CN117950275A - 曝光方法、曝光装置以及用于制造物品的方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及曝光方法、曝光装置以及用于制造物品的方法。曝光方法包括：作为曝光经由投影光学***对批次中包括的多个基板在曝光处理的开始和结束之间执行曝光处理，基于曝光的曝光处理条件预测在曝光期间投影光学***的光学特性的改变，基于预测的结果确定在曝光期间光学特性是否超过预定范围，以及在确定在曝光期间光学特性超过所述预定范围的情况下，在光学特性超过所述预定范围之前调整光学特性，其中在所述调整之后对所述多个基板中的至少一个或多个基板进行曝光。

Description

曝光方法、曝光装置以及用于制造物品的方法

技术领域

本公开一般而言涉及曝光，并且更具体地涉及曝光方法、曝光装置以及用于制造物品的方法。

背景技术

半导体器件或液晶显示设备的制造过程使用曝光装置，该曝光装置通过照明光学***对母盘进行照明，并经由投影光学***将母盘的图案投影到基板上以对基板进行曝光。如果投影光学***吸收曝光光并生成热量，那么像差出现。像差影响曝光处理的结果。

日本专利申请特许公开No.2014-103343讨论了一种用于预测由于曝光处理引起的像差并基于预测的结果确定是否执行下一次曝光处理的方法。

考虑到生产率，在像差出现的情况下，期望校正像差以迅速执行下一次曝光处理。而且，即使在对一个批次执行曝光处理时，像差也会改变。如果在批次的中间像差增加，那么分辨率性能会下降并且无法满足期望的质量。

发明内容

本公开一般而言针对提供一种能够在减少像差影响的状态下执行曝光处理的曝光方法，以及曝光装置和用于制造物品的方法。

根据一些实施例，一种曝光方法包括：作为曝光经由投影光学***对批次中包括的多个基板在曝光处理的开始和结束之间执行曝光处理，基于曝光的曝光处理条件预测在曝光期间投影光学***的光学特性的改变，基于预测的结果确定在曝光期间光学特性是否超过预定范围，以及在确定在曝光期间光学特性超过预定范围的情况下，在光学特性超过预定范围之前调整光学特性，其中在调整之后对所述多个基板中的至少一个或多个基板进行曝光。

通过以下参考附图对示例性实施例的描述，本公开的进一步的特征将变得清楚。

附图说明

图1是图示根据第一示例性实施例的曝光装置的构造的示意图。

图2是图示在Z方向上驱动基板台时焦点与光量之间的关系的图表。

图3是图示标线片侧标记的线条和空间图案的示意图。

图4是根据第一示例性实施例的用于存储像差饱和量的流程图，像差饱和量要在用于预测像散的预测方程中使用。

图5图示了根据第一示例性实施例的像差预测的结果。

图6A和图6B图示了根据第一示例性实施例的用于虚拟(dummy)照射的照明光学***的光瞳平面上的光强度分布的示例。

图7是根据第一示例性实施例的执行虚拟照射以校正像散时的流程图。

图8图示了根据第一示例性实施例的像散调整的示例。

图9是根据第二示例性实施例的用于制造物品的方法的流程图。

具体实施方式

下面将参考附图描述本公开的示例性实施例。以下示例性实施例并不旨在限制权利要求中阐述的公开内容。虽然示例性实施例描述了多个特征，但是并非所有特征对于本公开来说都是必需的，并且可以以任何给定的方式组合这些特征。在附图中，相同或相似的组件由相同的附图标记表示。将省略其冗余的描述。

在本说明书和附图中，基本上使用具有相互正交的轴的XYZ坐标系来表达方向，其中垂直方向是Z轴并且垂直于垂直方向的水平面是XY平面。如果图中图示了XYZ坐标系，那么该坐标系优先。

下面将描述每个示例性实施例的具体构造。

图1是图示根据第一示例性实施例的曝光装置100的构造的示意图。从光源101发射的光入射在照明光学***102上。衍射光学元件103在照明光学***102的光瞳平面上形成光强度分布(下文中也称为有效光源分布)，并且用所得到的光照射标线片104。标线片104是由例如其表面上用铬形成有要转印的图案(例如，电路图案)的石英玻璃形成的母盘。入射在绘制在标线片104上的图案上的光被标线片104衍射并进入投影光学***107。光通过部署在投影光学***107中的孔径光阑108调节光量并到达基板110，从而以减小的尺寸投影标线片104上的图案。这里，基板110例如由具有其上涂敷有感光材料(抗蚀剂)的表面的单晶硅形成。控制单元120具有处理器、电路***或其组合，并且可以被配置为控制器以控制曝光装置100中的一个或多个单元或组件。存储单元130存储从控制单元120获得的信息。

标线片104被保持在标线片台106上。标线片台106被驱动以在+Y方向上扫描。驱动保持基板110的基板台111以在-Y方向上扫描。在一个拍摄(shot)区域的曝光结束之后，步进驱动这些台以曝光下一个拍摄区域。

与标线片104不同的标线片参考板105部署在标线片台106上。标线片参考板105设有用于测量空中图像的标线片侧标记。标线片侧标记是循环排列的线条和空间图案。检测板112进一步部署在基板台111上。检测板112设有用于测量空中图像的基板侧标记(未示出)。基板侧标记是以与标线片侧标记的周期相同的周期排列的线条和空间图案。光电检测器115位于检测板112下方。

标线片侧和基板侧标记上的线条和空间图案的光阻挡部分例如由铬形成。其透光部分由玻璃形成。在Y方向上驱动标线片台106，使得从光源101发射的光经由照明光学***102照射标线片参考板105上的标线片侧标记。穿过标线片参考板105上的标线片侧标记的光经由投影光学***107到达检测板112上的基板侧标记。到达的光穿过检测板112上的基板侧标记并到达光电检测器115。

接下来，将描述作为用于测量像散(光学特性)的测量方法的空中图像测量。

从光源101发射的光经由照明光学***102照射标线片参考板105，由此标线片侧标记经由投影光学***107以减小的尺寸投影到基板侧标记上。如果在减小尺寸投影的状态下在作为光轴方向的Z方向上移动基板台111，那么在投影光学***107的最佳焦点位置处以减小的尺寸投影的标线片侧标记的图像与基板侧标记重叠。这里，光电检测器115接收到的光量被最大化。当基板台111远离最佳焦点位置移动时，以减小的尺寸投影到检测板112上的基板侧标记上的标线片侧标记的图像的对比度降低并且模糊，并且通过光电检测器115接收到的光量下降。

图2是图示当在Z方向上驱动基板台111时焦点与光量之间的关系的图。图2图示了基板台111在Z方向上被驱动越过最佳焦点位置的情况的示例，其中标线片侧标记以减小的尺寸投影到基板侧标记上。横轴指示焦点，纵轴指示光电检测器115检测到的光量。图示的焦点与光量之间的关系具有向上凸出的弯曲形状。弯曲形状的峰位置是最佳焦点位置。虽然在本示例性实施例中已经描述了根据光电检测器115对穿过标线片侧标记和基板侧标记的光的检测结果来确定最佳焦点位置的示例，但是用于确定最佳焦点位置的方法不限于这个示例。

图3是图示标线片侧标记113的线条和空间图案的示意图。基板侧标记具有类似的构造。标线片侧标记113和基板侧标记各自包括用于像散测量的X和Y方向线条和空间图案。随着标线片侧标记113的X和Y方向线条和空间图案以减小的尺寸投影到基板侧标记上，基板台111在Z方向上在跨过(包括)X和Y方向两者的最佳焦点位置的区域上被驱动。作为结果，对于X和Y方向线条和空间图案都可以获得图2中所示的焦点与光量之间的关系。基于所获得的X和Y方向线条和空间图案的焦点与光量之间的关系，根据光量被最大化的相应位置(峰位置)来确定X和Y方向上的最佳焦点位置。可以通过确定X方向上的最佳焦点位置与Y方向上的最佳焦点位置之间的差来确定像散。

图4是根据本示例性实施例的用于存储像差饱和量P(第一系数)的流程图，像差饱和量P(第一系数)在用于预测像散的预测方程(模型)中使用。在本示例性实施例中，预先获得第一信息、或包括用于预测执行曝光处理的曝光过程期间光学特性的改变的像差饱和量P(第一系数)的信息。

在步骤S110中，根据用于曝光处理的有效光源分布来测量像散。在步骤S120中，对要预先测量的基板当中尚未执行曝光处理的第N个基板执行曝光处理。要预先测量的基板是指为了确定像差饱和量P而使用的基板。例如，要预先测量的基板是包括在一个批次中的基板。像差饱和量P是特定于曝光处理条件的值。在步骤S130中，控制单元120确定是否已经对所有要预先测量的基板执行了曝光处理。如果尚未对所有要预先测量的基板执行曝光处理(步骤S130中的“否”)，那么处理返回到步骤S110。如果已经对所有要预先测量的基板执行了曝光处理(步骤S130中的“是”)，那么处理进行到步骤S140。在步骤S140中，根据用于曝光处理的有效光源分布来测量像散。在步骤S150中，控制单元120确定要在预测方程中使用的像差饱和量P。在步骤S160中，存储单元130将曝光处理条件和像差饱和量P彼此关联地存储，然后处理结束。在本示例性实施例中，已经描述了其中将针对光学特性(像散)测量所有要预先测量的基板(例如，批次中包括的25个基板)的示例。但是，如果获得的信息量足够，那么不需要针对光学特性(像散)测量所有要预先测量的基板。例如，如果在步骤S130中确定已经对所有要预先测量的基板执行了曝光处理，那么处理可以跳过步骤S140并进行到步骤S150。

在步骤S150中确定的要在用于预测像散的预测方程中使用的像差饱和量P是通过将像散的测量拟合到由方程(1)、(2)和(3)表达的预测方程来获得的。可以基于所确定的像差饱和量P、方程(1)、(2)和(3)的预测方程以及关于用于预测光学特性(像散)的改变的初始值的信息(第二信息)，来预测在实际曝光处理中发生的像散量。例如，第二信息可以是通过测量光学特性而获得的信息，或者是调整过程中光学特性的调整的目标值。可替代地，第二信息可以是基于调整过程中的光学特性的调整的目标值和预测在调整过程之后发生的光学特性的改变量而获得的值。例如，当对批次中包括的多个基板执行曝光处理时，对曝光处理期间的像散(光学特性)的改变(发生量)进行预测。

Φ_N＝Φ_1N+Φ_2N+Φ_3N，方程(1)

和

这里，Φ指示建模的像散的预测发生量，并且后缀N指示像散的测量的定时。在本示例性实施例中，使用三个时间常数(K)。后缀m指示模型编号，其中m＝1是指长期时间常数模型，m＝2是指中期时间常数模型，m＝3是指短期时间常数模型。虽然在本示例性实施例中使用三个时间常数模型来确定三个像差饱和量P，但是时间常数模型的数量可以是两个或更多个。α指示曝光负载，其值根据曝光条件而改变。如方程(3)所表达的那样，曝光负载α可以根据标线片透射率R、曝光量D、拍摄尺寸A、一次像散测量与另一次像散测量之间的拍摄次数Num、以及一次像散测量与另一次像散测量之间的时间T来确定。可以使用诸如抗蚀剂反射率之类的其它参数来计算曝光负载α。换句话说，在本示例性实施例中，基于曝光处理条件来预测在多个基板(批次中包括的多个基板)的曝光处理期间光学特性的改变。

图5图示了根据本示例性实施例的像差预测的结果。横轴指示时间，纵轴指示像散的量。白点表示在步骤S110和S140中获得的像散的测量，并且实线表示使用预测方程预测发生的像差。控制单元120预先在可行的曝光处理条件下在步骤S110和S140中测量像散，并根据测量和方程(1)、(2)和(3)确定像差饱和量P。然后，存储单元130将由控制单元120确定的像差饱和量P和曝光处理条件彼此相关联地存储。当控制单元120在与存储在存储单元130中的曝光处理条件相同的曝光处理条件下执行曝光处理时，控制单元120基于存储在存储单元130中的信息来预测在曝光处理期间发生的像差的量。具体而言，控制单元120基于与曝光处理条件相关联地存储在存储单元130中的像差饱和量P，方程(1)、(2)和(3)，以及作为关于要用于像散预测的初始值的信息的第二信息，来预测发生的像差的量。

接下来，将描述用于校正像散的虚拟照射。图6A和图6B图示了根据本示例性实施例的用于虚拟照射的照明光学***102的光瞳平面上的光强度分布(有效光源分布)的示例。从光源101发射的光被照明光学***102中的衍射光学元件103整形为图6A或图6B中所示的有效光源分布。图6A和图6B中的点线表示σ＝1。白色区域具有光强度。

使已经整形的有效光源分布的光经由照明光学***102进入投影光学***107，而不穿过标线片104。这里，位于投影光学***107的光瞳附近的孔径光阑108被关闭，使得进入投影光学***107的光照射孔径光阑108并且不会到达基板110。已经进入投影光学***107的光在构成投影光学***107的一组透镜上的入射由于透镜的玻璃材料的吸收和抗反射膜的吸收而使透镜发热，并且透镜的折射率改变以引起波前像差。例如，如果由衍射光学元件103形成图6A中所示的有效光源分布并使其进入投影光学***107，那么投影光学***107产生具有与有效光源分布对应的分布的波前像差。换句话说，可以通过切换衍射光学元件103以选择有效光源分布使得像散具有期望的符号，并执行虚拟照射，来控制像散的符号。而且，通过调整虚拟照射的持续时间，可以获得期望的像散的量。虽然在本示例性实施例中描述了使用波前像差的2θ成分来执行虚拟照射的示例，但是可以使用3θ或4θ成分而没有任何特定限制。

现在将描述用于确定虚拟照射的持续时间的方法。首先，预先获得与投影光学***107上的虚拟照射的持续时间与投影光学***107的像散的改变量之间的关系有关的信息。接下来，基于获得的信息来确定指示每单位时间投影光学***107的像散的改变量的比例系数(Coef)。比例系数(Coef)是第二系数。然后基于方程(4)确定虚拟照射的持续时间(照射时间)：

T＝Coef×AS，方程(4)

其中T是虚拟照射的持续时间，并且AS是将投影光学***107的像散调整到期望值(像散的期望值)时要改变的像散量。

虽然在本示例性实施例中通过调整虚拟照射的持续时间来调整要改变的像散量，但是可以使用虚拟照射的量来代替虚拟照射的持续时间。

图7是根据本示例性实施例的执行虚拟照射以校正像散的流程图。首先，在步骤S200中，控制单元120使用用于曝光处理的有效光源分布来测量像散。步骤S200中的像散测量旨在检查曝光开始之前的像散的状态，并且如果预先知道曝光开始之前的像散的值，则不需要执行像散测量。在步骤S210中，控制单元120基于像散的测量和与存储在存储单元130中的曝光条件相关联存储的像差饱和量P来预测曝光处理期间像散的改变(预测过程)。在预测过程中，例如，预测对批次中包括的多个基板执行曝光处理时的像散。在步骤S210中，使用方程(1)、(2)和(3)来预测像散。在步骤S220中，基于在步骤S210的预测过程中做出的预测的结果，控制单元120确定在下一基板的处理期间像散是否超过允许范围(预定范围)(确定过程)。

在本示例性实施例中，描述这样的示例，其中将通过预测从曝光过程开始到结束的光学特性的改变来预测像散(光学特性)的改变，使得还包括由于在调整过程中对光学特性进行调整而引起的光学特性的改变。更具体而言，例如，在对批次中包括的25个基板进行曝光的曝光过程中，在第九基板的曝光期间光学特性超过允许范围的情况下，在第九基板的曝光开始之前调整光学特性。如果计划在第九基板的曝光开始之前将光学特性(像散)调整至以纳米(nm)为单位的目标值零(0)(nm)，那么在预测过程中，假设在第九基板的曝光开始之前光学特性调整为0(nm)来预测在对第九基板及后续基板进行曝光时光学特性的改变。在曝光过程开始之前，预测批次中包括的多个基板从曝光处理开始到结束的光学特性的改变，使得也包括由于要在曝光过程期间执行的调整过程引起的光学特性的改变。在确定过程和调整过程中，基于预测进行确定并调整光学特性。以这种方式，可以在曝光过程开始之前一次完成预测。但是，可以每次在调整过程之后执行预测处理。

在这种情况下，可以通过测量来获得第二信息或用于预测光学特性的初始值。这使得预测过程中预测的结果更加准确。

存储单元130存储多个曝光处理条件，每个曝光处理条件与包括像差饱和量P(第一系数)的第一信息相关联。控制单元120从存储在存储单元130中的曝光处理条件中选择与测量像散时的曝光处理条件相同的曝光处理条件，并且使用与所选择的曝光处理条件相关联的像差饱和量P来预测像散(光学特性)的改变。用户基于像差的影响和曝光处理的期望精度预先针对每个曝光处理条件设置允许范围(预定范围)。

如果在处理下一个基板期间像散没有超过允许范围(步骤S220中的“否”)，那么处理进行到步骤S240。在步骤S240中，控制单元120执行曝光处理(曝光过程)。如果在处理下一个基板期间像散超过允许范围(步骤S220中的“是”)，那么处理进行到步骤S230。在步骤S230中，控制单元120使标线片104缩回，并通过虚拟照射来调整像散(调整过程)。切换用于步骤S230中的虚拟照射的有效光源分布，使得通过虚拟照射将像散调整到期望的值。通过步骤S230中的虚拟照射，将像散(光学特性)调整到例如0(nm)。

在步骤S240中，在步骤S230中像散的调整之后，将已经缩回的标线片104移动到可以执行曝光处理的位置，并且在衍射光学元件103切换到用于曝光处理(曝光过程)的有效光源分布的情况下执行曝光处理。在本示例性实施例中，在曝光过程期间执行调整过程至少一次或多次，并且在调整过程之后执行曝光过程的至少一部分。曝光过程的至少一部分是指例如在曝光过程中要对其执行曝光处理的多个基板中的至少一个或多个基板的曝光。例如，在曝光过程是从批次中包括的25个基板的曝光开始到结束的过程、并且在第九基板的曝光之前执行调整过程的情况下，在调整过程之后对第九基板进行曝光。然后，只要基于预测过程的预测的结果在确定过程中确定像散不超过允许范围，该批次中包括的基板就被相继地曝光。调整过程可以在一个批次中执行一次或多次，并且其次数没有特别限制。

曝光过程不一定需要每次在调整过程之后执行，并且曝光过程的至少一部分将在至少一次调整过程之后执行。在步骤S250中，在步骤S240的曝光处理之后，控制单元120确定是否处理下一个基板。如果要处理下一个基板(步骤S250中的“是”)，那么处理返回到步骤S220。如果不是(步骤S250中的“否”)，那么处理结束。步骤S250的确定与确定曝光处理是否已执行至批次中包括的多个基板中的最后一个基板同义。在执行步骤S230并且然后处理经过步骤S240和S250并返回到步骤S220的情况下，可以基于在步骤S230中调整的像散的目标值和预测在调整之后将发生的像散的改变量来进行步骤S220的预测。例如，在步骤S230中将像散调整为0(nm)、并且预测将像散调整为0(nm)之后像散的改变量为5(nm)的情况下，确定在像散为5(nm)的状态下如果对下一个基板执行曝光处理的话像散是否超过允许范围。换句话说，基于从像散的调整的目标值和预测在调整之后将发生的像散的改变量确定的像散信息来进行预测。可替代地，可以在调整像散之后且在像散改变之前进行预测。在这种情况下，不需要计算像散调整之后发生的像散的改变量。

在本示例性实施例中，通过确定在下一个基板的处理期间像散是否超过允许范围来确定是否执行虚拟照射(调整光学特性)。但是，可以设置阈值来代替允许范围(预定范围)，并且可以通过将像散的测量与阈值进行比较来确定是否执行虚拟照射。

在根据本示例性实施例的确定过程中，通过确定在下一个基板的曝光处理期间像散是否超过允许范围来确定是否执行虚拟照射。但是，步骤S220不需要逐个基板地执行。确定过程可以在预定数量的基板(诸如每两个基板)中执行一次。可替代地，基于像散的预测的结果，可以在预测像散超过允许范围(预定范围)的基板上或者在预测像散超过允许范围(预定范围)的基板之前的基板上确定像散是否超过允许范围。预测像散超过允许范围(预定范围)的基板之前的基板是指例如在预测像散超过允许范围(预定范围)的基板的曝光之前(紧接在之前)要曝光的基板。换句话说，确定过程是要确定在曝光过程期间(从批次中包括的多个基板的曝光开始到曝光结束)光学特性(像散)是否超过预定范围。用户可以自由地设置确定定时。

在本示例性实施例中，描述了通过虚拟照射将像散(光学特性)调整为0(nm)的示例。但是，像散可以被调整为偏移值而不是0(nm)。将像散(光学特性)调整为0(nm)意味着调整光学特性，使得紧接在调整过程之后的曝光时的分辨率性能高于或等于预定性能。期望地调整光学特性，使得紧接在调整过程之后的曝光时的分辨率性能最高。将像散(光学特性)调整为偏移值意味着将光学特性调整为从紧接在调整过程之后的曝光时的分辨率性能最高的光学特性的值偏移的值。在与光学特性的改变方向不同的方向上对值进行偏移有时可以减少执行调整过程的次数。

在本示例性实施例中，确定在下一个基板的曝光处理期间像散是否超过允许范围。但是，可以关于允许范围设置范围，并且如果像散落在该范围内，那么可以执行虚拟照射。更具体而言，关于上限值或下限值设置至少包括允许范围(预定范围)的上限值或者下限值的范围，并且如果在预测过程中预测的光学特性的值落入包括上限值或下限值的范围内，那么在确定过程中确定调整光学特性。基于确定的结果来执行用于调整光学特性的调整过程。例如，假定像散的允许范围的上限值是30(nm)并且设置5％的范围。在这种情况下，如果下一个基板的曝光处理期间的像散达到或超过28.5(nm)，那么可以执行虚拟照射。

本示例性实施例可以预测在曝光处理期间发生的像差的量，并在所发生的像差的量超过允许范围之前调整像差(执行虚拟照射)。基于预测方程和测量来预测发生的像差的量消除了适当地测量像差的需要，并且还可以减少像差测量的时间。预测发生的像差的量还使得能够基于预测紧接在超过允许范围之前调整像差，并且与适当地测量并调整像差的情况相比，可以最小化像差调整的次数。最小化像差调整的次数可以减少曝光处理的时间。

图8图示了根据本示例性实施例的像散调整的示例。在图8的示例中，对批次中包括的25个基板执行曝光处理。由于上限值和下限值由点划线表示，因此像散的允许范围是-30(nm)至+30(nm)。根据本示例性实施例的曝光处理被定义为使得还包括用于拍摄之间的移动的非曝光时段和用于晶片(基板)更换的非曝光时段。具体而言，在图8的示例中，将从批次中包括的基板当中第一基板的曝光开始到最后一个基板的曝光结束的时段定义为处于曝光处理中(曝光处理时段)。换句话说，将在对批次中包括的多个基板的曝光处理的开始与结束之间执行曝光处理的曝光过程称为处于曝光处理中(曝光处理时段)。像散的预测结果用点线示出。在没有像散调整的情况下，在第九基板的曝光期间像散超过允许范围。在这种情况下，第九基板及后续基板的曝光处理结果受到像散的极大影响。由此，在第九基板的曝光开始之前，执行用于调整像散(光学特性)的虚拟照射。然后对第九基板进行曝光，并在第十和后续基板处确定像散是否超过允许范围。与第九基板一样，在第十七基板的曝光期间，也预测像散超过允许范围。因此，在第十七基板的曝光开始之前调整像散。

以这种方式，在本示例性实施例中，基于作为关于用于预测像散的初始值的信息的第二信息、像差饱和量P以及方程(1)、(2)和(3)，来确定在下一个基板的曝光处理期间像散(光学特性)是否超过允许范围。如果预测像散超过允许范围，那么调整像散。由此，在对批次中包括的多个基板进行曝光处理期间，可以防止像散超过允许范围。在本示例性实施例中，描述了调整像散的示例。但是，要调整的光学特性可以是由于投影光学***用光照射而改变的任何光学特性，并且不限于像散。根据本示例性实施例的要调整的光学特性的示例包括球面像差、慧形像差、像场弯曲和失真像差(失真)。

第二示例性实施例的特征在于使用根据第一示例性实施例的曝光装置(曝光方法)来制造物品。

图9是根据本示例性实施例的用于制造物品的方法的流程图。在步骤S310中，执行使用根据第一示例性实施例的曝光装置(曝光方法)调整光学特性(像散)并执行曝光的曝光过程。在步骤S320中，执行对通过曝光过程中的曝光而在基板上构图的感光材料进行显影的显影过程。在步骤S330中，执行利用在显影过程中显影的基板来制造物品的制造过程。

通过该制造方法将制造的物品的示例包括半导体集成电路(IC)元件、液晶显示元件、滤色器和微机电***(MEMS)。

在曝光过程中，例如，通过使用曝光装置(光刻装置)对涂敷有感光材料的基板(诸如硅基板和玻璃基板)进行曝光来对基板进行构图。

制造过程包括例如在显影过程中显影的基板的蚀刻、抗蚀剂去除、切割、键合和封装。根据该制造方法，可以制造比以往更高质量的物品。

本说明书的公开内容包括各种示例性实施例和以下的曝光方法、曝光装置以及用于制造物品的方法。

本公开不限于前述示例性实施例，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下可以做出各种改变和修改。因此附上权利要求以使本公开的范围公开。

根据本公开的一些示例性实施例，可以在减少像差影响的状态下执行曝光处理。

虽然已经参考示例性实施例描述了本公开，但是应该理解的是，本公开不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应符合最宽泛的解释，以便涵盖所有此类修改以及等同的结构和功能。

Claims (23)

1.一种曝光方法，包括：

作为曝光，经由投影光学***对批次中包括的多个基板在曝光处理的开始和结束之间执行曝光处理；

基于曝光的曝光处理条件，预测在曝光期间投影光学***的光学特性的改变；

基于预测的结果，确定在曝光期间光学特性是否超过预定范围；以及

在确定在曝光期间光学特性超过所述预定范围的情况下，在光学特性超过所述预定范围之前调整光学特性，

其中在所述调整之后对所述多个基板中的至少一个或多个基板进行曝光。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其中通过用光照射投影光学***来调整光学特性。

3.根据权利要求2所述的曝光方法，其中通过用光照射一段时间来调整光学特性，所述时间是基于指示光学特性每单位时间的改变量的第二系数确定的。

4.根据权利要求2所述的曝光方法，其中用光的照射对投影光学***而不是基板进行照明。

5.根据权利要求2所述的曝光方法，其中当构图的母版位于将不被光照明的位置时调整光学特性。

6.根据权利要求2所述的曝光方法，其中基于预测的结果来切换在用光照射期间照明光学***的光瞳平面上的光强度分布。

7.根据权利要求1所述的曝光方法，其中在曝光期间多次调整光学特性。

8.根据权利要求1所述的曝光方法，其中基于第一信息和第二信息来预测光学特性的改变，第一信息是用于预测曝光期间光学特性的改变的信息，并且第二信息是与用于预测光学特性的改变的初始值有关的信息。

9.根据权利要求8所述的曝光方法，其中第二信息是通过测量光学特性获得的信息。

10.根据权利要求8所述的曝光方法，其中第二信息是光学特性的调整的目标值。

11.根据权利要求8所述的曝光方法，其中第二信息是基于光学特性的调整的目标值和预测在调整之后将发生的光学特性的改变量而获得的值。

12.根据权利要求8所述的曝光方法，其中第一信息包括与指示在预测中使用的预测方程中包括的像差饱和量的第一系数有关的信息。

13.根据权利要求8所述的曝光方法，其中与曝光处理条件相关联地存储第一信息，并且在与曝光处理条件相同的条件下执行曝光处理的情况下，使用第一信息来预测光学特性。

14.根据权利要求1所述的曝光方法，其中预测曝光的开始和结束之间的光学特性的改变，使得光学特性的改变包括由于光学特性的调整而引起的光学特性的改变。

15.根据权利要求1所述的曝光方法，其中每次在调整之后预测光学特性的改变。

16.根据权利要求1所述的曝光方法，其中针对每个曝光处理条件设置所述预定范围。

17.根据权利要求1所述的曝光方法，其中调整光学特性，使得执行曝光处理时的分辨率性能高于或等于预定性能。

18.根据权利要求1所述的曝光方法，其中将光学特性调整为从执行曝光处理时的分辨率性能最大化的光学特性的值偏移的值。

19.根据权利要求1所述的曝光方法，其中对于每预定数量的基板、对于预测光学特性超过所述预定范围的基板、或者对于紧接在预测光学特性超过所述预定范围的基板之前的基板执行所述确定。

20.根据权利要求1所述的曝光方法，其中光学特性是投影光学***的像散。

21.根据权利要求1所述的曝光方法，其中关于所述预定范围的上限值或下限值设置至少包括所述上限值或下限值的范围，并且在预测的光学特性的值处于包括所述上限值或下限值的范围内的情况下，调整光学特性。

22.一种曝光装置，包括：

投影光学***，被配置为投影光；

控制单元，被配置为预测投影光学***的光学特性的改变并控制光学特性的调整；以及

存储单元，被配置为存储先前获得的用于预测光学特性的改变的信息，

其中控制单元被配置为：

基于存储在存储单元中的信息和与光学特性的初始值有关的信息，预测对批次中包括的多个基板在曝光处理的开始和结束之间执行曝光处理时的光学特性的改变，

确定在曝光处理期间预测的光学特性是否超过预定范围，

在曝光处理期间光学特性超过所述预定范围的情况下，在光学特性超过所述预定范围之前控制光学特性的调整，以及

在光学特性的调整之后控制所述多个基板中的至少一个或多个基板的曝光。

23.一种用于制造物品的方法，所述方法包括：

使用根据权利要求1至21中的任一项所述的曝光方法调整光学特性并对基板进行曝光；

对在曝光中通过曝光在基板上构图的感光材料进行显影；以及

用显影的基板制造物品。