CN116828898A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
显示面板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116828898A CN116828898A CN202310802519.0A CN202310802519A CN116828898A CN 116828898 A CN116828898 A CN 116828898A CN 202310802519 A CN202310802519 A CN 202310802519A CN 116828898 A CN116828898 A CN 116828898A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- array substrate
- pixel
- display panel
- pixels
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 196
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 31
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 20
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009459 flexible packaging Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请涉及一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括阵列基板和依次形成于阵列基板上的像素限定层及发光功能层，以及位于像素限定层背离阵列基板一侧的多个辅助电极，相邻的两个子像素对应的第二电极层在辅助电极的边缘处断开，辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，导电部形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，第一方向为显示面板的蒸镀方向，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影；像素限定层还形成有容纳导电部的凹槽，凹槽至少沿第一方向延伸，以使相邻的两个子像素的间距至少沿第一方向减小。该显示面板在降低阴极信号传输电阻、消除发光子像素之间器件串扰的同时，还可以提高像素开口率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着有机电致发光二极管(Organic LightEmitting Diode，简称OLED)显示面板尺寸的增加，发光元件的阴极层面积也会增加。顶发光的OLED显示面板的阴极层需要满足透光率要求不能太厚，这样大面积的阴极层必定导致面内电压的降低(IR-Drop)，影响显示画面的亮度均一性。为此，相关技术通常会在像素限定层上设置辅助电极，使其能够与阴极层搭接，利用辅助电极降低阴极层的整体电阻。另外，发光器件通常采用精细金属掩膜板作为遮挡，通过蒸镀工艺进行三色子像素的沉积。但是对于大尺寸的OLED显示面板来说，由于金属掩膜板下垂量过大，且精细掩模版开口桥接的区域也限制了像素发光区域蒸镀的有效面积，不利于开口率提升。
发明内容
本申请旨在提供一种显示面板及其制备方法，该显示面板在降低阴极信号传输电阻、消除发光子像素之间的器件串扰的同时，还可以提高像素开口率。
第一方面，本申请实施例提出了一种显示面板，显示面板，包括阵列基板和依次形成于阵列基板上的像素限定层及发光功能层，阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极，像素限定层包括多个像素开口，像素开口暴露第一电极的至少部分；发光功能层包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素，子像素包括位于第一电极上的发光结构和位于发光结构上的第二电极层；显示面板还包括位于像素限定层背离阵列基板一侧的多个辅助电极，相邻的两个子像素对应的第二电极层在辅助电极的边缘处断开，辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，导电部形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，第一方向为显示面板的蒸镀方向，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影；其中，像素限定层还形成有容纳导电部的凹槽，凹槽至少沿第一方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距至少沿第一方向减小。
在一种可能的实施方式中，凹槽的深度为h，像素限定层的厚度为t，且满足如下条件：h＝(1/3～1/2)*t。
在一种可能的实施方式中，凹槽贯穿像素限定层。
在一种可能的实施方式中，凹槽还沿第二方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距沿第二方向减小，第二方向与第一方向相交。
在一种可能的实施方式中，显示面板还包括平坦化层，平坦化层位于阵列基板与多个第一电极之间，平坦化层设置有多个过孔，过孔在阵列基板上的正投影位于相邻的两个第一电极在阵列基板上的正投影之间。
第二方面，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供阵列基板，阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极；在阵列基板上形成图案化的像素限定层，像素限定层包括多个像素开口，像素开口暴露第一电极的至少部分；在像素限定层上形成多个辅助电极，辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，导电部形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，第一方向为显示面板的蒸镀方向，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影；在像素限定层及多个辅助电极上蒸镀发光功能层，发光功能层包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素，子像素包括位于第一电极上的发光结构和位于发光结构上的第二电极层，且相邻的两个子像素对应的第二电极层在辅助电极的边缘处断开；其中，在像素限定层还形成有容纳导电部的凹槽，凹槽至少沿第一方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距至少沿第一方向减小。
在一种可能的实施方式中，凹槽为盲槽；或者，凹槽贯穿像素限定层。
在一种可能的实施方式中，凹槽还沿第二方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距沿第二方向减小，第二方向与第一方向相交。
在一种可能的实施方式中，在阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极之前，还包括：在阵列基板上形成图案化的平坦化层，平坦化层设置有多个过孔，过孔在阵列基板上的正投影位于相邻的两个第一电极在阵列基板上的正投影之间。
在一种可能的实施方式中，在像素限定层上形成多个辅助电极包括：在像素限定层上形成导电层；在导电部上形成屋檐层；同步刻蚀屋檐层和导电层，以分别形成多个辅助电极的覆盖部和导电部。
根据本申请实施例提供的一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括阵列基板和依次形成于阵列基板上的像素限定层、发光功能层以及位于像素限定层背离阵列基板一侧的多个辅助电极，阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极，像素限定层包括多个像素开口，像素开口暴露第一电极的至少部分；发光功能层包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素；子像素包括位于第一电极上的发光结构和位于发光结构上的第二电极层；相邻的两个子像素对应的第二电极层在辅助电极的边缘处断开；辅助电极包括导电部和位于导电部背离阵列基板一侧的覆盖部，导电部形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，第一方向为显示面板的蒸镀方向，覆盖部在阵列基板上的正投影覆盖导电部在阵列基板上的正投影；通过在像素限定层还形成有容纳导电部的凹槽，凹槽至少沿第一方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距至少沿第一方向减小。由此，可以使导电部所在膜层降低，使覆盖部与第一电极上方的像素限定层之间的高度降低，从而减小相邻的两个子像素之间的间距，在降低阴极信号传输电阻、消除发光子像素之间的器件串扰的同时，还可以提高像素开口率。
附图说明
下面将参考附图来描述本申请示例性实施例的特征、优点和技术效果。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制，仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸大的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。
图1示出相关技术中的显示面板的剖面结构示意图；
图2示出图1中显示面板的俯视结构示意图；
图3示出蒸镀源出射的蒸镀材料气体沿第一方向的分布示意图；
图4示出图3中蒸镀材料气体沿第二方向的分布示意图；
图5示出本申请第一实施例提供的显示面板的结构示意图；
图6示出图5所示的显示面板的俯视结构示意图；
图7示出本申请第二实施例提供的显示面板的结构示意图；
图8示出本申请第三实施例提供的显示面板的结构示意图；
图9示出本申请第四实施例提供的显示面板的制备方法的流程框图。
附图标记说明：
1、阵列基板；1a、衬底；1b、驱动阵列层；11、第一电极；2、像素限定层；21、像素开口；3、发光功能层；Px、子像素；31、发光结构；32、第二电极层；4、辅助电极；41、导电部；42、覆盖部；5、平坦化层；6、触控层；H、过孔；7、封装层；θ、蒸镀角。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本申请造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了区域结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本申请的具体结构进行限定。在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸式连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
目前OLED显示面板中的发光器件通常有三种量产方式：一是采用精细金属掩膜板作为掩膜，通过蒸镀工艺进行三色子像素的沉积；二是采用喷墨打印工艺，对不同位置的子像素进行精确打印；三是采用蒸镀工艺进行整面成膜，随后通过光刻工艺对成膜后的基板进行刻蚀，分出三色子像素。随着大尺寸显示面板的日益普及，采用第一种方式制作时因金属掩膜板的下垂量过大，因此采用第三种蒸镀与刻蚀相结合的方式已成为行业内层趋势。即先用蒸镀工艺进行整面成膜，借助蒸镀源的特殊构造，使得子像素的阴极末端能够与辅助电极之间形成搭接，再通过光刻工艺对成膜后的基板进行刻蚀，分出三色子像素。
图1示出相关技术中的显示面板的剖面结构示意图；图2示出图1中显示面板的俯视结构示意图。
如图1所示，相关技术中的显示面板包括阵列基板1和依次形成于阵列基板1上的像素限定层2及发光功能层3，阵列基板1上形成有阵列排布的多个第一电极11，像素限定层2包括多个像素开口21，像素开口21暴露第一电极11的至少部分；发光功能层3包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素Px，子像素Px包括位于第一电极11上的发光结构31和位于发光结构31上的第二电极层32；显示面板还包括位于像素限定层2背离阵列基板1一侧的多个辅助电极4，相邻的两个子像素Px对应的第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开，辅助电极4包括导电部41和位于导电部41背离阵列基板1一侧的覆盖部42，导电部41形成的金属线的延伸方向与第一方向X垂直，第一方向X为显示面板的蒸镀方向，覆盖部42在阵列基板1上的正投影覆盖导电部41在阵列基板1上的正投影。
如图2所示，显示面板的像素单元包括3个子像素，分别为红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素。显示面板的发光功能层3覆盖在第一电极11上方，第二电极层32覆盖在发光功能层3上方，相邻的两个子像素Px的第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开，并与导电部41搭接电连接。发光功能层3的各个子像素采用蒸镀工艺整面成膜。
图3示出蒸镀源出射的蒸镀材料气体沿第一方向的分布示意图；图4示出图3中蒸镀材料气体沿第二方向的分布示意图。
如图3和图4所示，第一方向X即为显示面板的蒸镀方向(亦可称之为Nozzle方向)，第二方向Y为移动方向(亦可称之为Scan方向)。实际蒸镀发光材料时，由于蒸镀源在第一方向X形成的是一片蒸镀云，因无限制板限制角度，材料的蒸镀角较大；而在第二方向Y，则可以通过限制板控制材料的蒸发角度。
如图1所示，像素限定层2的边缘与邻近的辅助电极4的覆盖部42的边缘之间的垂直距离为a，覆盖部42的边缘与导电部41的中部之间的垂直距离为b，蒸镀角度不同，在第一方向X或者第二方向Y方向影响的a值也不同。由于a值区域的膜厚不均，不能用于器件发光，像素限定层2的开口21必须避开此区域，以消除发光子像素之间的器件串扰。故相邻的子像素之间的间距必须＞2(a+b)，且相邻的子像素之间沿第一方向X的间距大于其沿第二方向Y的间距。
同时，显示区的第二电极层32的走线电阻大，导致信号近端和远端电压差异，产生面内显示不均匀，降低第二电极层32的走线电阻需要从设计端来解决。
有鉴于此，本申请各实施例提供一种显示面板，在降低阴极信号传输电阻、消除发光子像素之间的器件串扰的同时，还可以提高像素开口率。
第一实施例
图5示出本申请第一实施例提供的显示面板的结构示意图；图6示出图5所示的显示面板的俯视结构示意图。
如图5和图6所示，本申请第一实施例提供的显示面板，包括阵列基板1和依次形成于阵列基板1上的像素限定层2及发光功能层3，阵列基板1上形成有阵列排布的多个第一电极11，像素限定层2包括多个像素开口21，像素开口21暴露第一电极11的至少部分；发光功能层3包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素Px，子像素Px包括位于第一电极11上的发光结构31和位于发光结构31上的第二电极层32。
显示面板还包括位于像素限定层2背离阵列基板1一侧的多个辅助电极4，相邻的两个子像素Px对应的第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开，辅助电极4包括导电部41和位于导电部41背离阵列基板1一侧的覆盖部42，导电部41形成的金属线的延伸方向与第一方向X垂直，第一方向X为显示面板的蒸镀方向，覆盖部42在阵列基板1上的正投影覆盖导电部41在阵列基板1上的正投影。
其中，像素限定层2还形成有容纳导电部41的凹槽22，凹槽22至少沿第一方向X延伸，以使相邻的两个子像素Px之间的间距至少沿第一方向X减小。
本实施例中，显示面板为顶发射结构，第一电极11为阳极，第二电极层32为整面铺设的阴极，其中，相邻两个子像素对应的第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开，以使辅助电极4的边缘能够与辅助电极4的导电部41搭接连接，从而可以利用辅助电极4降低第二电极层32的整体电阻。
可选地，至少一个像素单元中的至少一个子像素上设置辅助电极4。辅助电极4的数量越多，第二电极层32的整体电阻的压降越小，有利于提高显示面板的亮度均一性。
可选地，子像素的形状为圆形、椭圆形和多边形中的任一者或者至少两者的组合。多边形可以为例如但不限于三角形、梯形、长条形、四边形、五边形、六边形等多边形。像素单元中，各个子像素的形状可以相同，也可以不同，根据具体的像素排布结构而定。
如图5所示，由于像素限定层2还形成有容纳导电部41的凹槽22，且凹槽22沿第一方向X延伸，使得辅助电极4的导电部41沿第一方向X整体下沉，进而使辅助电极4的覆盖部42与第一电极11上方的像素限定层2之间的高度有所降低，从而可以使像素限定层2的边缘与邻近的辅助电极4的覆盖部42的边缘之间的垂直距离a值减小，进而减小相邻子像素之间沿第一方向X的间距，增大子像素的占用空间，从而提高像素开口率。
本申请第一实施例提供的显示面板，通过在像素限定层2形成有容纳导电部41的凹槽22，且凹槽22至少沿第一方向X延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距至少沿第一方向X减小。由此，可以使导电部41所在膜层降低，使覆盖部42与第一电极11上方的像素限定层2之间的高度降低，从而减小相邻子像素之间的间距，在降低阴极信号传输电阻、消除发光子像素之间的器件串扰的同时，还可以提高像素开口率。
在一些实施例中，凹槽22的深度为h，像素限定层2的厚度为t，且满足如下条件：h＝(1/3～1/2)*t。
如图5所示，像素限定层2形成有凹槽22，凹槽22为具有预设深度的盲槽，以使辅助电极4的整体高度减小相应预设深度的距离。
在一些实施例中，凹槽22还沿第二方向Y延伸，以使相邻的两个子像素Px之间的间距沿第二方向Y减小，第二方向Y与第一方向X相交。
由于子像素沿第二方向Y的蒸镀角度通过限制板进行限制，蒸发角度越小，蒸镀材料的利用率越低。当凹槽22还在第二方向Y延伸时，可以在确保发光器件的性能满足要求的前提下，保持像素开口率不变，同时增加蒸镀角度，以提高蒸镀材料的利用率。
在一些实施例中，显示面板还包括平坦化层5，平坦化层5位于阵列基板1与多个第一电极11之间。阵列基板1包括衬底及位于衬底上的驱动阵列层，驱动阵列层包括像素电路，平坦化层5覆盖阵列基板1的表面，以使阵列基板1表面处于平坦化状态，便于后续在平坦化层5上制备多个第一电极11。衬底的材质可以为玻璃，也可以为聚亚酰胺。
可选地，发光功能层3还包括第一公共层和第二公共层。第一公共层包括位于第一电极11上的空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)以及位于空穴注入层背离阵列基板1一侧表面的空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)。第二公共层包括位于发光结构31表面的电子传输层(Electron Transport Layer，ETL)以及位于电子传输层背离发光结构31一侧表面的电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)。
进一步地，显示面板还包括封装层(图中未示出)，封装层覆盖发光功能层3及多个辅助电极4。封装层包括沿远离阵列基板1的方向依次设置的第一无机层、有机层和第二无机层。其中，第一无机层和第二无机层均为透明的无机膜层，其材质可以包括以下材料中的一种或多种：Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HFO2、Ta2O5、Si3N4、AlN、SiN、SiNO、SiO、SiO2、SiC、SiCNx、ITO、IZO。这些无机材料既具有良好的透光性能，又具有很好的水氧阻挡性能。有机层的材质为透明的有机导电树脂，具体包括透明基体树脂，以及导电分子和/或导电离子。具体可以为有机酸掺杂的聚苯胺、交联单体、甲苯等搅拌完全溶解后形成的透明导电树脂；或者，是在上述透明导电树脂中添加导电分子，如聚苯胺等；或者，是在上述透明导电树脂中添加导电离子，如纳米级掺锑SiO2，还可以采用纳米级氧化铟锡或者纳米银等纳米级导电离子。
无机物材料制成的第一无机层和第二无机层完全覆盖发光功能层3及多个辅助电极4，可以防止水汽从侧面入侵影响发光功能层3的电气性能。图案化的有机层具有较高的弹性，其夹设于第一无机层和第二无机层之间，既可以抑制无机薄膜开裂，释放无机物之间的应力，还可以在提高整个封装层的柔韧性，从而实现可靠的柔性封装。
第二实施例
图7示出本申请第二实施例提供的显示面板的结构示意图。
如图7所示，本申请第二实施例提供的显示面板，与第一实施例提供的显示面板结构类似，不同之处在于，像素限定层2的结构不同。
具体来说，像素限定层2的凹槽22贯穿像素限定层2，即凹槽22为通槽，用于容纳辅助电极4的导电部41，且凹槽22沿第一方向X延伸，使得辅助电极4的导电部41沿第一方向X整体下沉，进而使辅助电极4的覆盖部42与第一电极11上方的像素限定层2之间的高度有所降低。与第一实施例相比，辅助电极4的覆盖部42与第一电极11上方的像素限定层2之间的高度更低，从而可以使像素限定层2的边缘与邻近的辅助电极4的覆盖部42的边缘之间的垂直距离a值更小，进而进一步减小相邻子像素之间沿第一方向X的间距，增大子像素的占用空间，从而提高像素开口率。
进一步地，凹槽22还沿第二方向Y延伸，以使相邻的两个子像素Px之间的间距沿第二方向Y减小，第二方向Y与第一方向X相交。
由于子像素沿第二方向Y的蒸镀角度通过限制板进行限制，蒸发角度越小，蒸镀材料的利用率越低。当凹槽22还在第二方向Y延伸时，可以在确保发光器件的性能满足要求的前提下，保持像素开口率不变，同时增加蒸镀角度，以提高蒸镀材料的利用率。
第三实施例
图8示出本申请第三实施例提供的显示面板的结构示意图。
如图8所示，本申请第三实施例提供的显示面板，与第一实施例或者第二实施例提供的显示面板结构类似，不同之处在于，平坦化层5的结构不同。
具体来说，平坦化层5设置有多个过孔51，过孔51在阵列基板1上的正投影位于相邻的两个第一电极11在阵列基板1上的正投影之间。由于像素限定层2位于平坦化层5背离阵列基板1的一侧，像素限定层2可以填充于过孔51内，导致像素限定层2背离阵列基板1的一侧形成凹槽22，进而使辅助电极4的导电部41容纳于凹槽22内，使辅助电极4的覆盖部42与第一电极11上方的像素限定层2之间的高度有所降低。凹槽22可以为盲槽，也可以为通槽，不再赘述。
第四实施例
图9示出本申请第四实施例提供的显示面板的制备方法的流程框图。
如图9所示，本申请第四实施例提供的显示面板的制备方法，包括步骤S1～S4。
步骤S1：提供阵列基板1，阵列基板1上形成有阵列排布的多个第一电极11；
步骤S2：在阵列基板1上形成图案化的像素限定层2，像素限定层2包括多个像素开口21，像素开口21暴露第一电极11的至少部分；
步骤S3：在像素限定层2上形成多个辅助电极4，辅助电极4包括导电部41和位于导电部41背离阵列基板1一侧的覆盖部42，导电部41形成的金属线的延伸方向与第一方向X垂直，第一方向X为显示面板的蒸镀方向，覆盖部42在阵列基板1上的正投影覆盖导电部41在阵列基板1上的正投影；
步骤S4：在像素限定层2及多个辅助电极4上蒸镀发光功能层3，发光功能层3包括多个像素单元，像素单元包括多个子像素Px，子像素Px包括位于第一电极11上的发光结构31和位于发光结构31上的第二电极层32，且相邻的两个子像素Px对应的第二电极层32在辅助电极4的边缘处断开；
其中，在像素限定层2还形成有容纳导电部41的凹槽22，凹槽22至少沿第一方向X延伸，以使相邻的两个子像素Px之间的间距至少沿第一方向X减小。由于凹槽22至少沿第一方向X延伸，其可以使导电部41所在膜层降低，使覆盖部42与第一电极11上方的像素限定层2之间的高度降低，从而减小相邻子像素之间至少沿第一方向X的间距，在降低阴极信号传输电阻、消除发光子像素之间的器件串扰的同时，还可以提高像素开口率。
可选地，凹槽22为盲槽；或者，可选地，凹槽22贯穿像素限定层2。
进一步，凹槽22还沿第二方向Y延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距沿第二方向Y减小，第二方向Y与第一方向X相交。
由于子像素沿第二方向Y的蒸镀角度通过限制板进行限制，蒸发角度越小，蒸镀材料的利用率越低。当凹槽22还在第二方向Y延伸时，可以在确保发光器件的性能满足要求的前提下，保持像素开口率不变，同时增加蒸镀角度，以提高蒸镀材料的利用率。
进一步，在阵列基板1上形成有阵列排布的多个第一电极11之前，还包括：
步骤S0：在阵列基板1上形成图案化的平坦化层5，平坦化层5设置有多个过孔51，过孔51在阵列基板1上的正投影位于相邻的两个第一电极11在阵列基板1上的正投影之间。
步骤S4即在像素限定层2上形成多个辅助电极4包括：
步骤S41：在像素限定层2上形成导电层；
步骤S42：在导电部41上形成屋檐层；
步骤S43：同步刻蚀屋檐层和导电层，以分别形成多个辅助电极4的覆盖部42和导电部41。
本实施例中，先在阵列基板1一侧刻蚀形成第一电极11，再沉积形成像素限定层2，然后在像素限定层2上形成多个辅助电极4，再蒸镀发光功能层3，蒸镀时，蒸镀源在阵列基板1及精细金属掩膜板的上方，先蒸镀发光结构31，再蒸镀第二电极层32。相邻两个子像素对应的第二电极层32将在辅助电极4的覆盖部42处断开，以使第二电极层32根据调整好的蒸镀角θ大小与导电部41搭接连接。具体的刻蚀工艺可以参考现有技术，不再赘述。
根据本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法，通过在像素限定层2形成有容纳导电部41的凹槽22，且凹槽22至少沿第一方向X延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距至少沿第一方向X减小。由此，可以使导电部41所在膜层降低，使覆盖部42与第一电极11上方的像素限定层2之间的高度降低，从而减小相邻子像素之间的间距，在降低阴极信号传输电阻、消除发光子像素之间的器件串扰的同时，还可以提高像素开口率。
应当容易地理解，应当按照最宽的方式解释本申请中的“在……上”、“在……以上”和“在……之上”，以使得“在……上”不仅意味着“直接处于某物上”，还包括“在某物上”且其间具有中间特征或层的含义，并且“在……以上”或者“在……之上”不仅包括“在某物以上”或“之上”的含义，还可以包括“在某物以上”或“之上”且其间没有中间特征或层(即，直接处于某物上)的含义。
文中使用的术语“衬底”是指在其上添加后续材料层的材料。衬底本身可以被图案化。添加到衬底顶上的材料可以被图案化，或者可以保持不被图案化。此外，衬底可以包括宽范围内的一系列材料，例如，硅、锗、砷化镓、磷化铟等。替代地，衬底可以由非导电材料(例如，玻璃、塑料或者蓝宝石晶圆等)制成。
文中使用的术语“层”可以指包括具有一定厚度的区域的材料部分。层可以在整个的下层结构或上覆结构之上延伸，或者可以具有比下层或上覆结构的范围小的范围。此外，层可以是匀质或者非匀质的连续结构的一个区域，其厚度小于该连续结构的厚度。例如，层可以位于所述连续结构的顶表面和底表面之间或者所述顶表面和底表面处的任何成对的横向平面之间。层可以横向延伸、垂直延伸和/或沿锥形表面延伸。阵列基板可以是层，可以在其中包括一个或多个层，和/或可以具有位于其上、其以上和/或其以下的一个或多个层。层可以包括多个层。例如，互连层可以包括一个或多个导体和接触层(在其内形成触点、互连线和/或过孔)以及一个或多个电介质层。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，包括阵列基板和依次形成于所述阵列基板上的像素限定层及发光功能层，所述阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极，所述像素限定层包括多个像素开口，所述像素开口暴露所述第一电极的至少部分；所述发光功能层包括多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括位于所述第一电极上的发光结构和位于所述发光结构上的第二电极层；其特征在于，
所述显示面板还包括位于所述像素限定层背离所述阵列基板一侧的多个辅助电极，相邻的两个所述子像素对应的所述第二电极层在所述辅助电极的边缘处断开，所述辅助电极包括导电部和位于所述导电部背离所述阵列基板一侧的覆盖部，所述导电部形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，所述第一方向为显示面板的蒸镀方向，所述覆盖部在所述阵列基板上的正投影覆盖所述导电部在所述阵列基板上的正投影；
其中，所述像素限定层还形成有容纳所述导电部的凹槽，所述凹槽至少沿第一方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距至少沿所述第一方向减小。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的深度为h，所述像素限定层的厚度为t，且满足如下条件：h＝(1/3～1/2)*t。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽贯穿所述像素限定层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽还沿第二方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距沿所述第二方向减小，所述第二方向与所述第一方向相交。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述阵列基板与所述多个第一电极之间，所述平坦化层设置有多个过孔，所述过孔在所述阵列基板上的正投影位于相邻的两个所述第一电极在所述阵列基板上的正投影之间。
6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极；
在所述阵列基板上形成图案化的像素限定层，所述像素限定层包括多个像素开口，所述像素开口暴露所述第一电极的至少部分；
在所述像素限定层上形成多个辅助电极，所述辅助电极包括导电部和位于所述导电部背离所述阵列基板一侧的覆盖部，所述导电部形成的金属线的延伸方向与第一方向垂直，所述第一方向为显示面板的蒸镀方向，所述覆盖部在所述阵列基板上的正投影覆盖所述导电部在所述阵列基板上的正投影；
在所述像素限定层及所述多个辅助电极上蒸镀发光功能层，所述发光功能层包括多个像素单元，所述像素单元包括多个子像素，所述子像素包括位于所述第一电极上的发光结构和位于所述发光结构上的第二电极层，且相邻的两个所述子像素对应的所述第二电极层在所述辅助电极的边缘处断开；
其中，在所述像素限定层还形成有容纳所述导电部的凹槽，所述凹槽至少沿第一方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距至少沿所述第一方向减小。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽为盲槽；或者，所述凹槽贯穿所述像素限定层。
8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽还沿第二方向延伸，以使相邻的两个子像素之间的间距沿所述第二方向减小，所述第二方向与所述第一方向相交。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述阵列基板上形成有阵列排布的多个第一电极之前，还包括：
在所述阵列基板上形成图案化的平坦化层，所述平坦化层设置有多个过孔，所述过孔在所述阵列基板上的正投影位于相邻的两个所述第一电极在所述阵列基板上的正投影之间。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述像素限定层上形成多个辅助电极包括：
在所述像素限定层上形成导电层；
在所述导电部上形成屋檐层；
同步刻蚀所述屋檐层和所述导电层，以分别形成多个所述辅助电极的所述覆盖部和所述导电部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310802519.0A CN116828898A (zh) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 显示面板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310802519.0A CN116828898A (zh) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 显示面板及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116828898A true CN116828898A (zh) | 2023-09-29 |
Family
ID=88120062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310802519.0A Pending CN116828898A (zh) | 2023-06-30 | 2023-06-30 | 显示面板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116828898A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117082930A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-11-17 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN117460312A (zh) * | 2023-10-19 | 2024-01-26 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN117812947A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-04-02 | 惠科股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200161410A1 (en) * | 2018-07-24 | 2020-05-21 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panels and methods for manufacturing the same |
| CN115472655A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN115942774A (zh) * | 2021-12-31 | 2023-04-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN116075171A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-05-05 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
-
2023
- 2023-06-30 CN CN202310802519.0A patent/CN116828898A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20200161410A1 (en) * | 2018-07-24 | 2020-05-21 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panels and methods for manufacturing the same |
| CN115942774A (zh) * | 2021-12-31 | 2023-04-07 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN115472655A (zh) * | 2022-09-01 | 2022-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN116075171A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-05-05 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117082930A (zh) * | 2023-10-12 | 2023-11-17 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN117460312A (zh) * | 2023-10-19 | 2024-01-26 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN117812947A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-04-02 | 惠科股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10886492B2 (en) | Array substrate and display panel comprising fracture opening for blocking carrier transportation between adjacent sub-pixels | |
| US10886360B2 (en) | Display panel and manufacturing method thereof | |
| CN108511489B (zh) | 一种oled显示面板及其制备方法 | |
| US9825109B2 (en) | Display device | |
| CN116828898A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| KR20220078528A (ko) | 픽셀 어레이 및 디스플레이 디바이스 | |
| US20220223668A1 (en) | Display substrate and method for manufacturing the same, display panel, and display apparatus | |
| CN113141779B (zh) | 显示基板及其制作方法和显示装置 | |
| JP2008135325A (ja) | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 | |
| CN112470287A (zh) | 一种显示基板及相关装置 | |
| WO2020228117A1 (zh) | 显示器及其制备方法 | |
| CN116075171B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| WO2018205587A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN113193024B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN110660839B (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| CN114284458B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示面板 | |
| KR102591727B1 (ko) | 정전기 방지 다이오드 및 정전기 방지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치 | |
| CN108321305B (zh) | 一种oled显示面板及显示装置 | |
| CN117082943A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| KR20170078168A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20160069289A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이를 제조하기 위한 박막 증착용 마스크 | |
| CN115472655A (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN113193140B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| WO2022174443A1 (zh) | 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 | |
| CN114503274A (zh) | 显示基板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |