CN1173071C - 单片式磁控管溅射装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的单片式磁控管溅射装置，为将磁场施加到形成放电空间的溅射室(11)内，将磁场发生装置配置在溅射室的上方，在该溅射室(11)内上部配置有靶(21)，以便接受由所述磁场发生装置所产生的磁场。另外，在所述溅射室(11)，通过在构成其底部的隔壁(30)的开口部(32)而连设有盘片运送室(12)，在该盘片运送室(12)内，设有载放用来形成溅射膜的盘片基板(31)并运送到所述溅射室(11)开口部(32)、同时使所述盘片基板(31)在其面内予以旋转的盘片推动器(34)，在所述溅射室(11)内，再设有与载放在该盘片推动器(34)上的所述盘片基板(31)的上面中心部接触、与所述盘片基板(31)的旋转一起进行旋转的旋转中心罩(27)。本发明无需复杂的机构和工序，就可在盘片基板上安装罩，且使盘片基板绕其中心轴旋转进行溅射。

Description

单片式磁控管溅射装置
技术领域
本发明涉及溅射装置，尤其涉及适于制造信息记录媒体的单片式磁控管溅射装置。
背景技术
在现有的、用于制造CD或DVD等信息记录用盘片的单片式磁控管溅射装置中，是相对于配置在构成溅射室的真空容器内的靶而固定配置盘片基板、通过对与盘片基板另外固定在反应容器内的盘片基板的中心部分及外周部分予以遮住的罩而进行溅射的。
另外，在光磁(MO)盘的溅射中，预先在盘片基板上安装中心罩及外周罩，将安装这些罩后的盘片基板送入溅射装置的溅射室内，一边旋转盘片基板一边进行溅射。
但是，在上述现有的用于制造CD或DVD盘片的单片式磁控管溅射装置中，由于配置在溅射室内的盘片基板相对盘片基板的中心轴不进行旋转而处于固定配置的状态进行溅射的，因此，形成于盘片基板表面的膜组成的分布、特别在盘片基板的圆周方向及半径方向的分布的均匀性不充分，存在着不能获得应满足特性的成膜的问题。
另一方面，在现有的MO盘片的溅射中，由于一边旋转盘片基板一边进行溅射，故旋转方向的膜厚均匀性是良好的，但为了预先将安装了中心罩及外周罩的盘片基板送入溅射室内来进行溅射，需要针对盘片基板的罩的装拆机构或运送机构，存在着结构及工序复杂化的缺点。另外，从盘片基板上取下罩时，还存在着堆积在罩上的溅射膜产生剥离而污染盘片表面的膜、使产品合格率降低的缺点。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种不需复杂的机构和工序就可在盘片基板上安装罩并可将盘片基板绕其中心轴旋转而进行溅射的装置。
为了实现上述目的，根据本发明的第一个方面，提供了一种单片式磁控管溅射装置，其特点在于，包括：在内部形成气密性的放电空间的溅射室；为将磁场施加到该溅射室内而配置在溅射室上方的磁场发生装置；为接受由该磁场发生装置产生的磁场而配置在溅射室内上部的靶；通过在构成溅射室底部的隔壁所形成的开口部而形成连设的气密空间的盘片运送室；设在该盘片运送室内、载放用来形成溅射膜的盘片基板并运送到溅射室开口部、同时使盘片基板在其面内予以旋转的盘片推动器；与载放在该盘片推动器上的盘片基板的上面中心部接触、可与盘片基板的旋转一起旋转地设在溅射室内的旋转中心罩。
根据本发明的第二个方面，提供了一种单片式磁控管溅射装置，其特点在于，包括：在内部形成气密性的放电空间的溅射室；在该溅射室内产生磁场的磁场发生装置；为接受由该磁场发生装置产生的磁场而配置在溅射室内的靶；通过在构成溅射室的隔壁所形成的开口部而形成连设的气密空间的盘片运送室；设在该盘片运送室内、保持用来形成溅射膜的盘片基板并运送到溅射室开口部、同时使盘片基板在其面内予以旋转的盘片推动器；在保持于该盘片推动器上的盘片基板表面中心部、在与该表面之间留有间隙而固定配置的中心罩。
本发明无需复杂的机构和工序，就可在盘片基板上安装罩，且使盘片基板绕其中心轴旋转进行溅射。
附图说明
图1是表示本发明一实施形态的单片式磁控管溅射装置的剖视图。
图2是对载放于形成在图1所示的溅射室11底部隔壁30内的阶梯部43的外周罩44局部放大所表示的示图。
图3是表示本发明另外实施形态的溅射装置的剖视图。
图4是图3所示的溅射装置的主要部分的放大图。
图5是表示本发明又一实施形态的中心罩部分的放大图。
图6是表示本发明又一实施形态的中心罩部分的放大图。
图7是表示本发明又一实施形态的主要部分的剖视图。
图8是表示本发明又一实施形态的主要部分的剖视图。
图9是将由本发明溅射装置所形成的膜厚分布与现有的溅射装置所产生的膜厚分布进行比较的曲线图，图(A)是表示本发明的情况，图(B)是现有技术的情况。
图10是表示本发明又一实施形态的溅射装置的主要部分的剖视图。
图11是表示图10所示的溅射装置的中心罩部分的俯视图。
图12是将由图10所示的溅射装置所形成的膜厚分布与现有装置进行比较的曲线图。
图13是表示本发明又一实施形态的溅射装置的主要部分的剖视图。
具体实施方式
本发明的单片式磁控管溅射装置的特点是，包括：在内部形成气密性的放电空间的溅射室；为将磁场施加到该溅射室内而配置在所述溅射室上方的磁场发生装置；为接受由该磁场发生装置产生的磁场而配置在所述溅射室内上部的靶；通过在构成所述溅射室底部的隔壁所形成的开口部而形成连设的气密空间的盘片运送室；设在该盘片运送室内、载放用来形成溅射膜的盘片基板并运送到所述溅射室开口部、同时将所述盘片基板在其面内予以旋转的盘片推动器；与载放在该盘片推动器上的所述盘片基板的上面中心部接触、可与所述盘片基板的旋转一起旋转地设在所述溅射室内的旋转中心罩。
另外，在本发明的单片式磁控管溅射装置中，其特点是，所述旋转中心罩由从所述靶的中心部延长的旋转支座支承。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，在所述靶的中心部贯通配置圆筒状的水套，在该水套上连接有所述旋转支座。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，所述盘片推动器的旋转轴偏心于所述靶的中心。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，所述旋转中心罩，由从所述靶的中心部延长的截面为L字型的旋转支座支承。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，所述L字型的旋转支座利用锁紧螺栓与圆筒状的水套连接。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，所述旋转中心罩，可旋转地支承在将形成于构成所述溅射室底部的隔壁的开口部予以横切而作架桥的支承杆的中央部上，在所述支承杆上设有阻止由所述靶射出的溅射物质到达所述盘片基板表面的遮蔽板。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，所述遮蔽板被配置在所述支承杆的两端部与中央部间的至少一方，具有它们的宽度沿所述支承杆的长度方向慢慢增加再慢慢减小地作变化的形状。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，在所述支承杆上设有冷却护套。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，在所述溅射室的开口部周缘的隔壁上，载放有当所述盘片推动器将盘片基板运送到所述溅射室开口部时载放在所述盘片基板外周部、并与盘片基板的旋转一起作旋转的环状的外周罩。
此外，在本发明单片式磁控管溅射装置中，其特点是，所述环状的外周罩载放在形成于所述溅射室的开口部周缘隔壁的阶梯部上。
下面，结合附图说明本发明实施形态。
图1是表示本发明实施形态的单片式磁控管溅射装置的剖视图。该溅射装置包括：大致圆筒状的作为气密容器的溅射室11；在该溅射室11的下侧、与该溅射室11连通设置的同样作为气密容器的盘片运送室12；设在溅射室11的上侧、内部被维持成大气压的磁铁容纳室13。在磁铁容纳室13内，同心状配置的长圆形的双重环形磁铁14-1、14-2固定在磁铁旋转台15的下面。磁铁旋转台15固定在贯通磁铁容纳室13顶壁16的旋转轴17上，旋转轴17由载放在磁铁容纳室13上部的磁铁旋转电动机18来旋转。
溅射室11的上壁内部由水套结构的衬板20形成。在其下面用对由成膜物质构成的盘片状的靶21的外周部予以支承的压靶件22进行固定。在靶21的中心部形成有贯通孔23，在该贯通孔23内延伸配置有圆筒状的水套19。在圆筒状的水套19的下端利用锁紧螺栓25连接有截面呈L字状的支座24。在L字状的支座24的水平部下面固定有轴承26，在该轴承26上旋转自如地结合有构成中心罩27的圆柱部27-1的端部。
在将溅射室11与盘片运送室12分隔的隔壁30上，设有用来将盘片基板31的上表面向溅射室11露出的开口部32。另外，在盘片运送室12内，设有在真空环境内进行动作的真空电动机33和在水平面内被其旋转的盘片推动器34。该盘片推动器34是金属制圆板，在其上面中心部形成有贯通盘片基板31中心孔35的突起部36。贯通中心孔35而向上方突出的突起部36，***在构成中心罩27的圆柱部27-1的下端所形成的漏斗状的凹部27-2。真空电动机33和与其结合的盘片推动器34利用贯通盘片运送室12的底板37设置的工作缸38的轴39而在盘片运送室12内作上下往复运动。
在盘片运送室12内，再将盘片运送臂40的一端固定在旋转轴41上，在另一端形成有载放盘片基板31的环状的基座部42。盘片运送臂40围绕旋转轴41大致在90°的角度范围进行旋转，从图示的角度位置到90°的角度位置(未图示)从盘片运送室12的外部将盘片基板31载放在环状的基座部42上。一旦盘片基板31载放在环状的基座部42上，则盘片运送臂40就旋转90°，并如图示那样，将盘片基板31运送到溅射室11的开口部32的正下方。在该状态中，工作缸38的轴39上升，盘片推动器34的突起部36***盘片基板31的中心孔35，并将盘片基板31向基座部42的上方推压，盘片基板31以与中心罩27的凹部27-2接触的状态停止上升。在该停止位置，盘片基板31配置在设于溅射室11底部隔壁30内的开口部32内，并且将载放于在隔壁30开口部32周围的壁厚内所形成的阶梯部43的环状的外周罩44从阶梯部43向上方推压，换放在盘片基板31的周缘部。在该状态下，真空电动机33开始旋转，进行溅射。
图2是将载放于在溅射室11底部隔壁30的壁厚内所形成的阶梯部43的环状的外周罩44与盘片基板31的周缘部予以局部放大的图。外周罩44具有倒L字状的截面，且在盘片基板31上升到溅射位置前，截面呈倒L字状的垂直部44-1被一直载放在阶梯部43上，当盘片基板31上升到溅射位置时，垂直部44-1就离开阶梯部43，截面呈倒L字状的水平部44-2被载放在盘片基板31缘部，当盘片基板31旋转时就与其一体地进行旋转。
从气体导入口45将氩气导入溅射室11，在其上端连接衬板20与溅射室11侧壁46的阳极环47间施加放电用高电压，并且将由容纳在磁铁容纳室13内的双重环形磁铁14-1、14-2所产生的磁场施加在溅射室11内，在溅射室11内因放电而产生等离子。在该放电中，固定双重环形磁铁14-1、14-2的磁铁旋转台15由磁铁旋转电动机18来旋转。该磁铁旋转台15的旋转轴17配置在偏心于盘片状靶21的中心轴21-1的位置，通过绕该旋转轴17旋转双重环形磁铁14-1、14-2，靶21面在大范围内就均匀产生侵蚀。
另外，在该放电中，载放在盘片推动器34上的盘片基板31虽然由真空电动机33来旋转，但该场合的旋转中心轴27-3也配置在偏心于靶21中心轴21-1的位置。由此，在盘片基板31的表面整体，即在圆周方向及半径方向进行均匀膜厚的溅射。
当盘片基板31旋转时，由于盘片推动器34的突起部36***中心罩27的凹部27-2，故中心罩27靠固定轴承26的呈L字状的支座与盘片基板31一起旋转。由此，中心罩27就起到防止溅射物质附着在作旋转的盘片基板31的中心部的遮蔽功能，并具有通过始终按压旋转中的盘片基板31表面而将盘片基板31稳定地保持在盘片推动器34上的功能。
另一方面，在溅射室11的底部隔壁30上设有由按狭窄间隙而相对配置的一对铜板50-1、50-2所构成的电子收集器(电子トラップ)50。靶21的材料为硅(Si)那样的绝缘物质的场合，因为溅射，故绝缘物附着在溅射室11的内壁上，阻止在溅射室11的放电空间所产生的电子流入溅射室11内壁，维持稳定的放电就困难。电子收集器50的用途是，利用绝缘物质因溅射而难以进入形成一对铜板50-1、50-2的间隙，来收集这部分的电子，稳定地维持放电。另外，构成电子收集器50的一方铜板50-2设成与溅射室11底部隔壁30接触，但为了其端部遮住载放于溅射室11底部开口部32的外周罩44而将其端部延长。
另外，磁铁容纳室13，利用未图示的铰链结构可转动地与溅射室11结合，通过手动使磁铁容纳室13向上方转动，就可对溅射室11及盘片运送室12进行打开、维修作业等。
图3是表示本发明另外实施形态的溅射装置的剖视图，图4是其主要部分的放大图。在图3及图4中，对于与图1实际上相同的结构部分标上相同符号，省略详细说明。在该实施形态中，盘片基板31的旋转轴27-3不偏心于靶21的中心轴21-1，而是同心配置。***盘片推动器34的突起部36的形成凹部61-1的漏斗状的中心罩61通过滚珠轴承机构62-1而旋转自如地与贯通靶21的中心部贯通孔23向下方延长的圆筒状支座62的下端结合。该滚珠轴承机构62-1如图4所示，安装在与圆筒状支座62的中空部旋合的螺栓63的周围。为将滚珠轴承机构62-1容纳于其上端中空部内，漏斗状的中心罩61与滚珠轴承机构62-1结合。圆筒状支座62的上部由衬板20的圆筒状的水套19-2来冷却，与其连接的中心罩61也冷却。
图5是表示本发明又一实施形态的中心罩部分的放大图。在该实施形态中，中心罩71包括：贯通靶21的中心部贯通孔23向下方延长的圆柱部71-1；在下端形成的漏斗状的大直径部71-2；在该大直径部71-2内形成的能旋转地埋入在轴柱71-3周围的滚珠轴承机构72；利用该滚珠轴承机构72能在轴柱71-3的周围旋转而设置的环状旋转板73。环状旋转板73包括：与盘片基板31的中心孔35周围的盘片基板表面接触的水平面部73-1；构成滚珠轴承机构72一部分的垂直部73-2。环状旋转板73，在通过未图示的盘片推动器使盘片基板31上升时，盘片基板31的表面与水平面部73-1接触，利用接触面的摩擦力而随着盘片基板31的旋转而旋转。对此，中心罩71的大直径部71-2相对盘片基板31的表面具有0.2～0.3mm左右的稍微空隙，相对盘片基板31的旋转而静止。
图6是表示本发明又一实施形态的中心罩部分的放大图。在该实施形态中，在轴柱71-3的周围使用放射状配置的多个滚柱81来代替图5实施形态中的滚珠轴承机构72。多个滚柱81，在通过未图示的盘片推动器使盘片基板31上升时，与盘片基板31的表面接触，随着盘片基板31的旋转而绕水平的旋转轴81-1旋转。对此，中心罩71的大直径部71-2与图5的情况相同，相对盘片基板31的表面具有稍微的空隙，相对盘片基板31的旋转而静止。
在上述的实施形态中，在溅射时，虽然是使用与盘片基板31作一体旋转的外周罩44，但在盘片基板31的外周部也形成溅射膜的情况下，如图7所示，可省略外周罩44。另外，如图8所示，为了在盘片基板31的外周部侧面不形成溅射膜，也可在盘片推动器34的盘片基板31周围设置环状的垂直壁34-1。
图9是将利用上述的本发明实施形态所示的溅射装置而在盘片基板表面上所形成的膜厚分布的一例子与现有的溅射装置所产生的膜厚分布进行比较的曲线图，图(A)是表示本发明的情况，图(B)是现有技术的情况。在这些曲线图中，横轴表示盘片基板的圆周方向的角度(°)，纵轴表示成膜速度(nm/kw·sec)及折射率。同曲线图中的用白色三角形、白色方形及白色圆形图示的折线，分别表示盘片基板的半径22mm、40mm及55mm的各圆周上的成膜速度。另外，同曲线图中的用黑色三角形、黑色方形及黑色圆形图示的折线，分别表示盘片基板的半径22mm、40mm及55mm的各周圆上的溅射膜的折射率。
如图(B)的曲线图所示，通过盘片基板不旋转的现有的溅射装置而在盘片基板表面上的成膜速度分布及形成的溅射膜的折射率，其圆周方向的分布分别在±3.0～±5.3、±3.7～±4.9范围内变动，而如图(A)的曲线图所示，通过盘片基板旋转的本发明溅射装置而在盘片基板表面上的成膜速度分布及形成的溅射膜的折射率，其圆周方向的分布分别在±0.7～±3.5、±0.3～±1.1范围变动，显著减小。
图10及图11是表示本发明又一实施形态的溅射装置的剖视图及主要部分的俯视图。在该图中对于与图1相同的结构部分也标上相同的符号。在该实施形态中，中心罩91支承在将形成于溅射室11底部隔壁30的溅射室11与盘片运送室12连通的开口部32通过其中心部地予以横切而作架桥固定的支承杆92的中央部上。即，该支承杆92也如图11的俯视图所示，其两端被固定在溅射室11的底部隔壁30上面。在支承杆92的中央部设有旋转支座93，中心罩91可旋转地支承在该旋转支座93上。另外，在该支承杆92的两端部与中央部间分别固定有遮蔽板94-1、94-2。所述遮蔽板94-1、94-2，其宽度相对支承杆92的横向宽度沿支承杆92的长度方向慢慢增加再慢慢减小地作变化。支承杆92由例如铜(Cu)构成，而遮蔽板94-1、94-2由铜或不锈钢构成，相互由螺栓固定。在支承杆92的横断面中心部，再形成有在其长度方向使冷却水流通的水套95。该水套95，通过在溅射室11底部隔壁30内及溅射室11侧壁内所形成的冷却水通道96而与在溅射室11外部开口的冷却水导入管97连接。即，从冷却水导入管97导入的冷却水通过在溅射室11的底部隔壁30内所形成的冷却水通道96而从支承杆92的一端供给到水套95内。供给到水套95内的冷却水从支承杆92的另一端流入在溅射室11底部隔壁30内形成的冷却水通道96，沿着开口部32并作旋转地从与冷却水导入管97邻接配置的冷却水排出管(未图示)向溅射室11外排出。
采用本实施形态的溅射装置，由于工作缸轴39的上升，从设置于盘片运送臂40端部的基座部42载放在盘片推动器34上的盘片基板31，在盘片推动器34的突起部36嵌合在中心罩91凹部的状态下，靠真空电动机33而与中心罩91一起旋转。在该状态下，虽然从靶21射出的靶材料溅射在盘片基板31的表面，但靶材料的一部分被固定在支承杆92的遮蔽板94-1、94-2遮蔽，到达不了盘片基板31的表面。由此，可调整盘片基板31表面的圆周方向及半径方向的溅射膜的膜厚分布，从而可获得均匀分布。
图12是分别表示对利用图10及图11所示的本发明的溅射装置而在盘片基板表面上形成的膜厚分布的一例子设置遮蔽板94-1、94-2的情况(图中方形的图示曲线所示)和未设置遮蔽板的情况(图中圆形的图示曲线所示)的曲线图，横轴表示盘片基板的半径(mm)，纵轴表示成膜速度(nm/kw·sec)。从该曲线图得知，在未设置遮蔽板94-1、94-2的场合，在盘片基板的半径方向中央部，即记录区域的中央部成膜速度大，而在盘片基板的半径方向端部成膜速度小。对此，在设置遮蔽板94-1、94-2的情况下，在沿盘片基板的半径方向整体就大致一定。
另外，在本实施形态中的固定在支承杆92上的遮蔽板94-1、94-2的形状，可通过模拟或实验方法设计成各种形状，以使膜厚分布均匀。
图13是表示本发明又一实施形态的溅射装置的剖视图。在该图中，对于与图3相同结构的部分标上相同的符号，省略详细说明。在本实施形态中，中心罩101固定在贯通靶21的中心部贯通孔23并向下方延长的圆筒状支承体102的下端。并且，在该中心罩101的开口成漏斗状的下端面101-1，不与盘片基板31表面接触，而与表面之间留有稍微间隙地配置。由此，载放在盘片推动器34上的盘片基板31旋转，而中心罩101自身不旋转，始终呈静止状态。在这种情况下，中心罩101虽然没有将旋转中的盘片基板31按压紧贴在盘片推动器34上的作用，但维持了防止溅射物质附着在盘片基板31中心部的遮蔽功能。
另外，如此在其自身不旋转、稍偏离盘片基板表面的位置呈静止状的中心罩，在图1或图9所示的装置中也可采用。
如以上说明，采用本发明的单片式磁控管溅射装置，由于把与盘片基板的中心部接触、随着盘片基板的旋转而同时旋转的旋转中心罩设在溅射室一侧，故可利用简单的结构，在沿盘片基板表面整体形成均匀的膜分布。

Claims (18)

1.一种单片式磁控管溅射装置，其特征在于，包括：在内部形成气密性的放电空间的溅射室；为将磁场施加到该溅射室内而配置在所述溅射室上方的磁场发生装置；为接受由该磁场发生装置产生的磁场而配置在所述溅射室内上部的靶；通过在构成所述溅射室底部的隔壁所形成的开口部而形成连设的气密空间的盘片运送室；设在该盘片运送室内、载放用来形成溅射膜的盘片基板并运送到所述溅射室开口部、同时使所述盘片基板在其面内予以旋转的盘片推动器；与载放在该盘片推动器上的所述盘片基板的上面中心部接触、可与所述盘片基板的旋转一起旋转地设在所述溅射室内的旋转中心罩。
2.如权利要求1所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述旋转中心罩由从所述靶的中心部延长的旋转支座支承。
3.如权利要求2所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，在所述靶的中心部贯通配置圆筒状的水套，在该水套上连接有所述旋转支座。
4.如权利要求1所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述盘片推动器的旋转轴偏心于所述靶的中心。
5.如权利要求1所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述旋转中心罩，由从所述靶的中心部延长的截面为L字型的旋转支座支承。
6.如权利要求5所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述L字型的旋转支座利用锁紧螺栓与圆筒状的水套连接。
7.如权利要求3所属的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述旋转支座利用锁紧螺栓与圆筒状的水套连接。
8.如权利要求1所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述旋转中心罩，可旋转地支承在将形成于构成所述溅射室底部的隔壁的开口部予以横切而作架桥的支承杆的中央部上，在所述支承杆上设有阻止由所述靶射出的溅射物质到达所述盘片基板表面的遮蔽板。
9.如权利要求8所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述遮蔽板被配置在所述支承杆的两端部与中央部间的至少一方，具有它们的宽度沿所述支承杆的长度方向慢慢增加再慢慢减小地作变化的形状。
10.如权利要求9所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，在所述支承杆上设有冷却套管。
11.如权利要求1所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，在所述溅射室的开口部周缘的隔壁上，载放有当所述盘片推动器将盘片基板运送到所述溅射室开口部时载放在所述盘片基板外周部、并与盘片基板的旋转一起作旋转的环状的外周罩。
12.如权利要求11所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述环状的外周罩载放在形成于所述溅射室的开口部周缘隔壁的阶梯部上。
13.一种单片式磁控管溅射装置，其特征在于，包括：在内部形成气密性的放电空间的溅射室；在该溅射室内产生磁场的磁场发生装置；为接受由该磁场发生装置产生的磁场而配置在所述溅射室内的靶；通过在构成所述溅射室的隔壁所形成的开口部而形成连设的气密空间的盘片运送室；设在该盘片运送室内、保持用来形成溅射膜的盘片基板并运送到所述溅射室开口部、同时使所述盘片基板在其面内予以旋转的盘片推动器；在保持于该盘片推动器上的所述盘片基板表面中心部、在与该表面之间留有间隙而固定配置的中心罩。
14.如权利要求13所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述中心罩，固定在从所述靶的中心部延长的圆筒状支承体上。
15.如权利要求14所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述盘片推动器的旋转轴偏心于所述靶的中心。
16.如权利要求13所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述中心罩，固定支承在将形成于构成所述溅射室底部的隔壁的开口部予以横切而作架桥的支承杆的中央部上，在所述支承杆上设有阻止由所述靶射出的溅射物质到达所述盘片基板表面的遮蔽板。
17.如权利要求16所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，所述遮蔽板被配置在所述支承杆的两端部与中央部间的至少一方，具有它们的宽度沿所述支承杆的长度方向慢慢增加再慢慢减小地作变化的形状。
18.如权利要求17所述的单片式磁控管溅射装置，其特征在于，在所述支承杆上设有冷却护套。
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