CN1175058A - 光学记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种在底物上具有至少一个记录层和一个反射层的光学记录介质,所说的记录层含有由通式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物和金属离子得到的亚甲基二吡咯金属螯合物。其中R1－R7同说明书中的定义。

Description

光学记录介质
本发明涉及亚甲基二吡咯金属螯合剂化合物和使用该化合物的光学记录介质，与常规技术相比，该光学记录介质可以更高的密度记录和再制。
已建议和开发了CD-R(CD-可记录)作为符合小型盘(下文缩写为“CD”标准的可记录类型的光学记录介质{例如，Nikkei Electronics No.465，p.107(1989年1月23日)，和OPTICAL DATA STORAGE DIGEST SERIES，Vol.1，p.45(1989)}。如图1所示，该CD-R包括透明的树脂底物1和按顺序叠层在透明底物上的记录层2、折射层3和保护层4，当记录层用高能量的激光照射时，记录层就产生物理和化学变化以凹坑的形式记录信息。通过以低能量激光照射形成的凹坑位置来检测系数反射的变化可复制凹坑形式的信息。为了录制和复制光学记录介质，通常使用具有波长770-830nm的接近红外的半导体激光，因为该光学记录介质符合CDs的标准例如红皮书和黄皮书，因此它有与CD机和CD-ROM机相容的特点。
然而，上述常规介质的记录容量为约650MB，当考虑记录数字式电影的时候，其容量是不够的。近几年，随着信息量的明显增加，对增加信息记录介质的密度和容量的要求越来越强。
另外，已提出了开发可用于光盘***的短波半导体激光，具有波长680nm、650nm和635nm的红半导体激光已投入实际的使用中(例如，NikkeiElectronics No.592，p.65(1993年10月11日)}。通过缩短录制/复制激光的波长和增加物镜的数值孔径，射束点的尺寸可降低，这允许形成高密度的光学记录介质。事实上，通过缩短半导体激光的波长、增加物镜的数值孔径或使用数据压缩技术{例如，Nikkei Electronics No.589，p.55(1993年8月30日)，和No.594，p.169(1993年11月8日)}已开发了可记录长时间数字电影的高容量光学记录介质。当今，已开发了数字录像盘(DVD)，用其可记录2或更多小时的数字电影。DVD仅是一种具有记录容量4.7GB的可读介质，需要开发适合该容量的可录制的光盘。
此外，通过YAG激光高频转换得到的532nm的激光也投入实际的使用中。
还研究了比532nm短的多的490nm的兰/绿半导体激光，但达不到其实践值{例如，Applied Physics Letter，p.1272-1274，vol.59(1991)，和NikkeiElectronics No.552，p.90(1992年4月27日)}。
在使用短波长激光的情况下，光盘的线性记录密度和径向记录密度在理论上可同等的增加，但在现实的情况下，难以与线性记录密度同等的增加径向记录密度。由于激光通过沟纹或纹间表面衍射和散射，磁道间距越窄，信号检测光量就较小。从模塑技术观点考虑，限制窄的磁道间距，同时保持足够深的沟纹，以得到磁道信号。另外，如果沟纹深和窄，就难以形成均匀的记录层，此外，沟纹和纹间表面的边缘不光滑而是略粗糙，这就产生噪音。在磁道间距窄至某种程度的位置上，坏的影响就明显的发生。考虑这些实际情况，可假没当波长520nm的物镜的数值孔径为0.6时，沟纹间距就限制为约0.5μm。
当CD-R介质的染料层用激光照射引起物理和化学变化和由此形成凹坑时，该染料的光学常数和分解行为是形成好的凹坑的重要因素。如果使用低分解的染料，敏感度就差，或如果使用明显分解或易变化的染料，凹坑和径纹间表面部分的相互关系就大大受影响，以至就难以形成可靠的凹坑。在常规的CD-R介质中，在高记录密度下使用的激光波长下，染料层的折射指数是低的，并且消光系数不是适合的数值，以至反射率低和不能得到足够的调节振幅。此外，通过聚焦束应当形成小的凹坑，但不利的是形成扩展太大以至对环境有影响的凹坑，径向交叉通讯能力就降低。相反，在某些情况下，凹点特别小，以至得不到所需的调节振幅。因此，需要选择适合于记录层的具有适合光学性质和分解形为的染料。
例如日本专利申请公开号199045/1994提出了一种用波长680nm的半导体激光录制和复制的光学记录介质。在该介质的记录层中，使用菁染料，使高密度录制和复制成为可能，但没有描述这种录制确实可在高密度下进行。
另外，在美国专利4,774,339，4,916,711，5,248,782，5,274,113和5,498,641中，已公开了亚甲基二吡咯和硼卤化物的螯合物，但没有描述使用这些化合物的光学记录介质。
本发明的一个目的是提供一种亚甲基二吡咯金属螯合物，本发明另一个目的是提供含有所述化合物的适合于高密度录制的光学记录介质，其用波长520-690nm的短波长激光就可录制和复制。
本发明人进行了深入的研究解决了上述的问题，结果现已实现了本发明。就是说，以下是本发明的内容。
(1)在底物上具有至少一个记录层和反射层的光学记录介质，所说的记录层含有亚甲基二吡咯金属螯合物，其是由通式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物和金属离子制备的：其中R1-R7每个独立的是氢原子、卤原子、硝基、氰基、羟基、氨基、羧基、磺酸基、具有1-20个碳原子的烷基、具有1-20个碳原子的的卤代烷基、具有1-20个碳原子的烷氧基、具有2-20个碳原子的链烯基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷氧基、具有6-20个碳原子的的芳氧基、具有1-20个碳原子的酰基、具有2-20个碳原子的烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的烷基氨基羰基、具有3-20个碳原子的二烷基氨基羰基、具有2-20个碳原子的烷基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基氨基羰基、具有7-20个碳原子的苯氧基羰基、具有7-20个碳原子的芳烷基、具有6-20个碳原子的芳基、具有5-20个碳原子的杂芳基、具有1-20个碳原子的烷基硫代、具有6-20个碳原子的苯基硫代、具有3-20个碳原子的链烯基氧基羰基、具有8-20个碳原子的芳烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷氧基羰基烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷基羰基烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的单(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的二(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的单(烷氧基烷基)氨基羰基或具有5-20个碳原子的二(烷氧基烷基)氨基羰基；R2和R3和/或R5和6可以彼此键合形成与吡咯环稠合的芳环；由这些基团形成的稠合的芳环可以相同或不同并且是由式(a)表示的：其中R8-R11每个独立的是氢原子、卤原子、硝基、氰基、羟基、氨基、羧基、磺酸基、具有1-20个碳原子的烷基、具有1-20个碳原子的的卤代烷基、具有1-20个碳原子的烷氧基、具有2-20个碳原子的链烯基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷氧基、具有6-20个碳原子的的芳氧基、具有1-20个碳原子的酰基、具有2-20个碳原子的烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的烷基氨基羰基、具有3-20个碳原子的二烷基氨基羰基、具有2-20个碳原子的烷基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基氨基羰基、具有7-20个碳原子的苯氧基羰基、具有7-20个碳原子的芳烷基、具有6-20个碳原子的芳基、具有5-20个碳原子的杂芳基、具有1-20个碳原子的烷硫基、具有6-20个碳原子的苯硫基、具有3-20个碳原子的链烯基氧基羰基、具有8-20个碳原子的芳烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷氧基羰基烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷基羰基烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的单(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的二(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的单(烷氧基烷基)氨基羰基或具有5-20个碳原子的二(烷氧基烷基)氨基羰基；R10和R11可以彼此键合形成芳环。
(2)根据上述段(1)的光学记录介质，其中亚甲基二吡咯金属螯合物是由以下通式(2)表示的化合物：
Figure A9711807100081
其中R1-R7同以上定义；M是过渡元素。
(3)根据上述段(1)的光学记录介质，其中亚甲基二吡咯金属螯合物是由以下通式(3)表示的化合物：
Figure A9711807100082
其中R1-R7同以上定义。
(4)根据上述段(1)-(3)任何一个的光学记录介质，其是用选自520-690nm波长的激光可记录和复制的。
(5)根据上述段(1)-(3)任何一个的光学记录介质，其中在激光波长下，记录层的折射指数是1.8或更多，记录层的消光系数为0.04-0.40。
(6)根据上述段(1)-(3)任何一个的光学记录介质，其中从底物的侧面测量，选自波长520-690nm的激光的反射率是20％或更多。
(7)由以下通式(4)表示的亚烷基二吡咯金属螯合物：其中R1-R4和R7-R11同以上定义；M是过渡元素；但R2和R3不形成芳环。
(8)由以下通式(5)表示的亚烷基二吡咯金属螯合物：其中R1-R4和R7-R11同以上定义；但R2和R3不形成芳环。
根据本发明，使用亚烷基二吡咯化合物和金属离子的亚烷基二吡咯金属螯合物作为记录层，由此可提供可记录类型的光学记录介质，注意到其不仅用作高密度光学记录介质，而且其可用520-690nm波长的激光记录和复制。
图1是说明常规技术和本发明光学记录介质的层结构的剖视图。
图2是说明本发明光学记录介质的层结构的剖视图。
在根据本发明的由式(1)表示的亚烷基二吡咯化合物和金属离子的亚烷基二吡咯金属螯合物中，R1-R11的例子包括氢原子；硝基；氰基；羟基；氨基；羧基；磺酸基；卤原子例如氟、氯、溴和碘；
具有1-20个碳原子的直链、支链和环烷基，如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、2-甲基丁基、1-甲基丁基、新戊基、1，2-二甲基丙基、1，1-二甲基丙基、环戊基、正己基、4-甲基戊基、3-甲基戊基、2-甲基戊基、1-甲基戊基、3，3-二甲基丁基、2，3-二甲基丁基、1，3-二甲基丁基、2，2-二甲基于基、1，2-二甲基丁基、1，1-二甲基丁基、3-乙基丁基、2-乙基丁基、1-乙基丁基、1，2，2-三甲基丁基、1，1，2-三甲基丁基、1-乙基-2-甲基丙基、环己基、正庚基、2-甲基己基、3-甲基己基、4-甲基己基、5-甲基己基、2，4-二甲基戊基、正辛基、2-乙基己基、2，5-二甲基己基、2，5，5-三甲基戊基、2，4-二甲基己基、2，2，4-三甲基戊基、正辛基、3，5，5-三甲基己基、正壬基、正癸基、4-乙基辛基、4-乙基-4，5-甲基己基、正十一烷基、正十二烷基、1，3，5，7-凹乙基辛基、4-丁基辛基、6，6-二乙基辛基、正十三烷基、6-甲基-4-丁基辛基、正十四烷基、正十五烷基、3，5-二甲基庚基、2，6-二甲基庚基、2，4-二甲基庚基、2，2，5，5-四甲基庚基、1-环戊基-2，2-二甲基丙基和1-环己基-2，2-二甲基丙基；
具有1-20个碳原子的卤代烷基例如氯代甲基、二氯甲基、氟代甲基、三氟甲基、五氟乙基和九氟丁基；
具有2-20个碳原子的烷氧基烷基例如甲氧基乙基、乙氧基乙基、异丙氧基乙基、3-甲氧基丙基和2-甲氧基丁基；
具有1-20个碳原子的烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、正己氧基和正十二烷氧基；
具有2-20个碳原子链烯基，例如乙烯基、丙烯基、1-丁烯基、异丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、2-甲基-1-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2，2-二氰基乙烯基、2-氰基-2-甲基羧乙烯基和2-氰基-2-甲基砜乙烯基；
具有2-20个碳原子烷氧基烷氧基，例如甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、3-甲氧基丙氧基和3-(异丙氧基)丙氧基；
具有6-20个碳原子的芳氧基，例如苯氧基、2-甲基苯氧基、4-甲基苯氧基、4-叔丁基苯氧基、2-甲氧基苯氧基和4-异丙基苯氧基；
具有1-20个碳原子的酰基，例如甲酰基、乙酰基、乙羰基、正丙基羰基、异丙基羰基、正丁基羰基、异丁基羰基、仲丁基羰基、叔丁基羰基、正戊基羰基、异戊基羰基、新戊基羰基、2-甲基丁基羰基和硝基苄基羰基；
具有2-20个碳原子的烷氧基羰基，例如甲氧基羰基、乙氧基羰基、异丙氧基羰基和2，4-二甲基丁氧基羰基；
具有2-20个碳原子的烷基氨基羰基，例如甲基氨基羰基、乙基氨基羰基、正丙基氨基羰基、正丁基氨基羰基和正己基氨基羰基；
具有2-20个碳原子的二烷基氨基羰基，例如二甲基氨基羰基、二乙基氨基羰基、二正丙基氨基羰基、二正丁基氨基羰基和N-甲基-N-环己基氨基羰基；
具有2-20个碳原子的烷基羰基氨基，例如乙酰基氨基、乙基羰基氨基和丁基羰基氨基；
具有7-20个碳原子的苯基氨基羰基，例如苯基氨基羰基、4-甲基苯基氨基羰基、2-甲氧基苯基氨基羰基和4-正丙基苯基氨基羰基；
具有7-20个碳原子的苯基羰基氨基，例如苯基羰基氨基、4-乙基苯基羰基氨基和3-丁基苯基羰基氨基；
具有7-20个碳原子的苯氧基羰基，例如苯氧基羰基、2-甲基苯氧基羰基、4-甲氧基苯氧基羰基和4-叔丁基苯氧基羰基；
具有7-20个碳原子的芳烷基，例如苄基、硝基苄基、氰基苄基、羟基苄基、甲基苄基、二甲基苄基、三甲基苄基、二氯苄基、甲氧基苄基、乙氧基苄基、三氟甲基苄基、萘基甲基、硝基萘基甲基、氰基萘基甲基、羟基萘基甲基、甲基萘基甲基和三氟甲基萘基甲基；
具有6-20个碳原子的芳基，例如苯基、硝基苯基、氰基苯基、羟基苯基、甲基苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、二氯苯基、甲氧基苯基、乙氧基苯基、三氟甲基苯基、N，N-二甲基氨基苯基、萘基、硝基萘基、氰基萘基、羟基萘基、甲基萘基和三氟甲基萘基；
具有5-20个碳原子的杂芳基，例如吡咯基、噻吩基、呋喃基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基和吲哚基；
具有1-20个碳原子的烷硫基，例如甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、异戊硫基、2-甲基丁硫基、1-甲基丁硫基、新戊硫基、1，2-二甲基丙硫基和1，1-二甲基丙硫基；
具有6-20个碳原子的苯硫基，例如苯硫基、4-甲基苯硫基、2-甲氧基苯硫基和4-叔丁基苯硫基；
具有3-20个碳原子的链烯基氧基羰基，例如烯丙氧基羰基和2-丁烯氧基羰基；
具有8-20个碳原子的芳烷氧基羰基，例如苄氧基羰基和苯乙氧基羰基；
具有4-20个碳原子的烷氧基羰基烷氧基羰基，例如甲氧基羰基甲氧基羰基、乙氧基羰基甲氧基羰基、正丙氧基羰基甲氧基羰基和异丙氧基羰基甲氧基羰基；
具有4-20个碳原子的烷基羰基烷氧基羰基，例如甲基羰基甲氧基羰基和乙基羰基甲氧基羰基；
具有2-20个碳原子的单(羟基烷基)氨基羰基，例如羟乙基氨基羰基、2-羟丙基氨基羰基和3-羟丙基氨基羰基；
具有3-20个碳原子的二(羟烷基)氨基羰基，例如二(羟乙基)氨基羰基、二(2-羟丙基)氨基羰基和二(3-羟丙基)氨基羰基；
具有3-20个碳原子的单(烷氧基烷基)氨基羰基，例如甲氧基甲基氨基羰基、甲氧基乙基氨基羰基、乙氧基甲基氨基羰基、乙氧基乙基氨基羰基和丙氧基乙基氨基羰基；
具有5-20个碳原子的二(烷氧基烷基)氨基羰基，例如二(甲氧基乙基)氨基羰基、二(乙氧基甲基)氨基羰基、二(乙氧基乙基)氨基羰基和二(丙氧基乙基)氨基羰基。
对可与式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物形成螯合物的金属离子没有特别分限制，只要其通常具有与亚甲基二吡咯化合物一起形成螯合物的能力即可。这种金属的例子包括第8、9和10族(VIII族)、11族(Ib族)、12族(IIb族、3族(IIIa族)、4族(IVa族)、5族(Va族)、6族(VIa族)和7族(VIIa族)，优选的例子包括过渡金属，例如镍、钴、铁、钌、铑、钯、铜、锇、铱、铂和锌。
对制备根据本发明的由式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物和亚甲基二吡咯金属螯合物的方法没有特别的限制，例如它们可根据在Aust.J.Chem.，Vol.11，p.1835-1845(1965)；HeteroatomChemistry，Vol.1，No.5，p.389(1990)；USP4,774,339；USP5,433,896等中描述的方法制备。一般，它们可通过以下两步反应来制备：
首先，在第一步中，在酸催化剂例如氢澳酸或盐酸存在下，在适合的溶剂中，将式(6)表示的化合物和式(7)表示的化合物，或式(8)表示的化合物和式(9)表示的化合物反应得到式(10)表示的亚甲基二吡咯化合物。接着，在第二步中，将式(10)表示的亚甲基二吡咯化合物与三氟化硼反应，或与金属例如镍、钴、铁、钌、铑、钯、铜、锇、铱、铂或锌的乙酸盐或卤化物反应得到所需的亚甲基二吡咯金属螯合物。
Figure A9711807100131
其中R1-R7同以上定义。
表1说明了根据本发明的式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物的金属螯合物以及上述的式(2)-(5)和以下式(11)和(12)的取代基的一般实例：
Figure A9711807100141
在表1中，每个化合物的编号表示相应式的编号和其序列编号，例如化合物编号2-1意思是由式(2)表示的化合物的第一个实例。表1-1表1-2表1-3
Figure A9711807100171
表1-4表1-5
Figure A9711807100191
表1-6
Figure A9711807100201
表1-7表1-8表1-9表1-10
Figure A9711807100241
表1-11表1-12
以下详细描述本发明的构成：
该光学记录介质包括以下两种：用于单独复制的光学ROM介质，其中信息是先录制的，和可录制信息然后复制的光学记录介质。而在这里制作相应于后者光学记录介质的参考例作为适合的实例，通过它可录制和复制信息，特别是在底物上有记录层和反射层的光学记录介质。如图1所示，该光学记录介质具有四层结构，其中底物、记录层、反射层和保护层按顺序叠层，或如图2中所示的叠层结构。也就是说，在底物1上形成记录层2，紧靠其上形成反射层3。另外，底物5通过粘合层4粘合在反射层3上。然而，在记录层2下或上可形成另一层，和在反射层上还可形成另一层。
底物物质对于录制光和复制光的波长在根本上应当是透明的。这种物质可适用的例子包括聚合的物质例如聚碳酸酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚丙烯酸树脂例如聚甲基异丁烯酸树脂、聚苯乙烯树脂和环氧树脂以及无机物质例如玻璃。通过注入模塑物质等将底物物质模塑到盘的底物上。如果需要，可在底物的表面上形成指示的沟纹或凹坑。这种指示的沟纹或凹点优选在模塑底物时形成，但它们也可通过在底物上使用紫外线固化树脂层来形成。在使用CD形式的光学记录介质的情况下，底物是具有厚度约1.2mm、直径约80-120mm和在其中心有直径约15mm孔的盘。
在本发明中，记录层形成在底物上，本发明的记录层含有由式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物和金属离子的螯合物。该螯合物的最大吸收波长λmnx在450-630nm处。特别需要具有适合于520-690nm录制和复制激光波长的光学常数的记录层。
该光学常数由折射复合指数(n+iκ)表示，其中n和κ分别是真实值和假设值的系数，这里n和κ分别意思是普通的折射指数和消光系数。一般，有机染料有这样的特征，即折射指数n和消光系数κ对波长λ有较大的变化。从该特征考虑，应当选择具有适合于所需激光波长的优选光学常数的有机染料制成记录层，由此可得到具有高反射率和好敏感度的介质。
根据本发明，记录层所需的光学常数是这样的，即在上述激光波长下，n是1.8或更大，κ是0.04-0.40，优选n是2.0或更大，κ是0.04-0.20。如果n低于1.8，就可能得不到正确信号阅读所需的反射率和信号调节振幅，和如果κ大于0.40，反射率就低，以至得不到好的再生信号，此外，通过再生光，信号是易变化的。因此，具有这样消光系数κ的记录层不是实际需要的。鉴于这种特征，应当选择具有适合于所需激光波长的优选光学常数的有机染料制成记录层，由此可得到具有高反射率和好敏感度的介质。由式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物与金属形成的本发明螯合物与通常的有机染料相比具有较高的吸收系数，并可通过选择取代基可任选地选择吸收波长截面。因此，它是特别有用的化合物，在上述激光波长下，其可满足记录层对光学常数(n是1.8或更高，κ是0.04-0.40，优选n是2.0或更高，κ是0.04-0.2 0)的需求。
在本发明的光学记录介质用520-690nm的激光复制的情况下，当反射率是20％或更高时复制基本是可能的，但优选反射率是30％或更高。
另外，为了改进记录特征等，记录层可与在波长450-630nm处有最大吸收和在520-690nm处有大折射指数的非上述的染料混合。这种染料的一般例子包括菁染料，squalirium染料，萘醌染料，蒽醌染料，卟啉染料，tetrapyraporphyrazine染料，靛酚染料，吡喃鎓染料，硫吡喃鎓染料，azulenium染料，三苯基甲烷染料，呫吨染料，阴丹士林染料，靛蓝染料，硫靛蓝染料，部花青染料，噻嗪染料，吖啶染料和噁嗪染料，它们可以单独使用或以其两种或多种混合物的形式使用。所用染料的混合比例为约0.1-30％。
此外，当对于由通式(1)表示的亚甲基二吡咯与金属形成的螯合物的记录再生激光波长选择520-690nm，κ值小的时候，为了可靠的改进记录特征等，记录层可与在波长600-900nm处有最大吸收的吸收光化合物混合。吸收光化合物一般例子包括菁染料，squalirium染料，萘醌染料，蒽醌染料，卟啉染料，tetrapyraporphyrazine染料，靛酚染料，吡喃鎓染料，硫吡喃鎓染料，azulenium染料，三苯基甲烷染料，呫吨染料，阴丹士林染料，靛蓝染料，硫靛蓝染料，部花青染料，噻嗪染料，吖啶染料，噁嗪染料，酞菁染料和naphthalocyanine染料，它们可以单独使用或以其两种或多种混合物的形式使用。所用染料的混合比例为约0.1-30％。
在形成记录层以前，上述染料可与任何淬灭剂，染料分解促进剂，紫外线吸收剂，黏合剂等混合，或者具有这种作用的化合物也可加入染料中作为替代物。
淬灭剂的一般例子包括以下的金属配合物：乙酰基丙酮，双二硫酚例如双二硫代-α-二酮和双苯基二硫酚，硫代儿茶酚，水杨醛肟，硫代双酚盐等。此外，胺是适合的。
染料分解促进剂的例子包括金属化合物例如金属抗爆剂，金属茂化合物和乙酰丙酮酸酯的金属配合物。
另外，如果需要的话，粘合剂、均染剂和抗泡剂可以一起使用。优选的粘合剂的例子包括聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、硝基纤维素、纤维素乙酸酯、酮树脂、丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、聚氨酯树脂、聚乙烯丁醛、聚碳酸酯和聚烯烃。
在底物上形成记录层之前，为了改进耐溶剂和底物的反射率以及记录的敏感度，可在底物上形成包含无机物质和聚合物的层。
这里在记录层中的由通式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物的金属螯合物的含量为30％或更多，优选60％或更多。还优选其含量基本上为100％。
形成记录层技术的例子包括涂层法，例如旋转涂层法、喷雾法、浇铸法和浸渍法、喷镀法、化学蒸汽沉积法和真空蒸汽沉积法，但旋转涂层法是优选的，因为其简单和容易。
在使用例如旋转涂层法的涂层技术的情况下，可使用涂层溶液，该涂层溶液是用以下方法制备的：将通式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物的金属螯合剂溶解或分散在溶剂中以致该金属螯合物的含量可为1-40％(重量)，优选3-30％(重量)。在这种情况下，优选选择对底物没有损害的溶剂。溶剂的例子包括醇溶剂，例如甲醇、乙醇、异丙醇、八氟戊醇、烯丙醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂和四氟丙醇；脂肪族和脂环族烃溶剂例如己烷、庚烷、辛烷、癸烷、环己烷、甲基环己烷、乙基环己烷和二甲基环己烷；芳族烃溶剂例如甲苯、二甲苯和苯；烃卤化物溶剂例如四氯化碳、氯仿、四氯乙烷和二溴甲烷；醚溶剂例如二***、二丁醚、二异丙醚和二噁烷；酮溶剂例如丙酮和3-羟基-3-甲基-2-丁酮；酯溶剂例如乙酸乙酯和乳酸甲酯，和水。它们可以单独使用或以其两种或多种混合物的形式使用。
如果需要，用于记录层的染料可以分散在聚合的薄膜等中。
在不能选择不损坏底物的溶剂的情况下，则喷镀法、化学蒸汽沉积法或真空蒸汽沉积法是有效的。
对记录层的厚度没有特别的限制，但优选其厚度为50-300nm。如果记录层的厚度低于50nm，热扩散就大，以致不能完成录制，或在录制信号上可能发生应变，信号振幅会降低。相反，如果染料层的厚度大于300nm，反射率会变得不足，复制信号特征会变差。
其次，在记录层上要形成具有厚度优选为50-300nm的反射层。作为反射层的物质，这样的物质要在再生光的波长下具有足够高的反射率，例如可以单独使用如Au，Al，Ag，Cu，Ti，Cr，Ni，Pt，Ta，Cr和Pd，或使用其合金的形式。以上中Au，Al和Ag适合作为反射层的物质，因为它们具有高的反射率。也可使用非上述的物质作为反射层的物质，这样的物质的例子包括金属和半金属例如Mg，Se，Hf，V，Nb，Ru，W，Mn，Re，Fe，Co，Rh，Ir，Zn，Cd，Ga，In，Si，Ge，Te，Pb，Po，Sn和Bi。含Au的物质作为主要成分是适合的，因为可容易得到具有高反射率的折射层。这里术语＂主要成分＂意思是含有50％或更多的成分。以下情况也是可能的：通过交替的层压具有低折射指数的薄膜和具有高折射指数的薄膜制备的多层物质也可用作反射层，其中薄膜是由非金属的物质制备的。
形成反射层技术的例子包括喷镀法、离子电镀法、化学蒸汽沉积法和真空蒸汽沉积法。此外，为了改进例如反射、录制特征和粘合生质，可在底物上或在反射层下形成中间层或公知的无机或有机物的粘合层。
另外，对在反射层上的保护层物质没有特别的限制，只要其能保护反射层免受外来的压力。用于保护层的有机物质的例子包括热塑性树脂、热固性树脂、电子辐射固化树脂和UV熟化树脂。另外，用于保护层的无机物质的例子包括SiO2，Si3N4，MgF2和SnO2。热塑性树脂或热固性树脂可溶解在适合的溶剂中，施用得到的涂层溶液，然后干燥，由此形成保护层。UV固化树脂可直接以其本身的形式使用，或可以溶解在适合的溶剂中制成涂层溶液，施用该涂层溶液，然后用UV光照射使之固化，由此制成保护层。可用的UV固化树脂的例子包括丙烯酸酯树脂例如聚氨酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和聚酯丙烯酸酯。这些物质可以单独使用或以其混合物的形式使用，也可使用单层或多层形式的这种树脂。
在形成记录层的情况下，形成保护层技术的例子包括涂层方法，例如旋转涂层法、浇铸法、喷镀法和化学蒸汽沉积法。但所有以上方法中旋转涂层法是优选的。
保护层的厚度一般为0.1-100μm，但在本发明中，其厚度为3-30μm，优选5-20μm。
在保护层上，可进一步印制标签等。
此外，可以使用以下方法，一种方法是在反射层的表面上层压保护片或底物，或另一种方法是层压两种光学记录介质以致反射层可彼此接触。为了保护表面或抑制灰尘等的沉积，可在底物的镜表面上形成紫外线固化树脂层、无机薄膜等。
对在本发明中指定的具有波长520-690nm的激光没有特别的限制，这种激光的例子包括能够选择可见光范围波长的染料激光；具有波长633nm的氦氖激光；具有波长约680、650或635nm的高输出半导体激光(其发展晚)，和具有波长532nm的高频率转换YAG激光。在本发明中，在选自它们中的一种波长或多种波长下，可进行高密度录制和复制。
以下参考实施例详细地描述本发明，但本发明的范围不限于这些实施例。
实施例1
表1中提到的由式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物的金属螯合物中的0.2g化合物(2-1)溶解在10ml二甲基环己烷中制成染料溶液。使用由聚碳酸酯树脂制成的直径为120mm、厚度为1.2mm的盘作为底物，在其上具有螺旋预制的沟纹(磁道间距0.8μm)。
在1500rpm旋转频率下用该染料溶液旋转涂层该底物，然后在70℃下干燥3小时形成记录层。关于该记录层，其最大吸收是在505nm处，其光学常数是这样的：在680nm下，n为2.1和κ为0.04；在650nm下，n为2.2和κ为0.05；和在635nm下，n为2.3和κ为0.07。
接着使用由Bulzers Co.，Ltd.制备的喷镀设备(CDI-900)将Au喷镀在该记录层上形成具有厚度100nm的反射层。使用氩气作为喷镀气体。喷镀条件是：喷镀功率是2.5kw，喷镀压力是1.0×10-2Torr。
此外，用紫外线固化树脂SD-17(由Dainippon Ink & Chemicals，Inc.制造)旋转喷涂反射层，然后用紫外光照射形成具有厚度6μm的保护层，由此制成光学记录介质。
另外，使用由Pulstech Industry Co.，Ltd.制备的装有半导体激光头的光盘评价设备(DDU-1000)，其中半导体激光头在波长635nm下具有物镜数值孔径为0.6，和使用由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器，在激光功率为8mW下，在线生速度为3.5m/sec下，在光学记录介质上进行录制以致最短的凹点长度可为0.44μm。在录制之后，使用装有具有650nm和635nm的红半导体激光头(物镜数值孔径为0.6)的评价设备复制信号以测量反射率、错误率和调节振幅。结果所有测量值均是好的。
接着，使用由Pulstech Industry Co.，Ltd.制备的装有680nm半导体激光头的光盘评价设备(DDU-1000)，和使用由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器，在激光功率为10mW下，在线性速度为1.4m/sec下进行录制以致最短的凹点长度可为0.60μm。之后，使用装有具有680nm、650nm和635nm的红半导体激光头的光学盘评价设备(DDU-1000)从记录介质上复制信号以测量反射率、错误率和调节振幅。结果所有测量值均是好的。
如上所述，使用多个激光波长可在该介质上成功的进行录制和复制。
在这方面，使用由KENWOOD Co.，Ltd.，制造的CD译码器DR3552测定错误率，按以下等式计算调节振幅：
实施例2
进行与实施例1相同的步骤，只是使用由聚碳酸酯树脂制成的直径120mm、厚度0.6mm的和在其上具有螺旋预制的沟纹(磁道间距0.8μm)的盘作为底物，借此在其上制成记录层和反射层。
此外，用紫外线固化树脂SD-301(由Dainippon Ink & Chemicals，Inc.制造)旋转喷涂反射层，接着在其上重叠由聚碳酸酯树脂制成的具有直径120mm和厚度0.6mm的另一个盘底物。之后，用紫外光照射这些层形成叠层的光学记录介质。
接着按与实施例1相同的步骤，使用由Pulstech Indus try Co.，Ltd.制备的光盘评价设备(DDU-1000)和由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器在这样形成的介质上进行录制，只是光盘评价设备装有对应于厚度0.6mm的具有635nm的半导体激光头。在录制之后，使用装有具有650nm和635nm的红半导体激光头的评价设备复制信号以测量反射率、错误率和调节振幅。结果所有测量值均是好的。
实施例3
进行与实施例2相同的步骤，只是使用由聚碳酸酯树脂制成的直径120mm、厚度0.6mm的和在其上具有螺旋预制的沟纹(磁道间距1.2μm)的盘作为底物，由此制成光学记录介质。
接着按与实施例1相同的步骤，使用由Pulstech Industry Co.，Ltd.制备的光盘评价设备(DDU-1000)和由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器在这样形成的介质上进行录制，只是光盘评价设备装有对应于厚度0.6mm的具有635nm的半导体激光头。在录制之后，使用装有具有650nm和635nm的红半导体激光头的评价设备复制信号以测量反射率、错误率和调节振幅。结果所有测量值均是好的。
实施例4
进行与实施例2相同的步骤，只是使用由聚碳酸酯树脂制成的直径120mm、厚度0.6mm的和在其上具有螺旋预制的沟纹(磁道间距0.7μm)的盘作为底物，由此制成光学记录介质。
接着按与实施例1相同的步骤，使用由Pulstech Industry Co.，Ltd.制备的光盘评价设备(DDU-1000)和由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器在这样形成的介质上进行录制，只是光盘评价设备装有对应于厚度0.6mm的具有635nm的半导体激光头。在录制之后，使用装有具有650nm和635nm的红半导体激光头的评价设备复制信号以测量反射率、错误率和调节振幅。结果所有测量值均是好的。
实施例5
进行与实施例2相同的步骤，只是使用表1中提到的亚甲基二吡咯金属螯合物(3-1)和双丙酮醇作为涂层溶剂，和使用由聚碳酸酯树脂制成的直径120mm、厚度0.6mm的和在其上具有螺旋预制的沟纹(磁道间距0.53μm)的盘作为底物，由此制成光学记录介质。关于该记录层，其最大吸收是在520nm处，其光学常数是这样的：在532nm下，n为2.4和κ为0.15。
接着使用装有对应于厚度0.6mm的具有532nm的YAG高频率转化激光头的光盘评价设备和由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器，在激光功率为7mW下，在线性速度为3.8m/sec下，在这样形成的介质上进行录制。录制之后使用相同的评价设备复制信号。结果反射率约51％，错误率为7cps和调节振幅为0.65，所有这些值均是好的。
实施例6-95
进行与实施例2相同的步骤，只是使用表1中提到的亚甲基二吡咯金属螯合物(2-2至2-23，3-2至3-13，4-1至4-51，5-1至5-37，11-1至11-10，12-1至12-10)，由此制成光学记录介质。
接着按与实施例1相同的步骤，使用由Pulstech Industry Co.，Ltd.制备的装有635nm半导体激光头的光盘评价设备和由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器在这样形成的介质上进行录制。在录制之后，使用装有具有650nm和635nm的红半导体激光头的评价设备复制信号以测量反射率、错误率和调节振幅。结果所有测量值均是好的。
对比例1
进行与实施例2相同的步骤，只是用五甲炔花青染料NK-2929[由Japanese Photosensitive Dye Laboratory制造的1，3，3，1’，3’，3’-六甲基-2’，2’-(4，5，4’，5’-二苯并)靛二炭花青过氯酸盐]代替亚甲基二吡咯金属螯合物(2-1)，由此制成光学记录介质。接着按与实施例1相同方法，使用由PulstechIndustry Co.，Ltd.制备的装有635nm半导体激光头的评价设备(DDU-1000)和由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器，在激光功率为7mW下，在线性速度为3.5m/sec下，在这样形成的介质上进行录制。在录制之后，使用装有具有650nm和635nm的红半导体激光头的评价设备复制信号，结果反射率低，错误率大和调节振幅小。此外，当长时间进行复制时，信号变差。
对比例2
进行与对比例1相同的步骤，只是用三甲炔花青染料NK-79[由JapanesePhotosensitive Dye Laboratory制造的1，3，3，1’，3’，3’-六甲基-2’，2’-靛二炭花青碘化物]代替NK-2929，由此制成光学记录介质。接着按与实施例1相同方法，使用由Pulstech Industry Co.，Ltd.制备的装有635nm半导体激光头的评价设备(DDU-1000)和由KENWOOD Co.，Ltd.制备的EFM译码器，在激光功率为7mW下，在线性速度为3.5m/sec下，在这样形成的介质上进行录制。在录制之后，使用装有具有650nm和635nm的红半导体激光头的评价设备复制信号，结果波形被破坏，错误率大和调节振幅小。此外，当长时间进行复制时，信号变差。
表2说明了在实施例1-4和6-95以及对比例1和2中，在635nm下录制有关的介质和然后在650和635nm下进行复制的情况下的记录层的光学常数、反射率、错误率和调节振幅。表2-1实施例           1      2     3     4     6    7      8     9式编号          2-1    2-1   2-1   2-1   2-2   2-3   2-4   2-5最大吸收 (nm)   505    505   505   505   510   520   514   520光学常数在650nm   n*1  2.2    2.2   2.2   2.2   2.0   2.1   2.1   2.0
      k*2  0.05   0.05  0.05  0.05  0.06  0.06  0.06  0.07在635nm   n     2.3    2.3   2.3   2.3   2.3   2.3   2.5   2.4
      k     0.07   0.07  0.07  0.07  0.08  0.09  0.10  0.11在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)      59     61    62    59    59    56    57    55错误率(％)      8      7     5     8     9     10    10    12调节振幅        0.67   0.70  0.74  0.65  0.64  0.63  0.65  0.63在635nm下复制反射率(％)      59     58    61    57    58    56    55    54错误率(％)      6      6     7     8     9     8     9     8调节振幅        0.76   0.78  0.76  0.66  0.66  0.64  0.66  0.65*1n；折射指数*2k；消光系数表2-2实施例         10     11    12    13    14    15    16     17式编号        2-6    2-7   2-8   2-9   2-10  2-11  2-12   2-13最大吸收(nm)  520    526   530   560   556   518   522    506光学常数在650nm n*1  2.2    2.1   2.0   2.1   2.2   2.0   2.0    2.1
    k*2  0.10   0.08  0.11  0.10  0.08  0.09  0.11   0.10在635nm n     2.5    2.4   2.5   2.4   2.5   2.4   2.4    2.4
    k     0.12   0.12  0.13  0.13  0.10  0.12  0.12   0.11在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    54     53    52    51    52    53    51     53错误率(％)    9      9     10    9     9     10    9      9调节振幅      0.62   0.63  0.61  0.62  0.59  0.62  0.62   0.63在635nm下复制反射率(％)    57     59    60    55    56    57    58     55错误率(％)    8      7     5     10    9     8     9      10调节振幅      0.66   0.67  0.68  0.67  0.66  0.65  0.64   0.63*1n；折射指数*2k；消光系数表2-3实施例        18    19     20     21     22     23     24     25式编号       3-9   3-10   3-11   3-12   3-13   3-14   3-15   3-16最大吸收(nm) 532   525    532    550    553    550    555    535光学常数在650nm n*1 2.1   2.2    2.1    2.2    2.1    2.1    2.2    2.0
    k*2 0.09  0.09   0.11   0.10   0.07   0.10   0.11   0.08在635nm n    2.6   2.5    2.4    2.4    2.5    2.6    2.4    2.5
    k    0.11  0.11   0.11   0.12   0.10   0.12   0.13   0.10在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)   56    57     56     58     59     60     59     60错误率(％)   9     10     11     9      9      11     10     11调节振幅     0.63  0.61   0.60   0.67   0.68   0.67   0.66   0.65在635nm下复制反射率(％)   54    55     56     57     58     57     56     57错误率(％)   12    11     13     9      8      9      8      8调节振幅     0.63  0.62   0.64   0.72   0.70   0.71   0.69   0.69*1n；折射指数*2k；消光系数表2-4实施例         26     27     28     29     30     31     31    33式编号        3-17   2-14   2-15   2-16   2-17   2-18   2-19   2-20最大吸收(nm)  535    505    512    510    520    530    511    560光学常数在650nm；n*1 2.1    2.2    2.1    2.0    2.1    2.0    1.9    2.0
     k*2 0.10   0.10   0.09   0.10   0.10   0.08   0.09   0.08在635nm  n    2.4    2.5    2.4    2.4    2.5    2.3    2.2    2.2
     k    0.10   0.11   0.10   0.12   0.11   0.09   0.08   0.08在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    60     59     61     58     59     52     53     57错误率(％)    9      8      7      9      8      10     11     9调节振幅      0.67   0.68   0.68   0.66   0.66   0.68   0.67   0.66在635nm下复制反射率(％)    58     59     60     57     59     59     58     57错误率(％)    6      7      5      7      8      11     10     9调节振幅      0.70   0.71   0.69   0.68   0.68   0.64   0.62   0.63*1n；折射指数*2k；消光系数表2-5实施例        34     35     36     37    38      39     40    41式编号       2-21   2-22   2-23   3-2    3-3    3-4    3-5   3-6最大吸收(nm) 508    502    510    548    565    550    562   560光学常数在650nm；n*11.9    1.8    1.9    1.9    1.8    2.0    2.1   1.9
     k*20.06   0.05   0.05   0.06   0.05   0.07   0.08  0.07在635nm  n   2.1    2.2    2.0    2.1    2.2    2.1    2.1   2.2
     k   0.06   0.07   0.08   0.07   0.07   0.08   0.08  0.08在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)   52     53     50     49     54     52     51    50错误率(％)   11     10     10     9      9      8      10    10调节振幅     0.57   0.56   0.55   0.56   0.57   0.58   0.59  0.59在635nm下复制反射率(％)   50     49     51     52     53     54     54    52错误率(％)   10     10     9      9      10     9      11    10调节振幅     0.56   0.57   0.56   0.56   0.55   0.66   0.67  0.64*1n；折射指数*2k；消光系数表2-6实施例        42      43     44     45     46    47    48    49式编号        3-7    3-8    12-1   11-1   11-2  11-3  11-4  11-5最大吸收(nm)  530    528    580    576    585   592   580   580光学常数在650nm n*1  2.1    2.2    2.2    2.1    2.1   2.2   2.0   2.0
    k*2  0.05   0.06   0.04   0.06   0.07  0.05  0.06  0.06在635nm n     2.2    2.1    2.3    2.5    2.6   2.4   2.4   2.4
    k     0.07   0.08   0.06   0.10   0.12  0.13  0.10  0.10在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    53     51     58     59     61    59    60    60错误率(％)    9      10     9      9      9     10    11    11调节振幅      0.63   0.61   0.67   0.68   0.67  0.66  0.65  0.65在635nm下复制反射率(％)    54     53     57     58     57    56    57    57错误率(％)    9      8      9      8      9     8     8     8调节振幅      0.66   0.64   0.72   0.70   0.71  0.69  0.69  0.69*1n；折射指数*2k；消光系数表2-7实施例        50     51     52     53     54     55     56     57式编号       11-6   12-2   12-3   12-4   12-5   11-7   11-8   11-9最大吸收(nm) 582    610    590    605    575    580    578    570光学常数在650nm n*1 2.1    2.2    2.1    2.0    2.1    2.0    1.9    2.0
    k*2 0.09   0.10   0.09   0.10   0.10   0.08   0.09   0.08在635nm n    2.5    2.5    2.4    2.4    2.5    2.3    2.3    2.3
    k    0.10   0.11   0.10   0.12   0.11   0.09   0.08   0.08在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)   60     59     61     58     59     58     59     58错误率(％)   9      8      7      9      8      10     10     9调节振幅     0.67   0.68   0.68   0.66   0.66   0.68   0.67   0.66在635nm下复制反射率(％)   59     60     60     58     59     59     58     57错误率(％)   6      7      5      7      8      11     10     9调节振幅     0.69   0.71   0.69   0.68   0.68   0.64   0.62   0.63*1n；折射指数*2k；消光系数表2-8实施例         58      59      60     61      62     63      64    65式编号        11-10   12-6    12-7   12-8    12-9   12-10   4-1    4-2最大吸收(nm)  580     600     604    596     600    610     552    555光学常数在650nm  n*1 2.0     1.9     2.0    1.9     2.0    2.0     2.1    2.2
     k*2 0.06    0.05    0.05   0.06    0.05   0.07    0.04   0.04在635nm  n    2.1     2.2     2.2    2.1     2.2     2.1    2.3    2.3
     k    0.06    0.07    0.08   0.07    0.07    0.08   0.06   0.06在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    52      53      50     52      54      52     56     55错误率(％)    11      10      10     9       9       8      9      10调节振幅      0.57    0.56    0.55   0.56    0.57    0.58   0.63   0.61在635nm下复制反射率(％)    50      49      51     52      53      54     54     54错误率(％)    10      10      9      9       10      9      12     12调节振幅      0.56    0.57    0.56   0.56    0.55    0.66   0.63   0.64*1n；折射指数*2k；消光系数表2-9实施例        66     67    68    69    70    71     72     73式编号        4-3   4-4    4-5   4-6   4-7   4-8    4-9   4-10最大吸收(nm)  552   556    561   562   558   581    560   561光学常数在650nm n*1  2.2   2.1    2.1   2.1   2.0   2.1    2.2   2.1
    k*2  0.04  0.05   0.07  0.04  0.06  0.04   0.05  0.04在635nm n     2.2   2.6    2.5   2.3   2.5   2.1    2.3   2.5
    k     0.06  0.11   0.12  0.12  0.10  0.05   0.06  0.06在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    60    58     60    61    59    55     57    55错误率(％)    9     9      8     10    10    9      10    10调节振幅      0.65  0.68   0.66  0.67  0.65  0.62   0.61  0.61在635nm下复制反射率(％)    56    58     58    56    56    56     55    55错误率(％)    10    10     9     8     9     12     11    13调节振幅      0.71  0.70   0.70  0.69  0.68  0.61   0.62  0.64*1n；折射指数*2k；消光系数表2-10实施例         74     75     76    77    78    79     80    81式编号        4-11   4-12   4-13  4-14  4-15   447    448   4-51最大吸收(nm)  567    570    570   568   566    565    568   580光学常数在650nm  n*1 2.2    2.0    2.3   2.2   2.0    2.3    2.2   2.3
     k*2 0.03   0.06   0.06  0.05  0.05   0.06   0.05  0.05在635nm  n    2.3    2.7    2.6   2.4   2.6    2.6    2.4   2.6
     k    0.05   0.10   0.12  0.12  0.11   0.12   0.12  0.11在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    58     59     60    59    61     60     59    61错误率(％)    9      8      9     10    10     9      10    10调节振幅      0.65   0.69   0.67  0.65  0.64   0.67   0.65  0.64在635nm下复制反射率(％)    57     60     57    56    58     57     56    58错误率(％)    9      8      9     8     8      9      8     8调节振幅      0.71   0.69   0.71  0.67  0.69   0.71   0.67  0.69*1n；折射指数*2k；消光系数表2-11实施例         82     83     84    85    86     87     88     89式编号        5-1    5-1    5-3    54    5-5    5-6    5-7    5-8最大吸收(nm)  576    584    578    580   589    575    573    573光学常数在650nm  n*1 2.2    2.2    22     2.3   2.1    2.2    2.2    2.0
     k*2 0.05   0.04   0.06   0.04  0.05   0.07   0.07   0.06在635nm  n    2.4    2.3    2.3    2.4   2.5    2.6    2.3    2.4
     k    0.07   0.06   0.05   0.06  0.10   0.11   0.11   0.10在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    57     57     56     60    59     61     61     60错误率(％)    9      11     11     10    9      8      8      11调节振幅      0.62   0.62   0.60   0.69  0.68   0.67   0.65   0.65在635nm下复制反射率(％)    53     55     58     55    58     60     56     58错误率(％)    9      11     13     9     10     9      8      6调节振幅      0.62   0.62   0.64   0.71  0.69   0.71   0.70   0.69*1n；折射指数*2k；消光系数表2-12实施例        90     91    92     93     94      95    比较例1  比较例2式编号        5-9   5-10  5-11   5-12   5-13    5-14   NK2929   NK79最大吸收(nm)  575   573   579    577    579     576    640      550光学常数在650nm  n*1 2.3   2.2   2.0    2.2    2.1     2.2    1.9      2.1
     k*2 0.05  0.04  0.06   0.04   0.05    0.07   1.35     0.08在635nm  n    2.4   2.3   2.2    2.3    2.4     2.6    1.8      2.3
     k    0.05  0.06  0.06   0.05   0.11    0.06   1.30     0.10在635nm处录制信号的复制性质在650nm下复制反射率(％)    55    57    59     58     59      60     9        56错误率(％)    8     9     11     10     9       8      3000     550调节振幅      0.63  0.64  0.60   0.66   0.68    0.65   0.13     0.35在635nm下复制反射率(％)    52    55    54     57     60      57     9        60错误率(％)    12    10    13     11     8       10     2500     350调节振幅      0.62  0.62  0.65   0.67   0.70    0.69   0.15     0.38*1n；折射指数*2k；消光系数
实施例96
在氮气氛下，将4.8g1-甲酰-3-苯基异吲哚和2.3g2，4-二甲基吡咯溶解在500ml乙醇中，向其中滴加4.1g47％的氢溴酸，然后在回流温度下搅拌2小时。在溶液冷却至室温之后，经过滤收集沉淀的晶体，然后用乙醇和水洗涤，得到6.5g由下式(1-a)表示的化合物：
Figure A9711807100481
接着将由式(1-a)表示的2.8g化合物溶解在600ml乙醇中，向其中加入1.8g乙酸钴四水合物，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到0.8g由式(4-1)表示的化合物：
元素分析结果(C42H34N4Co)
            C     H    N计算值(％)    77.17   5.24  8.57试验值(％)    78.50   5.76  8.69MS(m/e)：    654(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在545nm处有最大吸收，和具有克消光系数为1.46×105ml/g·cm。
实施例97
在氮气氛下，将5.5g1-甲酰-3-(4-甲氧基苯基)异吲哚2.3g2，4-二甲基吡咯溶解在500ml乙醇中，向其中滴加4.2g47％的氢溴酸，然后在同流温度下搅拌2小时。在溶液冷却至室温之后，经过滤收集沉淀的晶体，然后用乙醇和水洗涤，得到6.4g由下式(1-b)表示的化合物：
Figure A9711807100491
接着将由式(1-b)表示的3.0g化合物溶解在700ml乙醇中，向其中加入2.0g乙酸钴四水合物，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到1.1g由式(4-2)表示的化合物：
Figure A9711807100492
元素分析结果(C44H38N4Co)
            C    H    N计算值(％)    77.52  5.62  8.22试验值(％)    76.91  5.60  8.19MS(m/e)：     682(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在547nm处有最大吸收，和具有克消光系数为1.20×105ml/g·cm。
实施例98将式(1-a)表示的2.8g化合物溶解在500ml乙醇中，向其中加入1.5g乙酸锌，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到1.6g由式(4-3)表示的化合物：
Figure A9711807100493
由以下分析结果确认得到的产物是所需化合物。
元素分析结果(C42H34N4Zn)
            C     H   N计算值(％)    76.42  5.19  8.49试验值(％)    76.58  5.59  8.71MS(m/e)：     660(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在545nm处有最大吸收，和具有克消光系数为2.01×105ml/g·cm。
实施例99
在氮气氛下，将5.0g1-甲酰-3-(4-叔丁基苯基硫)异吲哚和1.7g2，4-二甲基吡咯溶解在500ml乙醇中，向其中滴加3.1g47％的氢溴酸，然后在回流温度下搅拌2小时。在溶液冷却至室温之后，经过滤收集沉淀的晶体，然后用乙醇和水洗涤，得到3.9g由下式(1-c)表示的化合物：
Figure A9711807100501
接着将由式(1-c)表示0.5g化合物溶解在150ml乙醇中，向其中加入0.3g乙酸钴四水合物，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到0.4g由式(4-4)表示的化合物：由以下分析结果确认得到的产物是所需化合物。
元素分析结果(C50H50N4S2Co)
            C     H   N计算值(％)    72.35  6.07  6.75试验值(％)    71.16  6.06  6.59MS(m/e)：830(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在550nm处有最大吸收，和具有克消光系数为1.24×105ml/g·cm。
实施例100
在氮气氛下，将4.8gl-甲酰-3-苯基异吲哚和2.9g2，4-二甲基-3-乙基吡咯溶解在600ml乙醇中，向其中滴加4.1g47％的氢溴酸，然后在回流温度下搅拌2小时。在溶液冷却至室温之后，经过滤收集沉淀的晶体，然后用乙醇和水洗涤，得到6.8g由下式(1-d)表示的化合物：
Figure A9711807100511
接着将由式(1-d)表示2.8g化合物溶解在700m1乙醇中，向其中加入1.9g乙酸钴四水合物，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到1.7g由式(4-5)表示的化合物：
Figure A9711807100512
元素分析结果(C46H42N4Co)
            C    H    N计算值(％)    77.84  5.96  7.89试验值(％)    77.60  6.03  7.91MS(m/e)：710(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在555nm处有最大吸收，和具有克消光系数为1.47×105ml/g·cm。
实施例101
将由式(1-d)表示2.8g化合物溶解在700ml乙醇中，向其中加入1.4g乙酸锌，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到2.1g由式(4-6)表示的化合物：
Figure A9711807100521
由以下分析结果确认得到的产物是所需化合物。
元素分析结果(C46H42N4Zn)
            C    H    N计算值(％)    77.14  5.91  7.82试验值(％)    76.96  6.01  8.31MS(m/e)：716(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在554nm处有最大吸收，和具有克消光系数为1.83×105ml/g·cm。
实施例102
将由式(1-c)表示0.9g化合物溶解在200ml乙醇中，向其中加入0.4g乙酸锌，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到0.7g由式(4-7)表示的化合物：由以下分析结果确认得到的产物是所需化合物。
元素分析结果(C50H50N4S2Zn)
            C    H    N计算值(％)    71.79  6.02  6.70试验值(％)    71.25  5.92  6.43MS(m/e)：837(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在550nm处有最大吸收，和具有克消光系数为2.33×105ml/g·cm。
实施例103
将2.0g由式(1-c)表示的化合物和0.4g***溶解在300ml乙醇中，接着在回流温度下搅拌7小时。在溶液冷却至室温后，加入300ml水和5grhodefine，经过滤收集沉淀的晶体，然后用水洗涤。过滤的凝聚物溶解100ml氯仿中，在室温下滴加含0.7g溴的氯仿溶液。在室温下搅拌10分钟后，浓缩溶液，用柱色谱(硅胶-甲醇∶氯仿＝1∶20)提纯，得到1.4g由式(1-e)表示的化合物：
接着将由式(1-e)表示的1.0g化合物溶解在300ml乙醇中，向其中加入0.4g乙酸铜，然后在回流温度下搅拌2小时。冷却后，经过滤收集沉淀的晶体，用水洗涤，用乙醇重结晶得到0.5g由式(4-8)表示的化合物：
Figure A9711807100532
由以下分析结果确认得到的产物是所需化合物。
元素分析结果(C52H48N6S2Cu)
            C    H    N计算值(％)    70.60  5.47  9.50试验值(％)    71.21  5.39  9.46MS(m/e)：885(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在574nm处有最大吸收，和具有克消光系数为1.12×105ml/g·cm。
实施例104
将由式(1-a)表示的2.0g化合物溶解在50ml二氯甲烷中，向其中加入1.4gN，N-二异丙基乙基胺，然后在室温下搅拌30分钟。之后，加入1.6g三氟化硼***配合物，接着搅拌2小时。用水洗涤后，蒸馏出二氯甲烷，溶液用柱色谱(硅胶-甲醇∶氯仿＝1∶20)提纯，得到0.9g由式(5-1)表示的化合物：
Figure A9711807100541
由以下分析结果确认得到的产物是所需化合物。
元素分析结果(C21H17N2BF2)
            C    H    N计算值(％)    72.86  4.95  8.09试验值(％)    72.23  5.17  7.99MS(m/e)：346(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在569nm处有最大吸收，和具有克消光系数为2.26×105ml/g·cm。
实施例105
将由式(1-b)表示的2.0g化合物溶解在50ml二氯甲烷中，向其中加入1.4gN，N-二异丙基乙基胺，然后在室温下搅拌30分钟。之后，加入1.5g三氟化硼***配合物，接着搅拌2小时。用水洗涤后，蒸馏出二氯甲烷，溶液用柱色谱(硅胶-甲醇∶氯仿＝1∶20)提纯，得到0.8g由式(5-2)表示的化合物：
Figure A9711807100542
由以下分析结果确认得到的产物是所需化合物。
元素分析结果(C22H19N2OBF2)
            C     H    N计算值(％)    70.24  5.09  7.45试验值(％)    70.54  5.32  7.41MS(m/e)：376(M+)
这样得到的化合物表明在氯仿溶液中在576nm处有最大吸收，和具有克消光系数为2.13×105ml/g·cm。

Claims (8)

1.一种在底物上具有至少一个记录层和一个反射层的光学记录介质，所说的记录层含有由通式(1)表示的亚甲基二吡咯化合物和金属离子得到的亚甲基二吡咯金属螯合物，
Figure A9711807100021
其中R1-R7每个独立的是氢原子、卤原子、硝基、氰基、羟基、氨基、羧基、磺酸基、具有1-20个碳原子的烷基、具有1-20个碳原子的的卤代烷基、具有1-20个碳原子的烷氧基、具有2-20个碳原子的链烯基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷氧基、具有6-20个碳原子的的芳氧基、具有1-20个碳原子的酰基、具有2-20个碳原子的烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的烷基氨基羰基、具有3-20个碳原子的二烷基氨基羰基、具有2-20个碳原子的烷基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基氨基羰基、具有7-20个碳原子的苯氧基羰基、具有7-20个碳原子的芳烷基、具有6-20个碳原子的芳基、具有5-20个碳原子的杂芳基、具有1-20个碳原子的烷硫基、具有6-20个碳原子的苯硫基、具有3-20个碳原子的链烯基氧基羰基、具有8-20个碳原子的芳烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷氧基羰基烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷基羰基烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的单(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的二(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的单(烷氧基烷基)氨基羰基或具有5-20个碳原子的二(烷氧基烷基)氨基羰基；R2和R3和/或R5和6可以彼此键合形成与吡咯环稠合的芳环；由这些基团形成的稠合的芳环可以相同或不同，它们是由式(a)表示的：
Figure A9711807100022
其中R8-R11每个独立的是氢原子、卤原子、硝基、氰基、羟基、氨基、羧基、磺酸基、具有1-20个碳原子的烷基、具有1-20个碳原子的的卤代烷基、具有1-20个碳原子的烷氧基、具有2-20个碳原子的链烯基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷基、具有2-20个碳原子的烷氧基烷氧基、具有6-20个碳原子的的芳氧基、具有1-20个碳原子的酰基、具有2-20个碳原子的烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的烷基氨基羰基、具有3-20个碳原子的二烷基氨基羰基、具有2-20个碳原子的烷基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基羰基氨基、具有7-20个碳原子的苯基氨基羰基、具有7-20个碳原子的苯氧基羰基、具有7-20个碳原子的芳烷基、具有6-20个碳原子的芳基、具有5-20个碳原子的杂芳基、具有1-20个碳原子的烷硫基、具有6-20个碳原子的苯硫基、具有3-20个碳原子的链烯基氧基羰基、具有8-20个碳原子的芳烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷氧基羰基烷氧基羰基、具有4-20个碳原子的烷基羰基烷氧基羰基、具有2-20个碳原子的单(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的二(羟烷基)氨基羰基、具有3-20个碳原子的单(烷氧基烷基)氨基羰基或具有5-20个碳原子的二(烷氧基烷基)氨基羰基；R10和R11可以彼此键合形成芳环。
2.根据权利要求1的光学记录介质，其中亚甲基二吡咯金属螯合物是由式(2)表示的化合物：
Figure A9711807100031
其中R1-R7同以上定义；M是过渡金属。
3.根据权利要求1的光学记录介质，其中亚甲基二吡咯金属螯合物是由式(3)表示的化合物：其中R1-R7同以上定义。
4.根据权利要求1-3的任一项的光学记录介质，其是可用选自波长520-690nm的激光录制和复制的。
5.根据权利要求1-3的任一项的光学记录介质，其中在激光波长下，记录层的折射指数是1.8或更多，记录层的消光指数为0.04-0.40。
6.根据权利要求1-3的任一项的光学记录介质，其中从底物的侧面测定，选自波长520-690nm的激光的反射率是20％或更多。
7.由式(4)表示的亚甲基二吡咯螯合物：其中R1-R4和R7-R11同以上定义；M是过渡元素；但R2和R3不形成芳环。
8.由以下通式(5)表示的亚甲基二吡咯金属螯合物：其中R1-R4和R7-R11同以上定义；但R2和R3不形成芳环。
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Applicant after: Mitsui Chemical Industry Co., Ltd.

Applicant before: Mitsui Toatsu Chem. Inc.

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Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: MITSUI TOATSU CHEMICALS, LTD. TO: MITSUI CHEMICALS, INC.

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