CN117007620B - 一种芯片内部结构检测方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种芯片内部结构检测方法，通过对多个待观察结构的晶圆区块进行分次切割，每次切割在空闲的格栅立柱上保留一个待观察结构对应的待观察结构子区，并对待观察结构子区进行减薄，得到待观察结构对应的透射电子显微镜样品，从而使得每个格栅立柱上均对应焊接一个透射电子显微镜样品，制样完成后再将格栅转移到透射电子显微镜内，依次观察立柱上对应的样品，通过观察结果确定芯片内部结构是否出现异常，不仅解决了现有技术中每次制作一个透射电子显微镜样品就拿去观测的问题，还解决了含有多个相邻结构时牺牲其他结构而只能制备一个样品的问题，进而减少了样品和透射电子显微镜之间进行多次更换样的频率，达到提高检测效率的技术效果。

Description

一种芯片内部结构检测方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片内部结构检测方法。
背景技术
现有技术中，若晶圆中的芯片上存在多个间距较近的结构时，若制备芯片中每个结构的TEM（Transmission Electron Microscope，透射电子显微镜）样品，则在制备过程中由于挖坑的流程使得该芯片结构周围的芯片其他结构被破坏，进而无法将每个芯片结构均制备成TEM芯片，从而无法全面监测整个晶圆的生产情况，或者无法全面观察对应失效点位，进而影响晶圆的生产质量，或者产生相应客诉。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于至少提供一种芯片内部结构检测方法，通过对多个待观察结构的晶圆区块进行分次切割，每次切割在空闲的格栅立柱上保留一个待观察结构对应的待观察结构子区，并对待观察结构子区进行减薄，得到待观察结构对应的透射电子显微镜样品，从而使得每个格栅立柱上均对应焊接一个透射电子显微镜样品，进而可以将各个透射电子显微镜样品一起移动至透射透射电子显微镜的观测区域内，以使透射电子显微镜对各个透射电子显微镜样品分别进行观测，以确定芯片内部结构是否出现异常，不仅解决了现有技术中每次制作一个透射电子显微镜样品就拿去观测，还解决了含有多个相邻结构时牺牲其他结构而只能制备一个样品的问题，进而减少样品和透射电子显微镜之间进行多次换样的频率，达到提高检测芯片内部结构的检测效率的技术效果。
本申请主要包括以下几个方面：
第一方面，本申请实施例提供一种芯片内部结构检测方法，方法包括：从晶圆样品上挖取一晶圆区块，所述晶圆区块包括晶圆样品上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，其中多个待观察结构对应在一个芯片内；针对待切割件执行如下切割处理：将待切割件的目标侧面焊接在样品台上的一个空闲的格栅立柱上，在初次切割时所述待切割件为晶圆区块，所述目标侧面为待切割件中靠近多个待观察结构的第一侧面的一侧面，第一侧面由待观察结构的长度和高度组成，对所述待切割件进行切割，以将分割晶圆从所述格栅立柱上切割下来，以在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区，所述待观察结构子区包括对应的一个目标待观察结构，所述分割晶圆包括所述待切割件中除目标待观察结构之外的其他待观察结构，以第二预设方向对所述待观察结构子区的减薄侧面进行减薄，获得目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品，所述第二预设方向为垂直于第一预设方向的方向，所述减薄侧面为待观察结构子区中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面，所述第二侧面由待观察结构的高度和宽度组成；将所述分割晶圆作为待切割件，并重复执行所述切割处理，直至所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上；对各个格栅立柱上的透射电子显微镜样品进行芯片内部结构检测。
可选地，通过以下方式对所述待切割件进行切割，包括：将所述待切割件的任意一侧的待观察结构作为目标待观察结构；依据所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域内的标记线，以第二预设方向对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割，所述标记线用于标记各个待观察结构的位置；沿着第一预设方向对所述目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除所述目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置进行切割。
可选地，所述标记线在挖取晶圆区块前，已存在于相邻的两个待观察结构之间，所述标记线包括平行标记线，所述平行标记线为位于相邻待观察结构之间的间隔区域且与待观察结构的宽度平行的任一条线；或者，所述标记线包括距离标记线，所述距离标记线用于标记相邻待观察结构之间的间隔距离，所述距离标记线平行于待观察结构的长度。
可选地，所述标记线包括平行标记线，通过以下方式对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割：沿着所述平行标记线切割第一长度，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割，所述第一长度与所述待切割件的宽度比值为预设比值；沿着所述平行标记线切割第二长度，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割。
可选地，所述标记线包括距离标记线，通过以下方式对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割：依据所述距离标记线，对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第一次切割，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割；依据所述距离标记线，对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第二次切割，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割。
可选地，通过以下方式从晶圆样品中挖取晶圆区块：确定晶圆样品的目标区域，目标区域中包括一个芯片上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，各个待观察结构沿着第一预设方向在第二预设方向上的投影有重叠；确定所述目标区域中位于相邻待观察结构之间的间隔区域的标记线；对所述标记线进行蚀刻之后，在所述目标区域的表面沉积保护层，并使蚀刻之后的标记线部分暴露在所述保护层外部；将沉积保护层之后的目标区域从晶圆样品中提取出来，以得到晶圆区块。
可选地，通过以下方式确定所述标记线：依据相邻待观察结构之间的间隔线段，确定位于相邻待观察结构之间的标记线，所述间隔线段用于表示相邻待观察结构之间在待观察结构的长度所在方向的距离。
可选地，方法还包括：在分割晶圆对应的其他待观察结构的数量为一时，将分割晶圆中靠近对应的待观察结构的第一侧面的一侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，以第二预设方向对分割晶圆中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面进行减薄，以获得分割晶圆对应的透射电子显微镜样品，以将所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上。
第二方面，本申请实施例还提供一种透射电子显微镜试样，所述透射电子显微镜试样包括多个透射电子显微镜样品，每个透射电子显微镜样品分别位于一个栅格立柱上，每个透射电子显微镜样品对应一个待观察结构。
第三方面，本申请实施例还提供一种透射电子显微镜试样的制备方法，方法包括：从晶圆样品上挖取一晶圆区块，所述晶圆区块包括晶圆样品上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，其中多个待观察结构对应一个芯片；针对待切割件执行如下切割处理：将待切割件的目标侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，在初次切割时所述待切割件为晶圆区块，所述目标侧面为待切割件中靠近多个待观察结构的第一侧面的一侧面，第一侧面由待观察结构的长度和高度组成，对所述待切割件进行切割，以将分割晶圆从所述格栅立柱上切割下来，以在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区，所述待观察结构子区包括对应的一个目标待观察结构，所述分割晶圆包括所述待切割件中除目标待观察结构之外的其他待观察结构，以第二预设方向对所述待观察结构子区的减薄侧面进行减薄，获得目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品，所述第二预设方向为垂直于第一预设方向的方向，所述减薄侧面为待观察结构子区中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面，所述第二侧面由待观察结构的高度和宽度组成，将所述分割晶圆作为待切割件，并重复执行所述切割处理，直至所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上，将位于各个栅格立柱上的透射电子显微镜样品作为所述透射电子显微镜试样。
本申请实施例提供的一种芯片内部结构检测方法，方法包括：从晶圆样品上挖取一晶圆区块，所述晶圆区块包括晶圆样品上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，其中多个待观察结构对应一个芯片；针对待切割件执行如下切割处理：将待切割件的目标侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，在初次切割时所述待切割件为晶圆区块，所述目标侧面为待切割件中靠近多个待观察结构的第一侧面的一侧面，第一侧面由待观察结构的长度和高度组成，对所述待切割件进行切割，以将分割晶圆从所述格栅立柱上切割下来，以在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区，所述待观察结构子区包括对应的一个目标待观察结构，所述分割晶圆包括所述待切割件中除目标待观察结构之外的其他待观察结构，以第二预设方向对所述待观察结构子区的减薄侧面进行减薄，获得目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品，所述第二预设方向为垂直于第一预设方向的方向，所述减薄侧面为待观察结构子区中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面，所述第二侧面由待观察结构的高度和宽度组成；将所述分割晶圆作为待切割件，并重复执行所述切割处理，直至所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上；对各个格栅立柱上的透射电子显微镜样品进行芯片内部结构检测。本申请通过对多个待观察结构的晶圆区块进行分次切割，每次切割在空闲的格栅立柱上保留一个待观察结构对应的待观察结构子区，并对待观察结构子区进行减薄，得到待观察结构对应的透射电子显微镜样品，从而使得每个格栅立柱上均对应焊接一个透射电子显微镜样品，进而可以将各个透射电子显微镜样品一起移动至透射透射电子显微镜的观测区域内，以使透射电子显微镜对各个透射电子显微镜样品分别进行观测，以确定芯片内部结构是否出现异常，不仅解决了现有技术中每次制作一个透射电子显微镜样品就拿去观测，还解决了含有多个相邻结构时牺牲其他结构而只能制备一个样品的问题，进而减少样品和透射电子显微镜之间进行多次换样的频率，达到提高检测芯片内部结构的检测效率的技术效果。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本申请实施例所提供的一种芯片内部结构检测方法的流程图。
图2示出了本申请实施例所提供的晶圆区块的示意图。
图3示出了本申请实施例所提供的待观察结构的示意图。
图4示出了本申请实施例所提供的晶圆区块的俯视图一。
图5示出了本申请实施例所提供的晶圆区块的俯视图二。
图6示出了本申请实施例所提供的对待切割件进行切割的示意图。
图7示出了本申请实施例所提供的对待切割件进行切割时的俯视图。
图8示出了本申请实施例所提供的透射电子显微镜样品的示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，本申请中的附图仅起到说明和描述的目的，并不用于限定本申请的保护范围。另外，应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操作。应当理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本领域技术人员在本申请内容的指引下，可以向流程图添加一个或多个其他操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。
另外，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的全部其他实施例，都属于本申请保护的范围。
现有技术中，在制备各个待观察结构对应的TEM样品时，需要针对每个待观察结构依次制作对应的TEM样品，并在每次制作完TEM样品之后，将TEM样品移动至透射电子显微镜观察该样品的结构是否有不良区，观察样品较多时，需要在透射电子显微镜进行频繁换样，影响观察TEM样品的效率。
基于此，本申请实施例提供了一种芯片内部结构检测方法，可同时保留多个相近的目标结构，通过对多个待观察结构的晶圆区块进行分次切割，且切割过程不会损坏或者牺牲其他结构，每次切割在空闲的格栅立柱上保留一个待观察结构对应的待观察结构子区，并对待观察结构子区进行减薄，得到待观察结构对应的透射电子显微镜样品，从而使得每个格栅立柱上均对应焊接一个透射电子显微镜样品，进而可以将各个透射电子显微镜样品一起移动至透射透射电子显微镜的观测区域内，以使透射电子显微镜对各个透射电子显微镜样品分别进行观测，以确定芯片内部结构是否出现异常，解决了现有技术中每次制作一个透射电子显微镜样品就拿去观测，进而需要在样品台和透射电子显微镜之间进行多次移动的技术问题，达到提高检测芯片内部结构的检测效率的技术效果，具体如下：
请参阅图1，图1为本申请实施例所提供的一种芯片内部结构检测方法的流程图。如图1所示，本申请实施例提供的芯片内部结构检测方法，包括以下步骤：
S101：从晶圆样品上挖取一晶圆区块。
所述晶圆区块包括晶圆样品上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，其中多个待观察结构对应在一个芯片内。
请参阅图2，图2为本申请实施例所提供的晶圆区块的示意图。如图2所示，将晶圆区块10近似为一个立方体，将各个待观察结构101近似为属于晶圆区块10的一个立方体。也就是说，晶圆区块10包括多个待观察结构101。
其中，多个待观察结构可以是相同的结构，也可以是不相同的结构，只需要保证多个待观察结构均是沿着第一预设方向x排列。将晶圆区块的长度a1所在的直线作为第一预设方向（图2中的x轴方向），将晶圆区块的宽度b1所在直线的方向作为y轴方向，将晶圆区块的高度c1所在直线的方向作为z轴方向。
请参阅图3，图3为本申请实施例所提供的待观察结构的示意图。如图3所示，待观察结构的长度a2所在直线的方向与晶圆区块的长度所在直线的方向相同，待观察结构的宽度b2所在直线的方向与晶圆区块的宽度所在直线的方向相同，待观察结构的高度c2所在直线的方向与晶圆区块的高度所在直线的方向相同，进而，第一预设方向也是待观察结构的长度所在直线的方向。
请参阅图4和图5，图4为本申请实施例所提供的晶圆区块的俯视图一，图5为本申请实施例所提供的晶圆区块的俯视图二。如图4所示，在第一预设方向上将多个待观察结构投影至晶圆区块的投影侧面得到各个待观察机构的投影面，各个待观察机构对应的投影面全部重合，图4中的加粗线表示各个待观察机构对应的投影面的全部重合部分。如图5所示，在第一预设方向上将多个待观察结构投影至晶圆区块的投影侧面，各个待观察机构对应的投影面部分重合，图5中的加粗线表示各个待观察机构对应的投影面的部分重合部分。
晶圆区块的投影侧面是由晶圆区块的宽度b1和高度c1组成的一个侧面。或者是，晶圆区块的投影侧面是与第一预设方向垂直的一侧面。
针对待切割件执行如下切割处理：在初次切割时所述待切割件为晶圆区块。
S102：将待切割件的目标侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上。
如图2所示，所述目标侧面为待切割件中靠近多个待观察结构101的第一侧面1011的一侧面，第一侧面由待观察结构的长度a2和高度c2组成。在初次切割时，目标侧面由晶圆区块的长度a1和高度c1组成。
也就是说，将多个待观察结构的第一侧面向待切割件的目标侧面进行垂直投影，则目标侧面上包括每个待观察结构的第一侧面的投影面，且目标侧面上各个待观察结构的第一侧面的投影面之间无重叠。
返回图1，S103：对所述待切割件进行切割，以将分割晶圆从所述格栅立柱上切割下来，以在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区。
请参阅图6，图6为本申请实施例所提供的对待切割件进行切割的示意图。如图6所示，对所述待切割件进行切割之后，使得分割晶圆20从所述格栅立柱上切割下来，且在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区30。所述待观察结构子区包括对应的一个目标待观察结构，所述分割晶圆包括所述待切割件中除目标待观察结构之外的其他待观察结构。
所述对所述待切割件进行切割，包括：将所述待切割件的任意一侧的待观察结构作为目标待观察结构；依据所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域内的标记线，以第二预设方向对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割，所述标记线用于标记各个待观察结构的位置；沿着第一预设方向对所述目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除所述目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置进行切割。
一般的，目标待观察结构为待切割件上在第一预设方向的任意一端的待观察结构。也就是说，目标待观察结构在待切割件上只有一个相邻的待观察机构。
所述标记线在挖取晶圆区块前，已存在于相邻的两个待观察结构之间，所述标记线包括平行标记线，所述平行标记线为位于相邻待观察结构之间的间隔区域且与待观察结构的宽度平行的任一条线；或者，所述标记线包括距离标记线，所述距离标记线用于标记相邻待观察结构之间的间隔距离，所述距离标记线平行于待观察结构的长度。
如图6所示，平行标记线L位于晶圆区块中相邻待观察结构之间的间隔区域上，且平行标记线L平行于待观察结构的宽度，进而分隔了相邻的待观察结构。
如图6所示，距离标记线D晶圆区块中相邻待观察结构之间的间隔区域上，且距离标记线D平行于待观察结构的长度，用于表示相邻待观察结构之间的距离，进而，距离标记线D也可以分隔相邻的待观察结构。
进而，沿着第一预设方向对目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置进行切割，以将分割晶圆与格栅立柱分开，从而，进行下一次切割时，将本次得到的分割晶圆焊接在其他空闲的格栅立柱上。
具体的，可以先以第二预设方向沿着平行标记线L所在的直线进行切割，再将目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除所述目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置进行切割，得到保留在格栅立柱上的待观察结构子区，以及从格栅立柱上分离出去的分割晶圆。或者，先将目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除所述目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置进行切割，再以第二预设方向沿着平行标记线L所在的直线进行切割，得到保留在格栅立柱上的待观察结构子区，以及从格栅立柱上分离出去的分割晶圆。
也就是说，目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除所述目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置可以理解为：分割晶圆与格栅立柱之间的焊接位置。
所述标记线包括平行标记线，通过以下方式对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割：沿着所述平行标记线切割第一长度，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割，所述第一长度与所述待切割件的宽度比值为预设比值；沿着所述平行标记线切割第二长度，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割。
请参阅图7，图7为本申请实施例所提供的对待切割件进行切割时的俯视图。如图7所示，沿着平行标记线L切割第一长度l1，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割，进而，此时的待观察结构子区和分割晶圆之间还有一部分连接在一起。所述第一长度l1与所述待切割件的宽度比值为预设比值，预设比值属于[1/3，1/2]之间。由于分割时的空间较小，会存在刻蚀后再沉积的过程，所以先切割第一长度，使得待观察结构子区和分割晶圆之间存在部分空隙，便于吸附切割产生的沉积，然后再沿着平行标记线切割第二长度，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割。
第二长度可以是l21，也就是待切割件的宽度与第一长度的差值；第二长度还可以是l22，即为待切割件的宽度。
所述标记线包括距离标记线，通过以下方式对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割：依据所述距离标记线，对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第一次切割，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割；依据所述距离标记线，对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第二次切割，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割。
如图7所示，依据距离标记线D对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第一次切割，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割，进行第一次切割的切割长度l3平行于所述待切割件的宽度，第一次切割的切割长度l3与所述待切割件的宽度比值为预设比值，预设比值属于[1/3，1/2]之间。进而，第一次切割之后的待观察结构子区和分割晶圆之间还有部分连接在一起。由于分割时的空间较小，会存在刻蚀后再沉积的过程，所以先进行第一次切割，使得待观察结构子区和分割晶圆之间存在部分空隙，便于吸附切割产生的沉积，然后依据距离标记线D，对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第二次切割，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割，进行第二次切割的切割长度平行于所述待切割件的宽度。第二次切割的切割长度可以是l31，也就是待切割件的宽度与l3的差值；第二长度还可以是l32，即为待切割件的宽度。
优选的，平行标记线可以设置为位于相邻待观察结构之间的间隔区域且与待观察结构的宽度平行的中线。
如图7所示，将相邻的待观察结构分为一个待观察结构与另一个待观察结构，确定一个待观察结构的目标第二侧面和另一个待观察结构的目标第二侧面，且一个待观察结构的目标第二侧面和另一个待观察结构的目标第二侧面为一个待观察结构与另一个待观察结构之间的相邻面，在标记线L为位于一个待观察结构与另一个待观察结构之间的间隔区域且与待观察结构的宽度平行的中线时，标记线与一个待观察结构的目标第二侧面之间的直线距离d1等于标记线与一个待观察结构的目标第二侧面之间的直线距离d2。
通过以下方式从晶圆样品中挖取晶圆区块：确定晶圆样品的目标区域，目标区域中包括一个芯片上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，各个待观察结构沿着第一预设方向在第二预设方向上的投影有重叠；确定所述目标区域中位于相邻待观察结构之间的间隔区域的标记线；对所述标记线进行蚀刻之后，在所述目标区域的表面沉积保护层，并使蚀刻之后的标记线部分暴露在所述保护层外部；将沉积保护层之后的目标区域从晶圆样品中提取出来，以得到晶圆区块。
也就是说，各个待观察结构沿着第一预设方向向晶圆区块的与第一预设方向垂直的一侧面做投影得到的各个待观察结构的投影面，且各个待观察结构的投影面之间有重叠。
通过以下方式确定所述标记线：依据相邻待观察结构之间的间隔线段，确定位于相邻待观察结构之间的标记线，所述间隔线段用于表示相邻待观察结构之间在待观察结构的长度所在方向的距离。
示例性的，将间隔线段向待观察结构的长度所在位置处平移，将平移之后的间隔线段作为间隔标记线，平移的距离只需要保证沉积保护层时不会将间隔标记线完全覆盖即可；或者，在相邻待观察结构之间的间隔区域中，确定与间隔线段之间存在夹角且平行于待观察结构的宽度的任一条线作为平行标记线，平行标记线的长度小于或者等于晶圆区块的宽度，且在沉积保护层之后平行标记线不会被完全覆盖。
通过以下方式在所述目标区域的表面沉积保护层：通过电子束对所述目标区域的表面沉积第一保护层；通过离子束对所述第一保护层的表面沉积第二保护层，所述第一保护层的高度小于所述第二保护层的高度。
也就是说，在晶圆样品中确定出目标区域，并确定目标区域中包括一个芯片上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构；对目标区域中位于相邻待观察结构之间的间隔区域的标记线进行蚀刻；在蚀刻标记线之后，在目标区域的表面通过电子束沉积第一保护层，在通过离子束对所述第一保护层的表面沉积第二保护层；在将目标区域从晶圆样品中提取出来，以得到晶圆区块。
由于离子束在沉积保护层时会伤害到晶圆样品，电子束生成保护层的效率较低，进而，首先通过电子束进行沉积再通过离子束进行沉积，为了提高效率，使得电子束沉积第一保护层在z轴方向的高度小于离子束沉积第二保护层在z轴方向的高度。第一保护层的高度一般在100纳米左右，第二保护层的高度一般在1.9微米左右。保护层的材质可以选择金属钼(Pt)，或者金属钨(W)，或者具有浅衬度的碳(C)。
将目标区域从晶圆样品中提取出来可以先选择较大束流的离子束（一般设置在9.0纳安nA至25纳安之间）对目标区域进行刻蚀挖坑，再选择较小束流的离子束（一般设置在1.5纳安至2.5纳安之间）对目标区域的蚀刻面进行精修，选择常规的U型切削（U-CUT）的方式切断，得到晶圆区块。其中，坑的深度超过所需要的TEM样品的高度的1.5-2倍。最后将样品台的机械手与晶圆区块进行连接，将晶圆区块提取出来。
选择预制倾转角的样品台，***机械手，将待切割件焊接在栅格立柱上，切断并退出机械手；旋转样品台，使栅格立柱上的待切割件的第一预设方向与离子束的喷射方向之间存在一定夹角，以便于通过离子束进行切割，将机械手焊接在待切割件中分割晶圆上远离栅格立柱的一角，通过离子束对待切割件进行切割，在得到分割晶圆和待观察结构子区之后退出机械手，此时机械手将分割晶圆也带离栅格立柱。切割使用的离子束束流可以设置在0.4纳安至0.8纳安之间。
返回图1，S104：以第二预设方向对所述待观察结构子区的第二侧面进行减薄，获得目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品。
其中，所述第二预设方向为垂直于第一预设方向的方向，所述第二侧面1012由待观察结构的高度和宽度组成。
第二预设方向可以为y轴方向或者z轴方向，可以参考样品台的结构选择哪个方向对待观察结构子区的相对的两个第二侧面均进行减薄，以得到目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品。
请参阅图8，图8为本申请实施例所提供的透射电子显微镜样品的示意图。如图8所示，以第二预设方向对待观察结构子区30进行减薄，得到该待观察结构子区30对应的透射电子显微镜样品TEM2，进而上一次切割得到的待观察结构子区对应的透射电子显微镜样品为图中的TEM1。
以及，各个透射电子显微镜样品在第一预设方向的长度对待观察结构的长度进行投影而得到的投影位置均可以不同。也就是说，可以观察各个待观察结构在第一预设方向上的不同位置，从而，可以通过相邻的TEM样品更加全面的得知芯片出现不良区的位置。
S105：确定所述分割晶圆对应的其他待观察结构的数量是否为一。
也就是说，在每次对所述待切割件进行切割以得到分割晶圆与待观察结构子区之后，确定切割下来的分割晶圆中包含的除目标待观察结构之外的其他待观察结构的数量。
S106：将所述分割晶圆作为待切割件。
若所述分割晶圆对应的其他待观察结构的数量不为一，则将所述分割晶圆作为待切割件，并返回步骤S102继续执行，即重复执行所述切割处理，直至所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上。
每个grid上的栅格立柱对应一个透射电子显微镜样品，一般的，一个grid上会有3至5个栅格立柱，进而最后得到了多个TEM样品。在一个grid中的每个栅格立柱上均对应焊接一个TEM样品，且没有将晶圆区块中的各个待观察结构均对应制作成TEM样品时，可以拿取新的grid继续执行切割处理。
S107：将分割晶圆中靠近对应的待观察结构的第一侧面的一侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，以第二预设方向对分割晶圆中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面进行减薄，以获得分割晶圆对应的透射电子显微镜样品，以将所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上。
若所述分割晶圆对应的其他待观察结构的数量为一，则将分割晶圆中靠近对应的待观察结构的第一侧面的一侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，以第二预设方向对分割晶圆中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面进行减薄，以获得分割晶圆对应的透射电子显微镜样品，以将所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上。
也就是说，在分割晶圆中只有一个待观察结构时，将分割晶圆中由长度和高度组成的一个面焊接在空闲的格栅立柱上，对分割晶圆中由宽度和高度组成的面进行减薄，从而得到分割晶圆中一个待观察结构对应的透射电子显微镜样品，进而，将晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上。
S108：对各个格栅立柱上的透射电子显微镜样品进行芯片内部结构检测。
由于各个栅格立柱为一个整体，进而，可以将各个格栅立柱上的透射电子显微镜样品一起移动至透射电子显微镜处，通过透射电子显微镜逐个对格栅立柱上的透射电子显微镜样品进行芯片内部结构检测，从而确定各个透射电子显微镜样品中是否存在不良区，进而确定不良区对应的待观察结构在芯片中的位置，从而追溯生产过程，以便于分析导致出现不良区的原因。
所述透射电子显微镜样品在第一预设方向的长度小于100纳米。
本申请实施例中还提供了与上述实施例提供的芯片内部结构检测方法对应的透射电子显微镜试样，透射电子显微镜试样包括多个透射电子显微镜样品，每个透射电子显微镜样品分别位于一个栅格立柱上，每个透射电子显微镜样品对应一个待观察结构。
基于同一申请构思，本申请实施例中还提供了与上述实施例提供的芯片内部结构检测方法对应的透射电子显微镜试样的制备方法，由于本申请实施例中的装置解决问题的原理与本申请上述实施例的芯片内部结构检测方法相似，因此透射电子显微镜试样的制备方法的实施可以参见芯片内部结构检测方法的实施，重复之处不再赘述。
透射电子显微镜试样的制备方法包括：从晶圆样品上挖取一晶圆区块，所述晶圆区块包括晶圆样品上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，其中多个待观察结构对应在一个芯片内；针对待切割件执行如下切割处理：将待切割件的目标侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，在初次切割时所述待切割件为晶圆区块，所述目标侧面为待切割件中靠近多个待观察结构的第一侧面的一侧面，第一侧面由待观察结构的长度和高度组成，对所述待切割件进行切割，以将分割晶圆从所述格栅立柱上切割下来，以在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区，所述待观察结构子区包括对应的一个目标待观察结构，所述分割晶圆包括所述待切割件中除目标待观察结构之外的其他待观察结构，以第二预设方向对所述待观察结构子区的减薄侧面进行减薄，获得目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品，所述第二预设方向为垂直于第一预设方向的方向，所述减薄侧面为待观察结构子区中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面，所述第二侧面由待观察结构的高度和宽度组成，将所述分割晶圆作为待切割件，并重复执行所述切割处理，直至所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上，将位于各个栅格立柱上的透射电子显微镜样品作为所述透射电子显微镜试样。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***和装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。在本申请所提供的几个实施例中，应所述理解到，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者所述技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，所述计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种芯片内部结构检测方法，其特征在于，所述方法包括：
从晶圆样品上挖取一晶圆区块，所述晶圆区块包括晶圆样品上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，其中多个待观察结构对应在一个芯片内，各个待观察结构沿着第一预设方向向晶圆区块的与第一预设方向垂直的一侧面做投影得到的各个待观察结构的投影面，各个待观察结构的投影面之间有重叠；
针对待切割件执行如下切割处理：将待切割件的目标侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，在初次切割时所述待切割件为晶圆区块，所述目标侧面为待切割件中靠近多个待观察结构的第一侧面的一侧面，第一侧面由待观察结构的长度和高度组成，
对所述待切割件进行切割，以将分割晶圆从所述格栅立柱上切割下来，以在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区，所述待观察结构子区包括对应的一个目标待观察结构，所述分割晶圆包括所述待切割件中除目标待观察结构之外的其他待观察结构，
以第二预设方向对所述待观察结构子区的减薄侧面进行减薄，获得目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品，所述第二预设方向为垂直于第一预设方向的方向，所述减薄侧面为待观察结构子区中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面，所述第二侧面由待观察结构的高度和宽度组成；
将所述分割晶圆作为待切割件，并重复执行所述切割处理，直至所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上；
对各个格栅立柱上的透射电子显微镜样品进行芯片内部结构检测；
通过以下方式对所述待切割件进行切割：
将所述待切割件的任意一侧的待观察结构作为目标待观察结构；
依据所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域内的标记线，以第二预设方向对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割，所述标记线用于标记各个待观察结构的位置；
沿着第一预设方向对所述目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除所述目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置进行切割。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述标记线在挖取晶圆区块前，已存在于相邻的两个待观察结构之间，所述标记线包括平行标记线，所述平行标记线为位于相邻待观察结构之间的间隔区域且与待观察结构的宽度平行的任一条线；
或者，所述标记线包括距离标记线，所述距离标记线用于标记相邻待观察结构之间的间隔距离，所述距离标记线平行于待观察结构的长度。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述标记线包括平行标记线，通过以下方式对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割：
沿着所述平行标记线切割第一长度，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割，所述第一长度与所述待切割件的宽度比值为预设比值；
沿着所述平行标记线切割第二长度，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述标记线包括距离标记线，通过以下方式对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割：
依据所述距离标记线，对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第一次切割，以将切割得到的待观察结构子区和分割晶圆之间部分分割；
依据所述距离标记线，对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域进行第二次切割，以使所述待观察结构子区与分割晶圆之间全部分割。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过以下方式从晶圆样品中挖取晶圆区块：
确定晶圆样品的目标区域，目标区域中包括一个芯片上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，各个待观察结构沿着第一预设方向在第二预设方向上的投影有重叠；
确定所述目标区域中位于相邻待观察结构之间的间隔区域的标记线；
对所述标记线进行蚀刻之后，在所述目标区域的表面沉积保护层，并使蚀刻之后的标记线部分暴露在所述保护层外部；
将沉积保护层之后的目标区域从晶圆样品中提取出来，以得到晶圆区块。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，通过以下方式确定所述标记线：
依据相邻待观察结构之间的间隔线段，确定位于相邻待观察结构之间的标记线，所述间隔线段用于表示相邻待观察结构之间在待观察结构的长度所在方向的距离。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在分割晶圆对应的其他待观察结构的数量为一时，将分割晶圆中靠近对应的待观察结构的第一侧面的一侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，以第二预设方向对分割晶圆中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面进行减薄，以获得分割晶圆对应的透射电子显微镜样品，以将所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上。
8.一种透射电子显微镜试样的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
从晶圆样品上挖取一晶圆区块，所述晶圆区块包括晶圆样品上沿着第一预设方向排列的多个待观察结构，其中多个待观察结构对应在一个芯片内，各个待观察结构沿着第一预设方向向晶圆区块的与第一预设方向垂直的一侧面做投影得到的各个待观察结构的投影面，各个待观察结构的投影面之间有重叠；
针对待切割件执行如下切割处理：将待切割件的目标侧面焊接在样品台的一个空闲的格栅立柱上，在初次切割时所述待切割件为晶圆区块，所述目标侧面为待切割件中靠近多个待观察结构的第一侧面的一侧面，第一侧面由待观察结构的长度和高度组成，
对所述待切割件进行切割，以将分割晶圆从所述格栅立柱上切割下来，以在所述格栅立柱上保留一个待观察结构子区，所述待观察结构子区包括对应的一个目标待观察结构，所述分割晶圆包括所述待切割件中除目标待观察结构之外的其他待观察结构，
以第二预设方向对所述待观察结构子区的减薄侧面进行减薄，获得目标待观察结构对应的透射电子显微镜样品，所述第二预设方向为垂直于第一预设方向的方向，所述减薄侧面为待观察结构子区中靠近目标待观察结构的第二侧面的一侧面，所述第二侧面由待观察结构的高度和宽度组成，
将所述分割晶圆作为待切割件，并重复执行所述切割处理，直至所述晶圆区块中的每个待观察结构对应的透射电子显微镜样品被保留在对应的格栅立柱上，将位于各个栅格立柱上的透射电子显微镜样品作为所述透射电子显微镜试样；
通过以下方式对所述待切割件进行切割：
将所述待切割件的任意一侧的待观察结构作为目标待观察结构；
依据所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间的间隔区域内的标记线，以第二预设方向对所述目标待观察结构与对应相邻的待观察结构之间进行切割，所述标记线用于标记各个待观察结构的位置；
沿着第一预设方向对所述目标侧面与对应格栅立柱的焊接位置中除所述目标待观察结构的第一侧面投影之外的焊接位置进行切割。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979151A (zh) * 2014-04-14 2015-10-14 Fei公司 高容量tem栅格
CN105158516A (zh) * 2015-08-20 2015-12-16 上海华力微电子有限公司 一种集成电路分析中透射电镜平面样品的制备方法
CN114858828A (zh) * 2022-02-23 2022-08-05 厦门士兰集科微电子有限公司 透射电子显微镜样品的制备方法
CN115931933A (zh) * 2023-01-06 2023-04-07 长鑫存储技术有限公司 透射电子显微镜栅氧样品的制作方法及其结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979151A (zh) * 2014-04-14 2015-10-14 Fei公司 高容量tem栅格
CN105158516A (zh) * 2015-08-20 2015-12-16 上海华力微电子有限公司 一种集成电路分析中透射电镜平面样品的制备方法
CN114858828A (zh) * 2022-02-23 2022-08-05 厦门士兰集科微电子有限公司 透射电子显微镜样品的制备方法
CN115931933A (zh) * 2023-01-06 2023-04-07 长鑫存储技术有限公司 透射电子显微镜栅氧样品的制作方法及其结构

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