CN117192848A - 显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示面板,具有显示区和非显示区,非显示区包括转接区;显示面板位于转接区的部分包括第一基板、第一金属层、覆盖层、透明导电层、第一配向层、第二基板、黑矩阵、公共电极层、第二配向层以及框胶。第一金属层包括转接部。该显示面板通过在黑矩阵远离第二基板的表面形成第一凸起部,使得对应第一凸起部的顶面的部分第二配向层的厚度小于对应黑矩阵远离第二基板的表面的部分第二配向层的厚度;和/或,在黑矩阵远离第二基板的表面形成第一凹陷部,使得对应黑矩阵远离第二基板的表面的部分第二配向层的厚度小于对应第一凹陷部的底面的部分第二配向层的厚度,进而使导电球更易刺破第二配向层,以导通透明导电层和公共电极层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
TFT-LCD在大中小平板等显示领域占据不可动摇的地位,随着消费者要求不断提高,如TFT-LCD产品向着更窄的边框设计靠拢,而窄边框的设计则对液晶面板的配向层(Polyimide,PI)提出更高的涂布精度。其中,PI Inject设备的PI涂布精度不高,往往适用于大尺寸、宽边框的产品,对于窄边框和无边框产品由于较小的边框,市面上大部分采用Coater设备进行PI涂布。这就限制了使用PI Inject设备的公司进行产品多样化发展,而设备的改造需要大量的时间和金钱成本,所以设计上如何减小PI涂布精度对于产品的影响成为一项重要的课题。
现有技术中通常采用增加导电颗粒的浓度或者增大导电球粒径或者减小配向层(Polyimide,PI)膜厚,以增大导电球刺破上下配向层的几率,可以一定程度上减小导通不良引起的功能性问题。但是导电球尺寸太大会引起面内严重的周边Mura;且实际生产过程中由于配向层(Polyimide,PI)膜厚存在一定的波动范围,现有的方法均有可能因导电球无法穿刺配向层引起导通不良的问题,直接影响画面显示。
发明内容
本申请提供一种显示面板,主要解决的是因导电球无法穿刺配向层而导通不良,影响画面显示的技术问题。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是提供一种显示面板,具有显示区和非显示区,所述非显示区包括转接区;所述显示面板位于所述转接区的部分包括:
第一基板;
第一金属层,设置于所述第一基板上;所述第一金属层包括转接部;
覆盖层,设置于所述第一金属层远离所述第一基板的一侧,且覆盖所述转接部;所述覆盖层具有多个通孔,所述通孔使得所述转接部部分暴露;
透明导电层,设置于所述覆盖层远离所述第一基板的一侧,覆盖所述覆盖层,且通过所述通孔与所述转接部电连接;
第一配向层,设置于所述透明导电层远离所述第一基板的一侧,且覆盖所述透明导电层;
第二基板,与所述第一基板相对间隔设置;
黑矩阵,设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧;
公共电极层,设置于所述黑矩阵靠近所述第一基板的一侧,且覆盖所述黑矩阵;
第二配向层,设置于所述公共电极层靠近所述第一基板的一侧,且覆盖所述公共电极层;
框胶,设置于所述第一基板和所述第二基板之间,且包括多个导电球,所述导电球导通所述透明导电层和所述公共电极层;
所述黑矩阵远离所述第二基板的表面具有第一凸起部,对应所述第一凸起部的顶面的部分所述第二配向层的厚度小于对应所述黑矩阵远离所述第二基板的表面的部分所述第二配向层的厚度;和/或,所述黑矩阵远离所述第二基板的表面具有第一凹陷部,对应所述黑矩阵远离所述第二基板的表面的部分所述第二配向层的厚度小于对应所述第一凹陷部的底面的部分所述第二配向层的厚度。
其中,所述黑矩阵远离所述第二基板的表面具有所述第一凹陷部;所述第一凹陷部包括贯穿孔、盲孔或缺口中的一种或多种。
其中,所述第一凹陷部仅设置于所述黑矩阵远离所述显示区的边缘区域;所述边缘区域的宽度与所述黑矩阵的宽度比为5%-20%。
其中,所述第一凹陷部包括位于所述黑矩阵远离所述显示区的边缘的多个缺口,所述黑矩阵远离所述显示区的边缘呈齿状。
其中,所述缺口的形状为三角形,所述黑矩阵远离所述显示区的边缘呈锯齿状。
其中,所述第一凹陷部包括间隔设置的多个贯穿孔;所述贯穿孔与所述黑矩阵远离所述显示区的边缘间隔设置。
其中,所述第一凹陷部包括图案化的镂空部,所述图案化的镂空部将位于所述边缘区域的部分所述黑矩阵分割为间隔设置的多个遮光块。
其中,所述转接部具有镂空部和实体部;所述覆盖层在对应所述实体部的位置形成第二凸起部,且在对应所述镂空部的位置形成第二凹陷部;对应所述第二凸起部的顶面的部分所述第一配向层的厚度小于对应所述第二凹陷部的底面的部分所述第一配向层的厚度;所述第一凹陷部与所述第二凸起部至少部分错位,所述导电球设置于所述黑矩阵和所述第二凸起部之间。
其中,所述第二基板靠近所述第一基板的表面具有凹槽结构,所述黑矩阵部分嵌入所述凹槽结构形成所述第一凹陷部。
其中,所述黑矩阵远离所述第二基板的表面还具有多个所述第一凸起部;多个所述第一凸起部间隔设置于所述黑矩阵的边缘区域以外的区域。
本申请提供一种显示面板,具有显示区和非显示区,非显示区包括转接区;显示面板位于转接区的部分包括第一基板、第一金属层、覆盖层、透明导电层、第一配向层、第二基板、黑矩阵、公共电极层、第二配向层以及框胶。第一金属层包括转接部。该显示面板通过在黑矩阵远离第二基板的表面形成第一凸起部,使得对应第一凸起部的顶面的部分第二配向层的厚度小于对应黑矩阵远离第二基板的表面的部分第二配向层的厚度;和/或,在黑矩阵远离第二基板的表面形成第一凹陷部,使得对应黑矩阵远离第二基板的表面的部分第二配向层的厚度小于对应第一凹陷部的底面的部分第二配向层的厚度;相比现有技术,本申请提供的显示面板可以使导电球更易刺破第二配向层,以导通透明导电层和公共电极层,改善导电球导通不良引起的画面显示不良的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请第一实施例提供的显示面板的结构示意图;
图2为图1的显示面板的转接区局部放大示意图;
图3为图1的显示面板沿图2的A-A’线截取的截面结构示意图;
图4为图3的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图5为本申请第二实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图6为申请第二实施例提供的显示面板沿图5的B-B’截取的截面结构示意图;
图7为图6的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图8为本申请第三实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图9为申请第三实施例提供的显示面板沿图8的C-C’截取的截面结构示意图;
图10为图9的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图11为本申请第四实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图12为申请第四实施例提供的显示面板沿图11的D-D’截取的截面结构示意图;
图13为图12的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图14为本申请第五实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图15为申请第五实施例提供的显示面板沿图14的E-E’截取的截面结构示意图;
图16为图15的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图17为本申请第六实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图18为申请第六实施例提供的显示面板沿图17的F-F’截取的截面结构示意图;
图19为图18的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图20为本申请第七实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图21为本申请第八实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图22为申请第八实施例提供的显示面板沿图21的G-G’截取的截面结构示意图;
图23为图22的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图24为本申请第九实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图25为申请第九实施例提供的显示面板沿图24的H-H’截取的截面结构示意图;
图26为图25的显示面板的对设基板的具体结构示意图;
图27为本申请第十实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;
图28为申请第十实施例提供的显示面板沿图27的I-I’截取的截面结构示意图。
附图标号说明:
1-第一基板;2-第一金属层;201-转接部;3-覆盖层;3a-通孔;301-栅极绝缘层;302-钝化层;4-透明导电层;5-第一配向层;6-第二基板;7-黑矩阵;8-公共电极层;9-第二配向层;10-透明电极层;100-显示面板;200-显示区;300-非显示区;400-转接区;L-镂空部;S-实体部;X1-第一凸起部;X2-第一凹陷部;Y1-第二凸起部;Y2-第二凹陷部;M-图案化的镂空部;N-盲孔;Q-缺口;T-贯穿孔;W-导电球。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定***结构、接口、技术之类的具体细节,以便透彻理解本申请。
本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。本申请实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面结合附图和实施例对本申请进行详细的说明。
请参阅图1至图4,图1为本申请第一实施例提供的显示面板的结构示意图;图2为图1的显示面板的转接区局部放大示意图;图3为图1的显示面板沿图2的A-A’线截取的截面结构示意图;图4为图3的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第一实施例提供一种显示面板100,显示面板100包括显示区200和非显示区300,非显示区300包括转接区400(Transfer Pad)。显示面板100位于转接区400的部分包括第一基板1、第一金属层2、覆盖层3、透明导电层4、第一配向层5、第二基板6、黑矩阵7、公共电极层8、第二配向层9以及框胶。
具体地,第一基板1、第一金属层2、覆盖层3、透明导电层4以及第一配向层5组成阵列基板,第二基板6、黑矩阵7、公共电极层8以及第二配向层9组成对设基板,例如彩膜基板,本申请对此不做限制。显示面板100由阵列基板和对设基板对盒组成,透明导电层4和公共电极层8通过导电球W进行导通。其中,第二基板6和第一基板1相对间隔设置,第一基板1和第二基板6材料不限,例如可以为玻璃基板。电极信号通过第一基板1侧的第一金属层2传递至透明导电层4,透明导电层4的电极信号再通过导电球W传递至第二基板6侧的公共电极层8,以实现阵列基板和对设基板之间的导通,从而在阵列基板和对设基板之间形成液晶偏转电压。
继续参阅图2至图4,显示面板100位于转接区400的部分包括第一基板1;第一金属层2设置于第一基板1上;第一金属层2包括转接部201。覆盖层3设置于第一金属层2远离第一基板1的一侧,且覆盖转接部201。其中,覆盖层3具有多个通孔3a,通孔3a可以使得转接部201部分暴露。例如,转接部201包括多个交叉设置呈网格的电极线(图未示),通孔3a对应电极线设置,使得电极线部分暴露。
在具体实施例中,覆盖层3包括栅极绝缘层301和钝化层302,栅极绝缘层301设于第一金属层2远离第一基板1的一侧,且覆盖转接部201;钝化层302设置于栅极绝缘层301远离第一基板1的一侧,且覆盖栅极绝缘层301。栅极绝缘层301和钝化层302的材料和厚度不限,例如,栅极绝缘层301为SiO2绝缘层,钝化层302为PV层。
透明导电层4设置于覆盖层3远离第一基板1的一侧,覆盖覆盖层3。透明导电层4可以为无缝的连续结构,也可以具有开口的连续结构。优选地,透明导电层4为具有开口的连续结构,可以使得制备第一配向层5的PI液更容易聚集在开口处,从而减小靠近导电球W一侧的第一配向层5的厚度。具体的,透明导电层4通过通孔3a与转接部201进行电连接。具体地,透明导电层4为ITO层。
第一配向层5设置于透明导电层4远离第一基板1的一侧,且覆盖透明导电层4;第二基板6与第一基板1相对间隔设置。具体地,第一配向层5为PI层。
黑矩阵7设置于第二基板6靠近第一基板1的一侧。公共电极层8设置于黑矩阵7靠近第一基板1的一侧,且覆盖黑矩阵7,公共电极层8用于和透明导电层4电连接。具体地,公共电极层8为ITO层。
第二配向层9设置于公共电极层8靠近第一基板1的一侧,且覆盖公共电极层8。
框胶设置于第一基板1和第二基板6之间,且包括多个导电球W,导电球W用于导通透明导电层4和公共电极层8。
其中,在具体的实施例中,黑矩阵7远离第二基板6的表面具有第一凸起部X1,对应第一凸起部X1的顶面的部分第二配向层9的厚度小于对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度;和/或,黑矩阵7远离第二基板6的表面具有第一凹陷部X2(见下图7),对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应第一凹陷部X2的底面的部分第二配向层9的厚度。可以理解的是,本申请黑矩阵7远离第二基板6的表面具有凸起部或凹陷部是以转接区400的黑矩阵7和非转接区400的黑矩阵厚度基本相同为基础的,例如非显示区300黑矩阵厚度基本相同。黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分可以只具有第一凸起部X1,可以只具有第一凹陷部X2,也可以既具有第一凸起部X1又具有第一凹陷部X2。本实施例中主要以黑矩阵7远离第二基板6的表面具有第一凸起部X1为例进行说明。继续参阅图3,图3中黑矩阵7远离第二基板6的表面具有第一凸起部X1,则对应第一凸起部X1的顶面的部分第二配向层9的厚度小于对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度,以便于导电球W刺破第二配向层9,利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
目前,显示产品通常使用的PI Inject设备PI(Polyimide,聚酰亚胺)涂布精度不高,往往适用于大尺寸、宽边框的产品,对于窄边框和无边框产品由于较小的边框,市面上大部分采用Coater设备进行PI涂布。这就限制了使用PI Inject设备的公司进行产品多样化发展,而设备的改造需要大量的时间和金钱成本。对于窄边框或者无边框的显示面板100如果使用PI Inject制程,由于涂布精度不高容易导致将第二配向层9涂布到非显示区300,尤其是转接区400,易导致导电球W不能刺破第二配向层9,难以导通透明导电层4和公共电极层8,造成画面显示不良,影响显示面板100的画面显示品质。
本申请提供一种显示面板100,该显示面板100使得第一凸起部X1上覆盖的第二配向层9更薄,进而使得导电球W更容易刺破第二配向层9,更有利于导电球W导通阵列基板和对设基板,改善导电球W导通不良引起的画面显示不良的问题;且该显示面板100即使使用PI Inject设备进行涂布,也具有较高的良率,降低由于设备原因导致的局限性,大大增加了PI Inject设备的使用范围。
请参阅图5至图7,图5为本申请第二实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图6为申请第二实施例提供的显示面板沿图5的B-B’截取的截面结构示意图;图7为图6的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第二实施例提供的显示面板100和本申请第一实施例提供的显示面板100的具体结构基本相同,不同之处在于,黑矩阵7远离第二基板6的表面具有第一凹陷部X2。其中,对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应第一凹陷部X2的底面的部分第二配向层9的厚度。
可以理解的是,本实施例中的黑矩阵7远离第二基板6的表面可以只具有第一凹陷部X2,也可以既具有第一凸起部X1又具有第一凹陷部X2。本实施例中主要以黑矩阵7远离第二基板6的表面只具有第一凹陷部X2为例进行说明。黑矩阵7远离第二基板6的表面只具有第一凹陷部X2,而没有第一凸起部X1,可以避免在黑矩阵7表面设置第一凸起部X1导致的显示面板100的盒厚增大。
在具体的实施例中,因为黑矩阵7远离第二基板6的表面和第一凹陷部X2的底面之间存在较大的高度差,而第二配向层9涂布的时候未固化之前具有流动性,会从高度较高的地方流向高度较低的地方且高度越大越容易流向较低的地方,从而导致对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应第一凹陷部X2的底面的部分第二配向层9的厚度,以便于导电球W刺破第二配向层9,有利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
具体地,第一凹陷部X2包括贯穿孔T(见图16)、盲孔N(见图6)或缺口Q中的一种或多种。本实施例中主要以第一凹陷部X2为盲孔N为例进行说明。
本实施例提供的显示面板100不会增加制备成本,在显示面板100整体盒厚不变的情况下,通过设计各种不同的凹陷部,增加高度差,利用第二配向层9未固化涂布的时候具有流动性,从高度较高的地方流向高度较低的地方,从而导致对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应第一凹陷部X2的底面的部分第二配向层9的厚度,有利于导电球W刺破此处的第二配向层9。
请参阅图8至图10,图8为本申请第三实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图9为申请第三实施例提供的显示面板沿图8的C-C’截取的截面结构示意图;图10为图9的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第三实施例提供的显示面板100和本申请第二实施例提供的显示面板100的具体结构基本相同,不同之处在于本实施例中的显示面板100的第一凹陷部X2包括位于黑矩阵7远离显示区200的边缘的多个缺口Q,黑矩阵7远离显示区200的边缘呈齿状。本实施例中主要以第一凹陷部X2为矩形的缺口Q为例进行说明。第一凹陷部X2包括位于黑矩阵7远离显示区200的边缘的多个缺口Q,使得第一凹陷部X2可以容纳更多未固化之前的配向层液体。
具体地,多个矩形的缺口Q的形状和尺寸相同,且沿着黑矩阵7远离显示区200的边缘等间隔设置,使得对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度更加均匀。可以理解,为了避免矩形的缺口Q内的未固化之前的配向层液体流出非显示区300导致污染的风险,涂布第二配向层9之前可以采用挡板将矩形的缺口Q的敞口端堵住。
本实施例中,因为黑矩阵7远离第二基板6的表面和矩形的缺口Q的底面之间存在较大的高度差,而第二配向层9涂布的时候未固化之前具有流动性,会从高度较高的地方流向高度较低的地方且高度越大越容易流向较低的地方,从而导致对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应矩形的缺口Q的底面的部分第二配向层9的厚度,以便于导电球W刺破第二配向层9,有利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
研究发现,第一凹陷部X2设置于黑矩阵7上,有可能会导致显示面板100的转接区400发生漏光的问题,尤其是第一凹陷部X2贯穿黑矩阵7的情况下。因此,本实施例优选将第一凹陷部X2仅设置于黑矩阵7远离显示区200的边缘区域。
具体地,边缘区域的宽度与黑矩阵7的宽度比为5%-20%。在具体的实施例中,优选地边缘区域的宽度与黑矩阵7的宽度比为5%-10%。如果边缘区域的宽度过大,容易带来转接区400漏光的风险,而边缘区域的宽度过小,形成的第一凹陷部X2能够容纳的配向层液体较少,不利于黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度变小。其中,边缘区域的宽度的方向和C-C’截面线的方向平行,即垂直于显示面板100的一边。
请参阅图11至图13,图11为本申请第四实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图12为申请第四实施例提供的显示面板沿图11的D-D’截取的截面结构示意图;图13为图12的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第四实施例提供的显示面板100和本申请第三实施例提供的显示面板100的具体结构基本相同,不同之处在于本实施例中的显示面板100的缺口Q的形状为三角形,黑矩阵7远离显示区200的边缘呈锯齿状。本实施例中也是主要以第一凹陷部X2为三角形的缺口Q为例进行说明。
具体地,多个三角形的缺口Q的形状和尺寸相同,且沿着黑矩阵7远离显示区200的边缘设置,相邻两个三角形的缺口Q的相邻两边相交,即相邻两个三角形的缺口Q的距离为零,使得对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度更加均匀。
本实施例中,黑矩阵7远离第二基板6的表面和三角形的缺口Q的底面之间存在较大的高度差,而第二配向层9涂布的时候未固化之前具有流动性,会从高度较高的地方流向高度较低的地方且高度越大越容易流向较低的地方,从而导致对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应三角形的缺口Q的底面的部分第二配向层9的厚度,以便于导电球W刺破第二配向层9,有利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
请参阅图14至图16,图14为本申请第五实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图15为申请第五实施例提供的显示面板沿图14的E-E’截取的截面结构示意图;图16为图15的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第五实施例提供的显示面板100和本申请第二实施例提供的显示面板100的具体结构基本相同,不同之处在于本实施例中的显示面板100的第一凹陷部X2包括间隔设置的多个贯穿孔T;贯穿孔T与黑矩阵7远离显示区200的边缘间隔设置。本实施例中主要以第一凹陷部X2为贯穿孔T为例进行说明。
具体地,多个矩形贯穿孔T的形状和尺寸相同,且成阵列分布成两行。每行贯穿孔T沿着平行于黑矩阵7远离显示区200的边缘的方向等间隔设置,使得对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度更加均匀。贯穿孔T与黑矩阵7远离显示区200的边缘间隔设置,可以减小贯穿孔T内的配向层液体流出非显示区300导致污染的风险。
本实施例中,黑矩阵7远离第二基板6的表面和贯穿孔T的底面之间存在较大的高度差,而第二配向层9涂布的时候未固化之前具有流动性,会从高度较高的地方流向高度较低的地方且高度越大越容易流向较低的地方,从而导致对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应贯穿孔T的底面的部分第二配向层9的厚度,以便于导电球W刺破第二配向层9,有利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
请参阅图17至图19,图17为本申请第六实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图18为申请第六实施例提供的显示面板沿图17的F-F’截取的截面结构示意图;图19为图18的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第六实施例提供的显示面板100和本申请第二实施例提供的显示面板100的具体结构基本相同,不同之处在于本实施例中的显示面板100的第一凹陷部X2包括图案化的镂空部M,图案化的镂空部M将位于边缘区域的部分黑矩阵7分割为间隔设置的多个遮光块。
本实施例中,黑矩阵7远离第二基板6的表面和图案化的镂空部M的底面之间存在较大的高度差,而第二配向层9涂布的时候未固化之前具有流动性,会从高度较高的地方流向高度较低的地方且高度越大越容易流向较低的地方,从而导致对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应图案化的镂空部M的底面的部分第二配向层9的厚度,以便于导电球W刺破第二配向层9,有利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。可以理解,由于不同区域配向层液体的喷涂量不完全相同,容易导致黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度不均匀。由于图案化的镂空部M内部的通道均相互连通,有利于未固化之前的配向层液体在图案化的镂空部M内部流动,进一步提高黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度均匀性。
进一步,在上述所有的实施例中(主要以第一实施例的图为例进行详细的说明,参阅图2-图3),转接部201具有镂空部L和实体部S;覆盖层3在对应实体部S的位置形成第二凸起部Y1,且在对应镂空部L的位置形成第二凹陷部Y2;对应第二凸起部Y1的顶面的部分第一配向层5的厚度小于对应第二凹陷部Y2的底面的部分第一配向层5的厚度;第一凹陷部X2与第二凸起部Y1至少部分错位,或黑矩阵7与第二凸起部Y1至少部分重叠,导电球W设置于黑矩阵7和第二凸起部Y1之间,以便于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
请参阅图20,图20为本申请第七实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图。本申请第七实施例提供的显示面板100和本申请上述第六实施例提供的显示面板100的具体结构都基本相同,不同之处在于本实施例中的图案化的镂空部M一直延伸到了黑矩阵7的边缘,如此设置可以容纳更多的未固化的配向层液体。
请参阅图21至图23,图21为本申请第八实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图22为申请第八实施例提供的显示面板沿图21的G-G’截取的截面结构示意图;图23为图22的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第八实施例提供的显示面板100和本申请上述任一实施例提供的显示面板100的具体结构都基本相同,不同之处在于本实施例中的显示面板100的第二基板6靠近第一基板1的表面具有凹槽结构,黑矩阵7部分嵌入凹槽结构形成第一凹陷部X2,且凹槽结构仅设置于黑矩阵7远离显示区200的边缘区域,如此设置可以减小显示面板100的转接区400发生漏光的风险。本实施例具体在第二基板6靠近第一基板1的表面设置凹槽结构为例进行进一步的说明。
本实施例中,黑矩阵7远离第二基板6的表面和凹槽结构的底面之间存在较大的高度差,而第二配向层9涂布的时候未固化之前具有流动性,会从高度较高的地方流向高度较低的地方且高度越大越容易流向较低的地方,从而导致对应黑矩阵7远离第二基板6的表面的部分第二配向层9的厚度小于对应凹槽结构的底面的部分第二配向层9的厚度,以便于导电球W刺破第二配向层9,有利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
请参阅图24至图26,图24为本申请第九实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图25为申请第九实施例提供的显示面板沿图24的H-H’截取的截面结构示意图;图26为图25的显示面板的对设基板的具体结构示意图。
本申请第九实施例提供的显示面板100和本申请上述任一实施例提供的显示面板100的具体结构都基本相同,不同之处在于本实施例中的显示面板100的黑矩阵7远离第二基板6的表面还具有多个第一凸起部X1;多个第一凸起部X1间隔设置于黑矩阵7的边缘区域以外的区域,其余区域黑矩阵7的厚度均匀。可以理解的是,多个第一凸起部X1的厚度可以相同,也可以不同,本实施例中主要以多个第一凸起部X1的数量为2个,且两个第一凸起部X1的厚度均不相同为例进行说明。这样设置的显示面板100,使得各个第一凸起部X1远离第一基板1的表面的黑矩阵7厚度更薄,同时也使得在使用的导电球W粒径不完全相同时,也可以将实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通。
请参阅图27至图28,图27为本申请第十实施例提供的显示面板的转接区局部放大示意图;图28为申请第十实施例提供的显示面板沿图27的I-I’截取的截面结构示意图。
本申请第十实施例提供的显示面板100和本申请上述任一实施例提供的显示面板100的具体结构都基本相同,不同之处在于在本实施例中黑矩阵7远离显示区200的一端的公共电极层8和第二配向层9之间还包括一层透明电极层10,其中,透明电极层10的材料与公共电极层8的材料相同,厚度可以相同或不同。
经研究发现,在实际生产过程中,黑矩阵7上设置第一凸起部X1和/或第一凹陷部X2,可能导致公共电极层8在第一凸起部X1和/或第一凹陷部X2断开的情况,若发生该种情况,即使第二配向层9变薄、增加黑矩阵7的厚度、透明导电层4的厚度等这些方式都无法让导电球W和公共电极层8导通。为此,本申请将黑矩阵7对应的公共电极层8做厚,以防止公共电极层8断开的情况。可以理解的是,透明电极层10可以仅设置在黑矩阵7上的第一凸起部X1和/或第一凹陷部X2对应的公共电极层8的位置;也可以设置在整个黑矩阵7对应的公共电极层8的位置;只要能够减少公共电极层8断开的可能性。具体地本实施例主要以设置在整个黑矩阵7对应的公共电极层8的位置为例说明。从方法上来说,本实例中先正常做一层公共电极层8,该公共电极层8在显示区200和非显示区300的厚度基本相同,然后再在黑矩阵7对应的公共电极层8的位置增加一道透明电极层10的制程,在公共电极层8的基础上,在黑矩阵7对应的公共电极层8的位置再做一层材料和厚度与公共电极层8的材料和厚度都相同的透明电极层10,以增加公共电极层8的厚度,有利于透明导电层4和公共电极层8导通,进而实现显示面板100的阵列基板和对设基板的导通,同时也可以避免公共电极层8断开的情况发生。
对于本领域技术人员而言,显然本申请不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本申请。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的得同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
以上所述仅为本申请的实施方式,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种显示面板,具有显示区和非显示区,所述非显示区包括转接区;所述显示面板位于所述转接区的部分包括:
第一基板;
第一金属层,设置于所述第一基板上;所述第一金属层包括转接部;
覆盖层,设置于所述第一金属层远离所述第一基板的一侧,且覆盖所述转接部;所述覆盖层具有多个通孔,所述通孔使得所述转接部部分暴露;
透明导电层,设置于所述覆盖层远离所述第一基板的一侧,覆盖所述覆盖层,且通过所述通孔与所述转接部电连接;
第一配向层,设置于所述透明导电层远离所述第一基板的一侧,且覆盖所述透明导电层;
第二基板,与所述第一基板相对间隔设置;
黑矩阵,设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧;
公共电极层,设置于所述黑矩阵靠近所述第一基板的一侧,且覆盖所述黑矩阵;
第二配向层,设置于所述公共电极层靠近所述第一基板的一侧,且覆盖所述公共电极层;
框胶,设置于所述第一基板和所述第二基板之间,且包括多个导电球,所述导电球导通所述透明导电层和所述公共电极层;
其特征在于,所述黑矩阵远离所述第二基板的表面具有第一凸起部,对应所述第一凸起部的顶面的部分所述第二配向层的厚度小于对应所述黑矩阵远离所述第二基板的表面的部分所述第二配向层的厚度;和/或,所述黑矩阵远离所述第二基板的表面具有第一凹陷部,对应所述黑矩阵远离所述第二基板的表面的部分所述第二配向层的厚度小于对应所述第一凹陷部的底面的部分所述第二配向层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述黑矩阵远离所述第二基板的表面具有所述第一凹陷部;所述第一凹陷部包括贯穿孔、盲孔或缺口中的一种或多种。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹陷部仅设置于所述黑矩阵远离所述显示区的边缘区域;所述边缘区域的宽度与所述黑矩阵的宽度比为5%-20%。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹陷部包括位于所述黑矩阵远离所述显示区的边缘的多个缺口,所述黑矩阵远离所述显示区的边缘呈齿状。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述缺口的形状为三角形,所述黑矩阵远离所述显示区的边缘呈锯齿状。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹陷部包括间隔设置的多个贯穿孔;所述贯穿孔与所述黑矩阵远离所述显示区的边缘间隔设置。
7.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一凹陷部包括图案化的镂空部,所述图案化的镂空部将位于所述边缘区域的部分所述黑矩阵分割为间隔设置的多个遮光块。
8.根据权利要求2-7任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述转接部具有镂空部和实体部;所述覆盖层在对应所述实体部的位置形成第二凸起部,且在对应所述镂空部的位置形成第二凹陷部;对应所述第二凸起部的顶面的部分所述第一配向层的厚度小于对应所述第二凹陷部的底面的部分所述第一配向层的厚度;所述第一凹陷部与所述第二凸起部至少部分错位,所述导电球设置于所述黑矩阵和所述第二凸起部之间。
9.根据权利要求2-7任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述第二基板靠近所述第一基板的表面具有凹槽结构,所述黑矩阵部分嵌入所述凹槽结构形成所述第一凹陷部。
10.根据权利要求3-7任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述黑矩阵远离所述第二基板的表面还具有多个所述第一凸起部;多个所述第一凸起部间隔设置于所述黑矩阵的边缘区域以外的区域。
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