CN116805476A - 像素电路以及具有该像素电路的显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了像素电路以及具有该像素电路的显示装置。该像素电路包括:第一氧化物晶体管;第二氧化物晶体管;驱动晶体管,其包括栅极电极、源极电极和漏极电极,其中,电容器、第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管连接至驱动晶体管的栅极电极;以及发射元件和第一晶体管,其连接至源极电极或漏极电极。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年3月25日在韩国提交的第10-2022-0037560号韩国专利申请的优先权权益,该申请的全部内容在此通过引用明确地并入本申请中。
技术领域
本公开内容涉及包括至少一个氧化物晶体管的像素电路和具有该像素电路的显示装置。
背景技术
作为自发光元件的有机发光二极管OLED元件包括阳极电极、阴极电极和形成在阳极电极与阴极电极之间的有机化合物层。有机化合物层包括空穴传输层HTL、发光层EML和电子传输层ETL。当驱动电压被施加至阳极电极和阴极电极时,空穴通过空穴传输层HTL移动至发光层EML,并且电子通过电子传输层ETL移动至发光层EML,从而形成激子。结果,发光层EML生成可见光。一种有源矩阵型有机发光显示装置包括自身发光的有机发光二极管OLED元件。有源矩阵型有机发光显示装置具有快速响应速度、高发光效率、高亮度和宽视角的优点,由此有源矩阵型有机发光显示装置已经以各种方式被广泛使用。
在有机发光显示装置中,包括有机发光元件的各个像素可以以矩阵配置布置,并且像素的亮度可以根据视频数据的灰度来调整。
像素中的每一个像素包括有机发光元件、用于根据栅极-源极电压控制流向有机发光元件的驱动电流的驱动晶体管,以及用于对驱动晶体管的栅极-源极电压进行编程的至少一个开关晶体管。
例如,像素电路可以具有包括六个晶体管和一个存储电容器的6T1C结构。然而,6T1C结构易受栅极节点的漏电流的影响。在这种情况下,当驱动频率降低时,漏电流增加,由此可能出现闪烁可见的缺陷。因此,需要用于在低驱动频率下使屏幕闪烁缺陷最小化的方法。
发明内容
已经鉴于以上问题和与相关技术相关联的其他限制做出了本公开内容,并且本公开内容的一个或更多个方面提供了能够通过使用氧化物晶体管克服闪烁现象的像素电路,以及具有该像素电路的显示装置。
根据本公开内容的一方面,像素电路可以包括:连接至第一节点的第一氧化物晶体管;连接至第一节点的第二氧化物晶体管;驱动晶体管,其包括连接至第一节点的栅极电极、连接至第一电压供应线的第一电极和连接至第二节点的第二电极;以及连接至第二节点的第一晶体管和发射元件。
根据本公开内容的一方面,像素电路可以包括:第一氧化物晶体管;第二氧化物晶体管;驱动晶体管,其包括栅极电极、源极电极和漏极电极,其中,电容器、第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管连接至驱动晶体管的栅极电极;以及发射元件和第一晶体管,其连接至驱动晶体管的源极电极或漏极电极。
根据本公开内容的另一方面,显示装置可以包括:数据驱动电路;栅极驱动电路;以及像素电路,其包括第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管、驱动晶体管、第一晶体管和发射元件,其中,驱动晶体管包括栅极电极、源极电极和漏极电极,并且第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管连接至驱动晶体管的栅极电极,并且第一晶体管连接至驱动晶体管的源极电极或漏极电极。
根据本公开内容的另一方面,显示装置可以包括:数据驱动电路;栅极驱动电路;以及包括发射元件的像素电路,其中,数据驱动电路和栅极驱动电路通过刷新帧为像素电路编程数据电压以及复位帧对发射元件的阳极电极进行复位,来驱动像素电路,并且刷新帧包括初始持续时间、采样持续时间和发射持续时间,其中,在初始持续时间中,第(n)扫描信号(“n”是自然数)作为第一电平被施加,第(n-2)扫描信号作为比第一电平高的第二电平被施加,发射信号作为第二电平被施加并且第(n)附加扫描信号作为第一电平被施加。
除了如上提及的本公开内容的特征之外,本公开内容的附加技术益处和特征将包括在本公开内容的说明书和附图内。
附图说明
附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解,并且被并入本申请中并构成本申请的一部分,附图示出了本公开内容的各方面,并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。
在附图中:
图1是根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的框图;
图2示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路;
图3A至图3C示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的刷新帧中的驱动;
图4示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的刷新帧中的驱动波形;
图5A和图5B示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的阳极复位帧中的驱动;
图6示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的阳极复位帧中的驱动波形;
图7示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的示例;
图8A至图8C示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的刷新帧中的驱动;
图9示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的刷新帧中的驱动波形;
图10A和图10B示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的阳极复位帧中的驱动;
图11示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的阳极复位帧中的驱动波形;
图12示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的栅极驱动电路的示例;以及
图13示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的栅极驱动电路的另一示例。
具体实施方式
在实施方式中使用的术语已经在考虑到本公开内容中的功能性的情况下从当前广泛使用的通用术语中进行了选择,但是术语可以根据本领域技术人员的意图或提倡、新技术的出现等而变化。如果需要,申请人可以任意地选择特定术语。在这种情况下,术语的含义将在相应的描述中详细描述。因此,本公开内容中使用的术语应当基于术语的含义和贯穿本公开内容的内容来定义,而不是简单的术语名称来定义。
当整个公开内容的某个部分包括某个元件时,这意味着除非另有说明,否则不排除其他部件,而是还可以包括其他部件。
在整个公开内容中描述的表达“A、B和C中的至少一个”可以包括“A单独”、“B单独”、“C单独”、“A和B”、“A和C”、“B和C”或“A、B、C全部”。参考下面结合附图详细描述的实施方式,本公开内容的优点和特征以及实现它们的方法将变得明显。
在用于描述本公开内容的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数目仅仅是示例,因此本公开内容不限于所示出的细节。相似的附图标记始终指代相似的元件。在以下描述中,当相关已知功能或配置的详细描述被确定成不必要地模糊了本公开内容的重点时,将省略详细描述。
在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅”,否则也可以存在另一部分。除非相反地指出,否则单数形式的术语可以包括复数形式。在对元件进行解释时,尽管没有明确描述误差范围,但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时,例如,当位置顺序被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”、“在……下面”和“紧接着……”时,除非使用“刚好”或“直接”,否则可以包括它们之间不接触的情况。如果提到第一元件位于第二元件“上”,这并不意味着在附图中第一元件实质上位于第二元件上方。
将理解,尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本公开内容的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
为了便于描述,示出了在说明书中描述的每个元件的面积、长度或厚度,并且本公开内容不一定限于所示出的配置的面积和厚度。
如本领域技术人员可以充分理解的,本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或组合,并且可以彼此不同地互操作并在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行或者可以以相互依赖的关系一起执行。
下面要描述的术语是考虑到本说明书的实施方式的功能而定义的,并且可以根据用户、操作者等的意图来改变。因此,应该基于贯穿说明书的内容做出定义。
构成本公开内容的像素电路的晶体管可以包括氧化物薄膜晶体管Oxide TFT、非晶硅a-Si TFT和低温多晶硅LTPS TFT中的至少一种。
针对有机发光显示装置来描述以下实施方式。然而,本公开内容的实施方式不限于有机发光显示装置,并且可以应用于包括无机发光材料的无机发光显示装置。例如,本公开内容的实施方式可以应用于量子点显示装置。
诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语用于区分每个实施方式的配置,并且术语不限于这些术语。因此,即使使用了相同的术语,也可以指根据实施方式的其他配置。
在下文中,将参照附图描述本公开内容的实施方式。
图1是根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的框图。
电致发光显示装置可以应用于根据本公开内容的一个实施方式的显示装置。电致发光显示装置可以是有机发光二极管显示装置、量子点发光二极管显示装置或无机发光二极管显示装置。
根据本公开内容的一个实施方式的显示装置可以包括具有用于内部补偿的子像素PXL的显示面板10、被配置成驱动数据线14的数据驱动电路12、被配置成驱动栅极线15的栅极驱动电路13,以及被配置成控制数据驱动电路12和栅极驱动电路13的驱动定时的定时控制器11。
在显示面板10上,存在彼此交叉的多条数据线14和多条栅极线15,并且用于内部补偿的子像素PXL对于每个交叉区域以矩阵布置。布置在同一水平线上的子像素PXL连接至同一栅极线15,并且同一栅极线15可以包括至少一条扫描线和至少一条发射控制线。
例如,每个子像素PXL可以连接至一条数据线14、至少一条扫描线和至少一条发射控制线。子像素PXL可以从发电机共同接收高电位电压Vdd、低电位电压Vss和参考电压Vref。为了防止在初始化持续时间和采样持续时间中有机发光二极管OLED的不必要发射,参考电压Vref可以在充分低于OLED的操作电压的电压范围内,并且可以被设置成等于或低于低电位电压Vss。子像素PXL可以从发电机共同接收初始化电压Vini和复位电压VAR。
构成子像素PXL的薄膜晶体管TFT可以包括包含氧化物半导体层的氧化物晶体管(或氧化物TFT)。考虑到电子迁移率、工艺变化等,氧化物TFT对于大尺寸的显示面板10可能是有利的。然而,本公开内容的实施方式不限于此,并且TFT的半导体层可以由非晶硅、多晶硅等形成。
每个子像素PXL可以包括多个TFT和存储电容器,以补偿驱动TFT的阈值电压Vth偏差。稍后将描述每个子像素PXL的详细配置。
在图1中,基本像素可以包括白色W子像素、红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素中的至少三种子像素。例如,基本像素可以以红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素的组合,白色W子像素、红色R子像素和绿色G子像素的结合,蓝色B子像素、白色W子像素和红色R子像素的组合,绿色G子像素、蓝色B子像素和白色W子像素的组合,或者白色W子像素、红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素的组合来提供。
定时控制器11根据显示面板10的分辨率重新布置从外部输入的数字视频数据RGB,并且将重新布置的数字视频数据供应给数据驱动电路12。此外,定时控制器11可以基于诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、点时钟信号DCLK和数据使能信号DE等的定时信号,生成用于控制数据驱动电路12的操作定时的数据控制信号DDC以及用于控制栅极驱动电路13的操作定时的栅极控制信号GDC。
数据驱动电路12基于数据控制信号DDC将从定时控制器11输入的数字视频数据RGB转换为模拟数据电压,并且将模拟数据电压分别供应给多条数据线14。
栅极驱动电路13可以基于栅极控制信号GDC生成扫描信号Scan1和Scan2以及发射信号(或发射控制信号)EM。栅极驱动电路13可以包括扫描驱动器和发射信号驱动器。扫描驱动器可以以行顺序方式生成扫描信号,以驱动连接至每个像素行的至少一条扫描线,并且可以将扫描信号供应给扫描线。发射信号驱动器可以以行顺序方式生成发射信号EM,以驱动连接至每个像素行的至少一条发射信号线,并且可以将发射信号EM供应给发射信号线。
根据该实施方式,栅极驱动电路13可以根据面板内栅极驱动器GIP方法嵌入显示面板10的非显示区域中,但不限于此。如果需要,栅极驱动电路13可以被划分为多个部分,并且栅极驱动电路13的所划分部分可以被布置在显示面板10的至少两个侧面区域上。
图2示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的示例。具体地,图2示出了图1的子像素PXL(在下文中,被称为像素)的电路的示例。
参照图2,像素包括发射元件OLED、驱动TFT DT、第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFTT3、第四TFT T4、第五TFT T5和第六TFT T6以及第一电容器Cst。根据实施方式,具有七个薄膜晶体管TFT和一个电容器的像素结构可以被称为7T1C,但术语不限于此。
参照图2,像素可以连接至用于供应高电位电压Vdd的高电位电压供应线21、用于供应低电位电压Vss的低电位电压供应线22、用于供应初始化电压Vini的初始化电压供应线23、用于供应参考电压Vref的参考电压供应线24、用于供应复位电压VAR的复位电压供应线25以及用于供应数据电压Vdata的数据线26。
另外,像素可以连接至供应第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线27、供应第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2)的第二扫描线28,以及供应第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)的第三扫描线29。第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)可以包括供应给图2的像素的第一扫描信号。第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以包括供应给布置在图2的像素前面的先前像素行之前的另一先前像素行(例如,当图2的像素布置在第(n)像素行中时的第(n-2)像素行,其将被称为前二像素行(pre-previous pixel row))中的像素的第一扫描信号。第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)可以包括供应给图2的像素的第二扫描信号。
根据本公开内容的另一实施方式,为了便于描述,第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)、第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2),以及第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)可以被称为其他术语,例如,第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号,但不限于此。在下面的实施方式中,第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)被称为第一扫描信号,第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2)被称为前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2),并且第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)被称为第二扫描信号SC2(n)。
驱动TFT DT是用于驱动发射元件OLED的晶体管,并且可以被称为驱动晶体管。驱动TFT DT的第一电极和第二电极分别连接至高电位电压供应线21和第二节点n2,并且驱动TFT DT的栅极电极连接至第一节点n1。例如,驱动TFT DT可以根据第一节点n1的电压而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第二节点n2供应由高电位电压供应线21供应的高电位电压Vdd。
参照图2,驱动TFT DT的第一电极或第二电极可以对应于源极电极或漏极电极。例如,第一电极可以对应于源极电极,并且第二电极可以对应于漏极电极。又例如,第二电极可以对应于源极电极,并且第一电极可以对应于漏极电极。
根据本公开内容的实施方式,第一电容器Cst、第一TFT T1和第二TFT T2可以连接至驱动TFT DT的栅极电极。连接至驱动TFT DT的栅极电极的第一TFT T1和第二TFT T2可以是氧化物晶体管。
第一TFT T1的第一电极和第二电极分别连接至第二节点n2和第三节点n3。第一TFT T1的栅极电极连接至提供第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线27。第一扫描信号SC1(n)可以包括供应给第(n)像素行的像素(例如,图2的像素)的第一扫描信号。
在本公开内容的实施方式中,第一TFT T1的第二电极可以通过第三节点n3和第一节点n1连接至驱动TFT DT的栅极电极,并且第一TFT T1的第一电极可以通过第二节点n2连接至驱动TFT DT的第二电极和第五TFT T5。
第一TFT T1可以根据通过第一扫描线27施加的第一扫描信号SC1(n)而接通或关断,并且可以在接通时段期间将第二节点n2和第三节点n3彼此连接。
在此处,第三节点n3连接至第一节点n1。在本公开内容的附图中,为了便于描述,将第三节点n3和第一节点n1彼此区分开。然而,根据电路图的表示方法,第三节点n3可以表达为第一节点n1。例如,可以以第一电容器Cst、第一TFT T1和第二TFT T2连接至一个节点(例如,第一节点n1)的形式来表示电路图。实施方式的精神和范围不受本公开内容的电路图表示方法的限制。
第二TFT T2的第一电极和第二电极分别连接至第三节点n3和初始化电压供应线23。第二TFT T2的栅极电极连接至供应前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)的第二扫描线28。在此处,前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以共享供应给第(n-2)像素行的像素(例如,位于图2的像素前面两行的像素)的第一扫描信号。
在本公开内容的实施方式中,第二TFT T2的第一电极(或一侧)可以连接至第一TFT T1、驱动TFT DT的栅极电极和第一电容器Cst中的至少一个。例如,第二TFT T2的第一电极(或一侧)可以连接至第一TFT T1。第二电极(或另一侧)可以连接至初始化电压供应线23。在另一示例中,第二TFT T2的第一电极可以连接至驱动TFT DT的栅极电极。第二TFT T2的第二电极可以连接至初始化电压供应线23。
第二TFT T2可以根据通过第二扫描线28施加的信号SC1(n-2)而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第三节点n3供应由初始化电压供应线23供应的初始化电压Vini。
第三TFT T3的第一电极和第二电极分别连接至第四节点n4和数据线26。第三TFTT3的栅极电极连接至提供第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线27。第三TFT T3可以根据通过第一扫描线27施加的信号SC1(n)而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第四节点n4供应数据电压Vdata。在此处,第三TFT T3的第一电极或第二电极可以是源极电极或漏极电极。例如,第一电极可以是源极电极,并且第二电极可以是漏极电极。在另一示例中,第二电极可以是源极电极,并且第一电极可以是漏极电极。
第四TFT T4的第一电极和第二电极分别连接至复位电压供应线25和第五节点n5。第四TFT T4的栅极电极连接至发射信号线30。在这种情况下,复位电压VAR可以被施加至第四TFT T4的第一电极或第二电极,并且发射信号EM可以被施加至第四TFT T4的栅极电极。
在本公开内容的实施方式中,第五TFT T5可以连接至第四TFT T4的第一电极或第二电极。第四TFT T4可以是氧化物晶体管,并且第五TFT T5可以是低温多晶硅LTPS晶体管。
在本公开内容的实施方式中,第四TFT T4的第一电极或第二电极可以是源极电极或漏极电极。例如,第一电极可以是源极电极,并且第二电极可以是漏极电极。在另一示例中,第二电极可以是源极电极,并且第一电极可以是漏极电极。
第四TFT T4可以根据通过发射信号线30施加的发射信号EM而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第五节点n5供应由复位电压供应线25供应的复位电压VAR。
在本公开内容的实施方式中,第四TFT T4的第一电极可以连接至复位电压供应线25,并且第四TFT T4的第二电极可以连接至发射元件OLED和第五TFT T5中的至少一个。
第五TFT T5的第一电极和第二电极分别连接至第二节点n2和第五节点n5。第五TFT T5的栅极电极连接至发射信号线30。第五TFT T5可以根据通过发射信号线30施加的发射信号EM而接通或关断,并且可以在接通时段期间将第二节点n2和第五节点n5彼此连接。
在本公开内容的实施方式中,第五TFT T5的第一电极可以连接至驱动TFT DT的第一电极或第二电极。第五TFT T5的第二电极可以连接至发射元件OLED。在这种情况下,如果第一电极是源极电极,则第二电极可以对应于漏极电极。如果第一电极是漏极电极,则第二电极可以对应于源极电极。
第六TFT T6的第一电极和第二电极分别连接至参考电压供应线24和第四节点n4。第六TFT T6的栅极电极连接至提供第二扫描信号SC2(n)的第三扫描线29。在此处,第二扫描信号SC2(n)可以包括供应给第(n)像素行的第二扫描信号。
在本公开内容的实施方式中,参考电压Vref被施加至第六TFT T6的第一电极或第二电极,并且由第三扫描线29提供的第二扫描信号SC2(n)被施加至第六TFT T6的栅极电极。
第六TFT T6可以根据通过第三扫描线29供应的第二扫描信号SC2(n)而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第四节点n4供应由参考电压供应线24供应的参考电压Vref。
第一电容器Cst可以包括用于在一帧期间保持恒定电压的存储电容器。第一电容器Cst连接在第一节点n1与第四节点n4之间,并且被配置成使通过第三TFT T3供应的数据电压Vdata恒定地保持一帧。例如,第一电容器Cst可以使驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs恒定地保持一帧。
在本公开内容的实施方式中,第一电容器Cst的一侧可以连接至驱动TFT DT的栅极电极、第一TFT T1和第二TFT T2中的至少一个,并且其另一侧可以连接至第三TFT T3和第六TFT T6中的至少一个。第一TFT T1、第二TFT T2和第三TFT T3可以对应于氧化物晶体管,并且第六TFT可以对应于LTPS晶体管。
根据本公开内容的实施方式,第一电容器Cst可以由作为内部电容器的寄生电容器配置,但不限于此。第一电容器Cst可以是在驱动TFT DT外部有意设计的外部电容器。
发射元件OLED的阳极电极连接至第五节点n5,并且阴极电极可以连接至低电位电压供应线22。低电位电压供应线22是供应低电位电压Vss的线。
根据本公开内容的实施方式,发射元件OLED可以是有机发光二极管、无机发光二极管、量子点发光元件等。在这种情况下,当发射元件OLED是有机发光二极管时,发射元件OLED的发射层可以包括包含有机材料的有机发射层。
在本公开内容的实施方式中,驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是P型晶体管。第一TFT T1至第四TFT T4可以是N型晶体管。
在P型TFT的情况下,每个驱动信号的低电平电压可以指示用于接通TFT的栅极导通电压,并且每个驱动信号的高电平电压可以是用于关断TFT的栅极截止电压。在N型TFT的情况下,每个驱动信号的低电平电压可以指示用于关断TFT的栅极截止电压,并且每个驱动信号的高电平电压可以是用于接通TFT的栅极导通电压。
在此处,低电平电压可以对应于比高电平电压低的预定电压。高电平电压可以对应于比低电平电压高的预定电压。
根据本公开内容的实施方式,低电平电压可以被称为第一电压,并且高电平电压可以被称为第二电压。在这种情况下,第一电压可以是比第二电压的值低的值。
在本公开内容的实施方式中,第一TFT T1和第二TFT T2可以是氧化物晶体管。根据本公开内容的另一实施方式,第三TFT T3和第四T4中的至少一个也可以是氧化物晶体管。在这种情况下,除了氧化物晶体管之外的晶体管(例如,驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6)可以利用区别于氧化物晶体管的不同类型的晶体管来实现。
例如,第一TFT T1和第二TFT T2是氧化物晶体管,并且第三TFT T3、第四TFT T4、驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是低温多晶硅LTPS晶体管。又例如,第一TFTT1、第二TFT T2和第三TFT T3是氧化物晶体管,并且第四TFT T4、驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是LTPS晶体管。在另一示例中,第一TFT T1、第二TFT T2和第四TFT T4是氧化物晶体管,并且第三TFT T3、驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是LTPS晶体管。在另一示例中,第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3和第四TFT T4是氧化物晶体管,并且驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是LTPS晶体管。
图3A至图3C示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的刷新帧。图4示出了刷新帧中的驱动波形。
显示装置的像素电路可以在刷新帧(或刷新时段)中包括初始持续时间(或初始化持续时间)、采样持续时间和发射持续时间。在这种情况下,图3A示出了初始持续时间,图3B示出了采样持续时间,并且图3C示出了发射持续时间。图4示出了刷新帧的每个持续时间的信号波形。
刷新帧可以是用于刷新像素的时段,由此刷新帧可以防止当像素被驱动达某个时间或更长时间时可能发生的质量降低。
参照图3A和图4,初始持续时间可以在供应数据电压之前执行。在初始持续时间期间,第一扫描信号SC1(n)和第二扫描信号SC2(n)作为低电平电压被输入,发射信号EM(n)和前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以作为高电平电压被输入。在此处,低电平电压可以具有比高电平电压小的电压值。低电平电压属于能够关断施加有低电平电压的N型TFT或接通施加有低电平电压的P型TFT的电压值范围。例如,低电平电压可以包括-8V至-12V范围内包括的电压。高电平电压属于能够接通施加有高电平电压的N型TFT或关断施加有高电平电压的P型TFT的电压值范围,并且高电平电压可以包括6V至8V范围内包括的电压。然而,这仅仅是示例,并且本实施方式不限于该示例。在这种情况下,第二TFT T2、第四TFT T4和第六TFT T6可以在初始持续时间中接通。第六TFT T6接通以将第四节点n4初始化为参考电压Vref,并且第四TFT T4接通以将第五节点n5初始化为复位电压VAR。发射元件OLED的阳极电极可以被初始化为复位电压VAR。
根据实施方式,在初始持续时间中,第二TFT T2接通,并且初始化电压Vini可以被输入至驱动TFT DT的栅极电极。高电位电压Vdd可以被输入至驱动TFT DT的源极电极。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压可以对应于“Vini-Vdd”。
参照图3B和图4,在供应数据电压Vdata的时段期间执行采样持续时间。在采样持续时间期间,第一扫描信号SC1(n)、第二扫描信号SC2(n)和发射信号EM(n)可以作为高电平电压被输入。前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以作为低电平电压被输入。
在这种情况下,第一TFT T1和第三TFT T3可以在采样持续时间中通过第一扫描信号SC1(n)而接通。第四TFT T4根据发射信号EM(n)而接通,并且第五TFT T5可以根据发射信号EM(n)而关断。因此,数据电压Vdata可以被充入第一电容器Cst中。
在实施方式中,对应于高电位电压和驱动TFT DT的阈值电压Vth之和的“Vdd+Vth”电平电压可以在采样持续时间内通过第一TFT T1充入第一节点n1。因此,可以感测驱动TFTDT的阈值电压。
根据本发明的实施方式,在采样持续时间中,对应于高电位电压Vdd和阈值电压Vth之和的电压可以被输入至驱动TFT DT的栅极电极。高电位电压Vdd可以输入至驱动TFTDT的源极电极。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压可以对应于阈值电压Vth。
参照图3C和图4,发射持续时间在采样持续时间之后执行。在发射持续时间中,第一扫描信号SC1(n)、第二扫描信号SC2(n)、前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)和发射信号EM可以作为低电平电压被输入。
在这种情况下,第五TFT T5和第六TFT T6在发射持续时间中接通,并且第一TFTT1至第四TFT T4可以关断。基于第五TFT T5被接通,与第一电容器Cst中存储的电压对应的OLED驱动电压被供应给发射元件OLED,因此发射元件OLED可以发光。
根据实施方式,在发射持续时间中,“Vdd+Vth+(Vref-Vdata)”可以被输入至驱动TFT DT的栅极电极。高电位电压Vdd可以被输入至驱动TFT DT的源极电极。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压可以对应于“Vth+(Vref-Vdata)”。
在实施方式中,根据显示装置被连续驱动,可能出现驱动晶体管的阈值电压Vth改变的滞后现象。为此,刷新帧可以包括第一OBS(导通偏置应力)持续时间OBS1,以减轻驱动TFT DT的滞后。可以在第一OBS持续时间中将预定偏置电压输入至驱动TFT DT。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs可以被恒定地保持,使得可以克服显示装置中可能出现的闪烁现象。采样持续时间可以在第一OBS持续时间之后执行。根据第一OBS持续时间的驱动方法,OBS驱动器可以被附加地包括在显示装置中,但不是必须的。
参照图4,前二像素行的第一扫描信号SC2(n-2)可以在第一OBS持续时间OBS1的除初始持续时间之外的其他部分中作为低电平电压被输入。在这种情况下,第二TFT T2可以关断。
根据本公开内容的实施方式,OBS持续时间可以被称为补偿持续时间。在这种情况下,第一OBS持续时间OBS1可以被称为第一补偿持续时间,并且稍后将描述的第二OBS持续时间可以被称为第二补偿持续时间。在补偿持续时间中,驱动TFT DT的阈值电压Vth可以基于补偿电压而改变。
图5A和图5B示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的阳极复位帧中的驱动。图6示出了根据本公开内容的一个实施方式的显示装置的像素电路的阳极复位帧中的驱动波形。在下文中,可以省略与上述内容相同的内容。
显示装置的像素电路可以在阳极复位帧(或阳极复位时段)中包括复位持续时间A/R和发射持续时间。在这种情况下,图5A示出了复位持续时间,并且图5B示出了发射持续时间。图6示出了阳极复位帧的每个持续时间的信号波形。
在本公开内容的实施方式中,示例性地示出了在阳极复位帧中包括发射持续时间的情况,但不限于此。根据本公开内容的实施方式,可以将发射持续时间与阳极复位帧区分开。
阳极复位帧是用于初始化发射元件的阳极电极的时段。阳极复位帧可以防止当像素被驱动达预定时间或更长时间时在发射元件中可能发生的质量劣化。
参照图5A和图6,复位持续时间A/R可以在不供应数据电压的时段期间执行。在复位持续时间A/R中,第一扫描信号SC1(n)、前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)和第二扫描信号SC2(n)可以作为低电平(或第一电平)电压被输入。在复位持续时间A/R中,发射信号EM(n)可以作为高电平(或第二电平,在此处,第二电平>第一电平)电压被输入。
在这种情况下,第四TFT T4和第六TFT T6接通,由此第四节点n4被初始化为参考电压Vref,并且第五节点n5被初始化为复位电压VAR。因此,发射元件OLED的阳极电极可以被初始化为复位电压VAR。
在实施方式中,由于第二TFT T2在复位持续时间A/R期间处于关断状态,因此初始化电压Vini可以不被输入至驱动TFT DT的栅极电极。例如,在复位持续时间A/R中,发射元件OLED的阳极电极可以与驱动TFT DT单独地初始化。
参照图6,阳极复位帧可以包括第二OBS持续时间OBS2。第二OBS持续时间OBS2可以是用于减轻驱动TFT DT的滞后的持续时间。在第二OBS持续时间OBS2中可以包括复位持续时间A/R。可以在第二OBS持续时间OBS2中将预定偏置电压输入至驱动TFT DT。偏置电压可以对应于“Vref–OBS”,但不限于此。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs可以被恒定地保持,使得可以克服显示装置中可能出现的闪烁现象。采样持续时间可以在第二OBS持续时间OBS2之后执行。根据第二OBS持续时间的驱动方法,OBS驱动器可以被附加地包括在显示装置中,但不是必须的。
根据本公开内容的实施方式,可以基于第一电容器Cst的耦合将第二OBS持续时间OBS2中的偏置电压施加至驱动TFT DT的栅极电极。在发射持续时间中,参考电压Vref被施加至第一节点n1,使得可以恢复驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs。
参照图6,在第二OBS持续时间OBS2的除复位持续时间A/R之外的其他部分中,第二扫描信号SC2(n)可以作为高电平电压被输入。在这种情况下,第六TFT T6可以关断。在这种情况下,参考电压Vref可以被输入至驱动TFT DT的栅极电极。因此,驱动TFT DT的源极-漏极电压Vgs可以恢复至先前的设置值。在这种情况下,阈值电压变化被最小化,从而稳定地驱动像素电路。
参照图5B和图6,发射持续时间在复位持续时间A/R之后执行。在发射持续时间中,第一扫描信号SC1(n)、第二扫描信号SC2(n)、前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)以及发射信号EM(n)可以作为低电平电压被输入。
在这种情况下,第五TFT T5和第六TFT T6接通,并且第一TFT T1至第四TFT T4可以关断。根据第五TFT T5被接通,与第一电容器Cst中存储的电压对应的OLED驱动电压被供应给发射元件OLED,由此发射元件OLED可以发光。
在本公开内容的实施方式中,图5B的发射持续时间可以对应于图3C的发射持续时间。例如,刷新帧和阳极复位帧的发射持续时间可以是执行相同操作的持续时间。
图7示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的示例。具体地,图7是示出图1的子像素PXL(在下文中,像素)的电路的另一示例的图。在下文中,可以省略与上述内容相同的内容。
参照图7,像素包括发射元件OLED、驱动TFT DT、第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFTT3、第四TFT T4、第五TFT T5和第六TFT T6、第一电容器C1和第二电容器C2。根据实施方式,具有七个薄膜晶体管TFT和两个电容器的像素结构可以被称为7T2C,但术语不限于此。
参照图7,像素可以连接至用于供应高电位电压Vdd的高电位电压供应线、用于供应低电位电压Vss的低电位电压供应线、用于供应初始化电压Vini的初始化电压供应线、用于供应参考电压Vref的参考电压供应线、用于供应复位电压VAR的复位电压供应线以及用于供应数据电压Vdata的数据电压供应线。
此外,像素可以连接至用于供应第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线、用于供应第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2)的第二扫描线,以及用于供应第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)的第三扫描线。在此处,第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)可以包括与图7的像素对应的第一扫描信号。第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以包括与图7的像素前面的先前像素行之前的另一先前像素行(例如,当图7的像素布置在第(n)像素行中时的第(n-2)像素行)即前二像素行对应的第一扫描信号。第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)可以包括与图7的像素对应的第二扫描信号。
根据本公开内容的另一实施方式,为了便于描述,第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)、第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2),以及第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)可以被称为其他术语,例如,第一扫描信号、第二扫描信号和第三扫描信号,但不限于此。在下面的实施方式中,第(n)像素行的第一扫描信号SC1(n)被称为第一扫描信号,第(n-2)像素行的第一扫描信号SC1(n-2)被称为前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2),并且第(n)像素行的第二扫描信号SC2(n)被称为第二扫描信号SC2(n)。
驱动TFT DT是用于驱动发射元件OLED的晶体管,并且可以被称为驱动晶体管。驱动TFT DT的第一电极和第二电极分别连接至高电位电压供应线和第二节点n2,并且驱动TFT DT的栅极电极连接至第一节点n1。例如,驱动TFT DT可以根据第一节点n1的电压而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第二节点n2供应由高电位电压供应线供应的高电位电压Vdd。
参照图7,驱动TFT DT的第一电极或第二电极可以对应于源极电极或漏极电极。例如,第一电极可以对应于源极电极,并且第二电极可以对应于漏极电极。又例如,第二电极可以对应于源极电极,并且第一电极可以对应于漏极电极。
根据本公开内容的实施方式,第一电容器C1、第二电容器C2、第一TFT T1和第二TFT T2可以连接至驱动TFT DT的栅极电极。连接至驱动TFT DT的栅极电极的第一TFT T1和第二TFT T2可以是氧化物晶体管。
第一TFT T1的第一电极和第二电极分别连接至第二节点n2和第三节点n3。第一TFT T1的栅极电极连接至提供第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线。第一扫描信号SC1(n)可以包括供应给第(n)像素行的像素(例如,图7的像素)的第一扫描信号。
在本公开内容的实施方式中,第一TFT T1的一侧可以连接至驱动TFT DT的栅极电极,并且第一TFT T1的另一侧可以连接至第五TFT T5。在这种情况下,第一TFT T1可以是氧化物晶体管,并且第五TFT T5可以是LTPS晶体管。
第一TFT T1可以根据通过第一扫描线施加的信号而接通或关断,并且可以在接通时段期间将第二节点n2和第三节点n3彼此连接。
在此处,第三节点n3连接至第一节点n1。在本公开内容的附图中,为了便于描述,将第三节点n3和第一节点n1彼此区分开。然而,根据电路图的表示方法,第三节点n3可以表达为第一节点n1。例如,可以以第一电容器C1、第二电容器C2、第一TFT T1和第二TFT T2连接至一个节点(例如,第一节点n1)的形式来表示电路图。实施方式的精神和范围不受本公开内容的电路图表示方法的限制。
第二TFT T2的第一电极和第二电极分别连接至第三节点n3和初始化电压供应线。第二TFT T2的栅极电极连接至用于供应前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)的第二扫描线。在此处,前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以包括与第(n-2)像素行的像素(例如,位于图7的像素前面两行的像素)对应的第一扫描信号。
在本公开内容的实施方式中,第二TFT T2的一侧(例如,第一电极或第二电极)可以连接至第一TFT T1、驱动TFT DT的栅极电极、第一电容器C1和第二电容器C2中的至少一个。例如,第二TFT T2的第一电极(或一侧)可以连接至第一TFT T1。第二电极(或另一侧)可以连接至初始化电压供应线。在另一示例中,第二TFT T2的第一电极可以连接至驱动TFTDT的栅极电极。第二TFT T2的第二电极可以连接至初始化电压供应线。
第二TFT T2可以根据通过第二扫描线施加的信号而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第三节点n3供应由初始化电压供应线供应的初始化电压Vini。
第三TFT T3的第一电极和第二电极分别连接至第四节点n4和数据电压供应线。第三TFT T3的栅极电极连接至提供第一扫描信号SC1(n)的第一扫描线。第三TFT T3可以根据通过第一扫描线施加的信号而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第四节点n4供应数据电压Vdata。在此处,第三TFT T3的第一电极或第二电极可以是源极电极或漏极电极。例如,第一电极可以是源极电极,并且第二电极可以是漏极电极。在另一示例中,第二电极可以是源极电极,并且第一电极可以是漏极电极。
第四TFT T4的第一电极和第二电极分别连接至复位电压供应线和第五节点n5。第四TFT T4的栅极电极连接至发射信号线。在这种情况下,复位电压VAR可以被施加至第四TFT T4的第一电极或第二电极,并且发射信号EM可以被施加至第四TFT T4的栅极电极。
在本公开内容的实施方式中,第五TFT T5可以连接至第四TFT T4的第一电极或第二电极(或一侧)。第四TFT T4可以是氧化物晶体管,并且第五TFT T5可以是LTPS晶体管。
在本公开内容的实施方式中,第四TFT T4的第一电极或第二电极可以是源极电极或漏极电极。例如,第一电极可以是源极电极,并且第二电极可以是漏极电极。在另一示例中,第二电极可以是源极电极,并且第一电极可以是漏极电极。
第四TFT T4可以根据通过发射信号线施加的发射信号EM而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第五节点n5供应由复位电压供应线供应的复位电压VAR。
在本公开内容的实施方式中,第四TFT T4的一侧可以连接至复位电压供应线,并且其另一侧可以连接至发射元件OLED和第五TFT T5中的至少一个。
第五TFT T5的第一电极和第二电极分别连接至第二节点n2和第五节点n5。第五TFT T5的栅极电极连接至发射信号线。第五TFT T5可以根据通过发射信号线施加的发射信号EM而接通或关断,并且可以在接通时段期间将第二节点n2和第五节点n5彼此连接。
在本公开内容的实施方式中,第五TFT T5的一侧可以连接至驱动TFT DT的第一电极或第二电极。第五TFT T5的另一侧可以连接至发射元件OLED。在这种情况下,如果第一电极是源极电极,则第二电极可以对应于漏极电极。如果第一电极是漏极电极,则第二电极可以对应于源极电极。
第六TFT T6的第一电极和第二电极分别连接至参考电压供应线和第四节点n4。第六TFT T6的栅极电极连接至提供第二扫描信号SC2(n)的第三扫描线。在此处,第二扫描信号SC2(n)可以包括对应于第(n)像素的第二扫描信号。
在本公开内容的实施方式中,参考电压Vref被施加至第六TFT T6的第一电极或第二电极,并且由第三扫描线提供的第二扫描信号SC2(n)被施加至第六TFT T6的栅极电极。
第六TFT T6可以根据通过第三扫描线供应的第二扫描信号SC2(n)而接通或关断,并且可以在接通时段期间向第四节点n4供应由参考电压供应线供应的参考电压Vref。
第一电容器C1可以包括用于在一帧期间保持恒定电压的存储电容器。第一电容器C1连接在第一节点n1与第四节点n4之间,并且被配置成使通过第三TFT T3供应的数据电压Vdata恒定地保持一帧。例如,第一电容器C1可以使驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs恒定地保持一帧。
在本公开内容的实施方式中,第一电容器C1的一侧可以连接至驱动TFT DT的栅极电极、第一TFT T1和第二TFT T2中的至少一个,并且其另一侧可以连接至第三TFT T3和第六TFT T6中的至少一个。第一TFT T1、第二TFT T2和第三TFT T3可以对应于氧化物晶体管,并且第六TFT可以对应于LTPS晶体管。
根据本公开内容的实施方式,第一电容器C1可以由作为内部电容器的寄生电容器配置,但不限于此。第一电容器C1可以是在驱动TFT DT的外部有意设计的外部电容器。
在实施方式中,第一电容器C1可以对应于图2的第一电容器Cst。例如,第一电容器C1可以执行与图2的第一电容器Cst的功能相同的功能。
第二电容器C2的一侧可以连接至驱动TFT DT的栅极节点(或第一节点n1)。第二电容器C2的另一侧可以连接至驱动TFT DT的第一电极或第二电极。另外,第二电容器C2的另一侧可以连接至高电位电压供应线。
在实施方式中,第二电容器C2可以减小当发射元件OLED发光时由参考电压Vref的纹波引起的驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs的变化。
发射元件OLED的阳极电极连接至第五节点n5,并且其阴极电极连接至低电位电压供应线。在此处,低电位电压供应线是供应低电位电压Vss的线。
根据本公开内容的实施方式,发射元件OLED可以是有机发光二极管、无机发光二极管、量子点发光元件等。在这种情况下,如果发射元件OLED是有机发光二极管,则发射元件OLED的发射层EL可以包括包含有机材料的有机发光层。
在本公开内容的实施方式中,驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是P型晶体管。第一TFT T1至第四TFT T4可以是N型晶体管。在P型TFT的情况下,每个驱动信号的低电平电压可以指示用于接通TFT的电压,并且每个驱动信号的高电平电压可以是用于关断TFT的电压。在此处,低电平电压可以对应于比高电平电压低的预定电压。例如,低电平电压可以包括对应于-8V至-12V范围的电压,并且高电平电压可以对应于比低电平电压高的预定电压。例如,高电平电压可以包括6V至8V范围内的电压。
根据本公开内容的实施方式,低电平电压可以被称为第一电压,并且高电平电压可以被称为第二电压。在这种情况下,第一电压可以是比第二电压低的值。
在本公开内容的实施方式中,第一TFT T1和第二TFT T2可以是氧化物晶体管。在一些情况下,第三TFT T3和第四TFT T4中的至少一个也可以是氧化物晶体管。在这种情况下,除了氧化物晶体管之外的晶体管(例如,驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6)可以利用不同于氧化物晶体管的不同类型的晶体管来实现。
例如,第一TFT T1和第二TFT T2是氧化物晶体管,并且第三TFT T3、第四TFT T4、驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是低温多晶硅LTPS晶体管。又例如,第一TFTT1、第二TFT T2和第三TFT T3可以是氧化物晶体管,并且第四T4、驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是LTPS晶体管。在另一示例中,第一TFT T1、第二TFT T2和第四TFT T4是氧化物晶体管,并且第三TFT T3、驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是LTPS晶体管。在另一示例中,第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3和第四TFT T4是氧化物晶体管,并且驱动TFT DT、第五TFT T5和第六TFT T6可以是LTPS晶体管。
图8A至图8C示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的刷新帧中的驱动。图9示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的刷新帧中的驱动波形。
显示装置的像素电路可以在刷新帧(或刷新时段)中包括初始持续时间(或初始化持续时间)、采样持续时间和发射持续时间。在这种情况下,图8A示出了初始持续时间,图8B示出了采样持续时间,并且图8C示出了发射持续时间。图9示出了刷新帧的每个持续时间的信号波形。
刷新帧可以是用于刷新像素的时段,由此刷新帧可以防止当像素被驱动达某个时间或更长时间时可能发生的质量降低。
参照图8A和图9,初始持续时间可以在供应数据电压之前执行。在初始持续时间中,第一扫描信号SC1(n)和第二扫描信号SC2(n)作为低电平电压被输入,发射信号EM和前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以作为高电平电压被输入。在此处,低电平电压可以具有比高电平电压小的电压值。低电平电压属于能够接通施加有低电平电压的TFT的电压值范围。例如,低电平电压可以包括-8V至-12V范围内包括的电压。高电平电压属于能够关断施加有高电平电压的TFT的电压值范围,并且高电平电压可以包括6V至8V范围内包括的电压。然而,这仅仅是示例,并且本实施方式不限于该示例。
在这种情况下,第二TFT T2、第四TFT T4和第六TFT T6可以接通,由此第四节点n4被初始化为参考电压Vref,并且第五节点n5可以被初始化为复位电压VAR。发射元件OLED的阳极电极可以被初始化为复位电压VAR。
根据实施方式,在初始持续时间中,初始化电压Vini可以被输入至驱动TFT DT的栅极电极。高电位电压Vdd可以被输入至驱动TFT DT的源极电极。在这种情况下,驱动TFTDT的栅极-源极电压可以对应于“Vini-Vdd”。
参照图8B和图9,在供应数据电压Vdata的时段期间执行采样持续时间。在采样持续时间中,第一扫描信号SC1(n)、第二扫描信号SC2(n)和发射信号EM(n)可以作为高电平电压被输入。前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)可以作为低电平电压被输入。
在这种情况下,第一TFT T1和第三TFT T3可以通过第一扫描信号SC1(n)而接通。第四TFT T4根据发射信号EM而接通,并且第五TFT T5可以根据发射信号EM而关断。因此,数据电压Vdata可以被充入第一电容器C1中。
在实施方式中,对应于高电位电压Vdd和驱动TFT DT的阈值电压Vth之和的“Vdd+Vth”电平电压可以在采样持续时间期间通过第一TFT T1充入第一节点n1。因此,可以感测驱动TFT DT的阈值电压。
根据本发明的实施方式,在采样持续时间中,对应于高电位电压Vdd和阈值电压Vth之和的电压可以被输入至驱动TFT DT的栅极电极。高电位电压Vdd可以被输入至驱动TFT DT的源极电极。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压可以对应于阈值电压Vth。
参照图8C和图9,发射持续时间在采样持续时间之后执行。在发射持续时间中,第一扫描信号SC1(n)、第二扫描信号SC2(n)、前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)和发射信号EM可以作为低电平电压被输入。
在这种情况下,第五TFT T5和第六TFT T6接通,并且第一TFT T1至第四TFT T4可以关断。基于第五TFT T5被接通,与第一电容器C1中存储的电压对应的OLED驱动电压被供应给发射元件OLED,因此发射元件OLED可以发光。
根据实施方式,在发射持续时间中,“Vdd+Vth+(Vref-Vdata)”可以被输入至驱动TFT DT的栅极电极。高电位电压Vdd可以被输入至驱动TFT DT的源极电极。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压可以对应于“Vth+(Vref-Vdata)”。
在实施方式中,根据显示装置被连续驱动,可能出现驱动晶体管的阈值电压Vth改变的滞后现象。为此,刷新帧可以包括第一OBS(导通偏置应力)持续时间OBS1,以减轻驱动TFT DT的滞后。可以在第一OBS持续时间中将预定偏置电压输入至驱动TFT DT。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs可以被恒定地保持,使得可以克服显示装置中可能出现的闪烁现象。采样持续时间可以在第一OBS持续时间之后执行。根据第一OBS持续时间的驱动方法,OBS驱动器可以被附加地包括在显示装置中,但不是必须的。
参照图9,前二像素行的第一扫描信号SC2(n-2)在第一OBS持续时间OBS1的除初始持续时间之外的其他部分中作为低电平电压被输入。在这种情况下,第二TFT T2可以关断。
根据本公开内容的实施方式,OBS持续时间可以被称为补偿持续时间。在这种情况下,第一OBS持续时间可以被称为第一补偿持续时间,并且稍后要描述的第二OBS持续时间可以被称为第二补偿持续时间。在补偿持续时间中,驱动TFT DT的阈值电压Vth可以基于补偿电压而改变。
图10A和图10B示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的像素电路的阳极复位帧中的驱动。图11示出了根据本公开内容的另一实施方式的显示装置的阳极复位帧中的驱动波形。在下文中,可以省略与上述内容相同的内容。
显示装置的像素电路可以在阳极复位帧(或阳极复位时段)中包括复位持续时间A/R和发射持续时间。在这种情况下,图10A示出了复位持续时间,并且图10B示出了发射持续时间。图11示出了阳极复位帧的每个持续时间的信号波形。
在本公开内容的实施方式中,示例性地示出了在阳极复位帧中包括发射持续时间的情况,但不限于此。根据本公开内容的实施方式,可以将发射持续时间与阳极复位帧区分开。
阳极复位帧是用于初始化发射元件的阳极电极的时段。阳极复位帧可以防止当像素被驱动达预定时间或更长时间时在发射元件中可能发生的质量劣化。
参照图10A和图11,复位持续时间可以在不供应数据电压的时段期间执行。在复位持续时间中,第一扫描信号SC1(n)、前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)和第二扫描信号SC2(n)可以作为低电平(或第一电平)电压被输入。在复位持续时间中,发射信号EM可以作为高电平(或第二电平,在此处,第二电平>第一电平)电压被输入。
在这种情况下,第四TFT T4和第六TFT T6接通,由此第四节点n4被初始化为参考电压Vref,并且第五节点n5被初始化为复位电压VAR。因此,发射元件OLED的阳极电极可以被初始化为复位电压VAR。
在实施方式中,由于第二TFT T2在复位持续时间A/R期间处于关断状态,因此初始化电压可以不被输入至驱动TFT DT的栅极电极。例如,在复位持续时间中,发射元件OLED的阳极电极可以与驱动TFT DT单独地初始化。
参照图11,阳极复位帧可以包括第二OBS持续时间OBS2。第二OBS持续时间OBS2可以是用于减轻驱动TFT DT的滞后的持续时间。在第二OBS持续时间OBS2中可以包括复位持续时间A/R。可以在第二OBS持续时间OBS2中将预定偏置电压输入至驱动TFT DT。在这种情况下,驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs可以被恒定地保持,使得可以克服显示装置中可能出现的闪烁现象。采样持续时间可以在第二OBS持续时间OBS2之后执行。根据第二OBS持续时间的驱动方法,OBS驱动器可以被附加地包括在显示装置中,但不是必须的。
参照图11,第二扫描信号SC2(n)可以在第二OBS持续时间OBS2的除复位持续时间A/R之外的其他部分中作为高电平电压被输入。在这种情况下,第六TFT T6可以关断。在这种情况下,参考电压Vref可以被输入至驱动TFT DT的栅极节点。因此,驱动TFT DT的源极-漏极电压Vgs可以恢复至先前的设置值。在这种情况下,阈值电压变化被最小化,从而稳定地驱动像素电路。
参照图10B和图11,发射持续时间在复位持续时间A/R之后执行。在发射持续时间期间,第一扫描信号SC1(n)、第二扫描信号SC2(n)、前二像素行的第一扫描信号SC1(n-2)以及发射信号EM可以作为低电平电压被输入。
在这种情况下,第五TFT T5和第六TFT T6接通,并且第一TFT T1至第四TFT T4可以关断。根据第五TFT T5被接通,与第一电容器C1中存储的电压对应的OLED驱动电压被供应给发射元件OLED,由此发射元件OLED可以发光。
在本公开内容的实施方式中,刷新帧和阳极复位帧的发射持续时间可以是执行相同操作的持续时间。
图12示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的栅极驱动电路的示例。具体地,图12描述了栅极驱动电路被对称布置的情况。
参照图12,栅极驱动电路可以形成在显示面板(例如,图1的显示面板10)中形成的有源区域AA的至少一侧上。栅极驱动电路连接至有源区域AA,并且被配置成向有源区域AA提供用于驱动显示面板的信号。
根据实施方式,栅极驱动电路可以被划分成两个区域,并且可以被分别设置在有源区域AA的一侧和另一侧。例如,栅极驱动电路的第一区域1201可以被设置在有源区域AA的左侧,并且第二区域1202可以被设置在有源区域AA的右侧。作为另一示例,如果有源区域形成为圆形(或椭圆形、多边形、无定形)形状,则第一区域1201可以被布置成与有源区域AA的边缘的至少一部分相邻,并且第二区域1202可以被布置成与有源区域AA的边缘的至少另一部分相邻。
在实施方式中,栅极驱动电路的被划分为两个区域的第一区域1201和第二区域1202彼此对称。
更具体地,栅极驱动电路的第一区域1201和第二区域1202中的每一个可以包括发射信号级EM、第一扫描信号级SC1和第二扫描信号级SC2。发射信号级EM可以向像素电路提供发射信号。第一扫描信号级SC1可以向像素电路提供第一扫描信号。第二扫描信号级SC2可以向像素电路提供第二扫描信号。
每个级可以被布置成使得第一区域1201和第二区域1202彼此对称,其中有源区域AA介于其间。在这种情况下,栅极驱动电路可以同时向第一区域1201和第二区域1202中的每一个中的一个像素电路提供用于驱动像素的信号。该信号提供方法有效地减少了信号传输所需的时间,从而使得能够快速执行像素驱动。
在实施方式中,栅极驱动电路的第一区域1201和第二区域1202中的每一个的宽度可以是350μm至450μm。然而,这仅仅是示例,并且实施方式不限于此。
根据本公开内容的实施方式,第一区域1201可以被称为第一栅极驱动电路,并且第二区域1202可以被称为第二栅极驱动电路,但是本公开内容的实施方式不限于这些术语。另外,根据本公开内容的实施方式,栅极驱动电路的每个区域还可以包括附图中未示出的其他部件。例如,当向像素电路提供第三扫描信号时,还可以包括用于提供第三扫描信号的第三扫描信号级,并且第三扫描信号级可以被布置成与第一区域1201和第二区域1202中的每一个对称。
图13示出了根据本公开内容的实施方式的显示装置中包括的栅极驱动电路的另一示例。具体地,图13描述了栅极驱动电路不对称布置的情况。在下文中,可以省略或简化与图12相关的冗余描述。
参照图13,栅极驱动电路可以被划分成第一区域1301和第二区域1302,并且可以被设置在有源区域AA的至少两侧。例如,第一区域1301可以被设置在有源区域AA的左侧,并且第二区域1302可以被设置在有源区域AA的右侧。作为另一示例,如果有源区域形成为圆形(或椭圆形、多边形、无定形)形状,则第一区域1301可以被布置成与有源区域AA的边缘的至少一部分相邻,并且第二区域1302可以被布置成与有源区域AA的边缘的至少另一部分相邻。
在实施方式中,栅极驱动电路的被划分成两个的第一区域1301和第二区域1302可以包括彼此不同的结构。例如,如附图中所示,第一区域1301可以包括第一扫描信号级SC1,并且第二区域1302可以包括发射信号级EM和第二扫描信号级SC2。在另一示例中,第一区域1301可以包括第二扫描信号级SC2,并且第二区域1302可以包括发射信号级EM和第一扫描信号级SC1。
根据本公开内容的实施方式,栅极驱动电路还可以包括用于向像素电路提供特定信号的配置(在下文中,特定信号级)。在这种情况下,特定信号级可以被实现成包括在第一区域1301和第二区域1302中的至少一个中。例如,特定信号级可以被实现成包括在第一区域1301中。又例如,特定信号级可以被划分成两个,并且可以被包括在第一区域1301和第二区域1302中的每一个中。在这种情况下,包括在第一区域1301和第二区域1302中的每一个中的特定信号级可以是对称的。
根据本公开内容的实施方式的显示装置可以包括数据驱动电路、栅极驱动电路和像素电路,该像素电路包括第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管、驱动晶体管、第一晶体管和发射元件。驱动晶体管包括栅极电极、源极电极和漏极电极,并且第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管可以连接至栅极电极。第一晶体管可以连接至源极电极或漏极电极。
根据本公开内容的实施方式的显示装置可以包括数据驱动电路、栅极驱动电路以及包括发射元件的像素电路。显示装置可以通过数据驱动电路和栅极驱动电路利用刷新帧为像素电路编程数据电压以及复位帧(或阳极复位帧)对发射元件的阳极电极进行复位来驱动像素电路。刷新帧包括初始持续时间、采样持续时间和发射持续时间。在初始持续时间中,第(n)扫描信号(“n”是自然数)SC1(n)作为第一电平被施加,第(n-2)扫描信号SC1(n-2)作为比第一电平高的第二电平被施加,发射信号作为高电平被施加,并且第(n)附加扫描信号SC2(n)可以作为第一电平被施加。
在本公开内容的实施方式中,显示装置可以包括布置在行中的多个像素。在这种情况下,本公开内容中描述的像素电路的实施方式可以对应于多个像素中的布置在第(n)行中的像素。第(n)扫描信号SC1(n)可以包括施加至第(n)行的第一扫描线的信号,并且第(n-2)扫描信号SC1(n-2)可以包括施加至第(n-2)行的第一扫描线的信号。第(n)附加扫描信号SC2(n)可以包括施加至第(n)行的第二扫描线的信号。
根据本公开内容的实施方式,像素电路还包括补偿持续时间(或导通偏置应力持续时间),并且在补偿持续时间中可以包括初始持续时间。像素电路可以包括驱动晶体管DT,并且在补偿持续时间中,驱动晶体管DT的阈值电压可以基于补偿电压而改变。
第(n)扫描信号SC1(n)、第(n)附加扫描信号SC2(n)和发射信号EM在采样持续时间中可以作为第二电平被施加,并且第(n-2)扫描信号SC1(n-2)在采样持续时间中可以作为第一电平被施加。
在发射持续时间中,第(n)扫描信号SC1(n)、第(n-2)扫描信号SC1(n-2)、第(n)附加扫描信号SC2(n)和发射信号EM可以作为第一电平被施加。
复位帧包括复位持续时间。在复位持续时间中,第(n)扫描信号SC1(n)、第(n-2)扫描信号SC1(n-2)、第(n)附加扫描信号SC2(n)作为第一电平被施加,并且发射元件EM可以作为第二电平被施加。
根据本公开内容的实施方式,第一电平可以对应于低电压,并且第二电平可以对应于高电压。例如,预定的两个电压范围中的第一电平可以对应于较低的电压范围,并且第二电平可以对应于较高的电压范围。
以下将描述根据本公开内容的一些实施方式的像素电路和包括该像素电路的显示装置。
根据本公开内容的一些实施方式的像素电路可以包括:连接至第一节点的第一氧化物晶体管;连接至第一节点的第二氧化物晶体管;驱动晶体管,其包括连接至第一节点的栅极电极、连接至第一电压供应线的第一电极和连接至第二节点的第二电极;以及连接至第二节点的第一晶体管和发射元件。
根据本公开内容的一些实施方式的像素电路还可以包括连接在第一节点与第四节点之间的第一电容器。
根据本公开内容的一些实施方式的像素电路还可以包括连接在第一节点与第一电压供应线之间的第二电容器。
根据本公开内容的一些实施方式的像素电路还可以包括:连接在数据线与第四节点之间的第三氧化物晶体管;以及连接在复位电压供应线与第五节点之间的第四氧化物晶体管,第五节点在第一晶体管与发射元件之间。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,第一晶体管可以包括低温多晶硅LTPS晶体管。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,由第一扫描线提供的第一扫描信号可以被施加至第一氧化物晶体管和第三氧化物晶体管的栅极电极,并且由前二像素行的第一扫描线提供的第一扫描信号可以被施加至第二氧化物晶体管的栅极电极。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,发射信号可以被施加至第一晶体管的栅极电极,并且第一晶体管可以由发射信号控制并被配置成连接第二节点和发射元件。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,发射信号可以被施加至第四氧化物晶体管的栅极电极,并且第四氧化物晶体管可以由发射信号控制并被配置成向第五节点供应复位电压供应线的复位电压。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,第一晶体管和第四氧化物晶体管的导电类型可以彼此不同。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,第一晶体管和第四氧化物晶体管可以在发射信号的控制下彼此相反地接通或关断。
根据本公开内容的一些实施方式的像素电路还可以包括第二晶体管,第二晶体管由第二扫描线的第二扫描信号控制并且被配置成将第四节点连接至参考电压供应线。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,驱动晶体管、第一晶体管和第二晶体管中的至少一个可以具有第一导电类型。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,第一氧化物晶体管至第四氧化物晶体管中的至少一个可以具有第二导电类型。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,第一氧化物晶体管可以由第一扫描线的第一扫描信号控制,并且被配置成连接第一节点和第二节点。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,第二氧化物晶体管可以由供应给前二像素行的第一扫描线的第一扫描信号控制,并且被配置成将第一节点连接至初始化电压供应线。
根据本公开内容的一些实施方式的显示装置可以包括:数据驱动电路;栅极驱动电路;以及像素电路,其包括第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管、驱动晶体管、第一晶体管和发射元件,其中,驱动晶体管可以包括栅极电极、源极电极和漏极电极,并且第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管可以连接至栅极电极,并且第一晶体管可以连接至源极电极或漏极电极。
根据本公开内容的一些实施方式的显示装置可以包括数据驱动电路;栅极驱动电路;以及包括发射元件的像素电路,其中,数据驱动电路和栅极驱动电路通过刷新帧为像素电路编程数据电压以及复位帧对发射元件的阳极电极进行复位,来驱动像素电路,并且刷新帧可以包括初始持续时间、采样持续时间和发射持续时间,其中,在初始持续时间中,第(n)扫描信号(“n”是自然数)可以作为第一电平被施加,第(n-2)扫描信号作为比第一电平高的第二电平被施加,发射信号可以作为第二电平被施加,并且第(n)附加扫描信号作为第一电平被施加。
在根据本公开内容的一些实施方式的显示装置中,像素电路可以对应于多个像素中的布置在第(n)像素行中的像素,第(n)扫描信号可以包括施加至第(n)像素行的第一扫描线的信号,第(n-2)扫描信号可以包括施加至第(n-2)像素行的第一扫描线的信号,并且第(n)附加扫描信号可以包括施加至第(n)像素行的第二扫描线的信号。
在根据本公开内容的一些实施方式的显示装置中,其中,像素电路还可以包括补偿持续时间,并且在补偿持续时间中包括初始持续时间。
在根据本公开内容的一些实施方式的显示装置中,像素电路可以包括驱动晶体管,并且驱动晶体管在补偿持续时间中基于补偿电压来改变阈值电压。
在根据本公开内容的一些实施方式的显示装置中,第(n)扫描信号、第(n)附加扫描信号和发射信号在采样持续时间中可以作为第二电平被施加,第(n-2)扫描信号在采样持续时间中可以作为第一电平被施加,并且第(n)扫描信号、第(n-2)扫描信号、第(n)附加扫描信号和发射信号在发射持续时间中可以作为第一电平被施加。
在根据本公开内容的一些实施方式的显示装置中,复位帧可以包括复位持续时间,其中,在复位持续时间中,第(n)扫描信号、第(n-2)扫描信号和第(n)附加扫描信号可以作为第一电平被施加,并且发射信号可以作为第二电平被施加。
根据本公开内容的一些实施方式的像素电路可以包括:第一氧化物晶体管;第二氧化物晶体管;驱动晶体管,其包括栅极电极、源极电极和漏极电极,其中,电容器、第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管连接至驱动晶体管的栅极电极;以及发射元件和第一晶体管,其连接至驱动晶体管的源极电极或漏极电极。
在根据本公开内容的一些实施方式的像素电路中,驱动晶体管和第一晶体管中的至少一个具有第一导电类型,并且第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管中的至少一个具有第二导电类型。
对于本领域技术人员将明显的是在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下,在本公开内容的范围内可以进行各种替换、修改以及变型。因此,本公开内容的范围由所附权利要求表示,并且从权利要求的含义、范围和等同构思得出的所有改变或修改应当被解释为包括在本公开内容的范围内。
Claims (19)
1.一种像素电路,包括:
连接至第一节点的第一氧化物晶体管;
连接至所述第一节点的第二氧化物晶体管;
驱动晶体管,其包括连接至所述第一节点的栅极电极、连接至第一电压供应线的第一电极和连接至第二节点的第二电极;
连接至所述第二节点的第一晶体管;以及
发射元件。
2.根据权利要求1所述的像素电路,还包括连接在所述第一节点与第四节点之间的第一电容器。
3.根据权利要求2所述的像素电路,还包括连接在所述第一节点与所述第一电压供应线之间的第二电容器。
4.根据权利要求2所述的像素电路,还包括:
连接在数据线与所述第四节点之间的第三氧化物晶体管;以及
连接在复位电压供应线与第五节点之间的第四氧化物晶体管,所述第五节点在所述第一晶体管与所述发射元件之间。
5.根据权利要求1所述的像素电路,其中,所述第一晶体管包括低温多晶硅晶体管。
6.根据权利要求4所述的像素电路,
其中,由第一扫描线提供的第一扫描信号被施加至所述第一氧化物晶体管和所述第三氧化物晶体管的栅极电极,并且
其中,由前二像素行的第一扫描线提供的第一扫描信号被施加至所述第二氧化物晶体管的栅极电极。
7.根据权利要求4所述的像素电路,
其中,发射信号被施加至所述第一晶体管的栅极电极,并且
其中,所述第一晶体管由所述发射信号控制并且被配置成连接所述第二节点和所述发射元件。
8.根据权利要求7所述的像素电路,
其中,所述发射信号被施加至所述第四氧化物晶体管的栅极电极,并且
其中,所述第四氧化物晶体管由所述发射信号控制并且被配置成向所述第五节点供应所述复位电压供应线的复位电压。
9.根据权利要求8所述的像素电路,其中,所述第一晶体管和所述第四氧化物晶体管的导电类型彼此不同。
10.根据权利要求8所述的像素电路,其中,所述第一晶体管和所述第四氧化物晶体管在所述发射信号的控制下彼此相反地接通或关断。
11.根据权利要求4所述的像素电路,还包括第二晶体管,所述第二晶体管由第二扫描线的第二扫描信号控制并且被配置成将所述第四节点连接至参考电压供应线。
12.根据权利要求11所述的像素电路,其中,所述驱动晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个具有第一导电类型,并且
其中,所述第一氧化物晶体管至所述第四氧化物晶体管中的至少一个具有第二导电类型。
13.根据权利要求1所述的像素电路,其中,所述第一氧化物晶体管由第一扫描线的第一扫描信号控制,并且被配置成连接所述第一节点和所述第二节点,并且
其中,所述第二氧化物晶体管由供应给前二像素行的第一扫描线的第一扫描信号控制,并且被配置成将所述第一节点连接至初始化电压供应线。
14.一种显示装置,包括:
数据驱动电路;
栅极驱动电路;以及
像素电路,其包括第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管、驱动晶体管、第一晶体管和发射元件,
其中,所述驱动晶体管包括栅极电极、源极电极和漏极电极,并且所述第一氧化物晶体管和所述第二氧化物晶体管连接至所述栅极电极,以及
所述第一晶体管连接至所述源极电极或所述漏极电极。
15.一种显示装置,包括:
数据驱动电路;
栅极驱动电路;以及
包括发射元件的像素电路,
其中,所述数据驱动电路和所述栅极驱动电路通过刷新帧为所述像素电路编程数据电压以及复位帧对所述发射元件的阳极电极进行复位,来驱动所述像素电路,以及
所述刷新帧包括初始持续时间、采样持续时间和发射持续时间,
其中,在所述初始持续时间中,第(n)扫描信号作为第一电平被施加,第(n-2)扫描信号作为比所述第一电平高的第二电平被施加,发射信号作为所述第二电平被施加,并且第(n)附加扫描信号作为所述第一电平被施加,其中,n是自然数。
16.根据权利要求15所述的显示装置,
其中,多个像素被布置在像素行中,
所述像素电路对应于所述多个像素中的布置在第(n)像素行中的像素,
所述第(n)扫描信号包括施加至所述第(n)像素行的第一扫描线的信号,
所述第(n-2)扫描信号包括施加至第(n-2)像素行的第一扫描线的信号,以及
所述第(n)附加扫描信号包括施加至所述第(n)像素行的第二扫描线的信号。
17.根据权利要求15所述的显示装置,
其中,所述第(n)扫描信号、所述第(n)附加扫描信号和所述发射信号在所述采样持续时间中作为所述第二电平被施加,所述第(n-2)扫描信号在所述采样持续时间中作为所述第一电平被施加,以及
所述第(n)扫描信号、所述第(n-2)扫描信号、所述第(n)附加扫描信号和所述发射信号在所述发射持续时间中作为所述第一电平被施加。
18.根据权利要求15所述的显示装置,
其中,所述复位帧包括复位持续时间,
其中,在所述复位持续时间中,所述第(n)扫描信号、所述第(n-2)扫描信号和所述第(n)附加扫描信号作为所述第一电平被施加,并且所述发射信号作为所述第二电平被施加。
19.一种像素电路,包括:
第一氧化物晶体管;
第二氧化物晶体管;
驱动晶体管,其包括栅极电极、源极电极和漏极电极,其中,电容器、所述第一氧化物晶体管和所述第二氧化物晶体管连接至所述驱动晶体管的栅极电极;
第一晶体管,其连接至所述驱动晶体管的源极电极或漏极电极;以及
发射元件,其与所述驱动晶体管电连接,
其中,所述驱动晶体管和所述第一晶体管中的至少一个具有第一导电类型,并且
其中,所述第一氧化物晶体管和所述第二氧化物晶体管中的至少一个具有第二导电类型。
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