CN116685878A

CN116685878A - 用于清洁检查***的设备和方法

Info

Publication number: CN116685878A
Application number: CN202180088242.9A
Authority: CN
Inventors: A·尼基帕罗夫; S·法洛克海泊; M·范卡朋
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2020-12-30
Filing date: 2021-12-16
Publication date: 2023-09-01
Also published as: IL304070A; TWI826889B; KR20230121844A; US20220205900A1; WO2022144179A1; TW202234054A

Abstract

公开了一种用于清洁晶片检查***的真空紫外(VUV)光学器件(例如VUV反射镜)的方法和设备。该清洁***使VUV光学器件环境中的氢气离子化或离解，以产生从反射镜的表面去除水或碳氢化合物的氢自由基(例如H^*)或氢离子(例如H⁺、H₂ ⁺、H₃ ⁺)。VUV反射镜可以包括反射材料，诸如铝。VUV反射镜可以具有保护涂层，以保护反射材料免受与氢自由基或氢离子的任何不利反应。保护涂层可以包括稀有金属。

Description

用于清洁检查***的设备和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年12月30日提交的US申请63/132,249的优先权，该申请通过引用整体并入本文。

技术领域

本文提供的实施例涉及晶片检查，并且更具体地，涉及真空紫外线检查***。

背景技术

在集成电路(IC)的制造过程中，对未完成或已完成的电路部件进行检查，以确保它们是根据设计制造的并且没有缺陷。由于大规模的电路集成和半导体器件尺寸的减小，掩模版和制造的器件对缺陷越来越敏感。也就是说，导致器件中的故障的缺陷正变得越来越小。器件通常可以被要求在运送到最终用户或客户之前是无故障的。由于IC部件的实体尺寸不断缩小，因此探测缺陷方面的准确性和产量变得更加重要。

可以使用利用带电粒子(例如，电子束)显微镜的检查***，诸如扫描电子显微镜(SEM)。虽然电子束检查***可以发现最小的缺陷，但产量可能较低。光学检查***(诸如深紫外(DUV)或真空紫外(VUV)检查***)速度更快，但其分辨率有限。构建或管理光学检查***以高分辨率探测缺陷可能具有挑战性，尤其是在设计规则尺寸不断缩小的情况下。

使用VUV(例如，波长为10-200nm)实现的光学检查***可以用于高分辨率(例如，7nm、5nm、3nm或其他分辨率)的检查。提供在该波长范围内的检查能力提高了光学***的分辨率，并获得了具有几个半透明、半导电或绝缘层的晶片的量测图像的良好对比度。利用VUV，可以实现光学重叠测量的全层检查工具。然而，对于VUV检查***中使用的技术(例如，光学器件、涂层、光源、传感器或其他部件)，构建这样的检查***具有许多挑战。挑战不仅在于启用该技术，还在于将它们结合起来，以能够实现使该技术在生产监控中具有成本效益的检查速率。

例如，VUV探测***中使用的反射镜被发现会迅速劣化。在VUV检查***中，通常使用基于铝的反射镜(例如，使用铝作为反射材料的反射镜)，因为铝在VUV波长上具有超过80％的反射率。其他材料在多次反射后可能会导致显著损失(例如，可能需要4-6个反射镜来形成适当的照射斑点，从而将辐射从源引导和整形到晶片)。VUV容易被气体吸收，因此包括VUV反射镜的任何环境通常保持在低压(P＜10毫巴)下，并且为了进一步减少由于与被VUV吸收激活的分子气体反应而引起的损失或反射镜降解，所使用的气体通常可以是稀有气体。尽管处于相对清洁的环境中(例如，低压下的稀有气体，其中一些流用以保持甚至更低的污染物压力)，但发现基于铝的反射镜在受到VUV功率密度的影响时仍会迅速劣化。这将使它们在与应用(例如，Q～1…100mW/cm²)相关的生产场景中(例如，在连续周期(诸如24/7)内执行检查的情况下)毫无用处。如果期望从这样的检查***获得高产出，则必须解决该问题。存在这些和其他缺点。

存在对改进的检查***的持续需要，特别是在非常低的波长下(诸如VUV)。

发明内容

在一些实施例中，提供了一种用于清洁检查***的真空紫外(VUV)光学器件的方法。所述方法包括：向所述检查***中的VUV光学器件的环境供应氢气(例如纯气体或与稀有气体的混合物)，其中所述VUV光学器件包括一个或多个VUV反射镜，所述一个或多个VUV反射镜涂覆有包括稀有金属的保护涂层；和引起所述氢气的离子化和/或离解以产生氢离子或氢自由基，其中所述氢离子或氢自由基清洁所述VUV光学器件。

在一些实施例中，提供了一种检查***。该检查***包括：VUV反射镜，所述VUV反射镜被配置成将来自VUV源的VUV引导到所述检查***中的衬底，其中所述VUV反射镜涂覆有包括稀有金属的保护涂层；和离子发生器，所述离子发生器被配置成使供应到所述VUV光学器件的环境的氢气离子化，以产生用于清洁所述VUV反射镜的氢离子或氢自由基。

在一些实施例中，提供了一种检查***中的VUV反射镜。所述VUV反射镜包括：反射材料，所述反射材料在所述VUV反射镜上，所述反射材料包括铝；保护涂层，所述保护涂层用于保护所述反射材料，其中所述保护涂层包含稀有金属；和粘合层，所述粘合层用作所述反射材料与所述保护涂层之间的中间层，所述粘合层被配置成将所述保护涂层粘附到所述反射材料，并防止所述保护涂层与铝混合。

通过以下结合附图的描述，本公开的实施例的其他优点将变得显而易见，其中通过说明和示例的方式阐述了本发明的某些实施例。

附图说明

图1示出了用于测量样本的特性的光学测量***，包括具有低IR发射率的光学元件的基于IR的热成像。

图2示出了根据一个或多个实施例的真空紫外线(VUV)检查***的示意图。

图3示出了根据一个或多个实施例的可以用于图2的VUV检查***中的VUV反射镜。

图4是示出在根据一个或多个实施例的图2的VUV检查***的清洁***中使用的基于电子束的离子发生器的示意图。

图5是示出在根据一个或多个实施例的图2的VUV检查***的清洁***中使用的基于等离子体的离子发生器的示意图。

图6是示出在根据一个或多个实施例的图2的VUV检查***的清洁***中使用的氢自由基发生器(HRG)的示意图。

图7是示出在根据一个或多个实施例的图2的VUV检查***的清洁***中使用的基于激光诱导放电的离子发生器(“基于激光的离子发生器”)的示意图。

图8是根据一个或多个实施例的用于清洁VUV检查***的过程的流程图。

图9是根据一个或多个实施例的使用基于电子束的离子发生器由氢气离子化并从氢气产生自由基的过程的流程图。

图10是根据一个或多个实施例的使用基于等离子体的离子发生器由氢气离子化并产生自由基的过程的流程图。

图11是根据一个或多个实施例的使用HRG从氢气产生自由基的过程的流程图。

图12是根据一个或多个实施例的使用基于激光的离子发生器由氢气离子化并产生自由基的过程的流程图。

具体实施方式

电子器件是由形成在一块硅(被称为衬底或晶片)上的电路构成的。许多电路可以一起形成在同一块硅上，并被称为集成电路或IC。在IC芯片的制造中提高产量的一个要素是监控芯片制备过程，以确保其生产足够数量的功能集成电路。监控该过程的一种方法是在芯片电路结构形成的各个阶段对其进行检查。可以使用光学检查***进行检查，例如基于真空紫外线(VUV)的检查***。图像或其他光学信息(诸如衍射阶的分布)可以用于确定结构是否正确形成，以及是否在正确的位置形成。如果结构有缺陷或位置相对于最佳位置发生了偏移，则可以调整过程，因而缺陷不容易再次出现。

在VUV检查***中，通常使用基于铝的反射镜(例如，使用铝作为反射材料的反射镜)，因为铝跨VUV波长具有超过80％的反射率。然而，发现这些反射镜会迅速劣化。反射镜的反射率劣化可能是由于反射层的“中毒”，这可能是由于一个或多个原因造成的。例如，作为涂层沉积在铝的顶部上并包括离子或共价键的任何材料在VUV照射下都可能开始与铝混合、反应。VUV的光子的能量(例如，50…5eV)可以大于共价键或离子键的能量，这可能导致上述反应，并可以随着时间而使反射镜劣化。此外，VUV光子吸收后的激发可以足以在化学键断裂过程中取代单个原子。在另一示例中，VUV光子能量还可以引起任何吸附分子在反射镜的表面处的光诱导(或光效应电子诱导)离解。VUV检查***中的光学器件环境可以包括水蒸气(H₂O)或碳氢化合物(CxHy或CxHyOz，可能含有其他微量元素(N、P…))，尽管浓度很小。它们首先被吸附在表面处，然后离解，然后作为碳(C)、氧(O)或氢(H)而“溶解”到反射镜中，最后与单个铝原子反应，引入缺陷进而降低反射率。

一些反射镜具有保护涂层(例如，氟化钙-CaF2或氟化镁-MgF)，但即使是它们似乎也无法保护铝反射镜，因为观察到这种反射镜的反射率在VUV中会迅速劣化。这些涂层也可能由于中毒效应而失效。例如，氟化物涂层部分离解，然后氟化物元素可以开始混合到铝块体中，同时残留的部分氟化物由于不饱和化学键/缺陷而具有更大的吸收率。存在这些和其他缺点。

本公开的实施例讨论了一种VUV检查***，其具有用于清洁VUV光学器件(例如，VUV检查***的反射镜)的清洁***，从而提高VUV光学器件的寿命，并因此提高VUV检查***的检查产出。清洁***使用氢气(例如，作为纯气体、或氢气和稀有气体的混合物)，通过从反射镜的表面去除水或碳氢化合物来清洁VUV光学器件。清洁***在VUV光学器件环境中电离或离解氢气，以产生减少氧化物或碳化物的活性氢种(诸如自由基(例如，H^*)或离子(例如，H⁺、H²⁺、H³⁺))，从反射镜的表面去除水或碳氢化合物以及与氢结合易挥发的其他物质种类。VUV反射镜可以包括反射材料，诸如铝(例如，作为反射层或由铝制成)。VUV反射镜可以具有保护涂层，以保护反射材料免受与氢自由基或离子的任何有害反应。在一些实施例中，保护涂层包括稀有金属(例如，钌(Ru)、铑(Rh)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铱(Ir)、锇(Os)或其他金属)。在一些实施例中，中间层(也称为“粘合层”)可以用于促进保护涂层与反射材料的粘合，或防止稀有金属与反射材料混合。氢气的电离或离解可以使用多种源来实现，诸如电子束、等离子体源、激光诱导火花、氢自由基发生器(HRG)或其他源。此外，VUV检查***的一部分(例如，VUV探测***的在VUV光学器件附近的内壁)可以涂覆有抗氢诱导脱气(HIO)的涂层，以防止这些部分发生氢诱导的脱气。抗HIO涂层可以包括耐火金属(例如钼(Mo)、钨(W))或其他金属(例如Cr或NiP)。

现在将详细参考示例性实施例，其示例在附图中示出。以下描述参考附图，其中不同附图中的相同数字表示相同或相似的元件，除非另有说明。在示例性实施例的以下描述中阐述的实施方式并不代表所有实施方式。相反，它们仅仅是与所附权利要求中所述的公开实施例相关的方面一致的设备和方法的示例。例如，尽管在利用VUV的上下文中描述了一些实施例，但是本公开不限于此。可以类似地应用其他类型的波长。此外，可以使用其他成像***，诸如光探测、x射线探测等。

尽管在本文中可以具体参考IC的制造，但是应当明确地理解，本文中的描述具有许多其他可能的应用。例如，可以应用于制造集成光学***、用于磁畴存储器的引导和探测图案、液晶显示器、或有机发光二极管(OLCD)或微型LED面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的上下文中，术语“掩模版”、“晶片”、“管芯”在本文中的任何使用应当被视为可分别与更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”互换。

在本文档中，术语“辐射”和“束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，波长为365、248、193、157或126nm)、EUV(极紫外线辐射，例如波长在5-20nm的范围内)和VUV(例如波长在10-200nm的范围内)。

现在参考图1，其示出了用于测量样本的特性的光学测量***1100，所述测量包括对具有低IR发射率的光学元件的基于IR的热成像。***1100可以用于对设置在样本定位***1141上的样本1140执行光学散射测量。

***1100包括用于产生照射光的激光维持等离子体(LSP)照射源1110。在一些实施例中，LSP照射源1110被配置成产生各种波长，包括VUV。LSP照射源能够产生适于量测和检查应用的高功率、高亮度宽带光。LSP照射源1110包括激光器1113和聚焦光学器件1114，所述聚焦光学器件将激光辐射聚焦到由透明泡状体1112包含的工作气体1111中。激光辐射将气体1111激发成发射光的等离子体状态。这种效应通常被称为用激光辐射“泵浦”等离子体。等离子体泡状体1112被配置成包含工作气体种类以及产生的等离子体1115。在一些实施例中，LSP照射源1110由具有几千瓦量级的束功率的红外激光泵维持。激光束被聚焦到等离子体泡状体1112所包含的一定体积的低压或中压工作气体1111中。激光功率被等离子体的吸收会在例如高于10000开尔文的等离子体温度下产生并维持等离子体。

在所示的实施例中，等离子体泡状体1112包括具有球形端部的圆柱形。在一些实施例中，等离子体泡状体1112包括大致球形、大致圆柱形、大致椭球形以及大致长椭球形中的任何一种。这些形状是通过非限制性示例的方式提供的。然而，可以设想许多其他形状。等离子体泡状体1112对激光泵浦光的至少一部分基本上透明，并且对由维持在等离子体泡状体1112中的等离子体1115发射的可收集照射(例如，IR光、可见光、紫外光)的至少一部分也基本上透明。

本文设想可以使用可再填充的等离子体泡状体1112，以将等离子体维持在各种气体环境中。在一个实施例中，等离子体泡状体1112的工作气体1111可以包括惰性气体(例如，稀有气体或非稀有气体)或非惰性气体(例如，汞)或它们的混合物。通常，等离子体泡状体1112可以填充有本领域中已知的适用于激光维持等离子体光源的任何气体。此外，工作气体可以包括两种或更多种气体的混合物。作为非限制性示例，工作气体可以包括Ar、Kr、Xe、He、Ne、N2、Br2、Cl2、I2、H2O、O2、H2、CH4、NO、NO2、CH3OH、C2H5OH、CO2、NH3、一种或多种金属卤化物、Ne/Xe混合物、Ar/Xe混合物、Kr/Xe混合物、Ar/Kr/Xe混合物、ArHg混合物、KrHg混合物以及XeHg混合物中的任何一种或组合。通常，本发明应被解释为扩展到任何光泵浦等离子体产生***，并且还应当被解释为扩展到适于维持等离子体泡状体内的等离子体的任何类型的工作气体。

束整形光学器件1120和1121整形并引导入射照射光通过偏振器1124。在所描绘的实施例中，束整形光学器件1120和1121准直由LSP照射源1110产生的照射光。在一些实施例中，束整形光学器件1120和1121包括一个或多个准直镜、孔、单色器、束光阑、多层光学器件、折射光学器件、衍射光学器件(诸如波带板)、或其任何组合。

在所描绘的实施例中，经准直的照射光穿过偏振器1124。在一些实施例中，偏振器1124被配置成选择性地使偏振元件绕照射光束的光轴旋转。通常，偏振器1124可以包括本领域已知的任何偏振元件和旋转偏振元件的***。例如，偏振器1124可以包括机械联接到旋转致动器的偏振元件。在一个示例中，偏振元件可以是罗歇(Rochon)棱镜。在另一示例中，偏振元件可以包括束移位器。偏振器1124被配置成在***1100内以旋转活动状态或旋转不活动状态操作。在一个实例中，偏振器1124的旋转致动器可以是不活动的，使得偏振元件保持绕照射光束的光轴在旋转上是固定的。在另一实例中，旋转致动器可以使偏振元件以所选择的角频率ωp绕照射光的光轴旋转。在一些其他实施例中，偏振器1124被配置具有绕照射光束的光轴的固定偏振角。

如图1所描绘的，偏振器1124产生被朝向分束器1125引导的偏振光束。分束器1125将偏振光束朝向物镜1130引导。在图1的示例中，物镜1130被布置为四个反射镜，即仅包括反射光学元件的四通配置。物镜1130包括将照射光(即主测量光)聚焦到晶片1140的表面上的反射镜1131-1134。在一定范围的入射角上的照射光聚焦到晶片1140的表面上。经聚焦的偏振照射光与晶片1140的相互作用通过反射、散射、衍射、透射或其他类型的过程中的任何一种改变了辐射的偏振。在与晶片1140相互作用之后，经改变的光被物镜1130收集并被引导到分束器1125。分束器1125被配置成朝向偏振器1126透射经改变的光。在图1所描绘的实施例中，偏振器1126包括偏振元件，所述偏振元件在束穿过偏振器1126到达光谱仪的色散元件1127和探测器1170时保持绕经改变的光束的光轴旋转固定。在光谱仪中，具有不同波长的束分量在不同方向上被折射(例如，在棱镜光谱仪中)或衍射(例如，在光栅光谱仪中)到探测器1170的一个或多个探测器元件。探测器可以是光电二极管的线性阵列，每个光电二极管测量不同波长范围内的辐射。关于偏振状态来分析由光谱仪接收的辐射，从而允许由光谱仪对通过偏振器1126的辐射进行光谱分析。探测到的光谱1171被传递到计算***1180以分析晶片1140的结构特性。

探测器1170收集来自晶片1140的辐射，并产生指示样本1140的性质的输出信号1171，样本1140的性质对于入射照射光是敏感的。探测器1170能够分辨一个或多个光子能量，并产生每个能量分量的信号以指示样本的性质。在一些实施例中，探测器1170包括CCD阵列、光电二极管阵列、CMOS探测器以及光电倍增管中的任何一个。在一些实施例中，例如在实现波长色散量测的***1100的实施例中，探测器1170是波长色散探测器。在一些其他实施例中，例如在实现能量色散量测的***1100的实施例中，探测器1170是能量色散探测器。

在另一方面，***1100包括对***1100的多个光学元件执行热成像的IR相机***1150和1160。如图1所描绘的，IR相机1150被定位成使得光学元件1120和1121的涂覆有IR发射材料的部分在IR相机1150的视场内。例如，光学元件1120的区域1122A和1122B涂覆有IR发射材料，并且光学元件1121的区域1123A和1123B涂覆有IR发射材料。由IR相机1150收集的IR图像1151被传送到计算***1180，以用于分析光学元件1120和1121的温度分布。类似地，IR相机1160被定位成使得光学元件1131-1134的涂覆有IR发射材料的部分在IR相机1160的视场内。此外，IR发射材料的区域被定位成使得它们在每个相应的IR相机的视场中不会相互遮挡。由IR相机1160收集的IR图像1161被传送到计算***1180，以用于分析光学元件1131-1134的温度分布。

***1100还包括计算***1180，所述计算***1180用于获取由探测器1170生成的信号1171，并且至少部分地基于所获取的信号来确定样本的性质。在其他实施例中，计算***1180被配置成使用实时关键尺寸(RTCD)实时访问模型参数，或者可以访问预先计算的模型库，以用于确定与样本1140相关联的至少一个样本参数值的值。

***1100包括样本定位***1141，所述样本定位***1141被配置成相对于***1100的照射源1110和探测器1170来对准和取向样本1140。计算***1180将指示样本1140的期望位置的命令信号(未示出)传送到样本定位***1141的运动控制器。作为响应，运动控制器对样本定位***1141的各种致动器生成命令信号，以实现样本1140的期望定位。

在另一方面中，计算***1180被配置成接收由IR相机1150和1160收集的热图像。计算***1180还被配置成基于所接收的热图像来估计由IR相机1150和1160成像的光学元件中的每一个的温度分布。在一些实施例中，计算***1180还被配置成基于所接收的热图像来估计由IR相机1150和1160成像的光学元件中的每一个所吸收的主测量光的总量。在一个示例中，一个或多个光学元件所吸收的光量指示主照射光的光谱。在另一示例中，一个或多个光学元件所吸收的光量指示光学元件对于VUV光谱的透射效率，所述VUV光谱接近于或低于用于构造光学元件的材料的吸收边缘(例如，接近120纳米)。

在又一方面中，计算***1180被配置成基于所接收的热图像来估计光学元件的损坏程度。损坏的光学元件将表现出更高的温度和不同的温度分布特性。以这种方式，所接收的热图像指示光学元件的健康状况。

在再一方面中，计算***1180被配置成基于所测量的吸收光学元件或光学元件组的温度分布来估计主照射光的强度。在一个示例中，VUV照射光的强度以这种方式进行估计，而不会产生以传统方式进行测量所必需的额外光损失。

应当认识到，遍及本公开所描述的各种步骤可以由单个计算机***1180或替代地由多个计算机***1180来执行。此外，***1100的不同子***(诸如，样本定位***1140、IR相机1150和1160、或探测器1170)可以包括适于执行本文所描述的步骤的至少一部分的计算机***。因此，上述描述不应被解释为对本发明的限制，而仅仅是说明。此外，一个或多个计算***1180可以被配置成执行本文所描述的任何方法实施例的任何其他步骤。

此外，计算机***1180可以以本领域已知的任何方式通信地耦合到IR相机1150和1160。例如，一个或多个计算***1130可以分别耦合到与IR相机1150、1160相关联的计算***。在另一示例中，探测器1170以及IR相机1150和1160中的任何一个可以由耦合到计算机***1180的单个计算机***直接控制。

***1100的计算机***1180可以被配置成通过传输介质从***的子***(例如，探测器1170、IR相机1150和1160等)接收和/或获取数据或信息，所述传输介质可以包括有线和/或无线部分。以这种方式，传输介质可以用作计算机***1180与***1100的其他子***之间的数据链路。

***1100的计算机***1180可以被配置成通过传输介质从其他***接收和/或获取数据或信息(例如，温度测量结果、建模输入、建模结果等)，所述传输介质可以包括有线和/或无线部分。以这种方式，传输介质可以用作计算机***1180与其他***(例如，板载存储器***1100、外部存储器或外部***)之间的数据链路。例如，计算***1180可以被配置成经由数据链路从存储介质(即存储器1182)接收测量数据(例如，信号1151、1161和1171)。例如，使用IR相机1150和1160获得的温度测量结果可以存储在永久或半永久存储器装置(例如，存储器1182)中。在这方面，温度测量结果可以从板载存储器或从外部存储器***导入。此外，计算机***1180可以经由传输介质向其他***发送数据。例如，由计算机***1180确定的温度分布可以存储在永久或半永久存储器装置(例如，外部存储器)中。在这方面，测量结果可以被导出到另一***。

计算***1180可以包括但不限于个人计算机***、大型计算机***、工作站、图像计算机、并行处理器或本领域已知的任何其他装置。通常，术语“计算***”可以被广泛定义为涵盖具有执行来自存储介质的指令的一个或多个处理器的任何装置。

实现诸如本文所描述的方法的程序指令1184可以在传输介质(诸如有线、电缆或无线传输链路)上传输。例如，存储在存储器1182中的程序指令在总线1183上传输到处理器1181。程序指令1184被存储在计算机可读介质(例如存储器1182)中。示例性计算机可读介质包括只读存储器、随机存取存储器、磁盘或光盘、或磁带。

***1100包括光学散射仪***。然而，通常，与一种或多种不同的量测或检查技术相关联的光学元件的温度测量可以被考虑在本专利文件的范围内。

通常，本文所描述的温度测量为范围广泛的光学量测和检查***提供了有用的性能反馈。本文所描述的温度测量技术可以提高在膜、临界尺寸(CD)和成分量测中所使用的光谱椭圆仪(SE)、光谱反射仪(SR)和束轮廓反射仪(BPR)***的性能。此外，本文所描述的温度测量技术可以提高用于探测各种类型和尺寸的缺陷的晶片和掩模检查***的性能。

通过非限制性示例的方式，以下光学量测技术中的任何一种可以被考虑在本专利文件的范围内，包括：光谱椭率测量术(包括米勒矩阵椭率测量术)、米勒矩阵光谱椭率测量术、光谱反射测量术、光谱散射测量术、散射测量重叠、束轮廓反射测量术、(角度和偏振分辨)、束轮廓椭率测量术、单个或多个离散波长椭率测量术、多个入射角椭率测量术以及光谱偏振法。

如本文所描述的量测技术可以用于确定半导体结构的特性。示例性结构包括但不限于FinFET、低维结构(诸如纳米线或石墨烯)、亚10nm结构、薄膜、光刻结构、硅通孔(TSV)、存储器结构(诸如DRAM、DRAM 4F2、FLASH)以及高纵横比存储器结构(诸如3D-NAND结构)。示例性结构特性包括但不限于几何参数，诸如线边缘粗糙度、线宽粗糙度、孔尺寸、孔密度、侧壁角、轮廓、膜厚度、临界尺寸、节距，以及材料参数，诸如电子密度、晶粒结构、形态、取向、应力、应变、元素识别，以及材料成分。

在一些实施例中，本文所描述的温度测量技术可以被实现为制造过程工具的部分。制造过程工具的示例包括但不限于光刻曝光工具、膜沉积工具、植入工具和蚀刻工具。以这种方式，使用温度测量的结果来控制制造过程。

现在参考图2，其示出了根据一个或多个实施例的VUV检查***的示意图。VUV检查***100包括照射源110、VUV光学器件300、晶片133、晶片台134、传感器131和132、清洁***200、供应线路121和供应线路201。在一些实施例中，VUV检查***100(如图1的光学测量***1100)可以用于执行光学晶片检查。然而，VUV检查***100可以与光学测量***1100不同地构造。光学测量***1100用于说明光学晶片检查的基本原理。光学测量***110与VUV检查***100之间的一些差异可以包括(1)虽然***1100包括透明泡状体1112，但是没有泡状体被使用在***100中，因为它们可能过渡吸收，泵浦激光辐射可以通过窗(例如，可选地经涂覆的金刚石或蓝宝石或玻璃或石英或其他足够透明的材料)传递到VUV发射目标(气体射流或固体或液体)，而VUV辐射在不受干扰的情况下或穿过薄膜式的隔膜或网(用作部分气体密封或光谱纯度滤光器)而传播到反射镜300；(2)虽然***1100使用偏振器和分束器，但它们没有用于***100中；(3)VIS/IR/UV辐射可以在***1100中在常压下传播，而***100需要用于VUV源、光学器件和晶片的低压环境，以最小化VUV(优选地包括稀有气体)的损失。

例如，照射源110可以包括可以输出各种波长的光束的激光诱导或放电等离子体源。例如，照射源110可以输出VUV波长(例如，20-120nm、10-200nm或其他VUV波长)的光束。VUV光学器件300包括多个反射镜(例如，2个、4个、6个或其他数量)，所述反射镜将传播通过VUV光学器件环境120的光束反射并聚焦到位于晶片台134上的晶片133上。在图2的示例中，VUV光学器件300包括两个反射镜(也称为“VUV反射镜”)，诸如第一VUV反射镜301和第二VUV反射镜302，所述两个反射镜将光束反射并聚焦到待检查的晶片133上。VUV检查***100可以包括多个传感器，例如第一传感器131和第二传感器132，所述多个传感器接收从晶片133散射的光以形成晶片133的图像或获取光谱/角分布。各种类型的成像装置中的任何一种都可以用作传感器，诸如CCD阵列、光电二极管阵列、CMOS探测器或光电倍增管。可选地，任何***都可以包括(多个)光分散元件。由传感器形成的图像被传输到计算***(例如，类似于图1的计算***1180)以供进一步分析。

在一些实施例中，VUV检查***100可以具有第一窗111，所述第一窗111将照射源110所位于的源环境112与VUV光学器件300所位于的VUV光学器件环境120分开。类似地，VUV检查***100可以包括第二窗130，所述第二窗130将VUV光学器件环境120与晶片133所位于的晶片环境135分开。来自照射源110的光可以通过第一窗111输出，并通过第二窗130被引导到晶片133上(例如通过VUV反射镜)。在一些实施例中，VUV检查***100可以包括动态气锁或气体射流而不是第一窗111来将VUV光学器件环境120与源环境112分开。类似地，VUV检查***100可以具有另一动态气锁或气体射流而不是第二窗130，以将VUV光学器件环境120与晶片环境135分离。窗中的任何一个可以包括对VUV辐射基本上透明的薄膜(例如，厚度<10um，优选<1um)或细网。窗111和113可以包括对VUV足够透明的薄膜(厚度小于1um)或细网。

源环境112可以包含一种或多种气体(例如，稀有气体、非稀有气体、非惰性气体、或它们的混合物)。类似地，VUV光学器件环境120可以包含一种或多种气体(例如，作为纯气体的或与稀有气体混合的氢气)。VUV检查***100包括用于向VUV光学器件环境120供应一种或多种气体(例如，稀有气体、非稀有气体、非惰性气体、或它们的混合物)的供应管线121和用于将一种或多种气体泵送出VUV光学器件环境120的排气管线122。

VUV检查***100可以包括用于清洁VUV反射镜的清洁***200。例如，清洁***200可以通过减少氧化物或碳化物、从VUV反射镜的表面去除水或碳氢化合物来清洁反射镜，这将至少参考下面的图4-7进行详细描述。清洁***200可以包括供应***201，所述供应***201用于将一种或多种气体供应到VUV光学器件环境120，和用于将一种或多种气体泵送出VUV光学器件环境120。清洁***200还可以被提供电力。在一些实施例中，供应***201可以向VUV光学器件环境120供应一种或多种气体(例如，氢气(H₂)、或氢气和稀有气体/多种稀有气体的混合物)。氢气可以以特定浓度(例如，使得所得混合物包含至少0.1％)被添加到VUV光学器件环境120的稀有气体中。在一些实施例中，氢气的优选浓度是在VUV光学器件环境的1-100％的范围内。清洁***200的电子束、等离子体源、激光诱导放电或HRG(例如，如图4-7所示)可以引起一种或多种气体的电离或离解，以产生氢的活性种(例如，氢离子(诸如H⁺、H₂ ⁺、H₃ ⁺)或氢自由基(诸如H*))，所述氢的活性种帮助从VUV反射镜的表面去除氧化物、碳化物、水或碳氢化合物。

在一些实施例中，VUV反射镜可以包括铝作为反射材料(例如，作为实体或作为涂层)，氢离子或氢自由基可以与铝反应，从而导致反射材料劣化。例如，第一反应可以是氢自由基被吸附在铝表面上，随后溶解到铝块体中，并捕获氢气以形成受压的空隙而在缺陷/位错处重新结合，这导致了表面上的气泡，从而降低了VUV反射镜的反射率。第一反应可以使用以下符号表示：

H*(被吸附)→H(被溶解)→H2(被捕获)＝>铝中的气泡或空隙…(1)

在另一示例中，第二反应可以是氢离子渗透到铝块体中，捕获电子，然后捕获氢气以形成受压的空隙而在铝块体中的缺陷处重新结合，从而导致了表面上的气泡，这降低了VUV反射镜的反射率。第二反应可以使用以下符号表示：

Hn+→H(溶解)→H2(捕获)＝>铝中的气泡或空隙…(2)

在又一示例中，第三反应可以是氢气被吸附在铝表面上，在VUV的照射下氢气离解(清洁与VUV同时进行的情况下)，氢自由基溶解到铝块体中，并捕获氢气以形成受压的空隙而在缺陷/位错处重新结合，这导致了表面上的气泡，从而降低了VUV反射镜的反射率。第三反应可以使用以下符号表示：

H2(气体)→H2(吸附)+hv__VUV→H*(吸附)→H(溶解)→H2(捕获)＝>铝中的气泡或空隙…(3)

在一些实施例中，为了防止上述问题，VUV反射镜以特定方式构造。图3示出了根据一个或多个实施例的可以在VUV检查***100中使用的VUV反射镜350。在一些实施例中，VUV反射镜350类似于图2的VUV反射镜301和302。VUV反射镜350包括在反射镜的基底313上的反射层312。反射层312可以是反射材料(例如铝)的涂层或反射材料的实体层。VUV反射镜350还可以涂覆有保护涂层310以保护反射层312。保护涂层310可以包含一种或多种稀有金属(例如，Ru、Rh、Ag、Au、Pt、Ir、Os或其他金属)。在一些实施例中，基于稀有金属的溶解度或反射率来选择稀有金属。例如，从多种稀有金属中选择在铝中溶解度最低的稀有金属。在另一示例中，从多种稀有金属中选择对VUV波长具有最低吸收性的稀有金属。保护涂层310也可以包含其它元素。然而，在保护涂层310中，单个外来原子(例如，其他元素的原子)的浓度可以低于50％，并且外来原子的总浓度可以低于50％。这种成分可以确保涂层在空气中的氧化非常低或没有氧化，从而潜在地降低结晶度，并提高层粘合性。

在一些实施例中，VUV反射镜350可以可选地包括粘合层311，所述粘合层311促进保护涂层310与反射层312的粘合。粘合层311还可以防止稀有金属涂层与反射材料的混合。在一些实施例中，这种层的厚度可以小于10nm，优选地小于3nm。此外，粘合层311的厚度可以小于保护涂层310的厚度。在一些实施例中，具有比保护涂层310薄的粘合层311可以解决一些问题，包括通过保护涂层310的高于阈值的吸收和从粘合层311的高于阈值的反射(例如异相)。在一些实施例中，使保护涂层310和粘合层311两者的厚度小于10nm可以使VUV反射镜350保持良好的反射率。

在一些实施例中，具有这样的保护涂层310可以防止反射层312的劣化(例如，由于上述反应而引起的)。例如，保护涂层310可以防止铝在暴露于空气时的氧化，并可以通过促进氢脱气(例如，可以引导或追引H*扩散到表面并随后缔合)来防止经由第一反应或第二反应或第三反应而形成氢气泡。

此外，VUV反射镜350可以包括集成的热调节***314，所述热调节***314允许通过升高的温度来加速清洁，以促进气体产物(例如，水-H₂O、甲烷-CH₄或其他产物)从反射层312或保护涂层310脱气，这是用活性氢种进行VUV反射镜350的清洁而产生。热调节***314可以将VUV反射镜350加热到有利于清洁的特定范围内的温度(例如25-200摄氏度或其他温度)，可选地，附加的/替代的冷却可以减少热负载并有助于使VUV检查***100恢复到稳定状态(例如，VUV检查体系100准备好获得晶片133的图像的状态)。在一些实施例中，在清洁期间，VUV光学器件300的最大温度范围可以被限制在50-100摄氏度的范围内。

在一些实施例中，热调节***314可以集成到VUV反射镜350的基底313(例如，陶瓷)中。热调节***314可以以脉冲操作(例如，在对晶片133成像之后，而不是同时操作)，并且可以在名义清洁不充分时使用。在一些实施例中，具有这样的VUV反射镜350可以最小化反射材料的劣化。

在一些实施例中，VUV检查***100还可以具有内置的IR源，所述IR源照射VUV表面(例如，掠入射表面，或者优选地正入射表面)，以搅动所吸附的典型污染物(例如，H₂O、CH₄)的振动自由度，并在没有显著热负载的情况下促进反射层处的脱气。在一些实施例中，IR源可以包括闪光灯或窄带中IR激光器。

返回参考图2，形成VUV光学器件环境120的真空室150的一部分(例如，真空室150中的一个或多个壁，诸如壁123)，和与VUV反射镜301和302面对相同的气体环境(例如，在清洁期间的氢的活性种)的真空室150的一部分，可以由抗氢诱导除气(HIO)的材料制成或涂覆。这种抗HIO涂层可以不具有或具有浓度低于阈值(例如，低于1％，优选低于0.1％)的诸如以下的元素中的任何一种：碳、氮、硅、磷、硼、铅、锡、锌、铟、锗、氧、氟、溴、碘、氯、铜、镁、铝、或其他与氢离子或氢自由基形成挥发性物质或具有低溅射阈值的这种元素。在一些实施例中，用于抗HIO涂层的材料可以包括涂覆有不锈钢(其中Si和C低于上述阈值)、钼、钨、或稀有金属的材料。在一些实施例中，耐火金属(诸如钼或钨)可以是用于抗HIO涂层的优选材料，这可以有助于在清洁期间抑制轻的离子的任何可能的溅射。在一些实施例中，VUV光学器件环境120的大部分(例如，与VUV光学器件环境120面对相同环境的所有表面的>50％)可以被涂覆有抗HIO的涂层。

在一些实施例中，用于真空室150中的关键区域的涂层或体材料可以基于过渡金属(优选耐火金属)或金属混合物，其中涂层中的各个元素或至少浓度高于阈值(例如，大于1％)的元素具有高于特定阈值(例如，大于2500摄氏度或其他温度)的沸点温度。此处，关键区域可以包括在距反射表面、清洁***200或其部分(例如，电子束)、或窗中的任何一个30cm内的任何区域，或在反射表面、清洁***200或其部分(例如，电子束)、或窗中的任何一个的视线内的任何区域。此外，在一些实施例中，包含溅射阈值低于VUV气体环境或清洁环境的离子的保护涂层310的材料的溅射阈值的元素(例如，Al、Mg、Zn、Pb、Cu或其他元素)的任何合金部分也涂覆有上述的涂层。

清洁***200可以以连续模式或脉冲模式使用。通常，清洁***200可以以连续模式使用。在连续模式中，清洁与用于检查晶片的VUV操作同时执行(例如，在从照射源110发射VUV射线以执行晶片133的量测测量的同时)。在脉冲模式中，清洁***200可以以交替脉冲使用(例如，在第一VUV操作之后并在随后的VUV操作之前)。在一些实施例中，VUV操作可以涉及检查单个晶片或一批晶片。在一些实施例中，清洁***200可以根据需要而被移动靠近VUV反射镜(例如，为了最佳清洁性能)，并且为了避免清洁***200妨碍VUV射线执行检查，清洁***200可以以脉冲模式操作。清洁***200可以在VUV辐射被中断或者至少检查被中断时操作。检查***的清洁和随后的闲置的定时可以与晶片检查同步，例如在晶片或晶片批次之间，以便最小化对检查产出的影响。这种方法还可以防止从清洁***200发射的光增加在检查期间的传感器131和132的噪声。清洁***200也可以在进行检查的情况下操作，只要反射镜上的热负载小于或相当于VUV吸收，并且到达传感器131和132的杂散光是可容忍的。

图4是示出根据一个或多个实施例的用于图2的VUV检查***的清洁***中的基于电子束的离子发生器的示意图。清洁***200包括在VUV光学器件300附近的基于电子束的离子发生器210。基于电子束的离子发生器210将电子束211输出到VUV光学器件环境120中。电子束211电离存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体或与稀有气体混合的氢气)，以产生形成清洁环境212的氢离子或氢自由基。清洁环境212通过从VUV光学器件300的VUV反射镜去除水或碳氢化合物来执行VUV光学器件300的清洁。在一些实施例中，清洁***200可以包括拦截未用电子束的电子束捕集器213。在一些实施例中，电子束211可以被配置成扫过VUV光学器件300之间的或沿着VUV光学元件300的横截面，以使到任何VUV反射镜的氢离子或氢自由基的通量均匀化。

电子束211可以具有在预定范围内的能量(例如，10伏-10千伏，或其他范围)。在一些实施例中，电子束能量的优选范围可以是100-1000V。电子束电流可以在1mA-1A的范围内，优选为10-100mA。VUV光学器件环境120中的气体压力可以保持在特定范围内(例如，大于0.01帕斯卡或其他范围)。在一些实施例中，气体压力可以小于VUV检查期间的气体压力(例如，小于1000Pa)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1-100Pa的范围内。

在一些实施例中，为了进一步帮助VUV光学器件300的清洁，在清洁期间，VUV反射镜可以用作电极，以至少部分地收集电子束电流，或替代地收集离子电流。在一些实施例中，这可以通过在清洁期间使VUV反射镜接地或偏压来实现。例如，VUV反射镜被在特定范围内(例如，0至100V或其他范围)正向偏压。在一些实施例中，当VUV反射镜被正向偏压时，被散射和部分电子电流收集的电子束211可以帮助被吸附在VUV反射镜处的H2的离解，或可以帮助紧邻VUV反射镜的H2的电离或离解。替代地，更优选的方法可以是使VUV反射镜在特定范围内(例如，-1至-100V或其他范围)负向偏压，以在清洁期间吸引更多的离子并向离子添加能量。此外，偏压可以被设置成使得不会超过保护涂层或反射层(在考虑离子能量衰减的情况下，由于它们会部分地传播通过保护涂层)的溅射阈值。

图5是示出根据一个或多个实施例的用于图2的VUV检查***的清洁***中的基于等离子体的离子发生器的示意图。清洁***200包括位于VUV光学器件300附近的基于等离子体的离子发生器220。基于等离子体的离子发生器220将等离子体221输出到VUV光学器件环境120中。等离子体221电离存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体或与稀有气体混合的氢气)，以产生形成清洁环境212的氢离子或氢自由基。清洁环境222通过从VUV光学器件300的VUV反射镜去除水或碳氢化合物来执行VUV光学器件300的清洁。

等离子体221可以具有在特定范围内(例如，大于0.1eV或其他范围)的电子温度。在一些实施例中，电子温度的优选范围可以是1-10eV。VUV光学器件环境120中的气体压力可以保持在特定范围内(例如，大于0.01帕斯卡或其他范围)。在一些实施例中，气体压力可以小于VUV检查期间的气体压力(例如，小于1000Pa)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1-1000Pa的范围内。

在一些实施例中，小型化等离子体源(例如，功率小于10瓦)或电子束源(例如，电流小于10mA、电子束能量小于1kV(优选在50-500V的范围内))可以优选用于在低压下清洁(例如，在连续模式或脉冲模式下)，因为对氢离子或氢自由基的需求相当适中。在一些实施例中，例如，这样的源可以基于小型化电子回旋共振(ECR)等离子体、可以是小型化射频(RF)源或其他源。可以使用多个电子束源或等离子体源，例如每个VUV反射镜使用专用源。

在一些实施例中，由清洁***200供应的等离子体形成气体可以不同于在清洁期间供应到VUV反射镜的气体。例如，等离子体形成气体可以包含氢或不包含氢、具有不同浓度的氢、或具有不同的稀有气体(例如He，而不是通常被提供到VUV光学器件的较重的稀有气体)，由于这可以防止等离子体源或电子束源表面的由于重离子或化学活性离子而导致的附带物理或化学溅射，这可以是VUV反射镜上的不可清洁的污染的来源。通常，相比于到VUV光学器件的气体提供量，以标准升/分钟测量的等离子体形成气体供应量为<0.1x，优选<0.01x，因而它可以不会显著干扰室中的气体成分，因此清洁完成后的气体成分沉降时间被最小化。等离子体形成气体是供应到(小型化)基于等离子体的离子发生器220或基于等离子体的电子束源的气体。在一些实施例中，由于等离子体形成气体与被供应用于VUV操作的气体的混合，因此被供应用于清洁操作的气体的成分可以类似于或不同于被提供在VUV光学器件附近的气体的成分。在一些实施例中，VUV室150的供应管线121可以在清洁期间连续操作或可以被中断/减少。

图6是示出根据一个或多个实施例的用于图2的VUV检查***的清洁***中的HRG的示意图。清洁***200包括在VUV光学器件300附近的HRG 230。HRG 230可以包括钨丝231，所述钨丝231可以达到在1000摄氏度以上的范围内的温度。钨丝231的温度使存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体的或与稀有气体混合的氢气)离解，以产生形成清洁环境232的氢自由基。在一些实施例中，氢原子主要在清洁环境232内通过流动或扩散而传播到VUV光学器件300。清洁环境232通过从VUV光学器件300的VUV反射镜去除水或碳氢化合物来执行VUV光学器件300的清洁。在一些实施例中，使用HRG 230的清洁***200可以以脉冲模式操作。此外，在一些实施例中，VUV反射镜可能由于钨丝231的高温而暂时变形，而热调节***314可以抑制或消除这种影响。

在HRG操作期间在VUV光学器件环境120中的气体压力可以保持在特定范围内(例如，大于0.01帕斯卡或其他范围)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1-1000Pa的范围内。

图7是示出根据一个或多个实施例的用于图2的VUV检查***的清洁***中的基于激光诱导放电的离子发生器(“基于激光的离子发生器”)的示意图。清洁***200包括在VUV光学器件300附近的基于激光的离子发生器240。基于激光的离子发生器240可以产生聚焦激光束241，所述聚焦激光束241传播通过VUV光学器件环境120，引起激光诱导放电242。激光诱导放电242电离存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体的或与稀有气体混合的氢气)，以产生形成清洁环境243的氢离子或氢自由基。在一些实施例中，氢原子主要在清洁环境232内通过流动或扩散而传播到VUV光学器件300。清洁环境232通过从VUV反射镜去除水或碳氢化合物来执行VUV光学器件300的清洁。激光器可以是连续波(CW)或脉冲激光，脉冲激光的持续时间优选为10ns或更短，因为这可以允许激光能量更好地耦合到等离子体产生。

VUV光学器件环境120中的气体压力可以保持在特定范围内(例如，大于100帕斯卡或其他范围)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1000-10000Pa的范围内。在一些实施例中，VUV光学器件300附近的压力可以从VUV检查模式到清洁模式显著地变化(例如，变化超过十倍)。气体压力甚至可以在清洁期间超过大气压(例如，在0.1-10巴的范围内)，并且可以优选地保持在1-5巴(或100000至500000Pa)的范围内。清洁期间的这种压力可能是有利的，因为这允许使用激光诱导火花242作为活性种的源。在一些实施例中，激光诱导火花242是良好的无电极放电，其中活性种(例如，氢离子或氢自由基)原地产生并远离任何能够溅射的表面。

在一些实施例中，VUV光学器件300可以至少部分地将提供激光火花242所需的激光引导在任何一个VUV反射镜附近(例如，通过在清洁期间根据需要引入聚焦光学元件以及在检查期间移除聚焦光学元件)。激光火花242应当与VUV光学器件300足够远(例如，大于1毫米或其他距离)，以避免高能离子的溅射风险。在一些实施例中，激光火花242应当优选地与VUV光学器件300相距大于10毫米。

激光火花242可以沿着任何VUV反射镜表面扫描(例如，在x、y或z方向上)以依靠局部清洁。通常，激光火花体积小(例如，小于10mm³，并且激光火花的任何尺寸都小于3mm)，由于重组或缔合，在距点状源(即激光诱导火花)1/R²开始，有用种的浓度下降较快。此处，R是从激光火花到最近的反射表面的距离。

在一些实施例中，VUV光学器件300处的激光峰值输出或峰值通量可以不超过1W/cm²的强度(CW激光功率或平均脉冲激光功率)，并且可以不超过0.1J/cm²(对于脉冲激光)，以避免损坏表面。

在一些实施例中，用于VUV检查操作的相同稀有气体也可以在添加一些氢气的情况下用于清洁。

清洁***200还可以包括拦截未用激光束的束捕集器245。闸阀(诸如第一闸阀244和第二闸阀246)提供了用于在相对高的压力下进行清洁的压力安全壳(例如，通过暂时关闭)。在一些实施例中，当将VUV源环境112和晶片环境135与VUV光学器件环境120分开的薄膜窗111和130(其对于VUV检查是透明的)可能无法承受压力差并且存在故障风险时，闸阀关闭。

图8是根据一个或多个实施例的用于清洁VUV检查***的过程800的流程图。在一些实施例中，过程800可以在图2的VUV检查***100中实现。在操作P801中，氢气805被供应到检查***的VUV光学器件环境。例如，如果存在VUV照射(例如，当VUV从照射源110发射以执行晶片的检查时)，供应***201可以向VUV光学器件环境120中的稀有气体添加特定浓度(例如，0-10％，优选地小于1％)的氢气。在另一示例中，当执行清洁并且不存在VUV照射时，供应***201可以向VUV光学器件环境120中的稀有气体添加另一浓度(例如，1％-100％)的氢气。

在操作P803中，氢气被离子化以产生氢离子或氢自由基810，其通过从VUV反射镜去除水或碳氢化合物来清洁VUV光学器件。例如，氢气可以使用离子发生器(诸如基于电子束的离子发生器210、基于等离子体的离子发生器220、或基于激光的离子发生器240)而被离子化，或使用HRG 230(如图4-7所示)被离解，以产生用于清洁VUV反射镜的氢离子或氢自由基810。

图9是根据一个或多个实施方案的使用基于电子束的离子发生器使氢气离子化的过程900的流程图。在一些实施例中，过程900可以使用图4的基于电子束的离子发生器在图2的VUV检查***100中实现，并可以作为过程800的操作P803的部分。在操作P901中，基于电子束的离子发生器***作以将具有特定能量的电子束输出到VUV光学器件环境中。例如，基于电子束的离子发生器210***作以将能量在10伏至10千伏的范围内的电子束输出到VUV光学器件环境120中。在一些实施例中，电子束能量的优选范围可以是100-1000V。电子束使存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体的或与稀有气体混合的氢气)离子化，以产生氢离子或氢自由基。电子束可以以从基于电子束的离子发生器210到电子束捕集器213的距离的0.1-0.5的聚焦长度被聚焦。

在操作P903中，在基于电子束的清洁期间，VUV光学器件环境中的气体的压力保持在特定范围内(例如，大于0.01帕斯卡)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1-100Pa的范围内。

图10是根据一个或多个实施方案的使用基于等离子体的离子发生器使氢气离子化的过程1000的流程图。在一些实施例中，过程1000可以使用图5的基于等离子体的离子发生器在图2的VUV检查***100中实现，并可以作为过程800的操作P803的部分。在操作P1001中，操作基于等离子体的离子发生器以将等离子体输出到具有特定电子温度的VUV光学器件环境中。例如，操作基于等离子体的离子发生器220以将等离子体221输出到电子温度大于0.1eV的VUV光学器件环境120中。在一些实施例中，电子温度的优选范围可以是1-10eV。等离子体221使存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体的或与稀有气体混合的氢气)离子化，以产生氢离子或氢自由基。

在操作P1003中，VUV光学器件环境中的气体的压力保持在特定范围内(例如，大于0.01帕斯卡)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1-1000Pa的范围内。

图11是根据一个或多个实施例的使用HRG离解氢气的过程P1100的流程图。在一些实施例中，过程P1000可以使用图6的HRG在图2的VUV检查***100中实现，并可以作为过程800的操作P803的部分。在操作P1101中，HRG***作以实现在特定范围内的钨丝温度。例如，HRG 230***作使得钨丝231的温度可以在1000摄氏度以上的范围内。热的钨丝231离解存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体的或与稀有气体混合的氢气)以产生氢自由基。

在操作P1103中，VUV光学器件环境中的气体的压力保持在特定范围内(例如，大于0.01帕斯卡)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1-1000Pa的范围内。

图12是根据一个或多个实施例的使用基于激光的离子发生器使氢气离子化的过程1200的流程图。在一些实施例中，过程1200可以使用图6的基于激光的离子发生器在图2的VUV检查***100中实现，并且可以作为过程800的操作P803的部分。在操作P1201中，基于激光的离子发生器***作以在VUV光学器件环境中输出聚焦激光束，从而引起激光诱导火花。例如，基于激光的离子发生器240可以产生聚焦激光束241，所述聚焦激光束241传播通过VUV光学器件环境120，从而引起激光诱导放电242。激光诱导放电242使存在于VUV光学器件环境120中的一种或多种气体(例如，作为纯气体的或与稀有气体混合的氢气)离子化，以产生氢离子或氢自由基。

在操作P1203中，VUV光学器件环境中的气体的压力保持在特定范围内(例如，大于100帕斯卡)。在一些实施例中，气体压力优选保持在1-1000Pa的范围内。气体压力甚至可以在清洁期间超过大气压(例如，在0.1-10巴的范围内)，并且可以优选地保持在1-5巴的范围内。

为了清楚起见，附图中的部件的相对尺寸可能被夸大。在附图的描述中，相同或类似的附图标记指代相同或相似的部件或实体，并且仅描述关于各个实施例的差异。如本文所用，除非另有特别说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除了不可行的情况。例如，如果陈述了一个部件可以包括A或B，则除非另有特别说明或不可行，否则该部件可以包括A、或B、或A和B。作为第二示例，如果陈述了部件可以包括A、B或C，则除非另有特别说明或不可行，否则该部件可以包括A、或B、或C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。

在以下编号的条项中描述了根据本发明的其他实施例：

1.一种用于清洁检查***的真空紫外(VUV)光学器件的方法，所述方法包括：

向所述检查***中的VUV光学器件的环境供应氢气，其中所述VUV光学器件包括一个或多个VUV反射镜，所述一个或多个VUV反射镜涂覆有包括稀有金属的保护涂层；和

引起所述氢气的离子化以产生氢离子或氢自由基，其中所述氢离子或氢自由基清洁所述VUV光学器件。

2.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化离子包括：

通过使用所述氢离子或氢自由基从所述一个或多个VUV反射镜的表面去除氧化物、碳化物、水或碳氢化合物来清洁所述VUV光学器件。

3.根据条项1所述的方法，其中基于所述一个或多个VUV反射镜的反射材料中的稀有金属的溶解度来选择所述稀有金属。

4.根据条项3所述的方法，其中选择在所述反射材料中具有最低溶解度的稀有金属。

5.根据条项3所述的方法，其中所述反射材料包括铝。

6.根据条项1所述的方法，其中基于所述稀有金属对VUV的吸收来选择所述稀有金属。

7.根据条项6所述的方法，其中选择具有最低吸收的稀有金属。

8.根据条项1所述的方法，其中所述稀有金属包括钌、铑、铱、锇、银、金或铂中的一种或多种。

9.根据条项1所述的方法，其中供应所述氢气包括：

供应氢气，作为纯气体或与一种或多种稀有气体混合。

10.根据条项1所述的方法，其中供应所述氢气包括：

在所述保护涂层的厚度小于3纳米的VUV光学器件的环境中供应所述氢气。

11.根据条项1所述的方法，其中供应所述氢气包括：

在所述保护涂层的厚度小于10纳米的VUV光学器件的环境中供应所述氢气。

12.根据条项1所述的方法，其中供应所述氢气包括：

在VUV反射镜的保护涂层除了所述稀有金属之外还包括一种或多种元素的VUV光学器件的环境中供应所述氢气，其中所述一种或多种元素中的每种元素的浓度小于所述保护涂层的成分的50％。

13.根据条项12所述的方法，其中所述一种或多种元素的总浓度小于所述保护涂层的成分的50％。

14.根据条项1所述的方法，其中供应所述氢气包括：

在使用粘合层将VUV反射镜的保护涂层粘附到所述VUV反射镜的反射材料的VUV光学器件的环境中供应所述氢气。

15.根据条项14所述的方法，其中所述粘合层防止所述稀有金属与所述反射材料混合。

16.根据条项14所述的方法，其中供应所述氢气包括：

在所述粘合层的厚度小于3纳米的VUV光学器件的环境中供应所述氢气。

17.根据条项14所述的方法，其中供应所述氢气包括：

在所述粘合层的厚度小于10纳米的VUV光学器件的环境中供应所述氢气。

18.根据条项14所述的方法，其中供应所述氢气包括：

在所述粘合层的厚度小于所述保护涂层的厚度的VUV光学器件的环境中供应所述氢气。

19.根据条项1所述的方法，其中供应所述氢气包括：

基于正在执行用于清洁所述一个或多个VUV反射镜的清洁操作或正在执行用于检查所述一个或多个晶片的VUV操作，来保持所述VUV光学器件的环境中的氢气的浓度。

20.根据条项19所述的方法，其中在所述VUV操作期间，所述氢气的浓度在所述VUV光学器件的环境中的所有气体的总浓度的0％至10％的范围内。

21.根据条项20所述的方法，其中在所述VUV操作期间，所述氢气的浓度低于在所述VUV光学器件的环境中的所有气体的总浓度的1％。

22.根据条项19所述的方法，其中当正在执行所述清洁操作且没有执行所述VUV操作时，所述氢气的浓度在所述VUV光学器件的环境中的所有气体的总浓度的1％-100％的范围内。

23.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化包括：

使用清洁***引起所述氢气的离子化或离解，所述清洁***基于氢自由基发生器(HRG)、电子束、等离子体源或激光诱导火花。

24.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化包括：

操作HRG以获得超过1000摄氏度的HRG细丝温度，以产生所述氢自由基；和

保持所述VUV光学器件的环境中的气体的压力大于0.01帕斯卡。

25.根据条项24所述的方法，其中所述压力保持在1至1000帕斯卡的范围内。

26.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化包括：

在所述VUV光学器件的环境中输出电子温度超过0.1电子伏特的等离子体；和

保持所述VUV光学器件的环境中的气体的压力大于0.01帕斯卡。

27.根据条项26所述的方法，其中所述电子温度保持在1至10电子伏特的范围内。

28.根据条项26所述的方法，其中所述压力保持在1至1000帕斯卡的范围内。

29.根据条项26所述的方法，其中基于所述等离子体引起所述氢气的离子化包括：

向所述VUV光学器件的环境供应不同浓度的氢气或具有不同的稀有气体的氢气。

30.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化包括：

向VUV光学器件环境中输出电子束能量在10伏至10千伏的范围内的电子束；和

持所述VUV光学器件的环境中的气体的压力大于0.01帕斯卡。

31.根据条项30所述的方法，其中所述电子束能量保持在100伏至1000伏的范围内。

32.根据条项30所述的方法，所述压力保持在1至1000帕斯卡的范围内。

33.根据条项30所述的方法，其中所述电子束被聚焦，其中聚焦距离是所述检查***中的所述电子束的源与电子束捕集器之间的距离的0.1至0.5。

34.根据条项30所述的方法，还包括：

将所述一个或多个VUV反射镜配置为电极以收集电子束电流或反向地离子电流的至少一部分。

35.根据条项30所述的方法，其中所述一个或多个VUV反射镜被正向偏压，以促进在所述一个或多个VUV反射镜的表面附近或表面处的附加离子化或离解，以提高清洁速率。

36.根据条项35所述的方法，其中所述一个或多个VUV反射镜在+1伏至+100伏的范围内正向偏压。

37.根据条项30所述的方法，其中所述一个或多个VUV反射镜被负向偏压，以吸引氢离子或稀有气体离子并增加它们的能量，从而提高清洁率。

38.根据条项37所述的方法，其中所述一个或多个VUV反射镜在-1伏至-100伏的范围内负向偏压。

39.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化包括：

在所述VUV光学器件的环境中输出激光束，从而引起激光诱导放电；和

保持所述VUV光学器件的环境中的气体的压力大于100帕斯卡。

40.根据条项39所述的方法，其中所述压力保持在1000至10000帕斯卡的范围内。

41.根据条项39所述的方法，其中所述压力保持在100000至500000帕斯卡的范围内。

42.根据条项39所述的方法，其中在所述VUV光学器件的环境中使用一个或多个闸阀来保持所述压力，其中所述一个或多个闸阀将所述VUV光学器件的环境与具有待检查的衬底的低压环境分开，或与VUV的源的低压环境分开。

43.根据条项39所述的方法，其中所述激光诱导放电与所述VUV光学器件分开特定距离，以避免氢离子或氢自由基或重稀有气体离子的溅射。

44.根据条项43所述的方法，其中所述特定距离大于1毫米。

45.根据条项43所述的方法，其中所述特定距离大于10毫米。

46.根据条项39所述的方法，其中所述激光束是脉冲的，并且其中脉冲的持续时间是10纳秒或更短。

47.根据条项39所述的方法，其中所述激光束的峰值输出不超过1W/cm²，峰值通量不超过0.1J/cm²。

48.根据条项1所述的方法，还包括：

用抗氢诱导脱气(HIO)涂层涂覆所述检查***的在所述VUV光学器件的环境附近的内壁。

49.根据条项48所述的方法，其中所述检查***的在所述VUV光学器件的环境附近的内壁包括所述检查***的面对所述VUV光学器件的环境的表面的50％以上。

50.根据条项48所述的方法，其中抗HIO涂层包括一种或多种耐火金属。

51.根据条项50所述的方法，其中所述一种或多种耐火金属包括钼或钨。

52.根据条项48所述的方法，其中抗HIO涂层包括沸点大于2500摄氏度的一种或多种金属。

53.根据条项48所述的方法，其中抗HIO涂层包括与氢等离子体形成挥发性物质的第一组元素，所述第一组元素以小于1％的浓度存在。

54.根据条项53所述的方法，其中所述第一组元素包括碳、磷、氮、氧、硅、锗、锡、铅、氟、溴、碘、氯或硼中的一种或多种。

55.根据条项48所述的方法，其中抗HIO涂层包括具有低溅射阈值的第二组元素，所述第二组元素以小于1％的浓度存在。

56.根据条项55所述的方法，其中所述第二组元素包括锌、铜、镁或铝中的一种或多种。

57.根据条项48所述的方法，其中所述检查***的在所述VUV光学器件的环境附近的一部分被涂覆有抗HIO涂层，其中所述部分包括溅射阈值高于所述一个或多个VUV反射镜的反射材料的溅射阈值或所述一个或多个VUV反射镜的保护涂层的溅射阈值的元素。

58.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化还包括：

使用集成的热调节***加热所述一个或多个VUV反射镜中的VUV反射镜，以使来自所述VUV反射镜的保护涂层或反射材料的气态产物脱气。

59.根据条项58所述的方法，其中加热所述VUV反射镜包括：将所述VUV反射镜的温度保持在25-200摄氏度的范围内。

60.根据条项58所述的方法，其中加热所述VUV反射镜还包括：

在清洁序列完成之后冷却所述一个或多个VUV反射镜以及它们的子***。

61.根据条项1所述的方法，其中引起所述氢气的离子化还包括：

操作所述检查***中的红外(IR)源以照射所述一个或多个VUV反射镜，其中所述IR源搅动污染物的振动自由度，并使气态产物脱气。

62.根据条项61所述的方法，其中所述气态产物包括水或甲烷中的一种或多种。

63.根据条项61所述的方法，其中所述IR源包括闪光灯或窄带中IR激光器。

64.根据条项1所述的方法，还包括：

以连续模式或脉冲模式执行用于清洁所述一个或多个VUV反射镜的清洁操作，其中在所述连续模式，所述清洁操作与用于使用VUV检查一个或多个晶片的VUV操作同时执行，并且其中在所述脉冲模式，在两个连续的VUV操作之间执行所述清洁操作。

65.根据条项64所述的方法，在所述脉冲模式中，在检查单个晶片或一批晶片的VUV操作之后执行所述清洁操作。

66.根据条项64所述的方法，其中由于等离子体形成气体与被供应用于所述VUV操作的气体的混合，被供应用于所述清洁操作的气体的成分类似于被提供在所述VUV光学器件附近的气体的成分。

67.根据条项64所述的方法，其中由于等离子体形成气体与被供应用于所述VUV操作的气体的混合，被供应用于所述清洁操作的气体的成分不同于被提供在所述VUV光学器件附近的气体的成分。

68.根据条项67所述的方法，还包括：

在所述清洁操作的持续时间内中断用于所述VUV操作的气体供应，使得所述等离子体形成气体限定所述清洁操作期间的在所述VUV光学器件附近的气体成分和气体压力。

69.一种检查***，包括：

真空紫外(VUV)光学器件，所述VUV光学器件被配置成将来自VUV源的VUV引导到所述检查***中的衬底，所述VUV光学器件包括VUV反射镜，所述VUV反射镜涂覆有包括稀有金属的保护涂层；和

离子发生器，所述离子发生器被配置成使供应到所述VUV光学器件的环境的氢气离子化或离解，以产生用于清洁所述VUV反射镜的氢离子或氢自由基。

70.根据条项69所述的检查***，还包括：

供应***，所述供应***用于向所述VUV光学器件的环境供应氢气。

71.根据条项69所述的检查***，其中基于所述VUV反射镜的反射材料中的稀有金属的溶解度来选择所述稀有金属。

72.根据条项71所述的检查***，其中选择在所述反射材料中具有最低溶解度的稀有金属。

73.根据条项71所述的检查***，其中所述反射材料包括铝。

74.根据条项71所述的检查***，其中基于所述稀有金属对VUV的吸收来选择所述稀有金属。

75.根据条项74所述的检查***，其中选择对VUV具有最低吸收的稀有金属。

76.根据条项69所述的检查***，其中所述稀有金属包括钌、铑、银、金、铱、锇或铂中的一种或多种。

77.根据条项69所述的检查***，其中所述保护涂层的厚度小于3纳米。

78.根据条项69所述的检查***，其中所述保护涂层的厚度小于10纳米。

79.根据条项69所述的检查***，其中所述VUV反射镜的保护涂层除了所述稀有金属之外还包括一种或多种元素，其中所述一种或多种元素中的每种元素的浓度小于所述保护涂层的成分的50％。

80.根据条项79所述的检查***，其中所述一种或多种元素的总浓度小于所述保护涂层的成分的50％。

81.根据条项69所述的检查***，其中使用粘合层将所述VUV反射镜的保护涂层粘附到所述VUV反射镜的反射材料。

82.根据条项81所述的检查***，其中所述粘合层防止所述稀有金属与所述反射材料混合。

83.根据条项81所述的检查***，其中所述粘合层的厚度小于3纳米。

84.根据条项81所述的检查***，其中所述粘合层的厚度小于10纳米。

85.根据条项81所述的检查***，其中所述粘合层的厚度小于所述保护涂层的厚度。

86.根据条项69所述的检查***，其中以特定浓度供应所述氢气，所述特定浓度取决于正在执行用于检查所述一个或多个晶片的VUV操作，还是正在执行用于清洁所述VUV反射镜的清洁操作。

87.根据条项86所述的检查***，其中在所述VUV操作期间，所述氢气的浓度在所述VUV光学器件的环境中的所有气体的总浓度的0％至10％的范围内。

88.根据条项87所述的检查***，其中在所述VUV操作期间，所述氢气的浓度低于在所述VUV光学器件的环境中的所有气体的总浓度的1％。

89.根据条项86所述的检查***，其中当正在执行所述清洁操作且没有执行所述VUV操作时，所述氢气的浓度在所述VUV光学器件的环境中的所有气体的总浓度的1％-100％的范围内。

90.根据条项69所述的检查***，其中所述离子发生器包括氢自由基发生器(HRG)、基于电子束的离子发生器、基于等离子体源的离子发生器、或基于激光的离子发生器。

91.根据条项69所述的检查***，其中所述离子发生器包括具有细丝的HRG，其中所述HRG被配置成获得超过1000摄氏度的细丝温度，以将所述氢气离解成氢自由基。

92.根据条项91所述的检查***，其中所述细丝是钨丝。

93.根据条项91所述的检查***，其中保持所述VUV光学器件的环境中的气体的压力在大于0.01帕斯卡的范围内。

94.根据条项91所述的检查***，其中保持所述VUV光学器件的环境中的气体的压力在1至1000帕斯卡的范围内。

95.根据条项69所述的检查***，其中所述离子发生器包括基于等离子体的源，并且其中所述离子发生器被配置成在所述VUV光学器件的环境中输出电子温度超过0.1电子伏特的等离子体，以使所述氢气离子化。

96.根据条项95所述的检查***，其中所述电子温度保持在1至10电子伏特的范围内。

97.根据条项95所述的检查***，其中所述VUV光学器件的环境中的气体的压力保持在大于0.1帕斯卡的范围内。

98.根据条项95所述的检查***，其中所述VUV光学器件的环境中的气体的压力保持在1至1000帕斯卡的范围内。

99.根据条项69所述的检查***，其中所述离子发生器包括电子束源，所述电子束源被配置成向所述VUV光学器件的环境中输出电子束能量在10伏至10千伏的范围内的电子束。

100.根据条项99所述的检查***，其中所述电子束能量保持在100伏至1000伏的范围内。

101.根据条项99所述的检查***，其中所述VUV光学器件的环境中的气体的压力保持在大于0.1帕斯卡的范围内。

102.根据条项99所述的检查***，其中所述VUV光学器件的环境中的气体的压力保持在1至100帕斯卡的范围内。

103.根据条项99所述的检查***，其中将所述VUV反射镜配置为电极以收集电子束电流或离子电流的至少一部分。

104.根据条项103所述的检查***，其中所述VUV反射镜被正向偏压，以促进在所述VUV光学器件的表面处或所述VUV光学器件附近的离子化或离解。

105.根据条项104所述的检查***，其中所述VUV反射镜在1伏至100伏的范围内正向偏压。

106.根据条项103所述的检查***，其中所述VUV反射镜被负向偏压，以吸引氢离子或增加它们的能量。

107.根据条项106所述的检查***，其中所述VUV反射镜在-1伏至-100伏的范围内负向偏压。

108.根据条项69所述的检查***，其中所述离子发生器包括激光源，所述激光源被配置成在所述VUV光学器件的环境中输出激光束，其中所述激光束引起使氢气或氢气与稀有气体的混合物离子化的激光诱导放电。

109.根据条项108所述的检查***，其中所述VUV光学器件的环境中的气体的压力保持在大于100帕斯卡的范围内。

110.根据条项108所述的检查***，其中所述VUV光学器件的环境中的气体的压力保持在100000至500000帕斯卡的范围内。

111.根据条项108所述的检查***，还包括：

闸阀，所述闸阀用于保持所述VUV光学器件的环境中的压力，其中所述闸阀将所述VUV光学器件的环境与具有待检查的衬底的第一环境和具有所述检查***的照射源的第二环境分开。

112.根据条项108所述的检查***，其中所述激光诱导放电与所述VUV光学器件分开特定距离，以避免氢离子或氢自由基的溅射。

113.根据条项112所述的检查***，其中所述特定距离大于1毫米。

114.根据条项112所述的检查***，其中所述特定距离大于10毫米。

115.根据条项69所述的检查***，还包括：

在所述VUV光学器件的环境附近的内壁，其中所述内壁包括抗氢诱导脱气(HIO)涂层。

116.根据条项115所述的检查***，其中抗HIO涂层包括一种或多种耐火金属。

117.根据条项115所述的检查***，其中抗HIO涂层包括沸点大于2500摄氏度的一种或多种金属。

118.根据条项115所述的检查***，其中所述VUV光学器件和所述检查***的在所述VUV光学器件的环境附近的一部分被涂覆有抗HIO涂层，其中所述部分包括溅射阈值高于所述VUV反射镜的反射材料或保护涂层的溅射阈值的元素。

119.根据条项69所述的检查***，其中所述VUV反射镜还包括：

热调节***，所述热调节***被配置成加热所述VUV反射镜，以使来自所述VUV反射镜的保护涂层或反射材料的气态产物脱气。

120.根据条项119所述的检查***，其中所述热调节***被配置成将所述VUV反射镜加热到在20-200摄氏度的范围内的温度。

121.根据条项119所述的检查***，其中所述热调节***被配置成在清洁所述VUV反射镜之后冷却所述VUV反射镜。

122.根据条项121所述的检查***，其中所述热调节***被配置成在清洁所述VUV反射镜之后，将所述VUV反射镜的温度调节到20-50摄氏度的范围内。

应当理解，本公开的实施例不限于上面已经描述并在附图中示出的确切构造，并且在不脱离其范围的情况下可以进行各种修改和改变。已经结合各种实施例描述了本公开，通过考虑本文公开的本发明的说明书和实践，本发明的其他实施例对于本领域技术人员将是显而易见的。本说明书和实施例旨在被认为仅是示例性的，本发明的真正范围和精神由以下权利要求指示。

上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将显而易见的是，在不脱离下面所陈述的权利要求的范围的情况下，可以如所描述的那样进行修改。

Claims

1.一种检查***中的真空紫外(VUV)反射镜，所述VUV反射镜包括：

反射材料，所述反射材料在所述VUV反射镜上，所述反射材料包括铝；

保护涂层，所述保护涂层用于保护所述反射材料，其中所述保护涂层包含稀有金属；和

粘合层，所述粘合层用作所述反射材料与所述保护涂层之间的中间层，所述粘合层被配置成将所述保护涂层粘附到所述反射材料，并防止所述保护涂层与铝混合。

2.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中基于所述稀有金属在铝中的溶解性选择所述稀有金属。

3.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中基于所述稀有金属对VUV的吸收来选择所述稀有金属。

4.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中所述稀有金属包括钌、铑、银、金、铱、锇或铂中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中所述保护涂层的厚度小于3纳米。

6.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中所述保护涂层的厚度小于10纳米。

7.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中所述保护涂层除了所述稀有金属之外还包括一种或多种元素，其中所述一种或多种元素中的每种元素的浓度小于所述保护涂层的成分的50％。

8.根据权利要求7所述的VUV反射镜，其中所述一种或多种元素的总浓度小于所述保护涂层的成分的50％。

9.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中所述粘合层的厚度小于3纳米。

10.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中所述粘合层的厚度小于10纳米。

11.根据权利要求1所述的VUV反射镜，其中所述粘合层的厚度小于所述保护涂层的厚度。