CN117747368A - 漏电跳闸装置及漏电断路器 - Google Patents

Abstract

本发明得到不增大跳闸线圈的尺寸，就能够应对宽范围的电源电压的漏电跳闸装置。漏电跳闸装置(60)具有：跳闸装置(4)，其具有跳闸线圈和跳闸机构(4c)；以及漏电检测部，其对交流电路1的漏电进行检测而对跳闸装置(4)的跳闸线圈通电。跳闸线圈具有第1线圈(4a)和第2线圈(4b)，该第2线圈(4b)与第1线圈(4a)串联连接，比第1线圈(4a)的线径小。漏电跳闸装置(60)具有：继电器(56)，其具有触点(56a)；以及继电器驱动电路，其对交流电路(1)的电压进行检测，在检测出的电压大于第1电压时将触点(56a)断开而能够对第1线圈(4a)及第2线圈(4b)通电，在检测出的电压小于第1电压时将触点(56a)闭合而能够对第1线圈(4a)通电。

Description

漏电跳闸装置及漏电断路器

技术领域

本发明涉及具有用于将设置于电路的开闭触点断开的跳闸线圈的漏电跳闸装置及漏电断路器。

背景技术

在漏电断路器中具有：开闭触点，其设置于交流电路；开闭机构部，其将开闭触点开闭；漏电检测电路，其对交流电路的漏电进行检测；以及跳闸装置，其在检测出漏电的情况下，使开闭机构部工作而将开闭触点断开，使漏电断路器脱扣。跳闸装置具有构成使开闭机构部工作的电磁螺线管的跳闸线圈(例如，专利文献1)。对跳闸线圈直接施加交流电路的电压。

专利文献1：日本特开2018－6201号公报

在漏电断路器中，在对跳闸线圈直接施加交流电路的电压的情况下，难以应对宽范围的电源电压。例如在额定电源电压为230V的情况下，根据产品规格也存在50V下的动作请求，或考虑交流电路的误连接，在440V时也需要防止损坏。另外，在电源电压低时，跳闸线圈的电磁力变小，因此在所需的跳闸负荷大的情况下不动作。在电源电压高时电流变大，因此成为跳闸线圈的烧毁、电子部件的损坏的原因。作为这些对策，存在使跳闸线圈的匝数增加的方法，但跳闸线圈的尺寸会变大，因此难以采用。在变更了跳闸线圈的线径的情况下，上述的问题处于折衷的关系，因此无法满足宽范围的电源电压和性能。

发明内容

本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于，得到不增大跳闸线圈的尺寸，就能够应对宽范围的电源电压的漏电跳闸装置。

为了解决上述的课题，并达到目的，本发明的漏电跳闸装置使漏电断路器脱扣，该漏电断路器对将交流电路开闭的开闭触点进行驱动。漏电跳闸装置具有：跳闸装置，其具有与交流电路连接的跳闸线圈，以及通过跳闸线圈的通电将开闭触点断开的跳闸机构；以及漏电检测部，其对交流电路的漏电进行检测而对跳闸装置的跳闸线圈通电。跳闸线圈具有第1线圈和第2线圈，该第2线圈与第1线圈串联连接，比第1线圈的线径小。漏电跳闸装置具有：继电器，其具有与第2线圈并联连接的触点；以及继电器驱动电路，其对交流电路的电压进行检测，在检测出的电压大于第1电压时将触点断开而能够对第1线圈及第2线圈通电，在检测出的电压小于第1电压时将触点闭合而能够对第1线圈通电。

发明的效果

根据本发明的漏电跳闸装置，具有不增大跳闸线圈的尺寸，就能够应对宽范围的电源电压这一效果。

附图说明

图1是表示实施方式1所涉及的漏电断路器的结构例的电路图。

图2是表示在实施方式1所涉及的漏电断路器中使用的降压电路的第1结构例的电路图。

图3是表示在实施方式1所涉及的漏电断路器中使用的降压电路的第2结构例的电路图。

图4是表示在实施方式1所涉及的漏电断路器中使用的电压检测电路的结构例的电路图。

图5是表示实施方式1所涉及的漏电断路器的结构例的电路图。

图6是表示实施方式2所涉及的漏电断路器的结构例的电路图。

具体实施方式

下面，基于附图对实施方式所涉及的漏电跳闸装置及漏电断路器详细地进行说明。

实施方式1

图1是表示实施方式1所涉及的漏电断路器的结构例的电路图。在图1中，漏电断路器100具有开闭触点2、开闭机构部70和漏电跳闸装置60。开闭触点2进行电源装置和负载装置之间的交流电路1的开闭。开闭机构部70具有对开闭触点2进行开闭驱动的机构。

漏电跳闸装置60具有零序变流器3、漏电检测电路6、晶闸管8、跳闸装置4和电源电路5。零序变流器3***至交流电路1中，对在交流电路1中流动的零相电流进行检测。漏电检测电路6基于由零序变流器3检测出的零相电流对漏电进行检测。晶闸管8由漏电检测电路6的输出信号进行驱动。通过对晶闸管8进行驱动，从而跳闸装置4使开闭触点2断开。电源电路5对漏电检测电路6及跳闸装置4供电。零序变流器3、漏电检测电路6及晶闸管8构成对交流电路1的漏电进行检测而对跳闸装置4的跳闸线圈通电的漏电检测部。

跳闸装置4具有作为跳闸线圈的第1线圈4a及第2线圈4b和跳闸机构4c。第1线圈4a及第2线圈4b串联连接，与交流电路1连接。晶闸管8与第1线圈4a串联连接，第1线圈4a及第2线圈4b经由晶闸管8被施力。第1线圈4a与第2线圈4b相比线径更粗，与第2线圈4b相比电阻成分更小。换言之，第2线圈4b与第1线圈4a相比线径小，电阻成分大。跳闸机构4c具有与第1线圈4a及第2线圈4b一起构成电磁螺线管的柱塞、可动铁心、固定铁心等的结构，在第1线圈4a、第2线圈4b的施力时，使电磁螺线管动作，对开闭机构部70进行驱动，由此使开闭触点2断开。

电源电路5具有作为电流限制电路的电容器51、由全二极管电桥构成的整流电路52、平滑电容器53、降压电路54、电压检测电路55和继电器56。电容器51与交流电路1连接，对输入至整流电路52的电流进行限制。整流电路52设置于电容器51的后级，对交流电压进行整流，变换为直流电压。平滑电容器53并联连接于整流电路52的输出的正负母线间，对整流电路52的输出电压进行平滑化。降压电路54设置于平滑电容器53的后级，将整流电路52的输出电压降压，对降压后的电压进行输出。电压检测电路55设置于降压电路54的后级，与由平滑电容器53平滑化的电压相应地进行继电器56的开闭控制。

继电器56具有触点56a和线圈56b(参照图4、5)。触点56a的一端与交流电路1连接，另一端与第1线圈4a及第2线圈4b的连接点连接。继电器56的触点56a与第2线圈4b并联连接。触点56a在闭合时使第2线圈4b的两端短路。在触点56a闭合时，仅第1线圈4a被通电，在触点56a断开时，第1线圈4a及第2线圈4b被通电。

根据如上所述的结构，电源电路5将从交流电路1输入的交流电压向第1线圈4a及第2线圈4b供给，并且将从交流电路1输入的交流电压变换为直流电压而进行降压，由此将降压后的电压向漏电检测电路6供给。电源电路5构成继电器驱动电路，其对交流电路1的电压进行检测，在检测出的电压大于或等于第1电压时将继电器56的触点56a断开而能够对第1线圈4a及第2线圈4b进行通电，在检测出的电压小于第1电压时将继电器56的触点56a闭合而仅能够对第1线圈4a通电。

图2是表示在实施方式1所涉及的漏电断路器100中使用的降压电路54的第1结构例的电路图。图3是表示在实施方式1所涉及的漏电断路器100中使用的降压电路54的第2结构例的电路图。在图2所示的第1结构例的降压电路54a中使用了齐纳二极管。在图3所示的第2结构例的降压电路54b中使用了三端子调节器。作为降压电路54，可以采用其他结构，例如可以采用公知的开关电源。

图2所示的第1结构例的降压电路54a具有电阻54a1及齐纳二极管54a2。在该降压电路54a中，通过电阻54a1将输入的电压的脉动成分去除，从与电阻54a1串联连接的齐纳二极管54a2的负极取出降压后的电压。

图3所示的第2结构例的降压电路54b具有三端子调节器54b1和在三端子调节器54b1的输出和接地之间设置的电容器54b2。在该降压电路54b中，将输入的电压由三端子调节器54b1降压而输出降压后的电压。电容器54b2具有防止振荡的功能。

图4是表示在实施方式1所涉及的漏电断路器100中使用的电压检测电路55的结构例的电路图。电压检测电路55将由平滑电容器53平滑化的电压和定电压输入，如果它们之间的电位差大于或等于一定值，则将继电器56的触点56a闭合。

图4所示的电压检测电路55具有电阻55a及电阻55b、FET(Field EffectTransistor)55c和电阻55d。电阻55a及电阻55b在整流电路52的输出的正负母线间串联连接。FET 55c的栅极与电阻55a及电阻55b的连接点连接。FET 55c的漏极与电阻55d连接，FET55c的源极与接地连接。电阻55d的一端与降压电路54的输出连接，另一端与FET 55c的漏极连接。在FET 55c的漏极-源极间并联连接有继电器56的线圈56b。

在电压检测电路55中，将由平滑电容器53平滑后的正负母线间的直流电压由电阻55a及电阻55b进行分压，将分压后的电压输入至FET 55c的栅极。另外，对FET 55c的漏极-源极间施加降压电路54的输出电压。FET 55c的栅极-源极间的阈值电压由降压电路54的输出电压决定。在电压检测电路55中，在输入至FET 55c的栅极的分压电压大于FET 55c的栅极-源极间的阈值电压的情况下，向FET 55c的漏极-源极间流动电流，因此继电器56的线圈56b不被驱动。在继电器56的线圈56b不被驱动时，触点56a断开，因此第1线圈4a及第2线圈4b被通电。在分压电压小于或等于FET 55c的栅极-源极间的阈值电压的情况下，不向FET55c的漏极-源极间流动电流，向继电器56的线圈56b流动电流。在向继电器56的线圈56b流动电流时，触点56a闭合，因此仅对第1线圈4a通电。栅极-源极间的阈值电压与第1电压相对应。

图5是表示实施方式1所涉及的漏电断路器101的结构例的电路图。在图5的漏电断路器101中，将图1的漏电断路器100的降压电路54置换为图2所示的降压电路54a，将电压检测电路55置换为图4所示的电路结构。对漏电断路器101的动作进行说明。

首先，作为交流电路1的电压为低电压的情况下的例子，对交流电路1的交流电压在频率50Hz下为AC50V的情况进行说明。

如果从交流电路1供给AC50V的交流电压，则在电容器51中流动交流电流。交流电流由整流电路52整流，变换为直流电压。从整流电路52输出的直流电压由平滑电容器53平滑化。由平滑电容器53输出的平滑化的直流电压Va降压为由降压电路54a脉动去除后的低电压的直流电压Vb即例如DC5V而供给至漏电检测电路6。

在将电流限制用的电容器51设为5μF、将平滑电容器53设为1μF、将电阻54a1设为1.5kΩ的情况下，在电容器51中流过的电流Ia，在设为

Z＝(Z1+1500)/Z2

Z1＝1/(2×π×50Hz×5×10^－6)

Z2＝1/(2×π×50Hz×1×10^－6)的情况下，

成为Ia＝50/Z＝30.2mA。

在这里，向电阻54a1侧流动的电流被平滑电容器53分流，因此成为30.2×Z2/(1500+Z2)＝20.5mA。

由此，电阻54a1的两端电压成为，

20.5×10^－3×1500＝30.7V。

平滑电容器53的两端的电压即直流电压Va成为使齐纳二极管54a2的齐纳电压的5V加上电阻54a1的两端电压即30.7V而得到的电压，因此成为35.7V。

在这里，在将构成电压检测电路55的电阻55a设为1MΩ，将电阻55b设为80kΩ的情况下，直流电压Va由电阻55a、55b分压后的FET 55c的栅极电压成为，

35.7V×(80×10³/(80×10³+1000×10³))＝2.65V。

在这里，在将FET 55c的栅极-源极间的阈值电压设定为3.5V的情况下，栅极电压(2.65V)低于阈值电压(3.5V)，因此不向FET 55c的漏极-源极间流动电流。因此，从降压电路54a的输出经由电阻55d向线圈56b流动电流。假设如果将电阻55d设为200Ω，则向线圈56b流动的电流的直流电压Vb为5V，因此成为5/200＝25mA。

如果在线圈56b中流动电流，则由于在线圈56b产生的电磁力，继电器56的触点56a成为闭合电路，第2线圈4b成为短路状态。

在如上所述的状态下，在从交流电路1对大地产生漏电流的情况下，来自零序变流器3的零相信号经由未图示的电压变换电路而发送至漏电检测电路6。在漏电检测电路6中，对发送来的零相信号的峰值电压值或者零相信号的电压幅度进行判别，在它们超过阈值时判断为漏电发生，对晶闸管8供给栅极信号，将晶闸管8设为导通。由此，晶闸管8的正极-负极间导通。此时，第2线圈4b为短路状态，因此仅对第1线圈4a施加交流电路1的交流电压。第1线圈4a比第2线圈4b的线径粗，因此与第2线圈4b相比电阻成分小。在将第1线圈4a的电阻成分假设设定为11Ω的情况下，在第1线圈4a中流动的电流成为，

AC50V/11Ω＝4.55A。

由此，即使是AC50V左右的低电压，第1线圈4a也被励磁，也能够对跳闸机构4c进行驱动。通过对跳闸机构4c进行驱动，从而开闭机构部70工作，使开闭触点2开放，能够使漏电断路器101脱扣。由此，能够预先防止由漏电流引起的事故。

此外，栅极信号从由集成电路构成的漏电检测电路6向晶闸管8的供给，无论是漏电断路器101的电源侧和负载侧被正确地连接的正连接，或者漏电断路器101的电源侧和负载侧被反向连接的逆连接，都随着漏电流的消失而被重置，晶闸管8的正极-负极间成为非导通。而且，晶闸管8的正极-负极间成为非导通，由此第1线圈4a的励磁停止。

接下来，作为交流电路1的交流电压为高电压的情况下的例子，对交流电路1的交流电压在频率50Hz下为AC440V的情况进行说明。

如果从交流电路1供给AC440V的交流电压，则在电容器51中流动交流电流。交流电流被整流电路52整流，变换为直流电压。从整流电路52输出的直流电压由平滑电容器53平滑化。由平滑电容器53输出的平滑化的直流电压Va降压为由降压电路54a将脉动去除后的低电压的直流电压Vb例如DC5V而供给至漏电检测电路6。

与前述同样地，在将电容器51设为5μF、将平滑电容器53设为1μF、将电阻54a1设为1.5kΩ的情况下，在电容器51中流动的电流Ia在设为

Z＝(Z1+1500)/Z2

Z1＝1/(2×π×50Hz×5×10^－6)

Z2＝1/(2×π×50Hz×1×10^－6)

的情况下，

成为Ia＝440/Z＝265.7mA。

在这里，向电阻54a1侧流动的电流被平滑电容器53分流，因此成为265.7×Z2/(1500+Z2)＝180.6mA。

由此，电阻54a1的两端电压成为

180.6×10^－3×1500＝270.9V。

平滑电容器53的两端的电压即直流电压Va成为使齐纳二极管54a2的齐纳电压的5V加上电阻54a1的两端电压即270.9V而得到的电压，因此成为275.9V。

在这里，在将构成电压检测电路55的电阻55a设为1MΩ，将电阻55b设为80kΩ的情况下，直流电压Va由电阻55a、55b分压后的FET 55c的栅极电压成为，

275.9V×(80×10³/(80×10³+1000×10³))＝20.4V。

在这里，在将FET 55c的栅极-源极间的阈值电压设定为3.5V的情况下，栅极电压(20.4V)高于阈值电压(3.5V)，因此FET 55c的漏极-源极间导通。因此，线圈56b成为短路状态，不向线圈56b流动电流。在线圈56b不产生电磁力，因此继电器56的触点56a成为断开电路。

在如上所述的状态下，在从交流电路1对大地产生漏电流的情况下，来自零序变流器3的零相信号发送至漏电检测电路6。在漏电检测电路6中，对发送来的零相信号的峰值电压值，或者零相信号的电压幅度进行判别，在它们超过阈值时判断为漏电发生，对晶闸管8供给栅极信号，将晶闸管8设为导通。由此，晶闸管8的正极-负极间成为导通。此时，继电器56的触点56a为断开电路，因此对第1线圈4a和第2线圈4b的串联体施加交流电路1的交流电压。第2线圈4b比第1线圈4a的线径细，因此比第1线圈4a的电阻成分大。在将第2线圈4b的电阻成分假设设定为51Ω的情况下，在第1线圈4a及第2线圈4b流过的电流成为

AC440V/(11+51)Ω＝7.1A。

由此，在AC440V左右的高电压的情况下，第1线圈4a及第2线圈4b被励磁，能够对跳闸机构4c进行驱动。通过对跳闸机构4c进行驱动，从而开闭机构部70工作，使开闭触点2开放，能够使漏电断路器101脱扣。由此，能够预先防止由漏电流引起的事故。另外，即使是AC440V的高电压，也没有通过流动大电流而熔断跳闸线圈，或损坏电子部件的情况，能够安全地对跳闸机构4c进行驱动。

如上所述，在实施方式1中，通过第1线圈4a和线径比第1线圈4a小的第2线圈4b的串联体构成跳闸线圈，能够与具有与第2线圈4b并联连接的触点56a的继电器56实现漏电断路器，该漏电断路器对交流电路1的电压进行检测，在检测出的电压大于第1电压时将触点56a断开而能够对第1线圈4a及第2线圈4b通电，在检测出的电压小于第1电压时将触点56a闭合而能够仅对第1线圈4a通电，因此不增大跳闸线圈的尺寸，就能够应对宽范围的电源电压。

实施方式2

图6是表示实施方式2所涉及的漏电断路器102的结构例的电路图。在实施方式2中，将图5所示的实施方式1的电压检测电路55置换为带施密特触发电路的电压检测电路65。其他结构与实施方式1相同，省略重复的说明。

在实施方式1所示的图5的结构例中，在输入至FET 55c的栅极的电压即由电阻55a及电阻55b分压后的分压电压由于从交流电路1供给的电源电压的变动而发生了变动的情况下，FET 55c的动作有可能成为不稳定的状态。在实施方式2中，通过采用带施密特触发电路的电压检测电路65，从而使电压检测电路65的输入具有迟滞，即使在输入至FET 55c的栅极的电压发生了变动的情况下，也会使电压检测电路65的动作稳定。另外，在实施方式2中，继电器56的触点56a为B触点，在线圈56b为非导通时触点56a成为闭合，在线圈56b为导通时触点56a成为断开。其他结构与实施方式1相同，因此省略详细的说明。

电压检测电路65具有电阻65a、65b、65d、65e、65g、65i、NPN晶体管65c、65f和PNP晶体管65h。电阻65a及电阻65b在整流电路52的输出的正负母线间串联连接。由电阻65d、65g、65e和NPN晶体管65c、65f构成施密特触发电路。NPN晶体管65c的基极与电阻65a及电阻65b的连接点连接。NPN晶体管65c的集电极与电阻65d连接，NPN晶体管65c的发射极经由电阻65e与接地连接。电阻65d的一端与降压电路54a的输出连接，另一端与NPN晶体管65c的集电极及NPN晶体管65f的基极连接。NPN晶体管65f的集电极与电阻65g连接，NPN晶体管65f的发射极经由电阻65e与接地连接。电阻65g的一端与降压电路54a的输出连接，另一端与NPN晶体管65f的集电极及PNP晶体管65h的基极连接。PNP晶体管65h的发射极与电阻65i连接，PNP晶体管65h的集电极与接地连接。电阻65i的一端与降压电路54a的输出连接，另一端与PNP晶体管65h的发射极连接。在PNP晶体管65h的发射极-集电极间并联连接有继电器56的线圈56b。

平滑化的直流电压Va由电阻65a、65b分压，分压电压向NPN晶体管65c的基极输入。在这里，如果将电阻65e的两端的电压设为Ve，则在分压电压比使基极-发射极间电位的0.6V加上Ve而得到的0.6+Ve低的情况下，NPN晶体管65c不成为导通，NPN晶体管65c的集电极的电位大致成为5V。NPN晶体管65c的集电极为与NPN晶体管65f的基极相同的电位，因此NPN晶体管65f成为导通。如果NPN晶体管65f成为导通，则NPN晶体管65f的集电极的电位成为将降压电路54a的输出电压由电阻65g和电阻65e分压后的电位。NPN晶体管65f的集电极为与PNP晶体管65h的基极相同的电位，因此将由电阻65g和电阻65e分压后的电位设定为PNP晶体管65h导通的值。如果PNP晶体管65h成为导通，则在继电器56的线圈56b中不流动电流，B触点的继电器56的触点56a成为闭合电路，第2线圈4b成为短路状态。因此，仅第1线圈4a作为跳闸线圈起作用。

另一方面，在通过电阻65a、65b产生的分压电压高于0.6V+Ve的情况下，NPN晶体管65c成为导通，NPN晶体管65c的发射极-集电极间导通，且NPN晶体管65f的基极-发射极间导通。由此，NPN晶体管65f成为截止，NPN晶体管65f的集电极的电位大致成为5V。NPN晶体管65f的集电极为与PNP晶体管65h的基极相同的电位，因此PNP晶体管65h不成为导通，向继电器56的线圈56b流动电流。通过在继电器56的线圈56b中流动电流而产生的电磁力使B触点的继电器56成为断开电路。因此，第1线圈4a及第2线圈4b作为跳闸线圈起作用。

在NPN晶体管65f截止时，不向电阻65e流动电流，NPN晶体管65c成为导通的阈值电压降低至0.6V。即，NPN晶体管65f为导通状态时的NPN晶体管65c成为导通的基极电位的阈值为0.6V+Ve，NPN晶体管65f为截止状态时的NPN晶体管65c成为截止的基极电位的阈值为0.6V，进行了迟滞动作。即使在输入至电压检测电路65的电压发生了变动的情况下，也能够使对继电器56的线圈56b进行驱动的PNP晶体管65h稳定地动作。

如上所述，根据实施方式2，采用了带施密特触发电路的电压检测电路65，因此即使在对电压检测电路65输入的电压发生了变动的情况下，也能够使对继电器56的线圈56b进行驱动的电压检测电路65稳定地动作。

以上的实施方式所示的结构，表示本发明的内容的一部分，也能够与其他公知技术进行组合，在不脱离本发明的主旨的范围，也能够适当地组合，或者对结构的一部分进行省略、变更。

标号的说明

1交流电路，2开闭触点，3零序变流器，4跳闸装置，4a第1线圈，4b第2线圈，4c跳闸机构，5电源电路，6漏电检测电路，8晶闸管，51、54b2电容器，52整流电路，53平滑电容器，54、54a、54b降压电路，54a1、55a、55b、55d、65a、65b、65d、65e、65g、65i电阻，54a2齐纳二极管，54b1三端子调节器，55、65电压检测电路，55c FET，56继电器，56a触点，56b线圈，60漏电跳闸装置，65c、65f NPN晶体管，65h PNP晶体管，70开闭机构部，100、101、102漏电断路器。

Claims (4)

1.一种漏电跳闸装置，其使漏电断路器脱扣，该漏电断路器对将交流电路开闭的开闭触点进行驱动，

该漏电跳闸装置的特征在于，具有：

跳闸装置，其具有与所述交流电路连接的跳闸线圈，以及通过所述跳闸线圈的通电将所述开闭触点断开的跳闸机构；以及

漏电检测部，其对所述交流电路的漏电进行检测而对所述跳闸装置的所述跳闸线圈通电，

所述跳闸线圈具有第1线圈和第2线圈，该第2线圈与所述第1线圈串联连接，比所述第1线圈的线径小，

该漏电跳闸装置具有：

继电器，其具有与所述第2线圈并联连接的触点；以及

继电器驱动电路，其对所述交流电路的电压进行检测，在检测出的电压大于第1电压时将所述触点断开而能够对所述第1线圈及所述第2线圈通电，在检测出的电压小于所述第1电压时将所述触点闭合而能够对所述第1线圈通电。

2.根据权利要求1所述的漏电跳闸装置，其特征在于，

所述继电器驱动电路具有：

整流电路，其将所述交流电路的交流电压变换为直流电压；

平滑电路，其对所述整流电路的输出电压进行平滑化；

降压电路，其将所述平滑电路的输出电压降压；以及

电压检测电路，其在将所述平滑电路的输出电压分压后的分压电压大于由所述降压电路的输出电压决定的所述第1电压时，将所述触点断开而能够对所述第1线圈及所述第2线圈通电，在所述分压电压小于所述第1电压时，将所述触点闭合而能够对所述第1线圈通电。

3.根据权利要求2所述的漏电跳闸装置，其特征在于，

所述电压检测电路具有施密特触发电路。

4.一种漏电断路器，其特征在于，具有：

权利要求1至3中任一项所记载的漏电跳闸装置；

所述开闭触点；以及

开闭机构部，其通过所述跳闸机构的动作对所述开闭触点进行开闭驱动。