CN117059510B - 晶圆中晶粒性能参数处理方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

晶圆中晶粒性能参数处理方法、装置、设备及存储介质 Download PDF

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CN117059510B CN202311311669.8A CN202311311669A CN117059510B CN 117059510 B CN117059510 B CN 117059510B CN 202311311669 A CN202311311669 A CN 202311311669A CN 117059510 B CN117059510 B CN 117059510B
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Abstract

本申请公开了一种晶圆中晶粒性能参数处理方法、装置、设备及存储介质，通过获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；从而基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于基准值和步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；进而根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，该性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记，以从该性能参数分布图中直观显性精准地识别出晶圆中晶粒性能参数的趋势性分布特性，结合相应器件加工涉及的工艺信息，对影响晶圆中晶粒性能参数的工艺参数进行优化，提升产品质量、性能的一致性、稳定性和良率。

Description

晶圆中晶粒性能参数处理方法、装置、设备及存储介质
技术领域
本申请涉及半导体产品制造技术领域，尤其涉及一种晶圆中晶粒性能参数处理方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
集成电路是一种半导体芯片，它包含许多处理各种功能的电气元件。集成电路通过在晶圆上创建许多相同的电路来制造，每一相同的电路构成一个晶粒，将晶圆上各个晶粒分割后，封装形成集成电路。集成电路的晶圆生产需要花费数月的时间，经历几百个独立的工艺制程，会重复执行如清洗、涂光阻、曝光、显影、蚀刻、掺杂、退火等核心工艺，因此，需要经过一系列的测试来保证晶圆上产出的集成电路在规格范围内。在当前的生产过程中，常规的测试方法包括晶圆可接收测试（Wafer Acceptance Test，WAT）、封装前的晶圆测试（Circuit Probe，CP）以及封装后的成品测试（Final Test，FT）。
其中，WAT测试为抽样测试，针对晶圆上特定位置铺设的测试图形（test key）进行测试，从而推断晶粒的关键工艺是否正常和稳定，其面向的是器件级别。CP测试和FT测试均为对晶圆中所有晶粒进行100%测试。CP测试是面向晶圆的筛选测试，对晶圆进行相关功能、性能筛选测试，以在封装前将坏的裸片（die）挑出来，提高出厂良率，缩减后续封测成本。FT测试主要是对封装后的成品进行基本的功能测试，以检出减划和封装期间受损的芯片。
WAT测试、CP测试和FT测试的侧重点不同，但都存在明显的不足。WAT测试面向的是器件层，使用晶圆中样本晶粒抽样结果代表整体晶圆分布情况，存在局限性。CP\FT测试虽然是晶圆中100%晶粒参与测试，但偏重的是筛选出符合设计规格范围的晶粒，通过良率对测试进行管理，良率虽然可以反应工艺的波动方向，但是不能直观表征出工艺偏离方向的趋势，只能在设计和制造中留够充足的余量，从而造成规格限过于宽松，进而造成晶圆中晶粒间实际性能存在明显差异，产品的一致性得不到有效保证。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种晶圆中晶粒性能参数的处理方法、装置、设备及存储介质，以通过对晶圆中晶粒性能参数的处理，提供直观显性表征晶圆中晶粒性能参数的分布图，从而便于精准识别晶圆中晶粒性能参数的趋势性分布特性，结合相应器件加工涉及的工艺信息，对影响晶圆中晶粒性能参数的工艺参数进行优化，提升产品质量、性能的一致性、稳定性和良率。
为实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种晶圆中晶粒性能参数处理方法，包括：
获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；
基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于所述基准值和所述步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；
根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，所述性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
可选的，基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值包括：
基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，计算测试晶圆中所有晶粒的性能参数的平均值作为基准值，并计算测试晶圆中所有晶粒的性能参数的标准差σ作为步长值。
可选的，基于所述基准值和所述步长值，设置多个性能参数分布区间包括：
按照小于-3σ；/>-3σ至/>-2σ；/>-2σ至/>-σ；/>-σ至/>；/>至/>+σ；/>+σ至/>+2σ；/>+2σ至/>+3σ以及大于/>+3σ，设置8个性能参数分布区间，其中，相邻两个性能参数分布区间的交界点包含在该相邻两个性能参数分布区间的任一个区间中。
可选的，该处理方法在生成测试晶圆的性能参数分布图时，还包括：
将所述性能参数分布图中缺失性能参数的晶粒所对应区域设置为预设标记，所述预设标记与各性能参数分布区间对应的标记不同。
可选的，设置各性能参数分布区间对应的标记包括：
设置各性能参数分布区间对应的颜色，且不同性能参数分布区间对应的颜色不同。
可选的，获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数包括：
在封装前晶圆测试（CP测试）或封装后成品测试（FT测试）的测试日志中，获取多个晶圆的批次号、晶圆号以及各晶圆中晶粒的坐标信息和性能参数；
按照批次号、晶圆号，确定一个或多个晶圆为测试晶圆，并提取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数。
可选的，所述晶粒的性能参数包括电压、电流、电容和频率中的至少一种。
一种晶圆中晶粒性能参数处理装置，包括：
获取单元，用于获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；
计算单元，用于基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于所述基准值和所述步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；
图像单元，用于根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，所述性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
一种晶圆中晶粒性能参数处理设备，包括：存储器和处理器；
所述存储器，用于存储程序；
所述处理器，用于执行所述程序，实现上述晶圆中晶粒性能参数处理方法的各个步骤。
一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，实现上述晶圆中晶粒性能参数处理方法的各个步骤。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本申请实施例所提供的晶圆中晶粒性能参数处理方法，通过获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；从而基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于基准值和步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；进而根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，该性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记，以便于以从该性能参数分布图中直观显性精准地识别出晶圆中晶粒性能参数的趋势性分布特性，结合相应器件加工涉及的工艺信息，对影响晶圆中晶粒性能参数的工艺参数进行优化，提升产品质量、性能的一致性、稳定性和良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一种晶圆的俯视示意图；
图2为本申请实施例所提供的一种晶圆中晶粒性能参数处理方法的流程示意图；
图3为按照本申请实施例所提供的晶圆中晶粒性能参数处理方法得到的一种测试晶圆的性能参数分布图；
图4为依据图3所示的测试晶圆的性能参数分布图改进工艺制程后，同样采用本申请实施例所提供的处理方法得到的测试晶圆的性能参数分布图；
图5为采用原工艺制程生产的晶圆和依据本申请实施例所提供的处理方法得到的测试晶圆的性能参数分布图改进工艺制程后所生产的晶圆中各晶粒的一种性能参数的正态分布对比示意图；
图6为本申请实施例所提供的一种晶圆中晶粒性能参数处理装置的结构示意图；
图7为本申请实施例所提供的一种晶圆中晶粒性能参数处理设备的硬件结构框图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
为便于理解本申请，图1示出了一种晶圆10的俯视示意图，可以看到，晶圆10中包含多个晶粒11，在晶圆10上制备形成多个晶粒11后，将晶粒11切割开，各晶粒11进行封装后即形成集成电路芯片。
图2示出了本申请实施例所提供的一种晶圆中晶粒性能参数的处理方法流程示意图，如图2所示，该处理方法包括：
S100：获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数。
其中，晶圆中晶粒的坐标信息指晶粒在晶圆中的位置信息，晶圆中不同晶粒所在位置不同，则不同晶粒的坐标信息也不同，通过晶圆中晶粒的坐标信息，可以定位各个晶粒在晶圆中的位置。
晶圆中晶粒的性能参数为表征晶圆中晶粒的性能、功能的参数，可以为对芯片性能、功能影响较大可量测的关键电参数，例如，电压、电流、电容和频率中的至少一种，具体例如，芯片的基准电压等，但本申请对具体为何种参数并不做限定，具体视情况而定。
可选的，由于封装前的晶圆测试（CP测试）和封装后的成品测试（FT测试）均为对晶圆中所有晶粒进行的100%测试，因此，可以从封装前的晶圆测试（CP测试）和封装后的成品测试（FT测试）的测试日志中获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数。但本申请对此并不做限定，也可以从其他对晶圆中所有晶粒进行的100%测试中，获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数。
具体的，步骤100，获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数包括：
S110：在封装前晶圆测试（CP测试）或封装后成品测试（FT测试）的测试日志中，获取多个晶圆的批次号、晶圆号以及各晶圆中晶粒的坐标信息和性能参数；
S120：按照批次号、晶圆号，确定一个或多个晶圆为测试晶圆，并提取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数。
需要说明的是，晶圆（Wafer）是集成电路芯片制造的最小加工单元，在晶圆的生产制造过程中是以批次（LOT）进行流转的，一般用多片（如25片）晶圆（Wafer）组成一个批次（LOT），通过一定的批次号和一定的晶圆号就可以确定具体晶圆，同一批次的晶圆在某个站点经受同样的设备加工，从而生产线的工艺、设备的影响会在这一批次的晶圆上留下明显趋势性的分布。
封装前晶圆测试（CP测试）通常由自动化测试设备（Automatic Test Equipment，ATE）完成，测试期间探针（Probe）设备上会输出表示芯片功能测试结果分布的晶圆测试结果图(Chip Probe Map，CP Map)，在晶圆测试结果图中，会根据设定的BIN值关系，对通过芯片功能测试的合格芯片、未通过测试的不合格芯片使用不同的Bin值标记，因此，在封装前晶圆测试（CP测试）的测试日志中，会记录晶圆的批次号、晶圆号以及各晶圆中晶粒的坐标信息和性能参数，从而在封装前晶圆测试（CP测试）的测试日志中，可以获取多个晶圆的批次号、晶圆号以及各晶圆中晶粒的坐标信息和性能参数；
封装后成品测试（FT测试）由ATE和抓手（handle）完成相应的测试，由抓手（handle）对通过和不通过测试的芯片，在物理放置上进行区分处置，因此，在封装后成品测试（FT测试）的测试日志中，也会记录晶圆的批次号、晶圆号以及各晶圆中晶粒的坐标信息和性能参数，从而在封装后成品测试（FT测试）的测试日志中，可以获取多个晶圆的批次号、晶圆号以及各晶圆中晶粒的坐标信息和性能参数；
进而，可按照批次号、晶圆号，确定一个或多个晶圆为测试晶圆，并提取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数。
S200：基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于基准值和步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记。
可选的，基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值包括：
S210：基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，计算测试晶圆中所有晶粒的性能参数的平均值作为基准值，并计算测试晶圆中所有晶粒的性能参数的标准差σ作为步长值。
从而，进一步可选的，可以按照中心极限定理，设置多个性能参数分布区间。具体的，基于基准值和步长值σ，设置多个性能参数分布区间包括：
S220：按照小于-3σ；/>-3σ至/>-2σ；/>-2σ至/>-σ；/>-σ至/>；/>至/>+σ；/>+σ至/>+2σ；/>+2σ至/>+3σ以及大于/>+3σ，设置8个性能参数分布区间，其中，相邻两个性能参数分布区间的交界点包含在该相邻两个性能参数分布区间的任一个区间中。
假设测试晶圆中一个晶粒的性能参数为a，则表1示出了该晶粒的性能参数a分布在这8个性能参数分布区间的情况。其中，相邻两个性能参数分布区间的交界点包含在该相邻两个性能参数分布区间的任一个区间中，例如，为/>-σ至/>区间和/>至/>+σ区间的交界点，该交界点可以属于/>-σ至/>区间，也可以属于/>至/>+σ区间，具体视情况而定。
表1 晶圆中晶粒的性能参数分布区间
需要说明的是，本申请在以测试晶圆中所有晶粒的性能参数的平均值作为基准值，并以测试晶圆中所有晶粒的性能参数的标准差σ作为步长值时，并不限定于只采用上述方式设置8个性能参数分布区间。
首先，本申请并不限定设置的性能参数分布区间的数量，例如，可以按照小于-2σ；/>-2σ至/>-σ；/>-σ至/>；/>至/>+σ；/>+σ至/>+2σ以及大于/>+2σ，设置6个性能参数分布区间，还可以按照小于/>-σ；/>-σ至/>；/>至/>+σ以及大于/>+σ，设置4个性能参数分布区间。
并且，本申请不限定于采用上述相对于基准值对称分布的性能参数分布区间，也可以采用相对于基准值/>非对称分布的性能参数分布区间，例如，可以按照小于/>-2σ；-2σ至/>-σ；/>-σ至/>；/>至/>+σ；/>+σ至/>+2σ；/>+2σ至/>+3σ以及大于/>+3σ，设置7个性能参数分布区间，此时，这7个性能参数分布区间相对于基准值/>不对称分布。
本申请也不限定于采用单倍的步长值σ进行性能参数分布区间的设置，还可以采用其他倍数（包括整数倍或非整数倍）的步长值进行性能参数分布区间的设置，例如，按照小于-6σ；/>-6σ至/>-4σ；/>-4σ至/>-σ；/>-2σ至/>；/>至/>+2σ；/>+2σ至/>+4σ；/>+4σ至/>+6σ以及大于/>+6σ，设置8个性能参数分布区间，此时，是以2倍的步长值即2σ进行性能参数分布区间的设置；再例如，按照小于/>-1.5σ；/>-1.5σ至/>-σ；/>-σ至/>-0.5σ；/>-0.5σ至/>；/>至/>+0.5σ；/>+0.5σ至/>+σ；/>+σ至/>+1.5σ以及大于/>+1.5σ，设置8个性能参数分布区间，此时，是以0.5倍的步长值即0.5σ进行性能参数分布区间的设置，具体视情况而定。
还需要说明的是，本申请也不限定于以测试晶圆中所有晶粒的性能参数的平均值作为基准值，其他可选的，还可以以测试晶圆中所有晶粒的性能参数的中位数X0.5作为基准值，具体视情况而定。可以理解的是，测试晶圆中所有晶粒的性能参数的平均值/>为测试晶圆中所有晶粒的性能参数（X1、X2…Xn）之和除以晶粒的数量（n）得到，具体表示为：
将测试晶圆中所有晶粒的性能参数按照从小到大的顺序排列为X(1)、X(2)…X(n)，则中位数X0.5可以表示为：
当n为奇数时，X0.5=X((n+1)/2)；当n为偶数时，X0.5=(X(n/2)+X((n/2)+1))/2。
本申请也不限定于以测试晶圆中所有晶粒的性能参数的标准差σ作为步长值，其他可选的，还可以以测试晶圆中所有晶粒的性能参数的方差σ2作为步长值，具体视情况而定。
再需要说明的是，在实际应用中，可以根据晶圆中晶粒的具体性能参数的特性去设置合适的性能参数分布区间，以将相近性能的晶粒的性能参数划分在同一性能参数分布区间中，性能差异较大的晶粒的性能参数划分在不同的性能参数分布区间中，从而后续展现在测试晶圆的性能参数分布图中，直观显性精准地识别晶圆中晶粒性能参数的趋势性分布特性。
在步骤S200中，在设置好各性能参数分布区间后，进而设置各性能参数分布区间对应的标记，且不同性能参数分布区间对应的标记不同。
可选的，设置各性能参数分布区间对应的标记包括：
S230：设置各性能参数分布区间对应的颜色，且不同性能参数分布区间对应的颜色不同。
例如，如表1所示，按照小于-3σ；/>-3σ至/>-2σ；/>-2σ至/>-σ；/>-σ至/>；/>至/>+σ；/>+σ至/>+2σ；/>+2σ至/>+3σ以及大于/>+3σ，设置8个性能参数分布区间后，将小于/>-3σ这一区间的标记设置为深蓝色，将/>-3σ至/>-2σ这一区间的标记设置为黑色，将-2σ至/>-σ这一区间的标记设置为浅蓝色，将/>-2σ至/>这一区间的标记设置为黄色，将/>至/>+σ这一区间的标记设置为绿色，将/>+σ至/>+2σ这一区间的标记设置为紫色，将+2σ至/>+3σ这一区间的标记设置为红色，将大于/>+3σ这一区间的标记设置为橙色。当然，上述颜色设置只是一种示例，本申请对具体性能参数分布区间的设置颜色并不做限定，具体视情况而定。
S300：根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
可选的，可以以测试晶圆中所有晶粒的性能参数的平均值、标准差σ以及测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数，建立哈希表格，从而按照测试晶圆中各晶粒的坐标信息，快速确定测试晶圆中各晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间以及对应标记，从而在测试晶圆的性能参数分布图中，对晶粒对应区域进行相应标记，最终生成测试晶圆的性能参数分布图。
可选的，可以在测试晶圆的性能参数分布图中，逐一对晶粒对应区域进行标记，也可以同时对各晶粒对应区域进行标记，具体视情况而定。
考虑到对晶圆中各晶粒的性能参数的测试中，如封装前晶圆测试（CP测试）或封装后成品测试（FT测试）中，可能存在某些晶粒缺失性能参数测试结果的情况，因此，可选的，该处理方法在生成测试晶圆的性能参数分布图时，还包括：
S400：将测试晶圆的性能参数分布图中缺失性能参数的晶粒所对应区域设置为预设标记，该预设标记与各性能参数分布区间对应的标记不同。
例如，在表1所示的各性能参数分布区间对应的标记的情况下，可以将测试晶圆的性能参数分布图中缺失性能参数的晶粒所对应区域设置为空白。
图3示出了按照本申请实施例所提供的晶圆中晶粒性能参数处理方法得到的一种测试晶圆的性能参数分布图，可以看到，该测试晶圆的性能参数分布图可以直观显性精准地识别出晶圆中晶粒性能参数的趋势性分布特性，进而工程师可以结合器件加工涉及的工艺信息，定位制程工艺，对影响晶圆中晶粒相应性能参数的工艺参数进行优化，改善因工艺原因造成的趋势性分布，缩小芯片间质量、性能等的差异，提升产品质量、性能的一致性、稳定性和良率。
图4示出了依据图3所示的测试晶圆的性能参数分布图改进工艺制程后，同样采用本申请实施例所提供的处理方法得到的测试晶圆的性能参数分布图，与图3对比可以看到，图4所示晶圆中各晶粒的性能参数趋近于相同的标记，即趋近于相同的性能参数分布区间，也就是说，晶圆中各晶粒的性能参数的一致性大大提升。
图5示出了采用原工艺制程生产的晶圆和依据本申请实施例所提供的处理方法得到的测试晶圆的性能参数分布图改进工艺制程后生产的晶圆中各晶粒的一种性能参数的正态分布对比示意图，可以看到，依据本申请实施例所提供的处理方法得到的测试晶圆的性能参数分布图改进工艺制程后，使得生产的晶圆质量、性能的一致性、稳定性和良率均大大提升。
综上，本申请实施例所提供的晶圆中晶粒性能参数处理方法，通过获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；并基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于基准值和整数倍的步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；从而根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，该性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记，以便于以从该性能参数分布图中直观显性精准地识别出晶圆中晶粒性能参数的趋势性分布特性，结合相应器件加工涉及的工艺信息，对影响晶圆中晶粒性能参数的工艺参数进行优化，提升产品质量、性能的一致性、稳定性和良率。
本申请实施例还提供了一种晶圆中晶粒性能参数处理装置，如图6所示，该装置包括：
获取单元100，用于获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；
计算单元200，用于基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于基准值和步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；
图像单元300，用于根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，该性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
由于该晶圆中晶粒性能参数处理装置与上述晶圆中晶粒性能参数处理方法相互对应参照，且前面已经详细论述了本申请实施例所提供的晶圆中晶粒性能参数处理方法的各个步骤，此处不再赘述。
本申请实施例还提供了一种晶圆中晶粒性能参数处理设备，如电脑。可选的，图7示出了晶圆中晶粒性能参数处理设备的硬件结构框图，如图7所示，该晶圆中晶粒性能参数处理设备可以包括：至少一个处理器1，至少一个通信接口2，至少一个存储器3和至少一个通信总线4；
在本申请实施例中，处理器1、通信接口2、存储器3、通信总线4的数量为至少一个，且处理器1、通信接口2、存储器3通过通信总线4完成相互间的通信；
处理器1可能是一个中央处理器CPU，或者是特定集成电路ASIC（ApplicationSpecific Integrated Circuit），或者是被配置成实施本发明实施例的一个或多个集成电路等；
存储器3可能包含高速RAM存储器，也可能还包括非易失性存储器（non-volatilememory）等，例如至少一个磁盘存储器；
其中，存储器存储有程序，处理器可调用存储器存储的程序，所述程序用于：
获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；
基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于基准值和步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；
根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，该性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
可选的，该程序的细化功能和扩展功能可参照上文描述，此处不再赘述。
本申请实施例还提供一种存储介质，该存储介质可存储有适于处理器执行的程序，所述程序用于：
获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；
基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于基准值和步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；
根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，该性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
可选的，所述程序的细化功能和扩展功能可参照上文描述，此处不再赘述。
本说明书中各个部分采用并列和递进相结合的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，本说明书中各实施例中记载的特征可以相互替换或组合，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种晶圆中晶粒性能参数处理方法，其特征在于，包括：
获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；
基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于所述基准值和所述步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；
根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，所述性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
2.根据权利要求1所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法，其特征在于，基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值包括：
基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，计算测试晶圆中所有晶粒的性能参数的平均值作为基准值，并计算测试晶圆中所有晶粒的性能参数的标准差σ作为步长值。
3.根据权利要求2所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法，其特征在于，基于所述基准值和所述步长值，设置多个性能参数分布区间包括：
按照小于-3σ；/>-3σ至/>-2σ；/>-2σ至/>-σ；/>-σ至/>；/>至/>+σ；/>+σ至/>+2σ；+2σ至/>+3σ以及大于/>+3σ，设置8个性能参数分布区间，其中，相邻两个性能参数分布区间的交界点包含在该相邻两个性能参数分布区间的任一个区间中。
4.根据权利要求1所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法，其特征在于，该处理方法在生成测试晶圆的性能参数分布图时，还包括：
将所述性能参数分布图中缺失性能参数的晶粒所对应区域设置为预设标记，所述预设标记与各性能参数分布区间对应的标记不同。
5.根据权利要求1所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法，其特征在于，设置各性能参数分布区间对应的标记包括：
设置各性能参数分布区间对应的颜色，且不同性能参数分布区间对应的颜色不同。
6.根据权利要求1所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法，其特征在于，获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数包括：
在封装前晶圆测试（CP测试）或封装后成品测试（FT测试）的测试日志中，获取多个晶圆的批次号、晶圆号以及各晶圆中晶粒的坐标信息和性能参数；
按照批次号、晶圆号，确定一个或多个晶圆为测试晶圆，并提取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数。
7.根据权利要求1所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法，其特征在于，所述晶粒的性能参数包括电压、电流、电容和频率中的至少一种。
8.一种晶圆中晶粒性能参数处理装置，其特征在于，包括：
获取单元，用于获取测试晶圆中各晶粒的坐标信息和性能参数；
计算单元，用于基于测试晶圆中各晶粒的性能参数，确定基准值和步长值，基于所述基准值和所述步长值，设置多个性能参数分布区间，并设置各性能参数分布区间对应的标记；
图像单元，用于根据测试晶圆中各晶粒的坐标信息，生成测试晶圆的性能参数分布图，所述性能参数分布图中各晶粒对应区域具有该晶粒的性能参数所属的性能参数分布区间对应的标记。
9.一种晶圆中晶粒性能参数处理设备，其特征在于，包括：存储器和处理器；
所述存储器，用于存储程序；
所述处理器，用于执行所述程序，实现如权利要求1~7中任一项所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法的各个步骤。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现如权利要求1~7中任一项所述的晶圆中晶粒性能参数处理方法的各个步骤。
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