CN116705603B - 一种半导体脉冲高压二极管的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，包括:采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；按照制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；对所有制造过程信息进行合格分析；依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造。从模拟以及实际生产两方面来综合保证制造过程的合格性，保证制造的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体脉冲高压二极管的制造方法。
背景技术
脉冲式高压二极管主要应用于脉冲电源的应用,具有良好的瞬态浪涌电流冲击特性,瞬态的高温吸收特性及独特的缓冲区域,保证了脉冲高压二极管区别于其他二极管的优越品质。
不同类型的二极管在制造的过程中都有其对应的制造流程，在按照制造流程进行制造完成后会进行实际测试，来确定该制造的二极管是否生产合格，虽然在制造之前还会进行仿真测试，但是该仿真测试一般是针对该类型二极管的标准测试，并不会针对不同的需求来进行针对性仿真，导致最后生产的产品达不到预期要求。
因此，本发明提出一种半导体脉冲高压二极管的制造方法。
发明内容
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，用以通过对需求进行方案匹配以及对方案中的每个步骤进行制造模拟，来确定制造过程中存在的不合格，来实现对方案的初步修正，且后续在实际生产过程中通过对实时记录信息与监督标准的逐一对比分析以及实时调整，来实现对实际生产过程的有效修正，从模拟以及实际生产两方面来综合保证制造过程的合格性，尽量保证制造的二极管到达预期要求。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，包括：
步骤1：采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；
步骤2：按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；
步骤3：对所有制造过程信息进行合格分析，当分析结果为合格，将所述制造方案保留，否则，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，得到合格方案并进行保留；
步骤4：依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；
步骤5：在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造。
优选的，采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案，包括：获取对待制造二极管的每个必要性需求并构建需求阵列，将所述需求阵列输入到矛盾分析列表中，确定所述需求阵列中存在的不矛盾需求、矛盾需求以及与所述矛盾需求一致的互不兼容需求；
根据在需求采集过程中对每个必要性需求的设定必要等级，来确定不同矛盾需求与对应互不兼容需求的不兼容数组；
确定每个不兼容数组中的最大必要等级，并当时，向对应不兼容数组中的最大必要等级进行第一标定，其中，y0max表示最大必要等级对应的必要值；y01i1表示对应不兼容数组中所有剩余必要等级n中的第i1个剩余必要等级的必要值；当时，统计对应不兼容数组中的每个需求基于所有不兼容数组的出现总次数，并对最小总出现次数的需求进行第二标定；
基于第一标定结果以及第二标定结果，剔除重复需求，并判断剩余未剔除需求中是否还存在矛盾需求；
若过存在，按照剩余未剔除需求的必要等级的必要值进行大小排序，如果存在同等级矛盾，则将必要值小的需求剔除，如果存在不同等级矛盾，则将低等级的需求剔除；
根据剔除后的需求以及非矛盾需求，从制造数据库调取一致的制造方案。
优选的，所述不兼容数组包括：矛盾需求以及矛盾需求的设定必要等级、所对应的互不兼容需求以及互不兼容需求的设定必要等级。
优选的，按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息，包括：
获取每个制造步骤的所有制造段，并根据每个制造段的参数总量以及每个制造段的段权重，确定对应制造段的工具待设置个数；
其中，N1表示对应制造段的工具待设置个数；n1表示对应制造段的关键制造点个数；∝表示对应制造段的段权重；M表示对应制造段的参数总量；N表示所述制造步骤的参数总量；[]表示取整符号；
根据所述工具待设置个数，对所述制造段进行平均设置，并获取每个设置位置的捕捉工具对相应设置位置的参数的时间捕捉结果；
基于所有时间捕捉结果以及对应设置位置的标准时间结果进行比较，若一致，向对应设置位置的捕捉工具设置时间正常标签；
若不一致，寻找不一致位置，并确定所述不一致位置的时间捕捉偏移，并向对应捕捉工具设置时间偏移标签；
确定相邻制造段中的第一个制造段的最后一个工具的第一捕捉时间以及第二个制造段的第一个工具的第二捕捉时间；
若第二捕捉时间与第一捕捉时间的时间间隔差在预设范围内，则保持最后一个工具以及第一个工具的设置位置不变；
否则，确定待补充个数，并按照所述待补充个数对相邻制造段的过渡部分进行同位置的重叠设置；
其中，D表示待补充个数；Tmax表示预设范围的最大值，且预设范围的取值为[0，Tmax]；
基于设置有标签的工具以及过渡部分设置的工具对所述制造步骤进行捕捉，并按照合格时间顺序，对捕捉的制造信息进行统计，得到制造过程信息。
优选的，对所有制造过程信息进行合格分析，包括：
将每个制造步骤的制造过程信息与标准过程信息进行时间对齐处理，并判断是否存在不一致信息；
若不存在，则判定对应制造步骤合格；
否则，判定对应制造步骤不合格，并锁定对齐时间点下的不一致信息。
优选的，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，包括：
获取每个异常制造过程中的不一致信息，构建得到第一梳理向量；
将所有第一梳理向量依次输入到关联分析模型中，判断第一梳理向量之间第一关联关系，同时，根据与异常制造过程的关联制造过程，获取首个异常制造过程与剩余异常制造过程的第二关联关系；
根据所述第一关联关系以及第二关联关系，对按照时间顺序排序后所对应首次新出现的不一致信息进行关联线路的搭建；
根据搭建线路的线路属性，从属性-修改数据库中调取修改方案，对相应搭建线路上的不一致信息进行修改；
其中，所述不一致信息即为需要修改的制造过程参数。
优选的，依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表，包括：
确定每个保留步骤与所述保留方案中剩余每个保留步骤之间的制造衔接关系；
根据所述制造衔接关系，确定对应保留步骤的单独制造性，同时，从所述制造衔接关系中筛选存在相关关系的衔接关系，并根据存在相关关系的衔接关系所对应的衔接步骤的步骤编号以及对应保留步骤的预设规定编号，构建得到制造流程序号；
建立同个保留步骤的单独制造性与制造流程序号的关联索引；
基于所有关联索引，构建得到制造列表。
优选的，对实际制造过程进行实时修正调整，包括：
实时监测并记录实际制造过程中每个制造步骤的过程进度以及过程数据；
根据所述制造列表中的每个关联索引所涉及到的关联步骤进行显著性标注，并根据显著性标注结果，确定每个保留步骤的标注次数；
根据所述标注次数以及对应保留步骤的单独制造性，确定对应保留步骤中涉及到的标准参数的参数范围是否需要缩小调整；
若标注次数小于预设次数，则判定不需要缩小调整；
否则，对相应标准参数的参数范围进行缩小调整；
其中，R01表示相应标准参数的参数范围的左边界值；R02表示相应标准参数的参数范围的右边界值；m1表示对应的标注次数；m0表示预设次数；Rz表示相应标准参数的参数范围的中间值；ω表示对应保留步骤的单独制造性；R1表示对相应标准参数的参数范围的左边界进行调整后的值；R2表示对相应标准参数的参数范围的右边界进行调整后的值；
如果R1＜R2，此时，将R1替换掉R01以及将R2替换掉R02，实现缩小调整；
如果R1＞R2，且R2＜R01，此时，保留R01不变，并将R2替换掉R02，实现缩小调整；
若R1＝R2，此时，按照对R01进行左侧缩小调整，以及/>对R02进行右侧缩小调整；
根据调整结果，获取得到基于所述制造列表的制造监督标准，并与每个制造步骤下不同制造进度的过程数据进行逐一比较，确定对应进度下的异常数据并进行提醒，实现对实际制造过程的实时修正调整。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明实施例中一种半导体脉冲高压二极管的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，如图1所示，包括：
步骤1：采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；
步骤2：按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；
步骤3：对所有制造过程信息进行合格分析，当分析结果为合格，将所述制造方案保留，否则，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，得到合格方案并进行保留；
步骤4：依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；
步骤5：在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造。
该实施例中，必要性需求指的是二极管的脉冲宽度大于0.1s、p型杂质横向分布梯度分布尽量均匀、击穿电压为102v等。
该实施例中，制造数据库是包括若干不同的与必要性需求组合匹配的制造方案在内，也就是采用该制造方案进行后续的制造模拟。
比如：需求1、需求2、需求3--制造方案1；
如果需求3不重要，且还与需求1和2存在制造冲突，此时，需求1、需求2--制造方案2。
比如，最后所获取的制造方案包括如下步骤：
圆形硅片贴腊:将圆形硅片的背面与不导电胶膜和紫外线敏感道贴装；
划片：将经贴膜后的圆形硅片放入自动划片机内，并目按照二极管芯片图形的尺寸要求对圆形硅片进行切割、用紫外线灯照射紫外线敏感膜；
装片：将不导电胶膜和紫外线敏感膜贴装先分离，然后用全自动装片机的直空吸嘴依次吸附一极管芯片，并与且有若千个引脚单元的引脚框势装配，接着令不导电胶膜经高温加热溶解并冷却固化，通过不导电胶层与引脚单元的第一贴片基岛和第二贴片基岛牢固结合；
焊线:将经装片处理后的一极管芯片的正负极通过悍线和引脚单元的第一贴片基岛和第二贴片基岛的剩余区域连接；
塑封：将经焊线后的二极管芯片和引脚框架放入模具型腔内，并注入环氧树脂进行塑封；去飞边：去掉第一引脚和第一引脚上多余塑封体，并用高压水冲洗干净；
电镀：对引脚进行电镀。
其中，圆形硅片贴腊、划片、装片、焊线、塑封、去飞边以及电镀都为对应的制造步骤。
该实施例中，制造模拟是对每个步骤都进行模拟，来确定对应步骤是否合理，且可以是基于仿真模拟平台来对相关的步骤进行模拟，并获取对应的制造过程信息，比如，在模拟划分步骤时，会捕捉：经贴膜后的圆形硅片放入自动划片机的放入位置、按照二极管芯片图形的尺寸要求对圆形硅片进行切割后的切割信息、用紫外线灯照射紫外线敏感膜的照射时间等，也就是每个制造步骤中还会包含若干小步骤，且每个制造步骤都有其明确的制造时间的，所以需要按照时间严格制造。
该实施例中，合格分析指的是，比如对照射时间进行捕捉后为10s，但实际上需要照射12～15s，此时，就没有达到照射标准，就视为不合格，也就是该制造步骤为异常步骤，对应的制造过程为异常制造过程。
该实施例中，如果因为照射时间不够导致后续不导电胶膜和紫外线敏感膜贴装的分离可能会出现失败，就表明装片的制造步骤与异常制造步骤划片存在关联，也就是装片为划片的关联制造过程。
此时，就需要将其照射时间从10s修正到12～15s之间即可，也就是制造过程参数的修改。
比如，存在步骤1、2、3，其中，步骤1如何制造的，其结果与步骤2和3无任何关联，此时，步骤1的单独制造性可以为1，但是如果与步骤2有关联与步骤3无关联，此时，步骤1的单独制造型可以为1/2，其中，1/2中的1表示关联个数，1/2的2表示除去本身的剩余步骤的总分析个数。
该实施例中，制造流程序号是基于制造方案确定出来的，也就是每个制造步骤预先规定好的执行顺序。
该实施例中，比如：针对步骤1的关联索引：步骤1-单独制造性-制造流程序号。
该实施例中，制造列表就是将所有的关联索引都整合到一起，比如：制造列表：关联索引1、关联索引2等。
该实施例中，实际生产过程指的是需要按照合格方案将对应二极管实际生产出来。
该实施例中，因为每个制造步骤都预先设置有对应的制造时间，所以，在实际生产过程中需要对制造过程的进度进行记录以及制造过程中产生的数据进行记录，以此来保证后续对比的精准性。
该实施例中，制造监督标准指的是将制造列表中所有索引所涉及到的标准参数，方便与实际制造过程中的各种参数进行对比分析。
该实施例中，如果在实际生产过程中，参数1突然出现异常也就是不在对应标准范围内，此时，就需要将参数1调整到对应范围内，比如照射时间，可以是人为调整。
上述技术方案的有益效果是：通过对需求进行方案匹配以及对方案中的每个步骤进行制造模拟，来确定制造过程中存在的不合格，来实现对方案的初步修正，且后续在实际生产过程中通过对实时记录信息与监督标准的逐一对比分析以及实时调整，来实现对实际生产过程的有效修正，从模拟以及实际生产两方面来综合保证制造过程的合格性，尽量保证制造的二极管到达预期要求。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案，包括：
获取对待制造二极管的每个必要性需求并构建需求阵列，将所述需求阵列输入到矛盾分析列表中，确定所述需求阵列中存在的不矛盾需求、矛盾需求以及与所述矛盾需求一致的互不兼容需求；
根据在需求采集过程中对每个必要性需求的设定必要等级，来确定不同矛盾需求与对应互不兼容需求的不兼容数组；
确定每个不兼容数组中的最大必要等级，并当时，向对应不兼容数组中的最大必要等级进行第一标定，其中，y0max表示最大必要等级对应的必要值；y01i1表示对应不兼容数组中所有剩余必要等级n中的第i1个剩余必要等级的必要值；当时，统计对应不兼容数组中的每个需求基于所有不兼容数组的出现总次数，并对最小总出现次数的需求进行第二标定；
基于第一标定结果以及第二标定结果，剔除重复需求，并判断剩余未剔除需求中是否还存在矛盾需求；
若过存在，按照剩余未剔除需求的必要等级的必要值进行大小排序，如果存在同等级矛盾，则将必要值小的需求剔除，如果存在不同等级矛盾，则将低等级的需求剔除；
根据剔除后的需求以及非矛盾需求，从制造数据库调取一致的制造方案。
优选的，所述不兼容数组包括：矛盾需求以及矛盾需求的设定必要等级、所对应的互不兼容需求以及互不兼容需求的设定必要等级。
该实施例中，比如存在：需求1、2、3，需求阵列：[需求1需求2需求3]，其中，矛盾分析列表是预先设置好的，是在二极管制造过程中由专家所确定出来的不同需求之间存在的矛盾的一个表。
也就是，将需求输入到该表中对应位置，可以直接对对比出结果。
比如，此时对比出来的结果为需求1为不矛盾需求，需求2和3为矛盾需求，此时，将需求2和3视为互不兼容的需求，且不兼容数组：[需求2需求3]。
该实施例中，设定必要等级是采集必要性需求的时候设定的，可以是用户自定义设计的，尽可能的满足用户需求，在设定的时候，设定必要等级是为了凸显该需求存在对用户的满足度。
该实施例中，不兼容数组：[需求2需求3]中需求2的最大必要等级的必要值为10，需求3的最大必要等级的必要值为2，此时，就对需求2进行第一标定，此时，也就不存在的情况，进而将需求1以及需求2作为最后保留的需求。
该实施例中，如果不兼容数组：[需求4需求5需求6]，其中，需求4的必要值为5，需求5的必要值为2，需要6的必要值为4，此时，就统计需求4、需求5、需求6基于不同兼容数组的总出现次数，因为每个矛盾需求都存在一个不兼容数组，且该数组中对应的需求不一定一样，所以，可以通过次数的统计来进行第二标定。
该实施例中，比如：剩余未剔除需求中存在需求5和6，且需求5和6为同等级，且需求5的必要值小于需求6的必要值，此时，将需求5剔除。
该实施例中，制造数据库是包含不同组合的需求以及与该组合的需求一致匹配的制造方案。
上述技术方案的有益效果是：通过分析需求阵列中每个矛盾需求的不兼容数组，来根据必要值进行初步筛选以及根据出现次数进行二次筛选，最后实现对需求的有效性筛选，既能保证有效需求的保留，又能避免需求矛盾导致方案匹配的失败，为后续制造提供有效基础。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息，包括：
获取每个制造步骤的所有制造段，并根据每个制造段的参数总量以及每个制造段的段权重，确定对应制造段的工具待设置个数；
其中，N1表示对应制造段的工具待设置个数；n1表示对应制造段的关键制造点个数；∝表示对应制造段的段权重；M表示对应制造段的参数总量；N表示所述制造步骤的参数总量；[]表示取整符号；
根据所述工具待设置个数，对所述制造段进行平均设置，并获取每个设置位置的捕捉工具对相应设置位置的参数的时间捕捉结果；
基于所有时间捕捉结果以及对应设置位置的标准时间结果进行比较，若一致，向对应设置位置的捕捉工具设置时间正常标签；
若不一致，寻找不一致位置，并确定所述不一致位置的时间捕捉偏移，并向对应捕捉工具设置时间偏移标签；
确定相邻制造段中的第一个制造段的最后一个工具的第一捕捉时间以及第二个制造段的第一个工具的第二捕捉时间；
若第二捕捉时间与第一捕捉时间的时间间隔差在预设范围内，则保持最后一个工具以及第一个工具的设置位置不变；
否则，确定待补充个数，并按照所述待补充个数对相邻制造段的过渡部分进行同位置的重叠设置；
其中，D表示待补充个数；Tmax表示预设范围的最大值，且预设范围的取值为[0，Tmax]；
基于设置有标签的工具以及过渡部分设置的工具对所述制造步骤进行捕捉，并按照合格时间顺序，对捕捉的制造信息进行统计，得到制造过程信息。
该实施例中，经贴膜后的圆形硅片放入自动划片机的放入位置、按照二极管芯片图形的尺寸要求对圆形硅片进行切割后的切割信息、用紫外线灯照射紫外线敏感膜的照射时间等，其中的每个小步骤都可以视为对应的制造段。
该实施例中，制造段的参数总量是根据对应制造段所需要执行的操作预先设定好的，且权重也是预先设定好的，因为，每个制造步骤中的每个制造段的执行内容以及执行权重都是对应的制造方案，而制造方案又是由专家事先设定好的，所以，都是已知的。
该实施例中，设置工具个数是为了在模拟制造过程中，通过该工具对相应的制造段进行捕捉。
该实施例中，工具是为了计算机上可以在***运行时自动捕捉后台信息等。
该实施例中，制造段都会有其的制造时间：也就是从初始时间0秒开始到15秒会设置一个计时进程，来对紫外线灯照射时间进行记录，但是，此时，只是先通过对该制造段进行设置位置参数的捕捉，来确定判断工具设置在该位置是否会存在时间延时等，因为，后续在进行对比分析的过程中，是基于时间顺序的监测结果为基础进行对比的，所以，不能出现时间上的先后错误。
比如：对该制造段设置有：工具1、工具2，此时，工具1对计时进程上的位置1的捕捉时间为：21：01:23，工具2对计时进程上的位置2的捕捉时间为：21：01:09，按理说，工具2在工具1之后设置，但是，实际捕捉之后工具1的时间在工具2之后，也就是工具1存在时间上的偏差，就需要进行时间便宜标签的设定，有了该时间偏移标签就可以将工具1捕捉的数据基于正确的时间排在工具2捕捉的数据之前，保证后续数据对比分析的合理性；该实施例中，因为相邻制造段之间可能会存在一定的延迟等，所以，在该部分也需要设置工具，以此来保证对整个制造步骤过程的信息的完整捕捉。
该实施例中，重叠设置的目的是对同位置进行多个工具的设置，来综合参量该部分最后的信息，保证段衔接处的信息有效性。
该实施例中，预设范围是预先确定好的。
第一捕捉时间以及第二捕捉时间都是在设置时间标签后确定出来的，以此，来保证后续计算待补充个数的合理性。
该实施例中，比如：工具1：数据1，工具2：数据2；
在设置时间标签之后的信息顺序为：数据1--数据2，此时，就直接截取该段的标准1--标准2进行对比即可，不需要从数据库中溯源一遍与该数据1已知的对比数据，大量的节省对比时间，提高制造效率。
上述技术方案的有益效果是：在模拟制造过程中，通过对不同的制造段设置工具个数以及对每个工具的捕捉时间以及该步骤的标准执行时间进行对比，来保证后续所捕捉数据的顺序有效性，通过补充工具，来保证对整个步骤的完整捕捉，保证过程信息获取的完整性，尽可能的达到预期需求。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，对所有制造过程信息进行合格分析，包括：
将每个制造步骤的制造过程信息与标准过程信息进行时间对齐处理，并判断是否存在不一致信息；
若不存在，则判定对应制造步骤合格；
否则，判定对应制造步骤不合格，并锁定对齐时间点下的不一致信息。
该实施例中，不一致信息指的是存在异常的制造参数。
上述技术方案的有益效果是：通过时间对齐处理比较，来有效的提高异常参数获取的效率，为后续参数修正提供基础。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，包括：
获取每个异常制造过程中的不一致信息，构建得到第一梳理向量；
将所有第一梳理向量依次输入到关联分析模型中，判断第一梳理向量之间第一关联关系，同时，根据与异常制造过程的关联制造过程，获取首个异常制造过程与剩余异常制造过程的第二关联关系；
根据所述第一关联关系以及第二关联关系，对按照时间顺序排序后所对应首次新出现的不一致信息进行关联线路的搭建；
根据搭建线路的线路属性，从属性-修改数据库中调取修改方案，对相应搭建线路上的不一致信息进行修改；
其中，所述不一致信息即为需要修改的制造过程参数。
该实施例中，比如制造步骤1中存在异常参数1、2、3，此时，第一梳理向量＝{异常参数1、2、3}；
该实施例中，关联分析模型是基于不同制造步骤可能的所有异常参数以及不同异常参数以及不同制造步骤之间的关联关系为样本训练得到，因此，可以直接获取得到向量之间的第一关联关系，比如向量1的异常会导致下一个步骤中也出现异常，且出现的异常是向量2正好完全体现出来的，也就是该模型是在确定制造方案的时候，由专家对可能存在的各种关联异常分析之后，构建得到的。
该实施例中，如果因为照射时间不够导致后续不导电胶膜和紫外线敏感膜贴装的分离可能会出现失败，就表明装片的制造步骤与异常制造步骤划片存在关联，也就是装片为划片的关联制造过程，此时，就为存在的第二关联关系。
该实施例中，比如，步骤1--步骤2--步骤3；步骤2--步骤4；
此时，步骤1首次新出现的问题001会影响步骤2和步骤3，但是步骤2首次新出现的问题003会影响步骤4，此时，步骤2受到问题001的影响之后，步骤2会出现问题002，但是问题002并不会影响步骤4，所以，就存在上述的关联线路。
该实施例中，属性-修改数据库是包含首次出现问题的问题类型以及引发后续步骤出现的问题类型，以及针对该一系列引发问题的解决方案在内，因此可以直接调取，来确定修改方案，比如是，将问题001的参数a1，修改为参数a2，就可以解决该搭建路线中存在的一些列问题。
上述技术方案的有益效果是：通过构建不同过程的向量以及模型分析来确定关于向量的关系，且通过后续过程的关系，来有效的确定关联路线，通过调取方案进行修改，保证后续实际生产的可靠性。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表，包括：
确定每个保留步骤与所述保留方案中剩余每个保留步骤之间的制造衔接关系；
根据所述制造衔接关系，确定对应保留步骤的单独制造性，同时，从所述制造衔接关系中筛选存在相关关系的衔接关系，并根据存在相关关系的衔接关系所对应的衔接步骤的步骤编号以及对应保留步骤的预设规定编号，构建得到制造流程序号；
建立同个保留步骤的单独制造性与制造流程序号的关联索引；
基于所有关联索引，构建得到制造列表。
该实施例中，存在步骤1、2、3，其中，步骤1如何制造的，其结果与步骤2和3无任何关联，此时，步骤1的单独制造性可以为1，但是如果与步骤2有关联与步骤3无关联，这种关系即为衔接关系。
上述技术方案的有益效果是：通过确定单独制造性以及制造流程序号，便于指定比较标准，为后续实际生产的调整提供便利。
本发明提供一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，对实际制造过程进行实时修正调整，包括：
实时监测并记录实际制造过程中每个制造步骤的过程进度以及过程数据；
根据所述制造列表中的每个关联索引所涉及到的关联步骤进行显著性标注，并根据显著性标注结果，确定每个保留步骤的标注次数；
根据所述标注次数以及对应保留步骤的单独制造性，确定对应保留步骤中涉及到的标准参数的参数范围是否需要缩小调整；
若标注次数小于预设次数，则判定不需要缩小调整；
否则，对相应标准参数的参数范围进行缩小调整；
其中，R01表示相应标准参数的参数范围的左边界值；R02表示相应标准参数的参数范围的右边界值；m1表示对应的标注次数；m0表示预设次数；Rz表示相应标准参数的参数范围的中间值；ω表示对应保留步骤的单独制造性；R1表示对相应标准参数的参数范围的左边界进行调整后的值；R2表示对相应标准参数的参数范围的右边界进行调整后的值；
如果R1＜R2，此时，将R1替换掉R01以及将R2替换掉R02，实现缩小调整；
如果R1＞R2，且R2＜R01，此时，保留R01不变，并将R2替换掉R02，实现缩小调整；
若R1＝R2，此时，按照对R01进行左侧缩小调整，以及/>对R02进行右侧缩小调整；
根据调整结果，获取得到基于所述制造列表的制造监督标准，并与每个制造步骤下不同制造进度的过程数据进行逐一比较，确定对应进度下的异常数据并进行提醒，实现对实际制造过程的实时修正调整。
该实施例中，步骤1-步骤2-步骤3；步骤2-步骤4，其中，步骤1、3、4的标注次数分别为1，步骤2的标注次数为2，以此类推。
该实施例中，标准参数的参数范围都是事先确定好的，在专家确定制造方案的时候就已经确定出来的，由于仿真或者实际过程中会存在一定的误差，所以会对原本的参数进行相应调整。
该实施例中，制造监督标准即为每个标准参数所对应的最后标准范围。
上述技术方案的有益效果是：通过对保留步骤进行标注，便于有效的确定其的关联频率，进一步确定是否需要对范围进行调整去，保证后续对某些参数的要求精准性，可以进一步满足制造预期。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (6)
1.一种半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，包括：
步骤1：采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案；
步骤2：按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息；
步骤3：对所有制造过程信息进行合格分析，当分析结果为合格，将所述制造方案保留，否则，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，得到合格方案并进行保留；
步骤4：依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表；
步骤5：在实际生产过程中，对实际制造过程的过程进度以及过程数据进行实时记录，并与根据制造列表生成制造监督标准进行逐一对比分析，来对实际制造过程进行实时修正调整，实现对半导体脉冲高压二极管的制造；
其中，采集制造的必要性需求，并从制造数据库调取相关的制造方案，包括：
获取对待制造二极管的每个必要性需求并构建需求阵列，将所述需求阵列输入到矛盾分析列表中，确定所述需求阵列中存在的不矛盾需求、矛盾需求以及与所述矛盾需求一致的互不兼容需求；
根据在需求采集过程中对每个必要性需求的设定必要等级，来确定不同矛盾需求与对应互不兼容需求的不兼容数组；
确定每个不兼容数组中的最大必要等级，并当时，向对应不兼容数组中的最大必要等级进行第一标定，其中，y0max表示最大必要等级对应的必要值；y0)1i1表示对应不兼容数组中所有剩余必要等级n中的第i1个剩余必要等级的必要值；
当时，统计对应不兼容数组中的每个需求基于所有不兼容数组的出现总次数，并对最小总出现次数的需求进行第二标定；
基于第一标定结果以及第二标定结果，剔除重复需求，并判断剩余未剔除需求中是否还存在矛盾需求；
若过存在，按照剩余未剔除需求的必要等级的必要值进行大小排序，如果存在同等级矛盾，则将必要值小的需求剔除，如果存在不同等级矛盾，则将低等级的需求剔除；
根据剔除后的需求以及非矛盾需求，从制造数据库调取一致的制造方案；其中，对实际制造过程进行实时修正调整，包括：
实时监测并记录实际制造过程中每个制造步骤的过程进度以及过程数据；
根据所述制造列表中的每个关联索引所涉及到的关联步骤进行显著性标注，并根据显著性标注结果，确定每个保留步骤的标注次数；
根据所述标注次数以及对应保留步骤的单独制造性，确定对应保留步骤中涉及到的标准参数的参数范围是否需要缩小调整；
若标注次数小于预设次数，则判定不需要缩小调整；
否则，对相应标准参数的参数范围进行缩小调整；
其中，R01表示相应标准参数的参数范围的左边界值；R02表示相应标准参数的参数范围的右边界值；m1表示对应的标注次数；m0表示预设次数；RZ表示相应标准参数的参数范围的中间值；ω表示对应保留步骤的单独制造性；R1表示对相应标准参数的参数范围的左边界进行调整后的值；R2表示对相应标准参数的参数范围的右边界进行调整后的值；
如果R1＜R2，此时，将R1替换掉R01以及将R2替换掉R02，实现缩小调整；
如果R1＞R2，且R2＜R01，此时，保留R01不变，并将R2替换掉R02，实现缩小调整；
若R1＝R2，此时，按照对R01进行左侧缩小调整，以及/>对R02进行右侧缩小调整；
根据调整结果，获取得到基于所述制造列表的制造监督标准，并与每个制造步骤下不同制造进度的过程数据进行逐一比较，确定对应进度下的异常数据并进行提醒，实现对实际制造过程的实时修正调整。
2.根据权利要求1所述的半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，所述不兼容数组包括：矛盾需求以及矛盾需求的设定必要等级、所对应的互不兼容需求以及互不兼容需求的设定必要等级。
3.根据权利要求1所述的半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，按照所述制造方案中的每个制造步骤依次进行制造模拟，获取对应制造步骤下的制造过程信息，包括：
获取每个制造步骤的所有制造段，并根据每个制造段的参数总量以及每个制造段的段权重，确定对应制造段的工具待设置个数；
其中，N1表示对应制造段的工具待设置个数；n1表示对应制造段的关键制造点个数；∝表示对应制造段的段权重；M表示对应制造段的参数总量；N表示所述制造步骤的参数总量；[]表示取整符号；
根据所述工具待设置个数，对所述制造段进行平均设置，并获取每个设置位置的捕捉工具对相应设置位置的参数的时间捕捉结果；
基于所有时间捕捉结果以及对应设置位置的标准时间结果进行比较，若一致，向对应设置位置的捕捉工具设置时间正常标签；
若不一致，寻找不一致位置，并确定所述不一致位置的时间捕捉偏移，并向对应捕捉工具设置时间偏移标签；
确定相邻制造段中的第一个制造段的最后一个工具的第一捕捉时间以及第二个制造段的第一个工具的第二捕捉时间；
若第二捕捉时间与第一捕捉时间的时间间隔差在预设范围内，则保持最后一个工具以及第一个工具的设置位置不变；
否则，确定待补充个数，并按照所述待补充个数对相邻制造段的过渡部分进行同位置的重叠设置；
其中，D表示待补充个数；Tmax表示预设范围的最大值，且预设范围的取值为[0，Tmax]；
基于设置有标签的工具以及过渡部分设置的工具对所述制造步骤进行捕捉，并按照合格时间顺序，对捕捉的制造信息进行统计，得到制造过程信息。
4.根据权利要求1所述的半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，对所有制造过程信息进行合格分析，包括：
将每个制造步骤的制造过程信息与标准过程信息进行时间对齐处理，并判断是否存在不一致信息；
若不存在，则判定对应制造步骤合格；
否则，判定对应制造步骤不合格，并锁定对齐时间点下的不一致信息。
5.根据权利要求4所述的半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，确定异常制造过程以及所述异常制造过程的关联制造过程，并对相应制造过程参数进行修改，包括：
获取每个异常制造过程中的不一致信息，构建得到第一梳理向量；
将所有第一梳理向量依次输入到关联分析模型中，判断第一梳理向量之间第一关联关系，同时，根据与异常制造过程的关联制造过程，获取首个异常制造过程与剩余异常制造过程的第二关联关系；
根据所述第一关联关系以及第二关联关系，对按照时间顺序排序后所对应首次新出现的不一致信息进行关联线路的搭建；
根据搭建线路的线路属性，从属性-修改数据库中调取修改方案，对相应搭建线路上的不一致信息进行修改；
其中，所述不一致信息即为需要修改的制造过程参数。
6.根据权利要求1所述的半导体脉冲高压二极管的制造方法，其特征在于，依据保留方案中每个保留步骤的单独制造性以及制造流程序号，向对应保留步骤设置制造关联索引，并构建制造列表，包括：
确定每个保留步骤与所述保留方案中剩余每个保留步骤之间的制造衔接关系；
根据所述制造衔接关系，确定对应保留步骤的单独制造性，同时，从所述制造衔接关系中筛选存在相关关系的衔接关系，并根据存在相关关系的衔接关系所对应的衔接步骤的步骤编号以及对应保留步骤的预设规定编号，构建得到制造流程序号；
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