CN116442112A - 晶圆研磨的控制方法、***、装置、设备和存储介质 - Google Patents
晶圆研磨的控制方法、***、装置、设备和存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116442112A CN116442112A CN202310714526.5A CN202310714526A CN116442112A CN 116442112 A CN116442112 A CN 116442112A CN 202310714526 A CN202310714526 A CN 202310714526A CN 116442112 A CN116442112 A CN 116442112A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- parameters
- wafers
- polished
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 185
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 452
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 150
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 134
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本申请涉及一种晶圆研磨的控制方法、***、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。晶圆研磨的控制方法包括：预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，从而能够指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数不间断地分别对应对各待研磨晶圆进行研磨，从而能够节约工艺流程，提高生产效率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种晶圆研磨的控制方法、***、装置、设备和存储介质。
背景技术
随着半导体技术的发展，出现了先进过程控制(APC, Advanced ProcessControl)***。APC***利用特殊的数学运算或预测模型等来修正、优化制程配方，以补偿生产过程中的各样干扰，进而增进制程的稳定性以提高芯片的良率。通过APC***自动计算与回馈，也可减少人工计算时间以及人为介入造成的疏失。
在化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）工艺中，通常进行研磨的一批晶圆由于其产品类型是一致的，因此其优先值（即目标研磨参数）也是一致的，传统的APC***中，只需根据这批晶圆的产品类型预先设定一个优先值，然后将此优先值反馈至机台以使机台按照此优先值对这批待研磨晶圆进行研磨。然而，在实际的生产过程中，由于操作失误而导致晶圆需要重新研磨（rewark），或者，针对于研发产品，需要不停地调试晶圆的优先值，上述情况的发生都会导致同一批的待研磨晶圆的优先值不同。传统的APC***中，针对于各待研磨晶圆的优先值不同的情况，通常只能将晶圆重新进行分批，然后再通过APC***一批一批地对应设置各晶圆对应的优先值，最后在研磨完上一批晶圆后，才利用APC***重新进行匹配以将下一批晶圆的优先值反馈给机台。因此，传统技术的工艺流程十分繁琐，导致生产效率较低。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高生产效率的晶圆研磨的控制方法、***、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。
第一方面，本申请提供了一种晶圆研磨的控制方法。所述方法包括：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，以指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
在其中一个实施例中，所述晶圆参数包括各所述待研磨晶圆的批次标识参数和各所述待研磨晶圆的身份标识参数中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述根据所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数，包括：
若同一晶圆盒中的各所述待研磨晶圆的制程工艺条件相同，则根据所述制程工艺条件、所述批次标识参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数，其中，所述批次标识参数用于表征所述待研磨晶圆所在所述晶圆盒的标识参数。
在其中一个实施例中，所述根据所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数，包括：
若同一晶圆盒中各所述待研磨晶圆的制程工艺条件不完全相同，则根据所述制程工艺条件、所述身份标识参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数。
在其中一个实施例中，所述获取多个待研磨晶圆的制程工艺条件以及晶圆参数，包括：
获取各所述待研磨晶圆的工艺参数；其中，所述工艺参数包括所述晶圆的制程类型、工艺制程站点、机台类型和产品组合中的至少一种；
根据所述工艺参数确定所述制程工艺条件。
第二方面，本申请还提供了一种晶圆研磨的控制***，所述控制***包括：
中控***，用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数与目标研磨参数三者之间的映射关系，以及获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，并根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数；
机台，与所述中控***连接，用于接收所述中控***输出的各所述待研磨晶圆的目标研磨参数，并根据所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
在其中一个实施例中，所述中控***包括：
生产执行***，与所述机台连接，用于获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
先进过程控制***，与所述生产执行***连接，用于预先存储多个所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数与目标研磨参数三者之间的映射关系，以及接收所述生产执行***输出的各所述待研磨晶圆的制程工艺条件以及晶圆参数，并根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数以及所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的目标研磨参数并输出至所述生产执行***；其中，
所述生产执行***还用于将获取的各所述待研磨晶圆的目标研磨参数输出至所述机台。
在其中一个实施例中，所述先进过程控制***还用于将子映射关系经所述生产执行***传输至所述机台，其中，所述子映射关系包括各所述待研磨晶圆的身份标识参数与所述目标研磨参数之间的对应关系；
所述机台，还用于识别各所述待研磨晶圆的身份标识参数，并根据接收到的所述子映射关系确定与所述身份标识参数相对应的目标研磨参数，以根据所述目标研磨参数对所述待研磨晶圆进行研磨。
在其中一个实施例中，所述生产执行***还用于获取各所述待研磨晶圆进入所述机台的研磨顺序，并根据所述研磨顺序，将各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数一一对应输出至所述机台，以使机台根据所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
在其中一个实施例中，所述机台还用于在对各所述待研磨晶圆进行研磨之前，采用假片进行制程暖机处理。
第三方面，本申请还提供了一种晶圆研磨的控制装置，所述装置包括：
存储模块，用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取模块，用于获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
确定模块，用于根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，以指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
第四方面，本申请还提供了一种计算机设备，所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，以指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
第五方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，以指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
第六方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，以指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
上述晶圆研磨的控制方法、***装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系，获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，从而能够指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数不间断地分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨，从而能够节约工艺流程，提高生产效率。
附图说明
图1为一个实施例中晶圆研磨的控制方法的应用环境图；
图2为一个实施例中晶圆研磨的控制方法的流程示意图；
图3为一个实施例中晶圆研磨的控制方法中步骤S102的流程示意图；
图4为一个实施例中晶圆研磨的控制装置的结构框图；
图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请实施例提供的晶圆研磨的控制方法，可以应用于如图1所示的晶圆研磨的控制***中。晶圆研磨的控制***包括中控***10以及机台11。进一步地，中控***10可以包括先进过程控制（APC, Advanced Process Control）***101以及生产执行***（Manufacturing Execution System，MES）102，机台11可以为化学机械抛光（ChemicalMechanical Polishing，CMP）机台。传统技术中，在对多个待研磨晶圆进行研磨时，APC***101可以用于根据MES***102采集的这批晶圆的制程工艺条件预先设定一个目标研磨参数，然后通过MES***102将此目标研磨参数反馈至机台，以使机台按照此目标研磨参数对这批待研磨晶圆进行研磨。在实际的生产过程中，多个同样工艺制程条件以及同样产品类型的待研磨晶圆通常会被分为同一批（同一个Lot），例如，同一批晶圆通常最多可以为25个（即，一个Lot里通常最多可以包括25片晶圆）。在一般情况下，这25片晶圆的目标研磨参数均为一致的，即同一个Lot里面的25片晶圆的研磨秒数通常都是一致的。
然而，对于同一批晶圆中的各待研磨晶圆的目标研磨参数不同的情况，传统技术需要多次重复通过APC***101进行设定目标研磨参数。例如，传统技术中，对于同一Lot中25片待研磨晶圆的制程工艺条件相同，而25片待研磨晶圆的目标研磨参数均不相同的情况下，通常需要先将25片待研磨晶圆分成25个Lot，然后在第一个Lot内的晶圆研磨结束后，暂停机台的研磨，并重新利用APC***101将目标研磨参数设定为第二个Lot的目标研磨参数，然后再进行第二个Lot的研磨，后续依次完成25个Lot的研磨。此过程不仅工艺繁琐复杂，而且在重新设定目标研磨参数的过程中，还容易导致机台出现暂停（idle），从而还需要多次对机台采用假片（dummy）进行暖机处理。因此，传统技术的工艺流程繁琐，生产效率较低。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种晶圆研磨的控制方法，以该方法应用于图1中的先进过程控制***101为例进行说明，包括以下步骤：
S101：预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系。
其中，APC***可以预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系。各待研磨晶圆的制程工艺条件可以用于反映各待研磨晶圆的工艺制程条件、产品类型、各待研磨晶圆所处的工艺站点等等信息。各待研磨晶圆的晶圆参数可以用于将各待研磨晶圆一一进行对应。各待研磨晶圆的目标研磨参数对应各待研磨晶圆的研磨秒数（即研磨优先值）。
例如，对于同一个Lot中，有12片晶圆的目标研磨参数为5min，另外13片晶圆的目标研磨参数为10min，则此时可进一步地通过APC***中预先存储的各待研磨晶圆的晶圆参数将各待研磨晶圆的目标研磨参数与各待研磨晶圆一一对应，即，通过APC***可以一一设定各待研磨晶圆的目标研磨参数，即可建立出多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系。
S102：获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数。
其中，APC***可以直接获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，或者，也可以先通过MES***获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，然后MES***再将各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数传输至APC***。
S103：根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，以指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨。
由于APC***中预先存储了多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系，从而能够一次性地在APC***中将各待研磨晶圆的目标研磨参数全部设定出，其后APC***可以通过MES***指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨，从而能够节约工艺流程，提高生产效率。示例性地，仍以上述同一Lot中25片待研磨晶圆的制程工艺条件相同，而25片待研磨晶圆的目标研磨参数均不相同的情况进行举例说明，本实施例中无需对25片晶圆进行分批（即不需要重新将25片晶圆分为25批Lot，25片晶圆仍可以分在同一个Lot中），只需通过APC***利用各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及映射关系确定此25片晶圆各自的目标研磨参数，并将这25个目标研磨参数一次性通过MES***传输至机台，以指示机台在第一个晶圆研磨结束后，能够迅速切换为第二个晶圆对应的目标研磨参数进行研磨，直至将25片晶圆全部研磨完成。在此过程中，只需在刚开始时采用假片对机台进行暖机处理，且在25片晶圆的研磨过程中，均不需要重新设定APC***中的目标研磨参数，因此机台无需idle，可以不间断地运行下去，因此在研磨过程中也无需重新利用假片对机台重新进行暖机处理，从而能够避免繁琐工艺步骤，从而能够提高生产效率。
上述晶圆研磨的控制方法，通过预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系，获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，从而能够指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数不间断地分别对应对各待研磨晶圆进行研磨，从而能够节约工艺流程，提高生产效率。
在一个实施例中，晶圆参数包括各待研磨晶圆的批次标识参数和各待研磨晶圆的身份标识参数中的至少一种。
其中，各待研磨晶圆的批次标识参数可以为各待研磨晶圆的批次编号（Lot ID），各待研磨晶圆的身份标识参数可以为各待研磨晶圆的晶圆编号（Wafer ID）。晶圆参数可以仅包括各待研磨晶圆的批次标识参数，也可以仅包括各待研磨晶圆的身份标识参数，或者，还可以同时包括各待研磨晶圆的批次标识参数以及各待研磨晶圆的身份标识参数。晶圆参数的选定可以根据具体的生产情况而确定，本实施例在此不做限制。
在上述实施例的基础上，在一个实施例中，上述步骤S103，包括：若同一晶圆盒中的各待研磨晶圆的制程工艺条件相同，则根据制程工艺条件、批次标识参数和映射关系确定待研磨晶圆的目标研磨参数，其中，批次标识参数用于表征待研磨晶圆所在晶圆盒的标识参数。
示例性地，假设此时需要对两个Lot内的晶圆进行研磨，其中一个Lot的晶圆的目标研磨参数均为5min，另一个Lot的晶圆的目标研磨参数均为10min，则此时晶圆参数可以仅为各待研磨晶圆的批次标识参数。
在上述实施例的基础上，在一个实施例中，上述步骤S103，包括：若同一晶圆盒中各待研磨晶圆的制程工艺条件不完全相同，则根据制程工艺条件、身份标识参数和映射关系确定待研磨晶圆的目标研磨参数。
示例性地，假设此时需要对一个Lot内的20片晶圆进行研磨，其中10片晶圆的目标研磨参数均为5min，另外10片晶圆的目标研磨参数均为10min，则此时晶圆参数可以仅为各待研磨晶圆的身份标识参数。
可选的，若同一晶圆盒中各待研磨晶圆的制程工艺条件不完全相同，则根据制程工艺条件、批次标识参数、身份标识参数和映射关系确定待研磨晶圆的目标研磨参数。
示例性地，假设此时需要对两个Lot内的一共50片的晶圆进行研磨，且这50片晶圆的目标研磨参数均不相同，则此时晶圆参数可以仅为各待研磨晶圆的身份标识参数，或者，为了进一步保证匹配的准确度，此时晶圆参数还可以同时包括各待研磨晶圆的批次标识参数以及各待研磨晶圆的身份标识参数。
在一个实施例中，如图3所示，上述步骤S102，包括：
S1021：获取各待研磨晶圆的工艺参数；其中，工艺参数包括晶圆的制程类型、工艺制程站点、机台类型和产品组合中的至少一种。
其中，制程类型（APC type）例如可以设定为PA、PB、PC等等，以标识各待研磨晶圆不同的制程条件。工艺制程站点（Control Process）可以用于标识各待研磨晶圆处于哪个工艺站点，只有在识别到待研磨晶圆处于研磨站点时，才会将待研磨晶圆调度至研磨机台进行研磨。机台类型（Equipment Type）可以用于标识各机台的制程设备类型。产品组合（Product Group）可以用于标识晶圆需要用于最终生产为哪种类型的产品。
S1022：根据工艺制程参数确定制程工艺条件。
通过选定上述至少一工艺参数作为制程工艺条件，即可确定需要对哪种制程工艺条件的晶圆进行研磨。其后再进一步通过晶圆参数确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，并通过制程工艺条件以及晶圆参数准确地调度出待研磨晶圆进入机台以最终完成研磨过程。
另一方面，本申请还提供了一种晶圆研磨的控制***，如图1所示，晶圆研磨的控制***包括中控***10以及机台11。其中，中控***10用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数与目标研磨参数三者之间的映射关系，以及获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，并根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数。机台11与中控***10连接，用于接收中控***10输出的各待研磨晶圆的目标研磨参数，并根据目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨。
其中，中控***10可以预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系。各待研磨晶圆的制程工艺条件可以用于反映各待研磨晶圆的工艺制程条件、产品类型、各待研磨晶圆所处的工艺站点等等信息。各待研磨晶圆的晶圆参数可以用于将各待研磨晶圆一一进行对应。各待研磨晶圆的目标研磨参数对应各待研磨晶圆的研磨秒数（即研磨优先值）。
由于在中控***10中进一步地设定了晶圆参数进行匹配，从而能够一次性地在中控***10中将各待研磨晶圆的目标研磨参数全部设定出，从而能够指示机台11根据各待研磨晶圆的目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨，从而能够节约工艺流程，提高生产效率。
上述晶圆研磨的控制***，包括中控***10以及机台11。其中，中控***10用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数与目标研磨参数三者之间的映射关系，以及获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，并根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数。机台11与中控***10连接，用于接收中控***10输出的各待研磨晶圆的目标研磨参数。由于中控***10能够指示机台11根据各待研磨晶圆的目标研磨参数不间断地对应对各待研磨晶圆进行研磨，从而能够节约工艺流程，提高生产效率。
在一个实施例中，如图1所示，中控***10包括：生产执行***102以及先进过程控制***101。其中，生产执行***102与机台11连接，用于获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；，与生产执行***102连接，用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数与目标研磨参数三者之间的映射关系，以及接收生产执行***102输出的各待研磨晶圆的制程工艺条件以及晶圆参数，并根据各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数以及映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数并输出至生产执行***102；其中，生产执行***102还用于将获取的各待研磨晶圆的目标研磨参数输出至机台11。
在上述实施例的基础上，在一个实施例中，先进过程控制***101还用于将子映射关系经生产执行***102传输至机台11，其中，子映射关系包括各待研磨晶圆的身份标识参数与目标研磨参数之间的对应关系。机台11还用于识别各待研磨晶圆的身份标识参数，并根据接收到的子映射关系确定与身份标识参数相对应的目标研磨参数，以根据目标研磨参数对待研磨晶圆进行研磨。
在上述实施例的基础上，在一个实施例中，生产执行***102还用于获取各待研磨晶圆进入机台11的研磨顺序，并根据研磨顺序，将各待研磨晶圆的目标研磨参数一一对应输出至机台11，以使机台11根据目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨。
在一个实施例中，机台11还用于在对各待研磨晶圆进行研磨之前，采用假片进行制程暖机处理。
由于机台11可以不间断地根据各目标研磨参数对待研磨晶圆进行研磨，因此只需在进行研磨之前采用假片对机台11进行一次制程暖机处理，而在研磨过程中无需对机台11进行制程暖机处理，从而能够提高生产效率。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的晶圆研磨的控制方法的晶圆研磨的控制装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个晶圆研磨的控制装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于晶圆研磨的控制方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图4所示，提供了一种晶圆研磨的控制装置20，包括：存储模块201、获取模块202和确定模块203，其中：
存储模块201，用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系。
获取模块202，用于获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数。
确定模块203，用于根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，以指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨。
在一个实施例中，晶圆参数包括各待研磨晶圆的批次标识参数和各待研磨晶圆的身份标识参数中的至少一种。
在一个实施例中，确定模块203还用于在同一晶圆盒中的各待研磨晶圆的制程工艺条件相同时，根据制程工艺条件、批次标识参数和映射关系确定待研磨晶圆的目标研磨参数，其中，批次标识参数用于表征待研磨晶圆所在晶圆盒的标识参数。
在一个实施例中，确定模块203还用于在同一晶圆盒中各待研磨晶圆的制程工艺条件不完全相同时，根据制程工艺条件、身份标识参数和映射关系确定待研磨晶圆的目标研磨参数。
在一个实施例中，获取模块202包括获取单元以及确定单元，其中：
获取单元，用于获取各待研磨晶圆的工艺参数；其中，工艺参数包括晶圆的制程类型、工艺制程站点、机台类型和产品组合中的至少一种。
确定单元，用于根据工艺参数确定制程工艺条件。
上述实施例中提供的晶圆研磨的控制装置，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。
上述晶圆研磨的控制装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备30包括通过***总线连接的处理器301、存储器、通信接口304、显示屏305和输入装置306。其中，该计算机设备的处理器301用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质302、内存储器303。该非易失性存储介质302存储有操作***和计算机程序。该内存储器303为非易失性存储介质302中的操作***和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备30的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种晶圆研磨的控制方法。该计算机设备30的显示屏305可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备30的输入装置306可以是显示屏305上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备30外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图5中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，以指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨。
上述实施例提供的计算机设备，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，以指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨。
上述实施例提供的计算机可读存储介质，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，以指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数分别对应对各待研磨晶圆进行研磨。
上述实施例提供的计算机程序产品，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不再赘述。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random AccessMemory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (13)
1.一种晶圆研磨的控制方法，其特征在于，所述方法包括：
预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，以指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨的控制方法，其特征在于，所述晶圆参数包括各所述待研磨晶圆的批次标识参数和各所述待研磨晶圆的身份标识参数中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的晶圆研磨的控制方法，其特征在于，所述根据所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数，包括：
若同一晶圆盒中的各所述待研磨晶圆的制程工艺条件相同，则根据所述制程工艺条件、所述批次标识参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数，其中，所述批次标识参数用于表征所述待研磨晶圆所在所述晶圆盒的标识参数。
4.根据权利要求2所述的晶圆研磨的控制方法，其特征在于，所述根据所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数，包括：
若同一晶圆盒中各所述待研磨晶圆的制程工艺条件不完全相同，则根据所述制程工艺条件、所述身份标识参数和所述映射关系确定所述待研磨晶圆的目标研磨参数。
5.根据权利要求1所述的晶圆研磨的控制方法，其特征在于，所述获取多个待研磨晶圆的制程工艺条件以及晶圆参数，包括：
获取各所述待研磨晶圆的工艺参数；其中，所述工艺参数包括所述晶圆的制程类型、工艺制程站点、机台类型和产品组合中的至少一种；
根据所述工艺参数确定所述制程工艺条件。
6.一种晶圆研磨的控制***，其特征在于，所述控制***包括：
中控***，用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数与目标研磨参数三者之间的映射关系，以及获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数，并根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数；
机台，与所述中控***连接，用于接收所述中控***输出的各所述待研磨晶圆的目标研磨参数，并根据所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
7.根据权利要求6所述的晶圆研磨的控制***，其特征在于，所述中控***包括：
生产执行***，与所述机台连接，用于获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
先进过程控制***，与所述生产执行***连接，用于预先存储多个所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数与目标研磨参数三者之间的映射关系，以及接收所述生产执行***输出的各所述待研磨晶圆的制程工艺条件以及晶圆参数，并根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数以及所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的目标研磨参数并输出至所述生产执行***；其中，
所述生产执行***还用于将获取的各所述待研磨晶圆的目标研磨参数输出至所述机台。
8.根据权利要求7所述的晶圆研磨的控制***，其特征在于，所述先进过程控制***还用于将子映射关系经所述生产执行***传输至所述机台，其中，所述子映射关系包括各所述待研磨晶圆的身份标识参数与所述目标研磨参数之间的对应关系；
所述机台，还用于识别各所述待研磨晶圆的身份标识参数，并根据接收到的所述子映射关系确定与所述身份标识参数相对应的目标研磨参数，以根据所述目标研磨参数对所述待研磨晶圆进行研磨。
9.根据权利要求7所述的晶圆研磨的控制***，其特征在于，所述生产执行***还用于获取各所述待研磨晶圆进入所述机台的研磨顺序，并根据所述研磨顺序，将各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数一一对应输出至所述机台，以使机台根据所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
10.根据权利要求6所述的晶圆研磨的控制***，其特征在于，所述机台还用于在对各所述待研磨晶圆进行研磨之前，采用假片进行制程暖机处理。
11.一种晶圆研磨的控制装置，其特征在于，所述装置包括：
存储模块，用于预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；
获取模块，用于获取各所述待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；
确定模块，用于根据各所述待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和所述映射关系确定各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数，以指示机台根据各所述待研磨晶圆的所述目标研磨参数分别对应对各所述待研磨晶圆进行研磨。
12.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至5中任一项所述的方法的步骤。
13.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5中任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310714526.5A CN116442112B (zh) | 2023-06-16 | 2023-06-16 | 晶圆研磨的控制方法、***、装置、设备和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310714526.5A CN116442112B (zh) | 2023-06-16 | 2023-06-16 | 晶圆研磨的控制方法、***、装置、设备和存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116442112A true CN116442112A (zh) | 2023-07-18 |
| CN116442112B CN116442112B (zh) | 2023-10-03 |
Family
ID=87128860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310714526.5A Active CN116442112B (zh) | 2023-06-16 | 2023-06-16 | 晶圆研磨的控制方法、***、装置、设备和存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116442112B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116604464A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-18 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 晶圆研磨的控制方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030199112A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-23 | Applied Materials, Inc. | Copper wiring module control |
| TW200426550A (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Chemical mechanical polishing advanced process control system of multi-recipes operation |
| TW200517798A (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-01 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | An advanced process control approach for cu interconnect wiring sheet resistance control |
| US20050228526A1 (en) * | 2004-04-05 | 2005-10-13 | Gwo-Chiang Fang | Wafer lot identity management system and method thereof |
| CN101412202A (zh) * | 2007-10-16 | 2009-04-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法 |
| JP2010034479A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
| TW201128694A (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-16 | United Microelectronics Corp | Method for controling polishing wafer |
| EP3438750A1 (en) * | 2017-08-02 | 2019-02-06 | ASML Netherlands B.V. | A device manufacturing method and a computer program product |
| US20190081238A1 (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US20190096722A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Sivakumar Dhandapani | Semiconductor fabrication using process control parameter matrix |
| US20200264570A1 (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-20 | Baidu Online Network Technology (Beijing) Co., Ltd. | Method, device and apparatus for processing control parameter, and storage medium |
-
2023
- 2023-06-16 CN CN202310714526.5A patent/CN116442112B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030199112A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-23 | Applied Materials, Inc. | Copper wiring module control |
| TW200426550A (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Chemical mechanical polishing advanced process control system of multi-recipes operation |
| TW200517798A (en) * | 2003-11-26 | 2005-06-01 | Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd | An advanced process control approach for cu interconnect wiring sheet resistance control |
| US20050228526A1 (en) * | 2004-04-05 | 2005-10-13 | Gwo-Chiang Fang | Wafer lot identity management system and method thereof |
| CN101412202A (zh) * | 2007-10-16 | 2009-04-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光工艺中确定研磨时间的方法 |
| JP2010034479A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハの研磨方法 |
| TW201128694A (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-16 | United Microelectronics Corp | Method for controling polishing wafer |
| EP3438750A1 (en) * | 2017-08-02 | 2019-02-06 | ASML Netherlands B.V. | A device manufacturing method and a computer program product |
| US20190081238A1 (en) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | Kokusai Electric Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
| US20190096722A1 (en) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | Sivakumar Dhandapani | Semiconductor fabrication using process control parameter matrix |
| TW201923871A (zh) * | 2017-09-25 | 2019-06-16 | 美商應用材料股份有限公司 | 使用製程控制參數矩陣的半導體製造 |
| US20200264570A1 (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-20 | Baidu Online Network Technology (Beijing) Co., Ltd. | Method, device and apparatus for processing control parameter, and storage medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116604464A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-18 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 晶圆研磨的控制方法、装置、计算机设备和存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116442112B (zh) | 2023-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN116442112B (zh) | 晶圆研磨的控制方法、***、装置、设备和存储介质 | |
| CN111708931B (zh) | 基于移动互联网的大数据采集方法及人工智能云服务平台 | |
| CN111191777A (zh) | 一种神经网络处理器及其控制方法 | |
| CN111522324B (zh) | 半导体温控装置的测试方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| US20140214192A1 (en) | Apparatus For Design-Based Manufacturing Optimization In Semiconductor Fab | |
| CN114337857B (zh) | 接收灵敏度的测试方法、设备、***及存储介质 | |
| CN116757765A (zh) | 生产排程方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN115412899A (zh) | 比吸收率的调整方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN114358966A (zh) | 一种基于机器学习的生产排产方法、装置及存储介质 | |
| US10606485B2 (en) | Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof | |
| CN114330878A (zh) | 智能作业设备的处理方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN113448286A (zh) | 刀长自动写入方法、***、服务器及存储介质 | |
| CN115792582B (zh) | 芯片测试方法、装置及设备 | |
| CN112632685B (zh) | 基于虚拟现实的数字化车间设计方法及装置 | |
| TWI782589B (zh) | 晶圓搜尋方法及裝置 | |
| CN117193507A (zh) | 处理器功耗调节方法、装置和计算机设备 | |
| CN116741116B (zh) | 显示亮度线性度自动标定***、方法、装置、设备及介质 | |
| CN118246790A (zh) | 品控管理计划确定方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| US20230186174A1 (en) | System and method of segmenting data and forecasting by a combination of models trained on segmented data | |
| CN116401162A (zh) | 自动化测试的验证方法、装置、计算机设备、存储介质 | |
| CN116090998A (zh) | 工作流确定方法、装置、计算机设备及其存储介质 | |
| CN117827554A (zh) | 测试方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN117033111A (zh) | Usb接口的测试***、方法、计算机设备和存储介质 | |
| CN117283021A (zh) | 工件铣削方法、装置、计算机设备和存储介质 | |
| CN105676785A (zh) | 半导体加工设备模拟仿真***及其工作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |