CN117327107A - 一类有机电致发光材料及其在电致发光器件中的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一类B‑N的有机发光材料及其在有机发光器件中的应用。该类材料在B‑N六元共振的结构基础上，将N上外部的芳香基团使用六元环的烷基固定在B‑N主结构上。这种烷基基团相对芳基，加强了N原子对B‑N主结构的给电子能力，从而有利于多重共振效应的增强，以达到进一步减小半波宽的作用；且烷基的引入降低了材料的升华温度，提高了蒸镀过程中材料的热稳定性，更利于商业化量产使用。本发明的含B‑N结构的有机电致发光材料，其结构通式如式(A)、(B)所示：
Description
技术领域
本发明涉及发光材料领域，具体涉及含B-N的有机发光材料及其在有机发光二极管中的应用。
背景技术
有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件已经广泛应用于显示和照明行业，特别是手机显示，像Apple、Sumsang、华为和小米等手机厂商推出的最新手机产品全部使用OLED屏，这主要归因于OLED具有自发光、视角广、对比度高、响应速度快及可制备柔性器件等优异特点。
当前商业化的OLED器件为多层三明治结构，包括阳极，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极等。阳极产生空穴，并通过空穴注入层和传输层进入发光层，而电子从阴极，经过电子注入层和传输层移动到发光层，空穴和电子在发光层中复合产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而发出可见光。其中，为实现彩色显示，OLED 器件使用相加色原理，即发光层又分为蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层，不同发光层使用不同发光颜色的有机材料。
在将OLED器件应用于显示中时，要求其具有低驱动电压、高发光效率和长寿命，因此，在实现显示性能的逐步提升中，有机材料经历了从荧光材料到磷光材料，再到热致活延迟荧光材料(TADF)的发展。目前绿光和红光材料为磷光材料，其既可以利用单线态激子发光，也可以利用三线态激子发光，故内量子效率可以达到100％，但磷光材料含有重金属，存在价格昂贵，材料稳定性较差等问题；而蓝光材料为荧光材料，只能采用单线态激子发光，虽然有TTA(两个三线态激子转化为一个单线态激子)原理的运用，其理论效率也只有40％，远远低于市场的需求。TADF材料利用小的单线态-三线态能级差(△EST)，三线态激子可以反系间窜越转变成单线态激子，因此也能达到100％的内量子效率，然而TADF材料具有较强的电荷转移特征(CT)，光谱半波宽太宽，不利于高色纯度显示。
发明内容
针对上述有机材料的现有问题，本发明提供了一类含B-N的有机发光材料及其在有机发光器件中的应用。该类材料在B-N六元共振的结构基础上，将N上外部的芳香基团使用六元环的烷基固定在B-N主结构上。这种烷基基团相对芳基，加强了N原子对B-N主结构的给电子能力，从而有利于多重共振效应的增强，以达到进一步减小半波宽的作用；且烷基的引入降低了材料的升华温度，提高了蒸镀过程中材料的热稳定性，更利于商业化量产使用。
本发明还提供了一类含B-N结构的有机电致发光材料，其结构通式如式(A)、(B)所示：
其中：Cy1至Cy2各自独立选自具有6-30个碳原子的芳基、具有5-30个碳原子的杂芳基；
Ar1–Ar4分别独立选自氢、氘、氰基、硝基、卤素基、羟基、碳原子数1至4的烷硫基、碳原子数1至30的烷基、碳原子数1至20的环烷基、碳原子数6至30的芳氧基、碳原子数 1至30的烷氧基、碳原子数1至30的烷基胺基、碳原子数6至30的芳胺基、碳原子数6至 30的芳烷基胺基、碳原子数2至24的杂芳胺基、碳原子数1至30的烷基甲硅烷基、碳原子数6至30的芳基甲硅烷基、碳原子数2至30的烯基、碳原子数2至24的炔基、碳原子数7 至30的芳烷基、碳原子数6至30的芳基、碳原子数5至60的杂芳基或碳原子数6至30的杂芳基烷基构成的取代基组中的一个或多个，或者相邻的Ar1–Ar4键接成环；
R1-R12分别独立选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、C6-30的取代或未取代的芳基、C5-30的取代或未取代的杂芳基中的一种，或者R1-R12相互之间以单键、-C-C-、-C＝C-、 -C＝N-、-C＝P-、-C≡C-、中的任意一种键接成环；
所述杂芳基中杂原子选自N、O或S中的一种或多种，
所述取代为被卤元素，C1-C4烷基所取代。
其中Cy1至Cy2各自独立选自具有6-20个碳原子的芳基、具有5-20个碳原子的杂芳基。
所述Cy1至Cy2中的芳基选自苯基、萘基、蒽基、联萘、菲基、二氢菲、苾基、苝基、并四苯、并五苯、苯并苝、苯并环戊二烯基、螺芴基和芴基中的一种或多种。
所述Cy1至Cy2中的芳基选自苯基、萘基、蒽基、菲基、二氢菲、并四苯、并五苯、苯并苝、苯并环戊二烯基、螺芴基和芴基中的一种或多种。
所述Cy1至Cy2中的杂芳基选自吡咯基、咪唑基、噻吩基、呋喃基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-噁二唑基、噻二唑基、硒二唑基、1,2,3-***基、1,2,4-***基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、吲哚、异吲哚、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、苯并***、嘌呤、苯并噁唑、萘并噁唑，菲并噁唑、苯并噻二唑基、苯并硒二唑基、苯并***基、喹啉基、异喹啉基、苯并吡嗪基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并吡咯基、咔唑基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、硅芴基、二苯并噻吩 -5,5-二氧基、萘并噻二唑基、萘并硒二唑基和10,15-二氢-5H-二吲哚并[3,2-a:3',2'-c]咔唑基中的一种或多种。
所述Cy1至Cy2中的杂芳基选自吡咯基、咪唑基、噻吩基、呋喃基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-噁二唑基、噻二唑基、硒二唑基、1,2,3-***基、1,2,4-***基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、吲哚、异吲哚、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、苯并***、嘌呤、苯并噁唑、萘并噁唑，菲并噁唑、苯并噻二唑基、苯并***基、喹啉基、异喹啉基、苯并吡嗪基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并吡咯基、咔唑基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩-5,5-二氧基、萘并噻二唑基、萘并硒二唑基和10,15-二氢-5H-二吲哚并[3,2-a:3',2'-c]咔唑基中的一种或多种。
优选的，其结构通式如所式(A1)至(A19)和(B1)至(B19)结构之一所示，
结构式(A1)-(A19)和(B1)-(B19)中的Ph1-Ph7的定义均与结构式(A)和(B)中的Ar1-Ar4定义相同，所述R1-R12的定义均与结构式(A)和(B)中的R1-R12定义相同
其中，Ph1-Ph7选自氢、氘、氰基、硝基、卤素基、碳原子数1至30的烷基、碳原子数1至20的环烷基、碳原子数1至30的烷基胺基、碳原子数6至30的芳胺基、碳原子数6至 30的芳烷基胺基、碳原子数2至24的杂芳胺基、碳原子数7至30的芳烷基、碳原子数6至 30的芳基、碳原子数5至60的杂芳基或碳原子数6至30的杂芳基烷基构成的取代基组中的一个或多个。
其中，R1-R12分别独立选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、直链或支链的C1-8烷基、C6-10的取代或未取代的芳基、C5-10的取代或未取代的杂芳基中的一种，或者R1-R12相互之间以单键、-C-C-中的任意一种键接成环；所述杂芳基中杂原子选自N、O或S中的一种或多种，所述芳基或杂芳基中的取代为被C1-C4烷基所取代。
其中R1-R12分别独立选自氢原子、直链或支链的C1-4烷基、苯基，或者R1-R12相互之间以单键、-C-C-中的任意一种键接成环。
其结构如下式所示，但不限于所列举的结构式：
/>
/>
/>
本发明的第二个发明是提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括至少一层功能层含有B-N稠环的有机电致发光材料；
优选的，B-N稠环有机电致发光材料作为发光层材料；
更优选的，B-N稠环有机电致发光材料作为发光层的掺杂材料或敏化剂材料；
本发明提供了一类B-N的有机发光材料及其在有机发光器件中的应用。该类材料在B-N 六元共振的结构基础上，将N上多余的芳香基团使用六元环的烷基固定在B-N主结构上。这种烷基基团相对芳基，加强了N原子对B-N主结构的给电子能力，从而有利于多重共振效应的增强，以达到进一步减小半波宽的作用；且烷基的引入降低了材料的升华温度，提高了蒸镀过程中材料的热稳定性，更利于商业化量产使用。
附图说明
图1为本发明的有机电致发光底发射器件结构示意图。
图2为本发明实施例1的有机电致发光底发射器件荧光发射图。
具体实施方式
本发明对材料的合成方法不作要求，为了更详细叙述本发明，特举以下例子，但不限于此。下述合成中所用到的原料如无特别说明均为市售产品。
实施例1：化合物结构1的合成
化合物1c的合成：
500mL单口反应瓶中称取投入(1a)(6.0g,27mmol)、(1b)(8.9g,67.5mmol)、 Pd2(dba)3(1.2g,1.35mmol)、xphos(0.6g,1.35mmol)、t-BuONa(10.2g,108mmol)和磁子，倒入干燥甲苯200mL，加回流冷凝管，搅拌抽换氮气三次后，加热至100℃反应24h。反应液直接旋干，用二氯甲烷溶解拌硅胶，使用石油醚和二氯甲烷混合溶剂为洗脱剂过柱。过柱后产物有少量杂质，使用正己烷打浆，过滤得到白色粉末5.8g,产率58.1％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.41–7.32(m,1H),7.29(d,J＝7.4Hz,2H),7.07(d,J＝7.4Hz,2H),6.96(t,J＝7.8Hz,2H),6.69(t,J＝7.3Hz,2H),6.26(d,J＝8.1Hz,2H),3.62(s, 4H),2.94(t,J＝6.3Hz,4H),2.14(t,J＝6.0Hz,3H)。
化合物1的合成：
组装三口反应瓶，冷凝管和恒压滴液漏斗，接气球，使用泵将体系成负压，用烤枪烘烤 0.5h，降至室温后，抽换气为氮气；体系中加入(1c)和t-BuPh，多次抽换气后，氮气氛围下搅拌0.5h；体系降至-40℃ 20min，将t-BuLi使用注射器加入滴液漏斗中，逐滴滴加到反应液中，滴加完毕升温至室温，再升温至90℃，反应2h；反应体系降至室温，再降至-30℃，使用注入器将BBr3加入滴液漏斗中，逐滴滴加到反应液，滴加完毕升温至室温，反应2h；体系降至0℃，使用注射器逐滴滴加DIEPA，滴加完毕升至室温，再升温至120℃，反应36 h；反应降至室温，用EA多次萃取，有机相旋掉低沸点溶剂，剩余混合液直接加入柱层析中，使用石油醚和乙酸乙酯为混合溶剂淋洗，过柱样品旋干至少量溶剂，加正己烷，过滤，滤饼烘干重1.8g，产率15.4％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ8.56(d,J＝7.6Hz,2H), 7.78(t,J＝8.3Hz,1H),7.40(d,J＝7.0Hz,2H),7.17(t,J＝7.4Hz,2H),7.04(d,J＝8.4Hz,2H),4.19(t,J＝6.0Hz,4H),3.08(t,J＝6.0Hz,4H),2.31(p,J＝6.0Hz,4H).
实施例2：化合物结构3的合成
与化合物结构1的合成相同，不同之处在于原料1a变化为3a，原来1b变化位3b。化合物3为黄色粉末，产率21％。1H NMR(400MHz,CDCl3)δ8.47(d,J＝2.0Hz,2H),7.03(d,J＝2.2Hz,2H),6.87–6.83(m,2H),3.93–3.80(m,4H),2.02(m,4H),1.36(s,9H),1.35(s,18H),1.32(s,12H)。
实施例3：化合物结构8的合成
化合物8b的合成：
取100ml三颈烧瓶，投入(8a)(0.8g，3.0mmol)、(3b)(1.43g，6.6mmol)、CuI(0.46g，2.4mmol)、8-羟基喹啉(0.44g，3mmol)、碳酸钾(1.66g，12.0mmol，)和DMF (100ml)，氮气保护，140℃搅拌反应12h。反应结束后，搅拌下加100ml水使产物析出，抽滤后烘干，滤饼使用二氯甲烷溶解，进行硅胶柱色谱分离得1.30g白色粉末，产率为75％。氢谱数据如下：1HNMR(400MHz,CDCl3)δ7.25(d,J＝2.1Hz,2H),7.14(dd,J＝6.0,2.0Hz, 2H),6.93(s,2H),6.89(d,J＝6.0Hz,2H),3.93–3.76(m,4H),1.98(m,4H),1.32(d,J＝8.4Hz, 30H)。
化合物8d的合成：
100mL单口反应瓶中称取投入(8b)(1.73g,3mmol)、(8c)(1.08g,3.2mmol)、 Pd2(dba)3(0.13g,0.15mmol)、xphos(0.14g,0.3mmol)、t-BuONa(0.57g,6mmol)和磁子，倒入干燥甲苯100mL，加回流冷凝管，搅拌抽换氮气三次后，加热至100℃反应24h。反应液直接旋干，用二氯甲烷溶解拌硅胶，使用石油醚和二氯甲烷混合溶剂为洗脱剂过柱。过柱后产物有少量杂质，使用正己烷打浆，过滤得到白色粉末1.54g,产率61％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.32(d,J＝1.9Hz,1H),7.28–7.22(m,4H),7.15(m,3H), 7.06–6.99(m,2H),6.89(dd,J＝5.9,5.3Hz,3H),6.14(s,2H),3.93–3.78(m,4H),1.98(m,4H), 1.43–1.26(m,57H).
化合物8的合成：
同化合物1的合成，不同之处在于1c变化为8d。产率24％。氢谱数据如下：1H NMR(400 MHz,CDCl3)δ7.32(dd,J＝5.3,2.0Hz,3H),7.29–7.20(m,4H),7.16(dd,J＝5.9,1.8Hz,1H), 7.07–7.00(m,2H),6.90(d,J＝5.9Hz,1H),6.18(q,J＝1.6Hz,2H),3.96–3.75(m,4H),2.02(m, 4H),1.45–1.21(m,57H).
实施例4：化合物结构32的合成
同化合物结构3的合成，不同之处在于将原料(3b)变化为(3b)和(32b)两者依次按1：1的比例投入，先投入(3b)反应10h后再投入(32b)。化合物)(32)产率19％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.33(d,J＝2.0Hz,1H),7.27–7.23(m,5H),7.02–6.97 (m,4H),6.94(d,J＝2.2Hz,1H),6.87–6.81(m,3H),3.94–3.77(m,4H),2.18–1.85(m,4H), 1.46–1.22(m,48H).
实施例5：化合物结构57的合成
同化合物结构32的合成，不同之处在于将原料(32b)变化为(57a)。化合物(57)产率27％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.39(s,4H),7.27–7.23(m,2H),6.88– 6.83(m,2H),3.90–3.74(m,4H),2.15–1.82(m,4H),1.34(dd,J＝11.6,8.5Hz,39H).
实施例6：化合物结构82的合成
同化合物结构32的合成，不同之处在于将原料(3b)变化为(82a)，原料(32b)变化为(82b)。化合物(82)产率17％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.38(d,J＝1.7 Hz,1H),7.35–7.28(m,3H),7.27–7.22(m,2H),7.16(dd,J＝5.9,1.8Hz,1H),7.08–7.02(m,2H),6.90(d,J＝5.9Hz,1H),6.88–6.84(m,3H),6.81(d,J＝2.2Hz,1H),2.14–1.89(m,4H),1.47–1.24(m,66H).
实施例7：化合物结构104的合成
同化合物结构32的合成，不同之处在于将原料(32b)变化为(104a)。化合物(104)产率21％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.35(d,J＝1.9Hz,1H),7.33(d,J＝2.0Hz,1H),7.29–7.24(m,3H),7.22(dd,J＝6.3,1.9Hz,1H),7.07–7.04(m,2H),7.00(d,J＝6.3Hz,1H),6.88–6.83(m,2H),3.86(m,2H),2.02(m,2H),1.48–1.21(m,36H).
实施例8：化合物结构108的合成
同化合物结构(8)的合成，不同之处在于原料(3b)变化为(3b)和(104a)，其中投料比(3b)：(104a)＝1：1。化合物结构(108)的产率17％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.37–7.30(m,3H),7.30–7.19(m,6H),7.16(dd,J＝5.9,1.8Hz,1H),7.08–6.97(m,5H),6.90(d,J＝5.9Hz,1H),6.63(d,J＝2.0Hz,1H),6.18(d,J＝2.2Hz,1H),3.86(m,2H),2.02 (m,2H),1.44–1.25(m,60H).
实施例9：化合物结构172的合成
同化合物结构(32)的合成，不同之处在于原料(3b)变化为(172a)，(32b)变化为(172b)。化合物(172)的产率22％。氢谱数据如下：1H NMR(400MHz,CDCl3)δ7.42(d,J＝7.7Hz,1H), 7.29–7.22(m,6H),7.07–6.97(m,7H),6.91–6.81(m,3H),3.83(td,J＝6.8,4.3Hz,2H),2.03 (ddd,J＝58.8,7.1,4.4Hz,2H),1.50–1.27(m,51H)。
本领域技术人员应该知晓，上述制备方法只是一个示例性的例子，本领域技术人员能够通过对其改进从而获得本发明的其他化合物结构。
实施例10：
使用本发明的B-N有机电致发光材料制备有机电致发光底发射器件，器件结构见图1。首先，将透明导电ITO玻璃基板10(上面带有阳极20)依次经去离子水，乙醇，丙酮，去离子水洗净，80°烘干，再用氧等离子处理30min。然后，在蒸镀机真空<4*10-4pa下分别蒸镀10nm厚的HATCN作为空穴注入层30；蒸镀化合物HTL，形成40nm厚的空穴传输层40；在空穴传输层上蒸镀10nm厚的EBL(电子阻挡层)50；然后蒸镀25nm厚的EML(主体材料：客体材料＝97:3％，发光层)60，发光层中的客体材料为本发明的化合物结构(1)；在发光层上蒸镀40nm厚的ETL(电子传输层)70，电子传输层由ETL1和LiQ两种材料组成。蒸镀1nm 金属镱为电子注入层80和100nm Ag作为器件阴极90。
实施例11-实施例18和比较例1：
实施例11-实施例18和比较例1的有机电致发光器件的制作与实施例10相同，不同之处在于发光层中的客体材料分别为本发明中的结构3、结构8、结构32、结构57、结构82、结构104、结构108、结构172和比较例1。
比较例1材料的化学结构如：
采用的F-2700荧光光谱仪测试实施例1-实施例9及比较例1的荧光光谱，利用热重分析 (TGA)和差示扫描量热法技术(DSC)测试各实施例和比较例的分解温度和熔点，定义材料在升华管中有材料升华出的温度为升华温度，得到数据如表1：
表1化合物性能测定
由表1数据可以看出，将B-N骨架外N上连接的芳香基团使用六元环的烷基固定在B-N 主结构上后，其荧光光谱有明显蓝移(实施例1、实施例2、实施例7对比比较例1)，且本发明的B-N材料半波宽相对比较例也有一定的减小；在熔点和升华温度上，本发明的B-N电致发光材料但有明显的降低，但分解温度与比较例1相近，从而会有更好的蒸镀热稳定性。
测定了在0.4mA下测实施例10-实施例18和比较例1的电致发光器件的电学性质和光学性质，如表2。
表2器件性能测定
由表2数据可以看出，相同条件下，本发明的B-N有机电致发光材料应用于有机电致发光器件中，具有窄的半波宽，即在顶发射器件中会具有更高的色纯度(与比较例1相比)，以达到更优秀的显示效果。
Claims (16)
1.一类含B-N结构的有机电致发光材料，其结构通式如式(A)或(B)所示：
其中：Cy1至Cy2各自独立选自具有6-30个碳原子的芳基、具有5-30个碳原子的杂芳基；
A r1–Ar4分别独立选自氢、氘、氰基、硝基、卤素基、羟基、碳原子数1至4的烷硫基、碳原子数1至30的烷基、碳原子数1至20的环烷基、碳原子数6至30的芳氧基、碳原子数1至30的烷氧基、碳原子数1至30的烷基胺基、碳原子数6至30的芳胺基、碳原子数6至30的芳烷基胺基、碳原子数2至24的杂芳胺基、碳原子数1至30的烷基甲硅烷基、碳原子数6至30的芳基甲硅烷基、碳原子数2至30的烯基、碳原子数2至24的炔基、碳原子数7至30的芳烷基、碳原子数6至30的芳基、碳原子数5至60的杂芳基或碳原子数6至30的杂芳基烷基构成的取代基组中的一个或多个，或者相邻的Ar1–Ar4键接成环；
R1-R12分别独立选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、C6-30的取代或未取代的芳基、C5-30的取代或未取代的杂芳基中的一种，或者R1-R12相互之间以单键、-C-C-、-C＝C-、-C＝N-、-C＝P-、-C≡C-、中的任意一种键接成环；
所述杂芳基中杂原子选自N、O或S中的一种或多种，
所述取代为被卤元素，C1-C4烷基所取代。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光材料，其中Cy1至Cy2各自独立选自具有6-20个碳原子的芳基、具有5-20个碳原子的杂芳基。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光材料，所述Cy1至Cy2中的芳基选自苯基、萘基、蒽基、联萘、菲基、二氢菲、苾基、苝基、并四苯、并五苯、苯并苝、苯并环戊二烯基、螺芴基和芴基中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光材料，所述Cy1至Cy2中的芳基选自苯基、萘基、蒽基、菲基、二氢菲、并四苯、并五苯、苯并苝、苯并环戊二烯基、螺芴基和芴基中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光材料，所述Cy1至Cy2中的杂芳基选自吡咯基、咪唑基、噻吩基、呋喃基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-噁二唑基、噻二唑基、硒二唑基、1,2,3-***基、1,2,4-***基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、吲哚、异吲哚、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、苯并***、嘌呤、苯并噁唑、萘并噁唑，菲并噁唑、苯并噻二唑基、苯并硒二唑基、苯并***基、喹啉基、异喹啉基、苯并吡嗪基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并吡咯基、咔唑基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、硅芴基、二苯并噻吩-5,5-二氧基、萘并噻二唑基、萘并硒二唑基和10,15-二氢-5H-二吲哚并[3,2-a:3',2'-c]咔唑基中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光材料，所述Cy1至Cy2中的杂芳基选自吡咯基、咪唑基、噻吩基、呋喃基、1,2-噻唑基、1,3-噻唑基、1,2,3-噁二唑基、1,2,4-噁二唑基、噻二唑基、硒二唑基、1,2,3-***基、1,2,4-***基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、1,3,5-三嗪基、1,2,4-三嗪基、1,2,3-三嗪基、吲哚、异吲哚、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、苯并***、嘌呤、苯并噁唑、萘并噁唑，菲并噁唑、苯并噻二唑基、苯并***基、喹啉基、异喹啉基、苯并吡嗪基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并吡咯基、咔唑基、吖啶基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩-5,5-二氧基、萘并噻二唑基、萘并硒二唑基和10,15-二氢-5H-二吲哚并
[3,2-a:3',2'-c]咔唑基中的一种或多种。
7.根据权利要求1-6任一所述的有机电致发光材料，其结构通式如所式(A1)至(A19)或(B1)至(B19)结构之一所示：
所述结构式(A1)-(A19)和(B1)-(B19)中的Ph1-Ph7的定义与结构式(A)和(B)中的Ar1-Ar4定义相同，所述R1-R12的定义均与结构式(A)和(B)中的R1-R12定义相同。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光材料，其中，Ph1-Ph7选自氢、氘、氰基、硝基、卤素基、碳原子数1至30的烷基、碳原子数1至20的环烷基、碳原子数1至30的烷基胺基、碳原子数6至30的芳胺基、碳原子数6至30的芳烷基胺基、碳原子数2至24的杂芳胺基、碳原子数7至30的芳烷基、碳原子数6至30的芳基、碳原子数5至60的杂芳基或碳原子数6至30的杂芳基烷基构成的取代基组中的一个或多个。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光材料，其中，R1-R12分别独立选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、直链或支链的C1-8烷基、C6-10的取代或未取代的芳基、C5-10的取代或未取代的杂芳基中的一种，或者R1-R12相互之间以单键、-C-C-中的任意一种键接成环；所述杂芳基中杂原子选自N、O或S中的一种或多种，所述芳基或杂芳基中的取代为被C1-C4烷基所取代。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光材料，其中R1-R12分别独立选自氢原子、直链或支链的C1-4烷基、苯基，或者R1-R12相互之间以单键、-C-C-中的任意一种键接成环。
11.根据权利要求7所述的有机电致发光材料，其结构如下式之一所示：
/>
/>
12.根据权利要求1-11任一所述的有机电致发光材料在电致发光器件中的应用。
13.根据权利要求12所述的应用，其中电致发光器件中包括至少一层含有权项1-11任一所述的有机电致发光材料的功能层。
14.根据权利要求13所述的应用，权项1-11任一所述的有机电致发光材料作为发光层材料。
15.根据权利要求14所述的应用，权项1-11任一所述的有机电致发光材料作为发光层的掺杂材料或敏化剂材料。
16.一种照明或显示元件，其特征在于：包括权利要求1-11任一所述的有机电致发光材料制备的电致发光器件。
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