CN117506703B - 测量装置及抛光*** - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 142
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 204
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims abstract description 71
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 34
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 239000002352 surface water Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
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Abstract
本发明属于研磨抛光技术领域,公开了测量装置及抛光***。该装置具体包括驱动件、吸水部、刷膜部和激光测量组件。吸水部和刷膜部均通过连接件与驱动件连接;吸水部具有置于上抛光垫的孔洞的第一状态,刷膜部具有置于孔洞的第二状态;当连接件带动吸水部位于第一状态,刷膜部位于孔洞的外部,吸水部用于吸收工件与孔洞相对部位加工水;当连接件带动刷膜部位于第二状态,吸水部位于孔洞外部,刷膜部用于向工件与孔洞相对部位覆盖水膜,连接件能使吸水部和刷膜部均置于孔洞外部;激光测量组件发射的激光束能穿过孔洞,测量工件覆盖水膜部位厚度。通过本发明,能实现工件抛光过程在线厚度检测,避免加工水中的磨削颗粒对于检测精度干扰。
Description
技术领域
本发明涉及研磨抛光技术领域,尤其涉及测量装置及抛光***。
背景技术
化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing,CMP),又称化学机械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization,CMP),主要应用于半导体器件制造领域,尤其应用于集成电路(Integrated Circuit,IC)和超大规模集成化(Ultra Large ScaleIntegration,ULSI)电路中,用来对加工中的晶圆、硅片或其它衬底材料进行平坦化处理。CMP设备也可用于锗、蓝宝石、陶瓷、玻璃等硬脆材料的高精密研磨抛光加工。
在工件抛光过程中,及时了解工件的厚度信息对被加工件的加工质量判断十分重要,传统的接触式厚度测量方法通过使用测量探针与被加工件的表面接触以测量厚度,这种方法无法实现对工件的在线检测;另外也有采用激光测量法,通过发射激光照射在被加工件的测量面,并接收来自晶片表面和背面的反射光,通过分析干涉波形以实现非接触厚度测量。
采用激光测厚这种非接触式厚度测量方法能实现对加工的晶片工件的在线测厚,极大地提高了加工效率,因此被广泛应用于晶片的双面抛光中。
但是,在使用激光等照射工件以实现非接触测厚的情况下,如果工件的上表面的被测区域为干燥表面,那么,在测厚时来自工件上、下表面的反射光的干涉强度则较弱。现有研究发现,如果在工件的被测表面形成一定厚度的水膜,来自工件上、下表面的反射光的干涉强度就会增强,从而便于进行测量,因此,现有技术在激光测厚时,还会同时供应加工水。但是,进入到测量窗口区域的加工水中含有磨削颗粒以及加工产生的磨屑,这些颗粒经过激光时会对光的干涉产生干扰,导致测量精度降低。
发明内容
本发明的目的在于提供测量装置及抛光***,用于实现工件在抛光过程中激光厚度在线检测,同时避免加工水中的磨削颗粒以及加工产生的磨屑对于激光厚度检测的精度干扰,提升测量精度。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
测量装置,用于检测工件的厚度,包括:
驱动件;
吸水部,所述吸水部通过连接件与所述驱动件连接;
刷膜部,所述刷膜部通过所述连接件与所述驱动件连接;
所述吸水部具有置于上抛光垫的孔洞的第一状态,所刷膜部具有置于所述孔洞的第二状态;
当所述连接件带动所述吸水部位于所述第一状态时,所述刷膜部位于所述孔洞的外部,所述吸水部用于吸收所述工件与所述孔洞相对部位的加工水和所述加工水中的杂质;
当所述连接件带动所述刷膜部位于所述第二状态时,所述吸水部位于所述孔洞的外部,所述刷膜部用于向所述工件与所述孔洞相对部位覆盖水膜,所述连接件能带动所述吸水部和所述刷膜部均置于所述孔洞外部;
激光测量组件,当所述吸水部和所述刷膜部均置于所述孔洞外部时,所述激光测量组件发射的激光束能穿过所述孔洞,测量所述工件覆盖有所述水膜的部位的厚度。
作为一种测量装置的可选方案,所述吸水部包括第一盖体和与所述第一盖体底壁连接的吸水件,所述吸水件上具有毛细孔。
作为一种测量装置的可选方案,所述刷膜部包括第二盖体和与所述第二盖体底壁连接的疏水件,所述疏水件与滴水组件连接,所述滴水组件用于向所述疏水件中补充水。
作为一种测量装置的可选方案,所述滴水组件包括水箱、与所述水箱的出水端连通的供水管,所述供水管穿过所述第二盖体或沿着所述第二盖体的表面抵压至所述疏水件。
作为一种测量装置的可选方案,所述连接件包括第一连接杆和第二连接杆,所述第一连接杆的一端与所述驱动件连接,所述第一连接杆的另一端与所述吸水部连接,所述第二连接杆的一端与所述刷膜部连接,所述第一连接杆与所述第二连接杆呈夹角设置。
作为一种测量装置的可选方案,所述测量装置还包括抛光部,所述抛光部通过所述连接件与所述驱动件连接,所述抛光部具有置于所述孔洞的第三状态,当所述驱动件驱动所述抛光部置于所述第三状态时,所述吸水部和所述刷膜部均置于所述孔洞的外部;当所述吸水部位于所述第一状态或刷膜部位于所述第二状态时,所述抛光部均置于所述孔洞的外部;所述抛光部用于封堵所述孔洞以对所述工件进行抛光。
抛光***,包括载体、上抛光垫、下抛光垫和驱动组件,还包括以上任一方案所述的测量装置;所述工件能设于所述载体上,所述载体的周向外壁与所述驱动组件传动连接,所述驱动组件能带动所述载体在水平面内转动,所述上抛光垫和所述下抛光垫分别位于所述载体的上下两侧。
作为一种抛光***的可选方案,所述抛光***还包括设于所述上抛光垫顶壁的上抛光盘,所述上抛光盘设有通孔,所述通孔与所述孔洞相对,所述通孔内设有测量窗,所述激光测量组件所发射的激光束能依次穿射所述通孔、所述测量窗和所述孔洞。
根据权利要求所述的抛光***,所述上抛光盘包括与所述上抛光垫连接的底盘和与所述底盘的顶壁可拆卸连接的顶盘。
根据权利要求所述的抛光***,上抛光盘内部设有空腔结构,所述空腔结构由位于所述顶盘的第一腔和所述底盘的第二腔共同连通形成,所述驱动件和所述连接件均设于所述空腔结构内,所述驱动件能带动所述连接件移动或转动,以使所述吸水部或所述刷膜部置于所述孔洞内或脱离所述孔洞。
有益效果:
在本发明的第一方面中,上抛光垫覆于工件的上表面上,通过工件与上抛光垫之间的相对运动,实现对于工件表面的抛光。通过在上抛光垫上开设孔洞,以使激光测量组件发射的激光束直接穿过孔洞,能实现对工件的在线测厚;进一步地,驱动件通过连接件分别与吸水部和刷膜部驱动连接,驱动件能驱动连接件并带动吸水部位于第一状态,即吸水部进入孔洞,从而吸收了工件与孔洞相对部位的加工水和加工水中的杂质,此时,刷膜部位于孔洞的外部,当吸水部完成吸水后;驱动件通过带动连接件使吸水部脱离孔洞,并进一步带动刷膜部进入孔洞,刷膜部用于向工件与孔洞相对部位覆盖水膜,来提升激光束的反射光的干涉强度,由于此时水膜中为纯水,且通过吸水部已经将原加工水和加工水中的杂质一并去除,从而使本装置能够实现对工件的在线测厚,同时有效地避免加工水中的磨削颗粒以及加工产生的磨屑对于激光厚度检测的精度干扰,提升测量精度。
在本发明的第二方面中,载体用于固定工件;驱动组件能够驱动载体转动,从而带动工件转动,工件的上下两个表面会相对于上抛光垫和下抛光垫进行转动,实现工件的双面抛光,需要测量厚度时,驱动组件停止转动,通过吸水部进行工件待测表面加工水的清理,通过刷膜部进行工件待测表面水膜的形成,进一步通过激光测量组件实现厚度检测,本***能够实现对工件的在线测厚,无需从抛光机上取下工件,有利于提高测量效率以及根据测量结果调整加工参数。
附图说明
图1是本发明实施例提供的抛光***的剖切示意图;
图2是图1在A处的局部放大图;
图3是本发明实施例提供的在抛光状态或测量状态时测量装置部分结构的示意图;
图4是本发明实施例提供的吸水部在第一状态下的测量装置部分结构的示意图;
图5是本发明实施例提供的刷膜部在第二状态下的测量装置部分结构的示意图;
图6是本发明实施例提供的带有抛光部的测量装置在抛光状态下的部分结构的示意图;
图7是本发明实施例提供的带有抛光部的测量装置在吸水部处于第一状态时部分结构的示意图;
图8是本发明实施例提供的带有抛光部的测量装置在刷膜部处在第二状态时部分结构的示意图;
图9是本发明实施例提供的带有抛光部的测量装置在测量状态下的部分结构的示意图。
图中:
100、工件;200、上抛光垫;210、孔洞;300、载体;400、下抛光垫;500、驱动组件;510、齿圈;520、太阳轮;600、上抛光盘;610、通孔;611、密封圈;620、测量窗;630、底盘;631、第二腔;640、顶盘;641、第一腔;650、空腔结构;700、下抛光盘;800、基座;
1、驱动件;2、吸水部;21、第一盖体;22、吸水件;3、刷膜部;31、第二盖体;32、疏水件;4、连接件;41、第一连接杆;42、第二连接杆;43、第三连接杆;51、水箱;52、供水管;6、抛光部;7、激光测量组件。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
在本发明的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本实施例的描述中,术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅仅用于在描述上加以区分,并没有特殊的含义。
请参阅附图1-附图5,本实施例的第一方面涉及一种测量装置(以下简称“装置”),该装置能用于检测工件100的厚度,具体包括驱动件1、吸水部2、刷膜部3和激光测量组件7。吸水部2通过连接件4与驱动件1连接;刷膜部3通过连接件4与驱动件1连接;吸水部2具有置于上抛光垫200的孔洞210的第一状态,刷膜部3具有置于孔洞210的第二状态;当连接件4带动吸水部2位于第一状态时,刷膜部3位于孔洞210的外部,吸水部2用于吸收工件100与孔洞210相对部位的加工水和加工水中的杂质;当连接件4带动刷膜部3位于第二状态时,吸水部2位于孔洞210的外部,刷膜部3用于向工件100与孔洞210相对部位覆盖水膜,连接件4能带动吸水部2和刷膜部3均置于孔洞210外部;当吸水部2和刷膜部3均置于孔洞210外部时,激光测量组件7发射的激光束能穿过孔洞210,测量工件100覆盖有水膜的部位厚度。
在本实施例中,工件100可以为晶圆、碳化硅或蓝宝石等。
在本实施例中,上抛光垫200置于工件100的上表面上,通过工件100与上抛光垫200之间的相对运动,实现对于工件100表面的抛光,通过在上抛光垫200上开设孔洞210,以使激光测量组件7发射的激光束直接穿过孔洞210,实现对工件100厚度的在线测量;进一步地,本装置还包括吸水部2以及刷膜部3,驱动件1通过连接件4分别与吸水部2和刷膜部3驱动连接,驱动件1能驱动连接件4并带动吸水部2位于第一状态,即吸水部2进入孔洞210,从而吸收工件100与孔洞210相对部位的加工水和加工水中的杂质,此时,刷膜部3位于孔洞210的外部,当吸水部2完成吸水后;驱动件1通过带动连接件4使吸水部2脱离孔洞210,并进一步带动刷膜部3进入孔洞210,刷膜部3用于向工件100与孔洞210相对部位覆盖水膜,来提升激光束的反射光的干涉强度,由于此时水膜的组成为纯水,且通过吸水部2已经将原加工水和加工水中的杂质一并去除,本装置在能实现工件100的在线测厚过程的同时,还能有效避免加工水中的磨削颗粒以及加工产生的磨屑对于激光厚度检测的精度干扰,提升测量精度。
可选地,连接件4包括第一连接杆41和第二连接杆42,第一连接杆41的一端与驱动件1连接,第一连接杆41的另一端与吸水部2连接,第二连接杆42的一端与刷膜部3连接,第一连接杆41与第二连接杆42呈夹角设置。
在本实施例中,第一连接杆41和第二连接杆42与驱动件1相连接的一端可以彼此直接连接在一起,使吸水部2与刷膜部3始终相对于驱动件1(或者转动中心)呈角度设置,保证采用同一驱动件1使吸水部2与刷膜部3不会同时位于孔洞210内,使结构更加紧凑。
在本实施例,驱动件1可以为步进电机,该电机可以实现转动和摆动,通过转动来调整连接件4的角度,通过摆动提升吸水部2和刷膜部3的作业效率。
请参阅附图6-附图9,测量装置还包括抛光部6,抛光部6通过连接件4与驱动件1连接,抛光部6具有置于孔洞210的第三状态,当驱动件1驱动抛光部6置于第三状态时,吸水部2和刷膜部3均置于孔洞210的外部;当吸水部2位于第一状态或刷膜部3位于第二状态时,抛光部6均置于孔洞210的外部;抛光部6用于封堵孔洞210以对工件100进行抛光。
在本实施例中,为了方便在线测量抛光状态下工件100的厚度值,需要在上抛光垫200加工孔洞210,由于孔洞210处存在抛光材料的缺失,在进行工件100与上抛光垫200抛光时,工件100表面上孔洞210经过的区域与其他区域的抛光表面质量存在差异,导致抛光的均匀性变差。为了保证工件100的抛光均匀性,本装置还设置了抛光部6,抛光部6的材料与上抛光垫200的基体材料相同,当吸水部2和刷膜部3均置于孔洞210的外部时,抛光部6设置在孔洞210内,从而使上抛光垫200的整个表面形成完整的抛光面,在抛光作业状态下,工件100的抛光质量更好,抛光均匀性得到保证,当需要测量工件100的厚度时,将抛光部6置于孔洞210的外部即可。
在本实施例中,抛光部6通过第三连接杆43与驱动件1连接,类似地,第三连接杆43分别与第一连接杆41和第二连接杆42呈角度设置,保证采用同一驱动件1使吸水部2、刷膜部3以及抛光部6三者之间不会同时位于孔洞210内,结构趋于紧凑。
进一步地,第一连接杆41、第二连接杆42和第三连接杆43为一体式结构,能够减少整个装置的零件数量。在本实施例中,第一连接杆41、第二连接杆42和第三连接杆43均为杆形件,在其他实施例中,也可以采用其他形状且具有一定结构强度的零件,示例性地,第一连接杆41、第二连接杆42和第三连接杆43也可均为板形件,本实施例对于其具体的形状不作限定。
请继续参阅附图3-附图5,可选地,吸水部2包括第一盖体21和与第一盖体21底壁连接的吸水件22,吸水件22上具有毛细孔。
在本实施例中,第一盖体21用于与连接件4连接,可通过卡接、插接或螺接等可拆卸连接形式,也可以直接使第一盖体21与连接件4成型为一体式结构,在第一盖体21的底部设置有吸水件22,吸水件22具有毛细孔结构,用于提升吸水效率,吸水件22可以选用质地柔软的布料或者沿着竖直延伸且紧凑排列的软毛,由于布料自身就带有孔状结构,有利于吸水;紧凑排列的软毛,在多根软毛相邻的间隙之间形成用于毛细作用的毛细孔。
可选地,刷膜部3包括第二盖体31和与第二盖体31底壁连接的疏水件32,疏水件32与滴水组件连接,滴水组件用于向疏水件32中补充水。
在本实施例中,第二盖体31的结构以及与连接件4的连接形式可以参考第一盖体21,在第二盖体31的底部设置有疏水件32,疏水件32可以选用毛刷结构,疏水件32的内部浸润纯水后,会在疏水件32与工件100的表面之间留下水膜,覆于工件100的表面,进一步地,本装置上设置了滴水组件,滴水组件可以向疏水件32不间断地或适时地补充水,以补充工件100多次在线厚度测量时,由于不断成型水膜而造成疏水件32的浸水量损失,始终保持疏水件32的浸水量为定值。
进一步地,滴水组件包括水箱51、与水箱51的出水端连通的供水管52,供水管52穿过第二盖体31或沿着第二盖体31的表面抵压至疏水件32。
在本实施例中,水箱51位于整个装置的顶部,通过重力使水箱51的水经过供水管52输送至在疏水件32,在第二盖体31内部开设有用于供水管52通过的引入孔,供水管52穿过第二盖体31抵压在疏水件32;当然在其他实施例中,也可以是供水管52贴设在第二盖体31外壁,并沿着第二盖体31外壁的表面抵压在疏水件32上。
在本实施例中,通过在第一盖体21和第二盖体31内设置旋转电机能实现吸水件22以及疏水件32的转动,保证吸水和覆膜效率;另外,也可以使吸水部2和刷膜部3与驱动件1通过中间传动结构连接,来实现吸水部2和刷膜部3的转动,具体的中间传动结构可以采用带传动,链传动或者齿轮传动等,具体传动形式本实施例不做具体限定。
本实施例的第二方面还涉及一种抛光***(以下简称“***”),该***包括载体300、上抛光垫200、下抛光垫400、驱动组件500以及上述的测量装置;工件100能设于载体300上,载体300的周向外壁与驱动组件500传动连接,驱动组件500能带动载体300在水平面内转动,上抛光垫200和下抛光垫400分别位于载体300的上下两侧。
在本实施例中,载体300上设置定位孔,工件100固定在定位孔内;驱动组件500与载体300的周向外壁传动连接,驱动组件500能够驱动载体300转动,从而带动工件100转动,使上抛光垫200和下抛光垫400分别位于载体300的上下两侧,则工件100的上下两个表面会相对于上抛光垫200和下抛光垫400进行相对转动,从而实现工件100的双面抛光,当需要在线测量工件100厚度时,停止抛光作业,通过吸水部2进行工件100待测表面加工水的清理,通过刷膜部3进行工件100待测表面水膜的成型,进一步通过激光测量组件7实现厚度检测,保证整个***能够在抛光作业的状态下在线测量工件100的厚度。
在本实施例中,驱动组件500包括齿圈510和太阳轮520,太阳轮520位于齿圈510的中心位置,齿圈510的内齿和太阳轮520的外齿与载体300的周向外齿啮合,通过齿圈510和太阳轮520的旋转运动,能带动载体300做绕着太阳轮520的公转运动和绕着自身轴线的自转运动。
进一步地,抛光***还包括设于上抛光垫200顶壁的上抛光盘600,上抛光盘600设有通孔610,通孔610与孔洞210相对,通孔610内设有测量窗620,激光测量组件7所发射的激光能依次穿射通孔610、测量窗620和孔洞210。
在本实施例中,上抛光盘600的底壁用于固定上抛光垫200,同时,激光测量组件7置于上抛光盘600顶部以上的外侧,在上抛光盘600上开设有与孔洞210相对的通孔610,通孔610内的测量窗620能够防止工件100表面的抛光液进入通孔610内,从而确保激光测量组件7厚度测量的准确性,在测量时,激光测量组件7产生的激光束能直接通过通孔610到达工件100的待测表面。
在本实施例中,通孔610与孔洞210均为等直径的圆孔;在通孔610内,测量窗620与通孔610的内壁连接处置入密封圈611,进一步提升密封性;另外,在下抛光盘700的底部设有基座800,基座800为支撑平台,驱动组件500置于基座800上,基座800用于对整个***的其他组成部分提供支撑。
可选地,上抛光盘600包括与上抛光垫200连接的底盘630和与底盘630顶壁的可拆卸连接的顶盘640;上抛光盘600内部设有空腔结构650,空腔结构650由位于顶盘640的第一腔641和底盘630的第二腔631共同连通形成,驱动件1和连接件4均设于空腔结构650内,驱动件1能带动连接件4移动或转动,以使吸水部2或刷膜部3置于孔洞210内或脱离孔洞210。
在本实施例中,上抛光盘600为分体式结构,底盘630和顶盘640之间可拆卸连接,方便更换,在上抛光盘600上设置有空腔结构650,其中空腔结构650内用于容纳驱动件1和连接件4,吸水部2与刷膜部3在空腔结构650内部具有足够的运动空间,以使驱动件1能驱动连接件4并带动吸水部2与刷膜部3移动或者转动,从而确保吸水部2或刷膜部3置于孔洞210内,完成测量前的清除加工水以及覆盖水膜的操作;底盘630和顶盘640的可拆卸连接结构,也方便将驱动件1、连接件4、吸水部2与刷膜部3配置在空腔结构650。具体地,空腔结构650由位于顶盘640的第一腔641和底盘630的第二腔631共同连通形成,驱动件1固定在顶盘640上,连接件4与驱动件1的驱动端连接,并置于空腔结构650内部,供水管52穿过顶盘640通过第一腔641和/或第二腔631,第二腔631与孔洞210连通,在抛光状态下,吸水部2的吸水件22和刷膜部3的疏水件32在驱动件1的驱动下,均位于空腔结构650内,孔洞210内部保持空缺状态或者被抛光部6封堵,当需要进行厚度检测时,吸水件22和疏水件32会交替进入孔洞210,由于吸水件22和疏水件32均为柔性体,在空腔结构650内部时会被压缩,当位移到孔洞210时,延展进入孔洞210内部;在底盘630的第二腔631内于孔洞210对应位置沿着周向开设有倒角,通过倒角能方便吸水部2的吸水件22和刷膜部3的疏水件32脱离和进入,减小在转换过程中的阻力。
在本实施例中,空腔结构650内且与孔洞210相对的顶盘640位置处设有多个金属弹片,该金属弹片呈月牙状,并沿孔洞210区域周向布置,金属弹片不仅能够引导驱动件1带动吸水部2的第一盖体21或刷膜部3的第二盖体31顺利进入孔洞210,还能为已进入孔洞210的吸水部2或刷膜部3施加一定的压力,从而提升吸水部2的吸水效果以及刷膜部3的覆膜效果。
以下是本实施例对带有抛光部6的***进行抛光作业和厚度检测切换的原理说明:
请参考附图6,当整个***进行抛光作业时,抛光部6在驱动件1的带动下封堵孔洞210,保证整个上抛光垫200为一个完整的抛光平面,保证工件100抛光的均匀性,驱动组件500带动载体300和其上的工件100转动,进行转动抛光;进一步地,请参考附图7,当需要测量工件100的厚度时,停止驱动组件500,使工件100保持静止,通过驱动件1带动连接件4沿图中顺时针转动一定角度,使抛光部6置于孔洞210外部,并使吸水部2的吸水件22置于孔洞210,对待测工件100表面的加工水进行吸收;完成吸收后,请参考附图8,通过驱动件1带动连接件4再次顺时针转动一定角度,使吸水部2置于孔洞210外部,并使刷膜部3的疏水件32置于孔洞210内,对待测工件100表面覆盖水膜,在此期间,可以通过水箱51和供水管52对疏水件32进行浸水量的补充,保证覆膜完全;当水膜覆盖完成后,请参考附图9,通过驱动件1带动连接件4逆时针转动一定角度,使刷膜部3也置于孔洞210的外部,此时逆时针转动的角度,需要保证抛光部6以及吸水部2均位于孔洞210外部,此时,激光测量组件7发射的激光束依次穿过通孔610、测量窗620和孔洞210抵达工件100的表面,并在表面反射,至此实现对工件100的在线测量,当需要继续进行抛光作业时,可以再次通过驱动件1带动连接件4逆时针转动一定角度,使抛光部6重新封堵孔洞210。
显然,本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (8)
1.测量装置,用于检测工件(100)的厚度,其特征在于,包括:
驱动件(1);
吸水部(2),所述吸水部(2)通过连接件(4)与所述驱动件(1)连接;所述吸水部(2)包括第一盖体(21)和与所述第一盖体(21)底壁连接的吸水件(22),所述吸水件(22)上具有毛细孔;
刷膜部(3),所述刷膜部(3)通过所述连接件(4)与所述驱动件(1)连接;
所述吸水部(2)具有置于上抛光垫(200)的孔洞(210)的第一状态,所刷膜部(3)具有置于所述孔洞(210)的第二状态;
当所述连接件(4)带动所述吸水部(2)位于所述第一状态时,所述刷膜部(3)位于所述孔洞(210)的外部,所述吸水部(2)用于吸收所述工件(100)与所述孔洞(210)相对部位的加工水和所述加工水中的杂质;
当所述连接件(4)带动所述刷膜部(3)位于所述第二状态时,所述吸水部(2)位于所述孔洞(210)的外部,所述刷膜部(3)用于向所述工件(100)与所述孔洞(210)相对部位覆盖水膜,所述连接件(4)能带动所述吸水部(2)和所述刷膜部(3)均置于所述孔洞(210)外部;
激光测量组件(7),当所述吸水部(2)和所述刷膜部(3)均置于所述孔洞(210)外部时,所述激光测量组件(7)发射的激光束能穿过所述孔洞(210),测量所述工件(100)覆盖有所述水膜的部位的厚度;
所述连接件(4)包括第一连接杆(41)和第二连接杆(42),所述第一连接杆(41)的一端与所述驱动件(1)连接,所述第一连接杆(41)的另一端与所述吸水部(2)连接,所述第二连接杆(42)的一端与所述刷膜部(3)连接,所述第一连接杆(41)与所述第二连接杆(42)呈夹角设置。
2.根据权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述刷膜部(3)包括第二盖体(31)和与所述第二盖体(31)底壁连接的疏水件(32),所述疏水件(32)与滴水组件连接,所述滴水组件用于向所述疏水件(32)中补充水。
3.根据权利要求2所述的测量装置,其特征在于,所述滴水组件包括水箱(51)、与所述水箱(51)的出水端连通的供水管(52),所述供水管(52)穿过所述第二盖体(31)或沿着所述第二盖体(31)的表面抵压至所述疏水件(32)。
4.根据权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述测量装置还包括抛光部(6),所述抛光部(6)通过所述连接件(4)与所述驱动件(1)连接,所述抛光部(6)具有置于所述孔洞(210)的第三状态,当所述驱动件(1)驱动所述抛光部(6)置于所述第三状态时,所述吸水部(2)和所述刷膜部(3)均置于所述孔洞(210)的外部;当所述吸水部(2)位于所述第一状态或刷膜部(3)位于所述第二状态时,所述抛光部(6)均置于所述孔洞(210)的外部;所述抛光部(6)用于封堵所述孔洞(210)以对所述工件(100)进行抛光。
5.抛光***,包括载体(300)、上抛光垫(200)、下抛光垫(400)和驱动组件(500),其特征在于,还包括如权利要求1-4任一项所述的测量装置;所述工件(100)能设于所述载体(300)上,所述载体(300)的周向外壁与所述驱动组件(500)传动连接,所述驱动组件(500)能带动所述载体(300)在水平面内转动,所述上抛光垫(200)和所述下抛光垫(400)分别位于所述载体(300)的上下两侧。
6.根据权利要求5所述的抛光***,其特征在于,所述抛光***还包括设于所述上抛光垫(200)顶壁的上抛光盘(600),所述上抛光盘(600)设有通孔(610),所述通孔(610)与所述孔洞(210)相对,所述通孔(610)内设有测量窗(620),所述激光测量组件(7)所发射的激光束能依次穿射所述通孔(610)、所述测量窗(620)和所述孔洞(210)。
7.根据权利要求6所述的抛光***,其特征在于,所述上抛光盘(600)包括与所述上抛光垫(200)连接的底盘(630)和与所述底盘(630)的顶壁可拆卸连接的顶盘(640)。
8.根据权利要求7所述的抛光***,其特征在于,上抛光盘(600)内部设有空腔结构(650),所述空腔结构(650)由位于所述顶盘(640)的第一腔(641)和所述底盘(630)的第二腔(631)共同连通形成,所述驱动件(1)和所述连接件(4)均设于所述空腔结构(650)内,所述驱动件(1)能带动所述连接件(4)移动或转动,以使所述吸水部(2)或所述刷膜部(3)置于所述孔洞(210)内或脱离所述孔洞(210)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311637275.1A CN117506703B (zh) | 2023-12-01 | 2023-12-01 | 测量装置及抛光*** |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311637275.1A CN117506703B (zh) | 2023-12-01 | 2023-12-01 | 测量装置及抛光*** |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117506703A CN117506703A (zh) | 2024-02-06 |
CN117506703B true CN117506703B (zh) | 2024-05-10 |
Family
ID=89766275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311637275.1A Active CN117506703B (zh) | 2023-12-01 | 2023-12-01 | 测量装置及抛光*** |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117506703B (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
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