CN116802562A - 光源参数信息管理方法、光源参数信息管理装置和计算机可读介质 - Google Patents

Abstract

光源参数信息管理方法对曝光装置中使用的光源的参数信息进行管理，其中，光源参数信息管理方法包含以下步骤：取得包含如下变量的项目和变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在光源的运转中优先的优先目标参数；根据优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值；以及输出维护信息。

Description

光源参数信息管理方法、光源参数信息管理装置和计算机可 读介质

技术领域

本公开涉及光源参数信息管理方法、光源参数信息管理装置和计算机可读介质。

背景技术

近年来，在半导体曝光装置中，随着半导体集成电路的微细化和高集成化，要求分辨率的提高。因此，从曝光用光源发射的光的短波长化得以发展。例如，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长大约为248nm的激光的KrF准分子激光装置、以及输出波长大约为193nm的激光的ArF准分子激光装置。

KrF准分子激光装置和ArF准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度较宽，大约为350～400pm。因此，在利用使KrF和ArF激光这种紫外线透过的材料构成投影透镜时，有时产生色差。其结果，分辨率可能降低。因此，需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内，为了使谱线宽度窄带化，有时具有包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(Line Narrowing Module：LNM)。下面，将谱线宽度被窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2020/161865号

专利文献2：国际公开第2020/031301号

专利文献3：国际公开第2019/043780号

专利文献4：日本特开2010-67794号公报

专利文献5：美国专利第5383217号

专利文献6：日本特开平11-121339号公报

发明内容

本公开的一个观点的光源参数信息管理方法对曝光装置中使用的光源的参数信息进行管理，其中，光源参数信息管理方法包含以下步骤：取得包含如下变量的项目和变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在光源的运转中优先的优先目标参数；根据优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值；以及输出维护信息。

本公开的另一个观点的光源参数信息管理装置包含：处理器；以及存储器，其存储有处理器执行的程序，处理器执行程序的命令，由此，处理器进行如下处理：取得包含如下变量的项目和变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在光源的运转中优先的优先目标参数，根据优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值，输出维护信息。

本公开的另一个观点的计算机可读介质是记录有程序的非暂时性的计算机可读介质，该程序使计算机实现对曝光装置中使用的光源的参数信息进行管理的功能，其中，程序使计算机实现以下功能：取得包含如下变量的项目和变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在光源的运转中优先的优先目标参数；根据优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值；以及输出维护信息。

附图说明

下面，参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。

图1概略地示出例示的半导体工厂内的半导体制造***的结构。

图2概略地示出光刻***的结构。

图3示出从曝光控制部向激光控制部输出的发光触发信号的输出模式的例子。

图4示出晶片上的步进扫描曝光的曝光模式的例子。

图5示出晶片上的1个扫描场与静态曝光区域之间的关系。

图6示出静态曝光区域的例子。

图7概略地示出例示的曝光装置用的光源的结构。

图8示出实施方式1的半导体制造***的结构。

图9是示出实施方式1的半导体制造***中的整体的处理流程的框图。

图10是示出数据分析用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图11是示出根据回归曲线求出光源参数的目标值及其范围的方法的曲线图。

图12是示出光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图13是示出光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图14是示出被应用于图12的步骤S22的子例程的例子的流程图。

图15是示出被应用于图13的步骤S29和图14的步骤S44的子例程的例子的流程图。

图16是示出实施方式2的半导体制造***中的整体的处理流程的框图。

图17是示出实施方式2的数据分析用服务器中的推荐目标参数信息的确认流程的例子的流程图。

图18是示出推荐目标参数与曝光性能的参数之间的关系的分析例的曲线图。

图19是示出实施方式2的光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图20是示出实施方式2的光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图21是示出被应用于图19的步骤S72的子例程的例子的流程图。

图22是示出被应用于图20的步骤S79和图21的步骤S94的子例程的例子的流程图。

图23是示出被应用于图22的步骤S106的子例程的例子的流程图。

图24是示出实施方式3的光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图25是示出被应用于图24的步骤S71的子例程的例子的流程图。

图26是示出优先目标参数与运转控制参数之间的关系的曲线图的例子。

图27是示出实施方式4的数据分析用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图28是示出使用回归曲线求出目标谱线宽度及其范围的方法的例子的曲线图。

图29是示出在谱线宽度为优先目标参数的情况下被应用于图24的步骤S71的子例程的例子的流程图。

图30是示出谱线宽度与波面调节器的透镜间隔之间的关系的曲线图的例子。

图31是示出将优先目标参数值设为高脉冲能量的值、将推荐目标参数值设为宽谱线宽度的值的情况下的光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图32是示出脉冲能量与波面调节器的透镜间隔之间的关系的曲线图的例子。

图33是示出脉冲能量与谱线宽度之间的关系的曲线图的例子。

图34是示出将优先目标参数值设为高脉冲能量的值、脉冲能量稳定性的参数的范围能够放宽规格的情况下的光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图35是示出卤素气体分压与脉冲能量之间的关系、以及卤素气体分压与脉冲能量稳定性之间的关系的曲线图的例子。

图36是示出在光性能优先模式中使脉冲能量的稳定性优先的情况下的卤素气体分压的设定例的曲线图。

图37是示出占空比与脉冲能量之间的关系的曲线图的例子。

图38是示出将优先目标参数设为占空比、脉冲能量稳定性的参数的范围能够放宽规格的情况下的光源参数管理用服务器中的处理内容的例子的流程图。

图39是示出在消耗品寿命延长模式运转的情况下被应用的处理内容的例子的流程图。

图40是示出每单位脉冲的气体消耗量与脉冲能量之间的关系的曲线图的例。

图41是在气体消耗量减少模式运转的情况下被应用的处理流程的例子。

图42是在省电模式运转的情况下被应用的处理流程的例子。

图43是示出实施方式4的变形例的框图。

图44是示出与光源有关的参数信息的具体例的图表。

图45是示出优先目标参数信息的具体例的图表。

图46是示出推荐目标参数信息的具体例的图表。

图47是示出维护信息的具体例的图表。

图48是示出运转控制目标参数信息的具体例的图表。

具体实施方式

-目录-

1.用语的说明

2.半导体制造***的说明

2.1 结构

2.2 动作

3.光刻***的说明

3.1 结构

3.2 动作

4.晶片上的曝光模式的例子

5.光源的例子

5.1 结构

5.2 动作

5.3 其他

5.4 课题

6.实施方式1

6.1 结构

6.2 动作

6.2.1数据分析用服务器的处理例

6.2.2光源参数管理用服务器的处理例

6.3 效果

6.4 其他

7.实施方式2

7.1 结构

7.2 动作

7.2.1数据分析用服务器的处理例

7.2.2光源参数管理服务器的处理例

7.3 效果

7.4 其他

8.实施方式3

8.1 结构

8.2 动作

8.3 效果

9.实施方式4

9.1 结构

9.2 性能优先模式运转

9.2.1谱线宽度Δλ为优先目标参数的情况下的例子9.2.1.1动作

9.2.1.2效果

9.2.1.3其他

9.2.2脉冲能量为优先目标参数的情况

9.2.2.1优先得到高脉冲能量、且能够扩大谱线宽度Δλ进行曝光的情况下的例子

9.2.2.1.1动作

9.2.2.1.2效果

9.2.2.1.3其他

9.2.2.2优先得到高脉冲能量、且能够放宽脉冲能量稳定性的规格进行曝光的情况下的例子

9.2.2.2.1动作

9.2.2.2.2效果

9.2.2.2.3其他

9.2.2.3优先以高占空比运转、且能够放宽脉冲能量稳定性的规格进行曝光的情况下的例子

9.2.2.3.1动作

9.2.2.3.2效果

9.2.2.3.3其他

9.3消耗品寿命延长模式运转

9.3.1再次设定目标卤素气体分压的例子

9.3.1.1动作

9.3.1.2效果

9.3.2再次设定目标谱线宽度的例子

9.3.3再次设定气体消耗量的例子

9.3.4效果

9.3.5其他

9.4消耗量减少模式运转

9.4.1气体消耗量减少模式运转

9.4.1.1再次设定目标卤素分压的例子

9.4.1.2扩大目标谱线宽度的例子

9.4.1.3减少到维护为止的剩余脉冲数的例子

9.4.1.4效果

9.4.1.5其他

9.4.2省电模式运转

9.4.2.1再次设定充电电压的目标值的例子

9.4.2.2再次设定卤素气体分压的目标值的例子

9.4.2.3扩大目标谱线宽度的例子

9.4.3效果

9.4.4其他

9.5变形例

10.参数信息的具体例

11.关于记录有程序的计算机可读介质

12.其他

下面，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式示出本公开的几个例子，不限定本公开的内容。此外，各实施方式中说明的结构和动作并不一定全都是本公开的结构和动作所必须的。另外，对相同结构要素标注相同参照标号并省略重复说明。

1.用语的说明

“消耗品”是指曝光装置中使用的光源由于进行脉冲输出而劣化、更换的部件或模块。例如可以有光源的腔、窄带化模块(LNM)、输出耦合镜(OC)、监视器模块等。在“更换”的概念中，除了将消耗品置换为新的以外，还包含清洗消耗品等实现部件的功能的维持和/或恢复并再次配置相同的消耗品。

“临界尺寸(Critical Dimension：CD)”是指被形成于半导体等的晶片上的微细图案的尺寸。

“重叠(重合)”是指被形成于半导体等的晶片上的微细图案的重合。

“曝光条件”是指对半导体等的晶片的抗蚀剂进行曝光的条件。作为具体例，可以有照明条件、投影条件、曝光量、光源的谱特性、光源的输出特性等。

在本说明书中，“参数”、“参数值”和“参数信息”分别用作以下的意思。

“参数”是表示变量的项目。

“参数值”是上述变量的值。即，是上述参数的具体数值。

“参数信息”是包含多个变量和该多个变量的值的数据的集合体。

参数信息的具体例在后面叙述(图44)。例如，谱线宽度的参数信息是包含谱线宽度这样的变量(项目)及其值、以及谱线宽度的稳定性(动作范围)这样的变量及其值的数据的集合体。在表示谱线宽度的稳定性的值中，例如包含动作范围的下限值和上限值。此外，在谱线宽度的参数信息中，也可以包含满足该谱线宽度的值和稳定性进行动作的期间这样的变量及其值的数据。

“目标参数”、“目标参数信息”等带有“目标”的表述意味着是设为控制目标的参数、参数信息。在目标参数信息中，可以包含作为参数的控制目标的目标值和表示其容许范围的信息。这里所说的容许范围可以改读为参数的动作范围、动作规格、变动幅度或稳定性的范围等。

“优先目标参数信息”是变量的项目和该变量的目标值的数据的集合体，该变量的项目是在光源的运转中优先的目标参数。优先目标参数信息的具体例在后面叙述(图45)。

进而，优先目标参数信息还包含以下2种情况。

a)还包含由用户选择光源的光性能优先模式运转、消耗品的寿命延长模式运转和消耗量减少模式运转中的任意一个优先模式的情况。

b)还包含提示包含优先目标参数的变量的项目和该变量的目标值的数据的集合体作为光源能够运转的方案、由用户选定光源的优先目标参数的变量的项目的情况。

这里，以下示出各优先模式运转的定义。

光源的光性能优先模式运转是指以使光源的光性能优先的方式使光源运转。

消耗品寿命延长模式运转是指以延长光源的消耗品的寿命的方式使光源运转。

消耗量减少模式运转是指以减少光源的消耗电力、气体消耗量的方式使光源运转。电力和***体分别是由于光源的运转而被消耗的要素。

“推荐目标参数信息”是与利用在光源的运转中优先的目标参数信息使光源运转的情况下估计的优先目标参数不同的参数，是需要放宽规格的参数的变量的项目和目标值的数据的集合体。推荐目标参数信息的具体例在后面叙述(图46)。

“维护信息”是需要定期地停止光源的运转而更换光源的部件的各个消耗品的到维护为止的剩余脉冲数或剩余时间的数据的集合体。维护信息的具体例在后面叙述(图47)。

每个消耗品的到维护为止的剩余脉冲数或剩余时间是表示各个消耗品的寿命(到维护为止的剩余寿命)的值。另外，在掌握了每一天的平均脉冲数等每单位时间的脉冲数的情况下，消耗品的到维护为止的剩余脉冲数能够换算为剩余时间。作为表示消耗品的寿命的参数，可以使用到维护为止的剩余脉冲数，也可以使用剩余时间，还可以使用它们双方。此外，维护信息也可以包含表示消耗品的更换时期的日期时间的信息。

“运转控制目标参数”是为了使光源实现优先目标参数信息而需要的光源的控制目标参数。“运转控制目标参数信息”是运转控制目标参数和目标值的集合体，为了满足多个要求的规格，有时设定多个运转控制目标参数。运转控制目标参数信息的具体例在后面叙述(图48)。

“外部装置”是接收优先目标参数信息、推荐目标参数信息和维护信息中的至少一方的装置。具体而言，例如，半导体工厂管理***、显示装置(用于使操作员得知优先控制参数信息、推荐目标参数信息、维护信息等的显示装置)、曝光装置、曝光装置用管理***等可以成为外部装置。

2.半导体制造***的说明

2.1结构

图1概略地示出例示的半导体工厂内的半导体制造***200的结构。半导体制造***200包含多个光刻***10、晶片检查装置用管理***202、曝光装置用管理***204、光源用管理***206和半导体工厂管理***208。

半导体工厂管理***208经由网络210与晶片检查装置用管理***202、曝光装置用管理***204和光源用管理***206连接。

网络210是能够通过有线或无线或它们的组合进行信息传递的通信线路。网络210可以是广域网，也可以是局域网。

为了分别识别半导体制造***200中包含的多个光刻***10，这里使用光刻***识别符号#1、#2、……#k、……#w。w是半导体制造***200中包含的光刻***的数量。w为1以上的整数。k为1以上且w以下的范围的整数。

各个光刻***#k包含晶片检查装置12、曝光装置14和光源16。下面，为了便于说明，将光刻***#k中包含的晶片检查装置12、曝光装置14和光源16分别表述为晶片检查装置#k、曝光装置#k和光源#k。这里，为了简化，示出各个光刻***#k分别包含1台晶片检查装置#k、1台曝光装置#k和1台光源#k的方式。

多个光刻***#1～#w的一部分或全部也可以是相互不同的方式。光刻***#k中包含的晶片检查装置#k、曝光装置#k、光源#k各自的台数、配置方式等能够适当地设计。各个光刻***#k构成为包含1个以上的晶片检查装置#k、1个以上的曝光装置#k和1个以上的光源#k。

晶片检查装置用管理***202经由第1局域网211与各个晶片检查装置#1～#w连接。曝光装置用管理***204经由第2局域网212与各个曝光装置#1～#w连接。光源用管理***206经由第3局域网213与各个光源#1～#w连接。

在图1中，将第1局域网211显示为“LAN1”，将第2局域网212显示为“LAN2”，将第3局域网213显示为“LAN3”。

2.2动作

晶片检查装置#1～#w按照每个晶片计测形成有各个抗蚀剂图案的晶片的表面的物理特性值。“物理特性值”例如是CD值、重叠、倍率值和表面的高度等。晶片检查装置用管理***202从晶片检查装置#1～#w取得按照每个晶片计测出的物理物性值，按照各个光刻***#k的各个晶片分别保存计测出的物理特性值的数据。进而，晶片检查装置用管理***202按照各个晶片的每个扫描场对物理特性值的数据进行整理并保存。而且，晶片检查装置用管理***202根据需要向半导体工厂管理***208和未图示的数据分析用服务器等输出这些计测数据的一部分或全部。

曝光装置用管理***204从曝光装置#1～#w按照每个晶片和每个扫描场取得包含被曝光的条件和计测值的数据。“被曝光的条件”例如是投影条件、照明条件等。“计测值”例如是曝光量、对焦位置等。曝光装置用管理***204按照每个光刻***#k、每个晶片、每个扫描场分别保存被曝光的条件和计测值的数据。曝光装置用管理***204根据需要向半导体工厂管理***208和数据分析用服务器等输出这些计测数据的一部分或全部。

光源用管理***206从光源#1～#w取得各自的运转数据，按照每个光刻***#k保存光源#k的运转数据。运转数据例如包含谱特性值的数据、脉冲能量特性值的数据和激光的输出特性值的数据等。谱特性值例如是波长和谱线宽度等。激光的输出特性值例如是脉冲能量值、表示脉冲能量的偏差的σ(标准偏差值)、剂量稳定性、每单位时间的脉冲数和占空比等。运转数据包含在光源#k的运转中使用传感器等计测的计测数据。

此外，光源用管理***206按照每个光刻***、每个晶片、每个扫描场对这些数据进行整理并保存，根据需要向半导体工厂管理***208和数据分析用服务器等输出这些计测数据的一部分或全部。

半导体工厂管理***208对半导体工厂整体进行管理。半导体工厂管理***208例如接收晶片检查装置用管理***202、曝光装置用管理***204和光源用管理***206各自取得的信息。

3.光刻***的说明

3.1结构

图2概略地示出光刻***#k的结构例。光刻***#k包含晶片检查装置12、曝光装置14和光源16。

晶片检查装置12对晶片上照射激光并测定其反射光或衍射光，由此能够进行以下的计测。即，晶片检查装置12能够进行包含CD、晶片的高度和重叠的计测。此外，晶片检查装置12也可以是高分辨率扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope：SEM)。晶片检查装置12包含晶片检查控制部220、晶片保持架225和晶片台226。

曝光装置14包含曝光控制部50、射束传输单元(BDU)15、高反射镜51、照明光学***66、掩模版74和掩模版台76、投影光学***78、晶片保持架80和晶片台81、对焦传感器84。曝光装置#k包含未图示的曝光量传感器，曝光量传感器用于计测被保持于晶片保持架80的晶片WF上的曝光量。

照明光学***66构成为将入射的激光束整形为矩形状的光强度分布大致均匀的的静态曝光区域SEA(参照图5)。照明光学***66构成为能够以能够变更针对掩模版74的照明条件的方式生成未图示的照明模式。照明模式例如可以是偏振照明、环形照明、偶极子照明等。

投影光学***78被配置成使掩模版图案在晶片WF上成像，为了能够调整投影光学***78的成像条件，配置例如未图示的光圈，包含能够对数值孔径(Numerical Aperture：NA)进行调整的结构。

对焦传感器84被配置成能够计测晶片WF表面与投影光学***78之间的距离。

光源16例如是波长和谱线宽度可变的能够进行窄带振荡的准分子激光装置，包含激光控制部90、图1中未示出的监视器模块、腔、窄带化模块、输出耦合镜和其他装置。关于准分子激光装置的详细结构例，利用图5在后面叙述。

在本公开中，作为曝光控制部50和激光控制部90等各控制部发挥功能的控制装置能够通过1台或多台计算机的硬件和软件的组合来实现。软件与程序同义。可编程控制器包含在计算机的概念中。计算机构成为包含CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)和存储器。可编程控制器包含在计算机的概念中。此外，控制装置的处理功能的一部分或全部也可以使用以FPGA(Field Programmable Gate Array：现场可编程门阵列)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)为代表的集成电路实现。

此外，还能够利用1台控制装置实现多个控制装置的功能。进而，在本公开中，控制装置也可以经由局域网、互联网这样的通信网络相互连接。在分布式计算环境中，程序单元也可以保存于本地和远程双方的记忆存储设备。

3.2动作

曝光控制部50将各种目标参数值输出到光源16。从曝光控制部50向光源16提供的目标参数值包含目标波长λt、目标谱线宽度Δλt、目标脉冲能量Et和其他目标参数值。

激光控制部90对激光谐振器的后述的窄带模块的选择波长和波段宽度进行控制，以使光源16的输出波长和谱线宽度成为目标波长λt和目标谱线宽度Δλt。然后，激光控制部90与发光触发信号Tr同步地输出脉冲激光，将由后述的监视器模块计测出的数据输出到曝光控制部50和光源用管理***206。由监视器模块计测的数据包含波长λ、谱线宽度Δλ和脉冲能量E等。

曝光控制部50针对被涂敷有抗蚀剂的晶片WF，以后述的步进扫描的方式一边输出发光触发信号Tr一边控制掩模版台76和晶片台81，在晶片WF上的抗蚀剂上扫描曝光掩模版74的像。然后，曝光控制部50将曝光条件的数据输出到曝光装置用管理***204。曝光条件的数据例如包含照明光学***66的条件(照明模式)、剂量(曝光量)、焦距(投影光学***78与晶片表面之间的距离)和投影光学***78的条件(例如NA)。

晶片检查装置12利用未图示的显影装置对上述曝光后的晶片WF进行显影后，计测形成有抗蚀剂图案的晶片DW的物理特性值(例如包含CD值、重叠、倍率和表面的高度等)。然后，晶片检查控制部220将这些计测数据输出到晶片检查装置用管理***202。

4.晶片上的曝光模式的例子

图3示出从曝光控制部50向激光控制部90输出的发光触发信号Tr的输出模式的例子。在该例子中，按照每个晶片WF，在调整曝光后进入实际曝光模式。光源16在步进扫描曝光中的步进期间中进行振荡休止，在扫描期间中按照发光触发信号Tr的间隔输出脉冲激光。将这种激光振荡的模式称为突发运转模式。

图4示出晶片WF上的步进扫描曝光的曝光模式的例子。图4的晶片WF内所示的多个矩形区域分别是扫描场SF。扫描场SF是1次的扫描曝光的曝光区域，也被称为扫描区域。如图4所示，将晶片WF分割成多个规定尺寸的曝光区域(扫描场SF)，在晶片曝光的开始(晶片开始)与结束(晶片结束)之间的期间对各曝光区域进行扫描曝光，由此进行晶片曝光。

即，在晶片曝光中，反复进行以下步骤：以第1次的扫描曝光(扫描#1)对晶片WF的第1规定的曝光区域进行曝光，接着，以第2次的扫描曝光(扫描#2)对第2规定的曝光区域进行曝光。在1次的扫描曝光中，能够从激光装置连续输出多个脉冲激光。依次反复进行该扫描曝光，在第1枚晶片WF的全部曝光区域的扫描曝光结束后，再次进行调整曝光，然后进行第2枚晶片WF的晶片曝光。

按照图4所示的虚线箭头的顺序进行步进扫描曝光，直到晶片开始→扫描#1→扫描#2→……→扫描#126→晶片结束为止。晶片WF是被涂布了抗蚀剂的半导体基板(感光基板)的一例。

图5示出晶片WF上的1个扫描场SF与静态曝光区域SEA之间的关系。关于静态曝光区域SEA，长方形的光强度分布大致均匀的激光束照射到掩模版74上，在短轴方向(Y轴方向)上，掩模版74和晶片WF一边根据投影光学***78的缩小倍率在Y轴方向上以相互不同的朝向移动，一边进行曝光，由此，在晶片WF上的扫描场SF中曝光出掩模版图案。

在该例子中，示出在扫描曝光时、晶片台81向Y轴的负方向移动、扫描方向向Y轴的正方向移动的情况的例子。但是，通过组合晶片台81向Y轴的正方向移动、扫描方向向负方向移动的情况，也可以缩短下一个步骤的移动时间。

这里，将一边进行扫描曝光一边照射到抗蚀剂的脉冲激光的脉冲数Ns称为N间隙。如图6所示，在将可统一曝光的静态曝光区域SEA的短轴方向的长度设为By、将长轴方向的长度设为Bx时，N间隙用下式表示。

Ns＝f·Vw/By

式中的Vw是晶片WF的扫描速度，f是光源的重复频率。

5.光源的例子

5.1结构

图7概略地示出例示的光源16的结构。光源16例如是KrF准分子激光装置，包含腔100、窄带化模块(LNM)102、逆变器104、输出耦合镜(OC)106、波面调节器107、监视器模块108、充电器110、脉冲功率模块(PPM)112、气体供给装置114、气体排气装置116和出射口闸门118。

腔100包含第1窗口121、第2窗口122、横流风扇(CFF)123、使CFF123旋转的马达124、1对电极125、126、电绝缘物127、压力传感器128和未图示的热交换器。

逆变器104是马达124的电源供给装置。逆变器104从激光控制部90接收确定向马达124供给的电力的频率的指令信号。构成为通过控制逆变器104的频率而能够控制CFF123的转速。

PPM112经由腔100的电绝缘物127中的馈通孔与电极125连接。PPM112包含半导体开关129、以及均未图示的充电电容器、脉冲变压器和脉冲压缩电路。

LNM102包含使用了第1棱镜131和第2棱镜132的扩束器、旋转台134和光栅136。第1棱镜131和第2棱镜132被配置成，在Y轴方向上扩大从腔100的第2窗口122出射的光的射束并使其入射到光栅136。

这里，光栅136被进行利特罗配置，以使激光的入射角和衍射角一致。第2棱镜132被配置于旋转台134上，以使得在旋转台134旋转时，激光在光栅136上的入射角和衍射角变化。

OC106是部分反射镜，被配置成与LMN102一起构成光谐振器。腔100被配置于该光谐振器的光路上。

波面调节器107被配置于OC106与腔100之间。波面调节器107包含柱面状的凹透镜171、柱面状的凸透镜172和直线台174。利用直线台174使凹透镜171与凸透镜172之间的距离变化，由此能够变更从Z轴观察的波面的曲率半径。

监视器模块108包含第1分束器141和第2分束器142、脉冲能量检测器144和谱检测器146。第1分束器141被配置于从OC106输出的激光的光路上，被配置成使激光的一部分反射而入射到第2分束器142。

脉冲能量检测器144被配置成供透过第2分束器142后的激光入射。脉冲能量检测器144例如可以是计测紫外线的光强度的光电二极管。第2分束器142被配置成使激光的一部分反射而入射到谱检测器146。

谱检测器146例如可以是包含标准具和图像传感器的标准具分光器。监视器标准具分光器构成为能够利用图像传感器计测由标准具生成的干涉条纹。而且，根据该生成的干涉条纹计测被输出的脉冲激光的中心波长和谱线宽度。

KrF准分子激光装置的情况下，气体供给装置114经由配管与作为惰性***体的供给源的惰性气体供给源152和作为包含卤素的***体的供给源的卤素气体供给源154分别连接。惰性***体是Kr气体和Ne气体的混合气体。包含卤素的***体是F ₂气体、Kr气体和Ne气体的混合气体。气体供给装置114经由配管与腔100连接。

气体供给装置114分别包含未图示的自动阀和质量流量控制器，自动阀和质量流量控制器用于将规定量的惰性***体供给到腔100，或用于将规定量的包含卤素的***体供给到腔100。

气体排气装置116经由配管与腔100连接。气体排气装置116包含去除卤素的未图示的卤素过滤器和排气泵，构成为使去除卤素后的***体被排放到外部。

出射口闸门118被配置于从光源16向外部输出的激光的光路上，构成为能够进行激光向外部的输出和遮光。

光源16被配置成，使经由出射口闸门118从光源16输出的激光入射到曝光装置14。

5.2动作

对光源16的动作进行说明。激光控制部90经由气体排气装置116排放存在于腔100内的气体后，经由气体供给装置114将Kr和Ne的混合气体、以及F ₂、Kr和Ne的混合气体填充到腔100内，以成为期望的气体组成和总气压。

激光控制部90经由逆变器104使马达124以规定的转速旋转而使CFF123旋转。其结果，***体在电极125、126之间流动。

激光控制部90从曝光装置14的曝光控制部50接收目标脉冲能量Et，将充电电压V的数据输出到充电器110，以使脉冲能量成为Et。

充电器110进行充电，以使PPM112的充电电容器成为充电电压V。在从曝光装置14输出发光触发信号Tr1时，与发光触发信号Tr1同步地，触发信号Tr2从激光控制部90输入到PPM112的半导体开关129。当该半导体开关129进行动作时，电流脉冲被PPM112的磁压缩电路压缩，根据充电电压V，高电压被施加到电极125、126之间。其结果，在电极125、126之间引起放电，在放电空间中，***体被激励。

在放电空间的被激励的***体成为基态时，产生作为紫外光的准分子光。该准分子光在OC106与LMN102之间往复而被放大，由此进行激光振荡。其结果，从OC106输出被窄带化的脉冲激光。

从OC104输出的脉冲激光入射到监视器模块108。在监视器模块108中，通过第1分束器141，激光的一部分被采样而入射到第2分束器142。第2分束器142使入射的激光的一部分透过而入射到脉冲能量检测器144，使另外一部分反射而入射到谱检测器146。

从光源16输出的脉冲激光的脉冲能量E由脉冲能量检测器144计测，计测出的脉冲能量E的数据从脉冲能量检测器144输出到激光控制部90。

此外，通过谱检测器146计测中心波长λ和谱线宽度Δλ，计测出的中心波长λ和谱线宽度Δλ的数据从谱检测器146输出到激光控制部90。

激光控制部90从曝光装置14接收目标脉冲能量Et、目标波长λt和目标谱线宽度Δλt。激光控制部90根据由脉冲能量检测器144计测出的脉冲能量E和目标脉冲能量Et进行脉冲能量的控制。脉冲能量的控制包含对充电电压V进行控制以使由脉冲能量检测器144计测出的脉冲能量E与目标脉冲能量之差ΔE＝E-Et接近0。

激光控制部90根据由谱检测器146计测出的中心波长λ和目标波长λt进行波长的控制和谱线宽度的控制。波长的控制包含对旋转台134的旋转角进行控制以使由谱检测器146计测出的中心波长λ与目标波长λt之差δλ＝λ-λt接近0。

谱线宽度的控制包含对波面调节器107的直线台174进行控制以使由谱检测器146计测出的谱线宽度Δλ与目标谱线宽度Δλt之差ΔΔλ＝Δλ-Δλt接近0。

如上所述，激光控制部90从曝光装置14接收目标脉冲能量Et、目标波长λt和目标谱线宽度Δλt，每当被输入发光触发信号Tr1时，与发光触发信号Tr1同步地从光源16输出脉冲激光。

准分子激光装置反复放电时，电极125、126消耗，***体中的卤素气体被消耗，并且生成杂质气体。腔100内的卤素气体分压的降低、杂质气体的增加对脉冲激光的脉冲能量的降低、脉冲能量的稳定性造成不良影响。激光控制部90执行以下的气体控制([1]～[4])以抑制这些不良影响。

[1]卤素注入控制

卤素注入控制是如下的气体控制：在激光振荡中，针对腔100内主要由于放电而被消耗的量的卤素气体，以比腔100内的卤素气体高的浓度注入包含卤素气体的气体，由此补充卤素气体。在该控制中，激光控制部90进行控制以成为腔100内的目标卤素分压Hgct。这里，目标卤素分压Hgct是光源16的运转控制目标参数之一。

[2]部分气体更换控制

部分气体更换控制是如下的气体控制：在激光振荡中，将腔100内的***体的一部分更换为新的***体，以抑制腔100内的杂质气体的浓度的增加。

[3]气压控制

气压控制是如下的气体控制：当在充电电压V的控制范围内很难进行从光源16输出的脉冲激光的脉冲能量的控制的情况下，向腔100内注入***体，使***体的总气压P变化，由此控制脉冲能量。这里，充电电压V的控制范围的上限值(HVULt)和下限值(HVLLt)是光源16的运转控制目标参数之一。

[4]全部气体更换控制

在上述的[1]、[2]和[3]的控制中无法维持激光性能(脉冲能量)的情况下，停止激光振荡，排放腔100中的***体，新填充***体后，再次使激光振荡而运转。将这种控制称为全部气体更换控制。

这里，定义“气体消耗量Gw”。气体消耗量Gw定义为每单位脉冲数的***体消耗量。在进行卤素注入控制、部分气体更换控制、气压控制和全部气体更换控制中的至少1个控制时，能够根据供给到腔100的气体量Ga和此时输出的脉冲激光的脉冲数Ng，通过Gw＝Ga/Ng的式子求出该气体消耗量Gw。

此外，目标气体消耗量Gwt是光源16的运转控制目标参数之一，光源16被进行气体控制，以使每单位脉冲数气体的消耗量成为Gwt。

在从腔100排放***体的情况下，激光控制部90对气体排气装置116进行控制。从腔100排放的***体通过未图示的卤素过滤器被去除卤素气体，被排放到光源16的外部。

激光控制部90将包含振荡脉冲数、充电电压V、腔100内的气压P、激光的脉冲能量E、波长λ和谱线宽度Δλ的这些参数值的数据输出到曝光装置14、光源用管理***206。

5.3其他

在图7中，作为光源16，示出窄带化KrF准分子激光装置的例子，但是不限于该例子，也可以是窄带化ArF准分子激光装置。

此外，作为光源16，示出单腔的例子，但是不限于该例子，也可以是包含主振荡器和放大器的激光装置，该主振荡器输出被窄带化的脉冲激光，该放大器通过包含准分子***体的腔对该脉冲激光进行放大。

此外，在包含主振荡器和放大器的激光装置中，作为主振荡器，也可以是组合了固体激光器和非线性晶体的、输出在ArF激光器或KrF激光器的可放大的波段被窄带化的激光的固体激光装置。

5.4课题

根据顾客、顾客的工艺设计、制作出的产品，哪个目标参数信息如何产生影响是不同的。此外，光源在设计上保证在作为产品而确定的规格的范围内进行动作。

但是，在这样统一确定的目标参数信息的范围内，对于推进超细微化的半导体制造的用户来说不充分的情况变多。

而且，在半导体的生产现场，利用更加细致且严格的目标参数信息对参数进行监视、控制的需求变高。

但是，以成为在各个用户或半导体工艺中特别重要的特定优先的目标参数信息的方式进行运转的光源、可应对的光刻***几乎不存在。

6.实施方式1

6.1结构

图8示出实施方式1的半导体制造***300的结构。关于图8的结构，对与图1不同之处进行说明。图8所示的半导体制造***300构成为，在图1的半导体制造***200的结构中追加了数据分析用服务器310和光源参数管理用服务器320。数据分析用服务器310和光源参数管理用服务器320与网络210连接。

数据分析用服务器310和光源参数管理用服务器320分别包含未图示的处理器和存储有程序的存储装置。存储装置是作为有形物的非暂时性的计算机可读介质，例如包含作为主存储装置的存储器和作为辅助存储装置的存储器。计算机可读介质例如可以是半导体存储器、硬盘驱动(Hard Disk Drive：HDD)装置或固态驱动(Solid State Drive：SSD)装置或它们的多个组合。处理器包含CPU，通过执行程序的命令来执行各种处理。处理器可以是CPU和GPU(Graphics Processing Unit：图形处理单元)的组合，也可以包含可编程逻辑器件(Programmable Logic Device：PLD)等集成电路。

6.2动作

图9是示出半导体制造***300的整体的处理流程的框图。数据分析用服务器310执行以下的步骤(A-1～A-5)。

步骤A-1：数据分析用服务器310取得晶片检查装置用管理***202的数据、曝光装置用管理***204的数据、光源用管理***206的数据和工厂内的追踪数据207，按照每个光刻***、每个晶片、每次扫描关联起来，对各个数据进行整理并保存。在追踪数据207中例如包含追踪了晶片内的芯片的成品率的数据。

步骤A-2：数据分析用服务器310对在步骤A-1中整理并保存的光刻***#k的参数信息进行分析。关于数据分析用服务器310中的分析方法，例如可以应用专利文献4所记载的方法。

步骤A-3：数据分析用服务器310从步骤A-2的分析结果中提取对曝光性能的参数影响大的光源#k的参数。

步骤A-4：数据分析用服务器310根据在步骤A-3中提取出的光源#k的参数与曝光性能的参数之间的关系求出光源#k的优先目标参数信息。

步骤A-5：数据分析用服务器310将在步骤A-4中求出的光源#k的优先目标参数信息输出到半导体工厂管理***208。

半导体工厂管理***208执行以下的步骤(B-1、B-2)。

步骤B-1：半导体工厂管理***208接收光源#k的优先目标参数信息和其他的半导体工厂管理信息209。其他的半导体工厂管理信息209例如是包含半导体工厂的工艺、半导体的成品率、工厂线的调度和半导体的制造成本的数据。

步骤B-2：半导体工厂管理***208根据取得的优先目标参数信息和其他的半导体工厂的管理信息，将光源#k的优先目标参数信息输出到光源参数管理用服务器320。

光源参数管理用服务器320执行以下的步骤(C-1～C-3)。

步骤C-1：光源参数管理用服务器320从半导体工厂管理***208接收优先目标参数信息。

步骤C-2：光源参数管理用服务器320估计设定了优先目标参数信息的情况下的光源的维护信息。

步骤C-3：光源参数管理用服务器320将维护信息输出到半导体工厂管理***208。

半导体工厂管理***208还执行以下的步骤(B-4、B-5)。

步骤B-4：半导体工厂管理***208接收光源#k的维护信息。

步骤B-5：半导体工厂管理***208根据其他的半导体工厂管理信息209和光源#k的维护信息判定是否许可光源#k的运转(许可/不许可)，将判定结果输出到光源参数管理用服务器320。半导体工厂管理***208在许可光源#k的运转的情况下(许可判定时)输出许可信号，在不许可光源#k的运转的情况下(不许可判定时)输出不许可信号。

光源参数管理用服务器320还执行以下的步骤(C-4～C-6)。

步骤C-4：在得到了许可光源#k的运转的许可判定的情况下，光源参数管理用服务器320经由光源用管理***206向光源#k输出优先目标参数信息。其结果，对光源#k设定优先目标参数信息，光源#k根据优先目标参数信息被进行运转控制。

步骤C-5：此外，在得到了许可判定的情况下，光源参数管理用服务器320根据光源#k的运转数据估计满足优先目标参数信息进行运转的情况下的维护信息，将估计出的维护信息输出到半导体工厂管理***208。

步骤C-6：另一方面，在得到了不许可光源#k的运转的不许可判定的情况下，光源参数管理用服务器320经由光源用管理***206向光源#k输出指示运转停止的信号(运转停止信号)。其结果，光源#k停止运转。

进一步对数据分析用服务器310和光源参数管理用服务器320的各个详细处理流程进行说明。

6.2.1数据分析用服务器的处理例

图10是示出数据分析用服务器310中的处理内容的例子的流程图。数据分析用服务器310中包含的处理器执行程序的命令，由此实现图10所示的步骤的处理。

当图10的流程图开始后，在步骤S11中，数据分析用服务器310从晶片检查装置用管理***202、曝光装置用管理***204和光源用管理***206等取得各种数据，按照光刻***#k中的各个晶片的每次扫描对晶片检查数据、光源数据和曝光装置数据进行整理并保存。

在步骤S12中，数据分析用服务器310对光源#k的各参数与曝光装置#k的曝光性能的各参数之间的相关性进行分析。

在步骤S13中，数据分析用服务器310选定与曝光性能的参数之间的相关性高的光源的参数。

在步骤S14中，数据分析用服务器310计算曝光装置#k的曝光性能的参数与被选定为相关性高的光源#k的参数之间的回归曲线。

在步骤S15中，数据分析用服务器310根据计算出的回归曲线，计算曝光性能的参数值在容许范围内的光源#k的参数的目标值及其范围(参照图11)。

在步骤S16中，数据分析用服务器310输出光源的目标参数值及其范围作为光源#k的优先目标参数信息。在步骤S16之后，数据分析用服务器310结束图10的流程图。

图11是示出根据回归曲线求出光源参数的目标值及其范围的方法的曲线图。图11的横轴表示曝光性能参数值R，纵轴表示光源参数值L。回归曲线RC是被选定为与曝光装置#k的曝光性能参数之间的相关性高的光源#k的光源参数的回归曲线。

能够根据曝光装置#k的曝光性能参数的目标值Rt以及表示其容许范围的容许下限值Rmin和容许上限值Rmax，根据回归曲线RC求出光源参数的目标值Lt以及表示其容许范围的容许下限值Lmin和容许上限值Lmax。包含这样得到的光源参数的目标值Lt、容许下限值Lmin和容许上限值Lmax的数据的集合可以成为光源的优先目标参数信息。

6.2.2光源参数管理用服务器的处理例

图12和图13是示出光源参数管理用服务器320中的处理内容的例子的流程图。光源参数管理用服务器320中包含的处理器执行程序的命令，由此实现图12和图13所示的步骤的处理。

当图12的流程图开始后，在步骤S20中，光源参数管理用服务器320取得光源#k的优先目标参数信息。光源参数管理用服务器320取得的光源#k的优先目标参数信息不仅是1个项目的目标参数，例如，光源参数管理用服务器320也可以按照优先顺序从高到低的顺序取得目标参数信息。

在步骤S22中，光源参数管理用服务器320估计光源#k被设定为优先目标参数信息的情况下的光源#k的维护信息。步骤S22的子例程在后面叙述(图14)。

在步骤S23中，光源参数管理用服务器320将光源#k的被估计出的维护信息输出到半导体工厂管理***208。

在步骤S24中，光源参数管理用服务器320判定是否从半导体工厂管理***208接收到运转许可或运转不许可中的某个信号。在从半导体工厂管理***208接收到运转不许可的信号的情况下，光源参数管理用服务器320进入步骤S25。

在步骤S25中，光源参数管理用服务器320输出光源#k的运转停止信号。在半导体工厂中，根据在步骤S23中输出的维护信息实施光源#k的维护。在步骤S25之后，光源参数管理用服务器320结束图12的流程图。

另一方面，在步骤S24的判定中光源参数管理用服务器320从半导体工厂管理***208接收到运转许可的信号的情况下，光源参数管理用服务器320进入步骤S26。

在步骤S26中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出优先目标参数信息。在步骤S26之后，光源参数管理用服务器320进入图13的步骤S27。

在步骤S27中，光源参数管理用服务器320输出光源#k的运转信号。

在步骤S28中，光源参数管理用服务器320取得光源#k的运转数据。

在步骤S29中，光源参数管理用服务器320根据光源#k的运转数据估计设定为优先目标参数信息的情况下的维护信息。步骤S29的子例程在后面叙述(图15)。

在步骤S30中，光源参数管理用服务器320将光源#k的估计出的维护信息输出到半导体工厂管理***208。

在步骤S31中，光源参数管理用服务器320判定是否从半导体工厂管理***208接收到光源的运转停止信号。在步骤S31的判定结果为“否”判定的情况下，光源参数管理用服务器320返回步骤S28。

在步骤S31的判定结果为“是”判定的情况下，光源参数管理用服务器320进入步骤S32。在步骤S32中，光源参数管理用服务器320输出光源#k的运转停止信号。在半导体工厂中，根据维护信息实施光源#k的维护。在步骤S32之后，光源参数管理用服务器320结束图12的流程图。

图14是示出被应用于图12的步骤S22的子例程的例子的流程图。在图14的流程图开始后，在步骤S41中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出优先目标参数信息。

在步骤S42中，光源参数管理用服务器320输出光源#k的调整运转信号。光源#k接收调整运转信号，由此开始进行调整运转，将通过实施调整运转而得到的各种数据(调整运转数据)输出到光源参数管理用服务器320。

在步骤S43中，光源参数管理用服务器320取得光源#k的调整运转数据。

在步骤S44中，光源参数管理用服务器320进行根据光源#k的运转数据估计设定为优先目标参数信息的情况下的维护信息的处理。该情况下的“光源#k的运转数据”是在步骤S43中取得的“光源#k的调整运转数据”。被应用于步骤S44的处理的子例程可以与被应用于图13的步骤S29的子例程相同。

在步骤S44之后，光源参数管理用服务器320返回图12的流程图。

图15是示出被应用于图13的步骤S29和图14的步骤S44的子例程的例子的流程图。

在图15的流程图开始后，在步骤S51中，光源参数管理用服务器320取得光源#k的运转数据。

在步骤S52中，光源参数管理用服务器320调用在估计消耗品的劣化度的处理中使用的学习模型。该学习模型可以是由神经网络构成的学习完毕的机器学习模型(推理模型)，该神经网络是以将光源的运转数据作为输入而输出消耗品的劣化度的方式使用有监督学习数据进行机器学习而生成的。关于根据光源的运转数据估计消耗品的劣化度的学习模型的生成方法以及根据作为学习模型的推理结果而输出的劣化度计算到维护为止的脉冲数的方法，可以采用专利文献1所公开的技术。

在专利文献1中记载有以下这种方法。即，一种机器学习方法，其生成用于预测激光装置的消耗品的寿命的学习模型，其中，该机器学习方法包含以下步骤：取得第1寿命关联信息，该第1寿命关联信息包含与从消耗品的使用开始到被更换为止的期间中的不同的振荡脉冲数对应地被记录的消耗品的寿命关联参数的数据；根据振荡脉冲数将第1寿命关联信息分割成表示消耗品的劣化度的多个阶段的等级，生成将第1寿命关联信息和表示劣化度的等级对应起来的训练数据；使用训练数据进行机器学习，由此生成根据寿命关联参数的数据预测消耗品的劣化度的学习模型；以及保存所生成的学习模型。

进而，在专利文献1中记载了一种激光装置的消耗品管理装置，其包含：学习模型保存部，其预先保存通过实施上述的机器学习方法而生成的学习模型；信息取得部，其接收与激光装置中的预定更换的消耗品有关的寿命预测处理的请求信号，取得与预定更换的消耗品有关的当前的第2寿命关联信息；寿命预测部，其根据预定更换的消耗品的学习模型和第2寿命关联信息计算预定更换的消耗品的寿命和剩余寿命；以及信息输出部，其将通过计算得到的预定更换的消耗品的寿命和剩余寿命的信息通知给外部装置。

光源参数管理用服务器320可以具有与专利文献1所记载的消耗品管理装置相同的功能。

在步骤S53中，光源参数管理用服务器320将光源#k的运转数据输入到学习模型来估计劣化度。

在步骤S54中，光源参数管理用服务器320根据被估计出的劣化度计算各消耗品的到维护为止的剩余脉冲数。

在步骤S55中，光源参数管理用服务器320输出到维护为止的剩余脉冲数作为维护信息。在步骤S55之后，光源参数管理用服务器320返回图12和图13所示的流程图。

另外，关于图15的流程图中使用的学习模型，在消耗品的维护寿命根据后述的优先目标参数信息而不同的情况下，根据针对各个模式的有监督学习数据分别生成学习模型。然后，光源参数管理用服务器320可以与优先目标参数分别对应地调用学习模型。

光源参数管理用服务器320是本公开中的“光源参数信息管理装置”的一例。包含光源参数管理用服务器320执行的步骤的方法是本公开中的“光源参数信息管理方法”的一例。

6.3效果

根据实施方式1，使用数据分析用服务器310，针对光刻***#k的曝光工艺导出最佳的优先目标参数信息，对光源#k设定该优先目标参数信息，将在使光源#k运转的情况下估计的维护信息输出到半导体工厂管理***208，由此，能够高效地管理光刻***#k的运转或停止。

根据实施方式1，能够以能够维持在各个用户或半导体工艺中特别重要的特定的目标参数信息的方式使光源运转。

其结果，能够改善半导体制造的成品率，能够改善成本等。此外，能够进行最适合于半导体工艺的曝光。

6.4其他

在实施方式1的例子中，按照各个功能记载了数据分析用服务器310和光源参数管理用服务器320，但是，不需要必须划分这些服务器的功能，也可以利用相同的服务器实现这2个功能。此外，关于两个服务器的功能，也可以在光源用管理***206或曝光装置用管理***204中兼用功能。此外，也可以使曝光装置用管理***204、光源参数管理用服务器320或光源用管理***206具有数据分析用服务器310的功能。

此外，数据分析用服务器310或光源参数管理用服务器320的输出结果也可以输出到未图示的显示装置等，以操作员能够理解的方式进行显示。

此外，优先目标参数信息也可以经由曝光装置用管理***204输出到曝光装置#k。而且，也可以从曝光装置#k向光源#k发送优先目标参数信息来控制光源#k。

7.实施方式2

7.1结构

图16是示出实施方式2的半导体制造***的整体的处理流程的框图。实施方式2的***结构可以与实施方式1的结构(图8)相同。在实施方式2中，在实施方式1中说明的结构及其功能的基础上追加如下结构：估计跟与优先目标参数不同的参数有关的推荐目标参数信息，将其提供给半导体工厂管理***208等外部装置。

7.2动作

关于图16，对与图9不同之处进行说明。在图16中，追加到图9的流程中，示出在设定优先目标参数信息的情况下输出必要的推荐目标参数信息的情况下的例子。

在图16中，光源参数管理用服务器320在设定光源#k的优先目标参数信息的情况下，估计维护信息和推荐目标参数信息，将其输出到外部装置。推荐目标参数信息例如包含目标谱特性参数信息、目标输出特性参数信息和目标消耗量参数信息中的至少一方。

光源#k的推荐目标参数信息经由半导体工厂管理***208被输出到数据分析用服务器310。

数据分析用服务器310对该推荐目标参数与曝光性能的参数之间的相关性进行分析，判定对光源#k设定了推荐目标参数信息的情况下的运转的许可/不许可，将判定结果输出到半导体工厂管理***208。

此外，半导体工厂管理***208根据维护信息、推荐目标参数信息和其他的半导体工厂管理信息209判定光源#k的运转的许可/不许可。

在得到了许可判定的情况下，经由光源用管理***206对光源#k设定优先目标参数信息和推荐目标参数信息，控制光源#k以满足这些目标参数信息。

7.2.1数据分析用服务器的处理例

图17是示出实施方式2的数据分析用服务器310中的推荐目标参数信息的确认流程的流程图。半导体工厂管理***208每当判定是否采用接收到的推荐目标参数信息时，向数据分析用服务器310发送推荐目标参数信息，使数据分析用服务器310确认推荐目标参数信息是否适当，接受其结果。

在图17的流程图开始后，在步骤S60中，数据分析用服务器310接收光源#k的推荐目标参数信息。

在步骤S62中，数据分析用服务器310对光源#k的推荐目标参数信息的各参数的值的范围与曝光性能的参数的值的范围之间的关系进行分析。

然后，在步骤S63中，数据分析用服务器310在推荐目标参数信息的各参数值的范围内判定曝光性能的参数值是否在容许范围内(参照图18)。

在步骤S63的判定结果为“是”判定的情况下，数据分析用服务器310进入步骤S64。在步骤S64中，数据分析用服务器310输出表示推荐目标参数信息适当(OK)的OK信号。

另一方面，在步骤S63的判定结果为“否”判定的情况下，数据分析用服务器310进入步骤S65。在步骤S65中，数据分析用服务器310输出表示推荐目标参数信息不适当(NG)的NG信号。

在步骤S64或步骤S65之后，数据分析用服务器310结束图17的流程图。

图18是示出推荐目标参数与曝光性能的参数之间的关系的分析例的曲线图。图18的横轴表示推荐目标参数，纵轴表示曝光性能的参数。通过数据分析，例如如图18那样得到曝光性能的参数值与推荐目标参数值之间的关系。在关于曝光性能的参数值确定表示容许范围的下限值和上限值后，能够在推荐目标参数值的范围内判定对应的曝光性能的参数值是否在容许范围内。

7.2.2光源参数管理服务器的处理例

图19和图20是示出实施方式2的光源参数管理用服务器320中的处理内容的例子的流程图。图19和图20的流程图是将图12和图13的流程图中的步骤S22、S23、S26、S29和S30分别变更为步骤S72、S73、S76、S79和S80而得到的。图13的步骤S70、S74、S75、S77、S78、S81和S82与图13和图14的流程图中的步骤S20、S24、S25、S27、S28、S31和S32分别相同，因此省略重复的说明。

在步骤S72中，光源参数管理用服务器320估计光源#k设定为优先目标参数信息的情况下的光源#k的维护信息和推荐目标参数信息。步骤S72的子例程在后面叙述(图21)。

在步骤S73中，光源参数管理用服务器320将光源#k的被估计出的维护信息和推荐目标参数信息输出到半导体工厂管理***208。

在步骤S74的判定中光源参数管理用服务器320从半导体工厂管理***208接收到许可运转的许可信号的情况下，光源参数管理用服务器320进入步骤S76。

在步骤S76中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出优先目标参数信息和推荐目标参数信息。在步骤S76之后，光源参数管理用服务器320进入图20的步骤S77。

光源参数管理用服务器320通过步骤S78取得光源#k的运转数据后，在步骤S79中，根据光源#k的运转数据估计设定为优先目标参数信息的情况下的维护信息和推荐目标参数信息。步骤S79的子例程在后面叙述(图22)。

在步骤S80中，光源参数管理用服务器320将光源#k的估计出的维护信息和推荐目标参数信息输出到半导体工厂管理***208。此后的步骤S81和S82与步骤S31和S32相同。

图21是示出被应用于图19的步骤S72的子例程的例子的流程图。图21的流程图中的步骤S91、S92和S93与图14的流程图中的步骤S41、S42和S43分别相同，因此省略重复的说明。图21的流程图是将图14的步骤S44变更为步骤S94而得到的。

在步骤S94中，光源参数管理用服务器320进行根据光源#k的运转数据估计设定为优先目标参数信息的情况下的维护信息和推荐目标参数信息处理。该情况下的“光源#k的运转数据”是在步骤S93中取得的“光源#k的调整运转数据”。被应用于步骤S94的处理的子例程也可以与被应用于图20的步骤S79的子例程相同。

图22是示出被应用于图20的步骤S79和图21的步骤S94的子例程的例子的流程图。图22的流程图中的步骤S101、S102、S103、S104和S105与图15的流程图中的步骤S51、S52、S53、S54和S55分别相同，因此省略重复的说明。图22的流程图是在图15的步骤S55之后追加了步骤S106和步骤S107而得到的。

在步骤S106中，光源参数管理用服务器320根据光源#k的运转数据求出光源的各个性能参数值的范围，估计推荐目标参数信息。步骤S106的子例程在后面叙述(图23)。

在步骤S107中，光源参数管理用服务器320输出光源#k的估计出的推荐目标参数信息。在步骤S107之后，光源参数管理用服务器320返回图19和图20所示的流程图。

图23是示出被应用于图22的步骤S106的子例程的例子的流程图。在图23的步骤S121中，光源参数管理用服务器320取得光源#k的运转数据。

在步骤S122中，光源参数管理用服务器320根据光源#k的运转数据分别计算各性能参数值的平均值Pav及其标准偏差值Pσ。各性能参数值是表现脉冲激光的性能的各参数的值。例如，有脉冲能量E及其稳定性Eσ、谱线宽度Δλ及其稳定性Δλσ等。

在步骤S123中，光源参数管理用服务器320对各个性能参数的标准偏差值Pσ分别乘以安全系数K。安全系数K例如可以是3～5的范围内的值。在安全系数K为3的情况下，成为相对于平均值±3σ的值的范围。

在步骤S124中，光源参数管理用服务器320输出各个性能参数值的平均值Pav及其范围K·Pσ作为推荐目标参数信息。

在步骤S124之后，光源参数管理用服务器320结束图23的流程图，返回图22的流程图。

另外，在图23中，作为性能参数值的范围的表现，例示了“±K·Pσ”，但是不限于此，例如也可以用±K·(Pσ/Pav)·100(％)表示。

7.3效果

根据实施方式2，根据优先目标参数信息，不仅估计维护信息，还估计推荐目标参数信息，这些信息被输出到半导体工厂管理***208。由此，在半导体工厂管理***208中，能够综合考虑这些信息来进行光源#k的运转的许可/不许可的判定。

此外，根据实施方式2，能够在提示需要放宽规格的推荐目标参数信息并确认运转的许可/不许可后进行曝光，因此，能够抑制曝光工艺的成品率的降低。

此外，根据实施方式2，能够设定为能够放宽规格的推荐目标参数信息来运转光源#k，因此，与不放宽规格地进行运转的情况相比，能够抑制到维护为止的剩余脉冲数的减少、气体消耗量的增加。

7.4其他

在实施方式2的例子中，半导体工厂管理***208根据其他的半导体工厂管理信息209判定许可/不许可，但是不限于此，也可以向曝光装置用管理***204输出推荐目标参数信息，使曝光装置用管理***204针对曝光装置#k判定曝光实施的许可/不许可，半导体工厂管理***208接收该判定结果，由此，半导体工厂管理***208综合地判定许可/不许可。

8.实施方式3

8.1结构

实施方式3的***结构和整体流程可以与实施方式2相同。实施方式3与实施方式2的不同之处在于，光源参数管理用服务器320根据光源#k的优先目标参数信息变更(再次设定)光源#k的运转控制目标参数值。

对光源#k设定默认的运转控制参数值，在被指定优先目标参数信息后，再次设定与其关联的参数值。

8.2动作

图24是示出实施方式3的光源参数管理用服务器320中的处理内容的例子的流程图。在图24中，对与图19相同的步骤标注相同的步骤编号并省略重复的说明。图24所示的流程图在图19的步骤S70与步骤S72之间包含步骤S71。

在步骤S71中，光源参数管理用服务器320根据光源#k的优先目标参数信息进行光源#k的运转控制目标参数值的再次设定。其他步骤可以与图19相同。此外，步骤S76以后的流程图可以与图20相同。

图25是示出被应用于图24的步骤S71的子例程的例子的流程图。在图25的流程图开始后，在步骤S131中，光源参数管理用服务器320根据优先目标参数信息选定光源#k的运转控制目标参数。

在步骤S132中，光源参数管理用服务器320调用优先目标参数与光源#k的运转控制目标参数之间的关系的数据。光源参数管理用服务器320存储有表示优先目标参数与光源#k的运转控制目标参数之间的关系的表数据或近似曲线等数据，调用该关系数据。

在步骤S133中，光源参数管理用服务器320根据所调用的数据求出用于接近优先目标参数值Pt的运转控制目标参数值Po(参照图26)。

在步骤S134中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出运转控制目标参数值Po。在步骤S134之后，光源参数管理用服务器320返回图24的流程图。

图26是示出优先目标参数与运转控制参数之间的关系的曲线图的例子。光源参数管理用服务器320在图25的步骤S132中调用表示图26这种关系的数据。然后，在步骤S133中，如图26所示，求出与优先目标参数值Pt对应的运转控制目标参数值Po。

8.3效果

根据实施方式3，在设定与光源#k有关的优先目标参数信息后，再次设定与该设定相关联的其他的运转控制目标参数值。由此，实现满足优先目标参数信息的运转。

9.实施方式4

9.1结构

实施方式4是实施方式3的更加具体的方式的例子。实施方式4的***结构和整体流程可以与实施方式1相同。实施方式4例示以光性能优先模式、消耗品寿命延长模式和消耗量减少模式的各模式进行运转的情况。

9.2光性能优先模式运转

在光性能优先模式运转中，例如可以有使谱线宽度的性能优先的情况、使脉冲能量(输出)的性能优先的情况或使能量稳定性的性能优先的情况等、优先的性能(重视的性能)的观点不同的多种方式。下面，示出被请求以这种使特定的光性能优先的模式进行运转的情况下的动作的具体例。

9.2.1谱线宽度Δλ为优先目标参数的情况下的例子

9.2.1.1动作

这里，说明光刻***#k进行临界层的工艺的曝光的情况。在临界层的工艺中，需要较高地维持曝光装置#k的分辨率，因此，被估计为需要优先管理表示目标谱特性的目标参数(例如谱线宽度Δλ)。该情况下，在数据分析用服务器310中，执行图27所示的流程图的各步骤。

图27是示出实施方式4的数据分析用服务器310中的处理内容的例子的流程图。步骤S141与图10的步骤S11相同。

在步骤S142中，数据分析用服务器310对光源#k的谱线宽度Δλ与和由曝光装置#k形成的抗蚀剂图案的CD相关联的参数之间的相关性进行分析。

在步骤S144中，数据分析用服务器310计算光源#k的谱线宽度Δλ和由曝光装置#k形成的抗蚀剂图案的CD之间的回归曲线。

在步骤S145中，数据分析用服务器310根据计算出的回归曲线计算参数CD值在容许范围内的光源#k的谱线宽度Δλ的目标值及其范围。

在步骤S146中，数据分析用服务器310输出计算出的光源#k的目标谱线宽度Δλtp及其范围(Δλtp±ΔΔλtp)作为光源#k的优先目标参数信息。目标谱线宽度Δλtp及其范围(Δλtp±ΔΔλtp)是本公开中的“谱线宽度参数信息”的一例。

在步骤S146之后，结束图27的流程图。

图28是示出使用回归曲线求出目标谱线宽度Δλt及其范围的方法的例子的曲线图。图28的横轴表示CD，纵轴表示光源的谱线宽度Δλ。回归曲线RC2是表示CD与谱线宽度Δλ之间的相关性的曲线。能够根据CD的目标值CDt以及表示其容许范围的容许下限值CDmin和容许上限值CDmax，根据回归曲线RC求出光源的谱线宽度Δλ的目标值即目标谱线宽度Δλt以及表示其容许范围的容许下限值Δλt-ΔΔλt和容许上限值Δλt+ΔΔλt。包含这样得到的目标谱线宽度Δλt及其范围(Δλt±ΔΔλt)的数据的集合可以成为作为光源的优先目标参数信息的目标谱线宽度Δλtp及其范围(Δλtp±ΔΔλtp)。

在光源#k的曝光工艺的行程为临界层的情况下，需要缩小谱线宽度Δλ来进行曝光。

图29是示出在谱线宽度Δλ为优先目标参数的情况下应用了图25的流程图的例子的流程图。在谱线宽度Δλ成为优先目标参数的情况下，应用图29的流程图作为图24的步骤S71的子例程。

在步骤S151中，光源参数管理用服务器320调用谱线宽度Δλ与波面调节器107的透镜间隔LD之间的关系的数据。透镜间隔LD是构成波面调节器107的凹透镜171与凸透镜172之间的间隔。

在步骤S152中，光源参数管理用服务器320求出呈现作为优先目标参数的谱线宽度Δλ的中心值(目标值Δλt)的透镜间隔LD＝Ct(参照图30)。

在步骤S153中，光源参数管理用服务器320将透镜间隔LD的初始值LC＝Ct作为运转控制目标参数输出到光源#k，以呈现谱线宽度Δλ的中心值Δλt。

在步骤S154中，光源参数管理用服务器320将谱线宽度Δλtp作为优先目标参数信息输出到光源#k。光源参数管理用服务器320也可以将谱线宽度Δλtp作为优先目标参数信息还输出到曝光装置#k。在步骤S154之后，光源参数管理用服务器320返回图24的流程图。

图30是示出谱线宽度Δλ与波面调节器107的透镜间隔LD之间的关系的曲线图的例子。图30的横轴表示谱线宽度Δλ，纵轴表示透镜间隔LD。能够使用表示图30这种参数间的关系的数据求出与目标谱线宽度Δλt对应的透镜间隔Ct。

9.2.1.2效果

在该例子中，通过设定波面调节器107的透镜间隔作为初始值Ct，能够以短时间进行设定为优先的目标谱线宽度Δλtp的光源的运转。

根据该例子，与曝光工艺相匹配的谱线宽度变窄，能够限定其范围而使光源运转，因此，由于临界层的曝光工艺而引起的成品率得到改善。

9.2.1.3其他

在该例子中，仅缩小了作为优先目标参数的目标谱线宽度。该情况下，脉冲能量的富余变少，因此，消耗品的到维护为止的剩余脉冲数减少。关于这点，也可以如实施方式2中说明的那样，关于其他的能够放宽规格的参数估计推荐目标参数信息。

也可以根据在对光源#k设定了优先目标参数信息的状态下实施调整振荡而得到的运转数据来估计消耗品的维护信息。

此外，在该例子中，作为使谱线宽度Δλ变化的手段，示出对波面调节器107的凹透镜与凸透镜之间的透镜间隔进行变更的例子。但是，不限于该例子，例如，也可以使LNM102的第1棱镜131和第2棱镜132分别旋转，由此对基于这2个棱镜的射束扩大的倍率进行调节。

在图29中的最后的步骤(步骤S154)中，向光源#k输出数据，但是，也可以向曝光装置#k输出数据。也可以在实际的曝光时从曝光装置#k向光源#k输出这些数据作为优先目标参数值。

9.2.2脉冲能量为优先目标参数的情况

9.2.2.1优先得到高脉冲能量、且能够扩大谱线宽度Δλ进行曝光的情况下的例子

在光源#k的曝光工艺的工序为粗略层的情况下或在要求焦点深度的深度程度的具有阶梯差的基板上形成抗蚀剂图案的情况下，需要在以下的条件(条件A和条件B)下进行曝光。

条件A：为了加深焦点深度，扩大谱线宽度Δλ进行曝光。

条件B：进而，在对抗蚀剂感光度低的抗蚀剂、厚膜抗蚀剂进行曝光的情况下，为了维持吞吐量，较高地设定光源#k的脉冲能量。

9.2.2.1.1动作

图31示出将优先目标参数设为脉冲能量、对其目标值Etp设定高脉冲能量的值、进而将推荐目标参数设为谱线宽度、对其目标值Δλtr设定宽谱线宽度的值来运转光源#k的情况下的光源参数管理用服务器320中的处理流程的例子。

图31是示出在高脉冲能量优先的模式的情况下应用了图25的流程图的例子的流程图。在脉冲能量成为优先目标参数的情况下，应用图31的流程图作为图24的步骤S71的子例程。

在步骤S161中，光源参数管理用服务器320设定优先目标参数的脉冲能量的目标值Etp。

在步骤S162中，光源参数管理用服务器320调用脉冲能量E与波面调节器107的透镜间隔LD之间的关系数据。

在步骤S163中，光源参数管理用服务器320使用调用的关系数据求出使作为优先目标参数的脉冲能量E成为目标值Etp的透镜间隔LD＝Ct(参照图32)。

在步骤S164中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出运转控制目标参数的初始的透镜间隔LC＝Ct。

在步骤S165中，光源参数管理用服务器320调用脉冲能量E与谱线宽度Δλ之间的关系数据。

在步骤S166中，光源参数管理用服务器320使用调用的关系数据求出使作为优先目标参数的脉冲能量E成为目标值Etp的谱线宽度Δλtr(参照图33)。Δλtr是推荐目标谱线宽度的目标值。

在步骤S167中，光源参数管理用服务器320登记谱线宽度Δλ作为推荐目标参数信息。

在步骤S168中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出目标谱线宽度Δλtr作为运转控制目标参数值。

在步骤S169中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出目标脉冲能量Etp作为优先目标参数值。

光源参数管理用服务器320也可以还向曝光装置#k输出目标谱线宽度Δλtr和目标脉冲能量Etp中的至少一方。

在步骤S169之后，光源参数管理用服务器320返回图24的流程图。

图32是示出脉冲能量E与波面调节器107的透镜间隔LD之间的关系的曲线图的例子。图32的横轴表示脉冲能量E，纵轴表示透镜间隔LD。能够使用图32这种关系数据求出与目标脉冲能量值Etp对应的透镜间隔Ct。

图33是示出脉冲能量E与谱线宽度Δλ之间的关系的曲线图的例子。图33的横轴表示脉冲能量E，纵轴表示谱线宽度Δλ。能够使用图33这种关系数据求出与目标脉冲能量值Etp对应的目标谱线宽度Δλtr。

9.2.2.1.2效果

根据使用图31～图33说明的方式，能够进行作为优先目标参数的目标值的高脉冲能量下的运转。

此外，根据该方式，谱线宽度Δλ变宽，但是，能够进行曝光工艺为粗略层的情况下、要求焦点深度的具有阶梯差的基板上的抗蚀剂图案的形成或厚膜抗蚀剂的情况下等的曝光。

在该例子中，作为增大目标的脉冲能量的手段，扩大谱线宽度，因此，能够抑制消耗品的到维护为止的剩余脉冲数的减少、气体消耗量的增加。

9.2.2.1.3其他

在图31的最后的2个步骤(步骤S168、S168)中，向光源#k输出运转控制目标参数值和优先目标参数值，但是，也可以向曝光装置#k输出这些信息。也可以在实际的曝光时从曝光装置#k向光源#k输出这些目标参数值。

在该例子中，示出在使谱线宽度Δλ变化时对波面调节器107的透镜间隔LD进行变更的例子。但是，不限于该例子，例如，也可以通过使LMN102的第1棱镜131和第2棱镜132分别旋转，减小基于这2个棱镜的射束扩大的倍率，由此，扩大谱线宽度Δλ，使脉冲能量具有富余。

9.2.2.2优先得到高脉冲能量、且能够放宽脉冲能量稳定性的规格进行曝光的情况下的例子

9.2.2.2.1动作

图34示出将优先目标参数设为脉冲能量、将高脉冲能量的值设定为目标值Etp、脉冲能量稳定性的参数的范围能够放宽规格的情况下的流程图的例子。在脉冲能量E成为优先目标参数、能够放宽与脉冲能量稳定性有关的规格进行曝光的情况下，能够代替图31的流程图而应用图34的流程图。

在步骤S171中，光源参数管理用服务器320设定优先目标参数的脉冲能量的目标值Etp。

在步骤S172中，光源参数管理用服务器320调用卤素气体分压Hgc与脉冲能量E之间的关系、以及卤素气体分压Hgc与脉冲能量稳定性Eσ之间的关系的数据。

在步骤S173中，光源参数管理用服务器320使用调用的关系数据求出使脉冲能量E成为最大值的卤素气体分压的目标值Hgct(参照图35)。

在步骤S174中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出卤素气体分压的目标值Hgct作为运转控制目标参数。

在步骤S177中，光源参数管理用服务器320登记脉冲能量稳定性Eσ作为推荐目标参数的信息。

在步骤S179中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出目标脉冲能量Etp作为优先目标参数值。光源参数管理用服务器320也可以还向曝光装置#k输出目标脉冲能量Etp。

在步骤S179之后，光源参数管理用服务器320返回图24的流程图。

图35是示出卤素气体分压Hgc与脉冲能量E之间的关系、以及卤素气体分压Hgc与脉冲能量稳定性Eσ之间的关系的曲线图的例子。图35的横轴表示腔100内的卤素气体分压Hgc，左侧的纵轴表示脉冲能量E，右侧的纵轴表示脉冲能量稳定性Eσ。

图35中粗线所示的山型的曲线是示出卤素气体分压Hgc与脉冲能量E之间的关系的曲线图，细线所示的谷型的曲线是示出卤素气体分压Hgc与脉冲能量稳定性Eσ之间的关系的曲线图。能够使用图35这种关系数据求出与脉冲能量E的最大值Emax对应的卤素气体分压Hgct和脉冲能量稳定性Eσr。

9.2.2.2.2效果

根据图34的流程图，对腔100内的卤素气体分压Hgc进行控制，以成为脉冲能量E为最大值Emax的卤素气体分压Hgct，由此，能够提高脉冲能量E。因此，曝光的吞吐量得到改善。

9.2.2.2.3其他

在图34的例子中，针对卤素气体分压Hgc，以使脉冲能量E最大的方式确定作为运转控制参数的目标的卤素气体分压Hgct，因此，脉冲能量稳定性Eσ可能恶化成图35所示的Eσr的值。

该情况下，也可以预先登记脉冲能量稳定性Eσ作为推荐目标参数的信息，根据调整振荡时的运转数据估计推荐目标参数信息，将其输出到外部装置。

此外，在无法放宽脉冲能量稳定性的目标参数的范围的规格的情况下，例如也可以增加作为光源#k的运转控制目标参数的每个脉冲的气体消耗量Gwt，再次设定运转控制目标参数值。由此，能够维持各消耗品的维护的剩余脉冲数。

作为光性能优先模式的另一个例子，也可以有使脉冲能量的稳定性优先的模式。该情况下，如图36所示，也可以设定目标卤素气体分压Hgct作为运转控制目标参数，以使脉冲能量稳定性Eσ的值最小(稳定性最高)。但是，该情况下，很难输出脉冲能量E，因此，通过容许消耗品的到维护为止的剩余脉冲数的减少、或者增加目标的每个脉冲的气体消耗量Gwt，能够进行光源#k的运转。

9.2.2.3优先以高占空比运转、且能够放宽脉冲能量稳定性的规格进行曝光的情况下的例子

9.2.2.3.1动作

一般而言，如图2那样，为了对晶片进行曝光，曝光装置的光源进行使振荡(以规定的重复频率进行振荡)和休止反复的突发运转模式。

该情况下的占空比用以下的式子表示。

占空比＝振荡时间/(振荡时间+休止时间)×100(％)

图37是示出占空比与脉冲能量之间的关系的曲线图。如图37所示，一般而言，光源有如下倾向：在相同的条件(施加相同气压和相同充电电压时)下，随着占空比变高，从光源输出的光的脉冲能量变低。因此，在以高占空比运转光源的情况下，需要在光源的脉冲能量变高的条件下进行运转。

此外，即使利用横轴描绘每单位时间的脉冲数、利用纵轴描绘脉冲能量，图37所示的这种关系也得到相同的倾向。

因此，当每单位时间的脉冲数增加时，脉冲能量变小，因此，在增加每单位时间的脉冲数而运转光源的情况下，对脉冲能量进行补偿的对策与高占空比的情况相同。

图38示出占空比成为优先目标参数、且脉冲能量稳定性的参数的范围能够放宽规格的情况下的流程图的例子。在占空比Dr成为优先目标参数、且能够放宽与脉冲能量稳定性有关的规格进行曝光的情况下，能够代替图31的流程图而应用图38的流程图。

在步骤S181中，光源参数管理用服务器320设定作为优先目标参数的Drtp。作为优先参数的突发模式的占空比Drtp是根据从此进行曝光时的运转的模式计算出的占空比。

步骤S182、S183、S184和S187可以与图34的步骤S172、S173、S174和S177相同。

在步骤S187之后的步骤S189中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出目标占空比Drtp作为优先目标参数信息。光源参数管理用服务器320也可以还向曝光装置#k输出目标占空比。曝光装置输出针对光源#k的触发模式，以使得以接近该目标占空比Drtp的突发曝光模式进行曝光。

9.2.2.3.2效果

对腔100内的卤素气体分压进行控制，以成为脉冲能量最大的卤素气体分压，由此能够进行高占空比的运转。因此，曝光的吞吐量得到改善。

9.2.2.3.3其他

在该例子中，针对卤素气体分压，以使脉冲能量最大的方式确定目标的卤素气体分压Hgct，因此，脉冲能量稳定性可能恶化。因此，也可以预先登记脉冲能量稳定性作为推荐目标参数信息，根据调整振荡时的运转数据估计推荐目标参数信息，将其输出到外部装置。

此外，在无法放宽脉冲能量稳定性的目标参数的规格的情况下，例如也可以增加作为光源#k的运转控制目标参数的每个脉冲的气体消耗量Gwt进行再次设定。由此，能够维持消耗品的维护的剩余脉冲数。

在该例子中，作为优先目标参数，示出占空比的情况，但是不限于该例子，例如也可以设定每单位时间的输出作为优先目标参数。

一般而言，在准分子激光器的情况下，当高占空比或每单位时间的脉冲数变高时，很难输出脉冲能量。因此，执行图31或图38所示的这种处理流程，例如通过扩大谱线宽度、或放宽脉冲能量稳定性的参数的范围的规格、或增大每个脉冲的气体消耗量Gw、或它们的组合等，在能够维持脉冲能量的条件下设定运转控制目标参数。而且，也可以设定高占空比或每单位时间的脉冲数大的值作为优先目标参数信息来运转光源#k。

9.3消耗品寿命延长模式运转

根据半导体工厂，由于生产计划、维护计划等的情况，有时希望延长消耗品的到维护为止的期间。在延长消耗品的寿命时，设定光源#k的运转控制目标参数以使相同气压和相同充电电压的情况下的脉冲能量变高即可。

9.3.1再次设定目标卤素气体分压的例子

9.3.1.1动作

图39是在消耗品寿命延长模式运转的情况下被应用的处理流程的例子。在消耗品寿命延长模式运转的情况下，在图24的步骤S71中应用图39的流程图。

在步骤S191中，光源参数管理用服务器320选定能够延长消耗品的寿命的运转参数。作为在相同气压和相同充电电压的情况下使脉冲能量变高的运转参数之一，有卤素气体分压(参照图35)。在该例子中，光源参数管理用服务器320选定卤素气体分压。

步骤S192、S193、步骤S194和步骤S197可以与图38的步骤S182、S183、S184和步骤S187分别相同。

在步骤S197之后，光源参数管理用服务器320返回图24的流程图。

9.3.1.2效果

如图39那样，作为光源#k的运转控制目标参数，再次设定目标卤素气体分压以使脉冲能量成为最大能量，由此，在设定了相同气压和相同充电电压的情况下，能够提高脉冲能量。能够将该脉冲能量的富余度分配给消耗品的到维护为止的剩余脉冲数的增加。

此外，该情况下，作为推荐目标参数信息，也可以根据调整运转时的数据求出脉冲能量和脉冲能量稳定性，将它们输出到外部装置。

9.3.2再次设定目标谱线宽度的例子

如图33中说明的那样，作为光源#k的运转控制目标参数，扩大目标谱线宽度，由此，能够提高施加了相同气压和相同充电电压时的脉冲能量。能够将该脉冲能量的富余度分配给消耗品的到维护为止的剩余脉冲数的增加。

该情况下，作为推荐目标参数信息，也可以根据调整运转时的数据求出谱线宽度和谱线宽度稳定性，将它们输出到外部装置。

9.3.3再次设定气体消耗量的例子

作为推荐目标参数信息，在无法放宽脉冲能量稳定性或谱线宽度等目标参数的规格的情况下，例如也可以增加作为光源#k的运转控制目标参数的每个脉冲的气体消耗量Gwt进行再次设定。由此，能够增加消耗品的到维护为止的剩余脉冲数。但是，该情况下，作为推荐目标参数信息，也可以将设定的每个脉冲的气体消耗量Gwt输出到外部装置。也可以根据增加每个脉冲的气体消耗量Gwt进行设定的情况下的调整运转时的数据将维护信息输出到外部装置。

9.3.4效果

根据消耗品寿命延长模式运转，能够增加消耗品的到维护为止的剩余脉冲数。通过增加消耗品的到维护为止的剩余脉冲数，例如能够使光刻***#k的其他消耗品的维护时期和光源#k的维护时期一致，能够改善制造线的停机时间。此外，根据消耗品寿命延长模式运转，还能够使光源#k的消耗品的维护时期和光源#j(j≠k)的消耗品的维护时期一致。

9.3.5其他

在该例子中，示出再次设定目标卤素分压的例子、再次设定目标谱线宽度的例子、以及再次设定目标气体消耗量的例子这3个例子，但是不限于这些例子，也可以适当组合这3个例子。这样，还能够减小推荐目标参数信息的规格放宽的范围。

9.4消耗量减少模式运转

9.4.1气体消耗量减少模式运转

还想到如下期望：由于某些情况，与通常的规格相比，希望减少气体消耗量。在减少气体消耗量时，设定光源的运转控制目标参数以使施加了相同气压和相同充电电压时的脉冲能量变高即可。

图40是示出每单位脉冲的气体消耗量与脉冲能量之间的关系的曲线图。如图40所示，一般而言，光源有如下倾向：随着每单位脉冲的气体消耗量的增加，从光源输出的光的脉冲能量增加。

认为其理由是，***体的更换量增加，因此，能够减少存在于腔内的吸收激光的杂质气体浓度，脉冲能量增加。

因此，在增加每单位脉冲的气体消耗量时，能够较高地维持光源的脉冲能量。换言之，如果能够通过其他参数较高地维持脉冲能量，则能够减少气体消耗量。

9.4.1.1再次设定目标卤素分压的例子

图41是在气体消耗量减少模式运转的情况下被应用的处理流程的例子。在气体消耗量减少模式运转的情况下，在图24的步骤S71中应用图41的流程图。

在步骤S201中，光源参数管理用服务器320设定气体消耗量Gwtp作为优先目标参数。步骤S202、S203、S204和步骤S207可以与图38的步骤S182、S183、S184和步骤S187分别相同。

在步骤S207之后的步骤S208中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出作为优先目标参数信息的目标气体消耗量Gwtp。

在步骤S208之后，光源参数管理用服务器320返回图24的流程图。

如图35中说明的那样，以使脉冲能量成为最大能量的方式调节目标卤素气体分压Hgct，由此，能够提高施加了相同气压和相同充电电压时的脉冲能量。能够将该脉冲能量的富余度分配给气体消耗量减少。

该情况下，光源参数管理用服务器320根据调整运转时的数据求出脉冲能量稳定性作为推荐目标参数信息。然后，光源参数管理用服务器320将估计出的推荐目标参数信息和维护信息输出到外部装置。

9.4.1.2扩大目标谱线宽度的例子

如图33的例子那样，扩大目标谱线宽度Δλt，由此，能够提高施加了相同气压和相同充电电压时的脉冲能量。能够将该脉冲能量的富余度分配给气体消耗量减少。该情况下，作为图24的流程图中的光源#k的运转控制目标参数，再次设定以下的参数。

[1]设定为减少了光源#k的每个脉冲的气体消耗量的目标气体消耗量Gwtp。

[2]设定为扩大了谱线宽度的目标谱线宽度Δλtp。

此外，该情况下，关于推荐目标参数信息，根据调整运转时的运转数据求出谱线宽度Δλ和谱线宽度的稳定性的范围。然后，将推荐目标参数信息和维护信息输出到外部装置。

9.4.1.3减少到维护为止的剩余脉冲数的例子

此外，作为推荐目标参数信息，在无法放宽能量稳定性或谱线宽度的目标参数的规格的情况下，减少消耗品的到维护为止的剩余脉冲数，由此能够抑制气体消耗量。但是，该情况下，将减少到维护为止的剩余脉冲数的情况作为维护信息输出到外部装置。

9.4.1.4效果

根据上述例示的气体消耗量减少模式运转，能够减少每单位脉冲的气体消耗量。在准分子***体的成本高涨的情况下，气体消耗量减少模式运转的成本降低效果变大。

此外，例如，在半导体工厂内的准分子***体的余量较少也不停止光源的运转的情况下，气体消耗量减少模式运转成为有效的手段。

9.4.1.5其他

在上述的例子中，示出再次设定目标卤素分压的例子、扩大目标谱线宽度的例子、以及减少到维护为止的剩余脉冲数的例子这3个例子，但是不限于这些例子，也可以适当组合这3个例子。这样，还能够减小推荐目标参数的规格放宽的范围。

9.4.2省电模式运转

在减少消耗电力时，能够通过较低地设定电源的充电电压的范围来实现。

9.4.2.1再次设定充电电压的目标值的例子

图42是在省电模式运转的情况下被应用的处理流程的例子。在省电模式运转的情况下，在图24的步骤S71中应用图42的流程图。

在步骤S211中，光源参数管理用服务器320选定能够减少电力消耗量(消耗电力)的运转控制目标参数作为优先目标参数。光源参数管理用服务器320选定充电器110的充电电压作为能够减少电力消耗量的运转控制目标参数之一。

在步骤S212中，光源参数管理用服务器320再次设定作为光源#k的运转控制目标参数的充电器110的充电电压的运转范围HVLLt～HVULt。消耗电力依赖于作为光源的激光装置的充电电压，因此，通过在能够运转的范围内较低地设定目标的充电电压的下限值HVLLt和上限值HVULt，能够抑制消耗电力。

在步骤S213中，光源参数管理用服务器320向光源#k输出充电电压的运转范围HVLLt～HVULt作为运转控制参数信息。

在步骤S213之后，光源参数管理用服务器320返回图24的流程图。

如图42的例子那样，通过在能够运转的范围内较低地设定作为充电电压目标值的范围的下限值HVLLt和上限值HVULt，能够抑制消耗电力。即，与通常的情况相比，将作为光源#k的运转控制目标参数的充电器110的目标充电电压的下限值HVLLt和上限值HVULt再次设定为较低的值即可。

但是，在较低地设定充电电压时，作为其副作用，可以有脉冲能量的稳定性恶化、气体消耗量增加、到维护为止的剩余脉冲数减少等。该情况下，光源参数管理用服务器320根据调整运转时的运转数据求出与脉冲能量的稳定性和气体消耗量有关的参数信息作为推荐目标参数信息，将该推荐目标参数信息和维护信息输出到外部装置。

9.4.2.2再次设定卤素气体分压的目标值的例子

如图35的例子那样，将作为运转控制目标参数的卤素气体分压设定为得到最大的脉冲能量的目标值Hgct，由此，能够提高相同气压和相同充电电压的条件下的脉冲能量。能够将该脉冲能量的富余度分配给充电电压的运转范围。该情况下，光源参数管理用服务器320根据调整运转时的运转数据求出脉冲能量的稳定性的范围作为推荐目标参数信息，将该推荐目标参数信息输出到外部装置。

9.4.2.3扩大目标谱线宽度的例子

如图33的例子那样，扩大作为运转控制目标参数的目标谱线宽度Δλt，由此，能够提高施加了相同气压和相同充电电压时的脉冲能量。能够将该脉冲能量的富余度分配给充电电压的运转范围。该情况下，光源参数管理用服务器320根据调整运转时的运转数据求出谱线宽度和谱线宽度的稳定性的范围作为推荐目标参数信息，将该推荐目标参数信息输出到外部装置。

9.4.3效果

通过实施省电模式运转，能够减少电力消耗量。此外，在半导体工厂内的电力情况紧迫的情况下，也能够抑制电力消耗量，并且持续进行光源的运转。

9.4.4其他

在上述的例子中，示出再次设定充电电压目标值的例子、再次设定卤素气体分压的例子、以及扩大谱线宽度的例子这3个例子，但是不限于这些例子，也可以适当组合这3个例子。这样，还能够减小推荐目标参数的规格放宽的范围。

此外，作为激光装置的消耗电力的比例高的项目，举出驱动CFF123的马达124的消耗电力。该情况下，通过降低CFF123的转速，能够实现消耗电力的抑制。

但是，该情况下，脉冲能量的稳定性可能恶化，腔的寿命可能变短。该情况下，也可以将推荐目标参数信息输出到外部装置，进行运转的许可/不许可的判定。

9.5变形例

图43是示出实施方式4的变形例的框图。如图43所示，半导体制造***也可以构成为具有与光源参数管理用服务器320连接的输入/显示装置330。输入/显示装置330包含受理来自操作员的信息的输入的输入装置和显示各种信息的显示装置。输入装置例如可以是键盘、鼠标、多触摸面板或语音输入装置或它们的适当的组合。输入/显示装置330可以是能够经由通信线路访问光源参数管理用服务器320的个人计算机、平板终端等信息处理终端装置。也可以存在多个输入/显示装置330。

工厂内的操作员也可以从该输入/显示装置330选择光源#k，输入优先目标参数信息，由此使输入/显示装置330显示维护信息、推荐目标参数信息。然后，操作员也可以在确认维护信息、推荐目标参数信息后，进行运转的许可/不许可的判断，从输入/显示装置330输入该判断结果。

此外，关于从输入/显示装置330输入优先目标参数信息的方法，不限于直接输入参数及其数值的信息的方式，例如，也可以从输入/显示装置330输入典型的性能优先模式运转、消耗品寿命延长模式运转或消耗量减少模式运转等模式信息，由此自动地设定各个模式中被定义的优先的目标参数信息，进行相同的动作。

作为一例，在输入/显示装置330中提示包含多个模式的选择候选的模式选择菜单，当输入操作员从该模式选择菜单中例如选择“谱线宽度优先模式”的指示时，包含缩小谱线宽度优先模式中被定义的谱线宽度的目标值的优先目标参数信息被光源参数管理用服务器320取入。关于从模式信息到对应的参数信息的转换，可以在输入/显示装置330中实施，也可以在光源参数管理用服务器320中实施。

10.参数信息的具体例

图44示出与光源有关的参数信息的具体例。例如，谱线宽度的参数信息是包含谱线宽度及其值、以及谱线宽度稳定性及其值的数据的集合体。

图45示出优先目标参数信息的具体例。例如，谱线宽度的优先目标参数信息包含作为变量的优先目标谱线宽度、其优先的谱线宽度的目标值Δλtp、作为另一个变量的优先目标谱线宽度的稳定性、以及其优先的谱线宽度Δλ的变动幅度的目标值ΔΔλtp。这里的谱线宽度是本公开中的“第1变量”的一例，目标值Δλtp是本公开中的“第1目标值”的一例。谱线宽度Δλ的变动幅度相当于被容许的谱线宽度Δλ的数值范围。谱线宽度Δλ的变动幅度是本公开中的“第2变量”的一例，目标值ΔΔλtp是本公开中的“第2目标值”的一例。

图46示出推荐目标参数信息的具体例。图46与图45的不同之处在于，图45所示的“优先目标参数”这样的语句被变更为“推荐目标参数”，图45所示的优先的目标值被变更为被推荐的目标值。

图47示出维护信息的具体例。在该例子中，作为消耗品，举出腔100、LNM窄带化模块、输出耦合镜(OC)的例子，但是不限于该例子，例如还包含被配置于激光的光路上的其他光学模块(未图示的光学脉冲展宽器等)。

图48示出运转控制目标参数信息的具体例。在该例子中，作为运转控制参数的例子，举出向充电器指示的电压(充电电压)、卤素气体分压、波面调节器的透镜间隔的例子，但是不限于该例子，例如还包含谱线宽度、波长、脉冲能量的反馈控制用的控制增益。

11.关于记录有程序的计算机可读介质

能够将包含命令的程序记录于光盘、磁盘、其他的计算机可读介质(作为有形物的非暂时性的信息存储介质)，通过该信息存储介质提供程序，该程序用于使计算机作为上述的各实施方式中说明的数据分析用服务器310、光源参数管理用服务器320发挥功能。将该程序组入计算机中，处理器执行程序的命令，由此，能够使计算机实现这些服务器的功能。

12.其他

在上述的各实施方式中，作为曝光装置中使用的光源，例示了准分子激光装置，但是不限于此，也可以是固体激光装置，还可以是生成波长大约为13nm的极紫外(EUV)光的EUV光生成装置等。EUV光生成装置例如可以是使用通过对目标物质照射激光而生成的等离子体的LPP(Laser Produced Plasma：激光等离子体)方式的装置。

上述说明不是限制，而是简单的例示。因此，本领域技术人员明白能够在不脱离权利要求书的情况下对本公开的实施方式施加变更。此外，本领域技术人员还明白组合本公开的实施方式进行使用。

只要没有明确记载，则本说明书和权利要求书整体所使用的用语应该解释为“非限定性”用语。例如，“包含”、“有”、“具有”、“具备”等用语应该解释为“不将被记载的结构要素以外的结构要素的存在除外”。此外，修饰词“一个”应该解释为意味着“至少一个”或“一个或一个以上”。此外，“A、B和C中的至少一方”这样的用语应该解释为“A”、“B”、“C”、“A+B”、“A+C”、“B+C”或“A+B+C”。进而，应该解释为还包含它们和“A”、“B”、“C”以外的部分的组合。

Claims (20)

1.一种光源参数信息管理方法，其对曝光装置中使用的光源的参数信息进行管理，其中，所述光源参数信息管理方法包含以下步骤：

取得包含如下变量的项目和所述变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在所述光源的运转中优先的优先目标参数；

根据所述优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示所述光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值；以及

输出所述维护信息。

2.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

从外部装置受理所述优先目标参数信息的输入，

将所述维护信息输出到所述外部装置。

3.根据权利要求2所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述光源参数信息管理方法还包含以下步骤：从所述外部装置取得表示是否许可所述光源的运转的许可信号或不许可信号。

4.根据权利要求3所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述光源参数信息管理方法还包含以下步骤：在从所述外部装置得到了许可所述光源的运转的所述许可信号的情况下，对所述光源设定所述优先目标参数信息，对所述光源进行控制。

5.根据权利要求4所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述光源参数信息管理方法还包含以下步骤：根据所述光源的运转中的数据，估计设定了所述优先目标参数信息时的所述光源的所述维护信息。

6.根据权利要求5所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述光源参数信息管理方法还包含以下步骤：将根据所述运转中的数据估计的所述维护信息输出到所述外部装置。

7.根据权利要求3所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述光源参数信息管理方法还包含以下步骤：在从所述外部装置得到了不许可所述光源的运转的不许可信号的情况下，停止所述光源的运转。

8.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述优先目标参数信息包含作为所述优先目标参数的第1变量的第1目标值和表示所述第1变量的数值范围的第2变量的第2目标值。

9.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述优先目标参数信息包含目标谱特性参数信息、目标输出特性参数信息和目标消耗量信息中的至少一方。

10.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述维护信息包含所述消耗品的到维护为止的剩余脉冲数和剩余时间中的至少一方的值，作为表示所述消耗品的所述寿命的值。

11.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述维护信息的估计包含以下步骤：

将对所述光源设定所述优先目标参数信息并使所述光源进行调整运转而得到的运转数据输入到学习完毕的机器学习模型，从所述机器学习模型输出所述消耗品的劣化度；以及

根据所述劣化度求出表示所述消耗品的寿命的值。

12.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述光源参数信息管理方法还包含以下步骤：

估计推荐目标参数信息，该推荐目标参数信息包含与所述取得的所述优先目标参数信息不同的参数信息；以及

输出所述推荐目标参数信息。

13.根据权利要求12所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述推荐目标参数信息包含目标谱特性参数信息、目标输出特性参数信息和目标消耗量参数信息中的至少一方。

14.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述优先目标参数信息包含模式信息，该模式信息指定使所述光源的光性能优先的光性能优先模式、使所述光源的所述消耗品的寿命的延长优先的消耗品寿命延长模式、以及减少在所述光源的运转中被消耗的要素的消耗量的消耗量减少模式中的至少一个模式。

15.根据权利要求14所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述光性能优先模式是使谱线宽度参数信息和输出特性参数信息中的任意一方优先来运转所述光源的模式。

16.根据权利要求14所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述消耗品寿命延长模式是使所述光源的消耗品的到维护为止的剩余脉冲数的增加优先来运转所述光源的模式。

17.根据权利要求14所述的光源参数信息管理方法，其中，

所述消耗量减少模式是使***体的消耗量的减少和消耗电力的减少中的任意一方优先来运转所述光源的模式。

18.根据权利要求1所述的光源参数信息管理方法，其中，

根据晶片检查数据、从所述曝光装置得到的数据、从所述光源得到的数据和追踪数据来选定所述优先目标参数。

19.一种光源参数信息管理装置，其对曝光装置中使用的光源的参数信息进行管理，其中，所述光源参数信息管理装置包含：

处理器；以及

存储器，其存储有所述处理器执行的程序，

所述处理器执行所述程序的命令，由此，所述处理器进行如下处理：

取得包含如下变量的项目和所述变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在运转所述光源时优先的优先目标参数，

所述处理器根据所述优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示所述光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值，

所述处理器输出所述维护信息。

20.一种非暂时性的计算机可读介质，其记录有使计算机实现对曝光装置中使用的光源的参数信息进行管理的功能的程序，其中，所述程序使所述计算机实现以下功能：

取得包含如下变量的项目和所述变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在运转所述光源时优先的优先目标参数；

根据所述优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示所述光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值；以及

输出所述维护信息。