CN117026316A - 一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法。根据本发明的填孔镀铜液,有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。本发明的填孔镀铜液,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。本发明的填孔镀铜液,镀铜结晶细密、延展性好。本发明还提供了填孔镀铜液的制备方法和填孔镀铜方法。

Description

一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法
技术领域
本发明属于印制电路板技术领域,具体涉及一种填孔镀铜液及其制备方法和填孔镀铜方法。
背景技术
电镀是印刷电路板(PCB,Printed Circuit Board))和集成电路封装基板(Integrated Circuit Substrate,IC)制作工艺中的重要工序,它利用电解作用使金属在电沉积的作用下实现线路的层间互联。目前,随着电子元器件的集成程度越来越高,功率越来越大,以全铜填充的形式实现层间互联的要求越来越普遍。电子产品的微型化、多功能化推动了PCB朝线路精细化、小孔微型化的方向发展,其主流产品为高密度互联板(HighDensity Interconnector,HDI)和IC板。为满足HDI及IC载板的高密度、高集成化要求,PCB制造业开创了电镀填孔技术。
盲孔填孔可以提高电路板的导通性能,改善产品的导热性,减少孔内空洞,降低传输信号的损失,有效地提高电子产品的可靠性和稳定性,随着HDI板和IC载板制程的逐渐成熟,电镀填孔成为HDI板和IC载板不可或缺的一环。
HDI孔的加工从简单的盲埋孔发展到目前的高阶填孔板,在小孔加工与处理技术上,先后产生了多种不同设计,以用来解决HDI中球栅网格阵列封装(Ball Grid Array,BGA)区域球阵列的高密度排列。
现有的填孔镀铜工艺,填孔效果和对于通孔的深镀能力不理想,镀铜结晶不够细密。因此,为实现更好的填充,需要开发新的填孔镀铜液和与之相匹配的填孔镀铜方法。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的上述技术问题之一。为此,本发明提供了一种填孔镀铜液,该填孔镀铜液具有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
本发明还提供了一种填孔镀铜液的制备方法
本发明还提供了一种填孔镀铜方法。
本发明的第一方面提供了一种填孔镀铜液,包括基础液、承载剂、整平剂、光亮剂,所述承载剂包括聚氧乙烯丙烯聚醚基础油1.0wt%~5.0wt%,所述整平剂包括甘油醚加聚物季铵盐1.0wt%~5.0wt%,所述光亮剂包括含硫有机磺酸盐1.0wt%~5.0wt%。
本发明关于填孔镀铜液的技术方案中的一个技术方案,至少具有以下有益效果:
本发明的填孔镀铜液,有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
本发明的填孔镀铜液,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜液,镀铜结晶细密、延展性好。
根据本发明的一些实施方式,所述承载剂在填孔镀铜液中的添加量为15-25mL/L。
根据本发明的一些实施方式,所述聚氧乙烯丙烯聚醚基础油包括SN-2808。
根据本发明的一些实施方式,所述整平剂在填孔镀铜液中的添加量为20-30mL/L。
根据本发明的一些实施方式,所述甘油醚加聚物季铵盐包括Leveler8016。
根据本发明的一些实施方式,所述光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为0.5-1.5mL/L。
根据本发明的一些实施方式,所述含硫有机磺酸盐包括SPS。
根据本发明的一些实施方式,所述基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
本发明的第二方面提供了一种制备所述的填孔镀铜液的方法,所述方法包括:将所述承载剂、整平剂和光亮剂加入所述基础液中,混匀。
本发明关于填孔镀铜液的制备方法中的一个技术方案,至少具有以下有益效果:
本发明的填孔镀铜液的制备方法,将所述承载剂、整平剂和光亮剂加入所述基础液中,混匀即可,制备过程简单,反应条件不苛刻,容易实现大规模生产。
本发明的第三方面提供了一种填孔镀铜方法,包括预处理、电镀过程和后处理,所述电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
本发明关于填孔镀铜方法中的一个技术方案,至少具有以下有益效果:
本发明的填孔镀铜方法,与本发明的填孔镀铜液相配合,能够产生良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
本发明的填孔镀铜方法,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜方法,镀铜结晶细密、延展性好。
根据本发明的一些实施方式,所述电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
根据本发明的一些实施方式,所述电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
根据本发明的一些实施方式,所述预处理包括依次进行的除油和水洗。
根据本发明的一些实施方式,所述预处理包括依次进行的上板、除油、热水洗、水洗和酸洗。
根据本发明的一些实施方式,除油过程中,除油剂的浓度为5%~10%。
根据本发明的一些实施方式,除油过程中,除油剂可以为PP601除油剂。
根据本发明的一些实施方式,除油的温度为35℃~45℃。
根据本发明的一些实施方式,热水洗的温度为40℃~50℃。
根据本发明的一些实施方式,热水洗的溢流量为1~3体积循环量。
根据本发明的一些实施方式,所述水洗可以在室温下进行。
根据本发明的一些实施方式,水洗的溢流量为3~5体积循环量。
根据本发明的一些实施方式,水洗可以进行多次。
根据本发明的一些实施方式,酸洗的温度为20℃~30℃。
根据本发明的一些实施方式,酸洗使用的硫酸浓度为4%~6%。
附图说明
图1是dimple值的计算示意图。
图2是填孔镀铜各阶段的成长示意图。
图3是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的效果图。
图4是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的可靠性测试图。
图5是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的样品放大1500倍微观形貌图。
图6是实施例3的填孔镀铜液填孔镀铜后的样品放大2500倍微观形貌图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例,并结合实施例对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
在本发明的一些实施例中,本发明提供了一种填孔镀铜液,包括基础液、承载剂、整平剂、光亮剂,所述承载剂包括聚氧乙烯丙烯聚醚基础油1.0wt%~5.0wt%,所述整平剂包括甘油醚加聚物季铵盐1.0wt%~5.0wt%,所述光亮剂包括含硫有机磺酸盐1.0wt%~5.0wt%。
可以理解,本发明的填孔镀铜液,有良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜液,镀铜结晶细密、延展性好。
在本发明的一些实施例中,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为15-25mL/L。
在本发明的一些实施例中,承载剂在填孔镀铜液中的控制点为20mL/L。
承载剂与氯离子一起作用抑制电镀速率,使高低电流区的差异降低(即增大极化电阻)。
在本发明的一些实施例中,整平剂在填孔镀铜液中的添加量为20-30mL/L。
在本发明的一些实施例中,整平剂在填孔镀铜液中的控制点为25mL/L。
整平剂吸附在高电流密度区(凸起区或转角处),使该处的电镀速度趋缓。
含硫有机物光亮剂可以使铜离子加速在阴极还原,使铜层结构变得更细致。
在本发明的一些实施例中,含硫有机物光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为0.5mL/L~1.5mL/L。
在本发明的一些实施例中,含硫有机物光亮剂在填孔镀铜液中的控制点为1mL/L。
在本发明的一些实施例中,基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
CuSO4·5H2O为镀液中Cu2+的主要来源。提高铜离子浓度,可提高填孔能力,但对通孔的镀通率有负面影响。
H2SO4可以增强镀液的导电性,本发明的填孔镀铜液为低酸高铜体系。
Cl-可以让Cu2+和金属铜在双电层将形成稳定转换的电子传递。
在本发明的一些实施例中,基础液的控制点包括:
CuSO4·5H2O:265g/L;
H2SO4:20mL/L;
Cl-:55ppm。
分析频率为1次/天。
在本发明的另外一些实施例中,本发明提供了一种制备本发明的填孔镀铜液的方法,方法包括:将承载剂、整平剂和光亮剂加入基础液中,混匀。
可以理解,本发明的填孔镀铜液的制备方法,将承载剂、整平剂和光亮剂加入基础液中,混匀即可,制备过程简单,反应条件不苛刻,容易实现大规模生产。
在本发明的另外一些实施例中,本发明提供了一种填孔镀铜方法,包括预处理、电镀过程和后处理,电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
电流密度不能低于15ASF,否则dimple值会过大。
可以理解,本发明的填孔镀铜方法,与本发明的填孔镀铜液相配合,能够产生良好的填孔效果,同时填3、4、5mil镭射孔,dimple值小于15μm。
参考图1所示,dimple值=A-B。
填孔率=B/A×100%。
本发明的填孔镀铜方法,对于通孔有良好的深镀能力,具体而言,对于AR值6:1,孔径0.2mm的孔,TPmin:71.05%;对于AR值3:1,孔径为0.3mm的孔,TPmin:83.91%。
本发明的填孔镀铜方法,镀铜结晶细密、延展性好。
本发明的填孔镀铜方法,有利于设计叠孔(Stack Via)和焊盘上孔(Via-on-Pad),提高了载板的密度,更多I/O脚的封装载板得以应用。由此,可以改善电气性能,有助于高频设计,提高连接可靠性,提高运行频率和避免电磁干扰。
本发明的填孔镀铜方法,塞孔和电气互连一步完成,避免了采用树脂,导电胶填孔造成的缺陷,同时,也避免了其他材料填孔造成的CTE不一现象。
本发明的填孔镀铜方法,盲孔内用电镀铜填孔,避免了表面缺陷,有利于更精细线路的设计和制作。
本发明的填孔镀铜方法,电镀填孔后孔内为铜柱,导电性能比导电树脂更好,可提高板件散热性能。
在本发明的一些实施例中,电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
在本发明的一些实施例中,电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
在本发明的一些实施例中,预处理包括依次进行的除油和水洗。
在本发明的一些实施例中,预处理包括依次进行的上板、除油、热水洗、水洗和酸洗。
预处理的关键点包括:
(1)PTH后+不过闪镀+再填孔电镀;
(2)保证除油效果,确保铜面清洁,无氧化。
在本发明的一些实施例中,除油过程中,除油剂的浓度为5%~10%。
在本发明的一些实施例中,除油过程中,除油剂可以为PP601除油剂。
在本发明的一些实施例中,除油的温度为35℃~45℃。
在本发明的一些实施例中,热水洗的温度为40℃~50℃。
在本发明的一些实施例中,热水洗的溢流量为1~3体积循环量。
在本发明的一些实施例中,水洗可以在室温下进行。
在本发明的一些实施例中,水洗的溢流量为3~5体积循环量。
在本发明的一些实施例中,水洗可以进行多次。
在本发明的一些实施例中,酸洗的温度为20℃~30℃。
在本发明的一些实施例中,酸洗使用的硫酸浓度为4%~6%。
填孔镀铜包括起始期、爆发期、回复期和平衡期。具体而言:
起始期中:
载运剂分子量最大,结构冗长,扩散速率较不易进入孔内,故大多分布于板面,光泽剂分子较小,大部分沉积于孔内。平整剂吸附于电流密集区,抑制高电流区铜过厚,发挥整平功效。
爆发期中:
此时为填孔电镀重要步骤,孔内/表面相对沉积率由约1.83暴增至7.37,此时所有添加剂吸附动作已完成,使孔内铜沉积速度远高于板面,达到填孔之目的。
回复期中:
填孔已接近完成,言孔凹陷变小,渐成平面,故载运剂与整平剂开始去抢盲孔处光泽剂位置,电镀速度迅速降低,孔内/表面沉积率降回3.33。
平衡期中:
各添加剂浓度分部不受质传等因素影响,达到一稳定平衡状态,盲孔处与板面成长速率趋近相等。
各期的成长机制参考图2所示。
下面再结合具体的实施例来更好的理解本发明的技术方案。
实施例中,承载剂具体为聚氧乙烯丙烯聚醚基础油(SN-2808),整平剂具体为甘油醚加聚物季铵盐(Leveler8016),光亮剂为含硫有机磺酸盐(SPS)。
实施例1
本实施例制备了一种填孔镀铜液,包括基础液、承载剂、整平剂和光亮剂;
其中:
基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
承载剂在填孔镀铜液中的添加量为20mL/L。
整平剂在填孔镀铜液中的添加量为25mL/L。
光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为1mL/L。
制备方法为:将承载剂、整平剂和光亮剂加入基础液中,混匀。
实施例2
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为22mL/L。
实施例3
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为25mL/L。
实施例4
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为28mL/L。
实施例5
本实施例制备了一种填孔镀铜液,和实施例1的区别在于,承载剂在填孔镀铜液中的添加量为30mL/L。
性能测试
使用实施例1至5至别的填孔镀铜液进行填孔镀铜,步骤包括预处理、电镀过程和后处理,电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
预处理包括依次进行的上板、除油、热水洗、水洗和酸洗。
除油过程中,除油剂的浓度为5%~10%,除油剂为PP601除油剂。
除油的温度为35℃~45℃。
热水洗的温度为40℃~50℃。
热水洗的溢流量为1~3体积循环量。
水洗在室温下进行。
水洗的溢流量为3~5体积循环量。
水洗可以进行多次。
酸洗的温度为20℃~30℃。
酸洗使用的硫酸浓度为4%~6%。
板厚0.9mm,孔径0.2mil。
测试了填孔后的凹陷。其中:
实施例1的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0.312mm。
实施例2的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0.251mm。
实施例3的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0。
实施例4的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0。
实施例5的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,凹陷为0。
实施例3的填孔镀铜液进行填孔镀铜后,如图3所示,可以看出填孔饱满,浸锡(288℃)6次后无断铜现象。
此外,还对实施例3的填孔镀铜液进行填孔镀铜后的可靠性进行了测试,实验条件为288±5℃,漂浸10s,3次。结果如图4所示,可以看出,无断铜、无角裂、无镀层分离。
还观察了填孔后的样品微观形貌,如图5和图6所示,图5为放大1500倍的示意图,图6为放大2500倍的示意图。可以看出,镀铜结晶细密,均匀。
上面结合实施例对本发明作了详细说明,但是本发明不限于上述实施例,在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (10)

1.一种填孔镀铜液,其特征在于,包括基础液、承载剂、整平剂、光亮剂,所述承载剂包括聚氧乙烯丙烯聚醚基础油1.0wt%~5.0wt%,所述整平剂包括甘油醚加聚物季铵盐1.0wt%~5.0wt%,所述光亮剂包括含硫有机磺酸盐1.0wt%~5.0wt%。
2.根据权利要求1所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述承载剂在填孔镀铜液中的添加量为15-25mL/L。
3.根据权利要求1所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述整平剂在填孔镀铜液中的添加量为20-30mL/L。
4.根据权利要求1所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述光亮剂在填孔镀铜液中的添加量为0.5-1.5mL/L。
5.根据权利要求1至4任一项所述的填孔镀铜液,其特征在于,所述基础液包括:
CuSO4·5H2O:240g/L~290g/L;
H2SO4:16mL/L~24mL/L;
Cl-:40ppm~70ppm。
6.一种制备如权利要求1至5任一项所述的填孔镀铜液的方法,其特征在于,所述方法包括:将所述承载剂、整平剂和光亮剂加入所述基础液中,混匀。
7.一种填孔镀铜方法,其特征在于,包括预处理、电镀过程和后处理,所述电镀过程的电流密度为15ASF~18ASF。
8.根据权利要求7所述的填孔镀铜方法,其特征在于,所述电镀过程的喷淋频率为25Hz~35Hz。
9.根据权利要求7所述的填孔镀铜方法,其特征在于,所述电镀过程的循环量为3~5倍体积循环量。
10.根据权利要求7所述的填孔镀铜方法,其特征在于,所述预处理包括依次进行的除油和水洗。
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