CN207782759U - 一种降低ab类放大器失真的电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种降低AB类放大器失真的电路，电流源Is1的输出端分别与晶体管Q1的源极、晶体管Q3的源极、晶体管Q5的栅极电性连接；电流源Is2的输入端分别与晶体管Q2的源极、晶体管Q4的源极、晶体管Q6的栅极电性连接；晶体管Q1的漏极、晶体管Q3的漏极、晶体管Q5的漏极分别对应与晶体管Q2的漏极、晶体管Q4的漏极、晶体管Q6的漏极电性连接；电流源Is2的输出端、晶体管Q6的源极均接地；晶体管Q5的漏极与晶体管Q6的漏极均输出至负载RL。本实用新型为驱动管的饱和电压加上一个阈值电压，驱动管的电压一直控制在过驱动电压之内，最终输出不会出现过饱和失真的情况。
Description
技术领域
本实用新型涉及放大器输出技术领域，尤其涉及一种降低AB类放大器失真的电路。
背景技术
现有的AB类放大器输出电路中，当输出截顶饱和后，由于驱动管会出现过驱动，当输出变小后，驱动管需要一定的恢复时间，在输出波形上会出现一段过饱和失真的波形，而且随着输出的增大，驱动管的过驱动越来越厉害，输出的过饱和失真也越来越厉害，这个现象会带来额外的失真。
综上可知，所述AB类放大器输出电路，实际中存在不便的问题，所以有必要加以改进。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种降低AB类放大器失真的电路，为驱动管的饱和电压加上一个阈值电压，驱动管的电压一直控制在过驱动电压之内，最终输出不会出现过饱和失真的情况。
为实现上述目的，采用以下技术方案：
一种降低AB类放大器失真的电路，包括电流源Is1、电流源Is2、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6；所述电流源Is1的输出端分别与晶体管Q1的源极、晶体管Q3的源极、晶体管Q5的栅极电性连接；所述电流源Is2的输入端分别与晶体管Q2的源极、晶体管Q4的源极、晶体管Q6的栅极电性连接；所述晶体管Q1的漏极、晶体管Q3的漏极、晶体管Q5的漏极分别对应与晶体管Q2的漏极、晶体管Q4的漏极、晶体管Q6的漏极电性连接；所述电流源Is2的输出端、晶体管Q6的源极均接地；所述晶体管Q5的漏极与晶体管Q6的漏极均输出至负载RL。
较佳地，所述晶体管Q1、晶体管Q3、晶体管Q5均为PMOS管。
较佳地，所述晶体管Q2、晶体管Q4、晶体管Q6均为NMOS管。
采用上述方案，本实用新型的有益效果是：
在电路中增加晶体管控制驱动管的栅极电压不要出现太大的过驱动，为驱动管的饱和电压加上一个阈值电压。这样当输出变小后，驱动管的电压就可以即时发生变化，驱动管的电压一直控制在过驱动电压之内，最终输出就不会再出现过饱和失真的情况。
附图说明
图1为本实用新型的电路图；
图2为本实用新型的输出电压与晶体管Q5、晶体管Q6的电压波形图；
图3为现有输出电路的输出电压与晶体管Q5、晶体管Q6的电压波形图；
图4为偏置电压产生电路图；
其中，附图标识说明：
A—输出电压Vo波形上出现的过饱和失真波形。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例，对本实用新型进行详细说明。
参照图1至2所示，本实用新型提供一种降低AB类放大器失真的电路，包括电流源Is1、电流源Is2、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6；所述电流源Is1的输出端分别与晶体管Q1的源极、晶体管Q3的源极、晶体管Q5的栅极电性连接；所述电流源Is2的输入端分别与晶体管Q2的源极、晶体管Q4的源极、晶体管Q6的栅极电性连接；所述晶体管Q1的漏极、晶体管Q3的漏极、晶体管Q5的漏极分别对应与晶体管Q2的漏极、晶体管Q4的漏极、晶体管Q6的漏极电性连接；所述电流源Is2的输出端、晶体管Q6的源极均接地；所述晶体管Q5的漏极与晶体管Q6的漏极均输出至负载RL。
其中，所述晶体管Q1、晶体管Q3、晶体管Q5均为PMOS管。所述晶体管Q2、晶体管Q4、晶体管Q6均为NMOS管。
本实用新型工作原理：
如图1所示，本实用新型中晶体管Q5、晶体管Q6为驱动管，晶体管Q2、晶体管Q3为驱动管Q5(晶体管Q5)、驱动管Q6(晶体管Q6)的饱和电压加上一个阈值电压。
如图2所示，为本实用新型改进后的输出电路的输出电压与晶体管Q5、晶体管Q6的电压波形图，晶体管Q5、晶体管Q6的电压一直控制在过驱动电压之内，最终输出电压Vo不会出现过饱和失真的情况。
如图3所示，为现有输出电路的输出电压与晶体管Q5、晶体管Q6的电压波形图，A中指出区域为当输出电压增大时，输出电压Vo波形上出现的过饱和失真波形，晶体管Q5、晶体管Q6会出现过驱动。
如图4所示，为偏置电压产生电路，其为本实用新型提供输入，其1’端对应连接到本实用新型(如图1所示)的1端，其2’端对应连接到本实用新型的2端。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种降低AB类放大器失真的电路，其特征在于，包括电流源Is1、电流源Is2、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、晶体管Q6；所述电流源Is1的输出端分别与晶体管Q1的源极、晶体管Q3的源极、晶体管Q5的栅极电性连接；所述电流源Is2的输入端分别与晶体管Q2的源极、晶体管Q4的源极、晶体管Q6的栅极电性连接；所述晶体管Q1的漏极、晶体管Q3的漏极、晶体管Q5的漏极分别对应与晶体管Q2的漏极、晶体管Q4的漏极、晶体管Q6的漏极电性连接；所述电流源Is2的输出端、晶体管Q6的源极均接地；所述晶体管Q5的漏极与晶体管Q6的漏极均输出至负载RL。
2.根据权利要求1所述的降低AB类放大器失真的电路，其特征在于，所述晶体管Q1、晶体管Q3、晶体管Q5均为PMOS管。
3.根据权利要求1所述的降低AB类放大器失真的电路，其特征在于，所述晶体管Q2、晶体管Q4、晶体管Q6均为NMOS管。
Priority Applications (1)
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| CN201820146791.2U CN207782759U (zh) | 2018-01-29 | 2018-01-29 | 一种降低ab类放大器失真的电路 |
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| CN207782759U true CN207782759U (zh) | 2018-08-28 |
Family
ID=63211886
Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2018
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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Address after: 518000 15c05, 15th floor, Shenye Tairan building, Tairan 8th Road, chegong temple, Shatou street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: Shenzhen Weiyuan Semiconductor Co.,Ltd. Address before: 518000 15c05, 15th floor, Shenye Tairan building, Tairan 8th Road, chegong temple, Shatou street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: SHENZHEN INNOVATION LOWPOWER SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |