CN116469753A - 图案形成方法 - Google Patents
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Abstract
一种图案形成方法，包含：准备光阻层，其中光阻层具有第一图案以及第二图案，第一图案沿着第一方向依序排列，每一第二图案分别以宽连接口以及窄连接口连接于第一图案中的两相邻者之间，每一宽连接口位于各自的第二图案的第一侧，且每一窄连接口位于各自的第二图案的第二侧；以及经由光阻层图案化堆叠结构，致使经图案化的堆叠结构具有波浪状结构。其功效在于，节省制造成本并提供一种集成电路的设计图案。
Description
技术领域
本发明是有关于一种图案形成方法。
背景技术
现今随着电子产品体积的缩小，其中所包含的半导体元件的体积也日益微缩，集成电路因此需要在设计上具有更高的密度以满足半导体元件效能上的需求。在设计集成电路内部线路或结构时，大多采用简单几何图案以便于制造。然而，提需要通过多次制造工艺以形成，将会花费较多的时间以及材料。
因此，如何提出一种可解决上述问题的图案形成方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。
发明内容
有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种可有效解决上述问题的图案形成方法。
本发明是有关于一种图案形成方法，包含：准备光阻层，其中光阻层具有第一图案以及第二图案，第一图案沿着第一方向依序排列，每一第二图案分别以宽连接口以及窄连接口连接于第一图案中的两相邻者之间，每一宽连接口位于各自的第二图案的第一侧，且每一窄连接口位于各自的第二图案的第二侧；以及经由光阻层图案化堆叠结构，致使经图案化的堆叠结构具有波浪状结构。
在目前一些实施方式中，第一图案实质上为线图案。
在目前一些实施方式中，每一线图案实质上沿着第二方向延伸。
在目前一些实施方式中，第二图案实质上为点图案。
在目前一些实施方式中，经由光阻层图案化堆叠材料的步骤包含：以倾斜角经由光阻层图案化堆叠结构。
在目前一些实施方式中，堆叠结构包含相互堆叠的第一结构层以及第二结构层。以倾斜角经由光阻层图案化堆叠结构的步骤为在第一结构层形成不相连的第一材料柱。
在目前一些实施方式中，以倾斜角经由光阻层图案化堆叠结构的步骤为进一步在第二结构层形成第二材料柱，第二材料柱分别沿第一材料柱延伸，其中蚀刻残物沿第二材料柱堆积，使得部分的第二材料柱借由蚀刻残物相连。
在目前一些实施方式中，以倾斜角经由光阻层图案化堆叠结构的步骤为进一步使得蚀刻残物根据倾斜角对应地沿着第三方向堆积。
在目前一些实施方式中，堆叠结构进一步包含第三结构层堆叠于第二结构层下。以倾斜角经由光阻层图案化堆叠结构的步骤为进一步在第三结构层形成第三材料柱，第三材料柱分别沿第二材料柱延伸，并且蚀刻残物进一步沿第三材料柱堆积。
在目前一些实施方式中，以倾斜角经由光阻层图案化堆叠结构的步骤为进一步使得第三材料柱之间沿第三方向形成连接柱，其中波浪状结构中的一者至少由第三材料柱中的一部分以及连接柱中的一部分交替连接而成。
综上所述，本发明的图案形成方法借由适当的光阻层图案形成制作波浪状结构的基础图案。详细来说，借由合适的蚀刻倾斜角，以及图案化后的材料柱之间的狭小间隙，即可在材料柱的特定位置形成连接柱，并借此在堆叠材料中形成波浪状结构。此种波浪状结构可以具有极小的尺寸(例如，约小于30nm)，因此可以被应用在日渐微缩的半导体工艺中，以使集成电路的设计更加多元。
附图说明
当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本发明的态样。应注意，根据行业上的标准实务，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。
图1为根据本发明的一些实施例绘示的图案形成方法的流程图。
图2A为根据本发明的一些实施例绘示的准备光阻层的其中一个阶段的示意图。
图2B为根据本发明的一些实施例绘示的准备光阻层的其中一个阶段的示意图。
图3A为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层图案化堆叠结构的其中一个阶段的立体示意图。
图3B为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层图案化堆叠结构的其中一个阶段的局部俯视图。
图3C为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层图案化堆叠结构的其中一个阶段的局部俯视图。
图3D为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层图案化堆叠结构的其中一个阶段的局部俯视图。
具体实施方式
以下发明内容提供用于实施所提供目标的不同特征的许多不同实施例或实例。以下描述部件及布置的特定实例以简化本发明。当然，此些仅为实例，且并不意欲为限制性的。举例而言，在如下描述中第一特征在第二特征之上或在第二特征上形成可包括其中第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且也可包括其中额外特征可在第一特征与第二特征之间形成而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本发明可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复出于简化及清楚目的，且其自身并不表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
另外，为了描述简单，可在本文中使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”及其类似术语的空间相对术语，以描述如诸图中所示的一个元件或特征与另一(另外)元件或特征的关系。除了诸图中所描绘的定向以外，此些空间相对术语意欲涵盖元件在使用中或操作中的不同定向。装置可以其他方式定向(旋转90度或以其他定向)，且可同样相应地解释本文中所使用的空间相对描述词。
本文中使用的“大约”、“约”、“近似”或者“实质上”一般表示落在给定值或范围的百分之二十之中，或在百分之十之中，或在百分之五之中。本文中所给予的数字量值为近似值，表示使用的术语如“大约”、“约”、“近似”或者“实质上”在未明确说明时可以被推断。
图1为根据本发明的一些实施例绘示的图案形成方法M1的流程图。本发明是有关于一种图案形成方法M1，其包含：准备光阻层，其中光阻层具有第一图案以及第二图案，第一图案沿着第一方向依序排列，每一第二图案分别以宽连接口以及窄连接口连接于第一图案中的两相邻者之间，每一宽连接口位于各自的第二图案的第一侧，且每一窄连接口位于各自的第二图案的第二侧(步骤S110)；以及经由光阻层图案化堆叠结构，致使经图案化的堆叠结构具有波浪状结构(步骤S120)。
图2A为根据本发明的一些实施例绘示的准备光阻层120的其中一个阶段的示意图。请参照图1以及图2A，光阻100包含基材110以及光阻层120。光阻层120被形成在基材110上，并且第一图案122被制作在光阻层120上。基材110可以具有透光性，并且被光阻层120覆盖的基材110将无法透光或无法通过特定波长的光。在步骤S110中，光阻层120具有第一图案122，并且第一图案122沿着第一方向A1依序排列。举例来说，参照图2A中所绘示的实施例，第一图案122实质上为线图案，并且每一线图案实质上沿着第二方向A2延伸，但本发明并不以此为限。具体来说，线条状的第一图案122在光阻层120上形成多个线条状开口，并且将光阻层120分割为多个不相连光阻区域。在图2A所绘示的实施例中，第一方向A1与第二方向A2互相垂直，但本发明并不以此为限。
图2B为根据本发明的一些实施例绘示的准备光阻层120的其中一个阶段的示意图。请参照图1及图2B，第二图案124被制作在光阻层120上。在步骤S110中，光阻层120具有第一图案122以及第二图案124，并且每一第二图案124分别以宽连接口124a以及窄连接口124b连接于第一图案122中的两相邻者之间。在图2B所绘示的实施例中，第二图案124实质上为点图案，但本发明并不以此为限。此外，每一宽连接口124a位于各自的第二图案124的第一侧(即图2B中的右侧)，且每一窄连接口124b位于各自的第二图案124的第二侧(即图2B中的左侧)。具体而言，第二图案124与相邻的两个第一图案122应具有不同大小的连接口。其目的在于在堆叠结构(例如，后续图3A中的堆叠结构200)产生有利于波浪状结构形成的特定图案。具体来说，当第二图案124与相邻的两个第一图案122有不同的接触面积时会将光阻层120分割为多个不相连的区域，并且这些不相连的区域在宽连接口124a连接的侧面(第一侧)具有较短的边长，并在窄连接口124b连接的侧面(第二侧)具有较长的边长，并以此为基础为后续步骤提供一个基础结构以在进行蚀刻后形成波浪状结构(例如，后续图3D中的波浪状结构236)。
图3A为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层120图案化堆叠结构200的其中一个阶段的立体示意图。请参照图1、图2B以及图3A，在一些实施例中，步骤S120包含：以倾斜角θ经由光阻层120图案化堆叠结构200。具体来说，图2B中的光阻层120的第一方向A1以及第二方向A2分别对应图3A的方向x以及方向y。堆叠结构200包含沿着方向z依序堆叠的第一结构层210、第二结构层220、第三结构层230以及第四结构层240，但本发明并不以此为限。此外，第一结构层210、第二结构层220、第三结构层230以及第四结构层240的材料并未限制，他们可以皆由相同的材料所构成或是各别由不同材料所构成。倾斜角θ与光阻层120所具有的第一图案122以及第二图案124的宽度相关。倾斜角θ的大小应在一个适当范围使得借由第一图案122以及第二图案124定义的光阻层120的不相连光阻区域能够被形成在第一结构层210中。具体图案化堆叠结构200的细节如下文的说明。
图3B为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层120图案化堆叠结构200的其中一个阶段的局部俯视图。请参照图1、图3A以及图3B，在一些实施例中，步骤S120为在第一结构层210形成不相连的第一材料柱212，并暴露出下方的第二结构层220。具体来说，第一材料柱212的位置对应借由第一图案122以及第二图案124定义的光阻层120的不相连光阻区域。然而，由于蚀刻过程中所造成的些微侧向蚀刻现象，使得与光阻层120的不相连光阻区域对应的多个第一材料柱212具有与不相连光阻区域不同的外缘。举例来说，如图3B中所绘示的多个第一材料柱212各别的第一侧以及第二侧各别由两弧线连接，并且两弧线与不相连光阻区域中对应的连接弧线具有不同曲率。然而本发明并不以此为限，具体来说，侧向蚀刻现象造成第一材料柱212外缘形状的改变会因为采用的蚀刻方式而有幅度上的差异。
图3C为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层120图案化堆叠结构200的其中一个阶段的局部俯视图。请参照图1、图3A至图3C，在一些实施例中，步骤S120为进一步在第二结构层220形成第二材料柱222，第二材料柱222分别沿第一材料柱212延伸，其中第一材料柱212的蚀刻残物250沿第二材料柱222堆积，使得部分的第二材料柱222借由蚀刻残物250相连。在一些实施例中，步骤S120为进一步使得蚀刻残物250根据倾斜角θ对应地沿着第三方向A3堆积。举例来说，图3C中所绘示的蚀刻残物250基本上堆积在多个第二材料柱222的特定方位，使得各别分离的第二材料柱222与其相邻者遵循一定规则的连接(例如，蚀刻残物250堆积在多个第二材料柱222的左上角，使得各别第二材料柱222与其左上方相邻的另一个第二材料柱222彼此连接)。然而，上述的蚀刻残物250堆积的位置并不仅限于特定角落。蚀刻残物250堆积的原因在于，在图案化堆叠结构200的过程当中，由于狭小的缝隙(例如第一材料柱212之间的缝隙)使得被蚀刻后的残余材料无法完全被清除，再加上图案化过程中的蚀刻是以倾斜角θ进行，因此蚀刻残物250将会累积在背离蚀刻方向的材料柱(例如，第二材料柱222)的特定侧面或角落。
图3D为根据本发明的一些实施例绘示的经由光阻层120图案化堆叠结构200的其中一个阶段的局部俯视图。请参照图1、图3A至图3D，在一些实施例中，堆叠结构200进一步包含第三结构层230堆叠于第二结构层220下，步骤S120为进一步在第三结构层230形成第三材料柱232，第三材料柱232分别沿第二材料柱222延伸，并且蚀刻残物250进一步沿第三材料柱232堆积(请参考图3C以及图3D)。更进一步地，在一些实施例中，步骤S120为进一步使得蚀刻残物250在延续第二材料柱222形成的第三材料柱232之间沿第三方向A3逐渐形成连接柱234，其中波浪状结构236中的一者至少由第三材料柱232中的一部分以及连接柱234中的一部分交替连接而成。具体来说，连接柱234实为蚀刻残物250进一步沿第三材料柱232堆积所形成的连接结构。因此，连接柱234的延伸方向与蚀刻残物250的堆积方向相同(例如，皆在第三方向A3)。在图3D的实施例中，连接柱234的宽度大约等于第三材料柱232在第一方向A1的长度，但本发明并不以此为限。具体来说，连接柱234的宽度基本小于第三材料柱232的长边(即，平行第二方向A2的边缘)的长度。第三材料柱232为第二材料柱222在第三结构层230的延伸，每个第三材料柱232的位置皆与第二材料柱222对应。
请继续参照图3A以及图3D。波浪状结构236借由连接柱234的连接部分的第三材料柱232在第三结构层230被形成。具体来说，波浪状结构236可以是一条带状结构，以图3D的实施例来说明，波浪状结构236依序由图中右下方第三材料柱232借由与其相连的连接柱234连接至其左上角的相邻的另一个第三材料柱232，并再借由另一个连接柱234由此另一个第三材料柱232的左上角连接至其相邻的下一个第三材料柱232，以此依序连接并形成一条带状的波浪状结构236。在一些实施例中，第三结构层230可以形成多个波浪状结构236，其数目可以随着需求调整。此外，借由图案化堆叠结构200的蚀刻工艺，此波浪状结构236可以继续往第四结构层240延伸。堆叠于第三结构层230上的第一结构层210以及第二结构层220可以在波浪状结构236形成后借由适当的工艺被移除，但是基于利用需要，在一些实施例中，第一结构层210以及第二结构层220也可以被保留。
以上对于本发明的具体实施方式的详述，可以明显地看出，于本发明的图案形成方法M1中，借由适当的光阻层图案(即，由第一图案以及第二图案形成的多个不相连光阻区域)形成制作波浪状结构的基础图案。再借由合适的蚀刻倾斜角，以及图案化后的材料柱之间的狭小间隙，在材料柱的特定位置形成连接柱，并借此在堆叠材料中形成波浪状结构。此种波浪状结构可以具有极小的尺寸(例如，约小于30nm)，因此可以被应用在日渐微缩的半导体工艺中，以使集成电路的设计更加多元。
前文概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可较佳地理解本发明的态样。本领域技术人员应了解，他们可容易地使用本发明作为设计或修改用于实现相同目的及/或达成本文中所介绍的实施例的相同优势的其他工艺及结构的基础。本领域技术人员也应认识到，此些等效构造不脱离本发明的精神及范畴，且他们可在不脱离本发明的精神及范畴的情况下于本文作出各种改变、代替及替换。
【符号说明】
100:光阻
110:基材
120:光阻层
122:第一图案
124:第二图案
124a:宽连接口
124b:窄连接口
200:堆叠结构
210:第一结构层
212:第一材料柱
220:第二结构层
222:第二材料柱
230:第三结构层
232:第三材料柱
234:连接柱
236:波浪状结构
240:第四结构层
250:蚀刻残物
θ:倾斜角
A1,A2,A3,x,y,z:方向
M1:方法
S110,S120:步骤。
Claims (10)
1.一种图案形成方法，其特征在于，该方法包含：
准备光阻层，其中该光阻层具有复数个第一图案以及复数个第二图案，该些第一图案沿着第一方向依序排列，每一该些第二图案分别以宽连接口以及窄连接口连接于该些第一图案中的两相邻者之间，每一该些宽连接口位于各自的该第二图案的第一侧，且每一该些窄连接口位于各自的该第二图案的第二侧；以及
经由该光阻层图案化堆叠结构，致使经图案化的该堆叠结构具有复数个波浪状结构。
2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中该些第一图案实质上为线图案。
3.根据权利要求2所述的图案形成方法，其中每一该些线图案实质上沿着第二方向延伸。
4.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中该些第二图案实质上为点图案。
5.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中该经由该光阻层图案化该堆叠材料的步骤包含：
以倾斜角经由该光阻层图案化该堆叠结构。
6.根据权利要求5所述的图案形成方法，其中该堆叠结构包含相互堆叠的第一结构层以及第二结构层，该以该倾斜角经由该光阻层图案化该堆叠结构的步骤为在该第一结构层形成不相连的复数个第一材料柱。
7.根据权利要求6所述的图案形成方法，其中该以该倾斜角经由该光阻层图案化该堆叠结构的步骤为进一步在该第二结构层形成复数个第二材料柱，该些第二材料柱分别沿该些第一材料柱延伸，其中复数个蚀刻残物沿该些第二材料柱堆积，使得部分的该些第二材料柱借由该些蚀刻残物相连。
8.根据权利要求7所述的图案形成方法，其中该以该倾斜角经由该光阻层图案化该堆叠结构的步骤为进一步使得该些蚀刻残物根据该倾斜角对应地沿着第三方向堆积。
9.根据权利要求8所述的图案形成方法，其中该堆叠结构进一步包含第三结构层堆叠于该第二结构层下，该以该倾斜角经由该光阻层图案化该堆叠结构的步骤为进一步在该第三结构层形成复数个第三材料柱，该些第三材料柱分别沿该些第二材料柱延伸，并且该些蚀刻残物进一步沿该些第三材料柱堆积。
10.根据权利要求9所述的图案形成方法，其中该以该倾斜角经由该光阻层图案化该堆叠结构的步骤为进一步使得该些第三材料柱之间沿该第三方向形成复数个连接柱，其中该些波浪状结构中的一者至少由该些第三材料柱中的一部分以及该些连接柱中的一部分交替连接而成。
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