CN116596739B - 一种应用于图像增强处理的电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，包括预处理模块、控制模块、高通滤波模块、低通滤波模块，所述预处理模块和控制模块连接，控制模块和高通滤波模块、低通滤波模块连接，高通滤波模块和低通滤波模块连接，本发明可以根据图像质量有选择的进行增强处理，并对图像的整体特征和局部特征实施反向处理，提高整体和局部的对比效果。

Description

一种应用于图像增强处理的电路

技术领域

本发明图像增强领域，特别涉及一种应用于图像增强处理的电路。

背景技术

图像增强处理的目的是要改善图像的视觉效果，主要强调长出图像的整体或局部特性，整体性图像增强目的为改善图像质量，而扩大图像中不同物体特征之间的对比差别目的为加强图像判读和识别效果，满足某些特殊分析的需要，但现有技术中图像增强处理的方式大多为图像的整体特征进行改善，对局部增强处理的改善效果体现较差，无法使图像局部的和整体形成鲜明对比，以此提出一种应用于图像增强处理的电路。

发明内容

针对上述技术问题，本发明的目的是提供一种应用于图像增强处理的电路，包括预处理模块、控制模块、高通滤波模块、低通滤波模块，所述预处理模块和控制模块连接，控制模块和高通滤波模块、低通滤波模块连接，高通滤波模块和低通滤波模块连接。

进一步的，所述控制模块还包括第一电源V1、第一输入端子P1、第二输入端子P2、第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4，所述第一运算放大器U1同相端通过第一输入端子P1和原始信号输出端连接，所述第一运算放大器U1反相端和第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端和第一运算放大器U1输出端连接，第二电阻R2一端和第一电源V1连接，第三电阻R3一端和第二电阻R2另一端连接，第二运算放大器U2反相端连接在第二电阻R2和第三电阻R3间，第二运算放大器U2同相端连接在第一电阻R1端和第一运算放大器U1输出端间，第三运算放大器U3同相端连接在第二电阻R2和第三电阻R3间，第三运算放大器U3反相端连接在第一电阻R1端和第一运算放大器U1输出端间，第二运算放大器U2输出端和第一MOS管Q1漏极连接，第一MOS管Q1源极和第三二极管D3阳极练级，第三二极管D3阳极和第一二极管D1一端连接，第一MOS管Q1栅极和第二MOS管Q2栅极连接，第二输入端子P2设置在第一MOS管Q1栅极和第二MOS管Q2栅极间，第二MOS管Q2漏极和第三运算放大器U3输出端连接，第二MOS管Q2源极和第四二极管D4阳极连接，第四二极管D4阳极和第二二极管D2一端连接，第三电阻R3、第一二极管D1、第二二极管D2另一端和接地端连接。

进一步的，所述控制块还包括第一电容C1、第二电容C2、第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9，所述第五电阻R5一端和第一电源V1连接，第六电阻R6一端和第五电阻R5另一端连接，第三MOS管Q3源极连接在第五电阻R5和第六电阻R6间，第三MOS管Q3栅极和第二运算放大器U2输出端连接，第三MOS管Q3漏极和第四MOS管Q4漏极连接，第四MOS管Q4栅极连接在第三MOS管Q3栅极和第二运算放大器U2输出端间，第一电容C1一端连接在第三MOS管Q3漏极和第四MOS管Q4漏极间，第四MOS管Q4源极和第五二极管D5阳极连接，第五二极管D5阴极和第七电阻R7一端连接，第七电阻R7另一端和第一二极管D1一端连接，第六二极管D6阳极连接在第四MOS管Q4源极和第五二极管D5阳极间，第六二极管D6阴极和第二电容C2一端连接，第五MOS管Q5源极连接在第六二极管D6阴极和第二电容C2间，第八电阻R8一端连接在第五MOS管Q5源极、第六二极管D6阴极、第二电容C2间，第五MOS管Q5漏极和第七二极管D7阳极连接，第七二极管D7阴极和第九电阻R9一端连接，第九电阻R9另一端连接在第二二极管D2和第四二极管D4阴极间，第一电容C1、第二电容C2、第六电阻R6、第八电阻R8另一端和接地端连接。

进一步的，所述控制模块还包括第三电容C3、第四电容C4、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第八二极管D8、第九二极管D9、第十二极管D10、第十电阻R10，所述第六MOS管Q6源极连接在第五电阻R5和第六电阻R6间，第六MOS管Q6漏极和第七MOS管Q7漏极连接，第三电容C3一端连接在第六MOS管Q6漏极和第七MOS管Q7漏极间，第六MOS管Q6栅极和第三运算放大器U3输出端连接，第七MOS管Q7栅极连接在第六MOS管Q6栅极和第三运算放大器U3输出端间，第七MOS管Q7源极和第九二极管D9阳极连接，第九二极管D9阴极和第四电容C4一端连接，第八MOS管Q8源极连接在第九二极管D9阴极和第四电容C4间，第十电阻R10一端连接在第八MOS管Q8源极、第九二极管D9阴极、第四电容C4间，第八MOS管Q8栅极连接在第三电容C3、第六MOS管Q6漏极、第七MOS管Q7漏极间，第八MOS管Q8漏极和第十二极管D10阳极连接，第十二极管D10阴极连接在第七电阻R7和第一二极管D1间，第四电容C4、第十电阻R10另一端和接地端连接。

进一步的，所述控制模块还包括第四电阻R4，所述第四电阻R4一端连接在第一MOS管Q1栅极和第二MOS管Q2栅极间，第四电阻R4另一端和接地端连接。

进一步的，所述控制模块还包括第十一电阻R11，所述第十一电阻R11一端连接在第三MOS管Q3栅极、第四MOS管Q4栅极、第二运算放大器U2输出端、第一MOS管Q1漏极间，第十一电阻R11另一端和接地端连接。

进一步的，所述控制模块还包括第十二电阻R12，所述第十二电阻R12一端连接在第六MOS管Q6栅极、第七MOS管Q7栅极、第二MOS管Q2漏极间，第十二电阻R12另一端和接地端连接。

进一步的，所述控制模块还包括第十三电阻R13，所述第十三电阻R13一端连接在第五MOS管Q5栅极和第一电容C1间，第十三电阻R13另一端和接地端连接。

进一步的，所述控制模块还包括第十四电阻R14，所述第十四电阻R14一端连接在第八MOS管Q8栅极和第三电容C3间，第十四电阻R14另一端和接地端连接。

本发明与现有技术相比的有益效果是：

本发明可以根据图像质量有选择的进行增强处理，并对图像的整体特征和局部特征实施反向处理，提高整体和局部的对比效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的整体结构示意图。

图2为控制模块结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的及优点更加清楚明白，以下结合实施例对本发明进行具体说明，应当理解，以下文字仅仅用以描述本发明的一种或几种具体的实施方式，并不对本发明具体请求的保护范围进行严格限定。

参阅附图，本发明是一种应用于图像增强处理的电路，包括预处理模块、控制模块、高通滤波模块、低通滤波模块，所述预处理模块和控制模块连接，控制模块和高通滤波模块、低通滤波模块连接，高通滤波模块和低通滤波模块连接。

具体地，所述控制模块还包括第一电源V1、第一输入端子P1、第二输入端子P2、第一运算放大器U1、第二运算放大器U2、第三运算放大器U3、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4，所述第一运算放大器U1同相端通过第一输入端子P1和原始信号输出端连接，所述第一运算放大器U1反相端和第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端和第一运算放大器U1输出端连接，第二电阻R2一端和第一电源V1连接，第三电阻R3一端和第二电阻R2另一端连接，第二运算放大器U2反相端连接在第二电阻R2和第三电阻R3间，第二运算放大器U2同相端连接在第一电阻R1端和第一运算放大器U1输出端间，第三运算放大器U3同相端连接在第二电阻R2和第三电阻R3间，第三运算放大器U3反相端连接在第一电阻R1端和第一运算放大器U1输出端间，第二运算放大器U2输出端和第一MOS管Q1漏极连接，第一MOS管Q1源极和第三二极管D3阳极练级，第三二极管D3阳极和第一二极管D1一端连接，第一MOS管Q1栅极和第二MOS管Q2栅极连接，第二输入端子P2设置在第一MOS管Q1栅极和第二MOS管Q2栅极间，第二MOS管Q2漏极和第三运算放大器U3输出端连接，第二MOS管Q2源极和第四二极管D4阳极连接，第四二极管D4阳极和第二二极管D2一端连接，第三电阻R3、第一二极管D1、第二二极管D2另一端和接地端连接。

具体地，所述控制块还包括第一电容C1、第二电容C2、第五二极管D5、第六二极管D6、第七二极管D7、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9，所述第五电阻R5一端和第一电源V1连接，第六电阻R6一端和第五电阻R5另一端连接，第三MOS管Q3源极连接在第五电阻R5和第六电阻R6间，第三MOS管Q3栅极和第二运算放大器U2输出端连接，第三MOS管Q3漏极和第四MOS管Q4漏极连接，第四MOS管Q4栅极连接在第三MOS管Q3栅极和第二运算放大器U2输出端间，第一电容C1一端连接在第三MOS管Q3漏极和第四MOS管Q4漏极间，第四MOS管Q4源极和第五二极管D5阳极连接，第五二极管D5阴极和第七电阻R7一端连接，第七电阻R7另一端和第一二极管D1一端连接，第六二极管D6阳极连接在第四MOS管Q4源极和第五二极管D5阳极间，第六二极管D6阴极和第二电容C2一端连接，第五MOS管Q5源极连接在第六二极管D6阴极和第二电容C2间，第八电阻R8一端连接在第五MOS管Q5源极、第六二极管D6阴极、第二电容C2间，第五MOS管Q5漏极和第七二极管D7阳极连接，第七二极管D7阴极和第九电阻R9一端连接，第九电阻R9另一端连接在第二二极管D2和第四二极管D4阴极间，第一电容C1、第二电容C2、第六电阻R6、第八电阻R8另一端和接地端连接。

具体地，所述控制模块还包括第三电容C3、第四电容C4、第六MOS管Q6、第七MOS管Q7、第八MOS管Q8、第八二极管D8、第九二极管D9、第十二极管D10、第十电阻R10，所述第六MOS管Q6源极连接在第五电阻R5和第六电阻R6间，第六MOS管Q6漏极和第七MOS管Q7漏极连接，第三电容C3一端连接在第六MOS管Q6漏极和第七MOS管Q7漏极间，第六MOS管Q6栅极和第三运算放大器U3输出端连接，第七MOS管Q7栅极连接在第六MOS管Q6栅极和第三运算放大器U3输出端间，第七MOS管Q7源极和第九二极管D9阳极连接，第九二极管D9阴极和第四电容C4一端连接，第八MOS管Q8源极连接在第九二极管D9阴极和第四电容C4间，第十电阻R10一端连接在第八MOS管Q8源极、第九二极管D9阴极、第四电容C4间，第八MOS管Q8栅极连接在第三电容C3、第六MOS管Q6漏极、第七MOS管Q7漏极间，第八MOS管Q8漏极和第十二极管D10阳极连接，第十二极管D10阴极连接在第七电阻R7和第一二极管D1间，第四电容C4、第十电阻R10另一端和接地端连接。

具体地，所述控制模块还包括第四电阻R4，所述第四电阻R4一端连接在第一MOS管Q1栅极和第二MOS管Q2栅极间，第四电阻R4另一端和接地端连接。

具体地，所述控制模块还包括第十一电阻R11，所述第十一电阻R11一端连接在第三MOS管Q3栅极、第四MOS管Q4栅极、第二运算放大器U2输出端、第一MOS管Q1漏极间，第十一电阻R11另一端和接地端连接。

具体地，所述控制模块还包括第十二电阻R12，所述第十二电阻R12一端连接在第六MOS管Q6栅极、第七MOS管Q7栅极、第二MOS管Q2漏极间，第十二电阻R12另一端和接地端连接。

具体地，所述控制模块还包括第十三电阻R13，所述第十三电阻R13一端连接在第五MOS管Q5栅极和第一电容C1间，第十三电阻R13另一端和接地端连接。

具体地，所述控制模块还包括第十四电阻R14，所述第十四电阻R14一端连接在第八MOS管Q8栅极和第三电容C3间，第十四电阻R14另一端和接地端连接。

考虑到图像在增强时需要根据图像质量和所需增强的特征选择其适用的增强手段，需要对高/低质量的图像及增强的特征进行设定，控制模块通过预处理模块获得图像质量信号及所需增强特征信号，图像质量信号通过第一输入端子P1向预处理模块索取，所需增强特征信号通过第二输入端子P2向预处理模块进行索取，第二电阻R2和第三电阻R3间电压幅值表为图像质量高与低的中间幅值，图像质量越高，幅值则越大，第二输入端子P2输出高电平表为图像增强方式为全局特征增强的信号，第二输入端子P2输出低电平表为图像增强方式为局部特征增强的信号，第四电阻R4为第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的栅极释放寄生电容电压，当第二输入端子P2输出高电平时信号反馈到第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的栅极使第一MOS管Q1栅极、第一MOS管Q1源极和第二MOS管Q2栅极、第二MOS管Q2源极皆达到导通压差，第二电阻R2和第三电阻R3间为第二运算放大器U2反相端反馈信号，第一运算放大器U1输出端和第一电阻R1间为第二运算放大器U2同相端反馈信号，当图像质量较高时，第二运算放大器U2输出时信号经第一MOS管Q1漏极、第一MOS管Q1源极、第三二极管D3、第一二极管D1到接地端回路，第一二极管D1导通，增强特征为全局时第一二极管D1导通表为图像信号需要经低通滤波模块进行增强处理，让图像获得更好的柔和度，第一运算放大器U1输出端和第一电阻R1间为第三运算放大器U3反相端反馈信号，第二电阻R2和第三电阻R3间为第三运算放大器U3同相端反馈信号，当第三运算放大器U3输出时信号经第二MOS管Q2漏极、第二MOS管Q2源极、第四二极管D4、第二二极管D2到接地端回路，第二二极管D2导通，增强特征为全局时第二二极管D2导通表为图像信号需要高通滤波模块进行增强处理，让图像获得更好的清晰度。

考虑到当需要进行局部特征增强且当图像质量较低时，需要先对全局特征进行高通滤波处理以增强图像清晰度，在对所需增强的特征以外的特征进行低通滤波处理进行抑制，以此获得更高的对比度，第二输入端子P2输出低电平表为图像增强方式为局部特征增强，第二输入端子P2输出低电平时信号反馈到第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的栅极使第一MOS管Q1栅极、第一MOS管Q1源极和第二MOS管Q2栅极、第二MOS管Q2源极皆未达到导通压差，第五电阻R5和第六电阻R6间信号经第三MOS管Q3源极、第三MOS管Q3漏极使第一电容C1电位上升，第十一电阻R11为第三MOS管Q3栅极、第四MOS管Q4栅极的寄生电容释放电压，当第二运算放大器U2输出时信号反馈到第三MOS管Q3栅极使第三MOS管Q3栅极和第三MOS管Q3源极达不到导通压差，第三MOS管Q3截至，同时第二运算放大器U2输出端信号同步反馈到第四MOS管Q4栅极使第四MOS管Q4栅极和第四MOS管Q4源极压差达到导通条件，第四MOS管Q4导通，第一电容C1释放信号一路经第四MOS管Q4漏极、第四MOS管Q4源极、第五二极管D5、第七电阻R7、第一二极管D1到接地端回路，第一二极管D1优先导通，第一电容C1释放的信号另一路经第六二极管D6使第二电容C2电位上升，第一电容C1信号反馈到第五MOS管Q5栅极，第十三电阻R13为第五MOS管Q5栅极寄生电容释放电压，当第一电容C1信号完全释放时，第一二极管D1截至，第五MOS管Q5栅极和第五MOS管Q5源极达到导通压差，第五MOS管Q5导通，第二电容C2释放信号经第五MOS管Q5源极、第五MOS管Q5漏极、第七二极管D7、第九电阻R9、第二二极管D2到接地端回路，第二二极管D2随后导通，第八电阻R8为第五MOS管Q5截止后释放第二电容C2剩余信号，当第二电容C2信号完全释放时，第二二极管D2截至，增强特征为局部时第一二极管D1导通表为图像信号需要先经高通滤波模块进行处理，第一二极管D1导通时会对高通滤波模块发送优先处理信号，第二二极管D2导通表为高通滤波模块处理后的图像信号需要在经低通滤波模块进行处理，第二二极管D2导通会对低通滤波模块发送二次处理信号，以此使所需增强的局部特征与全局特征形成高对比度。

考虑到当需要进行局部特征增强且当图像质量较高时，需要先对全局特征进行低通滤波处理以增强图像的柔和度，在对所需增强的特征进行高通滤波处理使其获得更大的清晰度，以此获得更高的对比度，第五电阻R5和第六电阻R6间信号经第六MOS管Q6源极、第六MOS管Q6漏极使第三电容C3电位上升，当第三运算放大器U3输出时信号反馈到第六MOS管Q6栅极使第六MOS管Q6栅极和第六MOS管Q6源极达不到导通压差，第六MOS管Q6截至，同时第三运算放大器U3输出端信号同步反馈到第七MOS管Q7栅极使第七MOS管Q7栅极和第七MOS管Q7源极压差达到导通条件，第七MOS管Q7导通，第十二电阻R12为第六MOS管Q6栅极、第七MOS管Q7栅极的寄生电容释放电压，第三电容C3释放信号一路经第七MOS管Q7漏极、第七MOS管Q7源极、第八二极管D8、第九电阻R9、第二二极管D2到接地端回路，第二二极管D2优先导通，第三电容C3释放的信号另一路经第九二极管D9使第四电容C4电位上升，第四电容C4信号反馈到第八MOS管Q8栅极，第十四电阻R14为第八MOS管Q8栅极的寄生电容释放电压，当第三电容C3信号完全释放时，第二二极管D2截至，第八MOS管Q8栅极和第八MOS管Q8源极达到导通压差，第八MOS管Q8导通，第四电容C4释放信号经第八MOS管Q8源极、第八MOS管Q8漏极、第十二极管D10、第一二极管D1到接地端回路，第一二极管D1随后导通，第十电阻R10为第八MOS管Q8截止后释放第四电容C4剩余信号，当第四电容C4信号完全释放时，第一二极管D1截至，增强特征为局部时第二二极管D2导通表为图像信号需要先经低通滤波模块进行处理，第二二极管D2导通时会对低通滤波模块发送优先处理信号，第一二极管D1导通表为低通滤波模块处理后的图像信号需要在经高通滤波模块进行处理，第一二极管D1导通会对高通滤波模块发送二次处理信号，以此使所需增强的局部特征与全局特征形成高对比度。

Claims (7)

1.一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，包括预处理模块、控制模块、高通滤波模块、低通滤波模块，所述预处理模块和控制模块连接，控制模块和高通滤波模块、低通滤波模块连接，高通滤波模块和低通滤波模块连接；

所述控制模块还包括第一电源、第一输入端子、第二输入端子、第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻，所述第一运算放大器同相端通过第一输入端子和原始信号输出端连接，所述第一运算放大器反相端和第一电阻一端连接，第一电阻另一端和第一运算放大器输出端连接，第二电阻一端和第一电源连接，第三电阻一端和第二电阻另一端连接，第二运算放大器反相端连接在第二电阻和第三电阻间，第二运算放大器同相端连接在第一电阻端和第一运算放大器输出端间，第三运算放大器同相端连接在第二电阻和第三电阻间，第三运算放大器反相端连接在第一电阻端和第一运算放大器输出端间，第二运算放大器输出端和第一MOS管漏极连接，第一MOS管源极和第三二极管阳极练级，第三二极管阳极和第一二极管一端连接，第一MOS管栅极和第二MOS管栅极连接，第二输入端子设置在第一MOS管栅极和第二MOS管栅极间，第二MOS管漏极和第三运算放大器输出端连接，第二MOS管源极和第四二极管阳极连接，第四二极管阳极和第二二极管一端连接，第三电阻、第一二极管、第二二极管另一端和接地端连接；

所述控制模块还包括第一电容、第二电容、第五二极管、第六二极管、第七二极管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻，所述第五电阻一端和第一电源连接，第六电阻一端和第五电阻另一端连接，第三MOS管源极连接在第五电阻和第六电阻间，第三MOS管栅极和第二运算放大器输出端连接，第三MOS管漏极和第四MOS管漏极连接，第四MOS管栅极连接在第三MOS管栅极和第二运算放大器输出端间，第一电容一端连接在第三MOS管漏极和第四MOS管漏极间，第四MOS管源极和第五二极管阳极连接，第五二极管阴极和第七电阻一端连接，第七电阻另一端和第一二极管一端连接，第六二极管阳极连接在第四MOS管源极和第五二极管阳极间，第六二极管阴极和第二电容一端连接，第五MOS管源极连接在第六二极管阴极和第二电容间，第八电阻一端连接在第五MOS管源极、第六二极管阴极、第二电容间，第五MOS管漏极和第七二极管阳极连接，第七二极管阴极和第九电阻一端连接，第九电阻另一端连接在第二二极管和第四二极管阴极间，第一电容、第二电容、第六电阻、第八电阻另一端和接地端连接。

2.根据权利要求1所述的一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，所述控制模块还包括第三电容、第四电容、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第八二极管、第九二极管、第十二极管、第十电阻，所述第六MOS管源极连接在第五电阻和第六电阻间，第六MOS管漏极和第七MOS管漏极连接，第三电容一端连接在第六MOS管漏极和第七MOS管漏极间，第六MOS管栅极和第三运算放大器输出端连接，第七MOS管栅极连接在第六MOS管栅极和第三运算放大器输出端间，第七MOS管源极和第九二极管阳极连接，第九二极管阴极和第四电容一端连接，第八MOS管源极连接在第九二极管阴极和第四电容间，第十电阻一端连接在第八MOS管源极、第九二极管阴极、第四电容间，第八MOS管栅极连接在第三电容、第六MOS管漏极、第七MOS管漏极间，第八MOS管漏极和第十二极管阳极连接，第十二极管阴极连接在第七电阻和第一二极管间，第四电容、第十电阻另一端和接地端连接。

3.根据权利要求1所述的一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，所述控制模块还包括第四电阻，所述第四电阻一端连接在第一MOS管栅极和第二MOS管栅极间，第四电阻另一端和接地端连接。

4.根据权利要求3所述的一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，所述控制模块还包括第十一电阻，所述第十一电阻一端连接在第三MOS管栅极、第四MOS管栅极、第二运算放大器输出端、第一MOS管漏极间，第十一电阻另一端和接地端连接。

5.根据权利要求4所述的一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，所述控制模块还包括第十二电阻，所述第十二电阻一端连接在第六MOS管栅极、第七MOS管栅极、第二MOS管漏极间，第十二电阻另一端和接地端连接。

6.根据权利要求3所述的一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，所述控制模块还包括第十三电阻，所述第十三电阻一端连接在第五MOS管栅极和第一电容间，第十三电阻另一端和接地端连接。

7.根据权利要求4所述的一种应用于图像增强处理的电路，其特征在于，所述控制模块还包括第十四电阻，所述第十四电阻一端连接在第八MOS管栅极和第三电容间，第十四电阻另一端和接地端连接。