CN117444197A - 一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料及其制备方法 - Google Patents

一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料及其制备方法 Download PDF

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CN117444197A CN202311403573.4A CN202311403573A CN117444197A CN 117444197 A CN117444197 A CN 117444197A CN 202311403573 A CN202311403573 A CN 202311403573A CN 117444197 A CN117444197 A CN 117444197A
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Abstract

一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料及其制备方法,属于材料制备技术领域。镍粉颗粒为球形“核/壳”结构,核为Ni粒子,壳为包覆其上的NiS层和最外层的超薄钝化层,S含量100~1500ppm,包覆层厚度2~10nm。以热等离子体为蒸发热源,微米级镍与硫粉混合作为原料靶材,采用气相共蒸发方法原位共蒸发合成硫化镍包覆改性镍粉材料。通过控制原料中的硫含量调控粉体产物中硫成分、硫化物包覆结构及其厚度,满足MLCC内电极对金属粉体材料的特殊要求。本发明通过原料配比、气相及温度场、热源功率等工艺参数,实现对粉体颗粒微观结构、尺寸及其分布的控制;方法工艺简单、生产成本低、可宏量生产,适用于电子通讯、航天航空、医疗设备等重要领域对金属粉体材料的广泛需求。

Description

一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料及其制备方法
技术领域
本发明属于材料制备技术领域,涉及一种气相共蒸发法硫化物包覆改性金属粉体材料及其制备方法,作为一种低体积收缩率多层陶瓷电容器(Multilayer CeramicCapacitor,MLCC)内电极材料。
背景技术
MLCC作为在集成电路中使用最为广泛的电子元器件之一,其具备小尺寸、大比容、效率高、可靠性好以及等效电阻低等特点,已被广泛应用于汽车电子、航天军工和医疗设备等重要领域。MLCC制备用原料包括介质瓷粉、内电极导电浆料和端电极导电浆料,其中电极浆料主要材料有金属粉末、玻璃相和有机载体,而超细金属粉末作为电极浆料的主要成分决定电极性能。早期的MLCC内电极粉体为贵金属钯或钯-银合金,但其成本较高。随着MLCC产品市场规模的持续扩大,为了降低其生产及使用成本,上世纪90年代中期开始浆料制备贱金属化,内电极采用镍取代钯,端电极采用铜取代银等,在保持性能的基础上将各种电子材料成本大幅度降低。如今BME-MLCC(贱金属电极片式多层陶瓷电容器)已经占到全部MLCC的90%以上。
作为MLCC内电极浆料的主要功能相,内电极金属粉末应该具有以下特点:①高熔点(1000℃以上),能够在1400℃左右高温下烧结而不致发生氧化、熔化、挥发、流失等现象(MLCC主要采用BaTiO3陶瓷作介质,需要在950~1300℃左右烧成),以保持金属浆料层在烧结成膜后的连续性。②低电子迁移率,以防止与陶瓷介质同时烧结时向介质中扩散,对其扩散容忍限度为不会与介质发生反应,同时不会影响介质的介电性能。③高纯度,以保证其良好的导电性。④球形或类球形颗粒形貌、且分散性好,尺寸分布均匀。粒径均匀的球形金属粉末可保证导电浆料的均匀性,使金属颗粒在烧结后接触良好,同时可以避免大颗粒出现导致穿透介质层,造成无叠层的结构缺陷。⑤振实密度要足够大,金属粉末的振实密度越大在烧结过程中抗收缩能力越强,适合作为内电极浆料材料。
镍粉具有成本低、电导率高、电迁移率小、对焊料的耐腐蚀性和耐热性好、烧结温度较高的特点,目前已经成为MLCC使用最多的内电极材料。制备镍粉的方法主要有三种:①水合胁还原法,利用水合胁、硼氢化钠、硼氢化钾等还原物质还原镍离子,获得金属镍粉。该方法涉及较多敏感反应参数,批次稳定性不佳,难以大批量工业化生产。②物理热蒸发法,即利用等离子体或激光等高能热源将镍料蒸发,在低温室内获得镍金属粉末。该方法便于工业化大量生产,但设备成本较高,制备的镍粉粒度分布较宽,通常需要进行粒径分级处理。③多元醇还原法,主要利用多元醇还原氢氧化镍得到纳米镍,该方法工艺还不成熟,镍粉颗粒不均匀,同时多元醇体系粘度大,镍粉和多元醇的分离困难。
现阶段,镍粉在MLCCC内电极的应用上面临着两个主要问题:一是MLCC制备工艺中需要在250℃-400℃的大气环境中进行加热蒸发处理以去除有机残留成分,而此时电极浆料中金属镍粉容易出现氧化现象从而影响MLCC的导电性能;二是高温(通常在1200℃及以上)烧结过程中镍粉的收缩率较陶瓷介质材料要高,这可能会导致电极层和介电层产生应力而发生形变,严重时甚至会发生破裂或剥离现象,这也是目前MLCC生产失效率的主要来源。
现阶段,改善镍粉使用性能的方法主要是对镍粉进行表面包覆处理,通过形成一层保护性覆盖层,可有效改善粉体的抗氧化性和收缩性能,同时还使得镍粉在使用过程中保持良好的导电性。专利CN112872349A公布了一种核壳结构的纳米镍粉,所述镍粉直径为10nm-600nm,所述保护层厚度为0.5nm-6nm,所述保护层为镍-硫-氧保护层,所述镍-硫-氧保护层包括硫化镍、氧化镍、氢氧化镍、碱式碳酸镍,二氧化碳和水,该镍粉的镍粉球形度高,晶体结构完整,分散性好,烧结温度及收缩率较镍粉有一定提升。但其制备流程较为繁琐,生产成本较高;制备镍粉表面包覆层组成复杂,含有杂质;镍粉尺寸分布较宽。
发明内容
本发明为克服目前MLCC制备过程中,内电极层在烧结过程中镍粉收缩率较陶瓷介质材料高的技术问题,提供一种烧结时具备与陶瓷介质层相近体积收缩率的MLCC内电极用硫化物改性镍粉及其制备方法。具体为将微米级镍粉原料与升华硫粉原料均匀混合后,作为导电靶材,在直流电弧等离子体中蒸发,原位合成出具有设定成分的硫化镍包覆金属镍粉材料。本发明具有制备方法简单、生产成本低、粉体纯度高、体积收缩率低、烧结性能好等优点。
为了达到上述目的,本发明的技术方案为:
一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料,所述的硫化镍包覆改性镍粉材料为球形“核/壳”结构,核为Ni粒子,壳为包覆其上的NiS包覆层以及镍粉最外表面由于钝化形成的薄的氧化层。该硫化镍包覆改性镍粉材料,通过在原料中掺入单质硫粉,确定相应原料成分配比,调变制备工艺参数,可调控粉体颗粒核/壳微观结构、颗粒尺寸及分布。
所述的硫化镍包覆改性镍粉材料的球形粒径在10~200nm之间,所述的NiS包覆层厚度在2~10nm范围,所述的S含量在500~1500ppm范围。
所述的硫化镍包覆改性镍粉材料的球形度高、结晶度高、纯度高,镍粉表面包覆层硫化镍,由于硫与镍组元之间形成稳定的化学键合,使得镍粉的耐高温性能进一步提高,不易发生高温破裂和剥离现象,高温烧结性能有较大提升;通过钝化在镍粉最外表面形成了薄的氧化层,一定程度提升了镍粉的抗氧化性能及分散性。
一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料的制备方法,所述的制备方法以热等离子体为蒸发热源,微米级镍粉与硫粉均匀混合后作为原料靶材,原位共蒸发多组元原料,最终合成硫化镍包覆改性镍粉材料。通过控制原料靶材中的硫含量调控粉体产物中硫成分、硫化物包覆层结构及其厚度,最终满足MLCC内电极对金属粉体材料的特殊要求。具体包括以下步骤:
第一步,原料及质量配比
采用自动化控制直流电弧等离子体粉体生产设备,阴极使用耐高温金属合金棒材或者石墨棒材,阳极使用微米级镍粉和升华硫粉混合而成的原料靶材。称取固定比例的镍和硫原料,进行机械均匀混合,通过液压机将混合原料靶材压制成固定尺寸的物料靶材,将物料靶材置于炉体内阳极承载坩埚上,坩埚上端阴极棒材与阳极物料靶材之间间距10~30mm。
所述的微米级镍粉为微米级粗镍粉(微米以上尺寸);升华硫粉为微米级硫粉(微米以上尺寸);原料靶材中Ni与S的质量比为500:1~2000:1范围内。
第二步,采用气相共蒸发法合成粉体
整个相互串接的生产设备包括蒸发腔室、冷凝室、粉体捕集室、气流循环***,将其真空度抽至10-3Pa后,通入一定压强的工作气体。接通等离子体电源,在阴极和阳极之间引电弧,在电流作用下产生大量热等离子体,蒸发物料混合靶材,形成硫化镍包覆改性镍粉产物。
所述的工作气体为氮气、氩气、氢气、氨气的一种或几种;气体压强在30~100kPa范围内;工作电流在90~1000A范围内。
第三步,粉体原位钝化与收集
共蒸发过程持续进行,形成足量粉体产物后,关闭等离子体电源,腔室内粉体静置一定时间(1-2h)沉降稳定后,向腔室内通入少量空气,以钝化粉体表面。经过钝化后(6-12h),最终在捕集室中收集粉体产物。
一种硫化镍包覆改性镍粉材料的应用,用于汽车电子、航天军工和医疗设备等领域在集成电路中使用的MLCC内电极金属粉体材料,与现有MLCC内电极金属粉体相比,其高温烧结性能显著提升,可减少MLCC制备过程中由于高温烧结时镍粉收缩率较陶瓷介质高导致电极层和介电层产生应力引起的破裂或剥离现象,显著降低MLCC生产失效率。
本发明的原理为:
物理气相蒸发法制备粉体材料的基本过程为:采用高温热源(热等离子体、高能激光、电阻加热、电磁感应加热等),蒸发靶材原料并形成气相状态。当其中某一种组元元素的气态浓度达到过饱和状态,并接近其熔点温度时开始出现形核中心,形成固相晶核并逐渐生长为粒子。在形核过程中可出现单一物质晶核或多种物质晶核,将最终决定粉体产物的相组成;在晶核生长过程中,气相浓度、所处环境温度及其温度场条件,会影响粒子产物的尺寸及其分布,以及多种物质组成所决定的粒子的微观结构。本发明中,原料使用微米级镍粉、以及升华硫粉原料,在高温氮等离子体或氢等离子体条件下,使原料蒸发和分解,在等离子体中心区域形成由Ni、S、O、N、H等原子、离子、电子组成的高温气相状态,伴随着这些原子(主要组元元素Ni、S)由高温区域向低温区的扩散与迁移,将发生元素间化合(结合)、形核与晶核长大、固相析出、粒子表面再结晶、颗粒生长、形成核/壳结构等过程。本发明中使用的金属元素Ni与非金属元素S,由于Ni的熔点显著高于S及镍硫化合物熔点,当高浓度的Ni、S蒸汽向低温区首先达到Ni熔点温度区间,处在稀氧环境的Ni元素将以单质态形核并长大,成为粒子的核芯组成;随着Ni核与S蒸汽进一步达到低温区间即硫化镍熔点温度区间时,S元素在Ni核表面聚集并扩散,与表面Ni元素化合形成硫化镍包覆层,并阻碍Ni颗粒的进一步生长长大。本发明的关键点在于:即采用热等离子体热源的物理蒸发手段,共蒸发含硫靶材,靶材中S质量比作为控制粉体硫含量的关键要素,其优选范围为1000:1~2000:1,一步原位合成硫化镍包覆改性镍粉,通过调整制备工艺参数及冷凝条件,进而调控生长物质浓度、生长速率、产物微观结构、以及粉体颗粒尺寸及其分布。
本发明的有益效果为:
1)本发明提供了一种物理气相共蒸发法原位合成硫化镍包覆改性镍粉的制备方法,具有可规模化生产、环境友好、原料利用率高、粉体微观结构及尺寸易于调控、颗粒分散性好等优点。
2)镍粉表面形成由镍-硫化学键构成的包覆层,镍粉最外表面由于钝化形成薄的氧化层,在镍-氧和镍-硫化学键合的共同作用下,改性镍粉耐高温性能、及烧结性能有明显的提高。
3)该制备方法提供了广泛的金属粉体表面改性的技术途径,工艺简单,普适性强,可调控性强,制备成本低,可满足微电子、汽车、通讯、航天军工等多个领域对金属粉体材料的特殊要求。
附图说明
图1是NiS包覆改性Ni粉颗粒(实施例3)的TEM图(图a),以及对应的元素扫描图,其中,图b为改性Ni粉(实施例3)的Ni元素扫描图,图c为改性Ni粉(实施例3)的S元素扫描图,图d为改性Ni粉(实施例3)的O元素扫描图;
图2是纯Ni粉(对比例1)及NiS改性Ni粉(实施例1~4)的X射线衍射谱图;
图3是NiS包覆改性Ni粉颗粒(实施例3)的XPS图,其中,图a为改性Ni粉(实施例3)的Ni精细谱,图b为改性Ni粉(实施例3)的S精细谱,图c为改性Ni粉(实施例3)的O精细谱;
图4是靶材原料中、以及相应粉体产物中硫含量之间的关系曲线(实施例1~4);
图5是纯Ni粉(对比例)、商用BaTiO3粉、以及NiS改性Ni粉(实施例1~4,图5a~5d),在50~1200℃范围内的体积收缩率曲线;其中,图a为改性Ni粉(实施例1)与纯Ni粉、商用BaTiO3粉的体积收缩率曲线,图b为改性Ni粉(实施例2)与纯Ni粉、商用BaTiO3粉的体积收缩率曲线,图c为改性Ni粉(实施例3)与纯Ni粉、商用BaTiO3粉的体积收缩率曲线;图d为改性Ni粉(实施例4)与纯Ni粉、商用BaTiO3粉的体积收缩率曲线。
具体实施方式
以下将结合具体实施方式对本发明的上述内容做进一步详细说明,但本发明的所述范围不仅局限于以下的实例:
对比例:
一、为了与硫化物包覆改性镍粉做对比,制备纯Ni粉。称取50g微米级粗镍粉压制成块,置于直流电弧等离子体工作室内的阳极铜靶上,石墨棒作为阴极,石墨棒的直径为4mm,长100mm。将工作室抽真空至1×10-3Pa,通入氮气至80kPa。其中,氮气纯度为99.99%;
二、开启循环冷却***,开启电弧电源,电弧电流调整为120A,工作电压30-45V,起弧并持续20min.;
三、关闭电源,待稳定12h后从捕集室中收集粉体样品,作为纯Ni粉对比样品,标识为S0。
四、如附图2所示,为纯Ni粉(对比例)的XRD衍射图谱。
五、如附图3所示,为纯Ni粉(对比例)的XPS谱图(底部曲线),Ni精细谱显示表面出现Ni及NiO的谱峰,没有S谱峰出现。
六、如附图5所示,在50~1200℃范围内纯Ni粉体积收缩曲线(黑色曲线)表现为在647℃开始发生收缩,并且在后续升温过程中持续加速收缩,最终体积收缩达到-14.9%,体积收缩变化量明显大于BaTiO3粉。
实施例1:
一、将微米级粗镍粉与升华硫粉原料,按照重量比500:1(其中镍粉质量控制为50g)均匀混合并压制成块,置于直流电弧等离子体工作室内的阳极铜靶上,石墨棒作为阴极,坩埚上端阴极棒材与阳极物料靶材之间间距20mm,其中石墨棒的直径为4mm,长100mm。将工作室抽真空至1×10-3Pa,向工作室内通入氮气气氛,气压至80kPa。其中,氮气纯度为99.99%;
二、开启循环冷却***和电源,电弧电流调整为120A,工作电压30-45V,点弧并持续20min;
三、停弧,待2h后向反应室内充入约1×103Pa微量空气,钝化处理镍粉。持续稳定10h后,从捕集室中收集硫化镍包覆改性镍粉样品,标示为样品S1。
四、如附图2所示,为样品S1(实施例1)的X射线衍射谱图,表明主相为Ni,未出现Ni/S化合物衍射峰。
五、如附图4所示,样品S1(实施例1)的原料配比为Ni:S=500:1,原料中S含量为0.2wt.%,通过碳硫分析仪测得的相应粉体产物中S含量为0.338wt.%。在原料蒸发过程中,由于Ni的熔点显著高于S熔点,在共蒸发时S的蒸发速率高于Ni,导致气相中S的浓度高于Ni的浓度,粉体中的S含量高于原料中的含量。
六、如附图5(a)所示,样品S1(实施例1)在50~1200℃范围内的体积收缩曲线表现为在960℃之前缓慢收缩,此阶段收缩性能一定程度上优于纯Ni粉;但是在达到960℃时开始转变为急剧膨胀,最终体积收缩率达到+9.1%,最终与BaTiO3粉收缩率-4.2%差值达到13.3%,高于纯Ni粉与BaTiO3粉收缩率差值10.7%。综合来看,样品S1(实施例1)在50~1200℃范围内的体积收缩性能一定程度上差于纯Ni粉,推测这可能是由于S含量过高造成的。
实施例2:
一、将微米级粗镍粉与升华硫粉原料,按照重量比1000:1(其中镍粉质量控制为50g)均匀混合并压制成块,置于直流电弧等离子体工作室内的阳极铜靶上,石墨棒作为阴极,坩埚上端阴极棒材与阳极物料靶材之间间距10mm,其中石墨棒的直径为4mm,长100mm。将工作室抽真空至1×10-3Pa,向工作室内通入氮气气氛,气压至80kPa。其中,氮气纯度为99.99%;
二、开启循环冷却***和电源,电弧电流调整为120A,工作电压30-45V,点弧并持续20min;
三、停弧,待2h后向反应室内充入约1×103Pa微量空气钝化处理镍粉。持续稳定10h后,从捕集室中收集硫化镍包覆改性镍粉样品,标示为样品S2。
四、如附图2所示,为样品S2(实施例2)的X射线衍射谱图,表明主相为Ni,未出现Ni/S化合物衍射峰。
五、如附图4所示,样品S2的原料配比为Ni:S=1000:1,原料中S含量为0.1wt.%,通过碳硫分析仪测得的相应粉体产物中S含量为0.156wt.%。
六、如附图5(b)所示,样品S2(实施例2)在50~1200℃范围内的体积收缩曲线表现为在905℃之前收缩,但此阶段收缩性能也一定程度上差于纯Ni粉;在达到905℃时开始转变为快速膨胀,最终体积收缩率达到+7.2%,最终与BaTiO3粉收缩率-4.2%差值达到11.4%,高于纯Ni粉与BaTiO3粉收缩率差值10.7%。综合来看,样品S2(实施例2)在50~1200℃范围内的体积收缩性能与纯Ni粉相当。
实施例3:
一、将微米级粗镍粉与升华硫粉原料,按照重量比1500:1(其中镍粉质量控制为50g)均匀混合并压制成块,置于直流电弧等离子体工作室内的阳极铜靶上,石墨棒作为阴极,坩埚上端阴极棒材与阳极物料靶材之间间距30mm,其中石墨棒的直径为4mm,长100mm。将工作室抽真空至1×10-3Pa,向工作室内通入氮气气氛,气压至80kPa。其中,氮气纯度为99.99%;
二、开启循环冷却***和电源,电弧电流调整为120A,工作电压30-45V,点弧并持续15min;
三、停弧,待1.5h后向反应室内充入约1×103Pa微量空气钝化处理镍粉。持续待稳定6h后,从捕集室中收集硫化镍包覆改性镍粉样品,标示为样品S3。
四、如附图1所示,为样品S3(实施例3)的TEM图(图a),以及对应的成分扫描图(图a、b、c),表明粉体颗粒表面均匀分布S元素,实现硫化物包覆改性Ni颗粒。
五、如附图2所示,为样品S3(实施例3)的X射线衍射谱图,表明主相为Ni,未出现Ni/S化合物衍射峰。
六、如附图3所示,为样品S3(实施例3)的XPS谱图,Ni精细谱显示表面出现Ni、NiO以及NiS的谱峰,S精细谱出现明显的NiS谱峰。表明改性镍粉颗粒表面实现NiS包覆层。
七、如附图4所示,样品S3(实施例3)的原料配比为Ni:S=1500:1,原料中S含量为0.067wt.%,通过碳硫分析仪测得的相应粉体产物中S含量为0.84wt.%。
八、如附图5(c)所示,样品S3(实施例3)在50~1200℃范围内的体积收缩曲线表现为在695℃时开始发生收缩,与纯Ni粉样品S0(对比例)相比有一定提升。明显不同的是样品S3在695℃之后的收缩曲线变得十分平缓,收缩速率明显下降,显著低于纯Ni粉样品S0(对比例)在该温度区间的收缩速率。与此同时,样品S3(实施例3)还表现出在温度达到1000℃后出现体积轻微膨胀的现象,最终在1200℃时体积收缩率为-0.7%。结果表明,改性Ni粉样品S3(实施例3)在695℃开始发生烧结收缩至烧结结束,整个烧结过程中该样品S3与BaTiO3粉的体积收缩曲线匹配度良好,显著优于纯Ni粉(对比例),表现出了优异的烧结收缩性能。
实施例4:
一、将微米级粗镍粉与升华硫粉原料,按照重量比2000:1(其中镍粉质量控制为50g)均匀混合并压制成块,置于直流电弧等离子体工作室内的阳极铜靶上,石墨棒作为阴极,坩埚上端阴极棒材与阳极物料靶材之间间距20mm,其中石墨棒的直径为4mm,长100mm。将工作室抽真空至1×10-3Pa,向工作室内通入氮气气氛,气压至80kPa。其中,氮气纯度为99.99%;
二、开启循环冷却***和电源,电弧电流调整为120A,工作电压30-45V,点弧并持续10min;
三、停弧,待1h后向反应室内充入约1×103Pa微量空气钝化处理镍粉。持续稳定6h后,从捕集室中收集硫化镍包覆改性镍粉样品,标示为样品S4。
四、如附图2所示,为样品S4(实施例4)的X射线衍射谱图,表明主相为Ni,未出现Ni/S化合物衍射峰。
五、如附图4所示,样品S4(实施例4)的原料配比为Ni:S=2000:1,原料中S含量为0.05wt.%,通过碳硫分析仪测得的相应粉体产物中S含量为0.073wt.%。
六、如附图5(d)所示,样品S4(实施例4)在50~1200℃范围内的体积收缩曲线表现为在1000℃之前缓慢收缩,此阶段收缩速率明显低于纯Ni粉收缩速率,与BaTiO3粉的体积收缩曲线匹配良好。在1000℃到1130℃之间发生极缓慢的膨胀,在1130℃后出现较快的体积膨胀现象,最终在1200℃时体积收缩率为+2.5%。结果表明,改性Ni粉样品S4(实施例4)的烧结曲线在1130℃之前与BaTiO3粉的体积收缩曲线匹配度良好,在1130℃之后由于膨胀与BaTiO3粉的体积收缩曲线出现一定偏差,但最终与BaTiO3粉收缩率-4.2%差值为6.7%,低于纯Ni粉与BaTiO3粉收缩率差值10.7%。综合来看,样品S4(实施例4)在50~1200℃范围内的体积收缩性能优于纯Ni粉,表现出了较为优异的烧结收缩性能。
通过实施例1~4和对比例1的样品的体积收缩性能比较,确定了硫化物包覆改性Ni粉的掺S量的优化范围。结果表明,样品S3和S4具备与BaTiO3匹配度良好的体积收缩率,样品S1和S2的体积收缩率与BaTiO3匹配度较差。本发明公布的硫化镍包覆改性镍粉的S含量优选范围硫量优选在在500~1500ppm范围。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料,其特征在于,所述的硫化镍包覆改性镍粉材料为球形“核/壳”结构,核为Ni粒子,壳为包覆其上的NiS包覆层以及最外表面钝化而成的氧化层。
2.根据权利要求1所述的一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料,其特征在于,所述的硫化镍包覆改性镍粉材料的球形粒径在10~200nm之间,所述的NiS包覆层厚度在2~10nm范围,所述的S含量在500~1500ppm范围。
3.一种权利要求1或2所述的气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料的制备方法,其特征在于,所述的制备方法以热等离子体为蒸发热源,微米级镍粉与硫粉均匀混合后作为原料靶材,采用气相共蒸发法原位共蒸发混合原料靶材,形成硫化镍包覆改性镍粉产物,最后通过空气钝化粉体表面,得到最终产物。
4.根据权利要求3所述的一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料的制备方法,其特征在于,通过控制原料靶材中的硫含量调控粉体产物中硫成分、硫化物包覆层结构及其厚度,最终满足MLCC内电极对金属粉体材料的特殊要求。
5.根据权利要求3所述的一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料的制备方法,其特征在于,所述的原料靶材中微米级镍粉与硫粉的质量比为500:1~2000:1范围内。
6.根据权利要求3所述的一种气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料的制备方法,其特征在于,所述的硫粉为微米级升华硫粉。
7.一种权利要求1或2所述的气相共蒸发法硫化物包覆改性镍粉材料的应用,其特征在于,将其作为MLCC内电极金属粉体材料。
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