CN117079700A - 基于ufs存储设备的多状态性能测试方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法、装置、计算机设备和存储介质,其中该方法包括:分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。本发明可以充分收集UFS3.1设备在不同状态下的性能结果,弥补了空卡状态以外的性能测试方法,同时在MTK6893平台上可以保证纯净的性能测试结果。
Description
技术领域
本发明涉及存储测试技术领域,特别是涉及一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法、装置、计算机设备和存储介质。
背景技术
UFS,全称是通用闪存存储Universal Flash Storage,而UFS3.1采用HS-G4规范,单通道带宽可达11.6Gbps,性能为UFS2.1的两倍。UFS3.1标准在传输速度上更快,功耗更低,软件响应更快,程序运行更流畅,而省电效果更佳。
当前,UFS3.1比较流行的测试方法是基于一些已有的性能测试APP,如AndroidBench等进行***层级的性能测试,该种测试方法因***进程优先级较高,Soc会优先处理***相关指令,导致性能测试结果较实际结果偏低。此外,一般性能测试程序只会在UFS3.1设备当前状态下测试其性能,无法自主制造空卡,满卡,脏卡状态,且缺乏设备满卡、脏卡情况下的性能数据。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法、装置、计算机设备和存储介质。
一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,所述方法包括:
分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;
在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;
待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;
待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。
在其中一个实施例中,所述在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置的步骤包括:
配置lu0为全卡容量,配置储存模式为SLC模式或TLC模式,配置读写状态模式为缓存打开或缓存关闭。
在其中一个实施例中,所述在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置的步骤还包括:
配置UFS3.1存储设备的初始状态,初始状态为空卡则不做任何操作,初始状态为满卡则进行两次顺序写全卡操作,初始状态为脏卡则进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
在其中一个实施例中,所述在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试的步骤包括:
执行测试范围为1GB的顺序写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的顺序读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置,所述装置包括:
编写模块,所述编写模块用于分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;
配置模块,所述配置模块用于在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;
测试模块,所述测试模块用于待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;
结果输出模块,所述结果输出模块用于待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。
在其中一个实施例中,所述配置模块还用于:
配置lu0为全卡容量,配置储存模式为SLC模式或TLC模式,配置读写状态模式为缓存打开或缓存关闭。
在其中一个实施例中,所述配置模块还用于:
配置UFS3.1存储设备的初始状态,初始状态为空卡则不做任何操作,初始状态为满卡则进行两次顺序写全卡操作,初始状态为脏卡则进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
在其中一个实施例中,所述测试模块还用于:
执行测试范围为1GB的顺序写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的顺序读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任意一项方法的步骤。
一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现上述任意一项方法的步骤。
上述基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法、装置、计算机设备和存储介质,通过分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。本发明可以充分收集UFS3.1设备在不同状态下的性能结果,弥补了空卡状态以外的性能测试方法,同时在MTK6893平台上可以保证纯净的性能测试结果。
附图说明
图1为一个实施例中基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法的流程示意图;
图2为另一个实施例中基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法的流程示意图;
图3为再一个实施例中基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法的流程示意图;
图4为一个实施例中基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置的结构框图;
图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
当前,UFS3.1比较流行的测试方法是基于一些已有的性能测试APP,如AndroidBench等进行***层级的性能测试,该种测试方法因***进程优先级较高,Soc会优先处理***相关指令,导致性能测试结果较实际结果偏低。此外,一般性能测试程序只会在UFS3.1设备当前状态下测试其性能,无法自主制造空卡,满卡,脏卡状态,且缺乏设备满卡、脏卡情况下的性能数据。
基于此,本发明提出一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,旨在可以实现UFS设备在恶劣的卡状态下进行性能评估的问题。
在一个实施例中,如图1所示,提供了一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,该方法包括:
步骤102,分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;
步骤104,在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;
步骤106,待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;
步骤108,待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。
在本实施例中,提出了一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,该方法首先编写UFS3.1设备在clean、sustain、dirty三个状态下各模块的性能测试用例,并在MTK6893开发板上实现对该性能测试脚本的分布式测试环境配置,测试脚本部署,测试用例执行,测试报告图形化统计报告分析。
具体地,首先,分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置。
然后,待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试,待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。
以UFS3.1设备存储状态划分为三个部分:clean(空卡),sustain(满卡),dirty(脏卡)状态,在每个状态下划分子测试项1)TLC模式下缓存打开的随机读写/顺序读写性能,2)TLC模式下缓存关闭随机读写/顺序读写性能,3)SLC模式下缓存打开随机读写/顺序读写性能,4)SLC模式下缓存关闭随机读写/顺序读写性能。其中,MTK6893平台是基于Liunxkernel开发的OS Less(无***)测试平台,在性能测试阶段可以完全避免SOC在当下执行***命令调用的算力消耗。
在一个实施例中,在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置的步骤包括:配置lu0为全卡容量,配置储存模式为SLC模式或TLC模式,配置读写状态模式为缓存打开或缓存关闭。
具体地,可配置lu0=全卡容量;配置SLC模式or TLC模式;配置读写状态模式为缓存打开或缓存关闭。
在一个实施例中,在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置的步骤还包括:配置UFS3.1存储设备的初始状态,初始状态为空卡则不做任何操作,初始状态为满卡则进行两次顺序写全卡操作,初始状态为脏卡则进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
具体地,配置UFS3.1设备的初始状态:clean(空卡),不做任何操作。sustain(满卡),进行两次顺序写全卡操作。dirty(脏卡),进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
在上述实施例中,通过分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。本发明可以充分收集UFS3.1设备在不同状态下的性能结果,弥补了空卡状态以外的性能测试方法,同时在MTK6893平台上可以保证纯净的性能测试结果。
在一个实施例中,如图2所示,提供了一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,该方法中在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试的步骤包括:
步骤202,执行测试范围为1GB的顺序写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
步骤204,执行测试范围为1GB的顺序读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
步骤206,执行测试范围为1GB的随机写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
步骤208,执行测试范围为1GB的随机读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
本实施例中,提出了一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,其具体的流程图可参考图3所示,包括如下实现步骤:
1.配置lu0=全卡容量。
2.配置SLC模式or TLC模式。
3.配置读写状态模式(缓存打开或缓存关闭)。
4.配置UFS3.1设备的初始状态:clean(空卡),不做任何操作。sustain(满卡),进行两次顺序写全卡操作。dirty(脏卡),进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
5.进行测试范围为1GB的顺序写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
6.进行测试范围为1GB的顺序读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
7.进行测试范围为1GB的随机写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
8.进行测试范围为1GB的随机读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
9.放置性能测试脚本至MTK6893平台,收集数据,整理性能测试结果。
应该理解的是,虽然图1-图3的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,图1-图3中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段,这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
在一个实施例中,如图4所示,提供了一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置400,该装置包括:
编写模块401,所述编写模块用于分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;
配置模块402,所述配置模块用于在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;
测试模块403,所述测试模块用于待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;
结果输出模块404,所述结果输出模块用于待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。
在一个实施例中,配置模块402还用于:
配置lu0为全卡容量,配置储存模式为SLC模式或TLC模式,配置读写状态模式为缓存打开或缓存关闭。
在一个实施例中,配置模块402还用于:
配置UFS3.1存储设备的初始状态,初始状态为空卡则不做任何操作,初始状态为满卡则进行两次顺序写全卡操作,初始状态为脏卡则进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
在一个实施例中,测试模块403还用于:
执行测试范围为1GB的顺序写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的顺序读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
关于基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置的具体限定可以参见上文中对于基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法的限定,在此不再赘述。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备包括通过装置总线连接的处理器、存储器以及网络接口。其中,该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作装置、计算机程序和数据库。该内存储器为非易失性存储介质中的操作装置和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法。
本领域技术人员可以理解,图5中示出的结构,仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图,并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定,具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中,提供了一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,处理器执行计算机程序时实现以上各个方法实施例中的步骤。
在一个实施例中,提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现以上各个方法实施例中的步骤。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一种非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,RAM以多种形式可得,诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,所述方法包括:
分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;
在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;
待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;
待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。
2.根据权利要求1所述的基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,其特征在于,所述在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置的步骤包括:
配置lu0为全卡容量,配置储存模式为SLC模式或TLC模式,配置读写状态模式为缓存打开或缓存关闭。
3.根据权利要求2所述的基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,其特征在于,所述在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置的步骤还包括:
配置UFS3.1存储设备的初始状态,初始状态为空卡则不做任何操作,初始状态为满卡则进行两次顺序写全卡操作,初始状态为脏卡则进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
4.根据权利要求3所述的基于UFS存储设备的多状态性能测试提升方法,其特征在于,所述在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试的步骤包括:
执行测试范围为1GB的顺序写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
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执行测试范围为1GB的随机写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
5.一种基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置,其特征在于,所述装置包括:
编写模块,所述编写模块用于分别编写UFS3.1存储设备在空卡、满卡以及脏卡三个状态下各模块的性能测试用例;
配置模块,所述配置模块用于在MTK6893开发板上对性能测试环境进行配置;
测试模块,所述测试模块用于待测试环境配置完成后,在MTK6893开发板上运行已编写好的测试用例进行随机读写性能以及顺序读写性能测试;
结果输出模块,所述结果输出模块用于待所有测试项目完成后输出测试结果,并生成图形化统计分析报告。
6.根据权利要求5所述的基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置,其特征在于,所述配置模块还用于:
配置lu0为全卡容量,配置储存模式为SLC模式或TLC模式,配置读写状态模式为缓存打开或缓存关闭。
7.根据权利要求6所述的基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置,其特征在于,所述配置模块还用于:
配置UFS3.1存储设备的初始状态,初始状态为空卡则不做任何操作,初始状态为满卡则进行两次顺序写全卡操作,初始状态为脏卡则进行一次顺序写全卡一次随机写全卡操作。
8.根据权利要求7所述的基于UFS存储设备的多状态性能测试提升装置,其特征在于,所述测试模块还用于:
执行测试范围为1GB的顺序写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的顺序读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机写测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block;
执行测试范围为1GB的随机读测试,起始地址为0,chunksize为1~48,64,96,128,256block。
9.一种计算机设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至4中任一项所述方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至4中任一项所述的方法的步骤。
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CN117476086A (zh) * | 2023-12-26 | 2024-01-30 | 成都佰维存储科技有限公司 | 存储器性能测试方法、装置、可读存储介质及电子设备 |
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- 2023-09-25 CN CN202311249198.2A patent/CN117079700A/zh active Pending
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