CN117397028A - 光电子发光设备 - Google Patents

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CN117397028A CN202280038579.3A CN202280038579A CN117397028A CN 117397028 A CN117397028 A CN 117397028A CN 202280038579 A CN202280038579 A CN 202280038579A CN 117397028 A CN117397028 A CN 117397028A
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塞巴斯蒂安·维特曼
迈克尔·布兰德尔
乌利·海利尔
安德里亚斯·多布纳
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Ams Osram International Ltd
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Abstract

本发明涉及一种光电子发光设备,包括:至少局部透明的基体,所述基体具有弯曲的第一主表面和第二主表面。第二主表面与第一主表面相对并且至少局部地不平行于所述第一主表面伸展。发光设备还包括:布置在弯曲的第一主表面上的装饰层,所述装饰层基本上遵循第一主表面的弯曲;和布置在第二主表面上的光电子膜。膜具有:尤其柔性的载体衬底;至少一个电导线和多个光电子半导体器件,所述至少一个电导线和所述多个光电子半导体器件布置在载体衬底上;和至少部分透明的粘附层,所述粘附层布置在光电子半导体器件与基体之间并且将光电子膜与第二主表面连接。

Description

光电子发光设备
本申请要求2021年5月31日的德国专利申请10 2021 114 070.6的优先权,其公开内容通过引用并入本申请。
本发明涉及照亮装饰件、特别是塑料装饰件(例如,家用设备、消费产品或机动车辆中的装饰件)的技术。此外,本发明涉及在装饰件、特别是塑料装饰件(例如,家用设备、消费产品或机动车辆中的装饰件)上显示信息的技术。特别地,本发明涉及一种光电子发光设备,其包括至少局部透明的基体,光电子半导体器件布置在所述基体的后侧上,以便对基体进行照明或者在基体上显示信息。
背景技术
目前,为了照亮装饰件,在装饰件后方安装由施加在PCB板上的LED构成的一个或多个照明装置。通常,除了LED、PCB板和用于照明装置的固定装置外,还附加地需要光整形元件。由此产生了通常10mm至30mm的所需的结构深度。
除了这种较大的结构深度外,利用已知的解决方案也难以实现超出二维的形状。虽然这能够利用安装在装饰件后方的多个彼此独立的照明设备来解决,但由此增加了制造和组装耗费,并且装饰件的重量也随着所需的照明设备的数量的增加而增加。
因此,本发明的目的在于克服上述问题并提供能够以简单且成本有效的方式对装饰件进行背光照明的照明装饰件或者可能性。
发明内容
该目的或其他目的通过具有权利要求1所述特征的光电子发光设备来满足。本发明的实施方式和改进方案在从属权利要求中描述。
根据本发明的光电子发光设备包括:至少局部透明的基体,所述基体具有弯曲的第一主表面和与第一主表面。第二主表面与第一主表面相对并且至少局部地不平行于所述第一主表面伸展。光电子发光设备还包括布置在弯曲的第一主表面上的装饰层,所述装饰层基本上遵循第一主表面的弯曲。除此之外,光电子膜布置在第二主表面上,所述光电子膜具有尤其柔性的载体衬底、至少一个电导线和多个光电子半导体器件。至少一个电导线和多个光电子半导体器件布置在载体衬底上。此外,光电子膜具有至少部分透明的粘附层,所述粘附层布置在光电子半导体器件与基体之间并且将光电子膜与第二主表面连接。
本发明的核心是:将光电子半导体器件集成到具有电触点或导线的膜中,以便为光电子半导体器件供应能量或对其进行操控。所述膜施加在装饰件的后侧上,其中装饰件被构成为使得其具有或多或少的透明区域。透明区域尤其在几何上与光电子半导体器件相配合。因此,能够对装饰件进行背光照明,而无需采用上述占用空间和重量的方案,其中使用分立式的PCB板,LED施加在该PCB板上。光电子膜和特别是载体衬底能够灵活地设计,以便能够根据装饰件后侧的形状和设计施加在所述后侧上。
在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的一些相应地沿光电子半导体器件的发射方向观察布置在基体的至少一个透明区域之前。因此,能够尤其在透明区域中对基体进行背光照明,从而产生基体或装饰件的期望的光学印象。
光电子半导体器件能够分别由发光元件或LED形成。在一些实施方式中,发光元件中的每个形成发光点,其中在光电子发光设备的正常使用期间,发光点整体以期望的方式和方法对基体进行背光照明。发光点能够相对于彼此任意地布置、以期望的图案或矩阵布置,或者它们例如能够仅布置在基体后方的区域中,所述区域在光电子发光设备的正常使用期间应被照明。
在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的至少一个能够由包括转换材料的发光元件或LED形成。转换材料例如能够布置在半导体器件的发光区域的上方并且被构成为将由半导体器件发射的光转换成不同波长的光。
在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的每个由LED、特别是LED芯片形成。LED尤其能够被称为迷你LED。迷你LED是小型LED,例如边缘长度小于200μm,特别是小于40μm,特别是200μm至10μm。另一个范围为150μm至40μm。在所述空间范围的情况下,光电子半导体器件对于人眼是几乎不可见的。
LED也能够被称为微LED,也能够被称为μLED,或者能够被称为μLED芯片,特别是在边缘长度为100μm至10μm的情况下。在一些实施方式中,LED能够具有90×150μm的空间尺寸或75×125μm的空间尺寸。
在一些实施方式中,迷你LED或μLED芯片能够是未封装的半导体芯片。未封装意味着芯片在半导体层周围没有壳体,即例如“芯片裸片”。在一些实施方式中,未封装能够意味着:芯片不含任何有机材料。因此,未封装器件不包含含有共价键碳的有机化合物。
在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的每个由表面发射光电子半导体器件形成。特别地,这种表面发射光电子半导体器件能够被构成为倒装芯片并且布置在光电子膜的载体衬底上,使得光电子半导体器件的发光表面指向基体的方向。
然而,多个光电子半导体器件中的每个也能够由体积发射光电子半导体器件或边缘发射光电子半导体器件形成。特别地,多个光电子半导体器件中的每个能够被构成并布置在光电子膜的载体衬底上,使得光电子半导体器件沿光电子膜的主传播方向发射光。这种半导体器件还能够尤其被称为侧视发射器。
在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的每个由蓝宝石倒装芯片、通过其侧面发射光的倒装芯片、表面发射器、体积发射器、边缘发射器或水平发射的μLED芯片构成。
在一些实施方式中,多个半导体光电器件中的每个能够包括被配置为发射所选颜色的光的迷你LED或μLED芯片。在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的两个或更多个能够形成像素,即例如包括三个迷你LED或μLED芯片的RGB像素。例如,RGB像素能够发射红色的、绿色的和蓝色的以及任何混合颜色的光。在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的三个以上的光电子半导体器件也能够形成像素,即例如包括四个迷你LED或μLED芯片的RGBW像素。例如,RGBW像素能够发射红色的、绿色的、蓝色的和白色的以及任何混合颜色的光。例如,能够借助于RGBW像素以完全转换的形式产生白光、红光、绿光或蓝光。
在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的每个与对其进行操控的集成电路相关联。在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的两个或更多个与对其进行操控的集成电路相关联。例如,RGB像素能够分别与集成电路(IC)相关联。例如,一个或多个集成电路能够由特别小的集成电路形成,即例如由微集成电路(μIC)形成。
在一些实施方式中,第二主表面平坦地构成并且不具有弯曲。由此可以将光电子膜以简单的方式固定在基体上。
在一些实施方式中,第二主表面在至少一个空间方向上同样具有弯曲。例如,第二主表面能够在恰好一个空间方向上具有弯曲。特别地,第二主表面能够包括平坦构成的多个子区域,并且子区域能够围绕最多一个空间方向相互倾斜或扭转。倾斜角度通常能够小于90°。由此可行的是:能够简单地且仅通过围绕这一个空间方向使膜变形或弯曲来将光电子膜层压到基体上。
在一些实施方式中,光电子膜基本上遵循第二主表面的弯曲。特别地,光电子膜基本上平行于第二主表面伸展并且相应地在整个第二主表面上贴靠第二主表面。
在一些实施方式中,光电子膜由至少两个子膜形成。第一子膜布置在第二主表面的第一子区域上,而第二子膜布置在第二主表面的第二子区域上。特别地,第二主表面的第一子区域和第二子区域能够分别是平坦构成的子区域,子膜被构成在所述子区域上。光电子膜能够相应地被分割,并且从中形成的子膜能够分别布置在第二主表面的平坦成形的子区域上。
在一些实施方式中,装饰层至少具有透明构成的子区域。特别地,装饰层的子区域能够透明地构成,所述子区域在光电子发光设备的正常使用期间应被照亮。因此,在下文中,还能够谈及半透明的装饰层,因为只有装饰层的区域对于由光电子半导体器件发射的光是可透光的。
装饰层例如能够由层序列形成。层序列例如能够包括透明的或漫射的载体层和布置在载体层上方的保护层。此外,载体层能够在面向保护层的一侧上和/或在背离保护层的一侧上具有覆层,所述覆层分别包括透光的或不透光的或吸收光的区域。层序列尤其能够布置在第一主表面上,使得保护层远离第一主表面。
装饰层或装饰层的层能够例如由以下材料中的至少一种形成:
聚合物膜;
薄木料层;
木质外观的层;
实木;
印刷漆层;
纺织品;
金属膜,例如铝膜;
碳纤维垫或膜;
印刷塑料膜;
薄皮革;
人造革;
皮革外观的膜;和
金属外观的塑料膜。
在一些实施方式中,光电子半导体器件嵌入或浇注到粘附层中。特别地,光电子半导体器件能够被粘合到载体衬底上并利用粘附层进行浇注进而嵌入所述粘附层中。同样地,至少一个电导线也能够嵌入或浇注到粘附层中。
在一些实施方式中,至少一个电导线布置在载体衬底上,然后光电子半导体器件施加到所形成的电接触部位上。因此,至少一个电导线能够布置在载体衬底与光电子半导体器件之间。然而,光电子半导体器件也能够先布置在载体衬底上,然后至少一个电导线施加到光电子半导体器件上以接触光电子半导体器件。因此,至少一个电导线能够至少部分地布置在光电子半导体器件上。
在一些实施方式中,粘附层包括以下材料中的至少一种:
PVB;
EVA;
硅树脂;
丙烯酸;
粘附粘合材料;
热熔粘合材料;和
环氧树脂。
特别地,粘附层能够具有粘合特性,使得光电子膜能够借助于粘附层固定在第二主表面上。
在一些实施方式中,粘附层设置有光吸收颗粒。特别地,粘附层能够设置有黑色颗粒,即例如铝或其他金属颗粒,以便实现光电子发光设备的更高对比度和更少渗色。
在一些实施方式中,光电子发光设备包括保护膜,所述保护膜覆盖光电子膜的与基体相对的一侧。特别地,保护膜能够封装光电子膜并用作膜的腐蚀保护。保护膜能够例如封装光电子膜并且还能够被构成在第二主表面上的未被光电子膜覆盖的区域中。
在一些实施方式中,基体、装饰层和粘附层中的至少一个具有光散射颗粒。例如,装饰层和/或基体能够至少具有其中布置有光散射颗粒的区域。由此例如能够实现光电子发光设备的照亮区域的均匀印象。同样地,粘附层还可以至少具有包括光散射颗粒的区域。例如,由此能够实现:对基体进行均匀地背光照明。
除了光散射作用外,光散射颗粒还能够适合于产生光电子发光设备的白色印象。例如,能够期望:在光电子发光设备的整个照亮区域上产生白色印象,或者例如,还能够期望:仅光电子发光设备的特定的照亮区域具有白色印象。白色印象能够例如由光散射颗粒来实现,所述光散射颗粒包括例如氧化铝(Al2O3)和/或氧化钛(TiO2)。
在一些实施方式中,基体、装饰层和粘附层中的至少一个具有光转换颗粒。例如,装饰层和/或基体和/或粘附层能够至少具有其中布置有光转换颗粒的区域。由此,例如,由光电子半导体器件发射的第一波长的光能够被转换成与第一波长不同的第二波长的光。在一些实施方式中,基体、装饰层和粘附层中的至少一个具有至少两种不同类型的光转换颗粒。由此,例如,由两个光电子半导体器件发射的第一波长的光和第二波长的光能够被转换成第三波长的光和第四波长的光。在此,第一波长、第二波长、第三波长和第四波长能够分别彼此不同。
在一些实施方式中,粘附层包括由第一子层和功能子层构成的层序列。第一子层例如能够由具有粘合特性的材料形成。功能子层能够被构成为除了粘合性能外为粘附层添加另外的功能特性。
在一些实施方式中,光电子半导体器件浇注到功能子层中。例如,功能层能够以防腐蚀层的形式构成进而保护嵌入功能子层中的光电子半导体器件免受腐蚀。
在一些实施方式中,光电子半导体器件浇注到第一子层中。
在一些实施方式中,功能子层与基体相邻地布置。例如,功能层能够以第一子层的覆层的形式构成,进而布置在基体与第一子层之间。
在一些实施方式中,粘附层包括第二子层。特别地,在该情况下,功能子层能够布置在第一子层与第二子层之间。第一子层和第二子层例如能够由相同的材料构成,其中该材料尤其具有粘合特性。
在一些实施方式中,整个功能子层包括光转换颗粒和/或光散射颗粒,而在一些实施方式中,功能子层至少包括其中布置有光转换颗粒和/或光散射颗粒的子区域。例如,功能子层能够具有其中布置有光转换颗粒的区域。由此,例如,由光电子半导体器件发射的第一波长的光能够被转换成与第一波长不同的第二波长的光。替代地或附加地,功能子层能够具有其中布置有光散射颗粒的区域。例如,由此能够实现:对基体进行均匀地背光照明。如上面已经解释的那样,除了光散射作用外,光散射颗粒还能够适合于产生光电子发光设备的白色印象。
在一些实施方式中,功能子层包括至少一个第二子区域,光吸收颗粒布置在所述至少一个第二子区域中。例如,功能子层能够被结构化,并且包括设计成透光的至少一个第一子区域以及具有光吸收颗粒的至少一个第二子区域,进而至少部分光吸收地或不透光地构成。通过具有光吸收颗粒的子区域或结构化部例如能够提高光电子发光设备的对比度。
在一些实施方式中,光电子发光设备还包括反射层,所述反射层布置在载体衬底的与基体相对的一侧上。反射层例如能够被构成为朝向基体反射由光电子半导体器件发射的不朝向基体放射的光。例如,反射层能够由载体衬底的白色覆层形成。
在一些实施方式中,反射层被结构化,使得其仅覆盖载体衬底的与光电子半导体器件相对的区域。相应地,反射层能够仅布置在载体衬底上的光电子半导体器件之下。
在一些实施方式中,结构化的反射层具有光吸收区域。特别地,反射层能够具有设计成反射的区域以及用光吸收材料填充的凹部。在此,反射的区域能够布置在载体衬底上的光电子半导体器件之下,并且载体衬底上的剩余区域能够用光吸收材料覆盖或者能够用光吸收材料填充反射层中的相应的凹部。
在一些实施方式中,基体和粘附层中的至少一个具有微结构化光学装置。在此,微结构化光学装置尤其布置在光电子半导体器件的射束路径中。例如,微结构化光学装置能够由嵌入基体和/或粘附层中的透镜形成。特别地,微结构化光学装置能够由高折射率的材料形成,特别是由折射率高于邻接于微结构化光学装置的材料的材料形成。在一些实施方式中,至少一个微结构化光学装置能够从粘附层延伸到基体中。
例如,微结构化光学装置能够被构成为对由光电子半导体器件发射的光进行聚焦、散射或转向。特别地,微结构化光学装置能够被构成为将由光电子半导体器件发射的光朝向基体的透明区域和/或朝向装饰层的透明区域转向。
在一些实施方式中,基体和粘附层中的至少一个具有用空气填充的至少一个腔室和/或用空气填充的至少一个空腔。在此,至少一个腔室和/或至少一个空腔被构成为且被布置成使得其在至少一个光电子半导体器件的射束路径中形成光学元件、特别是透镜。例如,能够在基体中构成用空气填充的呈加厚的圆锥侧表面形式的至少一个空腔,所述至少一个空腔用作透镜、特别是具有全内反射(TIR)的透镜。另外的示例性实施方式将对此进行更详细的解释。
在一些实施方式中,装饰层由光吸收材料形成,并且具有凹部。特别地,在当前情况下,凹部用作装饰层的“透明”区域,光电子半导体器件的光通过所述“透明”区域到达外部。因此,装饰层的凹部限定了在光电子发光设备正常使用期间应被照亮的区域。
在此,凹部能够保持裸露,即不填充材料,但在一些实施方式中,装饰层的凹部用透明材料填充。
在一些实施方式中,装饰层的凹部用包括光散射颗粒和/或光转换颗粒的材料填充。在此,掺有光散射颗粒和/或光转换颗粒的材料的优点和设计方案能够对应于上面已经描述的优点和设计方案。
在一些实施方式中,光学元件、特别是透镜布置在凹部中的至少一个中。这种透镜能够例如借助于3D漆来产生,并且用于对光电子半导体器件的从装饰层的凹部中射出的光进行聚焦、散射或转向。
在一些实施方式中,装饰层包括与基体相邻构成的反射层。在此,凹部还能够延伸穿过反射层。这种反射层能够是有利的,赋予光电子发光设备的发光印象更高的对比度。此外,通过反射层能够实现:装饰层向外具有反射或镜面或金属效果。为此,反射层能够例如由白色或黑色材料形成。
在一些实施方式中,光导被构成在基体和粘附层中的至少一个中。这种光导能够例如借助于丝网印刷或模版印刷、喷涂、模制、点胶或喷射印刷到载体衬底上,并且浇注在粘附层中。至少一个光电子半导体器件能够嵌入光导中,使得由至少一个光电子半导体器件发射的光能够沿光导分布。例如,因此也能够借助于光导将多个光电子半导体器件连接,并且在多个光电子半导体器件的矩阵布置内形成附加的符号。此外,可以想到的是:能够在多个光电子半导体器件的矩阵布置内同时实现面发光和点发光区域。此外,通过这种光导还能够实现:将光引导到光电子发光设备的在载体衬底上未布置光电子半导体器件的区域中。在一些实施方式中,借助于多个这种光导还能够显示能够彼此独立操控的精细、精确的线。
在一些实施方式中,载体衬底具有结构化区域,使得由边缘发射半导体芯片或体积发射半导体芯片发射的光朝向基体转向。例如,载体衬底和/或粘附层能够被构成为光导,光电子半导体器件的光耦合输入到所述光导中。此外,载体衬底能够具有结构化区域,使得沿载体衬底引导的光在结构化区域处朝向基体转向。
在一些实施方式中,多个光电子半导体器件中的至少一些以由行和列构成的矩阵布置在载体衬底上。此外,能够单独地操控布置成矩阵的光电子半导体器件。布置成矩阵的光电子半导体器件能够相应地被构成为在光电子发光设备中构成的显示器或微型显示器。
附图说明
下面,参照附图更详细地解释本发明的实施例。分别示意性地示出:
图1示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的截面图以及装饰层的细节图;
图2至图13示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的另外的实施例的截面图;
图14A和图14B示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的实施例的截面图和俯视图,所述光电子发光设备包括由空腔和腔室形成的光学元件;
图15至图19示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的另外的实施例的截面图;
图20A和图20B示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的实施例的截面图和俯视图,所述光电子发光设备包括光导;
图21至图23示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的另外的实施例的截面图;
图24A和24B示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的实施例的截面图和俯视图,所述光电子发光设备包括边缘发射半导体芯片;
图25A和25B示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的另一个实施例的截面图和俯视图,所述光电子发光设备包括边缘发射半导体芯片;
图26A和图26B示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的实施例的截面图和俯视图,所述光电子发光设备包括结构化装饰层;
图27示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的另一个实施例的截面图,所述光电子发光设备包括结构化装饰层;
图28和图29分别示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的实施例的截面图,其中第二主表面在至少一个空间方向上具有弯曲;
图30示出了根据所提出原理的一些方面的光电子膜的俯视图;和
图31A和图31B示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备的俯视图和截面图,所述光电子发光设备包括光电子半导体器件的矩阵布置。
具体实施方式
下面的实施方式和示例示出了根据所提出的原理的不同方面及其组合。实施方式和示例并不总是符合比例的。同样地,能够放大或缩小地示出不同的元件,以突出各个方面。不言而喻,图示中所示的实施方式和示例的各个方面和特征能够容易地相互组合,而不影响根据本发明的原理。一些方面具有规则的结构或形状。应当指出的是:在实践中会出现与理想形状的微小偏差,但并不与本发明的思想相矛盾。
此外,各个图形、特征和方面不一定以正确的尺寸示出,并且各个元件之间的比例不一定必须基本上是正确的。一些方面和特征通过将其放大示出来突出。然而,诸如“上方”、“之上”、“下方”、“之下”、“较大”、“较小”等术语相对于附图中的元件被正确地示出。因此可以根据图示推导出元件之间的这些关系。
图1示出了根据所提出原理的一些方面的光电子发光设备(1)的截面图。光电子发光设备(1)包括至少局部透明的基体(2),所述基体具有弯曲的第一主表面(2.1)和与第一主表面(2.1)相对的第二主表面(2.2)。在此,第一主表面(2.1)的弯曲基本上对应于光电子发光设备(1)的外轮廓。相比之下,在本示例中,第二主表面(2.2)平坦地构成并且至少局部地不平行于第一主表面(2.1)伸展。基体(2)根据第一主表面(2.1)的弯曲而具有不同的厚度。
装饰层(3)布置在第一主表面(2.1)上,所述装饰层具有基本均匀的厚度并且所述装饰层遵循第一主表面(2.1)的弯曲。装饰层(3)如图右侧所示能够具有层序列,并且例如能够包括透明或漫射的载体层(3.a)以及布置在载体层(3.a)上方的保护层(3.b)。此外,在所示的实施例中,在载体层(3.a)的面向保护层(3.b)的一侧上构成有第一覆层(3.c)并且在载体层(3.a)的背离保护层(3.b)的一侧上构成有第二覆层(3.d)。第一覆层(3.c)和第二覆层(3.b)能够例如印刷到载体层(3.a)上并且分别具有透光的和不透光的子区域。在此,透光的和不透光的子区域能够被构成为使得其限定在光电子发光设备的正常使用期间应被照亮的区域。例如,因此能够产生由透光的子区域构成的对应的图案,所述图案在光电子发光设备的正常使用期间应发光。
光电子膜(4)布置在第二主表面(2.2)上,所述光电子膜被构成为对基体(2)和装饰层(3)进行背光照明。光电子膜(4)具有尤其柔性的载体衬底(5)以及布置在载体衬底(5)上的至少一个电导线和多个光电子半导体器件(6)。此外,光电子膜(4)具有布置在光电子半导体器件(6)与基体(2)之间的至少部分透明的粘附层(7)。粘附层(7)尤其被构成为将光电子膜(4)与第二主表面(2.2)连接并且为此具有粘合特性。
光电子半导体器件(6)布置在载体衬底(5)上,或者光电子膜(4)布置在第二主表面(2.2)上,使得基体(2)的透明区域位于光电子半导体器件(6)的发射方向(E)上或位于其射束路径中。因此,通过布置在光电子膜(4)中的光电子半导体器件(6),能够对基体(2)和装饰层(3)和特别是基体(2)的透明或透光的区域和装饰层(3)进行背光照明,由此产生基体(2)或光电子发光设备(1)的期望的光学印象。
在当前情况下,光电子半导体器件(6)被构成为表面发射半导体芯片,特别是表面发射的倒装芯片,并且主要从半导体芯片的与载体衬底(5)相对的表面沿发射方向(E)的方向发射光。光电子半导体器件(6)嵌入粘附层(7)中,并且借助于布置在载体衬底(5)上的至少一个电导线供应电能或进行操控。
光电子半导体器件(6)尤其能够由非常小的半导体芯片、尤其是由非常小的未封装的半导体芯片形成,使得光电子膜(4)能够特别薄地构成。由此获得以下优点:光电子膜(4)能够例如通过滚压大面积地且以成本有效的方式和方法施加到第二主表面(2.2)上。
图2示出了另一个光电子发光设备(1)的截面图,所述光电子发光设备具有与图1所示的光电子发光设备(1)基本相同的结构。然而,与图1所示的光电子发光设备(1)相比,粘附层(7)包括光吸收颗粒(8),但是浓度较低。粘附层(7)能够例如被构成为类似于有色玻璃片或防晒膜。尽管存在光吸收颗粒(8),但是由于光吸收颗粒(8)的浓度较低,因此粘附层(7)至少部分透明,使得至少由光电子半导体器件(6)发射的光能够通过粘附层(7)。包括光吸收颗粒(8)的粘附层(7)的优点在于:由此能够增加由光电子半导体器件(6)发射的光的对比度并且能够减少所谓的渗色效应。
图3所示的光电子发光设备(1)相对于图1所示的光电子发光设备(1)还具有保护膜(9),所述保护膜覆盖光电子膜(4)的与基体(2)相对的一侧。保护膜(9)能够例如封装光电子膜(4)并且能够用作膜(4)的腐蚀保护。如图所示,保护膜(9)还覆盖第二主表面(2.2)的未被光电子膜(4)覆盖的区域。保护膜(9)尤其被构成为光电子膜(4)和第二主表面(2.2)的覆层。例如,保护膜(9)能够印刷、层压或喷涂到光电子膜(4)上或第二主表面(2.2)上。通过保护膜(9)例如能够保护光电子膜(4)免受外部影响,或者能够借助于保护膜(9)更好地散发由电子半导体器件(6)产生的热量。
如图4所示,粘附层(7)能够由层序列构成。在所示的实施例中,粘附层(7)的层序列具有第一子层(7.a)和功能子层(7.b)。第一子层(7.a)能够根据上述实施例来构成并且特别地具有粘合特性。相比之下,功能子层(7.b)除了粘附特性外还具有另外的功能特性,并且在当前情况下被构成为腐蚀保护层。光电子半导体器件(6)嵌入功能子层(7.b)中进而受到保护而免受腐蚀。功能子层(7.b)能够例如被印刷、层压或喷涂。
基体(2)、装饰层(3)和粘附层(7)中的至少一个能够具有其中布置有光散射颗粒的区域。由此例如能够实现光电子发光设备的照亮区域的均匀印象。图5示例性地示出:基体(2)具有光散射颗粒(10)。通过布置在基体(2)中的光散射颗粒(10),由光电子半导体器件(6)朝向基体(2)发射的光能够在基体(2)内被散射,从而对装饰层(3)进行均匀地背光照明。由此能够均匀地照亮装饰层(3)的透光区域。然而,同样可行的是:替代地或附加地,装饰层(3)和/或粘附层(7)至少具有包括光散射颗粒(10)的区域。
此外,可行的是:基体(2)、装饰层(3)和粘附层(7)中的至少一个具有其中布置有光转换颗粒的区域。通过光转换颗粒例如能够将由光电子半导体器件(6)发射的第一波长的光转换成与第一波长不同的第二波长的光。图6示例性地示出:功能子层(7.b)在第一子区域(7.b.1)中具有光转换颗粒(11)。相比之下,功能子层(7.b)在第二子区域(7.b.2)中具有光吸收颗粒(8)。特别地,功能子层(7.b)在第二子区域(7.b.2)中具有高浓度的光吸收颗粒(8),使得功能子层(7.b)在第二子区域(7.b.2)中基本上不透光地构成。功能子层(7.b)因此能够被结构化并且具有不透光的区域以及透光的或光转换的区域。在此,不透光的区域被构成在功能子层(7.b)的不直接位于光电子半导体器件(6)的射束路径中的区域中。相比之下,透光或光转换的区域被构成在功能子层(7.b)的位于光电子半导体器件(6)的射束路径中的区域中。
相对于图6所示的实施例,图7所示的光电子发光设备(1)的粘附层(7)还具有第二子层(7.c)。第二子层(7.c)由与第一子层(7.a)相同的材料构成并且特别地具有透明和粘合特性。功能子层(7.b)布置在第一子层(7.a)与第二子层(7.c)之间。通过这种布置可行的是:在粘附层(7)中提供功能子层(7.b)并且仍然确保光电子膜(4)在第二主表面(2.2)上的最佳粘附。
如图8所示,功能子层(7.b)还能够被构成为所谓的阴影膜,并且能够被结构化并布置在光电子半导体器件(6)之上,使得透光地构成的第一子区域(7.b)位于光电子半导体器件(6)的射束路径中,而不透光地构成的第二子区域(7.b.2)被构成在功能子层(7.b)的不直接位于光电子半导体器件(6)的射束路径中的区域中。这种结构化的并布置在光电子半导体器件(6)之上的功能子层(7.b)的优点在于:能够由此增加由光电子半导体器件(6)发射的光的对比度。
图9所示的光电子发光设备(1)还包括反射层(12),所述反射层布置在载体衬底(5)的与基体(2)相对的一侧上。在所示的实施例中,反射层(12)被结构化,并且被构成为使得至少载体衬底(5)的与光电子半导体器件(6)相对的区域(12.1)由反射层(12)覆盖。然而,在光电子半导体器件(6)未布置在载体衬底(5)的相对的一侧上的区域中,反射层(12)具有凹部。因此,反射层(12)可以基本上仅布置在载体衬底(5)上的光电子半导体器件(6)下方。
反射层(12)例如能够被构成为朝向基体(2)反射由光电子半导体器件(6)发射的不朝向基体(2)放射的光。为此,反射层(12)能够以例如白色覆层的形式施加或印刷到载体衬底(5)上。
根据图10,反射层(12)的凹部(12.2)能够填充有光吸收材料。由此可行的是:提高了由光电子半导体器件(6)发射的光或由反射层(12)反射的光的对比度。
在一些实施方式中,基体(2)和粘附层(7)中的至少一个具有微结构化光学装置。在此,微结构化光学装置尤其布置在光电子半导体器件(6)的射束路径中。如图11示例性地示出,微结构化光学装置(13)能够布置在光电子半导体器件(6)的射束路径(S)中、例如在功能子层(7.b)中。微结构化光学装置(13)由浇注在功能子层(7.b)中的透镜形成。微结构化光学装置(13)例如能够被构成为对由光电子半导体器件(6)发射的光进行聚焦、散射或转向。为此,所述微结构化光学装置由折射率高于粘附层(7)的其他层的材料以及高于其中浇注有微结构化光学装置(13)的材料的材料构成。例如,在当前情况下,分别由三个光电子半导体器件(6)发射的光借助于微结构化光学装置(13)进行聚焦和准直。
同样可行的是:如图12所示的微结构化光学装置(13)浇注在基体(2)中。在此,微结构化光学装置(13)由折射率高于粘附层(7)的材料和基体(2)的材料的材料构成。在该情况下,微结构化光学装置也被构成为透镜,所述透镜对分别由三个光电子半导体器件(6)发射的光进行聚焦和准直。
图13示出了光电子发光设备(1),所述光电子发光设备包括微结构化光学装置(13),所述微结构化光学装置从载体衬底(5)穿过粘附层(7)延伸到基体(2)中。在当前的实施例中,微结构化光学装置(13)被构成为平凹发散透镜。在本文中,平凹指的是:发散透镜具有平坦表面和与平坦表面相对的凹形表面。在此,平坦表面面向光电子半导体器件(6),而凹形表面沿发射方向远离光电子半导体器件(6)。如图所示,利用这种微结构化光学装置(13)能够将多个光电子半导体器件(6)的光或由多个光电子半导体器件(6)发射的光的射束(S)转向到装饰层(3)的期望的区域上。
图14A和图14B示出了光电子发光设备(1)的截面图以及俯视图,所述光电子发光设备具有在基体(2)和粘附层(7)内用空气填充的腔室(14)以及在基体(2)内用空气填充的空腔(15)。用空气填充的腔室(14)和用空气填充的空腔(15)共同形成光学元件。特别地,用空气填充的腔室(14)和用空气填充的空腔(15)被构成为并相对于彼此被布置成,使得它们基本上形成所谓的TIR透镜(英文:Total Internal Reflection全内反射,TIR)。在此,TIR透镜尤其被形成为使得来自光电子半导体器件(6)的光束(S)在用空气填充的腔室(14)或用空气填充的空腔(15)与粘附层(7)或基体(2)之间的边界面处高于临界角反射进而被偏转。由此能够对由光电子半导体器件(6)发射的光进行准直或转向。
基体(2)内的用空气填充的空腔或腔室(14、15)能够例如在基体(2)的浇注过程中通过滑块来产生。图14B示出:基体(2)内的用空气填充的空腔(15)在基体(2)的整个宽度上延伸,进而能够分别通过侧向引入基体(2)中的滑块产生。相比之下,粘附层(7)内的腔室(14)能够通过结构化粘附层(7)来产生,其中在腔室(14)的区域中去除粘附层(7)的材料。
图15示出了光电子发光设备(1)的另一个实施例,所述光电子发光设备具有在基体(2)和粘附层(7)内用空气填充的腔室(14)以及在基体(2)内用空气填充的空腔(15)。与图14A所示的实施例相比,用空气填充的腔室(14)和用空气填充的空腔(15)尽管具有不同的几何形状,但也如前述实施例那样形成TIR透镜。通过这两个实施例尤其应表明:能够根据需要选择用空气填充的空腔(15)和用空气填充的腔室(14)的几何形状,使得能够以期望的方式对由光电子半导体器件发射的光(6)进行准直或转向。
与图4所示的光电子发光设备(1)相比,图16所示的光电子发光设备(1)的装饰层(3)具有凹部(3.1)。凹部(3.1)尤其能够被构成为装饰层(3)的透明区域,光电子半导体器件(6)的光通过所述透明区域到达外部。凹部(3.1)例如能够用透明材料填充,或者如图所示保持裸露,即不填充材料。装饰层(3)通过凹部(3.1)被结构化,并且凹部(3.1)能够相对于彼此被布置成使得它们形成在光电子发光设备(1)正常使用期间应被照亮的图案或符号。
为此,装饰层(3)尤其能够由半透明或不透明的材料形成,使得在光电子发光设备(1)正常使用期间仅将凹部(3.1)的区域照亮。通过使用半透明或不透明的材料,能够清晰地且以高对比度地照亮或显示由凹部(3.1)限定的图案或由凹部(3.1)限定的符号。
图17示出了光电子发光设备(1),其装饰层(3)包括与基体(2)相邻构成的附加的反射层(3.e)。装饰层(3)中的也已经在前述实施例中描述的凹部(3.1)在当前情况下也延伸穿过附加的反射层(3.e)。附加的反射层(3.e)能够例如由印刷到基体(2)上的漆或者由布置在基体上的结构化的漆构成。通过反射层(3.e)能够实现:装饰层(3)向外具有反射或镜面或金属效果。
此外,如前述实施例所述,由半透明或不透明的材料构成的层也构成在附加的反射层(3.e)上。穿过两个层的凹部(3.1)用材料(17)填充,所述材料包括光散射颗粒(10)。通过具有光散射颗粒(10)的材料能够实现光电子发光设备(1)的均匀的整体印象。具有光散射颗粒(10)的材料(17)例如能够以3D漆的形式施加,所述3D漆用光散射颗粒(10)填充。
相比之下,如图18所示,光学元件(18)、特别是透镜形式的光学元件也能够分别布置在凹部(3.1)中。这种光学元件(18)能够例如借助于3D漆来施加和产生,并且用于对光电子半导体器件(6)的从装饰层(3)的凹部(3.1)中射出的光进行聚焦、散射或转向。在此,光学元件(18)能够与装饰层(3)的表面齐平,或者如图所示,能够突出超过装饰层(3)。
同样可行的是:如图19所示,凹部(3.1)用具有两个层的材料(17)填充,所述两个层中的面向基体的层包括光转换颗粒(11),而布置在该层上方的层包括光散射颗粒(10)。
图20A示出了光电子发光设备(1)的截面图,所述光电子发光设备包括布置在载体衬底(5)上或浇注在粘附层(7)中的多个光导(19)。图20B示出了载体衬底(5)的俯视图,光导(19)布置在所述载体衬底上。光导(19)能够例如借助于模板印刷分别印刷到载体衬底(5)上,或者借助于点胶或喷射方法分别施加到载体衬底(5)上。光导(19)布置在载体衬底(5)上,使得所述光导分别覆盖或包围多个光电子半导体器件(6)。由相应数量的光电子半导体器件(6)发射的光由此能够在相应的光导中传播并且沿该光导分布。
因此,多个光电子半导体器件(6)例如能够借助于光导连接并且在多个光电子半导体器件(6)的矩阵布置内形成符号或公共面。因此,面光源和点光源例如能够在多个光电子半导体器件的矩阵布置内同时实现。
此外,如图20B所示,通过光导(19)能够实现:将光引导到光电子发光设备(1)或载体衬底(5)的在载体衬底(5)上未布置光电子半导体器件(6)的区域中。
代替光导,还能够将具有光转换颗粒(11)且涂覆有具有光散射颗粒(10)的层的区域印刷或施加到载体衬底(5)上。这种实施例在图21中被示例性地示出。在此,具有光转换颗粒(11)的区域以圆顶状施加在载体衬底(5)上并浇注在粘附层(7)中。在所述区域内存在光电子半导体器件(6),所述光电子半导体器件发射的第一波长的光由于光转换颗粒(11)而被转换成第二波长的光。包括光散射颗粒(10)的层能够例如具有白色的色彩印象并且例如以所谓的“白色层”的形式构成。由此,例如,在未照明状态下,呈现彩色的光转换颗粒(11)、即例如黄色光转换颗粒(11)能够被该层遮盖,以产生整体白色的色彩印象。
图22示出了光电子发光设备(1),所述光电子发光设备的粘附层(7)与例如图17或图19所示的光电子发光设备(1)相比具有另外的功能子层(7.d),所述另外的功能子层布置在第一子层(7.a)与功能子层(7.b)之间。在当前的示例中,另外的功能子层(7.d)包括光散射颗粒(10)并且尤其被构成为具有白色色彩印象的层。为此,光散射颗粒(10)例如能够包括材料Al2O3和TiO2中的至少一种。在当前的示例中,功能子层(7.b)被构成为光转换层并且包括对应的光转换颗粒。由于光转换颗粒,处于未照明状态下的功能子层(7.b)能够例如具有彩色的色彩印象,即例如由于黄色光转换颗粒而具有黄色的色彩印象。然而,由于布置在功能子层(7.b)之上的白色的另外的功能子层(7.d),在光电子发光设备(1)未照明的状态下,至少在照明状态下照亮的区域中产生白色的整体色彩印象。
然而,如图23所示,在前述实施例中描述的光散射颗粒(10)也能够布置在装饰层(3)的凹部(3.1)中。凹部(3.1)相应地用具有白色色彩印象的材料填充。由此实现:光电子发光设备(1)在未照明状态下至少在照明状态下照亮的区域中具有白色的整体色彩印象。
图24A和图25A分别示出了光电子发光设备(1)的另一个实施例的截面图,图24B和图25B分别示出了光电子发光设备(1)的相应的载体衬底的俯视图。与前述实施例相比,在当前的情况下,光电子半导体器件(6)布置或构成在载体衬底(5)上,使得其主发射方向(E)不指向基体(2)的方向。尽管在图中仅示例性地示出一个光电子半导体器件(6),然而能够以所示的方式将多个光电子半导体器件(6)施加在载体衬底(5)上。
在图24A所示的实施例的情况下,光电子半导体器件(6)以侧视发射器或体积发射器的形式构成,所述光电子半导体器件压入或嵌入载体衬底(5)中。除了将光电子半导体器件(6)保持就位的机械特性外,载体衬底(5)还具有光导特性,使得沿载体衬底引导从光电子半导体器件(6)耦合输入到载体衬底中的光。为了防止半导体器件(6)朝向基体(2)直接发射光,光电子半导体器件(6)在其面向基体(2)的上侧上具有反射层。
载体衬底(5)具有至少一个结构化区域(20)或者如图24B所示具有三个结构化区域(20),以耦合输出在载体衬底(5)中引导的光。在载体衬底(5)中引导的光在结构化区域(20)处散射,并由此朝向基体(2)转向。
在此,结构化区域(20)能够被构成在载体衬底(5)的与基体(2)相对的一侧上,如图24A所示,但是结构化区域(20)也能够被构成在载体衬底(5)的面向基体(2)的一侧上。同样地,如图24B中所示,结构化区域(20)围绕光电子半导体器件(6)的几何布置能够进行变化,并且能够根据要求进行适配。
在图25A中所示的实施例的情况下,光电子半导体器件(6)以侧视发射器或边缘发射器的形式构成,所述光电子半导体器件布置在载体衬底(5)上并且嵌入粘附层中(7)。除了将光电子膜(4)固定在第二主表面(2.2)上的粘合特性外,粘附层(7)还具有光导特性,使得沿粘附层(7)引导从光电子半导体器件(6)耦合输入到粘附层(7)中的光。如在前述实施例中已经解释的,光电子半导体器件(6)在其面向基体(2)的上侧上具有反射层,以便防止半导体器件(6)朝向基体(2)直接发射光。
载体衬底(5)具有至少一个结构化区域(20)或者如图25B所示具有三个结构化区域(20),以耦合输出在粘附层(7)中引导的光。在粘附层(7)中引导的光在结构化区域(20)处散射,并由此朝向基体(2)转向。
图26A示出了具有结构化装饰层(3)的光电子发光设备(1)。结构化装饰层(3)具有透明或漫射的载体层(3.a)以及布置在载体层(3.a)上方的反射层(3.e)。凹部(3.1)被构成在反射层(3.e)中,所述凹部被构成为或相对彼此被布置成使得其形成在光电子发光设备(1)的正常使用期间应被照亮的图案或符号。在漫射的载体层(3.a)的背离反射层(3.e)的一侧上,至少在凹部(3.1)的区域中印刷包括光转换颗粒(11)的区域。包括光转换颗粒(11)的区域尤其能够嵌入基体(2)中。
两个光电子半导体器件(6)在载体衬底(5)上分别布置在凹部(3.1)之下的区域中。在此,两个光电子半导体器件(6)例如能够由发射不同波长的光的两个LED芯片形成。包括光转换颗粒(11)的区域能够包括至少两种不同类型的光转换颗粒(11),其中第一类型被构成为将第一波长的光转换成第二波长的光,而第二类型被构成为将第三波长的光转换成第四波长的光。通过光电子半导体器件(6)和在其上方布置的具有不同类型的光转换颗粒(11)的区域的这种布置,能够防止光电子半导体器件(6)之间的串扰,因为针对发射的不同波长的光使用不同类型的光转换颗粒(11)来转换光。此外,通过光电子半导体器件(6)和在其上方布置的具有不同类型的光转换颗粒(11)的区域的这种布置,可以简单地通过单独适配由光电子半导体器件(6)发射的光强度来进行色彩混合或色调的适配。
然而,除了图中所示的两个光电子半导体器件(6)和在其上方布置的具有两种不同类型的光转换颗粒(11)的区域外,还可行的是:具有多种不同类型的光转换颗粒(11)的区域分别布置在多个光电子半导体器件(6)的上方,以便提供如RGB或RGBW像素。
图26B示出了图26A所示的光电子发光设备(1)的基体(2)的俯视图。在此可以看到:包括光转换颗粒(11)的区域基本上被限制在对应的相关联的光电子半导体器件(6)上方的区域上或者被限制在装饰层(3)的凹部(3.1)的区域上。
与图26A所示的实施例不同,图27所示的实施例的装饰层(3)仅具有布置在第一主表面(2.1)上的结构化的反射层或光吸收层。与前述实施例相比,包括光转换颗粒(11)的区域没有印刷到装饰层(3)上,而是用包括不同类型的光转换颗粒(11)的材料填充凹部(3.1)。但是,在此,不同波长的光的光转换原理与前述实施例相同。
图28所示的光电子发光设备(1)的第二主表面(2.2)围绕垂直于绘图平面伸展的轴线具有弯曲或弯折。通过弯曲或弯折得到第二主表面(2.2)的第一和第二平坦子区域(2.2.1、2.2.2)。光电子膜(4)也由两个子膜(4.1、4.2)形成,所述两个子膜分别布置在第二主表面(2.2)的平坦子区域(2.2.1、2.2.2)上。然而,光电子发光设备(1)或基体(2)、装饰层(3)和光电子膜(4)能够独立地根据前述方面中的至少一些来构成。通过图28示例性示出的实施例尤其应示出:与前述实施例的图示不同,第二主表面不一定必须平坦地构成,也能够弯曲地构成。
图29示出了光电子发光设备(1),其中如在前述实施例中那样,第二主表面(2.2)围绕垂直于绘图平面伸展的轴线具有弯曲或弯折。然而,与图28所示的实施例相比,光电子膜不是由两个子膜形成的,而是一件式地布置在第二主表面(2.2)上。尤其在第二主表面(2.2)包括平坦构成的并且至多围绕同一个空间方向相互倾斜或扭转的子区域的情况下,或者尤其在第二主表面仅围绕一个空间方向具有弯曲的情况下,能够简单地且仅通过围绕这一空间方向使膜变形或弯曲膜来将光电子膜层压到基体上。
图30示出了包括多个光电子半导体器件(6)的光电子膜(4)的俯视图。然而,在此,光电子半导体器件(6)仅布置在光电子膜(4)的在光电子发光设备(1)的正常使用期间应被照亮的区域中。由此,与在整个面上具有光电子半导体器件(6)的光电子膜(4)相比,能够节省成本和重量。
图31A和图31B示出了包括光电子半导体器件(6)的矩阵布置的光电子发光设备(1)的俯视图和截面图。在此,半导体器件(6)成行成列地布置在载体衬底(5)上,并且能够被单独操控。基体(2)和装饰层(3)在矩阵之上的区域中都透明地构成或者具有凹部(3.1),使得光电子半导体器件(6)的矩阵布置能够穿过基体和装饰层发光。
光电子半导体器件(6)的这种矩阵布置例如能够形成显示器,借助所述显示器能够在光电子发光设备(1)上或光电子发光设备(1)中显示信息和/或图像。除此之外,光电子发光设备(1)或基体(2)、装饰层(3)和光电子膜(4)还能够根据前述方面中的至少一些来改进。
附图标记列表
1 光电子发光设备
2 基体
2.1 第一主表面
2.2 第二主表面
2.2.1 第一子区域
2.2.2 第二子区域
3 装饰层
3.1 装饰层的凹部
3.a 漫射的载体层
3.b 保护层
3.c 第一覆层
3.d 第二覆层
3.e 反射层
4 光电子膜
4.1 第一子膜
4.2 第二子膜
5 载体衬底
6 光电子半导体器件
7 粘附层
7.a 第一子层
7.b 功能子层
7.c 第二子层
7.d 另外的功能子层
8 光吸收颗粒
9 保护膜
10 光散射颗粒
11 光转换颗粒
12 反射层
12.1 反射层的区域
12.2 反射层的凹部
13 结构化光学装置
14 腔室
15 空腔
16 透明材料
17 材料
18 光学元件
19 光导
20 结构化区域
E 发射方向
S 射束路径、光束

Claims (31)

1.一种光电子发光设备(1),包括:
至少局部透明的基体(2),所述基体具有尤其弯曲的第一主表面(2.1)和第二主表面(2.2),所述第二主表面与所述第一主表面(2.1)相对并且至少局部地不平行于所述第一主表面伸展;
布置在弯曲的第一主表面(2.1)上的装饰层(3),所述装饰层基本上遵循所述第一主表面(2.1)的弯曲;和
布置在所述第二主表面上的光电子膜(4),所述光电子膜具有:
-载体衬底(5),特别是柔性载体衬底;
-至少一个电导线和多个光电子半导体器件(6),所述至少一个电导线和所述多个光电子半导体器件布置在所述载体衬底(5)上;和
-至少部分透明的粘附层(7),所述粘附层布置在所述光电子半导体器件(6)与所述基体(2)之间并且将所述光电子膜(4)与所述第二主表面(2.2)连接,
其中,所述光电子半导体器件(6)嵌入所述粘附层(7)中。
2.根据权利要求1所述的光电子发光设备,
其中,所述多个光电子半导体器件(6)中的一些沿光电子半导体器件的发射方向(E)观察布置在所述基体(2)的至少一个透明区域之前。
3.根据权利要求1或2所述的光电子发光设备,
其中,所述第二主表面(2.2)在至少一个空间方向上同样具有弯曲。
4.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述装饰层(3)至少具有透明构成的子区域。
5.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述粘附层(7)包括以下材料中的至少一种:
PVB;
EVA;
热塑性聚合物;
硅树脂;
丙烯酸;和
环氧树脂。
6.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述粘附层(7)设置有光吸收颗粒(8)。
7.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
还包括保护膜(9),所述保护膜覆盖所述光电子膜(4)的与所述基体(2)相对的一侧。
8.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述基体(2)、所述装饰层(3)和所述粘附层(7)中的至少一个具有光散射颗粒(10)。
9.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述基体(2)、所述装饰层(3)和所述粘附层(7)中的至少一个具有光转换颗粒(11)。
10.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述粘附层(7)包括由第一子层(7.a)和功能子层(7.b)构成的层序列。
11.根据权利要求10所述的光电子发光设备,
其中,所述光电子半导体器件(6)浇注到所述功能子层(7.b)中。
12.根据权利要求10所述的光电子发光设备,
其中,所述功能子层(7.b)与所述基体(2)相邻地布置。
13.根据权利要求10所述的光电子发光设备,
其中,所述粘附层(7)包括第二子层(7.c),并且所述功能子层(7.b)布置在所述第一子层(7.a)与所述第二子层(7.c)之间。
14.根据权利要求10至13之一所述的光电子发光设备,
其中,所述功能子层(7.b)包括至少一个第一子区域(7.b.1),光转换颗粒(11)和/或光散射颗粒(10)布置在所述至少一个第一子区域中。
15.根据权利要求10至14之一所述的光电子发光设备,
其中,所述功能子层(7.b)包括至少一个第二子区域(7.b.2),光吸收颗粒(8)布置在所述至少一个第二子区域中。
16.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
还包括反射层(12),所述反射层布置在所述载体衬底(5)的与所述基体(2)相对的一侧上。
17.根据权利要求16所述的光电子发光设备,
其中,所述反射层(12)被结构化,使得所述反射层基本上仅覆盖所述载体衬底(5)的与所述光电子半导体器件(6)相对的区域。
18.根据权利要求17所述的光电子发光设备,
其中,结构化的反射层(12)具有光吸收区域(12.2)。
19.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述基体(2)和所述粘附层(7)中的至少一个具有微结构化光学装置(13),其中所述微结构化光学装置(13)尤其布置在所述光电子半导体器件(6)的射束路径(S)中。
20.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述基体(2)和所述粘附层(7)中的至少一个具有用空气填充的至少一个腔室(14)和/或用空气填充的至少一个空腔(15),其中所述至少一腔室(14)和/或所述至少一个空腔(15)被构成为且被布置成使得所述至少一个腔室和/或所述至少一个空腔在至少一个光电子半导体器件(6)的射束路径(S)中形成光学元件、特别是透镜。
21.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述装饰层(3)由光吸收材料形成,并且具有凹部(3.1)。
22.根据权利要求21所述的光电子发光设备,
其中,所述装饰层(3)的凹部(3.1)用透明材料(16)填充。
23.根据权利要求21或22所述的光电子发光设备,
其中,所述装饰层(3)的凹部(3.1)用包括光散射颗粒(10)和/或光转换颗粒(11)的材料(17)填充。
24.根据权利要求21至23之一所述的光电子发光设备,
其中,光学元件(18)、特别是透镜布置在所述凹部(3.1)中的至少一个中。
25.根据权利要求21至24之一所述的光电子发光设备,
其中,所述装饰层(3)包括与所述基体(2)相邻构成的反射层(3.e)。
26.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,光导(19)被构成在所述基体(2)和所述粘附层(7)中的至少一个中。
27.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述光电子半导体器件(6)中的至少一个被构成为边缘发射半导体芯片。
28.根据权利要求27所述的光电子发光设备,
其中,所述载体衬底(5)具有结构化区域(20),使得由所述边缘发射半导体芯片(6)发射的光朝向所述基体(2)转向。
29.根据权利要求3所述的光电子发光设备,
其中,所述光电子膜(4)基本上遵循所述第二主表面(2.2)的弯曲。
30.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述光电子膜(4)由至少两个子膜(4.1、4.2)形成,并且第一子膜(4.1)布置在所述第二主表面(2.2)的第一子区域(2.2.1)上,而第二子膜(4.2)布置在所述第二主表面(2.2)的第二子区域(2.2.2)上。
31.根据前述权利要求之一所述的光电子发光设备,
其中,所述光电子半导体器件(6)布置成由行和列构成的矩阵,并且能够单独操控。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US20070053179A1 (en) * 2005-09-08 2007-03-08 Pang Slew I Low profile light source utilizing a flexible circuit carrier
US9666107B2 (en) * 2007-03-30 2017-05-30 Philips Lighting Holding B.V. Fabric cover layer for display device
CN107963031A (zh) 2016-10-19 2018-04-27 福特全球技术公司 具有微型led的照亮的彩色标志总成
DE102018132542A1 (de) * 2018-12-17 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische leuchtvorrichtung und herstellungsverfahren
DE112020005209T5 (de) * 2019-10-29 2022-12-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung

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