CN117255957A - 偏光片、包括其的偏光板及包括其的光学显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种偏光片、包括其的偏光板及包括其的光学显示装置,该偏光片包含0.015‑2wt%的硅并且至少包括具有0.01‑0.5的式1的比率的区域。
Description
技术领域
本发明涉及一种偏光片、包括其的偏光板及包括其的光学显示装置。
背景技术
偏光板用于包括配备有图像传感器的移动电话的移动光学显示装置中。
参照图5中的(A),光学显示装置可以包括:显示面板(50),其包括基层(51)和多个发光装置(52);设置在显示面板(50)上的偏光板(40);设置在偏光板(40)上的覆盖玻璃(cover glass)(60)以及通过穿入而部分设置在显示面板(50)内部的图像传感器(10)。图像传感器(10)也通过穿入而部分设置在偏光板(40)内部。偏光板(40)的对应于图像传感器(10)的区域(40a)是非显示区域。为了确保用于使图像传感器(10)穿入的空间,通过物理冲压(physical-punching)等对偏光板(40)进行加工。然而,由于偏光板(40)的冲孔周围区域中的起泡、裂纹等,在显示区域(40b)中可能发生漏光,导致图像质量差。
参照图5中的(B),偏光板(70)可以具有用于能够操作图像传感器(10)的通过化学或光学方法(而不是如偏光板(40)中所示的冲压)形成的区域(70a)以及屏幕图像显示区域(70b)。然而,图像传感器(10)穿入包括发光装置的显示面板(50),因此该结构存在的问题在于:由于图像传感器(10)而导致包括发光装置的显示面板(50)的分离不可避免,从而导致光学显示装置的加工困难。
不同于传统的光学显示装置(如图5中的(A)或图5中的(B)所示),在传统的光学显示装置中包括发光装置的显示面板通过冲压进行加工以确保用于图像传感器的穿入的空间,最近的光学显示装置具有设置在显示面板的上侧而不是穿入显示面板和偏光板内部的图像传感器。这里,也需要偏光板的对应于图像传感器的区域以实现屏幕图像显示功能、在屏幕图像显示功能的操作(operation,运行)期间防止图像传感器可见的功能以及在通过图像传感器捕获图像期间增强图像清晰度的功能。为此,已经提出了通过光学工艺在偏光板中形成具有高总透射率的区域的方法。
本发明的背景技术在日本未审的专利公开第2014-081482号等中公开。
发明内容
技术问题
本发明的一个目的是提供一种在高温下具有良好可靠性的偏光片或偏光板。
本发明的另一个目的是提供一种没有泛黄(yellowishness,微黄,黄变)或使泛黄最小化并且允许在其中局部形成高光透射率区域的偏光片或偏光板。
本发明的进一步的目的是提供一种允许局部形成具有80%或更高的光透射率的区域的偏光片或偏光板。
本发明的又一个目的是提供一种偏光片或偏光板,当图像传感器设置在偏光板的下侧时所述偏光片或偏光板能够防止图像传感器可见,同时在使用图像传感器捕获图像时实现清晰图像。
技术方案
本发明的一个方面涉及偏光片。
1.偏光片至少包括具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量和在0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域:
[等式1]
比率=[硅含量]/[硅含量+硼含量]
(在等式1中,
硅含量是所述区域中硅(Si)的含量(单位:wt%),并且
硼含量是所述区域中硼(B)的含量(单位:wt%))。
2.在1中,所述区域可以具有0.1wt%至5wt%的硼含量。
3.在1-2中,所述区域可以是偏光片的整个表面。
4.在1-3中,所述区域可以包括:含羟基的聚乙烯醇类膜以及含有与羟基键合的烷氧基硅烷基团的含硅化合物。
5.在4中,含有烷氧基硅烷基团的含硅化合物可以包括选自以下中的至少一种:含有至少一个环氧基的烷氧基硅烷、含有至少一个氮原子的烷氧基硅烷、含有至少一个烷基的烷氧基硅烷、含有至少一个巯基的烷氧基硅烷以及含有至少一个不饱和基团的烷氧基硅烷。
6.在1-5中,偏光片可以包括第二区域,所述第二区域包括所述区域;以及第一区域,所述第一区域相比于第二区域具有较高的总透射率。
7.在6中,第一区域可以具有0.015wt%至2wt%的硅含量以及在0.01至0.5范围内的等式2的比率:
[等式2]
比率=[硅含量]/[硅含量+硼含量]
(在等式2中,
硅含量是第一区域中硅(Si)的含量(单位:wt%),并且
硼含量是第一区域中硼(B)的含量(单位:wt%))。
8.在7中,第一区域可以具有0.1wt%至5wt%的硼含量。
9.在6中,第一区域可以具有80%或更高的总透射率、-7至0的色值as以及0至25的色值bs。
10.在6中,第一区域在450nm的波长处可以具有60%或更高的总透射率。
11.在6中,第一区域可以包括:含羟基的聚乙烯醇类膜以及含有与羟基键合的烷氧基硅烷基团的含硅化合物。
12.在11中,含有烷氧基硅烷基团的含硅化合物可以包括选自以下中的至少一种:含有至少一个环氧基的烷氧基硅烷、含有至少一个氮原子的烷氧基硅烷、含有至少一个烷基的烷氧基硅烷、含有至少一个巯基的烷氧基硅烷以及含有至少一个不饱和基团的烷氧基硅烷。
13.在6中,第一区域可以具有与第二区域不同的碘离子浓度分布(concentrationprofile)。
14.在6中,第二区域可以具有40%至小于50%的总透射率。
本发明的另一个方面是偏光板。
15.偏光板包括偏光片和堆叠在偏光片的至少一个表面上的保护层,其中偏光片包括根据本发明的偏光片。
16.在15中,偏光板可以包括:第一偏光板区域,所述第一偏光板区域具有80%或更高的总透射率、-7至0的色值as以及0至25的色值bs;以及第二偏光板区域,所述第二偏光板区域相比于第一偏光板区域具有较低的总透射率。
17.在15-16中,第一偏光板区域可以具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量以及0.01至0.5的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率。
18.在15-17中,第二偏光板区域可以具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量以及0.01至0.5的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率。
本发明的另一个方面是一种光学显示装置。
根据本发明的光学显示装置包括根据本发明的偏光板。
光学显示装置可以包括:显示面板、设置在显示面板的上侧的偏光板以及设置在显示面板的下侧的图像传感器,其中图像传感器设置在偏光板的第一区域的下侧。
有益效果
本发明提供一种在高温下具有良好可靠性的偏光片或偏光板。
本发明提供一种没有泛黄或使泛黄最小化并且允许在其中局部形成高光透射率区域的偏光片或偏光板。
本发明提供一种允许局部形成具有80%或更高的光透射率的区域的偏光片或偏光板。
本发明提供一种偏光片或偏光板,当图像传感器设置在偏光板的下侧时所述偏光片或偏光板能够防止图像传感器可见,同时在使用图像传感器捕获图像时实现清晰图像。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施方式的偏光片的平面图。
图2是根据本发明的一个实施方式的偏光片的截面图。
图3是根据本发明的一个实施方式的偏光板的截面图。
图4是根据本发明的一个实施方式的光学显示装置的截面图。
图5是传统的光学显示装置的截面图。
图6是描绘实施例5和比较例1的偏光板的第一偏光板区域的总透射率(Y轴,单位:%)随波长(X轴,单位:nm)变化的图。
图7示出实施例5和比较例1的偏光板的第一偏光板区域和第二偏光板区域的放大图像。(A)示出实施例5的偏光板的放大图像,并且(B)示出比较例1的偏光板的放大图像。在(A)和(B)中,椭圆形部分对应于第一偏光板区域,并且黑色部分对应于第二偏光板区域。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明的示例性实施方式,使得本领域技术人员能够容易地实现本发明。应当理解,本发明可以以不同的方式实施,并且不限于以下实施方式。
在附图中,为了清楚起见,将省略与描述无关的部分。在整个说明书中,相似的组件将由相似的附图标记表示。应当注意的是,附图并非精确按比例绘制,并且仅为了描述方便和清楚起见,可以放大组件的长度或尺寸。
本文中,空间相关术语,诸如“上”和“下”,是参考附图来定义的。因此,应当理解,“上表面”可以与“下表面”互换使用。
本文中,“硅(Si)含量”和“硼(B)含量”分别是偏光片或偏光板的区域中元素状态(elemental state,单质状态)的硅(Si)的含量和硼(B)的含量。通过电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)在偏光片或偏光板的区域上测量硅(Si)含量和硼(B)含量。通过ICP-OES的元素含量的测量可以通过本领域技术人员已知的典型方法进行。本文中,“硅(Si)含量”和“硼(B)含量”分别是表示偏光片或偏光板的区域中以重量计(即以wt%计)的硅的含量比和硼的含量比的值。
本文中,“as”和“bs”分别是偏光片或偏光板的区域中的色值,并且分别是指CIE坐标系中的色值a和b。色值a和b可以从CIE坐标系获得,其中指示a值的x轴与指示b值的y轴正交。色值a随着绝对值在正方向上增大而变红,并且随着绝对值在负方向上增大而变绿。色值b随着绝对值在正方向上增大而变黄,并且随着绝对值在负方向上增大而变蓝。针对单个偏光片或单个偏光板测量的色值a和b分别称为色值as和色值bs,并且针对彼此正交(cross,交叉)设置的两个偏光片或两个偏光板测量的色值a和b分别称为色值ac和色值bc。色值可以使用UV-可见光分光光度计(V-7100,JASCO)在380nm至780nm的波长处测量。
如本文所用,“总透射率(Ts)”、“正交透射率(crossed transmittance)(Tc)”和“偏光度”是在380nm至780nm的波长处测量并且经过可见度校正的值。这些值可以使用UV-可见光分光光度计(V-7100,JASCO)来测量。
本文中,关于“第一区域的总透射率”,在相同的波长处第一区域在其整个区域中具有相同的总透射率。然而,当在相同波长处在第一区域的整个区域中总透射率不相同时,第一区域的总透射率是指其平均总透射率。
本文中,关于“第二区域的总透射率”,在相同的波长处第二区域在其整个区域中具有相同的总透射率。然而,当在相同波长处在第二区域的整个区域中总透射率不相同时,第二区域的总透射率是指其平均总透射率。
如本文所用,“平均总透射率”是指待测量平均总透射率的波长范围内的总透射率的平均值。例如,可以由待测量平均总透射率的区域中任意指定的多个点处的总透射率的平均值来获得平均总透射率。
如本文所用的表示特定数值范围的“X至Y”是指“大于或等于X且小于或等于Y(X≤且≤Y)”。
本发明提供一种在高温下具有良好可靠性并且至少包括一个区域的偏光片或偏光板,在所述区域中将形成具有80%或更高的总透射率并且没有泛黄或使泛黄最小化的第一区域。
在一个实施方式中,偏光片或偏光板可以具有根据等式4计算的3%或更小(例如,0%至1%)的总透射率变化。在此范围内,偏光片或偏光板在高温下可以具有良好可靠性以延长光学显示装置的寿命。
[等式4]
总透射率变化=|T1-T2|
(在等式4中,T1是偏光片或偏光板的起始总透射率(单位:%),并且
T2是在偏光片或偏光板在85℃下放置48小时后测量的偏光片或偏光板的总透射率(单位:%)。
当第一区域具有80%或更高的总透射率并且没有泛黄或使泛黄最小化时,第一区域可以确保通过其观察到的图像的颜色清晰度(color clarity)。
在一个实施方式中,第一区域可以具有-7至0(具体地,-1至0)的色值as以及0至25(具体地,0至3)的色值bs。在此范围内,第一区域可以确保通过其观察到的图像的颜色清晰度。
[偏光片]
根据本发明的偏光片至少包括具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量和在0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域:
[等式1]
比率=[硅含量]/[硅含量+硼含量]
(在等式1中,
硅含量是所述区域中硅(Si)的含量(单位:wt%),并且
硼含量是所述区域中硼(B)的含量(单位:wt%))。
在下文中,将描述根据本发明的一个实施方式的偏光片。
偏光片至少包括具有0.015wt%至2wt%的硅含量和根据等式1计算的0.01至0.5的比率的区域。当所述区域满足硅含量和0.01至0.5范围内的等式1的比率两者时,所述区域在高温下表现出良好的可靠性,并且当第一区域通过下述方法形成在所述区域中时,实现具有80%或更高的总透射率并且没有泛黄或使泛黄最小化的第一区域。
本发明的发明人证实,当所述区域不满足硅含量和0.01至0.5范围内的等式1的比率中的任一个时,所述区域在高温下表现出较差的可靠性并且未能实现第一区域。本发明的一个方面是提高偏光片或偏光板在高温下的可靠性,并且当通过下述方法形成时通过控制硅含量和硼含量而在偏光片中形成具有80%或更高的总透射率并且没有泛黄或使泛黄最小化的第一区域。
在一个实施方式中,所述区域可以具有具体地0.015wt%、0.05wt%、0.1wt%、0.15wt%、0.2wt%、0.25wt%、0.3wt%、0.35wt%、0.4wt%、0.45wt%、0.5wt%、0.55wt%、0.6wt%、0.65wt%、0.7wt%、0.75wt%、0.8wt%、0.85wt%、0.9wt%、0.95wt%、1wt%、1.05wt%、1.1wt%、1.15wt%、1.2wt%、1.25wt%、1.3wt%、1.35wt%、1.4wt%、1.45wt%、1.5wt%、1.55wt%、1.6wt%、1.65wt%、1.7wt%、1.75wt%、1.8wt%、1.85wt%、1.9wt%、1.95wt%或2wt%(例如,0.1wt%至2wt%,例如,0.2wt%至1wt%)的硅含量。在此范围内,所述区域可以容易地提供上述效果,同时满足等式1的比率。
在一个实施方式中,所述区域可以具有根据等式1计算的0.01至0.45(具体地,0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45或0.5,例如,0.05至0.4或0.05至0.35)的比率。在此范围内,所述区域可以容易地提供上述效果,同时满足硅含量范围。
在一个实施方式中,所述区域可以具有0.1wt%至5wt%(具体地0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、1.1wt%、1.2wt%、1.3wt%、1.4wt%、1.5wt%、1.6wt%、1.7wt%、1.8wt%、1.9wt%、2wt%、2.1wt%、2.2wt%、2.3wt%、2.4wt%、2.5wt%、2.6wt%、2.7wt%、2.8wt%、2.9wt%、3wt%、3.1wt%、3.2wt%、3.3wt%、3.4wt%、3.5wt%、3.6wt%、3.7wt%、3.8wt%、3.9wt%、4wt%、4.1wt%、4.2wt%、4.3wt%、4.4wt%、4.5wt%、4.6wt%、4.7wt%、4.8wt%、4.9wt%或5wt%,例如,0.5wt%至4wt%、1.0wt%至3.5wt%或1.5wt%至3wt%)的硼(B)含量。在此范围内,所述区域可以容易地提供上述效果,同时满足等式1的比率。
在一个实施方式中,所述区域可以是偏光片的整个表面(区域)。在另一个实施方式中,所述区域可以是偏光片的一部分,例如以下描述的第一区域。在又一实施方式中,所述区域可以是偏光片的一部分,例如以下描述的第二区域。
所述区域中的硅含量和等式1的比率可以在制造偏光片的过程中实现。这将在以下详细描述。
在一个实施方式中,偏光片包括第一区域和第二区域,其中在相同波长处第一区域相比于第二区域具有较高的总透射率,并且第一区域和第二区域中的至少一个可以是具有0.015wt%至2wt%的硅含量和0.01至0.5的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率的区域。
第一区域和第二区域的整体可以构成偏光片的屏幕图像显示区域。这里,“屏幕图像显示区域”是指在设置有偏光片的光学显示装置上显示屏幕图像的区域。以面积比计,屏幕图像显示区域可以占偏光片总面积的90%至100%,优选100%。在一个实施方式中,偏光板可以不包括非显示区域。这里,“非显示区域”是指这样的区域,所述区域围绕屏幕图像显示区域的***形成并且具有光屏蔽层(light-shielding layer)等以防止边框、电极等可见。
在一个实施方式中,第一区域不是冲孔并且可以与第二区域一体地形成。即,第一区域不是通过冲压在偏光片中形成的孔,并且可以包括聚乙烯醇类膜并且可以与第二区域一体地形成。
参照图1和图2,将更详细地描述偏光片。图1是根据本发明的一个实施方式的偏光片的平面图,并且图2是根据本发明的一个实施方式的偏光片的截面图。
参照图1和图2,偏光片(110)可以包括光透射区域(113),所述光透射区域(113)包括第一区域(111)和第二区域(112)。
光透射区域(113)可以包括偏光片(110)的上表面、偏光片(110)的下表面以及将偏光片(110)的上表面连接至其下表面的偏光片(110)的侧表面。
偏光片(110)可以应用于包括设置在屏幕图像显示区域中的图像传感器(例如,相机等)的光学显示装置。
在一个实施方式中,在光学显示装置中,其中图像传感器、包括发光装置的面板和偏光板依次堆叠,并且偏光板至少包括同时实现屏幕图像显示功能和图像捕获功能的区域,偏光片(110)可以包括在偏光板中。这里,当未使用图像传感器时,要求偏光片通过降低图像传感器的可见性来抑制从光学显示装置外部对图像传感器的观察,允许适当地实现屏幕图像显示功能。此外,当使用图像传感器时,要求偏光片通过提高屏幕图像的清晰度,允许通过图像传感器实现图像捕获功能。
第一区域(111)可以具有80%或更高(具体地,80%、85%、90%、95%或100%,例如,80%至95%或85%至95%)的总透射率;-7至0(具体地,-7、-6.5、-6、-5.5、-5、-4.5、-4、-3.5、-3、-2.5、-2、-1.5、-1或-0.5、0,例如,-1至0)的色值as;以及0至25(具体地0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24或25,例如,0至3)的色值bs。
通过满足上述范围内的总透射率、色值as和色值bs,第一区域(111)可以有效地实现屏幕图像显示功能和图像捕获功能。设置第一区域(111)的总透射率、色值as和色值bs以允许同时实现光学显示装置的屏幕图像显示功能和图像捕获功能。
在一个实施方式中,第一区域(111)可以具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量以及0.01至0.5范围内的等式2的比率。在此范围内,第一区域可以容易地达到上述范围内的总透射率、色值as和色值bs:
[等式2]
比率=[硅含量]/[硅含量+硼含量]
(在等式2中,
硅含量是第一区域中硅(Si)的含量(单位:wt%),并且
硼含量是第一区域中硼(B)的含量(单位:wt%))。
在一个实施方式中,第一区域可以具有具体地0.015wt%、0.05wt%、0.1wt%、0.15wt%、0.2wt%、0.25wt%、0.3wt%、0.35wt%、0.4wt%、0.45wt%、0.5wt%、0.55wt%、0.6wt%、0.65wt%、0.7wt%、0.75wt%、0.8wt%、0.85wt%、0.9wt%、0.95wt%、1wt%、1.05wt%、1.1wt%、1.15wt%、1.2wt%、1.25wt%、1.3wt%、1.35wt%、1.4wt%、1.45wt%、1.5wt%、1.55wt%、1.6wt%、1.65wt%、1.7wt%、1.75wt%、1.8wt%、1.85wt%、1.9wt%、1.95wt%或2wt%(例如,0.1wt%至2wt%,例如,0.2wt%至1wt%)的硅含量。在此范围内,第一区域可以容易地提供上述效果,同时满足等式2的比率。
在一个实施方式中,第一区域可以具有具体地0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45或0.5(例如,0.01至0.45,例如,0.05至0.4或0.05至0.35)的比率,如根据等式2计算的。在此范围内,第一区域可以容易地提供上述效果,同时满足上述范围内的硅含量。
在一个实施方式中,第一区域可以具有0.1wt%至5wt%(具体地,0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、1.1wt%、1.2wt%、1.3wt%、1.4wt%、1.5wt%、1.6wt%、1.7wt%、1.8wt%、1.9wt%、2wt%、2.1wt%、2.2wt%、2.3wt%、2.4wt%、2.5wt%、2.6wt%、2.7wt%、2.8wt%、2.9wt%、3wt%、3.1wt%、3.2wt%、3.3wt%、3.4wt%、3.5wt%、3.6wt%、3.7wt%、3.8wt%、3.9wt%、4wt%、4.1wt%、4.2wt%、4.3wt%、4.4wt%、4.5wt%、4.6wt%、4.7wt%、4.8wt%、4.9wt%或5wt%,例如,0.5wt%至4wt%、1.0wt%至3.5wt%或1.5wt%至3wt%)的硼(B)含量。在此范围内,第一区域可以容易地提供上述效果,同时满足等式2的比率。
在一个实施方式中,第一区域(111)可以具有在450nm的波长处的60%或更高(具体地,60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%或100%,例如,60%至95%或70%至90%)的总透射率。在此范围内,可以有效地实现本发明的效果。
第一区域(111)可以源自具有0.015wt%至2wt%的硅含量和0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域。下面将更详细地描述形成第一区域(111)的方法。
在相同波长处,第一区域(111)相比于第二区域(112)可以具有较高的总透射率。虽然第一区域和第二区域均实现屏幕图像显示功能,但与第二区域不同,第一区域还可以实现图像传感器(诸如相机)的图像捕获功能。第二区域无法实现图像捕获功能。
第一区域(111)可以具有与第二区域(112)不同的碘离子浓度分布。例如,第一区域(111)相比于第二区域(112)可以具有较高的碘离子(I-、I3-等)浓度。
第一区域(111)可以具有任何形状的截面(cross-section,横截面),而没有限制。例如,第一区域(111)可以具有闭合弯曲形状或闭合多边形形状,诸如圆形、半圆形、椭圆形、半椭圆形、多边形或无定形形状。
第二区域(112)仅实现屏幕图像显示功能,并且独立于光学显示装置的图像传感器的图像捕获功能。在一个实施方式中,第二区域(112)可以具有40%至小于50%(具体地,40%、41%、42%、43%、44%、45%、46%、47%、48%、49%或49.9%,例如,40%至45%)的总透射率。在此范围内,第二区域(112)可以适当地实现屏幕图像显示功能。
在相同波长处,第二区域(112)相比于第一区域(111)可以具有较高的偏光度。虽然第一区域(111)实现屏幕图像显示功能和图像捕获功能两者,但是第二区域(112)可以仅实现屏幕图像显示功能而无法实现图像捕获功能。
在一个实施方式中,第二区域(112)可以具有90%或更大(具体地,90%至100%)的偏光度。在此范围内,第二区域可以对外部光具有抗反射作用。在一个实施方式中,第一区域(111)可以具有0.1%至85%(具体地,0.1%、0.55、1%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%或85%,例如,0.1%至75%或0.1%至20%)的偏光度。在此范围内,可以防止第一区域干扰通过相机的物体识别。
第二区域(112)可以具有与第一区域(111)相同或不同的硅(Si)含量。第二区域(112)可以具有与第一区域(111)相同或不同的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率。优选地,第二区域(112)具有与第一区域(111)基本相同的硅含量和基本相同的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率,从而促进制造包括第一区域(111)和第二区域(112)的偏光片的工艺。
在一个实施方式中,第二区域(112)可以具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量以及0.01至0.5范围内的等式3的比率。在此范围内,第二区域(112)可以在高温下表现出良好的可靠性。
[等式3]
比率=[硅含量]/[硅含量+硼含量]
(在等式3中,
硅含量是第二区域中硅(Si)的含量(单位:wt%),并且
硼含量是第二区域中硼(B)的含量(单位:wt%))。
在一个实施方式中,第二区域可以具有具体地0.015wt%、0.05wt%、0.1wt%、0.15wt%、0.2wt%、0.25wt%、0.3wt%、0.35wt%、0.4wt%、0.45wt%、0.5wt%、0.55wt%、0.6wt%、0.65wt%、0.7wt%、0.75wt%、0.8wt%、0.85wt%、0.9wt%、0.95wt%、1wt%、1.05wt%、1.1wt%、1.15wt%、1.2wt%、1.25wt%、1.3wt%、1.35wt%、1.4wt%、1.45wt%、1.5wt%、1.55wt%、1.6wt%、1.65wt%、1.7wt%、1.75wt%、1.8wt%、1.85wt%、1.9wt%、1.95wt%或2wt%(例如,0.1wt%至2wt%,例如,0.2wt%至1wt%)的硅含量。在此范围内,第二区域可以容易地提供上述效果,同时满足等式3的比率。
在一个实施方式中,第二区域可以具有具体地0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45或0.5(例如,0.01至0.45,例如,0.05至0.4或0.05至0.35)的比率,如根据等式3计算的。在此范围内,第二区域可以容易地提供上述效果,同时满足上述范围内的硅含量。
在一个实施方式中,第二区域可以具有0.1wt%至5wt%(具体地0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、1.1wt%、1.2wt%、1.3wt%、1.4wt%、1.5wt%、1.6wt%、1.7wt%、1.8wt%、1.9wt%、2wt%、2.1wt%、2.2wt%、2.3wt%、2.4wt%、2.5wt%、2.6wt%、2.7wt%、2.8wt%、2.9wt%、3wt%、3.1wt%、3.2wt%、3.3wt%、3.4wt%、3.5wt%、3.6wt%、3.7wt%、3.8wt%、3.9wt%、4wt%、4.1wt%、4.2wt%、4.3wt%、4.4wt%、4.5wt%、4.6wt%、4.7wt%、4.8wt%、4.9wt%或5wt%,例如,0.5wt%至4wt%、1.0wt%至3.5wt%或1.5wt%至3wt%)的硼(B)含量。在此范围内,第二区域可以容易地提供上述效果,同时满足等式3的比率。
偏光片(110)可以具有约3μm至约50μm(具体地,约3μm至约30μm)的厚度。在此范围内,偏光片(110)可用于偏光板中。
接下来,将描述根据本发明的实施方式的偏光片的制造方法。
偏光片可以通过包括以下步骤的方法来制造:制备用选自碘和二色性染料中的至少一种二色性材料染色并且进行拉伸的聚乙烯醇类膜,以及通过在聚乙烯醇类膜的一部分上进行预定处理形成第一区域。这里,聚乙烯醇类膜的未进行上述处理的区域成为第二区域。
首先,将描述制备用选自碘和二色性染料中的至少一种二色性材料染色并且进行拉伸的聚乙烯醇类膜的步骤。通过该步骤制备的聚乙烯醇类膜至少可以包括具有上述硅含量和0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域。
在下文中,将依次描述制备染色和拉伸的聚乙烯醇类膜的方法以及形成具有上述硅含量和0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域的方法。
染色和拉伸的聚乙烯醇类膜可以通过染色和拉伸聚乙烯醇类膜来制备。在偏光片的制造中,染色和拉伸不限于特定的顺序。即,聚乙烯醇类膜可以依次进行染色和拉伸,或者反之亦然,或者可以同时进行染色和拉伸。
聚乙烯醇类膜可以包括常用于制造偏光片的任何典型的聚乙烯醇类膜。具体地,聚乙烯醇类膜可以是由聚乙烯醇或其衍生物形成的膜。聚乙烯醇或其衍生物可以具有约1000至约5000的聚合度和约80mol%至约100mol%的皂化度。聚乙烯醇类膜可以具有约1μm至约30μm(具体地,约3μm至约30μm)的厚度。在这些范围内,聚乙烯醇类膜可以用于制造薄偏光片。
在染色和拉伸之前,可以对聚乙烯醇类膜进行用水洗涤和溶胀。通过用水洗涤聚乙烯醇类膜,可以除去聚乙烯醇类膜表面的异物。通过使聚乙烯醇类膜溶胀,可以更有效地对聚乙烯醇类膜进行染色或拉伸。这里,如本领域技术人员所熟知的,可以通过将聚乙烯醇类膜浸渍在含有水溶液的溶胀浴中来进行溶胀。溶胀浴的温度和溶胀处理持续时间不受特定条件限制。溶胀浴还可以含有硼、硼酸、无机酸、表面活性剂等,并且可以根据需要调节其含量。
聚乙烯醇类膜的染色可以通过将聚乙烯醇类膜浸渍在含有至少一种选自碘和二色性染料的二色性材料的染色浴中进行。在染色过程中,可以将聚乙烯醇类膜浸渍在染色溶液中,该染色溶液可以是含有碘或二色性染料的水溶液。具体地,碘可以以碘基染料的形式提供,该碘基染料可以包括选自碘化钾、碘化氢、碘化锂、碘化钠、碘化锌、碘化锂、碘化铝、碘化铅和碘化铜中的至少一种。染色溶液可以是选自碘和二色性染料中的至少一种的约1wt%至约5wt%的水溶液。在此范围内,偏光片可以具有本文指定范围内的偏光度,并且因此可以用于光学显示装置中。
染色浴可以具有约20℃至约45℃的温度,并且聚乙烯醇类膜可以在染色浴中浸渍约10秒至约300秒。在这些范围内,可以获得具有高偏光度的偏光片。
通过在拉伸浴中拉伸聚乙烯醇类膜,该聚乙烯醇类膜可以通过选自碘和二色性染料中的至少一种的取向而表现出偏光性。具体地,聚乙烯醇类膜的拉伸可以通过干拉伸和湿拉伸中的任一种进行。干拉伸可以通过辊间拉伸、压缩拉伸、加热辊拉伸等实现,并且湿拉伸可以在含有约35℃至约65℃的水的湿拉伸浴中进行。湿拉伸浴还可以含有硼酸以增强拉伸效果。
聚乙烯醇类膜可以被拉伸至预定的伸长率。具体地,聚乙烯醇类膜可以被拉伸至其初始长度的约5至约7倍(具体地,约5.5至约6.5倍)的总伸长率。在此伸长率范围内,可以防止聚乙烯醇类膜在拉伸期间撕裂或起皱,同时实现具有提高的偏光度和透射率的偏光片。这里,聚乙烯醇类膜可以被单轴拉伸,并且可以通过单轴拉伸进行拉伸,从而不仅允许单阶段拉伸,而且允许多阶段拉伸(诸如两阶段拉伸、三阶段拉伸等),从而能够制造薄偏光片而不会断裂。
尽管在上述描述中在染色之后对聚乙烯醇类膜进行拉伸,但是染色和拉伸可以在同一反应浴中进行。
在拉伸染色的聚乙烯醇类膜之前或之后,可以在交联浴中对聚乙烯醇类膜进行交联处理。交联处理是允许选自碘和二色性染料中的至少一种更牢固地沉积在聚乙烯醇类膜上的工艺,并且该工艺可以使用硼、硼酸等作为交联剂来进行。为了提高交联效果,交联浴还可以含有磷酸化合物、碘化钾等。交联浴可以具有约20℃至约45℃的温度,并且聚乙烯醇类膜可以在交联浴中浸渍约10秒至约300秒。
染色和拉伸的聚乙烯醇类膜可以在颜色校正浴中进行颜色校正。在颜色校正处理中,将染色和拉伸的聚乙烯醇类膜浸渍在填充有含有碘化钾的颜色校正溶液的颜色校正浴中。结果,通过除去碘阴离子I-,偏光片可以具有提高的耐久性。颜色校正浴可以具有约20℃至约45℃的温度,并且聚乙烯醇类膜可以在颜色校正浴中浸渍约10秒至约300秒。颜色校正液可以包含硼、硼酸、碘化钾等。
染色和拉伸的聚乙烯醇类膜可以进行清洁和用水洗涤,以从聚乙烯醇类膜的表面去除异物或用过的材料(used material)。清洁或洗涤可以通过本领域技术人员已知的典型方法进行。
染色和拉伸的聚乙烯醇类膜可以进行干燥。干燥可以通过本领域技术人员已知的典型方法进行。例如,该膜可以在约60℃至约90℃下干燥约1分钟至约5分钟。干燥可以包括热风干燥等,但不限于此。
在制备染色和拉伸的聚乙烯醇类膜中,可以通过调节含硼(B)化合物的含量和含硅(Si)化合物的含量来实现具有上述硅含量和0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域。
含硼(B)化合物包括硼,并且可以包括在制备染色和拉伸的聚乙烯醇类膜的过程中待用于使硼渗透到聚乙烯醇类膜的表面和/或内部的化合物。例如,含硼(B)化合物可以包含选自硼酸和硼中的至少一种。优选地,含硼(B)化合物可以是硼酸。
至少一种类型的含硼(B)化合物可以用于至少一种制备染色和拉伸的聚乙烯醇类膜的工艺中。在一个实施方式中,含硼(B)化合物可以以约0M至约0.1M的量、优选以大于约0M至约0.05M的量添加到溶胀浴中。在另一个实施方式中,含硼(B)化合物可以以约0M至约0.1M、优选大于约0M至约0.05M的量添加到染色浴中。在另一个实施方式中,含硼(B)化合物可以以约0M至约1.0M、优选约0.3M至约0.6M的量添加到拉伸浴中。在又一个实施方式中,含硼(B)化合物可以以大于约0M至约1.0M、优选约0.3M至约0.6M的量添加到交联浴中。在又一个实施方式中,含硼(B)化合物可以以约0.01M至约0.5M、优选约0.05M至约0.3M的量添加到颜色校正浴中。在此范围内,含硼(B)化合物允许偏光片容易地达到偏光片的硼含量而不影响偏光片的功能。
含硅(Si)化合物包括硅,并且可以包括在制备染色和拉伸的聚乙烯醇类膜的过程中待用于使硅渗透到聚乙烯醇类膜的表面和/或内部的化合物。
含硅(Si)化合物可以含有烷氧基硅烷化合物以促进在染色和拉伸的聚乙烯醇类膜和含硅化合物之间的键合。在偏光片的制造中,烷氧基硅烷基团可以通过在干燥时与聚乙烯醇类膜中的羟基(OH)键合来键合到聚乙烯醇类膜的表面。
在一个实施方式中,含硅(Si)化合物可以包括选自以下中的至少一种:含有至少一个环氧基的烷氧基硅烷、含有至少一个氮原子的烷氧基硅烷(包括氨基硅烷等)、含有至少一个烷基的烷氧基硅烷、含有至少一个巯基的烷氧基硅烷以及含有至少一个不饱和基团(例如,乙烯基、(甲基)丙烯酸基((meth)acryl group)和(甲基)丙烯酰基)的烷氧基硅烷。例如,含硅(Si)化合物可以包括选自以下中的至少一种:氨基丙基三乙氧基硅烷(包括3-氨基丙基三乙氧基硅烷等)、氨基丙基三甲氧基硅烷、氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷(包括3-氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷等)和氨基乙基氨基丙基三乙氧基硅烷。
至少一种类型的含硅(Si)化合物可用于制备染色和拉伸的聚乙烯醇类膜的各工艺的至少一种中。在一个实施方式中,含硅(Si)化合物可以以约0.01M至约0.2M、优选约0.01M至约0.1M的量添加到溶胀浴中。在另一个实施方式中,含硅(Si)化合物可以以约0.01M至约0.2M、优选约0.01M至约0.1M的量添加到染色浴中。在进一步的实施方式中,含硅(Si)化合物可以以约0.01M至约0.2M、优选约0.01M至约0.1M的量添加到拉伸浴中。在又一个实施方式中,含硅(Si)化合物可以以约0.01M至约0.2M、优选约0.01M至约0.1M的量添加到交联浴中。在又一个实施方式中,含硅(Si)化合物可以以约0.01M至约0.2M、优选约0.01M至约0.1M的量添加到颜色校正浴中。在此范围内,含硅(Si)化合物允许偏光片达到偏光片的硅含量而不影响偏光片的功能。
结果,可以制造至少包括具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量和0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域的偏光片。
在一个实施方式中,根据本发明的偏光片可以通过颜色校正工艺来制造,其中在偏光片的制造中颜色校正浴含有0.05M至0.3M的硼酸和0.01M至0.1M的硅化合物。在此范围内,可以有效地实现根据本发明的偏光片。
接着,第一区域可以通过对聚乙烯醇类膜的一部分进行处理形成。
用来自氙闪光灯的脉冲光辐照的聚乙烯醇类膜的区域可以形成第一区域。
一旦形成具有低于辐照前的偏光度的区域,与常规飞秒或皮秒激光器相比,在约200nm至约800nm的连续波长下以脉冲形式发光的氙闪光灯可以降低对用选自碘和二色性染料的至少一种染色的聚乙烯醇类膜的去偏光区域(depolarization region,去极化区域)的损害。
可以在以下条件下用以脉冲形式从氙闪光灯发出的光进行辐照约1至约10次:约300V至约500V的功率输出;约0.5Hz至约2Hz的脉冲频率;和约5ms(毫秒)至约15ms的辐照持续时间。在这些条件下,可以容易获得根据本发明的第一区域。在用光辐照时,可以使具有预定形状的掩模与染色和拉伸的聚乙烯醇类膜的上表面紧密接触以允许不需要去偏光的部分保持其原始光透射率。
[偏光板]
根据本发明的偏光板包括根据本发明的偏光片。在一个实施方式中,偏光板包括偏光片和在偏光片的至少一个表面上的保护层。
接着,将参照图3描述根据本发明的一个实施方式的偏光板。图3是根据本发明的一个实施方式的偏光板的截面图。
参照图3,偏光板包括偏光片(110)、堆叠在偏光片(110)的上表面上的第一保护层(120)以及堆叠在偏光片(110)的下表面上的第二保护层(130)。偏光片(110)与上述偏光片基本相同。可以省略第一保护层(120)和第二保护层(130)中的至少一个,只要即使没有第一保护层(120)和第二保护层(130)也可以实现偏光板的功能即可。
偏光板可以包括对应于(或包括)偏光片(110)的第一区域(111)的第一偏光板区域(140)和对应于(或包括)偏光片(110)的第二区域(112)的第二偏光板区域(150)。这里,“对应于第一区域(111)的区域”是指位于与偏光片的第一区域相同的位置并且具有与其第一区域相同的宽度的偏光板的区域。这里,“对应于第二区域(112)的区域”是指位于与偏光片的第二区域相同的位置并且具有与其第二区域相同的宽度的偏光板的区域。
第一偏光板区域(140)可以实现上述的屏幕图像显示功能和图像捕获功能。第一偏光板区域(140)可以具有80%或更高(具体地,80%、85%、90%、95%、100%、80%至95%或85%至95%)的总透射率;-7至0(具体地,-7、-6.5、-6、-5.5、-5、-4.5、-4、-3.5、-3、-2.5、-2、-1.5、-1、-0.5或0,例如,-1至0)的色值as;以及0至25(具体地,0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24或25,例如,0至3)的色值bs。通过同时满足总透射率、色值as和色值bs,第一偏光板区域(140)可以有效地实现屏幕图像显示功能和图像捕获功能。
在一个实施方式中,第一偏光板区域(140)可以具有0.015wt%至2wt%(具体地,0.015wt%、0.05wt%、0.1wt%、0.15wt%、0.2wt%、0.25wt%、0.3wt%、0.35wt%、0.4wt%、0.45wt%、0.5wt%、0.55wt%、0.6wt%、0.65wt%、0.7wt%、0.75wt%、0.8wt%、0.85wt%、0.9wt%、0.95wt%、1wt%、1.05wt%、1.1wt%、1.15wt%、1.2wt%、1.25wt%、1.3wt%、1.35wt%、1.4wt%、1.45wt%、1.5wt%、1.55wt%、1.6wt%、1.65wt%、1.7wt%、1.75wt%、1.8wt%、1.85wt%、1.9wt%、1.95wt%或2wt%)的硅(Si)含量以及0.01至0.5(具体地,0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45或0.5)的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率。
在一个实施方式中,第一偏光板区域(140)可以具有0.1wt%至5wt%(具体地,0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、1.1wt%、1.2wt%、1.3wt%、1.4wt%、1.5wt%、1.6wt%、1.7wt%、1.8wt%、1.9wt%、2wt%、2.1wt%、2.2wt%、2.3wt%、2.4wt%、2.5wt%、2.6wt%、2.7wt%、2.8wt%、2.9wt%、3wt%、3.1wt%、3.2wt%、3.3wt%、3.4wt%、3.5wt%、3.6wt%、3.7wt%、3.8wt%、3.9wt%、4wt%、4.1wt%、4.2wt%、4.3wt%、4.4wt%、4.5wt%、4.6wt%、4.7wt%、4.8wt%、4.9wt%或5wt%)的硼(B)含量。
第二偏光板区域(150)只能实现屏幕图像显示功能,而无法实现图像捕获功能。第二偏光板区域(150)可以具有40%至小于50%(具体地,40%至45%)的总透射率以及90%或更大(具体地,90%至100%)的偏光度。在此范围内,第二偏光板区域可以对外部光具有抗反射作用。
在一个实施方式中,第二偏光板区域(150)可以具有0.015wt%至2wt%(具体地,0.015wt%、0.05wt%、0.1wt%、0.15wt%、0.2wt%、0.25wt%、0.3wt%、0.35wt%、0.4wt%、0.45wt%、0.5wt%、0.55wt%、0.6wt%、0.65wt%、0.7wt%、0.75wt%、0.8wt%、0.85wt%、0.9wt%、0.95wt%、1wt%、1.05wt%、1.1wt%、1.15wt%、1.2wt%、1.25wt%、1.3wt%、1.35wt%、1.4wt%、1.45wt%、1.5wt%、1.55wt%、1.6wt%、1.65wt%、1.7wt%、1.75wt%、1.8wt%、1.85wt%、1.9wt%、1.95wt%或2wt%)的硅(Si)含量以及0.01至0.5(具体地,0.01、0.05、0.1、0.15、0.2、0.25、0.3、0.35、0.4、0.45或0.5)的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率。
在一个实施方式中,第二偏光板区域(150)可以具有0.1wt%至5wt%(具体地,0.1wt%、0.2wt%、0.3wt%、0.4wt%、0.5wt%、0.6wt%、0.7wt%、0.8wt%、0.9wt%、1wt%、1.1wt%、1.2wt%、1.3wt%、1.4wt%、1.5wt%、1.6wt%、1.7wt%、1.8wt%、1.9wt%、2wt%、2.1wt%、2.2wt%、2.3wt%、2.4wt%、2.5wt%、2.6wt%、2.7wt%、2.8wt%、2.9wt%、3wt%、3.1wt%、3.2wt%、3.3wt%、3.4wt%、3.5wt%、3.6wt%、3.7wt%、3.8wt%、3.9wt%、4wt%、4.1wt%、4.2wt%、4.3wt%、4.4wt%、4.5wt%、4.6wt%、4.7wt%、4.8wt%、4.9wt%或5wt%)的硼(B)含量。
第一保护层
第一保护层(120)可以堆叠在偏光片(110)的上表面上以保护偏光片。
第一保护层(120)可以是可光固化涂层或保护膜。可光固化涂层可以包括由含有可光固化化合物的组合物形成的固化层或由液晶聚合物形成的液晶层。保护膜可以是典型的用于偏光片的保护膜。例如,保护膜可以由选自以下中的至少一种树脂形成:包括三乙酰纤维素等的纤维素类树脂;包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丁二醇酯等的聚酯类树脂;环状聚烯烃类树脂;聚碳酸酯类树脂;聚醚砜类树脂;聚砜类树脂;聚酰胺类树脂;聚酰亚胺类树脂;聚烯烃类树脂;聚芳酯类树脂;聚乙烯醇类树脂;聚氯乙烯类树脂和聚偏二氯乙烯类树脂。
第一保护层(120)可以具有约1μm至约100μm(例如,约1μm至约50μm)的厚度。在此范围内,第一保护层(120)可用于偏光板中。
尽管图3中未示出,但是偏光板还可以包括在第一保护层(120)的上表面上的附加层(additional layer)以提供附加功能。例如,附加层可以包括硬涂层、防指纹层、抗反射层、低反射率层、防眩光层(antiglare layer)等。
此外,尽管图3中未示出,但是第一保护层(120)可以通过由可光固化粘结剂或热固性粘结剂形成的粘结层粘结到偏光片(110)。
第二保护层
第二保护层(130)可以堆叠在偏光片的下表面上以保护偏光片。第二保护层可以具有预定范围的延迟以向偏光板提供抗反射性能。
第二保护层(130)可以是单个延迟层或多个延迟层的堆叠体(stack)。
在一个实施方式中,第二保护层可以包括第一延迟层。当入射到偏光板上的外部光穿过偏光片时,第一延迟层将从偏光片发射的线偏光转化为圆偏光,从而防止外部光的反射,并因此提高屏幕质量。
第一延迟层在550nm的波长处可以具有约100nm至约220nm、具体地约100nm至约180nm、例如λ/4的面内延迟(Re)。在此范围内,第一延迟层可以通过减少外部光的反射来提高屏幕质量。
在另一个实施方式中,除了第一延迟层之外,第二保护层还可以包括第二延迟层。
第二延迟层在550nm的波长处可以具有约225nm至约350nm、具体地约225nm至约300nm、例如λ/2的面内延迟(Re)。在此范围内,第二延迟层可以减少外部光的反射,从而提高屏幕质量。
如本文所使用的,可以根据等式:Re=(nx-ny)×d计算“面内延迟(Re)”(其中nx和ny分别是相应延迟层在550nm的波长下在其慢轴方向和在其快轴方向上的折射率,并且d是延迟层的厚度(单位:nm))。
第一延迟层和第二延迟层中的每一个可以是第一保护层中如以上所描述的可光固化涂层或保护膜。
第二保护层(130)可以具有1μm至100μm、例如1μm至50μm的厚度。
尽管图3中未示出,但是可以在第二保护层(130)的下表面上进一步形成粘合层或粘结层。粘合层或粘结层将偏光板粘结至光学显示装置的面板,即显示面板。另外,尽管图3中未示出,但是第二保护层(130)可以经由由可光固化粘结剂或热固性粘结剂形成的粘结层粘结至偏光片。
接着,将描述根据本发明的一个实施方式的偏光板制造方法。
偏光板可以通过包括以下步骤的方法来制造:制造偏光片并且将第一保护层和第二保护层分别粘结到偏光片的相对表面。第一保护层和第二保护层中的每一个可以通过由可光固化粘结剂或热固性粘结剂形成的粘结层粘结到偏光片。
接着,将描述根据本发明的另一个实施方式的偏光板制造方法。
偏光板可以通过包括以下步骤的方法来制造:制备染色和拉伸的聚乙烯醇类膜;将第一保护层和第二保护层分别粘结到聚乙烯醇类膜的相对表面;以及通过对聚乙烯醇类膜的一部分进行预定处理来形成第一区域。聚乙烯醇类膜的未经处理的一部分成为第二区域。
[光学显示装置]
根据本发明的光学显示装置包括根据本发明的偏光板。光学显示装置可以包括发光显示器(其包括有机发光显示器等)、液晶显示器等。
将参照图4更详细地描述根据本发明的光学显示装置。
参照图4,有机发光显示装置可以包括形成有基层(201)和多个发光装置(202)的显示面板(200)、形成在显示面板(200)上的偏光板(100)、形成在偏光板(100)上的覆盖玻璃(300)以及设置在显示面板(200)的下侧的图像传感器(400)。这里,显示面板(200)不具有通孔,并且图像传感器(400)设置在显示面板(200)外部而不是***到显示面板(200)中。
偏光板(100)包括第一偏光板区域(140)和第二偏光板区域(150),并且包括根据本发明的偏光板。第一偏光板区域(140)和第二偏光板区域(150)均限定光学显示装置的屏幕图像显示区域。偏光板(100)不具有用于穿入图像传感器(400)的通孔。
第一偏光板区域(140)相比于第二偏光板区域(150)较不致密地设置有发光装置(202)。通过这种结构,偏光板(100)可以同时实现图像传感器(400)的物体图像显示功能和显示面板(200)的屏幕图像显示功能。
图像传感器(400)设置在第一偏光板区域(140)的下侧。图像传感器(400)可以包括相机等,但不限于此。
发明模式
接着,将参考一些实施例更详细地描述本发明。然而,应当注意的是,提供这些实施例仅用于说明目的,并且不应被解释为以任何方式限制本发明。
实施例和比较例中使用的组分的详细信息如下:
(1)偏光片:聚乙烯醇类膜(VF-PE3000,厚度:30μm,Kuraray Co.,Ltd.,日本)
(2)保护膜:三乙酰纤维素膜(KC4UYW,厚度:40μm,Konica Minolta Co.,Ltd.,日本)
实施例1
将用水洗涤的聚乙烯醇类膜在含有30℃的水的溶胀浴中进行溶胀。
溶胀处理后,将聚乙烯醇类膜浸渍在含有30℃的3wt%的碘化钾水溶液的染色浴中200秒。将染色的聚乙烯醇类膜通过含有30℃的3wt%的硼酸水溶液的湿交联浴。此后,将聚乙烯醇类膜在含有50℃的3wt%的硼酸水溶液的湿拉伸浴中拉伸至其初始长度的6倍的总伸长率。
然后,将拉伸的聚乙烯醇类膜浸渍在含有20℃的0.14M的硼酸和0.02M的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的颜色校正浴中100秒,随后洗涤和干燥。
接着,通过粘合剂(Z-200,Nippon Gohsei,Ltd.)将保护膜粘结到干燥的聚乙烯醇类膜的两个表面,从而制造层压体。
将层压体切割成预定尺寸,并通过使用氙闪光灯用在200nm至800nm波长的脉冲光仅局部辐照层压体的对应于第一区域的区域来在层压体上形成第一区域,从而制造包括具有第一区域和第二区域的偏光片的偏光板。第一区域对应于用脉冲光辐照的区域,并且第二区域对应于未用脉冲光辐照的区域。
实施例2和3
以与实施例1相同的方式制造偏光片、层压体和偏光板,不同之处在于颜色校正浴中硼酸和3-氨基丙基三乙氧基硅烷的浓度改变为如表1中所列的。
实施例4和5
以与实施例1相同的方式制造偏光片、层压体和偏光板,不同之处在于使用3-氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷代替3-氨基丙基三乙氧基硅烷,并且颜色校正浴中硼酸和3-氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷的浓度改变为如表1中所列的。
比较例1
以与实施例1相同的方式制造偏光片、层压体和偏光板,不同之处在于硼酸和3-氨基丙基三乙氧基硅烷的浓度改变为如表1中所列的。
比较例2
以与实施例1相同的方式制造偏光片、层压体和偏光板,不同之处在于硼酸和3-氨基丙基三乙氧基硅烷的浓度改变为如表1中所列的。
表1显示了颜色校正浴中硼酸和含硅化合物的浓度。
[表1]
硼酸 | 3-氨基丙基三乙氧基硅烷 | 3-氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷 | |
实施例1 | 0.14 | 0.02 | 0 |
实施例2 | 0.12 | 0.04 | 0 |
实施例3 | 0.08 | 0.08 | 0 |
实施例4 | 0.12 | 0 | 0.04 |
实施例5 | 0.08 | 0 | 0.08 |
比较例1 | 0.16 | 0 | 0 |
比较例2 | 0.02 | 0.16 | 0 |
将对实施例和比较例中制备的层压体(均指形成第一区域和第二区域之前的层压体)针对表2的性能进行评价,并且评价结果示于表2中。
(1)总透射率(单位:%,Ts)和正交透射率(单位:%,Tc):在380nm至780nm的波长处使用UV-可见光分光光度计V7100(JASCO)测量每个实施例和比较例中制备的层压体的总透射率。获得在550nm的波长处测量的值。
(2)偏光度(单位:%,PE):在380nm至780nm的波长处使用UV-可见光分光光度计V7100(JASCO)测量每个实施例和比较例的层压体的偏光度。获得在550nm的波长处测量的值。
(3)色值as和bs(无单位):在380nm至780nm的波长处使用UV-可见光分光光度计V7100(JASCO)测量每个实施例和比较例的层压体的色值as和bs。
(4)层压体的偏光片中的硼(B)和硅(Si)含量(单位:wt%):使用ICP-OES测试仪(Perkin Elmer)测量每个实施例和比较例的层压体中偏光片的硼含量和硅含量。具体地,将制备的标准溶液引入ICP-OES测试仪中,以根据外标获得校准曲线,然后将偏光片置于ICP-OES测试仪中,以测量偏光片中分析目标元素(即B和Si)的元素浓度。
(5)可靠性:通过与上述相同的方法在每个实施例和比较例中制造的偏光板的偏光片的矩形样品(MD x TD,10cm x 10cm)上测量总透射率(T1,单位:%)。将样品在85℃下放置48小时,然后通过与上述相同的方法测量总透射率(T2,单位:%)。计算总透射率变化量(△T=|T1-T2|)后,3%或更小的△T评为○,大于3%至5%的△T评为△,并且大于5%的△T评为×。
[表2]
Ts | Tc | PE | as | bs | B | Si | 等式1 | 可靠性 | |
实施例1 | 42.6 | 0.002 | 99.992 | -1.1 | 2.6 | 2.5 | 0.2 | 0.07 | ○ |
实施例2 | 42.4 | 0.001 | 99.994 | -1.1 | 2.5 | 2.3 | 0.5 | 0.18 | ○ |
实施例3 | 42.7 | 0.003 | 99.993 | -1.1 | 2.5 | 1.9 | 0.8 | 0.30 | ○ |
实施例4 | 42.6 | 0.002 | 99.992 | -1.0 | 2.6 | 2.2 | 0.5 | 0.19 | ○ |
实施例5 | 42.5 | 0.001 | 99.996 | -1.0 | 2.5 | 1.9 | 1.0 | 0.34 | ○ |
比较例1 | 41.9 | 0.002 | 99.995 | -1.5 | 3.7 | 2.8 | - | - | ○ |
比较例2 | 42.4 | 0.001 | 99.996 | -1.0 | 2.6 | 1.3 | 1.5 | 0.53 | X |
将实施例和比较例中制造的具有第一区域和第二区域的偏光板针对表3的性能进行评价,并且评价结果示于表3、图6和图7中。
(1)总透射率(单位:%,Ts)和正交透射率(单位:%,Tc):通过与上述相同的方法测量在每个实施例和比较例中制造的偏光板中第一区域和第二区域上的总透射率。获得在550nm的波长处测量的值。
(2)偏光度(单位:%,PE):通过与上述相同的方法测量在每个实施例和比较例中制造的偏光板中第一区域和第二区域上的偏光度。获得在550nm的波长处测量的值。
(3)色值as和bs(无单位):通过与上述相同的方法在每个实施例和比较例的偏光板中第一区域上测量色值as和bs。
(4)偏光片的第一区域中的硼(B)和硅(Si)含量(单位:wt%):通过与上述相同的方法测量在每个实施例和比较例的偏光板中第一区域的硼含量和硅含量。
(5)第一区域和第二区域的图像:使用数码相机观察每个实施例和比较例的偏光板中第一区域和第二区域的图像。
[表3]
如表2和表3以及图7的(A)所示,根据本发明的偏光片或包括其的偏光板在高温下表现出良好的可靠性,没有泛黄或使泛黄最小化,并且可以形成具有80%或更高的光透射率的第一区域。第一区域没有泛黄或使泛黄最小化,并且具有80%或更高的光透射率。结果,尽管表3中未示出,但是当图像传感器设置在第一区域下方时,第一区域可以防止图像传感器可见,同时在通过图像传感器捕获图像时实现清晰的图像。此外,如图6所示,根据本发明的偏光片或包括其的偏光板在400nm至800nm的整个波长范围内表现出高透射率。
相反,如表2和表3以及图7的(B)所示,比较例的偏光片或包括其的偏光板(其中硅含量没有落入本发明的硅含量内或者等式1的比率不在0.01至0.5的范围内)不允许形成具有所有上述效果的第一区域。此外,如图6所示,比较例1的偏光片或包括其的偏光板在400nm至800nm的整个波长范围内表现出相对低的光透射率。进一步地,如图7的(B)所示,第一偏光板区域具有黄色,这表明严重泛黄。
应当理解,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,本领域技术人员可以做出各种修改、改变、变更和等同实施方式。
Claims (20)
1.一种偏光片,其至少包括具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量和在0.01至0.5范围内的等式1的比率的区域:
[等式1]
比率=[硅含量]/[硅含量+硼含量]
(在等式1中,
所述硅含量是所述区域中硅(Si)的含量(单位:wt%),并且所述硼含量是所述区域中硼(B)的含量(单位:wt%))。
2.根据权利要求1所述的偏光片,其中,所述区域具有0.1wt%至5wt%的硼含量。
3.根据权利要求1所述的偏光片,其中,所述区域是所述偏光片的整个表面。
4.根据权利要求1所述的偏光片,其中,所述区域包括:含羟基的聚乙烯醇类膜和含有键合至所述羟基的烷氧基硅烷基团的含硅化合物。
5.根据权利要求4所述的偏光片,其中,含有所述烷氧基硅烷基团的所述含硅化合物包括选自以下中的至少一种:含有至少一个环氧基的烷氧基硅烷、含有至少一个氮原子的烷氧基硅烷、含有至少一个烷基的烷氧基硅烷、含有至少一个巯基的烷氧基硅烷以及含有至少一个不饱和基团的烷氧基硅烷。
6.根据权利要求1所述的偏光片,其中,所述偏光片包括:第二区域,所述第二区域包括所述区域;以及第一区域,所述第一区域相比于所述第二区域具有较高的总透射率。
7.根据权利要求6所述的偏光片,其中,所述第一区域具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量以及在0.01至0.5范围内的等式2的比率:
[等式2]
比率=[硅含量]/[硅含量+硼含量]
(在等式2中,
所述硅含量是所述第一区域中硅(Si)的含量(单位:wt%),并且
所述硼含量是所述第一区域中硼(B)的含量(单位:wt%))。
8.根据权利要求7所述的偏光片,其中,所述第一区域具有0.1wt%至5wt%的硼含量。
9.根据权利要求6所述的偏光片,其中,所述第一区域具有80%或更高的总透射率、-7至0的色值as和0至25的色值bs。
10.根据权利要求6所述的偏光片,其中,所述第一区域具有在450nm的波长处的60%或更高的总透射率。
11.根据权利要求6所述的偏光片,其中,所述第一区域包括:含羟基的聚乙烯醇类膜和含有键合至所述羟基的烷氧基硅烷基团的含硅化合物。
12.根据权利要求11所述的偏光片,其中,含有所述烷氧基硅烷基团的所述含硅化合物包括选自以下中的至少一种:含有至少一个环氧基的烷氧基硅烷、含有至少一个氮原子的烷氧基硅烷、含有至少一个烷基的烷氧基硅烷、含有至少一个巯基的烷氧基硅烷以及含有至少一个不饱和基团的烷氧基硅烷。
13.根据权利要求6所述的偏光片,其中,所述第一区域具有与所述第二区域不同的碘离子浓度分布。
14.根据权利要求6所述的偏光片,其中,所述第二区域具有40%至小于50%的总透射率。
15.一种偏光板,包括权利要求1至14中任一项所述的偏光片。
16.根据权利要求15所述的偏光板,其中,所述偏光板包括:第一偏光板区域,所述第一偏光板区域具有80%或更高的总透射率、-7至0的色值as和0至25的色值bs;以及第二偏光板区域,所述第二偏光板区域相比于所述第一偏光板区域具有较低的总透射率。
17.根据权利要求16所述的偏光板,其中,所述第一偏光板区域具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量和0.01至0.5的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率。
18.根据权利要求16所述的偏光板,其中,所述第二偏光板区域具有0.015wt%至2wt%的硅(Si)含量和0.01至0.5的[硅含量]/[硅含量+硼含量]比率。
19.一种光学显示装置,包括权利要求15所述的偏光板。
20.根据权利要求19所述的光学显示装置,包括:
显示面板,
设置在所述显示面板的上侧的所述偏光板,和
设置在所述显示面板的下侧的图像传感器,
所述图像传感器设置在所述偏光板的所述第一偏光板区域的下侧。
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