CN117276280A - 一种显示基板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，该显示基板包括：衬底基板以及阵列排布在所述衬底基板上的多个子像素，各个所述子像素包括发光器件以及用于驱动所述发光器件的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括至少两个氧化物晶体管和存储电容；所述存储电容包括依次背离所述衬底基板且相对设置的第一电极和第二电极，所述至少两个氧化物晶体管中至少两个晶体管的栅极与有源层之间的距离不同，且所述至少两个氧化物晶体管中栅极与有源层之间距离远的晶体管位于所述第二电极的上方。用于保证薄膜晶体管的阈值电压的均匀性，提高显示效果。

Description

一种显示基板、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Electro-luminesecent Display，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
目前OLED的驱动电路通常采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)作为驱动薄膜晶体管(Driver Thin Film Transistor，DTFT)的沟道。LTPS相对于a-Si具有较高的迁移率，但是LTPS由于结晶时产生的晶界，以及晶粒大小的不均匀分布，常常需要复杂的驱动电路对DTFT的阈值电压(Vth)进行补偿，补偿的最终结果是消除DTFT Vth不均匀导致的显示Mura。常采用如图1所示的7T1C像素补偿电路，该像素补偿电路包括T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7在内的七个晶体管，T3为DTFT，Cst为存储电容。
目前针对低频降低漏电的需求，常采用将LTPS TFT和氧化物(Oxide)TFT相结合的LTPO背板。该LTPO背板中的驱动电路可以在图1的基础上，将T1和T2替换成Oxide TFT，利用Oxide TFT漏电低的特点，降低低频时Cst漏电带来的闪烁不良。如何避免DTFT Vth的不均匀成为急需解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，用于保证薄膜晶体管的阈值电压的均匀性，提高显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示基板，包括：
衬底基板以及阵列排布在所述衬底基板上的多个子像素，各个所述子像素包括发光器件以及用于驱动所述发光器件的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括至少两个氧化物晶体管和存储电容；
其中，所述存储电容包括依次背离所述衬底基板且相对设置的第一电极和第二电极，所述至少两个氧化物晶体管中至少两个晶体管的栅极与有源层之间的距离不同，且所述至少两个氧化物晶体管中栅极与有源层之间距离远的晶体管位于所述第二电极的上方。
在一种可能的实现方式中，所述第二电极与所述至少两个氧化物晶体管的有源层部分交叠。
在一种可能的实现方式中，所述像素驱动电路还包括与所述至少两个氧化物晶体管耦接的至少一个多晶硅晶体管，所述至少一个多晶硅晶体管的栅极与所述第一电极同层设置，且所述至少两个氧化物晶体管设置在所述第二电极背离所述衬底基板的一侧。
在一种可能的实现方式中，所述至少两个氧化物晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影完全落入所述至少一个多晶硅晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。
在一种可能的实现方式中，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一电极在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。
在一种可能的实现方式中，所述至少两个氧化物晶体管包括补偿晶体管和第一复位晶体管，所述像素驱动电路还包括均为多晶硅晶体管的驱动晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、数据写入晶体管、第二复位晶体管；
其中，所述补偿晶体管分别耦接于所述驱动晶体管的栅极和第一极之间，且栅极与第一扫描控制端耦接；
所述第一复位晶体管分别耦接于驱动晶体管的栅极和初始化信号端之间，且栅极与所述第一扫描控制端耦接；
所述存储电容分别耦接于第一电源端和所述驱动晶体管的栅极之间；
所述第一发光控制晶体管分别耦接于所述第一电源端和所述驱动晶体管的第二极之间，且栅极与发光控制端耦接；
所述第二发光控制晶体管分别耦接于所述驱动晶体管的第一极和所述发光器件的第一极之间，且栅极与所述发光控制端耦接；
所述数据写入晶体管分别耦接于所述驱动晶体管的第二极和数据信号端之间，且栅极与第二扫描控制端耦接；
所述第二复位晶体管分别耦接于所述发光器件的第一极和所述初始化信号端之间，且栅极与所述第二扫描控制端耦接；
所述发光器件的第二极与第二电源端耦接。
在一种可能的实现方式中，所述补偿晶体管和所述第一复位晶体管均为N型晶体管，所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管、所述数据写入晶体管和所述第二复位晶体管均为P型晶体管。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：
如上面任一项所述的显示基板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种如上面任一项所述的显示基板的制作方法，包括：
在所述衬底基板上依次形成所述存储电容的所述第一电极和所述第二电极、所述至少两个氧化物晶体管的有源层的图案；
在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，形成栅极绝缘层的图案，以使所述至少两个氧化物晶体管中位于所述第二电极上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离大于其它晶体管的栅极与有源层之间的距离。
在一种可能的实现方式中，在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，形成栅极绝缘层的图案，包括：
在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，沉积第一厚度的所述栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上涂布光刻胶；
利用构图工艺对所述光刻胶进行图案化，去除所述其它晶体管对应位置的光刻胶，形成所述光刻胶的图案；
根据所述光刻胶的图案，将所述其它晶体管对应位置的所述栅极绝缘层刻蚀掉第三厚度，其中，所述第一厚度与所述第三厚度的差值为第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
去除所述光刻胶的图案，形成所述栅极绝缘层的图案。
本发明的有益效果如下：
本发明实施例提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，该显示基板包括衬底基板以及阵列排布在该衬底基板上的多个子像素，各个子像素包括发光器件以及用于驱动该发光器件的像素驱动电路，该像素驱动电路包括至少两个氧化物晶体管和存储电容；其中，该存储电容包括依次背离衬底基板且相对设置的第一电极和第二电极，至少两个氧化物晶体管中至少两个晶体管的栅极与有源层之间的距离不同，且至少两个氧化物晶体管中栅极与有源层之间距离远的晶体管位于第二电极的上方。也就是说，至少两个氧化物晶体管中位于第二电极上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离，大于未在第二电极上方的其它晶体管的栅极与有源层之间的距离。这样的话，在减少氧化物晶体管的布局空间，提高分辨率的同时，即便第二电极接收恒定电压信号致使位于其上方的晶体管的阈值电压偏移时，该晶体管的栅极与有源层之间的较大距离可以相应地使其阈值电压反向偏移，二者相互抵消，从而保证了晶体管的阈值电压的均匀性，提高了显示效果。
附图说明
图1为相关技术中7T1C像素补偿电路的其中一种电路结构示意图；
图2为相关技术中LTPO背板采用的驱动电路的其中一种电路结构示意图；
图3为图2对应的其中一种膜层结构示意图；
图4为图2对应的另外一种膜层结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示基板的其中一种俯视结构示意图；
图6为沿图5中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种显示基板中像素驱动电路的其中一种电路结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种显示基板的制作方法的其中一种方法流程图；
图9为图8中步骤S102的其中一种方法流程图；
图10为图8和图9对应的其中一种工艺流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
在相关技术中，LTPO背板可以采用图2所示的驱动电路以及图3所示的膜层结构。其中，01表示Oxide TFT，02表示存储电容，03表示LTPS TFT。最终形成的子像素的间距(Pitch)为56μm，相应的像素密度(Pixels Per Inch，PPI)约为450。但在图3对应的背板工艺中，Oxide TFT在设计时避开了下方LTPS TFT的所有膜层，导致分辨率较低。
为了提高LTPO背板的PPI，可以采用图4所示的膜层结构，将其中一个Oxide TFT置于Cst上方，由于Cst的上电极接在了ELVDD上，而ELVDD为直流4.6V电压，相当于在该OxideTFT的沟道下方接入一个直流底栅，由于直流电压恒定，并不会引起电路工作时沟道状态的跳变。最终形成的子像素的间距(Pitch)为42μm，相应的PPI约为600，相较于图3来说PPI较高。本发明人在实际研究中发现，在电路实际版图中，根据设计需求，Cst的大小尺寸通常较为有限，不能将T1和T2两个管子都置于Cst上，也就是说，只能将T1和T2中的其中一个管子置于Cst上。这样的话，4.6V的直流底栅会对置于其上方的管子的Vth产生一定程度的影响。针对图4所示的膜层结构，实际测试中，ELVDD接4.6V正电压时，位于直流底栅上的OxideTFT将负偏大约1.2V。对于T1和T2来说，如果仅将其中一个管子置于Cst上，就会导致这两个Oxide TFT的开启电压有偏差，从而引起Ion偏差。这种情况在实际应用中，可能引起电容充放电异常的导致的时序问题。此外，由于T1和T2管子的沟道同层制作，不能通过沟道掺杂的方式来进行Vth的调节，也无法通过诸如铟镓锌氧化物(IGZO)的氧含量来调节同层TFT的沟道迁移率。
鉴于此，本发明实施例提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，用于保证薄膜晶体管的阈值电压的均匀性，提高显示效果。
结合图5和图6所示，本发明实施例提供了一种显示基板，其中，图5为显示基板的其中一种俯视结构示意图，图6为沿图5中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图，该显示基板包括：
衬底基板10以及阵列排布在所述衬底基板10上的多个子像素20，各个所述子像素20包括发光器件30以及用于驱动所述发光器件30的像素驱动电路40，所述像素驱动电路40包括至少两个氧化物晶体管50和存储电容60；
其中，所述存储电容60包括依次背离所述衬底基板10且相对设置的第一电极61和第二电极62，所述至少两个氧化物晶体管50中至少两个晶体管的栅极与有源层之间的距离不同，且所述至少两个氧化物晶体管50中栅极与有源层之间距离远的晶体管位于所述第二电极62的上方。在具体实施过程中，显示基板包括衬底基板10以及阵列排布在该衬底基板10上的多个子像素20，其中，衬底基板10可以是刚性衬底，还可以是柔性衬底，在此不做限定。此外，可以根据实际应用需要来设置多个子像素20的具体个数，在此不做限定。各个子像素20包括发光器件30以及用于驱动该发光器件30的像素驱动电路40，该像素驱动电路40包括至少两个氧化物晶体管50和存储电容60。其中，各个像素驱动电路40所包括的至少两个氧化物晶体管50可以是两个，还可以是三个，可以根据实际应用需要来设置，在此不做限定。
仍结合图6所示，存储电容60包括依次背离衬底基板10且相对设置的第一电极61和第二电极62，至少两个氧化物晶体管30中至少两个晶体管的栅极与有源层之间的距离不同，且至少两个氧化物晶体管30中栅极与有源层之间距离远的晶体管位于第二电极62的上方。也就是说，至少两个氧化物晶体管30中位于第二电极62上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离，大于未在第二电极62上方的其它晶体管的栅极与有源层之间的距离。此外，第二电极62可以被配置为接收恒定电压信号，这样的话，第二电极62可以用作位于其上方的晶体管的底栅，相应地提高了该晶体管的稳定性。结合至少两个氧化物晶体管30中位于第二电极62上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离，大于未在第二电极62上方的其它晶体管的栅极与有源层之间的距离，可以在减少氧化物晶体管的布局空间，提高分辨率的同时，即便第二电极62接收恒定电压信号致使位于其上方的晶体管的阈值电压发生偏移时，该晶体管的栅极与有源层之间的较大距离可以相应地使其阈值电压反向偏移，二者相互抵消，从而保证了晶体管的阈值电压的均匀性，提高了显示效果。
在具体实施过程中，至少两个氧化物晶体管50中栅极与有源层之间距离远的晶体管可以是一个，还可以是多个，相应地，至少两个氧化物晶体管50中位于第二电极62上方的晶体管可以是一个，还可以是多个，当然，可以根据实际应用需要来设置位于第二电极62上方的氧化物晶体管的个数，在此不做限定。而且，至少两个氧化物晶体管50中未设置在第二电极62上方的晶体管可以是一个，还可以是多个，在此不做限定。其中，图6中示意出了两个氧化物晶体管中其中一个晶体管位于第二电极62的上方，另一个晶体管未位于第二电极62的上方。
仍以图6所示为例，位于第二电极62上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离为d1，其它晶体管的栅极与有源层之间的距离为d2，d1>d2。这样的话，因第二电极62接收恒定电压信号致使位于第二电极62上方的晶体管的阈值电压偏移时，该晶体管的栅极与有源层之间的较大距离可以相应地使其阈值电压反向偏移，二者相互抵消，从而保证了晶体管的阈值电压的均匀性，提高了显示效果。需要说明的是，可以根据实际应用需要来设置，位于第二电极62上方的氧化物晶体管的栅极5011与有源层之间的距离的具体数值，以及其它晶体管的栅极5021与有源层之间的距离的具体数值，在此不做限定。
需要说明的是，本发明人发现，根据MOSFET经典Vth公式：
针对置于存储电容60的第二电极62上方的N型氧化物晶体管，N型氧化物晶体管受到栅极介质层电容Cox的影响，Cox越大，N型氧化物晶体管的Vth越小。当降低栅极介质层的厚度时，Vth负偏。而当增加栅极介质层的厚度时，Vth正偏。在实际测试中，N型氧化物晶体管的宽长比为：W/L＝2.5/4，数据信号端加载的电压为10.1V时，栅极介质层厚度为1000埃时相应器件的Vth，较栅极介质层厚度为1400埃时相应器件的Vth偏负0.5V左右。如此一来，在本发明实施例中，通过设置至少两个氧化物晶体管50中位于第二电极62上方的晶体管的栅极5011与有源层之间的距离，大于其它晶体管的栅极5021与有源层之间的距离，可以抵消因第二电极62接收恒定电压信号致使位于第二电极62上方的晶体管的阈值电压偏移的影响，有效保证了Vth的均匀性。
仍结合图6所示，所述第二电极62与所述至少两个氧化物晶体管50的有源层500部分交叠。这样的话，通过第二电极62可以在一定程度上保护至少两个氧化物晶体管50的沟道，从而保证了像素驱动电路40的驱动能力。
在本发明实施例中，仍结合图6所示，所述像素驱动电路40还包括与所述至少两个氧化物晶体管50耦接的至少一个多晶硅晶体管70，所述至少一个多晶硅晶体管70的栅极701与所述第一电极61同层设置，且所述至少两个氧化物晶体管50设置在所述第二电极62背离所述衬底基板10的一侧。
在具体实施过程中，与至少两个氧化物晶体管50耦接的至少一个多晶硅晶体管70可以是一个，还可以是多个，在此不做限定。其中，至少一个多晶硅晶体管70的栅极701与第一电极61同层设置。在实际工艺中，可以同层制作至少一个多晶硅晶体管70的栅极701和第一电极61，从而简化了制作工艺。而且至少两个氧化物晶体管50设置在第二电极62背离衬底基板10的一侧，这样的话，可以节省布局空间，从而提高了分辨率。
在本发明实施例中，仍结合图6所示，所述至少两个氧化物晶体管50的有源层500在所述衬底基板10上的正投影完全落入所述至少一个多晶硅晶体管70的有源层700在所述衬底基板10上的正投影的区域范围内。
在具体实施过程中，至少两个氧化物晶体管50的有源层500在衬底基板10上的正投影完全落入至少一个多晶硅晶体管70的有源层700在衬底基板10上的正投影的区域范围内，从而节省了布局空间，提高了分辨率。
在本发明实施例中，仍结合图6所示，所述第二电极62在所述衬底基板10上的正投影完全落入所述第一电极61在所述衬底基板10上的正投影的区域范围内。如此一来，第一电极61可以在一定程度上保护第二电极62，从而保证了存储电容60的使用性能。
需要说明的是，仍结合图6所示，本发明实施例提供的显示基板还包括设置在氧化物晶体管50的栅极和有源层之间的栅极绝缘层80，位于第二电极62和氧化物晶体管50的有源层500之间的第一层间绝缘层90和缓冲层100，位于多晶硅晶体管70的有源层700和第一电极61之间的第一栅极绝缘层110，位于第一电极61和第二电极62之间的第二栅极绝缘层120，以及位于氧化物晶体管50的栅极背离衬底基板10一侧设置的第二层间绝缘层130。当然，还可以根据实际应用需要来设置显示基板的其它膜层，具体可以参照相关技术中的具体实现，在此不做详述。
在本发明实施例中，像素驱动电路40可以有多种设置方式。在其中一种示例性实施例中，如图7所示为像素驱动电路40的其中一种结构示意图。其中，所述至少两个氧化物晶体管50包括补偿晶体管M2和第一复位晶体管M1，所述像素驱动电路40还包括均为多晶硅晶体管的驱动晶体管M3、第一发光控制晶体管M5、第二发光控制晶体管M6、数据写入晶体管M4、第二复位晶体管M7；
其中，所述补偿晶体管M2分别耦接于所述驱动晶体管M3的栅极和第一极之间，且栅极与第一扫描控制端S耦接；
所述第一复位晶体管M1分别耦接于驱动晶体管M3的栅极和初始化信号端Vinit之间，且栅极与所述第一扫描控制端S耦接；
所述存储电容60分别耦接于第一电源端VDD和所述驱动晶体管M3的栅极之间；
所述第一发光控制晶体管M5分别耦接于所述第一电源端VDD和所述驱动晶体管M3的第二极之间，且栅极与发光控制端EM耦接；
所述第二发光控制晶体管M6分别耦接于所述驱动晶体管M3的第一极和所述发光器件30的第一极之间，且栅极与所述发光控制端EM耦接；
所述数据写入晶体管M4分别耦接于所述驱动晶体管M3的第二极和数据信号端D之间，且栅极与第二扫描控制端G耦接；
所述第二复位晶体管M7分别耦接于所述发光器件30的第一极和所述初始化信号端Vinit之间，且栅极与所述第二扫描控制端G耦接；
所述发光器件30的第二极与第二电源端VSS耦接。
仍结合图7所示，在本发明实施例中，像素驱动电路40包括补偿晶体管M2、第一复位晶体管M1、驱动晶体管M3、第一发光控制晶体管M5、第二发光控制晶体管M6、数据写入晶体管M4和第二复位晶体管M7在内的七个晶体管。其中，补偿晶体管M2和第一复位晶体管M1均为氧化物晶体管50，驱动晶体管M3、第一发光控制晶体管M5、第二发光控制晶体管M6、数据写入晶体管M4和第二复位晶体管M7均为多晶硅晶体管70。其中，补偿晶体管M2分别耦接于驱动晶体管M3的栅极和第一极之间，且栅极与第一扫描控制端S耦接。第一复位晶体管M1分别耦接于驱动晶体管M3的栅极和初始化信号端Vinit之间，且栅极与第一扫描控制端S耦接，这样的话，在第一复位晶体管M1导通时，可以通过第一扫描控制端S对驱动晶体管M3的栅极进行复位。
存储电容60分别耦接于第一电源端VDD和驱动晶体管M3的栅极之间，第一电源端VDD可以是高电位电源端，可以提供恒定的高电位信号。数据写入晶体管M4分别耦接于驱动晶体管M3的第二极和数据信号端D之间，且栅极与第二扫描控制端G耦接。这样的话，在数据写入晶体管M4导通时，可以通过数据信号端D对驱动晶体管M3的第二极进行充电，且在补偿晶体管M2导通时，可以将驱动晶体管M3的阈值电压以及数据信号端D所提供的数据信号写入驱动晶体管M3的栅极，从而实现了对驱动晶体管M3的阈值电压的补偿。此外，第一发光控制晶体管M5分别耦接于第一电源端VDD和驱动晶体管M3的第二极之间，且栅极与发光控制端耦接；第二发光控制晶体管M6分别耦接于驱动晶体管M3的第二极和数据信号端D之间，且栅极与发光控制端耦接；这样的话，在第一发光控制晶体管M5和第二发光控制晶体管M6均导通时，发光器件30发光。
而且，第二复位晶体管M7分别耦接于发光器件30的第一极和初始化信号端Vinit之间，且栅极与第二扫描控制端G耦接，这样的话，在第二复位晶体管M7导通时，可以将初始化信号端Vinit提供的初始化信号写入发光器件30的第一极，在发光器件30的第一极为阳极时，实现了阳极重置，从而保证了低频显示。发光器件30的第二极与第二电源端VSS耦接，第二电源端VSS可以为低电位电源端，可以提供恒定的低电位信号。存储电容60分别耦接于第一电源端VDD和驱动晶体管M3的栅极之间，通过存储电容60保证了驱动晶体管M3的栅极的电位稳定，从而保证了像素驱动电路40的驱动效果。
仍结合图7所示，所述补偿晶体管M2和所述第一复位晶体管M1均为N型晶体管，所述驱动晶体管M3、所述第一发光控制晶体管M5、所述第二发光控制晶体管M6、所述数据写入晶体管M4和所述第二复位晶体管M7均为P型晶体管。在具体实施过程中，补偿晶体管M2和第一复位晶体管M1的有源层为金属氧化物半导体材料，可以是IGZO，还可以是铟锡锌氧化物(ITZO)等金属氧化物，在此不做限定。相应地，补偿晶体管M2和第一复位晶体管M1可以是用金属氧化物半导体材料作为有源层的N型晶体管。这样的话，在像素驱动电路40实际工作中，补偿晶体管M2和第一复位晶体管M1具有较小的漏电流。驱动晶体管M3、第一发光控制晶体管M5、第二发光控制晶体管M6、数据写入晶体管M4和第二复位晶体管M7的有源层为低温多晶体管材料。相应地，驱动晶体管M3、第一发光控制晶体管M5、第二发光控制晶体管M6、数据写入晶体管M4和第二复位晶体管M7可以是用低温多晶硅材料作为有源层的P型晶体管。这样的话，在像素驱动电路40实际工作中，驱动晶体管M3、第一发光控制晶体管M5、第二发光控制晶体管M6、数据写入晶体管M4和第二复位晶体管M7具有较高的迁移率，功耗更低，而且可以做的更薄等。如此一来，图7所示的像素驱动电路40实际上为LTPO像素电路，从而保证了驱动晶体管M3的栅极的漏电流较小，功耗较低。
仍结合图7所示的电路结构，在其中一种示例性实施例中，可以将第一复位晶体管M1设置在第二电极62的上方，且将补偿晶体管M2作为其它晶体管，并未设置在第二电极62的上方；第一复位晶体管M1的栅极与有源层之间的距离，大于补偿晶体管M2的栅极与有源层之间的距离。在另外一种示例性实施例中，可以将补偿晶体管M2设置在第二电极62的上方，且将第一复位晶体管M1作为其它晶体管，并未设置在第二电极62的上方；补偿晶体管M2的栅极与有源层之间的距离，大于第一复位晶体管M1的栅极与有源层之间的距离。在具体实施过程中，可以根据实际应用需要来设置至少两个氧化物晶体管50中位于第二电极62上方的晶体管，在此不做限定。
需要说明的是，本公开实施例中的发光器件30可以设置为电致发光二极管，例如有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(QuantumDot Light Emitting Diodes，QLED)、微型无机发光二极管(micro Light EmittingDiode/Mini Light Emitting Diode)中的至少一种，在此不做限定。其中，所述发光器件30可以包括层叠设置的阳极、发光层、阴极。进一步地，发光层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等膜层。当然，在实际应用中，可以根据实际应用环境的需求对发光器件30进行设计，在此不做限定。
上述提及的各个晶体管的第一极和第二极可以根据相应的类型以及信号端的信号的不同，其功能可以互换。比如，可以是第一极为源极，相应地第二极为漏极，再比如，可以是第一极为漏极，相应地第二极为源极，在此不做限定。各个晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(Metal OxideSemiconductor，MOS)，在此不作限定。当然，还可以根据实际应用需要来设置各个晶体管的具体类型，在此不做限定。
以上仅是举例说明本发明实施例提供的显示基板的具体结构，在具体实施时，上述显示基板的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，这些均在本发明的保护范围之内，在此不作限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述任一种显示基板。该显示装置解决问题的原理与前述显示基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示基板的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施过程中，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本发明的限制。
基于同一发明构思，如图8所示，本发明实施例还提供了上述显示基板的制作方法，该制作方法包括：
S101：在所述衬底基板上依次形成所述存储电容的所述第一电极和所述第二电极、所述至少两个氧化物晶体管的有源层的图案；
S102：在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，形成栅极绝缘层的图案，以使所述至少两个氧化物晶体管中位于所述第二电极上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离大于所述其它晶体管的栅极与有源层之间的距离。
在本发明实施例中，如图9所示，步骤S102：在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，形成栅极绝缘层的图案，包括：
S201：在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，沉积第一厚度的所述栅极绝缘层；
S202：在所述栅极绝缘层上涂布光刻胶；
S203：利用构图工艺对所述光刻胶进行图案化，去除所述其它晶体管对应位置的光刻胶，形成所述光刻胶的图案；
S204：根据所述光刻胶的图案，将所述其它晶体管对应位置的所述栅极绝缘层刻蚀掉第三厚度，其中，所述第一厚度与所述第三厚度的差值为第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
S205：去除所述光刻胶的图案，形成所述栅极绝缘层的图案。
下面以制作图6所示的显示基板为例，结合图10所示的工艺过程，对图8和图9的方法流程图进行解释说明。
首先，在衬底基板10上依次形成多晶硅晶体管70的有源层700的图案、第一栅极绝缘层110、第一电极61的图案、第二栅极绝缘层120、第二电极62的图案、第一层间绝缘层90、缓冲层100和氧化物晶体管50的有源层500的图案；然后，在氧化物晶体管50的有源层500背离衬底基板10的一侧沉积第一厚度的栅极绝缘层80。在其中一种示例性实施例中，由于第二电极62加载的直流电压为+4.6V，对N型氧化物晶体管来说，Vth负偏，在图6中除栅极绝缘层80其它膜层结构参数与图3相应的膜层结构相同时，第一厚度大于图3中栅极绝缘层80的厚度，使得该N型氧化物晶体管的Vth正偏。这样的话，在像素驱动电路40工作时，可以抵消直流电压的影响，从而将N型氧化物晶体管恢复至正常水平。在其中一种示例性实施例中，第一厚度可以是2000埃。当然，还可以根据实际应用需要来设置第一厚度的具体数值，在此不做限定。
然后，在该第一厚度的栅极绝缘层80上涂布光刻胶PR。然后，利用构图工艺对光刻胶PR进行图案化，去除其它晶体管502对应位置的光刻胶PR，形成光刻胶PR的图案。在其中一种示例性实施例中，可以通过曝光-显影的方式去除不在存储电容60上的一个TFT沟道处的光刻胶PR，再用干刻工艺对这一部分进行刻蚀。可以是根据光刻胶PR的图案，将其它晶体管502对应位置的栅极绝缘层80刻蚀掉第三厚度，在其中一种示例性实施例中，第三厚度为1000埃，这样的话，该位置处的栅极绝缘层80的最终厚度为1000埃。如此一来，保证了各个晶体管的阈值电压的均匀性。
然后，沉积氧化物晶体管50的栅极，并形成氧化物晶体管50的栅极的图案；然后，在氧化物晶体管50的栅极背离衬底基板10的一侧沉积第二层间绝缘层130。然后，进行过孔的排版与刻蚀。考虑到量产工艺流程中，多晶硅晶体管70的有源层700需要清洗，可以通过两道掩膜板(Mask)来进行，具体排版与刻蚀过程可以参照相关技术中的具体实现，在此不做详述。然后，沉积源漏电极层，同层形成氧化物晶体管50的源漏电极以及多晶硅晶体管70的源漏电极。需要说明的是，图中仅示意了金属互联的位置，并未示意出数据信号端D和第一电源端VDD对应的信号线，在实际应用中，可以根据layout需求，用单层源漏电极层或者双层源漏电极层进行相应信号线的排版，在此不做详述。此外，对显示基板中其它膜层的制作过程，可以参照相关技术中的具体实现，在此不做详述。
本发明实施例提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置，该显示基板包括衬底基板10以及阵列排布在该衬底基板10上的多个子像素20，各个子像素20包括发光器件30以及用于驱动该发光器件30的像素驱动电路40，该像素驱动电路40包括至少两个氧化物晶体管50和存储电容60；其中，该存储电容60包括依次背离衬底基板10且相对设置的第一电极61和第二电极62，至少两个氧化物晶体管50中至少两个晶体管的栅极与有源层之间的距离不同，且至少两个氧化物晶体管中栅极与有源层之间距离远的晶体管位于第二电极62的上方。也就是说，至少两个氧化物晶体管50中位于第二电极62上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离，大于未在第二电极62上方的其它晶体管的栅极与有源层之间的距离。这样的话，在减少氧化物晶体管的布局空间，提高分辨率的同时，即便第二电极62接收恒定电压信号致使位于其上方的晶体管的阈值电压偏移时，该晶体管的栅极5011与有源层之间的较大距离可以相应地使其阈值电压反向偏移，二者相互抵消，从而保证了晶体管的阈值电压的均匀性，提高了显示效果。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板以及阵列排布在所述衬底基板上的多个子像素，各个所述子像素包括发光器件以及用于驱动所述发光器件的像素驱动电路，所述像素驱动电路包括至少两个氧化物晶体管和存储电容；
其中，所述存储电容包括依次背离所述衬底基板且相对设置的第一电极和第二电极，所述至少两个氧化物晶体管中至少两个晶体管的栅极与有源层之间的距离不同，且所述至少两个氧化物晶体管中栅极与有源层之间距离远的晶体管位于所述第二电极的上方。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极与所述至少两个氧化物晶体管的有源层部分交叠。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括与所述至少两个氧化物晶体管耦接的至少一个多晶硅晶体管，所述至少一个多晶硅晶体管的栅极与所述第一电极同层设置，且所述至少两个氧化物晶体管设置在所述第二电极背离所述衬底基板的一侧。
4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述至少两个氧化物晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影完全落入所述至少一个多晶硅晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。
5.如权利要求1-4任一项所述的显示基板，其特征在于，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第一电极在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。
6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述至少两个氧化物晶体管包括补偿晶体管和第一复位晶体管，所述像素驱动电路还包括均为多晶硅晶体管的驱动晶体管、第一发光控制晶体管、第二发光控制晶体管、数据写入晶体管、第二复位晶体管；
其中，所述补偿晶体管分别耦接于所述驱动晶体管的栅极和第一极之间，且栅极与第一扫描控制端耦接；
所述第一复位晶体管分别耦接于驱动晶体管的栅极和初始化信号端之间，且栅极与所述第一扫描控制端耦接；
所述存储电容分别耦接于第一电源端和所述驱动晶体管的栅极之间；
所述第一发光控制晶体管分别耦接于所述第一电源端和所述驱动晶体管的第二极之间，且栅极与发光控制端耦接；
所述第二发光控制晶体管分别耦接于所述驱动晶体管的第一极和所述发光器件的第一极之间，且栅极与所述发光控制端耦接；
所述数据写入晶体管分别耦接于所述驱动晶体管的第二极和数据信号端之间，且栅极与第二扫描控制端耦接；
所述第二复位晶体管分别耦接于所述发光器件的第一极和所述初始化信号端之间，且栅极与所述第二扫描控制端耦接；
所述发光器件的第二极与第二电源端耦接。
7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述补偿晶体管和所述第一复位晶体管均为N型晶体管，所述驱动晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管、所述数据写入晶体管和所述第二复位晶体管均为P型晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1-7任一项所述的显示基板。
9.一种如权利要求1-7任一项所述的显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在所述衬底基板上依次形成所述存储电容的所述第一电极和所述第二电极、所述至少两个氧化物晶体管的有源层的图案；
在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，形成栅极绝缘层的图案，以使所述至少两个氧化物晶体管中位于所述第二电极上方的晶体管的栅极与有源层之间的距离大于其它晶体管的栅极与有源层之间的距离。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，形成栅极绝缘层的图案，包括：
在所述至少两个氧化物晶体管的有源层背离所述衬底基板的一侧，沉积第一厚度的所述栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上涂布光刻胶；
利用构图工艺对所述光刻胶进行图案化，去除所述其它晶体管对应位置的光刻胶，形成所述光刻胶的图案；
根据所述光刻胶的图案，将所述其它晶体管对应位置的所述栅极绝缘层刻蚀掉第三厚度，其中，所述第一厚度与所述第三厚度的差值为第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
去除所述光刻胶的图案，形成所述栅极绝缘层的图案。
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