CN117690984A - 电子钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种电子钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层及透明导电层，或，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的背光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底背光面上的铝掺杂氧化钕层及金属电极层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。太阳能电池为晶硅太阳能电池、或钙钛矿太阳能电池、或钙钛矿‑晶硅叠层太阳能电池。本发明基于金属化合物AlNdOX作为电子钝化接触层，可以降低光学寄生吸收，能够有效避免掺杂硅薄膜钝化接触寄生光吸收导致短路电流密度损失的问题，同时通过Al掺杂能提高表面钝化性能以及对电子的选择性传输性能。
Description
技术领域
本发明属于太阳能技术领域，具体涉及一种电子钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池。
背景技术
晶硅太阳电池因其高的稳定性、可靠性、原材料丰富以及成本低等优势，占据了全球绝大部分的光伏市场。目前仍占大部分市场份额的PERC电池效率的进一步提升主要受限于晶硅-电极接触处的高载流子复合损失。钝化接触技术是继PERC后晶硅电池提效降本的重要技术路线，钝化接触既对接触和非接触界面有极佳的钝化效果又具有选择性载流子传输特性，可大幅提高晶硅电池的开路电压Voc、填充因子FF和转换效率η。此外，钝化接触技术省去了高温掺杂、激光开槽等工艺步骤，且载流子呈一维收集，简化了电池制备工艺、提高了载流子收集效率。从晶硅电池发展路线图来看，钝化接触晶硅电池转换效率可达26％以上，是PERC电池之后下一代高效电池的首选。
钝化接触技术分为基于掺杂硅薄膜的钝化接触和基于金属化合物的无掺杂钝化接触两类。SHJ电池和TOPCon电池是目前钝化接触技术最成功的应用，二者都是采用掺杂硅薄膜构建钝化接触，其中SHJ由一层a-Si:H(i)(本征氢化非晶硅)叠加一层掺杂a-Si:H(氢化非晶硅)组成，TOPCon则由一层隧穿氧化层(SiO2)叠加一层掺杂微晶硅(poly-Si)组成。
现有技术的缺点在于：
首先，基于掺杂硅薄膜的钝化接触(SHJ和TOPCon)的主要问题是薄膜硅的寄生光吸收较大，导致光伏器件的短路电流Jsc较低，故世界效率纪录电池均采用IBC结构。
其次，薄膜硅的沉积设备昂贵(PECVD/LPCVD)，且涉及有毒、易燃气体(如硅烷、磷烷和硼烷)。
此外，SHJ技术工艺窗口窄，热稳定较差(250℃)，所用低温银浆价格昂贵且拉力较差；TOPCon结构退火温度高(800℃-1000℃)、工艺步骤较多，造成生产过程中碎片率较高，进而限制了薄硅片的使用。
因此，针对上述技术问题，有必要提供一种电子钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种电子钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，以降低寄生光吸收，提高电池的短路电流Jsc。
为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：
一种电子钝化接触结构，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层及透明导电层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
一实施例中，所述铝掺杂氧化钕层的厚度为1nm～30nm；和/或，
所述硅衬底为N型晶硅衬底。
一实施例中，所述硅衬底的受光面与铝掺杂氧化钕层之间层叠有第一钝化插层，所述第一钝化插层为SiO2层、氢化非晶硅、TiO2层中的一种或多种的组合。
一实施例中，所述透明导电层为本征ZnO基透明导电层或掺杂ZnO基透明导电层，掺杂ZnO基透明导电层中的掺杂元素为氢、硼、铝、镓和铟中的一种或多种。
本发明另一实施例提供的技术方案如下：
一种电子钝化接触结构，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的背光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底背光面上的铝掺杂氧化钕层及金属电极层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
一实施例中，所述铝掺杂氧化钕层的厚度为1nm～30nm；和/或，
所述硅衬底为N型晶硅衬底。
一实施例中，所述硅衬底的背光面与铝掺杂氧化钕层之间层叠有第二钝化插层，所述第二钝化插层为SiO2层、氢化非晶硅、TiO2层中的一种或多种的组合。
本发明又一实施例提供的技术方案如下：
一种电子钝化接触结构，所述电子钝化接触结构位于导电玻璃衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于导电玻璃衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
本发明又一实施例提供的技术方案如下：
一种电子钝化接触结构的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在衬底的受光面或背光面上制备铝掺杂氧化钕层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100；
其中，所述铝掺杂氧化钕层的制备包括：
基于原子层沉积工艺，以铝前驱体制备AlOX；
基于原子层沉积工艺，以钕前驱体制备NdOX；
基于原子层沉积工艺，以AlOX和NdOX循环制备铝掺杂氧化钕层，AlOX和NdOX的循环比为1：(20～200)。
本发明再一实施例提供的技术方案如下：
一种太阳能电池，所述太阳能电池为晶硅太阳能电池、或钙钛矿太阳能电池、或钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池，所述晶硅太阳能电池包括上述的电子钝化接触结构，所述钛矿太阳能电池或钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池包括上述的电子钝化接触结构。
本发明具有以下有益效果：
本发明基于金属化合物AlNdOX作为电子钝化接触层，可以降低光学寄生吸收，能够有效避免掺杂硅薄膜钝化接触寄生光吸收导致短路电流密度损失的问题，同时通过Al掺杂能提高表面钝化性能以及对电子的选择性传输性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中电子钝化接触结构的结构示意图；
图2为本发明实施例2中电子钝化接触结构的结构示意图；
图3为本发明实施例3中电子钝化接触结构的结构示意图；
图4为本发明实施例4中电子钝化接触结构的结构示意图；
图5为本发明实施例6中太阳能电池的结构示意图；
图6为本发明实施例7中太阳能电池的结构示意图；
图7为本发明实施例8中太阳能电池的结构示意图；
图8为本发明实施例9中太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
本发明公开了一种电子钝化接触结构，位于硅衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层及透明导电层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
本发明还公开了一种电子钝化接触结构，位于硅衬底的背光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底背光面上的铝掺杂氧化钕层及金属电极层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
本发明还公开了一种电子钝化接触结构，位于导电玻璃衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于导电玻璃衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
本发明还公开了一种电子钝化接触结构的制备方法，包括：
提供一衬底；
在衬底的受光面或背光面上制备铝掺杂氧化钕层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
本发明还公开了一种太阳能电池，所述太阳能电池为晶硅太阳能电池、或钙钛矿太阳能电池、或钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池。
以下结合具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例1：
参图1所示为本实施例中电子钝化接触结构的结构示意图，于本实施例中，电子钝化接触结构为n-Si/AlNdOX/透明导电层结构，位于硅衬底10的受光面(即上表面或正面)上，硅衬底为N型晶硅衬底。
具体地，本实施例中的电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底10受光面上的AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层211及透明导电层212。
其中，AlNdOX层211的厚度为1nm～100nm，优选为1nm～30nm，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100；透明导电层212为本征ZnO基透明导电层或掺杂ZnO基透明导电层，掺杂ZnO基透明导电层中的掺杂元素为氢、硼、铝、镓和铟等中的一种或多种。
实施例2：
参图2所示为本实施例中电子钝化接触结构的结构示意图，于本实施例中，电子钝化接触结构为n-Si/钝化插层/AlNdOX/透明导电层结构，位于硅衬底10的受光面(即上表面或正面)上，硅衬底为N型晶硅衬底。
具体地，本实施例中的电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底10受光面上的第一钝化插层213、AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层211及透明导电层212。
其中，AlNdOX层211与透明导电层212与实施例1完全相同，此处不再进行赘述。
本实施例中的第一钝化插层213为SiO2层、氢化非晶硅(a-Si:H)、TiO2层等中的一种或多种的组合。
实施例3：
参图3所示为本实施例中电子钝化接触结构的结构示意图，于本实施例中，电子钝化接触结构为n-Si/AlNdOX/金属电极结构，位于硅衬底10的背光面(即下表面或背面)上，硅衬底为N型晶硅衬底。
具体地，本实施例中的电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底10背光面上的AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层221及金属电极层222。
其中，AlNdOX层211的厚度为1nm～100nm，优选为1nm～30nm，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100；金属电极层222可以为Ag电极，Ag/Al电极等。
实施例4：
参图4所示为本实施例中电子钝化接触结构的结构示意图，于本实施例中，电子钝化接触结构为n-Si/钝化插层/AlNdOX/金属电极结构，位于硅衬底10的背光面(即下表面或背面)上，硅衬底为N型晶硅衬底。
具体地，本实施例中的电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底10背光面上的第二钝化插层223、AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层221及金属电极层222。
其中，AlNdOX层221与金属电极层222与实施例3完全相同，此处不再进行赘述。
本实施例中的第二钝化插层223为SiO2层、氢化非晶硅(a-Si:H)、TiO2层等中的一种或多种的组合。
实施例5：
本实施例中电子钝化接触结构的制备方法包括：
提供一硅衬底；
在硅衬底的受光面或背光面上制备铝掺杂氧化钕(AlNdOX)层。
其中，AlNdOX层由AlOX和NdOX通过ALD超循环的方法制备而得，具体包括：
基于原子层沉积工艺，以铝前驱体制备AlOX；
基于原子层沉积工艺，以钕前驱体制备NdOX；
基于原子层沉积工艺，以AlOX和NdOX循环制备铝掺杂氧化钕层，AlOX和NdOX的循环比为1：(20～200)。
本实施例中通过原子层沉积工艺循环制备铝掺杂氧化钕层，相较于热蒸发工艺制备得到的铝掺杂氧化钕层，其氢含量较高，能够具有更优的钝化效果。
基于上述实施例中电子钝化接触结构及其制备方法，下面的实施例给出将这种电子钝化接触结构应用于具体的晶硅太阳能电池，并给出具有该电子钝化接触结构的太阳能电池结构特征及其制备方法。概括地说，这种晶硅太阳能电池结构的主要特征是将上述电子钝化接触结构应用于晶硅电池负极，用于收集电子，而用于收集空穴的电池正极结构设计则可以兼容目前大多数晶硅太阳电池的正极结构设计。
基于此，本发明所给出的晶硅电池结构可分为两类：第一类将电子钝化接触结构应用于晶硅电池的背光面；第二类将电子钝化接触结构应用于晶硅电池的受光面。基于上述电子钝化接触结构的高透明、低寄生吸收优点，优选地，将电子钝化接触结构应用于晶硅电池的受光面。
实施例6：
参图5所示为本实施例中太阳能电池的结构示意图，其包括硅衬底10，硅衬底的受光面(即正面)采用PERC电池中的结构，包括依次层叠的P型掺杂发射极31、隧穿氧化层32、钝化层33、减反层34及第一电极35，硅衬底的背光面(即背面)采用实施例4中的电子钝化接触结构，包括依次层叠的第二钝化插层223、AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层221及金属电极层222。
具体地，隧穿氧化层32与第二钝化插层223均为SiO2层，钝化层33为Al2O3层，减反层34为SiNX层，第一电极35为栅线状银电极，金属电极层222为Al电极。
本实施例中的晶硅太阳能电池的制备方法如下：
1、选用N型晶硅衬底，采用10％(wt)的NaOH水溶液腐蚀去除表面损伤层，再利用2％(wt)的NaOH溶液制备金字塔绒面结构，然后采用RCA方法清洗硅片，得到N型硅衬底；
2、将硅衬底置于管式炉中硼扩散制备P型掺杂发射极，扩散温度900℃，方阻约100Ω/sq；
3、采用稀释的氢氟酸溶液去除表面硼硅玻璃并利用单面碱抛光去除背面P型掺杂发射极和金字塔绒面结构；
4、利用紫外臭氧氧化法在硅片两面氧化出SiO2隧穿钝化层，厚度为1.5nm，温度为室温，氧化时间为15min；
5、采用ALD工艺在正面沉积Al2O3钝化层，厚度10nm，沉积温度为200℃；
6、采用ALD超循环的方法在背面制备AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层，AlOX和NdOX的循环比为1:50，沉积温度为300℃，厚度为3nm；
7、采用PECVD工艺在正面沉积SiNX减反层，厚度为65nm，沉积温度为400℃；
8、背面采用热蒸发制备Al电极，正面采用丝网印刷制备Ag电极，采用栅线状分布电极图案设计；
9、在带式烧结炉高温烧结，背面形成欧姆接触用于电子收集，正面银浆烧穿Al2O3/SiNX，与P型掺杂发射极31形成欧姆接触，用于空穴收集。
至此，形成了具有电子钝化接触结构的晶硅太阳能电池。
与TOPCon电池中采用多晶硅钝化层相比，该结构中较薄的AlNdOX层可降低寄生光吸收，使得短路电流Jsc提高0.2mA/cm2～0.5mA/cm2，转换效率能提升0.1％～0.5％。
实施例7：
参图6所示为本实施例中太阳能电池的结构示意图，其包括硅衬底10，硅衬底的背光面(即背面)采用基于SHJ结构的a-Si:H/a-Si:H(p)空穴钝化接触结构，包括依次层叠的本征氢化非晶硅层(a-Si:H(i))41、P型掺杂氢化非晶硅层(a-Si:H(p))42、ITO透明导电层43及第一电极44，硅衬底的受光面(即正面)采用实施例2中的电子钝化接触结构，包括依次层叠的第一钝化插层213、AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层211、透明导电层212及第二电极45。
具体地，第一钝化插层213为a-Si:H(i)本征氢化非晶硅，透明导电层212为AZO透明导电层，第一电极44和第二电极45均为Ag电极。
本实施例中的晶硅太阳能电池的制备方法如下：
1、选用N型晶硅衬底，采用10％(wt)的NaOH水溶液腐蚀去除表面损伤层，再利用2％(wt)的NaOH溶液制备金字塔绒面结构，然后采用RCA方法清洗硅片，得到N型硅衬底；
2、采用PECVD工艺在N型硅衬底的正面和背面分别沉积a-Si:H(i)钝化层，厚度约5nm，沉积温度为200℃；
3、采用ALD超循环的方法制备AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层，AlOX和NdOX的循环比为1:50，沉积温度为300℃，厚度约3nm；
4、采用ALD工艺沉积AZO透明导电层，厚度约80nm，沉积温度为200℃；
5、采用PECVD工艺在背面沉积硼掺杂a-Si:H层，厚度约10nm，沉积温度为170℃，构成背面的全面积空穴传输层；
6、采用磁控溅射在背面沉积ITO透明导电层，厚度约100nm，方阻约120Ω/sq；
7、采用丝网印刷和低温银浆在正面和背面印刷银电极，采用栅线状银电极，然后在空气中200℃烘干成型。
至此，形成了具有电子钝化接触结构的晶硅太阳能电池。
得益于AlNdOX较宽的光学带隙，本实施例中的太阳能电池与基于a-Si(n)窗口层的SHJ电池相比，寄生光吸收显著降低，短路电流Jsc可提升约1mA/cm2，转换效率可提升0.5％左右。
实施例8：
参图7所示为本实施例中太阳能电池的结构示意图，本实施例中的太阳能电池为钙钛矿太阳能电池，其包括导电玻璃衬底50及依次层叠于其上的AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层61、钙钛矿吸光层62、空穴传输层63及电极64。优选地，导电玻璃衬底50为ITO玻璃衬底，钙钛矿吸光层62为CsMAFAPbIBr钙钛矿吸光层，空穴传输层63为Spiro-OMeTAD空穴传输层，电极64为Ag电极。
本实施例中钙钛矿太阳能电池的具体制备工艺如下：
1、在ITO玻璃衬底上，采用ALD超循环的方法制备AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层，AlOX和NdOX的循环比为1:50，沉积温度为200℃，厚度约5nm；
2、采用旋涂法制备宽带隙CsMAFAPbIBr钙钛矿吸光层；
3、采用旋涂法制备Spiro-OMeTAD空穴传输层，厚度约100nm；并在干燥柜中氧化12h；
4、采用热蒸发通过掩膜制备银电极。
通过上述制备工艺，形成了具有电子钝化接触结构的钙钛矿太阳能电池。
实施例9：
参图7所示为本实施例中太阳能电池的结构示意图，本实施例中的太阳能电池为钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池，其中底电池为异质结晶硅电池结构，叠加宽带隙钙钛矿顶电池，电池正面和背面采用栅线状银电极。
1、选用N型单晶硅，采用NaOH溶液腐蚀去除硅片表面的损伤层，然后利用稀释KOH溶液制绒和单面碱抛光工艺得到硅衬底701；
2、RCA清洗后采用PECVD工艺在衬底701的正面和背面沉积a-Si:H钝化层702，厚度约5nm，沉积温度200℃；
3、采用ALD工艺在正面沉积磷掺杂nc-SiOx:H 703，厚度约20nm；
4、采用磁控溅射在正面沉积ITO透明电极704，厚度约25nm；
5、采用PECVD工艺在背面沉积硼掺杂a-Si:H(10nm)705，沉积温度170℃，构成背面的全面积空穴传输层；
6、采用磁控溅射在背面沉积ITO透明电极706(约110nm)，方阻约120/sq；
7、采用低温银浆丝网印刷工艺在背面印刷银电极707，然后在空气中200℃烘干成型；
8、采用磁控溅射在正面AZO上沉积NiO空穴传输层708，厚度15nm，构成复合层；
9、采用旋涂法制备宽带隙Cs0.05MA0.15FA0.8PbI2.25Br0.75钙钛矿吸光层709，带隙约1.68eV；
10、采用ALD超循环的方法制备AlNdOX(铝掺杂氧化钕)层710，AlOX和NdOX的循环比为1:50，沉积温度为100℃，厚度约5nm；
11、采用原子层沉积在AlNdOX上沉积SnO2电子传输层711，沉积温度100℃，厚度20nm；
12、采用磁控溅射在SnO2电子传输层上沉积锌掺杂氧化铟透(IZO)透明电极712，厚度100nm；
13、最后采用高温热蒸发通过掩膜制备银电极713。
通过上述制备工艺，形成了具有电子钝化接触结构的钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池。
由以上技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
本发明基于金属化合物AlNdOX作为电子钝化接触层，可以降低光学寄生吸收，能够有效避免掺杂硅薄膜钝化接触寄生光吸收导致短路电流密度损失的问题，同时通过Al掺杂能提高表面钝化性能以及对电子的选择性传输性能。
本发明采用ALD工艺制备Al掺杂NdOX，能提高钝化性能和导电性能。另外，本发明的制备工艺简单、经济、安全，不涉及硅烷、磷烷等易燃易爆气体带来的安全问题。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种电子钝化接触结构，其特征在于，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层及透明导电层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
2.根据权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述铝掺杂氧化钕层的厚度为1nm～30nm；和/或，
所述硅衬底为N型晶硅衬底。
3.根据权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述硅衬底的受光面与铝掺杂氧化钕层之间层叠有第一钝化插层，所述第一钝化插层为SiO2层、氢化非晶硅、TiO2层中的一种或多种的组合。
4.根据权利要求1所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述透明导电层为本征ZnO基透明导电层或掺杂ZnO基透明导电层，掺杂ZnO基透明导电层中的掺杂元素为氢、硼、铝、镓和铟中的一种或多种。
5.一种电子钝化接触结构，其特征在于，所述电子钝化接触结构位于硅衬底的背光面上，电子钝化接触结构包括层叠于硅衬底背光面上的铝掺杂氧化钕层及金属电极层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
6.根据权利要求5所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述铝掺杂氧化钕层的厚度为1nm～30nm；和/或，
所述硅衬底为N型晶硅衬底。
7.根据权利要求5所述的电子钝化接触结构，其特征在于，所述硅衬底的背光面与铝掺杂氧化钕层之间层叠有第二钝化插层，所述第二钝化插层为SiO2层、氢化非晶硅、TiO2层中的一种或多种的组合。
8.一种电子钝化接触结构，其特征在于，所述电子钝化接触结构位于导电玻璃衬底的受光面上，电子钝化接触结构包括层叠于导电玻璃衬底受光面上的铝掺杂氧化钕层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100。
9.一种电子钝化接触结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在衬底的受光面或背光面上制备铝掺杂氧化钕层，其中，铝的掺杂质量与钕的质量之比为(1～5):100；
其中，所述铝掺杂氧化钕层的制备包括：
基于原子层沉积工艺，以铝前驱体制备AlOX；
基于原子层沉积工艺，以钕前驱体制备NdOX；
基于原子层沉积工艺，以AlOX和NdOX循环制备铝掺杂氧化钕层，AlOX和NdOX的循环比为1：(20～200)。
10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为晶硅太阳能电池、或钙钛矿太阳能电池、或钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池，所述晶硅太阳能电池包括权利要求1～7中任一项所述的电子钝化接触结构，所述钛矿太阳能电池或钙钛矿-晶硅叠层太阳能电池包括权利要求8所述的电子钝化接触结构。
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