CN117393654B - 光伏电池制备方法和光伏电池 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了光伏电池制备方法和光伏电池，该光伏电池制备方法包括以下步骤：提供具有金属电极的硅片；将具有金属电极的硅片进行预烧结，去除所述金属电极中杂质，得到预烧结后的硅片；将所述预烧结后的硅片进行激光烧结，得到激光烧结后的硅片；将所述激光烧结后的硅片进行微波烧结，得到光伏电池。本发明利用激光烧结实现金属电极区域温度的快速升高，从而提升金属电极与硅之间的欧姆接触；利用微波技术对激光烧结后的硅片进行微波烧结，不仅能够降低金属电极的孔隙率，使得金属电极更致密，而且缩短了对具有金属电极的硅片预烧结的时间，避免金属电极会在PN结扩散相对较深的深度，降低金属电极与硅之间复合，同时降低了能耗。
Description
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，更具体地，涉及光伏电池制备方法和光伏电池。
背景技术
TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact）技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，能够实现载流子的选择性通过阻挡少子空穴复合。氧化层的化学钝化和高掺杂多晶硅的场致钝化效果，能够进一步提高电池开路电压和短路电流电池转换效率有较大的提升空间。
银浆的烧结过程包括烘干、燃烧、烧结三个阶段。正银的烧结存在最佳烧结点，温度过高则存在过烧风险，而温度过低则存在欠烧现象。当存在过烧时，银硅混合层会造成串联电阻偏大，并且银浆易进入PN结区造成部分短路，使并联电阻偏小；当存在欠烧时，银浆不能充分穿透氮化硅进入N型层，无法形成良好的欧姆接触。
目前，通常在PE电池后，对硅片的正背面进行印刷和烧结，之后退火，在烧结过程中通过多个温区实现去除有机物、金属化和形成欧姆接触，但存在以下问题：相对较长时间的热处理不仅可能使得金属与硅复合较严重，而且还有可能使得氮化硅介质层中的氢较多的进入到电池基体内，因此，是本领域亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种光伏电池制备方法，用以解决金属电极较难在极短时间实现有效的加热，而长时间的加热导致金属会在PN结扩散相对较深的深度的问题。
第一方向，本申请提供一种光伏电池制备方法，包括以下步骤：
提供具有金属电极的硅片；
将具有金属电极的硅片进行预烧结，去除所述金属电极中杂质，得到预烧结后的硅片；
将所述预烧结后的硅片进行激光烧结，得到激光烧结后的硅片；
将所述激光烧结后的硅片进行微波烧结，得到光伏电池。
可选地，所述将激光烧结后的硅片进行微波烧结包括：利用微波技术对激光烧结后的硅片中金属电极的表层进行处理。
可选地，所述微波烧结的条件为：微波频率范围为2-20GHz，微波功率范围为2-20KW。
可选地，所述微波烧结中微波温度范围为700~900℃，微波烧结中时间不超过20s。
可选地，在进行所述激光烧结的同时，施加偏转电压。
可选地，所述偏转电压中电压范围-10V~-16V。
可选地，所述激光烧结的条件为：激光波长范围为310~1064nm，激光光斑范围为30-200μm，激光功率范围为20-100w。
可选地，在将所述激光烧结后的硅片进行微波烧结之后进行光热退火。
可选地，所述提供具有金属电极的硅片包括：
利用丝网印刷技术在所述硅片的表面制备所述金属电极；或者，
利用激光转印技术在所述硅片的表面制备所述金属电极。
第二方面，本申请提供一种光伏电池，包括上述所述光伏电池制备方法制备的光伏电池。
与现有技术相比，本发明提供的光伏电池制备方法和光伏电池，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的光伏电池制备方法和光伏电池，该光伏电池制备方法包括如下步骤：先提供具有金属电极的硅片；再对具有金属电极的硅片进行预烧结，去除金属电极中杂质，之后再利用激光烧结，不仅能够实现金属电极区域温度的快速升高，从而提升金属电极与硅之间的欧姆接触，而且不损坏钝化（如氮化硅介质层）结构，防止氮化硅介质层中氢进入硅片内部，最后利用微波技术对激光烧结后的硅片进行微波烧结，不仅能够降低金属电极的孔隙率，使得金属电极更致密，而且缩短了对具有金属电极的硅片预烧结的时间，从而避免金属电极会在PN结扩散相对较深的深度，进而降低金属电极与硅之间复合，同时还可以降低了能耗。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明提供的光伏电池制备方法的流程示意图之一；
图2是本发明提供的光伏电池制备方法的流程示意图之二；
图3是本发明提供的光伏电池的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1是本发明提供的光伏电池制备方法的流程示意图之一；参照图1所示，本实施例提供一种光伏电池制备方法，包括以下步骤：
S1提供具有金属电极的硅片；
具体地，硅片可以为一半成品硅片，该硅片可以为N型硅片，也可以为P型硅片，金属电极的材质可以为银电极、铜电极、金电极、银铝电极的一种，在硅片上设置有金属电极，金属电极可以位于硅片的正面以及背面，也可以仅位于硅片的背面，金属电极包括主栅线和细栅线，主栅线与细栅线相交，可选地，细栅线可以与主栅线相互垂直，细栅线与主栅线电连接，主栅线用于收集细栅线的电流；或者，金属电极也不设置主栅线，仅包括多根细栅线，由焊丝替代主栅线，对此不在限定。
S2将具有金属电极的硅片进行预烧结，去除金属电极中杂质，得到预烧结后的硅片；
具体地，由于金属电极的材质可以为银电极、铜电极、金电极、银铝电极的一种，以银电极举例说明，银电极的主要组分由银粉、玻璃氧化物（或树脂）和有机物组成，其中，银粉可以选用高纯银粉，高纯银粉中银含量不低于99.99%；玻璃氧化物可以选用玻璃粉，玻璃粉是一种抗划高透明粉料，粒径小、分散性好、透明度高、防沉效果好；经过表面改进，具有良好的亲和能力，并且有较强的位阻能力，能方便地分散于涂料中，成膜后可增加涂料丰满度，制成的水晶透明度底漆类，既保持清晰的透明度，又提供良好的抗刮性；含极性基团对银粉有亲和作用的树脂选自羟基丙烯酸树脂、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇缩 丁醛、醛酮树脂及乙基纤维素树脂中的至少一种；通常的有机物可能涉及到：有机载体， 溶剂选自醇酯-12、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、己二酸二甲酯、戊二酸二甲酯、乙二醇 苯醚及柠檬酸三丁酯中的至少一种。
该预烧结在传统烧结炉中进行，传统烧结炉分为预烧结阶段、烧结阶段、降温冷却阶段。预烧结阶段目的是通过高温处理将金属电极（如银电极）中杂质熔化并去除，从而得到金属化表面，上述金属电极（如银电极）中杂质可以为有机物，此阶段温度慢慢上升，预烧结阶段温度范围在300℃-350℃，通常有机物的熔点低于350℃，在较高温度下挥发；烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻膜结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值，峰值温度范围在670℃-720℃，当峰值设定过高，则导致金属电极累计热制程时间长，增加了其向内部扩散的几率，当峰值设定过低，则不利于形成电阻膜结构，因此，本实施例中将峰值温度范围设定在670℃-720℃之间，不仅能够缩短金属电极累计热制程，从而降低了金属电极向内部扩散的几率，而且有利于形成电阻膜结构；降温冷却阶段，玻璃氧化物冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。
需要说明的是：常规烧结炉中峰值温度范围在700℃-750℃，而本实施例中峰值温度范围在670℃-720℃，上述峰值温度较普通烧结炉中峰值温度低，从而能够大幅度降低烧结炉的功耗。
S3将预烧结后的硅片进行激光烧结，得到激光烧结后的硅片；
具体地，采用激光扫描预烧结后的硅片，以增加金属电极与硅（如多晶硅）之间的欧姆接触，如采用低功率皮秒激光束辐照预烧结后的硅片上金属电极（正面金属电极和背面金属电极，或者背面金属电极）进行扫描，使金属电极（先正面金属电极后背面金属电极，或者，仅背面金属电极）发生烧结，引发金属电极（银电极）与硅（如多晶硅）相互扩散，经过冷却后形成金属电极和硅（如多晶硅）之间形成银硅合金，得到激光烧结后的硅片。
S4将激光烧结后的硅片进行微波烧结，得到光伏电池。
具体地，利用微波设备对激光烧结后的硅片进行微波烧结，微波是指频率为300MHz-3000GHz的电磁波，是无线电波中一个有限频带的简称。通常微波的波长相对较长，对于硅材料是高透射的，硅材料不容易升温。此外，由于微波有较强的穿透能力，它能深入到激光烧结后的硅片的内部，首先使激光烧结后的硅片中心温度迅速升高达到着火点并引发燃烧合成， 烧结波沿径向从里向外传播， 这就能使整个激光烧结后的硅片几乎是均匀地被加热。通过微波技术的趋肤效应使得金属电极更致密。微波设备的型号可以为ZY-GW-6HM。
金属电极能量吸收与微波辐射的频率、金属电极的导电性和辐射的极化方式有关。一般来说，高导电性的金属电极（如银电极）通常比低导电性的金属电极（铜电极和铝电极）更有效地吸收微波能量。
本实施例先在传统烧结炉中进行预烧结，预烧结完成之后单独利用激光进行激光烧结，得到激光烧结后硅片，最后将激光烧结后硅片单独进行微波烧结，利用微波技术在金属中的趋肤效应，实现金属电极的致密化，由于本实施例需要对具有金属电极的硅片依次进行激光烧结和微波烧结，激光烧结和微波烧结均能够在极短时间实现金属电极区域有效加热，如利用激光烧结能够实现金属电极区域温度的快速升高，从而提升金属电极与硅（如多晶硅）之间的欧姆接触，同时不损坏钝化（如氮化硅介质层）结构，防止氮化硅介质层中氢进入预烧结后的硅片内部；利用微波烧结不仅能够降低金属电极的孔隙率，从而提高金属电极的致密性，而且缩短了对具有金属电极的硅片预烧结的时间，从而避免金属电极会在PN结扩散相对较深的深度，降低金属电极与硅之间复合，以及降低了能耗。此外，由于本实施例后续依次进行激光烧结和微波烧结，采用传统烧结炉中峰值设定在670℃-720℃即可，无需将峰值设定在721℃-750℃，还可以降低传统烧结炉的功耗。上述方案中预烧结-激光烧结-微波烧结之间相互关联，执行顺序不可逆，拆分后则实现不了上述技术效果。
与现有技术相比，本实施例提供的光伏电池制备方法，至少实现了如下的有益效果：
本实施例提供的光伏电池制备方法，先提供具有金属电极的硅片；再对具有金属电极的硅片进行预烧结，去除金属电极中杂质，之后再利用激光烧结，不仅能够实现金属电极区域温度的快速升高，从而提升金属电极与硅之间的欧姆接触，而且不损坏钝化（如氮化硅介质层）结构，防止氮化硅介质层中氢进入硅片内部，最后利用微波技术对激光烧结后的硅片进行微波烧结，不仅能够降低金属电极的孔隙率，使得金属电极更致密，而且缩短了对具有金属电极的硅片预烧结的时间，从而避免金属电极会在PN结扩散相对较深的深度，进而降低金属电极与硅之间复合，同时还可以降低了能耗。
在一种可选实施例中，将激光烧结后的硅片进行微波烧结包括：利用微波技术对激光烧结后的硅片中金属电极的表层进行处理。
具体地，感应加热是通过变压器产生高频交流电磁场，使金属电极产生感应电流从而加热的方法。感应加热具有加热迅速、提高生产效率等优点。需要说明的是：利用微波技术仅适用于导电性强的金属电极的材料。微波技术也具备快速加热金属颗粒的能力。一般而言，随着微波频率的升高，趋肤效应越浅，利用高频微波可以对金属电极的表层进行热处理。
微波的穿透深度（趋肤深度）是微波与物质相互作用的一种重要参数，可定义为微
波的场强衰减到金属材料表面处场强的1/e（36.8%）时的深度。根据麦克斯韦方程可推导出
微波在金属中穿透深度的计算公式如式（1）所示： （1）
上式中δ为微波的穿透深度，π为圆周率，ƒ为微波频率，σ为电导率，μ为磁导率，ρ为材料的电阻率，λ0为微波的波长（对于2.45GHz的微波场波长为0.12m）。
根据上述公式得知：微波频率越高，波长越短，则对应的穿透深度越浅。常见金属材料在频率为2.45GHz微波中穿透深度，以铜为例，穿透深度约2.7μm，镍的穿透深度约2.5μm，铁的穿透深度约1.3μm，银的穿透深度约1μm，综上所述，不同金属材料穿透深度略有差异。
激光烧结后的硅片中金属电极受到微波趋肤效应的影响，能够促进金属电极中表层的微熔及降低金属电极内部的孔隙，微波频率越高，则趋肤效应越浅。
常规的金属电极的厚度为8μm，采用高频微波对金属电极中表层进行热处理，能够避免金属电极整体温度过高，防止金属电极继续向电池PN结或硅基底进行扩散。可选地，金属电极中表层厚度范围可以在1μm-2μm，如1μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm、1.5μm、1.6μm、1.7μm、1.8μm、1.9μm或2.0μm。
在一种可选实施例中，微波烧结的条件为：微波频率范围为2GHz-20GHz，微波功率范围为2KW-20KW。
具体地，当微波频率低于2GHz，则金属电极穿透深度过深，不利于金属电极内部短时间的升温，还有可能增加金属电极和PN结区的扩散，若金属电极持续扩散则会带来过烧的风险；当微波功率高于20GHz，则频率太高，金属电极穿透深度变浅，仅能加工金属电极表层，使得热量容易集中的金属电极表面，导致金属电极氧化的风险，因此，将微波频率范围限定在2GHz-20GHz，不仅能够防止金属电极穿透深度过深，有利于金属电极内部短时间的升温，而且会降低金属电极和PN结区的扩散，同时避免金属电极持续扩散降低过烧的风险。具体而言，微波频率可以为2GHz、4GHz、8GHz、12GHz、16GHz或20GHz。
微波功率过低或过高，则不仅能够影响金属电极内部升温现象，而且存在金属电极过烧风险，导致电池PN结产生损伤，因此，将微波功率范围为2KW-20KW，不仅有利于金属电极内部短时间的升温，而且避免金属电极存在过烧风险，从而防止电池PN结产生损伤。具体而言，微波功率可以为2KW、5KW、10KW、15KW或20KW。
微波功率、微波频率与微波烧结中加热时间有关。
在一种可选实施例中，微波烧结中微波温度范围为700~900℃，微波烧结中时间不超过20s。
具体地，通常用于金属粉末烧结温度在1000-1200℃，并不适合光伏电池中金属电极的致密化，将金属电极利用微波辐射加热可以控制在700-900℃，则有利于光伏电池中金属电极的致密化。当微波烧结中时间超过20s，则时间长，时间长则意味着降低产能，同时还会使温度整体升高，影响降温速率，因此，将微波烧结中时间不超过20s，不仅能够提升产能，而且不会对降温曲线产生过大的干扰。
在一种可选实施例中，在进行激光烧结的同时，施加偏转电压。
具体地，首先，利用低功率皮秒激光束辐照电池片形成感应载流子，结合偏转电压，形成局部电流；局部电流的优先路径位于金属电极下方的发射极与金属电极（如银电极）之间，并形成高电流密度；其次，高电流密度导致发热点，对应处发生烧结，引发银与硅的互相扩散；最后，冷却过程。电流引起的加热时间在微秒-毫秒之间，主要取决于载流子寿命，熔融点附近的温度将迅速降低，金属电极（银电极）和硅形成银硅合金。
在一种可选实施例中，偏转电压中电压范围为-10V~-16V。
具体而言，偏转电压决定了金属电极与硅之间局部接触的温度高低，当偏转电压中电压大于-10V，则负偏压越高，金属电极与硅（多晶硅）之间局部发热严重，导致增加金属电极扩散深度，其进入PN结或硅基体越深，进而降低光伏电池的开路电压；当偏转电压中电压小于-16V，则局部温度较低，较难形成有效的银硅合金，因此，将偏转电压中电压范围设计在-10V~-16V，不仅能够避免负偏压偏高，防止金属电极与硅之间局部发热严重，降低金属电极扩散深度，降低光伏电池的开路电压，而且能够提升金属电极与硅之间局部温度，有利于形成有效的银硅合金。具体而言，偏转电压中电压可以为-10V、-11V、-12V、-13V、-14V、-15V或-16V。
在一种可选实施例中，激光烧结的条件为：激光波长范围为310nm~1064nm，激光光斑范围为30-200μm，激光功率范围为20-100w。
具体地，激光光斑大小通常结合预烧结后硅片中金属电极间隔进行设计，当激光光斑小于30μm，激光功率低于20w，则会影响产能；当激光光斑大于200μm，激光功率大于100w，则金属电极有可能烧穿预烧结后的硅片，因此，将激光光斑范围设计在30-200μm，激光功率范围设计在20-100w，不仅能够提高产能，而且防止金属电极烧穿预烧结后的硅片，具体而言，激光光斑可以为30μm、60μm、90μm、120μm、150μm、180μm或200μm，激光功率可以为20w、40w、60w、80w或100w。
举例说明，假定若激光光斑为120μm，激光功率为40W，则每小时可以加工6000片预烧结电池片；若激光光斑为200微米，激光功率为100W，则每小时可以加工9000片预烧结电池片。
需要说明的是：激光能量不破坏预烧结电池片表面的钝化介质层，如氧化硅、氧化铝等介质层。
表格1对比例和实施例中涉及条件以及对应光伏电池电参
需要说明的是：（1）表格1中对应例1仅为常规烧结，对比例2为常规烧结与激光辅助烧结；实施例为本实施例中常规烧结、激光辅助烧结和微波辅助烧结；（2）条件1为偏转电压、条件2为激光条件、条件3为微波功率、条件4为微波频率、条件5为微波温度；（3）Uoc为开路电压、Isc为短路电流、FF为填充因子、Eta为光电转换效率。
从表格1的结果可以得出：本实施例提供的烧结条件与对比例2提供的烧结条件相比，针对激光波长在355nm，光斑大小同主栅线间距，激光功率在20W，微波功率2kW，微波频率在2GHz，微波温度在700℃，对应填充因子FF较对比例2提升0.2~0.4，对应光电转换效率Eta较对比例2提升0.06~0.162；针对激光波长在960nm，光斑大小同主栅线间距，激光功率在100W，微波功率20kW，微波频率在20GHz，微波温度在900℃，对应填充因子FF较对比例2提升0.2~0.4，对应光电转换效率Eta较对比例2提升0.202~0.381；针对激光波长在532nm，光斑大小同主栅线间距，激光功率在60W，微波功率11kW，微波频率在11GHz，微波温度在800℃时，则填充因子以及光电转换效率提升地更明显，在此不再一一列举。
需要说明的是：目前量产常见激光波长可以为355nm、532nm或1064nm。
在一种可选实施例中，图2是本发明提供的光伏电池制备方法的流程示意图之二；参照图2所示，在将激光烧结后的硅片进行微波烧结之后进行光热退火。
具体地，继续参照图2所示，结合光热退火工艺激发氢对微波烧结之后的光伏电池表面缺陷、光伏电池内部的缺陷以及金属化欧姆接触部分进行修复。具体而言，光伏电池中减反射层（如氮化硅）中包含硅氢键和氮氢键。高温条件下硅氢键和氮氢键破裂，氢在硅中进行快速扩散。通过调节辐照度和提升温度，使渗透至硅体内的氢与非平衡载流子结合并生成不同电荷态的氢，进而实现氢与大多数杂质或缺陷的钝化。例如形成Ag-H键，不仅能够改善金属半导体接触，而且可以降低接触电阻，提升光伏电池的填充因子，进而提升电池的转化效率。
在一种可选实施例中，提供具有金属电极的硅片包括：
利用丝网印刷技术在硅片的表面制备金属电极；或者，利用激光转印技术在硅片的表面制备金属电极。
具体地，利用丝网印刷技术在所述硅片的表面进行浆料的印刷，得到金属电极，具体而言，利用丝网印刷技术在硅片的正面和背面印刷金属浆料，制备硅片金属电极，金属浆料经过烧结后在硅片的正面形成正面电极，在背面形成背面电极，正面电极和背面电极用于收集并输送光伏电池的电流。
如利用激光转印技术在所述硅片的表面进行浆料的印刷，得到金属电极。具体而言，利用激光设备可以在硅片的正面和背面上进行激光开槽；利用激光转印技术在所述正面和/或背面的表面进行浆料的印刷，形成正面电极和/或背面电极，正面电极和背面电极用于收集并输送光伏电池的电流。
图3是本发明提供的光伏电池的结构示意图，参照图3所示，本实施例提供一种光伏电池，包括上述光伏电池制备方法制备的光伏电池。
具体地，光伏电池，包括上述光伏电池制备方法制备的光伏电池，该光伏电池可以为TOPCon电池，TOPCon电池包括硅基底1、正面电极2和背面电极3，硅基底1可以为N型硅衬底，正面电极2和背面电极3可以均为金属，如银、铝、铜或镍等；
硅基底1的其中一面沿远离所述硅基底1方向，依次叠层设置有隧穿氧化层4、多晶硅层5和第一钝化层6，背面电极3贯穿所述第一钝化层6与所述多晶硅层5电连接；隧穿氧化层4可以使多子电子隧穿进入多晶硅层5，同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层5横向传输被金属收集，极大地降低复合速率，提升了电池的开路电压和短路电流，从而提升电池转换效率；
所述硅基底1包括基区11和发射极12，所述发射极12位于基区11远离所述隧穿氧化层4一侧，所述发射极12远离所述基区11一侧设置有第二钝化层7；所述正面电极2贯穿所述第二钝化层7与所述发射极12电连接。
通过上述实施例可知，本发明提供的光伏电池制备方法和光伏电池，至少实现了如下的有益效果：
本发明提供的光伏电池制备方法和光伏电池，该光伏电池制备方法包括如下步骤：先提供具有金属电极的硅片；再对具有金属电极的硅片进行预烧结，去除金属电极中杂质，之后再利用激光烧结，不仅能够实现金属电极区域温度的快速升高，从而提升金属电极与硅之间的欧姆接触，而且不损坏钝化（如氮化硅介质层）结构，防止氮化硅介质层中氢进入硅片内部，最后利用微波技术对激光烧结后的硅片进行微波烧结，不仅能够降低金属电极的孔隙率，使得金属电极更致密，而且缩短了对具有金属电极的硅片预烧结的时间，从而避免金属电极会在PN结扩散相对较深的深度，进而降低金属电极与硅之间复合，同时还可以降低了能耗。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。
Claims (7)
1.一种光伏电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有金属电极的硅片；
将具有金属电极的硅片进行预烧结，去除所述金属电极中杂质，得到预烧结后的硅片，所述预烧结中峰值温度较普通烧结炉中峰值温度低；
将所述预烧结后的硅片进行激光烧结，得到激光烧结后的硅片；
将所述激光烧结后的硅片进行微波烧结，其包括：利用微波技术对激光烧结后的硅片中金属电极的表层进行处理，得到光伏电池，所述光伏电池为TOPCon；
所述微波烧结的条件为：微波频率范围为2-20GHz，微波功率范围为2-20KW，所述微波烧结中微波温度范围为700~900℃，微波烧结中时间不超过20s。
2.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，在进行所述激光烧结的同时，施加偏转电压。
3.根据权利要求2所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述偏转电压中电压范围-10V~-16V。
4.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述激光烧结的条件为：激光波长范围为310~1064nm，激光光斑范围为30-200μm，激光功率范围为20-100w。
5.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，在将所述激光烧结后的硅片进行微波烧结之后进行光热退火。
6.根据权利要求1所述的光伏电池制备方法，其特征在于，所述提供具有金属电极的硅片包括：
利用丝网印刷技术在所述硅片的表面制备所述金属电极；或者，
利用激光转印技术在所述硅片的表面制备所述金属电极。
7.一种光伏电池，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述光伏电池制备方法制备的光伏电池。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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