CN116918037A - 半导体装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序；·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。

Description

半导体装置的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。更具体而言，本发明涉及利用先切割工艺将晶片单片化而得到芯片、并且在芯片背面形成保护膜的半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，已使用被称为所谓倒装(face down)方式的安装法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，通过将在电路面具备凸块的半导体芯片和该半导体芯片搭载用基板以使该半导体芯片的电路面与该基板相对的方式层叠，从而将该半导体芯片搭载在该基板上。

需要说明的是，该半导体芯片通常是将在电路面具备凸块的半导体晶片进行单片化而得到的。

近年来，伴随着电子设备等IC嵌入产品的小型化及薄型化的发展，对于半导体芯片(以下，也称为“芯片”)等半导体装置的小型化及薄型化也越来越提出了进一步要求。为此，在由半导体晶片(以下，也称为“晶片”)制造半导体装置的过程中，晶片被磨削至数十～数百μm这样的厚度。在对上述那样的在电路面具备凸块等突出部的半导体晶片进行磨削时，特别是由于凸块等突出部的存在，在磨削中发生晶片的变形、破损的风险增高。

为此，已采用了例如在对晶片的形成有凸块一侧的面(以下，也称为“凸块形成面”)粘贴所谓的背磨片，然后对晶片的与形成有凸块一侧的面为相反侧的面(以下，也称为“背面”)进行磨削的方法。

另外，与使用背磨片的工艺不同，还提出了通过在凸块形成面与支撑基材之间填充树脂层并使其固化而使凸块、晶片端部附近的具有倾斜的部分埋入固化物层，并在具备该固化物层的状态下进行磨削的方法。通过采用这样的方法，还采用了得到厚度精度高、裂纹等少的晶片的方法。例如，在专利文献1中公开了下述方法：对于晶片的具有突出部的一面，以使突出部埋入的方式设置保护膜、固化性树脂及载体，在使该固化性树脂固化之后，对晶片的与具有突出部的一面为相反侧的面进行磨削。

另外，已采用了下述所谓的先切割工艺：预先在晶片的凸块形成面设置槽、或者预先在晶片内部利用激光等设置改性区域，在对晶片背面磨削时使磨削面到达槽、或者利用磨削时的振动以改性区域为起点将晶片劈开，由此将晶片单片化为芯片的工艺。先切割工艺减少了以一个一个的芯片状态进行处理的工序，适合于更薄芯片的制造。需要说明的是，先切割工艺一般而言是指预先在凸块形成面设置槽的工艺，但在本说明书中，采取在磨削工序之前先进行用于将晶片单片化的预备处理这样的广泛含义，视为也包括预先在晶片内部设置改性区域的工艺。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第6312343号公报

发明内容

发明要解决的问题

另一方面，在上述的倒装方式中，由于形成的是芯片的与凸块形成面为相反侧的表面露出的结构，因此，为了得到更加不易产生裂纹等损伤的芯片，优选在芯片的背面设置保护膜，希望以与芯片相对应的形状简便地形成保护膜。

本发明是鉴于上述问题而完成的，其课题在于提供半导体装置的制造方法，该方法能够以与芯片相对应的形状简便地得到形成于芯片的与凸块形成面为相反侧的表面的保护膜等。

解决问题的方法

本发明人等想到，通过在上述的磨削工序之后另外地设置将设于芯片的背面的保护膜等切断的工序，保护膜也能够以与芯片相对应的形状获得，进而完成了本发明的制造方法。

即，本发明涉及下述[1]～[10]。

[1]一种半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，

·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其上述凸块及上述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于上述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；

·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与上述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；

·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；

·工序(S4)：对上述晶片的与上述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将上述晶片沿着上述槽或上述改性区域单片化为多个芯片的工序；

·工序(S5)：在上述多个芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；

·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序，

进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，

·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。

[2]上述[1]所述的半导体装置的制造方法，其中，

工序(S2)是在第一固化性树脂层(X1)上进一步层叠支撑基材(Y1)的工序。

[3]上述[1]或[2]所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序(SD)中，利用激光将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断、或者通过在第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与层叠有多个芯片的一面为相反侧的表面粘贴伸长性膜并使该伸长性膜伸长而将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断。

[4]上述[1]～[3]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SP)，

·工序(SP)：将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片剥离的工序。

[5]上述[4]所述的半导体装置的制造方法，其在工序(S6)之后包括工序(SP)。

[6]上述[1]～[5]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其在工序(S1)之前进一步包括下述工序(SC)，

·工序(SC)：在上述凸块形成面上形成易剥离层(p2)的工序。

[7]上述[6]所述的半导体装置的制造方法，其中，

易剥离层(p2)为易剥离层膜(p2f)。

[8]上述[6]所述的半导体装置的制造方法，其中，

上述晶片为具有设置于上述凸块形成面的槽的晶片，在工序(SC)中，将形成易剥离层(p2)的易剥离层形成用组合物填充于上述晶片的槽的内部而形成易剥离层(p2)。

[9]上述[4]～[8]中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序(SP)中，粘合片粘贴于第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与粘贴于多个芯片的一面为相反侧的面。

[10]一种半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S11)～(S3)，

·工序(S11)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其上述凸块及上述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)；

·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与上述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；

·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；

进一步，在工序(S11)之后，包括下述工序(W)，

·工序(W)：在上述晶片的内部形成改性区域的工序，

进一步，在工序(S3)及工序(W)之后，依次包括下述工序(S14)～(S6)，

·工序(S14)：对上述晶片的与上述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将上述晶片沿着上述改性区域单片化为多个芯片的工序；

·工序(S5)：在上述多个芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；

·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序，

进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，

·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。

发明的效果

根据本发明，可以提供能够以与芯片相对应的形状简便地得到形成于芯片的与凸块形成面为相反侧的表面的保护膜的半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是本发明的半导体装置的制造方法的一个方式(第一制造方法)涉及的工序简图。

图2是示出在本发明的一个方式中使用的芯片制作用晶片的一例的俯视图。

图3是示出在本发明的一个方式中使用的芯片制作用晶片的一例的剖面简图。

图4是示出经过工序(S1)而得到的层叠体的一例的剖面简图。

图5是工序(S1)～(S3)的一个方式的简图。

图6是工序(S4)的一个方式的简图。

图7是工序(S5)～(S6)的一个方式的简图。

图8是第二固化性树脂膜(x2f)的剖面简图。

图9是示出第二复合片(α2)的构成的剖面简图。

图10是包括工序(SD)及(SP)的工序的一个方式的简图。

图11是包括工序(SD)及(SP)的工序的另一个方式的简图。

图12是示出经过工序(SC)及(S1)而得到的层叠体的例子的剖面简图。

图13是本发明的半导体装置的制造方法的一个方式(第二制造方法)涉及的工序简图。

符号说明

10-1芯片制作用晶片

11晶片

11a凸块形成面

11b背面

12 凸块

13 槽

14保护膜(r)的切断部位

20 芯片

x1 第一固化性树脂

X1 第一固化性树脂层

Y1 支撑基材

p1 磨削用固化物层

X2 第二固化性树脂层

r 保护膜

x2f第二固化性树脂膜

x2a第1面

x2b第2面

151第1剥离膜

152第2剥离膜

α2 第二复合片

Z2 第二支撑片

30经单片化而得到的芯片与分割得到的保护膜的层叠体(半导体装置)

40 粘合片

41 粘合剂层

42 基材

50 环形框

p2 易剥离层

p2f易剥离层膜

具体实施方式

在本说明书中，“半导体装置”是指在背面形成有保护膜等的芯片以及包含该芯片的装置，包含该芯片的装置是指用于例如处理器、存储器、传感器等的能够通过利用半导体特性而发挥功能的所有装置。

在本说明书中，“有效成分”是指在作为对象的组合物所包含的成分中除水、有机溶剂等稀释溶剂以外的成分。

另外，在本说明书中，重均分子量是通过凝胶渗透色谱(GPC)法测定的换算为聚苯乙烯的值。

对于本发明的半导体装置的制造方法中的各工序而言，在允许某一工序与下一工序同时进行的情况下，也包括这样的实施方式。

[半导体装置的制造方法]

本发明的半导体装置的制造方法的一个方式(以下，也称为“第一制造方法”)涉及的工序简图如图1所示。

作为本发明的半导体装置的制造方法的一个方式，依次包括下述工序(S1)～(S6)，

·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其上述凸块及上述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于上述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；

·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与上述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；

·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；

·工序(S4)：对上述晶片的与上述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将上述晶片沿着上述槽或上述改性区域单片化为多个芯片的工序；

·工序(S5)：在上述多个芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；

·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序。

进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，

·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。

另外，在本发明的半导体装置的制造方法的一个方式中，优选在工序(S6)之后包括工序(SD)。

另外，在本发明的半导体装置的制造方法的一个方式中，可以在工序(S4)之后包括下述任选的工序(SP)，优选在工序(S5)之后包括工序(SP)，更优选在工序(S6)之后包括工序(SP)。

·工序(SP)：将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片剥离的工序。

另外，在本发明的半导体装置的制造方法的一个方式中，优选在工序(S1)之前包括下述任选的工序(SC)。

·工序(SC)：在上述凸块形成面上形成易剥离层(p2)的工序。

作为本发明的半导体装置的制造方法的一个方式，可以包括上述任选采用的工序(SP)及(SC)这两者。

以下，针对本发明的半导体装置的制造方法，逐个工序地详细进行说明。

[工序(S1)]

在工序(S1)中，在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆上述凸块及上述凸块形成面的方式形成能够从上述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)，所述晶片具有设置于上述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域。

作为在工序(S1)中使用的晶片的一个方式，可列举例如在图2及图3中以简图示出的晶片。该晶片的俯视简图如图2所示、剖面简图如图3所示。

图2及图3所示的晶片是在一面具备凸块12的具有凸块形成面11a的晶片11的凸块形成面11a以未到达晶片背面11b的方式形成有槽13的晶片10-1(以下，也称为“芯片制作用晶片10-1”)。

需要说明的是，在图2中省略了凸块的图示。另外，为了使本发明的特征容易理解，方便起见，在以下的说明所使用的图中，有时放大示出了作为主要部分的部分，且各构成要素的尺寸比率等并不一定与实际相同。

在图2及图3所示的芯片制作用晶片10-1的凸块形成面11a，以格子状形成有多个槽13来作为将芯片制作用晶片10-1单片化时的预分割线。多个槽13是采用先切割工艺时所形成的切入槽，以浅于晶片11的厚度的深度形成，从而使槽13的最深部不会到达晶片背面11b。多个槽13例如可以通过现有公知的使用了具备切割刀的晶片切割装置、进行激光切割的装置等的切割而形成。

需要说明的是，多个槽13只要以使所制造的芯片成为期望的尺寸及形状的方式形成即可，不一定要以图2所示那样的格子状形成槽13。另外，芯片的尺寸通常为0.5mm×0.5mm～10mm×10mm左右，但并不限定于该尺寸。

槽13的宽度优选为10μm～2,000μm、更优选为30μm～1,000μm、进一步优选为40μm～500μm、更进一步优选为50μm～300μm。

槽13的深度可相应于所使用的晶片的厚度及所要求的芯片厚度而进行调整，优选为30μm～700μm、更优选为60μm～600μm、进一步优选为100μm～500μm。

槽13的纵横比可以为2～6、也可以为2.5～5、还可以为3～5。

另外，作为在工序(S1)中使用的晶片的一个方式，可列举例如具有在晶片内部形成的改性区域的晶片(以下，也称为“芯片制作用晶片10-2”，未图示)。

上述改性区域的形成例如可以通过在工序(S1)之前实施下述工序(W)而进行。

<工序(W)>

·工序(W)：在晶片的内部形成改性区域的工序。

改性区域的形成可以通过照射焦点聚集于晶片的内部的激光或等离子体而进行。激光或等离子体的照射可以从晶片的凸块形成面侧进行，另外，也可以从晶片的背面侧进行。

在上述的任一方式的晶片中，凸块12的形状均没有特别限定，只要能够与芯片搭载用的基板上的电极等接触而固定，则可以是任何形状。

例如，在本说明书的各图中，将凸块12设为了球状，但凸块12也可以是旋转椭球体。

凸块12的高度没有特别限定，可根据设计上的要求而适当变更。

若进行示例，优选为30μm～300μm、更优选为60μm～250μm、进一步优选为80μm～200μm。

需要说明的是，“凸块12的高度”是指，在着眼于1个凸块时，存在于距凸块形成面11a最高的位置的部位处的高度。

对于凸块12的个数也没有特别限定，可根据设计上的要求而适当变更。

晶片11是表面形成有例如布线、电容器、二极管及晶体管等的电路的晶片。该晶片的材质没有特别限定，可列举例如：硅晶片、碳化硅晶片、及化合物半导体晶片、以及再配置半导体芯片并进行了密封而成的所谓的扇出型晶片级封装(FO-WLP)的晶片、面板级封装(PLP)的面板等。

晶片11的尺寸没有特殊限定，可列举直径8英寸(200mm)或12英寸(300mm)的圆形的晶片，另外，可以根据各工序中使用的装置、制造方式等而适当选择。

晶片11的厚度没有特殊限定，但从易于抑制伴随着使第一固化性树脂层(X1)固化时的收缩而发生的翘曲的观点、在后续工序中抑制晶片11的背面11b的磨削量而缩短背面磨削所需要的时间的观点出发，优选为100μm～1,000μm、更优选为200μm～900μm、进一步优选为300μm～800μm。

在以下对各工序的说明中，主要以使用芯片制作用晶片10-1的情况为例进行说明。

图4是示出在经过工序(S1)而得到的芯片制作用晶片10-1的凸块形成面11a形成有第一固化性树脂层(X1)的层叠体的一例的剖面简图。

在图4所示的层叠体中，第一固化性树脂层(X1)填充至了槽13的内部，以包覆凸块12及凸块形成面11a的方式在凸块12及凸块形成面11a上直接形成了第一固化性树脂层(X1)。

在本说明书中，“直接形成”是指，例如在图4所示的层叠体的情况下，第一固化性树脂层(X1)不夹隔其它层等、以直接接触的方式形成于芯片制作用晶片10-1的凸块12及凸块形成面11a。

像这样地，第一固化性树脂层(X1)直接形成在了凸块12及凸块形成面11a上，但在晶片的凸块形成面上形成有后述的易剥离层(p2)的情况下，第一固化性树脂层(X1)有时夹隔着易剥离层(p2)而形成在凸块12及凸块形成面11a上。即，第一固化性树脂层(X1)直接形成在凸块形成面11a上、或是夹隔着易剥离层(p2)而形成在凸块形成面11a上。

作为形成第一固化性树脂层(X1)的方法，没有特殊限制，利用分配器等将用以形成第一固化性树脂层(X1)的第一固化性树脂(x1)供给至凸块12及凸块形成面11a上即可。另外，也可以是例如通过浸涂法等进行涂敷的方法。

另外，例如还可以是下述方法：如后面所述地预先在支撑基材上涂布第一固化性树脂(x1)而制作成为膜形态的第一固化性树脂膜(x1f)(以下，也称为“树脂膜(x1f)”)，再将树脂膜(x1f)粘贴于凸块12及凸块形成面11a上而形成。

另外，例如也可以是如后面所述地使用第一复合片(α1)而形成的方法，还可以是上述专利文献1中记载的如下的方法。即，为如下方法：在支撑基材(Y1)上设置柔软性的第一固化性树脂(x1)，使柔软性的第一固化性树脂(x1)与晶片的凸块形成面相对，使凸块形成面或后述的易剥离层(p2)抵接于柔软性的第一固化性树脂(x1)，由此，使得晶片上所设置的凸块嵌入柔软性的第一固化性树脂(x1)。

另外，第一固化性树脂层(X1)的厚度优选为50μm以上、更优选为100μm以上、进一步优选为200μm以上，另外，优选为1,000μm以下、更优选为800μm以下。

需要说明的是，关于用以形成磨削用固化物层(p1)的第一固化性树脂(x1)、第一复合片(α1)的详细情况，在后面的工序(S3)中进行说明。

[工序(S2)]

在工序(S2)中，将第一固化性树脂层(X1)的与上述凸块形成面为相反侧的表面平坦化。作为上述平坦化的方法，优选在第一固化性树脂层(X1)上进一步层叠支撑基材(Y1)的方法。

使用了芯片制作用晶片10-1的情况下的工序(S2)的优选的一个方式的概要如图5所示。图5(a)示出的是在上述工序(S1)之后或与上述工序(S1)同时地，经过工序(S2)而在第一固化性树脂层(X1)上进一步层叠支撑基材(Y1)而得到的层叠体的剖面简图。

例如，正如在图5(a)中以剖面简图示出的那样，通过在第一固化性树脂层(X1)的表面(与凸块形成面11a相反侧的面)上层叠支撑基材(Y1)，第一固化性树脂层(X1)的上述表面变得平滑，从而能够使在后续工序(S3)中使第一固化性树脂层(X1)固化而得到的磨削用固化物层(p1)的表面平滑化。磨削用固化物层(p1)的表面如果是平滑的，则从在工序(S4)中对晶片背面进行磨削时容易使施加于晶片的压力得到均匀地分散、可进一步降低晶片发生破损的风险、并且容易得到厚度更均匀的晶片的观点出发是优选的。从这样的观点出发，更优选以与晶片背面平行的方式形成第一固化性树脂层(X1)的上述表面。

支撑基材(Y1)可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯膜这样的树脂膜，也可以是由硅、玻璃或不锈钢这样的材质形成的刚性的基板。

在本发明的半导体装置的制造方法的一个方式中，可以在工序(S1)之后、工序(S3)之前进行工序(S2)，也可以与工序(S1)同时进行工序(S2)。与工序(S1)同时进行工序(S2)的情况下，可以采用例如以下方法：将具有由支撑基材(Y1)和树脂膜(x1f)层叠而成的层叠结构的第一复合片(α1)以上述第一固化性树脂层(X1)为粘贴面挤压并粘贴于凸块12及凸块形成面11a上。

另外，在工序(S2)中使用了支撑基材(Y1)的情况下，对于将支撑基材(Y1)剥离的时机，只要能够将第一固化性树脂层(X1)的与上述凸块形成面为相反侧的表面平坦化则没有特别限制，但优选在工序(S3)中形成了磨削用固化物层(p1)之后进行剥离。

[工序(S3)]

在工序(S3)中，使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)。

使用了芯片制作用晶片10-1的情况下工序(S3)的优选的一个方式的概要如图5所示。关于图5(a)，如上所述，作为工序(S3)的优选的一个方式，可以使图5(a)所示的层叠体中的第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)。

如图5(b)所示，磨削用固化物层(p1)以包覆凸块12及凸块形成面11a的方式形成。在后续工序(S4)中对晶片背面11b进行磨削时，磨削用固化物层(p1)主要用于降低凸块12及晶片11的损伤风险。另外，进行磨削处理时，容易得到厚度精度更高的晶片以及由该晶片单片化而成的芯片。

需要说明的是，磨削用固化物层(p1)在工序(S4)中的磨削处理后、在后述的工序(SP)中被剥离。即，如上所述，磨削用固化物层(p1)是能够剥离的层。

第一固化性树脂层(X1)的固化可以根据第一固化性树脂(x1)中所含的固化性成分的种类而利用例如热固化或能量射线固化，也可以进行热固化及能量射线固化这两者。

另外，从缩短固化时间的观点出发，第一固化性树脂(x1)优选为能量射线固化性树脂。

在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量子的那些。作为能量射线的例子，可列举紫外线、放射线、电子束等。紫外线例如可以使用高压水银灯、聚变灯、氙气灯、黑光或LED灯等作为紫外线光源来进行照射。电子束可以照射由电子束加速器等产生的电子束。

另外，磨削用固化物层(p1)的厚度优选为50μm以上、更优选为100μm以上、进一步优选为200μm以上，另外，优选为1,000μm以下、更优选为800μm以下。

另外，基于在工序(S2)中所说明的理由，优选在工序(S3)中形成的磨削用固化物层(p1)的表面(与凸块形成面为相反侧的面)是平滑的，另外，从同样的观点出发，更优选以与晶片背面平行的方式形成磨削用固化物层(p1)的表面。

<第一固化性树脂(x1)>

作为工序(S1)～(S3)中的所述第一固化性树脂(x1)，可列举热固性或能量射线固化性的树脂，也可以具有热固性及能量射线固化性这两种特性。

由第一固化性树脂(x1)形成的第一固化性树脂层(X1)经固化而形成磨削用固化物层(p1)。

对于构成第一固化性树脂(x1)的材料，只要以使得由第一固化性树脂层(X1)固化而得到的磨削用固化物层(p1)具有保护凸块及晶片免受后述的工序(S4)中磨削时的压力、振动等影响的功能、并且能够在后述的工序(SP)中剥离的方式适当进行选择即可，没有特别限定。例如，可以是在固化后会使磨削用固化物层(p1)具有橡胶那样的粘弹性的材料，另外，也可以是具有刚性、达到坚硬的状态的树脂。第一固化性树脂(x1)还可以包含粘度调整成分、成膜性成分、粘接性调整成分等除了与固化相关的成分以外的成分。

例如，作为第一固化性树脂(x1)的优选方式，可列举：“ResiFlat(注册商标)”(商品名、株式会社Disco制)、“TEMPLOC(注册商标)”(商品名、Denka株式会社制)等。

<第一复合片(α1)>

第一复合片(α1)只要是能够形成第一固化性树脂层(X1)的构成则没有特殊限定，其具有由成为支撑基材(Y1)的第一支撑片(Z1)、和树脂膜(x1f)层叠而成的层叠结构。

其中，第一复合片(α1)所具有的树脂膜(x1f)由与上述的第一固化性树脂(x1)同样的材质形成。

树脂膜(x1f)可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多层构成。在树脂膜(x1f)由多层构成的情况下，该多个层相互可以相同也可以不同，该多个层的组合没有特殊限定。

从提高对凸块及晶片的凸块形成面的包覆性的观点出发，树脂膜(x1f)的厚度优选为50μm以上、更优选为100μm以上、进一步优选为200μm以上，另外，优选为1,000μm以下、更优选为800μm以下。

这里，“树脂膜(x1f)的厚度”是指树脂膜(x1f)整体的厚度，例如，由多层构成的树脂膜(x1f)的厚度是指构成树脂膜(x1f)的全部层的合计厚度。

以下，针对用于第一复合片(α1)的第一支撑片(Z1)进行说明。

(第一支撑片(Z1))

第一支撑片(Z1)作为用以支撑树脂膜(x1f)的支撑体发挥功能，也作为支撑基材(Y1)而发挥功能。

另外，在树脂膜(x1f)为热固性的情况下，从抑制在热固化工序中的收缩、熔融的观点出发，优选第一支撑片(Z1)的耐热性优异。

另外，在树脂膜(x1f)为能量射线固化性的情况下，优选第一支撑片(Z1)具有能量射线透过性。

以下，针对第一支撑片(Z1)所具有的基材、第一支撑片(Z1)所任选具有的粘合剂层进行说明。

[基材]

基材为片状或膜状，作为其构成材料，可列举例如以下的各种树脂。

作为构成基材的树脂，可列举例如：聚烯烃、烯属共聚物、氯乙烯类树脂(使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)、聚对苯二甲酸乙二醇酯、氨基甲酸酯类树脂等。

另外，作为构成基材的树脂，还可列举例如：至此为止所示例出的上述树脂中的一种或两种以上经交联而得到的交联树脂；使用了至此为止所示例出的上述树脂中的一种或两种以上的离聚物等改性树脂。

构成基材的树脂可以单独使用一种，也可以将两种以上组合使用。构成基材的树脂为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。

基材可以仅为一层(单层)，也可以为两层以上的多层。基材为多层的情况下，该多个层相互可以相同也可以不同，对于该多个层的组合没有特别限定。

基材的厚度优选为5μm～1,000μm、更优选为10μm～500μm、进一步优选为15μm～300μm、更进一步优选为20μm～150μm。

基材优选为厚度精度高的材料，即，优选为厚度的偏差不依赖于部位而得到了抑制的材料。在上述构成材料中，作为能够用于构成这样的基材的厚度精度高的材料，可列举例如：聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯类共聚物等。

基材可利用公知的方法制造。例如，含有树脂的基材可以通过将含有上述树脂的树脂组合物成型而制造。

[粘合剂层]

作为粘合剂层中含有的粘合剂，可列举例如：包含丙烯酸类树脂(由具有(甲基)丙烯酰基的树脂形成的粘合剂)、氨基甲酸酯类树脂(由具有氨基甲酸酯键的树脂形成的粘合剂)、橡胶类树脂(由具有橡胶结构的树脂形成的粘合剂)、有机硅类树脂(由具有硅氧烷键的树脂形成的粘合剂)等树脂的粘合剂。这些当中，优选为包含丙烯酸类树脂的粘合剂。

粘合剂层可以是使用能量射线固化性粘合剂形成的层，也可以是使用非能量射线固化性粘合剂形成的层。使用能量射线固化性的粘合剂形成的粘合剂层在固化前及固化后的物性能够容易地进行调节。

接下来，针对第一复合片(α1)的制造方法进行说明。

<第一复合片(α1)的制造方法>

第一复合片(α1)可以通过将上述各层按照对应的位置关系依次层叠而制造。

例如，在制造第一支撑片(Z1)时，要在基材上层叠粘合剂层的情况下，可以通过在基材上涂敷粘合剂组合物并根据需要进行干燥、或照射能量射线，从而层叠粘合剂层。

另一方面，例如，要在已层叠于基材上的粘合剂层上进一步层叠第一固化性树脂层(X1)的情况下，可以在粘合剂层上涂敷第一固化性树脂膜形成用组合物而直接形成树脂膜(x1f)。

第一固化性树脂层(X1)或粘合剂层可以预先通过涂敷而以单独地制造，并分别层叠在粘合剂层或基材上。

[工序(S4)]

在工序(S4)中，对上述晶片的与上述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将上述晶片沿着上述槽或上述改性区域单片化为多个芯片。

作为工序(S4)的一个方式，示出使用了采用图6(a)所示的芯片制作用晶片10-1而得到的层叠体的情况的概要，并基于该简图而对工序(S4)进行说明。

在工序(S4)中，首先，如图6(a)所示地，在粘贴有磨削用固化物层(p1)的状态下对芯片制作用晶片10-1的背面11b进行磨削。图6(a)中的“BG”表示背磨。进而，如图6(b)所示地，通过磨削直至芯片制作用晶片10-1的槽13的底部露出，从而使芯片制作用晶片10-1沿着槽13而单片化为多个芯片20。

经过直至工序(S4)的工序，单片化后的多个芯片例如如图6(b)所示地，以夹隔着磨削用固化物层(p1)的状态而被相互保持着。

另外，在使用设有改性区域的芯片制作用晶片10-2作为上述晶片的情况下，晶片的背面被磨削至可由改性区域而引起芯片制作用晶片10-2发生劈开并由此实现单片化的程度即可，在晶片劈开后，优选磨削至改性区域消失的程度。通过使芯片制作用晶片10-2由改性区域而引起劈开，由此可沿着上述改性区域而单片化为多个芯片。

在工序(S4)中经过了磨削后的晶片的厚度优选为150μm以下、更优选为100μm以下、进一步优选为75μm以下，另外，优选为10μm以上、更优选为20μm以上、进一步优选为30μm以上。

[工序(S5)]

在工序(S5)中，在上述多个芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面形成第二固化性树脂层(X2)。例如，如图7(a)所示地，以形成有磨削用固化物层(p1)的状态在多个芯片20的与上述凸块形成面为相反侧的面、即背面11b形成第二固化性树脂层(X2)。

在工序(S5)中，为了形成第二固化性树脂层(X2)，可使用第二固化性树脂膜(x2f)(以下，也称为“树脂膜(x2f)”)。就树脂膜(x2f)而言，优选使用具有由第二支撑片(Z2)与树脂膜(x2f)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)。具体而言，优选工序(S5)为下述工序：将具有由第二支撑片(Z2)与树脂膜(x2f)层叠而成的层叠结构的第二复合片(α2)以上述树脂膜(x2f)为粘贴面粘贴于芯片的背面。

在图7(a)中，磨削用固化物层(p1)进入槽、直至到达芯片的背面，第二固化性树脂层(X2)是以不进入到芯片间的方式形成的。此时，与芯片间相对应的部分的第二固化性树脂层(X2)的厚度薄，从而容易在工序(SD)中将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断。另一方面，在磨削用固化物层(p1)未到达芯片的背面的情况下、或后述的易剥离层(p2)以不达到槽13的深部的方式覆盖着槽13的情况下，至少在芯片的厚度方向上的一部分，第二固化性树脂层(X2)可以进入到芯片间(未图示)。通过这样的方式，保护膜(r)至少在芯片背面附近对芯片的侧面也加以保护，因此能够降低发生芯片缺陷等的可能性。

在工序(S5)中使用第二复合片(α2)的情况下，从第二复合片(α2)将第二支撑片(Z2)剥离的时机可以是在工序(S5)与后述的工序(S6)之间，也可以是在工序(S6)之后。

另外，在工序(S5)中使用第二复合片(α2)的情况下，第二复合片(α2)所具有的第二支撑片(Z2)优选在支撑树脂膜(x2f)的同时，兼具作为晶片的固定片的功能。

在后述的在工序(SD)中，第二复合片(α2)由于被粘贴在了上述多个芯片的背面，由此，在进行第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的分割时，可利用第二支撑片(Z2)来固定芯片，从而能够更容易地实施对第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的分割。

另外，在通过拉伸第二支撑片(Z2)而进行后述的工序(SD)中第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的切断的情况下，第二支撑片(Z2)优选为具备扩展性的伸长性膜。

另外，第二固化性树脂层(X2)的厚度优选为3μm以上、更优选为5μm以上、进一步优选为7μm以上，另外，优选为300μm以下、更优选为150μm以下、进一步优选为75μm以下。

<第二固化性树脂膜(x2f)>

第二固化性树脂膜(x2f)只要是能够在芯片的背面形成保护膜(r)的膜形态的构成则没有特殊限定，例如可以是热固性或能量射线固化性，也可以具有热固性及能量射线固化性这两种特性。由树脂膜(x2f)形成的第二固化性树脂层(X2)通过加热或照射能量射线而固化，形成保护膜(r)。

图8中针对树脂膜(x2f)的一例而示出了剖面简图。

图8所示的树脂膜(x2f)在其一面(以下，也称为“第1面”)x2a上具备第1剥离膜151、在与上述第1面x2a为相反侧的另一面(以下，也称为“第2面”)x2b上具备第2剥离膜152。

具备这样的构成的树脂膜(x2f)适于以例如卷状的形式保存。

就图8所示的树脂膜(x2f)而言，第1剥离膜151及第2剥离膜152中的任意一者被去除，所产生的露出面成为对粘贴对象物的粘贴面。进而，第1剥离膜151及第2剥离膜152中剩余的另一者被去除，所产生的露出面也可以成为用于构成后述的第二复合片(α2)的第二支撑片(Z2)的粘贴面。另外，第1剥离膜151及第2剥离膜152中剩余的另一者也可以作为第二支撑片(Z2)而发挥功能。

树脂膜(x2f)可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多层构成。在树脂膜(x2f)由多层构成的情况下，该多个层相互可以相同也可以不同，该多个层的组合没有特殊限定。

树脂膜(x2f)的厚度优选为3μm以上、更优选为5μm以上、进一步优选为7μm以上，另外，优选为300μm以下、更优选为150μm以下、进一步优选为75μm以下。

这里，“树脂膜(x2f)的厚度”是指树脂膜(x2f)整体的厚度，例如，由多层构成的树脂膜(x2f)的厚度是指构成树脂膜(x2f)的全部层的合计厚度。

(第二固化性树脂膜形成用组合物)

第二固化性树脂膜(x2f)可以使用含有其构成材料的第二固化性树脂膜形成用组合物而形成。例如，树脂膜(x2f)可以通过在其形成对象面涂敷第二固化性树脂膜形成用组合物并根据需要使其干燥而形成。第二固化性树脂膜形成用组合物中的有效成分彼此间的含量比率通常与树脂膜(x2f)中的有效成分彼此间的含量比率相同。

第二热固性树脂膜(x2f-1)(以下，也称为“树脂膜(x2f-1)”)可以使用第二热固性树脂膜形成用组合物(x2f-1-1)形成，第二能量射线固化性树脂膜(x2f-2)(以下，也称为“树脂膜(x2f-2)”)可以使用第二能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x2f-2-1)形成。

第二固化性树脂膜形成用组合物的涂敷采用公知的方法进行即可，例如，可列举使用旋涂机、喷涂机、气刀涂布机、刮涂机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布器、吻涂机等各种涂布机的方法。

无论树脂膜(x2f)为热固性及能量射线固化性中的哪种性质，第二固化性树脂膜形成用组合物的干燥条件均没有特别限定。

以下，针对第二热固性树脂膜形成用组合物(x2f-1-1)及第二能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x2f-2-1)进行更为详细的说明。

<第二热固性树脂膜形成用组合物(x2f-1-1)>

作为第二热固性树脂膜形成用组合物(x2f-1-1)，可列举例如：含有聚合物成分(A)、热固性成分(B)、填充材料(C)、着色剂(D)及添加剂(E)的第二热固性树脂膜形成用组合物(x2f-1-1)(以下，也称为“组合物(x2f-1-1)”)等。

(聚合物成分(A))

作为聚合物成分(A)，优选例如丙烯酸类聚合物，也可以使用除丙烯酸类聚合物以外的聚酯、苯氧基树脂、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚硅氧烷、橡胶类聚合物等。作为聚合物成分(A)的重均分子量(Mw)，优选为2万～300万、更优选为5万～200万。另外，也可以使用聚乙烯醇缩醛、饱和聚酯树脂等。

(热固性成分(B))

热固性成分(B)为具有热固性、用于使树脂膜(x2f-1)发生热固化而形成硬质的固化物的成分。

组合物(x2f-1-1)及树脂膜(x2f-1)中含有的热固性成分(B)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意选择。

作为热固性成分(B)，可列举例如包含环氧类热固性树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂等的材料。

这些当中，热固性成分(B)优选包含环氧类热固性树脂。

热固性成分(B)优选进一步包含酚类热固化剂、胺类热固化剂等热固化剂，另外，优选包含叔胺类、咪唑类、有机膦类等的固化促进剂。

(填充材料(C))

通过调节组合物(x2f-1-1)及树脂膜(x2f-1)中的填充材料(C)的量，可以更容易地对树脂膜(x2f-1)的固化物的热膨胀系数进行调节，例如，通过使树脂膜(x2f-1)的固化物的热膨胀系数相对于该固化物的形成对象物而言达到最优化，使用树脂膜(x2f-1)而得到的封装体的可靠性会进一步提高。另外，通过使用含有填充材料(C)的树脂膜(x2f-1)，还可以减小树脂膜(x2f-1)的固化物的吸湿率、或提高放热性。

填充材料(C)可以是有机填充材料及无机填充材料中的任意材料，但优选为无机填充材料。

作为优选的无机填充材料，可列举例如：二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、氧化铁红、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而得到的珠；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。

这些中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。

(着色剂(D))

这里，从提高通过激光打标而形成的印字的视觉辨认性的观点、不易观察到芯片背面的磨削痕迹而提高芯片的设计性的观点等出发，树脂膜(x2f-1)及组合物(x2f-1-1)优选含有着色剂(D)。

作为着色剂(D)，可列举例如：无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。

(添加剂(E))

作为添加剂(E)，可列举例如：流变调节剂、表面活性剂、硅油等。

更具体而言，作为上述流变调节剂，可列举例如：多羟基羧酸酯、多元羧酸、聚酰胺树脂等。

作为上述表面活性剂，可列举例如：改性硅氧烷等。另外，也可以使属于上述的聚合物成分(A)的丙烯酸类聚合物作为表面活性剂而发挥功能。

作为上述硅油，可列举例如：芳烷基改性硅油、改性聚二甲基硅氧烷等，作为改性基团，可列举：芳烷基；羟基等极性基团；乙烯基、苯基等具有不饱和键的基团。

作为添加剂(E)，除了上述以外，还可列举例如：偶联剂、交联剂、流平剂、增塑剂、抗静电剂、抗氧剂、离子捕获剂、吸气剂、紫外线吸收剂、增粘剂、链转移剂等其它各种通用添加剂。

作为偶联剂，优选为与聚合物成分、热固性成分中含有的化合物所具有的官能团发生反应的化合物，更优选为硅烷偶联剂。

(第二热固性树脂膜形成用组合物(x2f-1-1)的制造方法)

第二热固性树脂膜形成用组合物(x2f-1-1)可通过配合用于构成该组合物的各成分而得到。

配合各成分时的添加顺序没有特殊限定，也可以同时添加两种以上的成分。还可以适当地利用有机溶剂等对各成分的混合物进行稀释。

<第二能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x2f-2-1)>

作为第二能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x2f-2-1)，可列举例如：含有能量射线固化性成分(a)、填充材料、着色剂及添加剂的第二能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x2f-2-1)(以下，也称为“组合物(x2f-2-1)”)等。

(能量射线固化性成分(a))

能量射线固化性成分(a)是通过照射能量射线而发生固化的成分。

作为能量射线固化性成分(a)，可列举例如：具有能量射线固化性基团的重均分子量80,000～2,000,000的聚合物(a1)、及具有能量射线固化性基团的重均分子量为100～80,000的化合物(a2)。上述聚合物(a1)可以是其至少一部分经交联剂进行了交联的聚合物，也可以是未经交联的聚合物。作为能量射线固化性基团，可列举丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基等具有不饱和碳键的官能团。

(填充材料)

通过调节组合物(x2f-2-1)及树脂膜(x2f-2)中的填充材料的量，可以更容易地对树脂膜(x2f-2)的固化物的热膨胀系数进行调节，例如，通过使树脂膜(x2f-2)的固化物的热膨胀系数相对于保护膜的形成对象物而言达到最优化，使用树脂膜(x2f-2)而得到的封装体的可靠性会进一步提高。另外，通过使用含有填充材料的树脂膜(x2f-2)，还可以减小树脂膜(x2f-2)的固化物的吸湿率、或提高放热性。

组合物(x2f-2-1)及树脂膜(x2f-2)中含有的上述填充材料与前面所说明的组合物(x2f-1-1)及树脂膜(x2f-1)中含有的填充材料(C)相同。

组合物(x2f-2-1)及树脂膜(x2f-2)的填充材料的含有方式也可以与组合物(x2f-1-1)及树脂膜(x2f-1)的填充材料(C)的含有方式相同。

组合物(x2f-2-1)及树脂膜(x2f-2)中含有的填充材料可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上的情况下，它们的组成及比率可以任意选择。

(着色剂)

组合物(x2f-2-1)及树脂膜(x2f-2)中含有的着色剂与前面所说明的组合物(x2f-1-1)及树脂膜(x2f-1)中含有的着色剂(D)相同。

(添加剂)

组合物(x2f-2-1)及树脂膜(x2f-2)中含有的添加剂与前面所说明的组合物(x2f-1-1)及树脂膜(x2f-1)中含有的添加剂(E)相同。

(其它成分)

组合物(x2f-2-1)及树脂膜(x2f-2)也可以在不破坏本发明效果的范围内含有不属于能量射线固化性成分(a)、上述填充材料、上述着色剂及上述添加剂中任一者的其它成分。

作为上述其它成分，可列举例如：不具有能量射线固化性基团的重均分子量80,000～2,000,000的聚合物、热固性成分、光聚合引发剂等。例如，通过使用含有上述能量射线固化性成分(a)及热固性成分的组合物(x2f-2-1)，树脂膜(x2f-2)的通过加热而对被粘附物的粘接力提高、该树脂膜(x2f-2)的固化物的强度也提高。在使用具有能量射线固化性基团的重均分子量100～80,000的化合物(a2)的情况下，优选将不具有能量射线固化性基团的重均分子量80,000～2,000,000的聚合物作为能量射线固化性成分(a)而同时使用。

(第二能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x2f-2-1)的制造方法)

第二能量射线固化性树脂膜形成用组合物(x2f-2-1)可通过配合用于构成该组合物的各成分而得到。

除了例如配合成分的种类不同这点以外，组合物(x2f-2-1)可以通过与前面所说明的组合物(x2f-1-1)的情况同样的方法来制造。

<第二复合片(α2)>

图9示出的是第二复合片(α2)的构成例。

第二复合片(α2)是第二支撑片(Z2)为基材、且在基材的一面具备有第二固化性树脂层(X2)的第二复合片(α2)

另外，如上所述，树脂膜(x2f)可以通过与作为第二固化性树脂层(X2)的第二支撑片(Z2)层叠而构成第二复合片(α2)。

另外，例如，第二复合片(α2)可以如上所述是第二支撑片(Z2)为基材、且在基材的一面具备有第二固化性树脂层(X2)的形式。

另外，如在第一复合片(α1)的说明中阐述过的那样，第二支撑片(Z2)除了基材以外，还可以具有粘合剂层。第二支撑片(Z2)所具有的基材及粘合剂层可以是与上述的第一支撑片(Z1)所具有的基材及粘合剂层同样的构成及材质。

作为第二固化性树脂膜(x2f)或第二复合片(α2)，也可以使用市售品，例如，可以使用琳得科株式会社制造的“Adwill LC Tape”等。

[工序(S6)]

在工序(S6)中，使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)。

例如，如图7(b)所示地，在形成有磨削用固化物层(p1)的状态下在多个芯片20的与上述凸块形成面为相反侧的面、即背面11b形成保护膜(r)。

第二固化性树脂层(X2)的固化可以根据第二固化性树脂膜(x2f)中所含的固化性成分的种类而利用例如热固化或能量射线固化来进行，也可以进行热固化及能量射线固化这两者来进行。

例如，作为工序(S6)的一个方式，在使第二固化性树脂层(X2)发生热固化的情况下，作为固化时的加热温度，优选为100～200℃、更优选为110～170℃、进一步优选为120～150℃。另外，上述热固化时的加热时间优选为0.5～6小时、更优选为0.5～5小时、进一步优选为1～4小时。

例如，作为工序(S6)的一个方式，在使第二固化性树脂层(X2)发生能量射线固化的情况下，能量射线的照度优选为5～4,000mW/cm²、更优选为50～1,000mW/cm²、进一步优选为180～280mW/cm²。另外，上述固化时的能量射线的光量优选为100～4,000mJ/cm²、更优选为200～2,000mJ/cm²、进一步优选为450～1,000mJ/cm²。

另外，保护膜(r)的厚度优选为3μm以上、更优选为5μm以上、进一步优选为7μm以上，另外，优选为300μm以下、更优选为150μm以下、进一步优选为75μm以下。

需要说明的是，也可以对第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)进行激光打标。激光打标是通过激光照射而对第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与层叠有多个芯片的一面为相反侧的表面进行刮削来进行打标的方法。激光打标可以在工序(S5)或(S6)之后进行，优选在工序(S6)之后进行。

[工序(SD)]

在工序(SD)中，将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状。

工序(SD)在工序(S5)之后进行，进一步优选在工序(S6)之后进行。

在工序(SD)中，作为将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的方法，可以采用例如刀片切割、激光切割、等离子体切割等现有公知的方法。

在采用上述方法、并从第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的一侧将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断的情况下，为了使得芯片间隔的确认、例如对于图11(a)所示的层叠体的情况而言为了使得在芯片单片化前对原来为晶片11的槽13的部位等分割位置的确认变得容易，优选第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)具有红外线透过性或透明性，从降低可见光的透过性以使得不易观察到芯片20的背面11b的磨削痕迹等表面的状态的观点出发，优选具有红外线透过性。具体而言，第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)在波长1,600nm下的透光率优选为25％以上、更优选为40％以上、进一步优选为50％以上。透光率设为不使用积分球而测定的值，作为测定器具，使用分光光度计。作为分光光度计，可以使用例如SHIMADZU公司制造的UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600，此时，在测定中使用附带的大型试样室MPC-3100、不使用内置的积分球来进行测定。

另外，也可以采用下述方法：在由第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)和多个芯片构成的层叠体中的第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与层叠有多个芯片的一面为相反侧的表面粘贴伸长性膜，通过使该伸长性膜伸长而将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断的方法(以下，也称为“扩展割断”)。

其中，从能够防止刀片与芯片的接触的观点、提高生产性的观点出发，优选激光切割、等离子体切割或扩展割断，更优选激光切割或扩展割断。

特别是，在使用芯片制作用晶片10-2作为晶片的情况下，在通过由改性区域引起芯片制作用晶片10-2劈开而进行了单片化之后，在芯片间不存在间隙，有时会导致刀片切割用的刀片、激光切割用的激光等难以在间隙通过，因此优选采用扩展割断。

另外，在进行扩展割断的情况下，优选预先在第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的内部形成改性区域。该改性区域的形成可以通过照射焦点聚集于第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的内部的激光或等离子体而进行。

另外，也可以相应于第二固化性树脂层(X2)的性状边进行第二固化性树脂层(X2)的加热、冷却边进行扩展割断。

另外，还可以相应于保护膜(r)的性状边进行保护膜(r)的加热、冷却边进行扩展割断。

另外，在进行扩展割断的情况下，也可以使用上述第二复合片(α2)的第二支撑片(Z2)作为伸长性膜。

图10示出了在使用了采用芯片制作用晶片10-1而得到的芯片20、且在工序(S6)之后进行工序(SD)的情况下的一个优选的方式的概要。

具体而言，图10示出了在经由粘合片40而用环形框50支撑着保护膜(r)与多个芯片20的层叠体的状态下进行工序(SD)的情况的一例。

首先，如图10(a)所示地，经过工序(S6)而准备以形成有磨削用固化物层(p1)的状态在多个芯片20的与上述凸块形成面为相反侧的面、即背面11b形成有保护膜(r)的层叠体。然后，使粘合片40粘贴于该层叠体的保护膜(r)的与粘贴于多个芯片的一面为相反侧的面。

该粘合片40只要是能够支撑保护膜(r)与多个芯片20的层叠体的片状的材料则没有特别限定，例如，优选如图10所示那样具备基材42、和设置于基材42的一面的粘合剂层41，且在该粘合剂层41上粘贴有保护膜(r)。

其中，在上述的第二复合片(α2)中，第二支撑片(Z2)也可以用作粘合片40。

另外，如图10(a)所示地，该粘合片40优选比保护膜(r)与多个芯片20的层叠体大一圈。通过使粘合片40为这样的方式，可在其中央区域配置保护膜(r)与多个芯片20的层叠体，并且使粘合剂层41在包围着中央区域的外周区域露出，因此，能够将其经由粘合剂层41而容易地粘贴于环形框50。

另外，例如也可以使保护膜(r)本身比存在多个芯片的区域(即，进行芯片化之前的晶片外周)大一圈，在保护膜(r)的粘贴有芯片一侧的表面的不存在芯片的外缘部设置用以贴合于环形框50的粘合剂层，从而经由该粘合剂层而粘贴于环形框50(未图示)。

接着，如图10(b)所示地，在保护膜(r)的与粘贴于多个芯片20的一面为相反侧的面粘贴有粘合片40的状态下，将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片20剥离。即，进行工序(SP)。关于工序(SP)的详细情况，如后面所述。

接着，如图10(c)所示地，在粘贴有粘合片40的状态下，对将磨削用固化物层(p1)剥离而露出的保护膜(r)沿着原来为晶片11的槽13的部位进行切断，由此能够将保护膜(r)分割为与各芯片相对应的形状。作为切断方法，可以采用上述的各种方法，在采用扩展割断的情况下，优选将粘合片40设为伸长性膜。

在为图10所示的方式的情况下，在工序(SD)中进行扩展割断时，工序(SP)优选在工序(SD)之前进行。另一方面，在工序(SD)中使用除扩展割断以外的上述分割方法时，工序(SP)可以在进行工序(SD)之前之后中的任一时间进行，但优选在工序(SD)之前进行。

经过上述工序，可得到经过了分割的保护膜(r)与芯片的层叠体(半导体装置)30。

另外，图11示出的是在使用了采用芯片制作用晶片10-1而得到的芯片20、且在工序(S6)之后进行工序(SD)的情况下的另一个优选的方式的概要。

具体而言，图11示出了在使用保护膜(r)与多个芯片20的层叠体直接进行工序(SD)的情况下的一例。

首先，如图11(a)所示地，经过工序(S6)而准备以形成有磨削用固化物层(p1)的状态在多个芯片20的与上述凸块形成面为相反侧的面、即背面11b形成有保护膜(r)的层叠体。

接着，如图11(b)所示地，从保护膜(r)的与粘贴于多个芯片20的一面为相反侧的面沿着原来为晶片11的槽13的部位进行切断，由此将保护膜(r)分割为与各芯片相对应的形状。作为切断方法，可以采用上述的各种方法。通过切断保护膜(r)，可得到经过了分割的保护膜(r)与芯片的层叠体(半导体装置)30。

此时，保护膜(r)的切断部位14只要能够切断保护膜(r)即可，切断部位14也可以到达磨削用固化物层(p1)。但是，如果磨削用固化物层(p1)完全被切断，则不再存在保持经过了分割的保护膜(r)与芯片的层叠体30的部分，必须要对各个层叠体30进行处理。因此，优选如图11(b)所示地，保留至能够保持下述状态的程度：各个层叠体30能够以借助着磨削用固化物层(p1)的状态而相互保持着的状态。

另外，从避免对一个一个的层叠体30进行处理的观点出发，优选如图11(c)所示地，在用粘合片40而支撑经过了分割的保护膜(r)与芯片的层叠体30之后，将磨削用固化物层(p1)从保护膜(r)与芯片的层叠体30剥离。即，进行工序(SP)。作为该粘合片40，可以使用与在图10中所说明的粘合片同样的那些。

[工序(SP)]

在上述的任选采用的工序(SP)中，将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化的多个芯片剥离。

在本发明的半导体装置的制造方法的一个方式中，在工序(S4)之后包括工序(SP)。

另外，优选在工序(S5)之后包括工序(SP)。通过在工序(S5)之后进行工序(SP)，可以避免在将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化的多个芯片剥离时不再存在芯片的支撑体的情况。因此，不会产生对各个芯片进行处理的阶段，或者，也不需要将芯片从磨削用固化物层(p1)转移至除第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)以外的支撑体这样的工序，因此也有助于工序数的削减。

进一步，更优选在工序(S6)之后包括工序(SP)。通过进行工序(S6)，芯片与保护膜(r)之间会更强固地粘接，因此，将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化的多个芯片的表面剥离会变得容易。

另外，从防止第二固化性树脂层(X2)、保护膜(r)本身的破损的观点，以及从由于第二固化性树脂层(X2)也有时具有粘接性因而要提高第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)与芯片的层叠体的处理性的观点出发，优选在第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与粘贴于多个芯片的一面为相反侧的面设置支撑体。

特别是，在工序(SP)中将磨削用固化物层(p1)剥离时，为了防止在第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)与上述支撑体的界面的剥离，优选上述支撑体为粘合片。即，在工序(SP)中，优选粘合片粘贴于第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与粘贴于多个芯片的一面为相反侧的面。作为该方式的优选方式的例子，可列举图10及图11所示的粘合片40，而关于该粘合片，如前面所述。

作为将磨削用固化物层(p1)剥离的方法，可列举对磨削用固化物层(p1)施加外部刺激而使其软化至能够剥离的程度来进行剥离的方法。

例如，作为形成磨削用固化物层(p1)的树脂，对于上述的TEMPLOC(Denka株式会社制)那样的固化树脂等，为了将固化后的树脂软化而使剥离处理变得容易，可以在加入一定温度以上的温水或浸渍于温水中等后进行剥离处理。

另外，作为磨削用固化物层(p1)的其它剥离方法，可列举对磨削用固化物层(p1)照射激光而使其从经过了单片化的多个芯片剥离的方法。

另外，在工序(S2)中使用了支撑基材(Y1)、且在不剥离支撑基材(Y1)的情况下进行了工序(S4)的情况下，可以将支撑基材(Y1)及磨削用固化物层(p1)同时剥离，也可以在剥离支撑基材(Y1)之后再将磨削用固化物层(p1)如上所述地进行剥离。

[工序(SC)]

在上述的任选采用的工序(SC)中，在工序(S1)之前在晶片的上述凸块形成面上形成易剥离层(p2)。

通过工序(SC)，在形成易剥离层(p2)的情况下，经过工序(S1)～(S3)而形成的磨削用固化物层(p1)形成在易剥离层(p2)上。

图12(a)～(c)为剖面简图，示出了在经过工序(SC)及工序(S1)而得到的芯片制作用晶片10-1的凸块形成面11a上形成有易剥离层(p2)及第一固化性树脂层(X1)的层叠体的例子。

如图12(a)～(c)所示地，易剥离层(p2)可直接形成在凸块形成面11a上。

易剥离层(p2)主要是出于下述目的而设置的：在工序(S4)中对晶片背面进行了磨削之后，使得在工序(SP)中易于将磨削用固化物层(p1)从上述凸块及凸块形成面上剥离。为此，虽然易剥离层(p2)至少形成在凸块形成面上即可，但优选如图12(a)～(c)所示那样以包覆凸块12及凸块形成面11a的方式形成。

另外，在使用芯片制作用晶片10-1作为晶片的情况下，如图12(a)～(c)所示，通过以覆盖槽13的方式形成易剥离层(p2)，可以防止磨削用固化物层(p1)与第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)直接接触。其结果是，能够更容易地将磨削用固化物层(p1)剥离。

对于易剥离层(p2)，也可以将用于形成易剥离层的易剥离层形成用组合物制成膜的形态，以易剥离层膜(p2f)形式包覆在上述凸块形成面上。另外，还可以通过利用分配器等供给用于形成易剥离层的易剥离层形成用组合物的方法来形成。另外，还可以通过例如浸涂法等形成。

从作业性的观点出发，优选形成易剥离层膜(p2f)而应用。

另外，例如在使用芯片制作用晶片10-1作为晶片、且使用易剥离层膜(p2f)作为易剥离层(p2)的情况下，从可以在工序(S5)之后直到工序(SP)期间使得易剥离层膜(p2f)不与第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)接触的观点出发，也优选使用易剥离层膜(p2f)。

例如，如图12(b)所示地，在使易剥离层膜(p2f)以不到达槽13的深部的方式包覆着槽13时，能够防止易剥离层膜(p2f)与第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)直接接触。其结果是，能够更容易地将易剥离层膜(p2f)和磨削用固化物层(p1)从切口部分剥离。

另外，在以易剥离层膜(p2f)的形式包覆在上述凸块形成面上时，也可以进行加热等，边使其伸长边形成。另外，通过使用具有足够侵入槽部的柔软性和刚性的膜，更容易形成图12(b)所示那样侵入槽的至少一部分、且不达到深部的方式。

需要说明的是，图12(a)的方式也包括在易剥离层膜(p2f)以不达到槽13的深部的方式覆盖着槽13的方式中。

另外，在使用芯片制作用晶片10-1作为晶片的情况下，例如，优选图12(c)所示那样将形成易剥离层(p2)的易剥离层形成用组合物填充于上述晶片的槽的内部来形成易剥离层(p2)。相比于磨削用固化物层(p1)，通过预先填充第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)、或者填充不易与芯片的凸块形成面或侧面粘接的易剥离层形成用组合物，能够防止磨削用固化物层(p1)与第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)直接接触。其结果是，能够更容易地将易剥离层膜(p2f)和磨削用固化物层(p1)从切口部分剥离。

在图12(c)中，易剥离层(p2)达到了槽13的深部，但也可以与图12(b)同样地，以不达到槽13的深部的方式形成易剥离层(p2)。

另外，易剥离层(p2)的厚度没有特殊限制，优选为5～200μm、更优选为5～100μm、进一步优选为8～80μm。

另外，易剥离层(p2)优选进一步连同磨削用固化物层(p1)一起，在工序(S4)中的晶片的磨削处理时发挥出降低上述凸块及晶片发生破损的风险的作用。

另外，易剥离层(p2)在工序(SP)中与磨削用固化物层(p1)同时从上述凸块及凸块形成面上剥离，或者在工序(SP)之后从上述凸块及凸块形成面上剥离。

<易剥离层形成用组合物>

易剥离层形成用组合物可以考虑到磨削用固化物层(p1)的剥离性、以及易剥离层(p2)从上述凸块和/或凸块形成面上的剥离性而适当选择。

易剥离层(p2)例如可以由热塑性树脂构成。就上述热塑性树脂的种类而言，只要是至少具有从上述凸块和/或凸块形成面的剥离性的材料则没有特殊限定，可列举例如：将乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸酯的三元共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物等单体和/或复合体的羧基利用钠离子、锂离子、镁离子等金属离子交联而得到的离聚物；聚丙烯；在聚丙烯中共混有苯乙烯-丁二烯共聚橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚橡胶、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚橡胶、乙烯-丙烯无规共聚橡胶、乙烯-丙烯橡胶等而得到的软质聚丙烯；聚氨酯；低密度聚乙烯等聚乙烯；乙烯-丙烯嵌段共聚物；乙烯-丙烯无规共聚物；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；乙烯-甲基丙烯酸共聚物；乙烯-1-辛烯共聚物；乙烯-苯乙烯共聚物；乙烯-苯乙烯-二烯共聚物；聚丁烯；等等。这些中，优选为选自乙烯-苯乙烯共聚物、聚乙烯、聚丙烯及聚丁烯中的至少一种，更优选为乙烯-苯乙烯共聚物。

另外，也可以通过使用芯片制作用晶片10-2作为晶片来防止磨削用固化物层(p1)与第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)直接接触。这是由于，在芯片制作用晶片10-2的情况下，由于不具有芯片制作用晶片10-1的槽13，因此能够避免磨削用固化物层(p1)与第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)直接接触。

需要说明的是，在使用芯片制作用晶片10-2作为晶片的情况下，也会由于设置工序(SC)而在工序(SP)中容易将磨削用固化物层(p1)从上述凸块及凸块形成面上剥离，因此从能够减小施加于凸块及晶片等的力的观点出发是优选的。

[第二半导体装置的制造方法]

另外，在使用芯片制作用晶片10-2作为晶片、且不在上述工序(S1)之前实施上述工序(W)中的改性区域的形成的情况下，也可以在上述工序(S4)之前实施上述工序(W)中的改性区域的形成。此时，为了减少对设有改性区域的晶片进行处理的操作，优选在上述工序(S3)之后且上述工序(S4)之前进行。

即，作为本发明的半导体装置的制造方法的一个方式，可列举如下的制造方法(以下，也称为“第二制造方法”)。另外，该第二制造方法涉及的工序简图如图13所示。

作为本发明的第二制造方法的一个方式，依次包括下述工序(S11)～(S3)，

·工序(S11)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其上述凸块及上述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)；

·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与上述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；

·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序。

进一步，在工序(S11)之后，包括下述工序(W)，

·工序(W)：在上述晶片的内部形成改性区域的工序。

进一步，在工序(S3)及工序(W)之后，依次包括下述工序(S14)～(S6)，

·工序(S14)：对上述晶片的与上述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将上述晶片沿着上述改性区域单片化为多个芯片的工序；

·工序(S5)：在上述多个芯片的与上述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；

·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序。

进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，

·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。

另外，在上述第二制造方法的一个方式中，优选在工序(S6)之后包括工序(SD)。

另外，在上述第二制造方法的一个方式中，也可以在工序(S14)之后包括下述任选的工序(SP)，优选在工序(S5)之后包括工序(SP)，更优选在工序(S6)之后包括工序(SP)。

·工序(SP)：将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片剥离的工序，

另外，在上述第二制造方法的一个方式中，优选在工序(S11)之前包括下述任选的工序(SC)。

·工序(SC)：在上述凸块形成面上形成易剥离层(p2)的工序

作为上述第二制造方法的一个方式，可以包括上述任选采用的工序(SP)及(SC)这两者。

在上述第二制造方法的工序(S11)中，在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆上述凸块及上述凸块形成面的方式形成能够从上述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)。

作为在工序(S11)中使用的晶片的一个方式，除了未预先具有槽及改性区域以外，可以使用与作为上述第一制造方法的上述工序(S1)中使用的晶片的一个方式所说明的晶片同样的晶片，其优选方式也相同。

关于第一固化性树脂层(X1)的方式及形成方法，与上述第一制造方法的上述工序(S1)中的第一固化性树脂层(X1)的方式及其形成方法同样，其优选方式也相同。

上述第二制造方法中的工序(S2)与在上述第一制造方法中所说明的工序(S2)同样，上述平坦化的方法及其优选方式也相同。

上述第二制造方法中的工序(S3)与在上述第一制造方法中所说明的工序(S3)同样，第一固化性树脂层(X1)的固化方法及磨削用固化物层(p1)的方式及形成方法、以及它们的优选方式也相同。

上述第二制造方法中的工序(W)与在上述第一制造方法中所说明的工序(W)同样。通过工序(W)，在工序(S11)中的上述晶片的内部形成改性区域，上述晶片成为芯片制作用晶片10-2。

上述第二制造方法中的工序(S14)除了待磨削的晶片限定为具有形成于晶片内部的改性区域的晶片以外，与在上述第一制造方法中所说明的工序(S4)同样，上述晶片的磨削方法及单片化为多个芯片的方法、以及它们的优选方式也相同。

上述第二制造方法中的工序(S5)与在上述第一制造方法中所说明的工序(S5)同样，第二固化性树脂膜(x2f)的方式及粘贴方法、以及它们的优选方式也相同，另外，第二固化性树脂层(X2)的方式及其形成方法、以及它们的优选方式也相同。

上述第二制造方法中的工序(S6)与在上述第一制造方法中所说明的工序(S6)同样，第二固化性树脂层(X2)的固化方法及保护膜(r)的方式及形成方法、以及它们的优选方式也相同。

上述第二制造方法中的工序(SD)与在上述第一制造方法中所说明的工序(SD)同样，将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着上述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的方法及其优选方式也相同。

上述第二制造方法中的任选的工序(SP)与在上述第一制造方法中所说明的工序(SP)同样，将上述将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片剥离的方法及其优选方式也相同。

上述第二制造方法中的任选的工序(SC)与在上述第一制造方法中所说明的工序(SC)同样，易剥离层(p2)的方式及其形成方法、以及它们的优选方式也相同。

另外，关于可以通过使用芯片制作用晶片10-2作为晶片而防止磨削用固化物层(p1)与第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)直接接触这样的在上述第一制造方法中所说明的效果，在上述第二制造方法中也同样能够获得。

Claims (10)

1.一种半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S1)～(S6)，

·工序(S1)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序，所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域；

·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；

·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序；

·工序(S4)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序；

·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；

·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序，

进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，

·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

工序(S2)是在第一固化性树脂层(X1)上进一步层叠支撑基材(Y1)的工序。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序(SD)中，利用激光将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断、或是通过在第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与层叠有多个芯片的一面为相反侧的表面粘贴伸长性膜并使该伸长性膜伸长而将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)切断。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SP)，

·工序(SP)：将磨削用固化物层(p1)从经过了单片化后的多个芯片剥离的工序。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其在工序(S6)之后包括工序(SP)。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其在工序(S1)之前进一步包括下述工序(SC)，

·工序(SC)：在所述凸块形成面上形成易剥离层(p2)的工序。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

易剥离层(p2)为易剥离层膜(p2f)。

8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述晶片为具有设置于所述凸块形成面的槽的晶片，在工序(SC)中，将形成易剥离层(p2)的易剥离层形成用组合物填充于所述晶片的槽的内部而形成易剥离层(p2)。

9.根据权利要求4～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

在工序(SP)中，粘合片粘贴于第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)的与粘贴于多个芯片的一面为相反侧的面。

10.一种半导体装置的制造方法，其依次包括下述工序(S11)～(S3)，

·工序(S11)：在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)；

·工序(S2)：将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序；

·工序(S3)：使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序，

进一步，在工序(S11)之后，包括下述工序(W)，

·工序(W)：在所述晶片的内部形成改性区域的工序，

进一步，在工序(S3)及工序(W)之后，依次包括下述工序(S14)～(S6)，

·工序(S14)：对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削，将所述晶片沿着所述改性区域单片化为多个芯片的工序；

·工序(S5)：在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序；

·工序(S6)：使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序，

进一步，在工序(S5)之后，包括下述工序(SD)，

·工序(SD)：将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。