CN117497401A - 一种晶圆背面清洗方法和装置 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 222
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 85
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000003020 moisturizing effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 394
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 17
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 206010024796 Logorrhoea Diseases 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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Abstract
本发明提供了一种晶圆背面清洗方法和装置,所述晶圆背面清洗方法包括:将晶圆吸附在晶圆承载台上;晶圆背面的第一喷嘴向晶圆背面喷洒清洗液,同时所述晶圆承载台控制晶圆转动;移动清洗刷,使所述清洗刷接触晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,以清洗晶圆背面的周侧区域;晶圆背面的周侧区域清洗完成后,晶圆移动装置将晶圆输送至所述清洗刷上,使所述清洗刷的中心与晶圆的中心对准;所述清洗刷转动清洗晶圆背面的中心区域;晶圆背面的中心区域清洗完成后,所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述晶圆承载台上,使所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准;将清洗完成的晶圆取出。本发明解决了不便于清洗晶圆背面的中心区域的问题。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆技术领域,具体而言,涉及一种晶圆背面清洗方法和装置。
背景技术
晶圆清洗,指的是在晶圆的湿法刻蚀、加工过程中,通过溶剂或清洗剂等对晶圆表面进行清洗,以去除晶圆表面的杂物的过程。
现有技术中,针对晶圆表面的清洗过程,通常是采用清洗剂冲洗晶圆表面以去除掉晶圆表面残余的加工材料、药剂等,比如光刻胶等。清洗晶圆背面时,由于晶圆需要固定在晶圆承载台上,因此不便于清洗晶圆背面的中心区域。
发明内容
本发明解决的问题是不便于清洗晶圆背面的中心区域。
为解决上述问题,本发明提供一种晶圆背面清洗方法,所述晶圆背面清洗方法包括:将晶圆吸附在晶圆承载台上;晶圆背面的第一喷嘴向晶圆背面喷洒清洗液,同时所述晶圆承载台控制晶圆转动;移动清洗刷,使所述清洗刷接触晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,以清洗晶圆背面的周侧区域;晶圆背面的周侧区域清洗完成后,晶圆移动装置将晶圆输送至所述清洗刷上,使所述清洗刷的中心与晶圆的中心对准;所述清洗刷转动清洗晶圆背面的中心区域;晶圆背面的中心区域清洗完成后,所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述晶圆承载台上,使所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准;将清洗完成的晶圆取出。
采用该技术方案后所达到的技术效果:晶圆吸附在晶圆承载台上,晶圆能够随晶圆承载台稳定的转动,在清洗液的冲洗下,实现晶圆背面周侧区域的均匀冲洗;清洗刷辅助刷洗晶圆背面的周侧区域,进一步提高清洗的效果;而将晶圆从晶圆承载台上取出,便于对晶圆背面的中心区域进行清洗,也避免清洗晶圆背面的中心区域时,清洗液大量处于晶圆承载台的顶面,或进入抽真空口或影响晶圆承载台底部的旋转装置,因此保证晶圆承载台的正常运转;将晶圆的中心与清洗刷的中心对准,清洗刷无需移动,且可以实现对晶圆的中心区域的高效清洗。
进一步的,所述移动清洗刷,使所述清洗刷接触晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,具体包括:驱动装置控制所述清洗刷移动,将所述清洗刷从保湿装置下方移动至所述晶圆背面靠近晶圆边缘的位置。
采用该技术方案后所达到的技术效果:保湿装置可以保持清洗刷的湿润状态,使得清洗刷在接触晶圆背面后可以直接进行旋转清洗时,即使清洗液的喷射和清洗刷的转动存在时差,晶圆也不会被清洗刷磨损。
进一步的,所述晶圆背面的周侧区域清洗完成后,所述晶圆背面清洗方法还包括:增大晶圆承载台转速并持续运行t1时间后,所述晶圆承载台停止转动。
采用该技术方案后所达到的技术效果:增大晶圆承载台的转速,可以快速除去位于晶圆背面周侧区域的残余液珠,甩干晶圆,排出液珠携带的废弃物;并且,在晶圆移动装置托起晶圆时,也不会有周侧区域的残余液珠滴落在晶圆承载台的顶面甚至进入晶圆承载台的抽真空口内,因此保证晶圆承载台的正常运作。
进一步的,所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述清洗刷上,使所述清洗刷的中心与晶圆的中心对准,具体包括:所述晶圆移动装置与晶圆的背面接触,并吸附晶圆背面;所述晶圆承载台解除对晶圆的吸附;所述晶圆移动装置将晶圆托举输送至所述清洗刷上,使所述清洗刷的中心与晶圆的中心对准后,控制晶圆的背面与所述清洗刷接触。
采用该技术方案后所达到的技术效果:晶圆移动装置通过吸附的方式可以稳定连接晶圆,吸附晶圆背面时可以进一步支撑晶圆,从而更稳定地搬运晶圆。
进一步的,所述晶圆背面的第一喷嘴向晶圆背面喷洒清洗液,同时所述晶圆承载台控制晶圆转动,同时,所述晶圆背面清洗方法还包括:气幕装置向晶圆背面距离晶圆中心L1距离的范围喷射干燥气体,以维持晶圆背面的中心区域的干燥环境。
采用该技术方案后所达到的技术效果:气幕装置可以对晶圆背面距离晶圆中心L1距离的范围保持干燥,吹走液体,避免清洗液等液体进入晶圆承载台中心的抽真空口内。
进一步的,所述晶圆背面的中心区域清洗完成后,所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述晶圆承载台上,使所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准,具体包括:所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述晶圆承载台上,在所述晶圆移动装置的移动过程中,气幕装置持续向晶圆背面喷射干燥气体,直到所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准。
采用该技术方案后所达到的技术效果:在晶圆移动装置的移动过程中,气幕装置可以对晶圆背面已清洗的中心区域进行吹干,吹走残余废液,避免晶圆输送到晶圆承载台时晶圆背面还留有液体导致液体进入晶圆承载台的抽真空孔。
进一步的,所述将清洗完成的晶圆取出,具体包括:所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准后,顶针组件顶起晶圆,使晶圆的背面与所述晶圆移动装置分离,机械手将晶圆取出。
采用该技术方案后所达到的技术效果:顶针可以快速分离晶圆和晶圆移动装置,使晶圆脱离被吸附的状态,并且顶针可以保持晶圆的平稳,机械手无需较大的力即可取走晶圆,避免晶圆夹碎。
进一步的,所述晶圆背面清洗装置用于实现如上述任一技术方案所述的晶圆背面清洗方法,其中,所述晶圆背面清洗装置包括:晶圆承载台,所述晶圆承载台用于承载和吸附晶圆,并控制晶圆转动;第一喷嘴,所述第一喷嘴设于所述晶圆承载台的周侧,用于向晶圆背面喷洒清洗液;清洗刷,所述清洗刷位于所述晶圆承载台的一侧;驱动装置,所述驱动装置用于控制清洗刷移动或转动;晶圆移动装置,所述晶圆移动装置位于所述晶圆承载台的至少一侧,用于控制承载或吸附晶圆,并控制晶圆在所述晶圆承载台和所述清洗刷之间移动。
采用该技术方案后所达到的技术效果:晶圆背面清洗装置可以实现晶圆背面清洗方法,并达到上述一个或多个技术效果;具体而言,晶圆背面清洗装置通过晶圆承载台固定晶圆后可以控制晶圆转动,从而便于接触第一喷嘴喷射清洗液以及接触清洗刷,提高晶圆背面周侧区域的清洗效果;晶圆移动装置将晶圆吸附并移动至清洗刷,清洗刷对晶圆背面的中心区域进行清洗,从而完成对晶圆全面的清洗,避免清洗中心区域时清洗的废液进入。
进一步的,所述晶圆背面清洗装置还包括:接液槽,所述接液槽位于所述清洗刷下方;其中,当驱动装置控制所述清洗刷移动至晶圆背面的周侧时,或所述晶圆通过晶圆移动装置移动至所述清洗刷上方时,所述清洗刷始终位于所述接液槽上方。
采用该技术方案后所达到的技术效果:接液槽用于接收清洗刷刷洗晶圆背面时滴落的废液;当清洗刷刷洗晶圆周侧区域时,清洗刷位于接液槽上方,相应的,晶圆背面被刷洗的一侧也位于接液槽上方,因此可以更好地接收废液;当清洗刷刷洗晶圆背面的中心区域时,晶圆背面的中心移动至清洗刷上方,晶圆背面的中心也在接液槽的上方,因此清洗后的废液也能够进入接液槽中收集,避免废液污染晶圆承载台的抽真空口或晶圆承载台底部的旋转装置。
进一步的,所述晶圆背面清洗装置还包括:气幕装置,所述气幕装置位于所述晶圆承载台的底部或周侧,用于向周向喷出干燥气体,使晶圆的背面的至少部分保持干燥。
采用该技术方案后所达到的技术效果:清洗晶圆周侧区域时,气幕装置可以对晶圆背面中心区域进行干燥,阻挡清洗液等液体进入晶圆承载台中心的抽真空口内;在晶圆移动装置的移动过程中,气幕装置可以对晶圆背面已清洗的中心区域进行吹干,吹走残余废液。
综上所述,本申请上述各个技术方案可以具有如下一个或多个优点或有益效果:i)清洗刷辅助刷洗晶圆背面的周侧区域,结合清洗液能够进一步提高清洗的效果;ii)将晶圆从晶圆承载台上取出,便于对晶圆背面的中心区域进行清洗,也避免清洗晶圆背面的中心区域时,清洗液大量处于晶圆承载台的顶面,或进入抽真空口或影响晶圆承载台底部的旋转装置,因此保证晶圆承载台的正常运转;iii)气幕装置可以对晶圆背面中心区域进行干燥,阻挡清洗液等液体进入晶圆承载台中心的抽真空口内,也可以对晶圆背面已清洗的中心区域进行吹干,吹走残余废液。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种晶圆背面清洗方法的流程图;
图2为本发明实施例提供的一种晶圆背面清洗装置的结构示意图;
图3为图2中晶圆背面清洗装置的内部结构示意图;
图4为图2中晶圆移动装置的结构示意图;
图5为图2中清洗刷的结构示意图;
图6为图2中晶圆承载台的剖视图。
附图标记说明:
100-晶圆背面清洗装置;110-晶圆承载台;111-抽真空口;120-第一喷嘴;130-清洗刷;140-驱动装置;150-晶圆移动装置;151-直线运动组件;152-支撑托盘;153-挡液罩;160-接液槽;170-气幕装置;171-内板;172-外板;173-气幕通道;180-外壳;181-侧板;182-顶板;190-保湿装置;210-晶圆正面清洗喷嘴;220-接液盒。
具体实施方式
本发明的目的在于提供一种晶圆背面清洗方法,用于实现方便清洗晶圆背面的中心区域的效果。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
参见图1-图6,本发明实施例提供一种晶圆背面清洗方法,晶圆背面清洗方法包括:
将晶圆吸附在晶圆承载台上;
晶圆背面的第一喷嘴向晶圆背面喷洒清洗液,同时晶圆承载台控制晶圆转动;
移动清洗刷,使清洗刷接触晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,以清洗晶圆背面的周侧区域;
晶圆背面的周侧区域清洗完成后,晶圆移动装置将晶圆输送至清洗刷上,使清洗刷的中心与晶圆的中心对准;
清洗刷转动清洗晶圆背面的中心区域;
晶圆背面的中心区域清洗完成后,晶圆移动装置将晶圆输送至晶圆承载台上,使晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准;
将清洗完成的晶圆取出。
在本实施例中,晶圆吸附在晶圆承载台上,晶圆能够随晶圆承载台稳定的转动,在清洗液的冲洗下,实现晶圆背面周侧区域的均匀冲洗;清洗刷辅助刷洗晶圆背面的周侧区域,进一步提高清洗的效果;而将晶圆从晶圆承载台上取出,便于对晶圆背面的中心区域进行清洗,也避免清洗晶圆背面的中心区域时,清洗液大量处于晶圆承载台的顶面,或进入抽真空口或影响晶圆承载台底部的旋转装置,因此保证晶圆承载台的正常运转;将晶圆的中心与清洗刷的中心对准,清洗刷无需移动,且可以实现对晶圆的中心区域的高效清洗。
在一个具体的实施例中,移动清洗刷,使清洗刷接触晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,具体包括:驱动装置控制清洗刷移动,将清洗刷从保湿装置下方移动至晶圆背面靠近晶圆边缘的位置。
需要说明的是,保湿装置可以保持清洗刷的湿润状态,使得清洗刷在接触晶圆背面后可以直接进行旋转清洗时,即使清洗液的喷射和清洗刷的转动存在时差,晶圆也不会被清洗刷磨损。
优选的,清洗刷具有刷毛,保湿装置底部具有容纳刷毛的开口,清洗刷的刷毛伸入该开口内能够实现湿润状态。驱动装置例如通过升降的方式使清洗刷的刷毛伸入或退出保湿装置的开口,例如通过旋转臂或平移的方式将清洗刷移动至晶圆背面靠近晶圆边缘的位置。
优选的,清洗刷的刷毛沿径向分布,并通过旋转的方式在晶圆背面的周侧区域刷洗,从而实现扇形刷洗,提高清洗的效率。
优选的,清洗晶圆背面的周侧区域同时,还可以对晶圆的正面进行清洗,具体而言,晶圆正面清洗喷嘴先通过喷嘴升降装置从接液盒中吸取清洗液,再通过转动臂转动至晶圆承载台上方,对晶圆的正面喷洒清洗液,从而实现晶圆的双面清洗。
在一个具体的实施例中,晶圆背面的周侧区域清洗完成后,晶圆背面清洗方法还包括:增大晶圆承载台转速并持续运行t1时间后,晶圆承载台停止转动。
需要说明的是,增大晶圆承载台的转速,可以快速除去位于晶圆背面周侧区域的残余液珠,甩干晶圆,排出液珠携带的废弃物;并且,在晶圆移动装置托起晶圆时,也不会有周侧区域的残余液珠滴落在晶圆承载台的顶面甚至进入晶圆承载台的抽真空口内,因此保证晶圆承载台的正常运作。
其中,t1的取值范围为2.5s到5s。
在一个具体的实施例中,晶圆移动装置将晶圆输送至清洗刷上,使清洗刷的中心与晶圆的中心对准,具体包括:晶圆移动装置与晶圆的背面接触,并吸附晶圆背面;晶圆承载台解除对晶圆的吸附;晶圆移动装置将晶圆托举输送至清洗刷上,使清洗刷的中心与晶圆的中心对准后,控制晶圆的背面与清洗刷接触。
需要说明的是,晶圆移动装置通过吸附的方式可以稳定连接晶圆,吸附晶圆背面时可以进一步支撑晶圆,从而更稳定地搬运晶圆。
优选的,晶圆移动装置至少能够支撑于晶圆的相对两侧,并向晶圆承载台的一侧平移,从而经晶圆搬运至清洗刷上方。
在一个具体的实施例中,晶圆背面的第一喷嘴向晶圆背面喷洒清洗液,同时晶圆承载台控制晶圆转动,同时,晶圆背面清洗方法还包括:气幕装置向晶圆背面距离晶圆中心L1距离的范围喷射干燥气体,以维持晶圆背面的中心区域的干燥环境。
需要说明的是,气幕装置可以对晶圆背面距离晶圆中心L1距离的范围保持干燥,吹走液体,避免清洗液等液体进入晶圆承载台中心的抽真空口内。
其中,L1的取值范围为50mm至150mm。
在一个具体的实施例中,晶圆背面的中心区域清洗完成后,晶圆移动装置将晶圆输送至晶圆承载台上,使晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准,具体包括:晶圆移动装置将晶圆输送至晶圆承载台上,在晶圆移动装置的移动过程中,气幕装置持续向晶圆背面喷射干燥气体,直到晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准。
需要说明的是,在晶圆移动装置的移动过程中,气幕装置可以对晶圆背面已清洗的中心区域进行吹干,吹走残余废液,避免晶圆输送到晶圆承载台时晶圆背面还留有液体导致液体进入晶圆承载台的抽真空孔。
在一个具体的实施例中,将清洗完成的晶圆取出,具体包括:晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准后,顶针组件顶起晶圆,使晶圆的背面与晶圆移动装置分离,机械手将晶圆取出。
需要说明的是,顶针可以快速分离晶圆和晶圆移动装置,使晶圆脱离被吸附的状态,并且顶针可以保持晶圆的平稳,机械手无需较大的力即可取走晶圆,避免晶圆夹碎。
参见图2-图6,本发明实施例还提供一种晶圆背面清洗装置100用于实现如上述任一技术方案的晶圆背面清洗方法,其中,晶圆背面清洗装置100包括:晶圆承载台110,晶圆承载台110用于承载和吸附晶圆,并控制晶圆转动;第一喷嘴120,第一喷嘴120设于晶圆承载台110的周侧,用于向晶圆背面喷洒清洗液;清洗刷130,清洗刷130位于晶圆承载台110的一侧;驱动装置140,驱动装置140用于控制清洗刷130移动或转动;晶圆移动装置150,晶圆移动装置150位于晶圆承载台110的至少一侧,用于控制承载或吸附晶圆,并控制晶圆在晶圆承载台110和清洗刷130之间移动。
需要说明的是,晶圆背面清洗装置100可以实现晶圆背面清洗方法,并达到上述一个或多个技术效果;具体而言,晶圆背面清洗装置100通过晶圆承载台110固定晶圆后可以控制晶圆转动,从而便于接触第一喷嘴120喷射清洗液以及接触清洗刷130,提高晶圆背面周侧区域的清洗效果;晶圆移动装置150将晶圆吸附并移动至清洗刷130,清洗刷130对晶圆背面的中心区域进行清洗,从而完成对晶圆全面的清洗,避免清洗中心区域时清洗的废液进入。
优选的,晶圆承载台110中心具有抽真空口111,用于抽出空气使晶圆固定在晶圆承载台110上。
优选的,晶圆承载台110底部设有旋转电机,实现晶圆承载台110与晶圆的转动,提高清洗效果。
优选的,晶圆背面清洗装置100还包括晶圆正面清洗喷嘴210和接液盒220,晶圆正面清洗喷嘴210位于晶圆承载台110一侧,晶圆正面清洗喷嘴210通过喷嘴升降装置从接液盒220中吸取清洗液,再通过转动臂转动至晶圆承载台上方,对晶圆的正面喷洒清洗液,从而实现晶圆的双面清洗。
优选的,晶圆背面清洗装置100还包括外壳180,外壳180具有相对的两个侧板181,其中,晶圆移动装置150包括相对设置的两个直线运动组件151和支撑托盘152,每个侧板181与一个直线运动组件151滑动连接,支撑托盘152固定于直线运动组件151朝向晶圆支撑台的一侧,支撑托盘152用于支撑并吸附晶圆背面。
在一个具体的实施例中,直线运动组件151例如包括直线导轨,直线导轨用于限定支撑托盘152的方向,直线运动组件151例如还包括同步带组件或丝杆组件,用于驱动支撑托盘152进行直线运动。
进一步的,直线运动组件151例如还包括:挡液罩153,挡液槽相对的两侧连接支撑托盘152;清洗晶圆背面的周侧区域时,挡液罩153围绕晶圆承载台110,实现挡液,当清洗刷130转动清洗晶圆背面的中心区域时,挡液罩153随支撑托盘152移动,直到围绕清洗刷130,实现挡液。
在一个具体的实施例中,晶圆背面清洗装置100还包括:接液槽160,接液槽160位于清洗刷130下方;其中,当驱动装置140控制清洗刷130移动至晶圆背面的周侧时,或晶圆通过晶圆移动装置150移动至清洗刷130上方时,清洗刷130始终位于接液槽160上方。
需要说明的是,接液槽160用于接收清洗刷130刷洗晶圆背面时滴落的废液;当清洗刷130刷洗晶圆周侧区域时,清洗刷130位于接液槽160上方,相应的,晶圆背面被刷洗的一侧也位于接液槽160上方,因此可以更好地接收废液;当清洗刷130刷洗晶圆背面的中心区域时,晶圆背面的中心移动至清洗刷130上方,晶圆背面的中心也在接液槽160的上方,因此清洗后的废液也能够进入接液槽160中收集,避免废液污染晶圆承载台110的抽真空口111或晶圆承载台110底部的旋转装置。
在一个具体的实施例中,晶圆背面清洗装置100还包括:保湿装置190;外壳180还包括顶板182,保湿装置190固定于顶板182,并位于接液槽160上方。其中,清洗刷130与保湿装置190配合,可以保持清洗刷130的湿润状态,驱动装置140控制清洗刷130移动,将清洗刷130从保湿装置190下方移动至晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,对晶圆边缘进行清洗,可以减小清洗刷130和晶圆之间的摩擦,避免晶圆背面磨损。
优选的,清洗刷130具有至少一组径向排布的刷毛,保湿装置190底部具有容纳刷毛的开口,开口与刷毛的分布方式匹配,便于所有刷毛通过驱动装置140的移动,可以全部进入保湿装置190的开口中进行浸润。
在一个具体的实施例中,驱动装置140包括:清洗刷转动件,清洗刷升降件和清洗刷移动件,其中,清洗刷转动件例如为电机或电机结合皮带轮组件,用于控制清洗刷130转动清洗;清洗刷升降件例如为升降的气缸,用于控制清洗刷130接触或分离保湿装置190;清洗刷移动件例如为电机和摆臂的结构,用于将清洗刷130从保湿装置190下方移动到靠近晶圆承载台110的位置,或复位至保湿装置190下方。
在一个具体的实施例中,晶圆背面清洗装置100还包括:气幕装置170,气幕装置170位于晶圆承载台110的底部或周侧,用于向周向喷出干燥气体,使晶圆的背面的至少部分保持干燥。
需要说明的是,清洗晶圆周侧区域时,气幕装置170可以对晶圆背面中心区域进行干燥,阻挡清洗液等液体进入晶圆承载台110中心的抽真空口111内;在晶圆移动装置150的移动过程中,气幕装置170可以对晶圆背面已清洗的中心区域进行吹干,吹走残余废液。
优选的,气幕装置170具有内板171和外板172,内板171和外板172均环绕晶圆承载台110,并相互套设,内板171和外板172之间形成环形的气幕通道173,外板172的至少一侧具有输气接口,用于向气幕通道173输送惰性气体,该惰性气体通过环形的气幕通道173实现周向均匀分布,再从内板171和外板172顶部的出气口喷出,在晶圆承载台110周向形成均匀气幕,实现挡液和干燥的效果。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (8)
1.一种晶圆背面清洗方法,其特征在于,所述晶圆背面清洗方法包括:
将晶圆吸附在晶圆承载台上;
晶圆背面的第一喷嘴向晶圆背面喷洒清洗液,同时所述晶圆承载台控制晶圆转动;
移动清洗刷,使所述清洗刷接触晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,以清洗晶圆背面的周侧区域;
晶圆背面的周侧区域清洗完成后,晶圆移动装置将晶圆输送至所述清洗刷上,使所述清洗刷的中心与晶圆的中心对准;
所述清洗刷转动清洗晶圆背面的中心区域;
晶圆背面的中心区域清洗完成后,所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述晶圆承载台上,使所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准;
将清洗完成的晶圆取出;
所述晶圆背面的周侧区域清洗完成后,所述晶圆背面清洗方法还包括:增大晶圆承载台转速并持续运行t1时间后,所述晶圆承载台停止转动;
所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述清洗刷上,使所述清洗刷的中心与晶圆的中心对准,具体包括:所述晶圆移动装置与晶圆的背面接触,并吸附晶圆背面;所述晶圆承载台解除对晶圆的吸附;所述晶圆移动装置将晶圆托举输送至所述清洗刷上,使所述清洗刷的中心与晶圆的中心对准后,控制晶圆的背面与所述清洗刷接触。
2.根据权利要求1所述的晶圆背面清洗方法,其特征在于,所述移动清洗刷,使所述清洗刷接触晶圆背面靠近晶圆边缘的位置,具体包括:
驱动装置控制所述清洗刷移动,将所述清洗刷从保湿装置下方移动至所述晶圆背面靠近晶圆边缘的位置。
3.根据权利要求1所述的晶圆背面清洗方法,其特征在于,所述晶圆背面的第一喷嘴向晶圆背面喷洒清洗液,同时所述晶圆承载台控制晶圆转动,同时,所述晶圆背面清洗方法还包括:
气幕装置向晶圆背面距离晶圆中心L1距离的范围喷射干燥气体,以维持晶圆背面的中心区域的干燥环境。
4.根据权利要求1所述的晶圆背面清洗方法,其特征在于,所述晶圆背面的中心区域清洗完成后,所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述晶圆承载台上,使所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准,具体包括:
所述晶圆移动装置将晶圆输送至所述晶圆承载台上,在所述晶圆移动装置的移动过程中,气幕装置持续向晶圆背面喷射干燥气体,直到所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准。
5.根据权利要求4所述的晶圆背面清洗方法,其特征在于,所述将清洗完成的晶圆取出,具体包括:
所述晶圆承载台的中心与晶圆的中心对准后,顶针组件顶起晶圆,使晶圆的背面与所述晶圆移动装置分离,机械手将晶圆取出。
6.一种晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述晶圆背面清洗装置用于实现如权利要求1-5任一项所述的晶圆背面清洗方法,其中,所述晶圆背面清洗装置包括:
晶圆承载台,所述晶圆承载台用于承载和吸附晶圆,并控制晶圆转动;
第一喷嘴,所述第一喷嘴设于所述晶圆承载台的周侧,用于向晶圆背面喷洒清洗液;
清洗刷,所述清洗刷位于所述晶圆承载台的一侧;
驱动装置,所述驱动装置用于控制清洗刷移动或转动;
晶圆移动装置,所述晶圆移动装置位于所述晶圆承载台的至少一侧,用于控制承载或吸附晶圆,并控制晶圆在所述晶圆承载台和所述清洗刷之间移动。
7.根据权利要求6所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述晶圆背面清洗装置还包括:接液槽,所述接液槽位于所述清洗刷下方;
其中,当驱动装置控制所述清洗刷移动至晶圆背面的周侧时,或所述晶圆通过晶圆移动装置移动至所述清洗刷上方时,所述清洗刷始终位于所述接液槽上方。
8.根据权利要求6所述的晶圆背面清洗装置,其特征在于,所述晶圆背面清洗装置还包括:气幕装置,所述气幕装置位于所述晶圆承载台的底部或周侧,用于向周向喷出干燥气体,使晶圆的背面的至少部分保持干燥。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410000335.7A CN117497401A (zh) | 2024-01-02 | 2024-01-02 | 一种晶圆背面清洗方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202410000335.7A CN117497401A (zh) | 2024-01-02 | 2024-01-02 | 一种晶圆背面清洗方法和装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117497401A true CN117497401A (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=89685421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202410000335.7A Pending CN117497401A (zh) | 2024-01-02 | 2024-01-02 | 一种晶圆背面清洗方法和装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117497401A (zh) |
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