上，并且进行共同抽真空；
S2、对检漏管进行气压检测：在检漏管抽真空到一定压强后，关闭阀门将检漏管与泵隔开，若检漏管漏气或材料放气，容器中的压强将随时间而上升，用真空计每隔一定时间计量一次容器中的压强，可得出压强/时间曲线；
S3、然后对可能存在漏孔的位置进行检测：检漏时，用喷枪在被检***可疑处喷畋，若有漏孔时，示漏气体经漏孔进入被检***和检漏管，若不存在有漏孔，则示漏气体不会进入到被检***和检漏管中；
S4、示漏气体产生卤素效应：在示漏气体进入到检漏管中，并且进入到被检***中的时候，产生卤素效应，使得离子流I剧增，并且在指示仪表和蜂鸣器同时反映出来，据此可判定漏孔位置，并且粗略地估计漏孔漏率。
具体的，所述S1中的抽真空采用的是真空泵进行操作，通过真空泵实现对检漏管和被检***进行抽取真空，然后保持检漏管和被检***的真空环境，便于后续进行卤素检漏，真空泵的设定可以实现对检漏管和被检***进行抽取真空，便于实现对检漏管进行后续的卤素检漏。
在具体设置时，所述检漏管的最大容许漏率如下所示：
对于动态真空***，只要其平衡压力能够达到所要求的真空度，这时即使存在着漏孔，也认为***的漏率是容许的，该情况下***的漏率称为最大容许漏率，动态真空***的最大容许漏率qLmax应满足以下公式：
qLmax≤1/10PWS
式中PW为***工作压力，S为***的有效抽速
对于静态真空***，要求在一定时间内，其压力维持在容许的压力以下，这时即使存在着漏孔，同样认为该***的漏率是容许的，该情况下***的漏率称为最大容许漏率，如果要求在时间t内，容积为V的***的压力由p升至p+，则其最大容许漏率qLme3应满足
qLmax≤(Pt-P)V/t，通过计算可以准确的获得最大容许漏率的数值，便于在后续的卤素检漏的过程中进行使用，有效的消除误差，提高精准度。
在一些具体的实施方案中，所述S2中的压强检测采用的是真空计进行检测，并且检测的结果包括有以下几种：
直线A：压强不随时间变化，说明***即不漏气，也不放气；
直线B：压强开始上升很快，而后上升速度渐渐减慢而趋于平衡，说明容器没有漏气；真空度上不去的原因主要是放气的影响，因为放气速率随压强的升高和时间的延长而降低，故曲线渐趋向于平衡；
直线C：是一斜率为ΔP/Δt的直线，这说明只有漏气而没有放气；
曲线D：开始压强上升较快，而后渐渐减慢，最后变成斜率为ΔP/Δt的直线，这说明容器即有放气也有漏气；曲线D认为是B和C的叠加，如果出现曲线C和曲线D的情况，则判定***有漏气，根据不同的结果，可以实现对检漏管的漏孔情况进行判定，即通过压强的变化进行判定是否存在有漏孔，便于后续进行卤素检漏。
在其他一些实施方案中，所述S3喷枪用于实现对示漏气体进行喷射，若在检漏管存在有漏孔的位置进行喷射的时候，则示漏气体则会进入到检漏管中，使得被检***能够产生卤素效应，便于获取漏孔位置，通过喷枪实现对检漏管进行喷射示漏气体，便于有效的确定漏孔的位置，若存在有漏孔，示漏气体进入到检漏管中，在被检***中发生卤素反应，结果显示明显，便于观测。
在本发明中，所述S3中的示漏气体多用氯的卤化物，所述示漏气体的采用包括有氟利昂、氯仿、四氯化碳、三氯乙烯、氟氯烷和氯仿，主要采用氯仿用于进行检漏，在检漏时，卤素气体充于被检件内，用喷枪在外部寻找漏孔，示漏气体是含有氯的卤化物，800-900℃温度下金属铂发生正离子发射，当遇到卤素气体时，这种发射会急剧增，便于进行检测漏孔的位置。
可以理解，在其他实施例中，所述S4中的被检***中包括有加热电源、直流电源、传感器、离子流放大器和输出显示组成，且还包括有加热丝、阴极、阳极，且阴极为外筒，阳极为内筒，以及加热丝、阴极、阳极均用铂材制成，阳极被加热丝加热后发射正离子，被阴极接收的离子流放大器指示出来，且通过输出显示进行指示，被检***中包括有电力源，实现对***进行供电，并且通过加热丝实现对阳极进行加热，便于阳极和阴极进行检测卤素气体的存在，并且结果通过输出显示进行显示，便于获得结果信息。
在一种具体的实施方案中，所述阳极在所述加热丝的加热下，在800-900℃温度下会发生正离子发射，当遇到卤素气体时，这种发射会急剧增加，就是所谓的卤素效应，所述加热丝与所述加热电源电性连接，所述阴极和所述阳极组成传感器，通过所述直流电源实现对***进行供电，阳极采用铂材制成，便于在高温下进行发生正离子发射，并且这个反应过程在遇到卤素气体的时候，会剧烈增加，可以有效的进行观测，即效果明显，便于被观测到。
在本实施例中，所述被检***的指示与卤素气体的浓度有关：一般，低浓度的指示是线性的，中等浓度的是非线性的，而当浓度很高时仪器出现饱和或中毒现象；在进行性能测试或检漏时，进入传感器的卤素气体的浓度不宜高于百万分之一，固定式卤素检漏仪传感器应在lO-1-10oPa压力范围内工作，压力过高或过低都会导致仪器灵敏度的下降，在进行检测的时候，卤素气体的浓度影响被检***的指示，需要卤素气体的浓度在一定的范围内，便于显示结构和提高设备的灵敏度，提高检测结果的精准度。
可选地，所述S4中的漏孔漏率是指在漏孔入口压力为1.01×105Pa，出口压力低于1.33×103Pa，温度为296±3K的标准条件下，单位时间内流过漏孔的露点温度低于248K的空气的气体量，通过单位时间漏孔处的空气气体量便于实现对漏孔的漏率进行估算，有效的获取到漏孔的各项数据信息。
该真空***卤素检漏法的工作原理：
第一步、将检漏管连通在被检***上：将可能存在有漏孔的检漏管连通在被检***上，并且进行共同抽真空；
第二步、对检漏管进行气压检测：在检漏管抽真空到一定压强后，关闭阀门将检漏管与泵隔开，若检漏管漏气或材料放气，容器中的压强将随时间而上升，用真空计每隔一定时间计量一次容器中的压强，可得出压强/时间曲线；
第三步、然后对可能存在漏孔的位置进行检测：检漏时，用喷枪在被检***可疑处喷畋，若有漏孔时，示漏气体经漏孔进入被检***和检漏管，若不存在有漏孔，则示漏气体不会进入到被检***和检漏管中；
第四步、示漏气体产生卤素效应：在示漏气体进入到检漏管中，并且进入到被检***中的时候，产生卤素效应，使得离子流I剧增，并且在指示仪表和蜂鸣器同时反映出来，据此可判定漏孔位置，并且粗略地估计漏孔漏率。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种真空***卤素检漏法，其特征在于，包括有以下步骤：
S1、将检漏管连通在被检***上：将可能存在有漏孔的检漏管连通在被检***上，并且进行共同抽真空；
S2、对检漏管进行气压检测：在检漏管抽真空到一定压强后，关闭阀门将检漏管与泵隔开，若检漏管漏气或材料放气，容器中的压强将随时间而上升，用真空计每隔一定时间计量一次容器中的压强，可得出压强/时间曲线；
S3、然后对可能存在漏孔的位置进行检测：检漏时，用喷枪在被检***可疑处喷畋，若有漏孔时，示漏气体经漏孔进入被检***和检漏管，若不存在有漏孔，则示漏气体不会进入到被检***和检漏管中；
S4、示漏气体产生卤素效应：在示漏气体进入到检漏管中，并且进入到被检***中的时候，产生卤素效应，使得离子流I剧增，并且在指示仪表和蜂鸣器同时反映出来，据此可判定漏孔位置，并且粗略地估计漏孔漏率。
2.根据权利要求1所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述S1中的抽真空采用的是真空泵进行操作，通过真空泵实现对检漏管和被检***进行抽取真空，然后保持检漏管和被检***的真空环境，便于后续进行卤素检漏。
3.根据权利要求2所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述检漏管的最大容许漏率如下所示：
对于动态真空***，只要其平衡压力能够达到所要求的真空度，这时即使存在着漏孔，也认为***的漏率是容许的，该情况下***的漏率称为最大容许漏率，动态真空***的最大容许漏率qLmax应满足以下公式：
qLmax≤1/10PWS
式中PW为***工作压力，S为***的有效抽速
对于静态真空***，要求在一定时间内，其压力维持在容许的压力以下，这时即使存在着漏孔，同样认为该***的漏率是容许的，该情况下***的漏率称为最大容许漏率，如果要求在时间t内，容积为V的***的压力由p升至p+，则其最大容许漏率qLme3应满足
qLmax≤(Pt-P)V/t。
4.根据权利要求1所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述S2中的压强检测采用的是真空计进行检测，并且检测的结果包括有以下几种：
直线A：压强不随时间变化，说明***即不漏气，也不放气；
直线B：压强开始上升很快，而后上升速度渐渐减慢而趋于平衡，说明容器没有漏气；真空度上不去的原因主要是放气的影响，因为放气速率随压强的升高和时间的延长而降低，故曲线渐趋向于平衡；
直线C：是一斜率为ΔP/Δt的直线，这说明只有漏气而没有放气；
曲线D：开始压强上升较快，而后渐渐减慢，最后变成斜率为ΔP/Δt的直线，这说明容器即有放气也有漏气；曲线D认为是B和C的叠加，如果出现曲线C和曲线D的情况，则判定***有漏气。
5.根据权利要求1所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述S3喷枪用于实现对示漏气体进行喷射，若在检漏管存在有漏孔的位置进行喷射的时候，则示漏气体则会进入到检漏管中，使得被检***能够产生卤素效应，便于获取漏孔位置。
6.根据权利要求1所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述S3中的示漏气体多用氯的卤化物，所述示漏气体的采用包括有氟利昂、氯仿、四氯化碳、三氯乙烯、氟氯烷和氯仿，主要采用氯仿用于进行检漏，在检漏时，卤素气体充于被检件内，用喷枪在外部寻找漏孔。
7.根据权利要求1所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述S4中的被检***中包括有加热电源、直流电源、传感器、离子流放大器和输出显示组成，且还包括有加热丝、阴极、阳极，且阴极为外筒，阳极为内筒，以及加热丝、阴极、阳极均用铂材制成，阳极被加热丝加热后发射正离子，被阴极接收的离子流放大器指示出来，且通过输出显示进行指示。
8.根据权利要求7所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述阳极在所述加热丝的加热下，在800-900℃温度下会发生正离子发射，当遇到卤素气体时，这种发射会急剧增加，就是所谓的卤素效应，所述加热丝与所述加热电源电性连接，所述阴极和所述阳极组成传感器，通过所述直流电源实现对***进行供电。
9.根据权利要求1所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述被检***的指示与卤素气体的浓度有关：一般，低浓度的指示是线性的，中等浓度的是非线性的，而当浓度很高时仪器出现饱和或中毒现象；在进行性能测试或检漏时，进入传感器的卤素气体的浓度不宜高于百万分之一，固定式卤素检漏仪传感器应在lO-1-10oPa压力范围内工作，压力过高或过低都会导致仪器灵敏度的下降。
10.根据权利要求1所述的一种真空***卤素检漏法，其特征在于，所述S4中的漏孔漏率是指在漏孔入口压力为1.01×105Pa，出口压力低于1.33×103Pa，温度为296±3K的标准条件下，单位时间内流过漏孔的露点温度低于248K的空气的气体量。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311805879.2A CN117968972A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种真空***卤素检漏法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311805879.2A CN117968972A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种真空***卤素检漏法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117968972A true CN117968972A (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=90865211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311805879.2A Pending CN117968972A (zh) | 2023-12-26 | 2023-12-26 | 一种真空***卤素检漏法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117968972A (zh) |
-
2023
- 2023-12-26 CN CN202311805879.2A patent/CN117968972A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7156976B2 (en) | Method for detecting and localizing leaks and suitable device for carrying out the method | |
| JP6275134B2 (ja) | 密封製品の耐漏洩性を検査するための検出方法及び検出装置 | |
| US7707871B2 (en) | Leak detection system with controlled differential pressure | |
| CN106226000B (zh) | 一种真空密封性能测量装置和方法 | |
| US20180328809A1 (en) | Pressure Measurement at a Test Gas Inlet | |
| Rottländer et al. | Fundamentals of leak detection | |
| CN104865024A (zh) | 一种用于测量铝合金轮毂或者轮胎气密性的装置及方法 | |
| BR112020022202B1 (pt) | Método para a determinação da posição relativa de um vazamento de gás | |
| CN112858593B (zh) | 一种样本针、试剂针空吸和堵针的检测***及其检测方法 | |
| BR112018009435B1 (pt) | Método e dispositivo para detecção de vazamento com oxigênio | |
| US3280619A (en) | Leak detection | |
| CN117968972A (zh) | 一种真空***卤素检漏法 | |
| Vinogradov et al. | How to choose a leak detection method | |
| CN202229888U (zh) | 一种空调专用检漏仪 | |
| JP4042884B2 (ja) | 空気入りタイヤのリーク検査装置 | |
| CN105403850A (zh) | 电导率仪检验装置 | |
| CN103674432A (zh) | 一种新型氟类气体专用检漏装置 | |
| US20180252613A1 (en) | Leak Detection Upon Evacuation of a Test Chamber or a Specimen | |
| JPH1137883A (ja) | リーク量の計測方法 | |
| JP2005077173A (ja) | ガス漏洩検知方法及び装置 | |
| CN218546014U (zh) | 一种负压测漏设备有效性的检测装置及负压测漏*** | |
| JP6322507B2 (ja) | 漏洩検知方法 | |
| JP3348489B2 (ja) | 漏洩試験方法 | |
| JP2002277342A (ja) | 漏洩試験装置 | |
| JPH05172686A (ja) | リークテスト装置と方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication |