CN116435215A - 晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法 - Google Patents
晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116435215A CN116435215A CN202210003273.6A CN202210003273A CN116435215A CN 116435215 A CN116435215 A CN 116435215A CN 202210003273 A CN202210003273 A CN 202210003273A CN 116435215 A CN116435215 A CN 116435215A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- processing
- cavity
- driving
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 330
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 316
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 186
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 148
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 150
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 135
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 79
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 30
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
- H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Robotics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供了一种晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法。该晶圆处理设备包括驱动装置、转换腔、处理腔和承载件;处理腔和驱动装置分别设置于转换腔的两侧,承载件设置于转换腔内,处理腔与转换腔连通,处理腔用于处理晶圆,承载件用于承载晶圆,驱动装置用于调整承载件在转换腔的位置,驱动装置并用于驱动承载件在转换腔和处理腔之间移动。本发明的晶圆处理设备能够将需要进行处理的晶圆通过驱动装置直接输送至处理腔进行加工,对需要调整的晶圆或无需直接加工的晶圆可以在转换腔内进行调整或留存,能够减少不同批次间晶圆占用工作机构的时间和等待的时间,同时也能通过转换腔和承载件提供同步对多片晶圆进行加工的基础条件。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法。
背景技术
晶圆处理被用于通过技术来处理半导体,所述技术包括:物理气相沉积(PhysicalVapor Deposition,PVD)、化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)、等离子体增强原子层沉积(Plasma enhanced atomiclayer deposition,PEALD)、脉冲沉积层(Pulse deposition layer,PDL)、分子层沉积(Molecular layer deposition,MLD)、等离子体增强脉冲沉积层(Plasma enhancedpulsed deposition layer,PEPDL)处理、蚀刻和抗蚀剂去除等。
晶圆处理时需要先对晶圆进行预热,现有的晶圆处理设备,对晶圆进行预热时通常为在处理设备上设置加热板,处理工艺之前通过加热板对晶圆进行预热,达到预定处理条件之后再进行晶圆处理。
通过这样的处理方式使得在对晶圆进行处理时造成占用时间长、效率低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法,该晶圆处理设备能够将需要进行处理的晶圆通过所述驱动装置直接输送至所述处理腔进行加工,对需要调整的晶圆或无需直接加工的晶圆可以在所述转换腔内进行调整或留存,能够减少不同批次间晶圆占用工作机构的时间和等待的时间,加快晶圆的加工效率,同时也能通过所述转换腔和所述承载件提供同步对多片晶圆进行加工的基础条件,解决现有技术中在对晶圆进行处理时占用时间长、效率低下的问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种晶圆处理设备,该晶圆处理设备包括驱动装置、转换腔、处理腔和承载件;所述处理腔和所述驱动装置分别设置于所述转换腔的两侧,所述承载件设置于所述转换腔内,所述处理腔与所述转换腔连通,所述转换腔用于提供密封空间,所述处理腔用于处理晶圆,所述承载件用于承载晶圆,所述驱动装置用于调整所述承载件在所述转换腔的位置,所述驱动装置并用于驱动所述承载件在所述转换腔和所述处理腔之间移动。。
本发明的晶圆处理设备的有益效果在于:通过设置所述处理腔对放置于所述处理腔内的晶圆进行处理。此处处理包括:加热、沉积、镀膜、蚀刻或其他处理方式。通过设置承载件对晶圆进行支撑。通过设置所述转换腔,并将所述转换腔设置为密封空间,能够在所述转换腔内对晶圆进行调整或留存,提供同时加工多件晶圆的基础条件。通过设置所述驱动装置带动承载件在转换腔和处理腔之间移动,或者调整所述承载件在所述转换腔的位置。由此可见,本申请的晶圆处理设备通过所述驱动装置、所述转换腔和所述处理腔能够灵活控制晶圆在转换腔的调整或留存,再或灵活控制晶圆运送至所述处理腔进行处理,同时可以根据需要在一个承载件上放置多个晶圆进行处理或流转,降低单个或单组晶圆占用处理腔的时间,能够提升处理设备的处理效率,此外,也能够根据所述驱动装置的灵活运用降低不同批次晶圆之间的输送时间或之间进行处理的间隔时间,进一步提升处理设备的处理效率。
在一种可行的方案中,所述处理腔设置于所述转换腔上侧或下侧,所述驱动装置设置于所述转换腔远离所述处理腔的一侧。其有益效果在于:通过将所述处理腔设置于所述转换腔的上侧或下侧,便于所述承载件的安装,便于对晶圆形成支撑,并通过将所述驱动装置设置于所述转换腔远离所述处理腔的一侧,便于所述驱动装置对所述承载件的驱动,便于对晶圆的输送。
在一种可行的方案中,所述驱动装置包括第一驱动机构、第二驱动机构和转换器;所述转换器设置于所述转换腔,所述第一驱动机构与所述转换器连接,所述第一驱动机构用于带动所述转换器移动或转动;所述承载件设置于所述转换器,所述第二驱动机构设置于所述转换器一侧,所述第二驱动机构用于带动所述承载件在所述处理腔与所述转换腔之间移动。其有益效果在于:通过所述第一驱动机构带动所述转换器在所述转换腔内移动。当所述承载件位于所述转换器时,能够调整该所述承载件的位置。通过所述第二驱动机构能够带动所述承载件移动至所述处理腔,对晶圆进行处理。
在一种可行的方案中,所述转换器与所述第一驱动机构为可拆卸连接。其有益效果在于:这样设置便于对所述转换器进行维护或更换。
在一种可行的方案中,所述驱动装置还包括连接机构;所述连接机构设置于所述承载件或所述转换器,所述连接机构设置第一卡接部,所述承载件或所述转换器设有与所述第一卡接部适配的第二卡接部,所述连接机构用于连接所述转换器和所述连接件。其有益效果在于:通过设置所述连接机构,并通过所述第一卡接部和所述第二卡接部能够将所述承载件和所述转换器连接在一起,在所述第二驱动机构驱动所述承载件移动时,能够连带所述转换器及所述转换器上的所有所述承载件进行移动。
在一种可行的方案中,所述驱动装置还包括第三驱动机构;所述第三驱动机构设置于所述转换器一侧,所述第三驱动机构用于带动所述转换器和所述承载件移动。其有益效果在于:通过设置所述第三驱动机构对所述转换器进行驱动,能够通过驱动所述转换器的同时驱动所述承载件进行移动,在所述承载件设置为若干个时,能够驱动各个所述承载件进行同步移动。
在一种可行的方案中,所述承载件设置为至少两个。其有益效果在于:能够通过两个所述承载件对晶圆进行支撑,便于进行不同步的加工。
在一种可行的方案中,所述第二驱动机构设置为至少两个,各个所述第二驱动机构分别用于驱动各个所述承载件。其有益效果在于:通过将所述第二驱动机构设置为至少两个,且两个所述第二驱动机构分别对应不同的所述承载件设置,能够带动不同的所述承载件进行同步的或不同步的运动,提升使用灵活性。
在一种可行的方案中,所述承载件设有N个支撑部,各个所述支撑部均用于支撑所述晶圆,N为大于1的整数。其有益效果在于:通过在所述承载件设置N个支撑部,能够在一个所述承载件同时设置多个晶圆,能够同时对多个晶圆进行处理,提升处理效率。
在一种可行的方案中,所述处理腔设置为若干个,且各个所述处理腔独立工作,所述驱动装置用于驱动所述承载件在各个所述处理腔和所述转换腔之间移动。其有益效果在于:通过设置若干个独立工作的处理腔,能够对不同的晶圆进行同步的处理,也能够对相同的晶圆进行前后不同步的处理加工。
在一种可行的方案中,所述处理腔包括加热腔和工艺腔中的至少一种,所述加热腔用于对晶圆进行加热,所述工艺腔用于对晶圆进行工艺处理。其有益效果在于:通过将所述处理腔设置为加热腔和/或工艺腔,能够对晶圆进行加热或工艺加工。
在一种可行的方案中,所述工艺腔和/或所述加热腔设置为至少两个。其有益效果在于:通过将所述工艺腔和/或所述加热腔设置为至少两个,能够同时对两个或两组晶圆进行工艺加工或加热,也能够对同一晶圆进行不同步的加工或加热。
在一种可行的方案中,所述处理腔设置为两个,且两个所述处理腔为两个所述工艺腔、或者两个所述处理腔为两个所述加热腔、又或者两个所述处理腔为一个所述工艺腔和一个所述加热腔。其有益效果在于:通过将所述处理腔设置为两个,能够对两组或两个不同的晶圆进行同步的处理,也能够对相同的晶圆进行前后不同时的两步处理加工。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括供给装置;所述供给装置与所述工艺腔连通,所述供给装置用于提供所述工艺腔处理所述晶圆的原料。其有益效果在于:通过设置所述供给装置能够对所述工艺腔需要加工时提供原料,保证设备的正常运行。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括设置于所述承载件的密封件,所述密封件用于隔断所述转换腔与所述处理腔。其有益效果在于:通过设置所述密封件能够将所述处理腔与所述转换腔隔离开,避免处理腔内进行处理时原料或温度扩散至所述转换腔内,保证处理的正常进行。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括第四驱动机构;所述第四驱动机构设置于所述承载件一侧,所述第四驱动机构用于带动所述承载件转动。其有益效果在于:通过设置所述第四驱动机构,带动所述承载件转动,能够对承载件上的所述晶圆的角度进行调整,能够保证工艺处理过后的晶圆的质量。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括基体;所述基体设有所述处理腔和所述转换腔,所述驱动装置设置于所述基体,且所述驱动装置与所述基体之间的密封方式为动密封。其有益效果在于:这样设置使得所述驱动装置的部分结构能够设置于所述转换腔的外侧,并使得所述转换腔的空间无需设置较大,能够降低处理时制造工作环境的难度。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括第五驱动机构;所述基体包括第一固定部和第二固定部;所述工艺腔和所述加热腔设置于所述第一固定部,所述第一固定部和所述第二固定部形成了所述转换腔;所述第五驱动机构设置于所述第一固定部和/或所述第二固定部,所述第五驱动机构用于带动所述第一固定部或所述第二固定部移动。其有益效果在于:通过将所述基体设置为所述第一固定部和所述第二固定部,使得所述转换腔的空间可以开合。通过设置所述第五驱动机构,能够通过第五驱动机构带动所述第一固定部或所述第二固定部移动,便于开合所述转换腔,便于进行清理或维修。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括加热装置;所述加热装置与所述转换腔连通,所述加热装置用于对所述转换腔进行加热。其有益效果在于:通过设置所述加热装置能够对所述转换腔进行加热,能够对位于所述转换腔内的晶圆或装置进行加热,能够保证晶圆的温度或对晶圆进行预热。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括第一抽气装置;所述第一抽气装置与所述转换腔连通,所述第一抽气装置用于将所述转换腔内的气体抽出。其有益效果在于:设置所述第一抽气装置,并将所述第一抽气装置与所述转换腔连通,能够通过所述第一抽气装置对所述转换腔进行抽真空处理。
在一种可行的方案中,该晶圆处理设备还包括第二抽气装置;所述第二抽气装置与所述处理腔连通,所述第二抽气装置用于将所述处理腔内的气体抽出。其有益效果在于:设置所述第二抽气装置,并将所述第二抽气装置与所述处理腔连通,能够通过所述第二抽气装置对所述处理腔进行抽真空处理。
本发明还提供一种晶圆处理***,该晶圆处理***包括传输设备和任一种可行的方案中所述的晶圆处理设备;所述晶圆处理设备设有传输通道,所述传输设备与所述传输通道连通,所述传输设备用于输送所述晶圆。其有益效果在于:设置所述传输设备便于将晶圆输送至所述晶圆处理设备,同时也便于将所述晶圆处理设备的晶圆取出。
在一种可行的方案中,所述晶圆处理设备设置为至少两个,且各个所述晶圆处理设备分别设置于所述传输设备不同侧,所述传输设备用于输送晶圆至各个所述晶圆处理设备、且所述传输设备用于输送各个所述晶圆处理设备的晶圆。其有益效果在于:这样设置,在一个所述传输设备处设置至少两个所述晶圆处理设备,使得一个所述传输设备与至少两个所述晶圆处理设备配套使用,能够提升所述传输设备的使用率,节省占地空间,降低***成本。
在一种可行的方案中,该晶圆处理***还包括前端处理设备;所述前端处理设备设置于所述传输设备一侧,所述前端处理设备设有晶圆流转盒,所述传输设备将所述晶圆输送至所述晶圆流转盒和/或所述晶圆处理设备,所述前端处理设备用于输送所述晶圆流转盒。其有益效果在于:通过设置所述前端处理设备和所述晶圆流转盒,能够将所述传输设备输出的晶圆在所述前端处理设备内运送至所述晶圆流转盒内,降低所述晶圆被污染的可能性。
在一种可行的方案中,该晶圆处理***还包括晶圆传送盒和传输装置;所述晶圆传送盒设置于所述前端处理设备,所述前端处理设备用于将所述晶圆流转盒输送至所述晶圆传送盒;所述传输装置用于输送所述晶圆传送盒。其有益效果在于:通过设置所述晶圆传送盒和所述传输装置,能够通过所述前端处理模块将所述晶圆流转盒运送至所述晶圆传输盒,并且能够通过所述传输装置将晶圆流转盒进行移送,便于对晶圆进行输入和输出。
本发明还提供一种晶圆处理设备的控制方法,包括:
S1、将晶圆输送至所述转换腔内的所述承载件上;
S2、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至所述处理腔;
S3、通过所述处理腔对所述承载件上的晶圆进行加工处理;
S4、通过所述驱动装置带动所述承载件将完成处理的晶圆输送至所述转换腔;
S5、将完成处理的晶圆移出所述转换腔。
在一种可行的方案中,所述驱动装置包括第一驱动机构、第二驱动机构和转换器;
所述S2具体包括:
S21、通过所述第一驱动机构带动所述转换器上的所述承载件移动,调整所述承载件位于所述转换腔的位置;
S22、通过所述第二驱动机构带动所述承载件移动至所述处理腔。
在一种可行的方案中,所述处理腔设置于所述转换腔上侧或下侧,所述驱动装置设置于所述转换腔远离所述处理腔的一侧;
所述S22具体包括:通过所述第二驱动机构带动所述承载件沿上下方向移动至所述处理腔。
在一种可行的方案中,所述第二驱动机构至少设置为两个,且各个所述第二驱动机构独立工作所述;
S22还包括:通过至少两个所述第二驱动机构分别带动所述承载件沿上下方向移动至所述处理腔。
在一种可行的方案中,所述处理腔设置为若干个,且各个所述处理腔独立工作,并且若干个所述处理腔包括至少一个加热腔和至少一个工艺腔;
所述S2和所述S3具体包括:
S31、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至所述加热腔,对所述承载件上的晶圆进行加热;
S32、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至所述工艺腔,对所述承载件上的晶圆进行工艺处理。
在一种可行的方案中,所述加热腔和所述处理腔均设置为两个;
所述S31具体包括:
S311、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第一个所述加热腔,对所述承载件上的晶圆进行第一次加热;
S312、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第二个所述加热腔,对所述承载件上的晶圆进行第二次加热;
所述S32具体包括:
S321、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第一个所述工艺腔,对所述承载件上的晶圆进行第一次工艺处理;
S322、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第二个所述工艺腔,对所述承载件上的晶圆进行第二次工艺处理。
在一种可行的方案中,所述承载件、所述加热腔和所述处理腔均设置为两个;
所述S31具体包括:通过所述驱动装置带动两个所述承载件分别移动至两个所述加热腔,对两个所述承载件上的晶圆在两个所述加热腔内进行加热;
所述S32具体包括:通过所述驱动装置带动两个所述承载件分别移动至两个所述工艺腔,对两个所述承载件上的晶圆在两个所述工艺腔内进行工艺处理。
在一种可行的方案中,还包括:
S0、提供前端处理设备和传输设备;
所述S1具体包括:通过所述前端处理设备存放待加工晶圆,通过所述传输设备将待加工晶圆移动至所述转换腔的承载件上。
附图说明
图1为本发明第一种实施例中晶圆处理设备的立体结构示意图;
图2为图1的部分结构示意图;
图3为图1中承载件的结构示意图;
图4为图1中加热腔的结构示意图;
图5为本发明第二种实施例中第一驱动机构的结构示意图;
图6为本发明第二种实施例中第三驱动机构的结构示意图;
图7为本发明第三种实施例中承载件的结构示意图;
图8为本发明第四种实施例中第四驱动机构的结构示意图;
图9为本发明第五种实施例中转换腔的结构示意图;
图10为本发明上述实施例中晶圆处理***的立体结构示意图;
图11为本发明上述实施例中晶圆处理设备的控制方法的流程示意图。
图中标号:
1、基体;
100、处理腔;
101、工艺腔;1011、第一盖体;
102、加热腔;1021、第二盖体;
103、转换腔;
104、第一固定部;
105、第二固定部;
2、承载件;201、支撑部;202、第一承载件;
3、第二承载件;
4、驱动装置;401、第一驱动机构;402、第二驱动机构;403、转换器;404、第三驱动机构;
5、供给装置;
6、第四驱动机构;
7、第五驱动机构;
8、加热装置;
9、第一抽气装置;
10、传输设备;
11、晶圆处理设备;
12、前端处理设备;
13、晶圆传送盒。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。除非另外定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
针对现有技术存在的问题,本发明的实施例提供了一种晶圆处理设备。
图1为本发明第一种实施例中晶圆处理设备的立体结构示意图,图2为图1的部分结构示意图,图3为图1中承载件的结构示意图,图4为图1中加热腔的结构示意图,图7为本发明第三种实施例中承载件的结构示意图,图9为本发明第五种实施例中转换腔的结构示意图。
本发明的一些实施例中,该晶圆处理设备11包括驱动装置4、转换腔103、处理腔100和承载件2;所述处理腔100和所述驱动装置4分别设置于所述转换腔103的两侧,所述承载件2设置于所述转换腔103内,所述处理腔100与所述转换腔103连通,所述转换腔103用于提供密封空间,所述处理腔100用于处理晶圆,所述承载件2用于承载晶圆,所述驱动装置4用于调整所述承载件2在所述转换腔103的位置,所述驱动装置4并用于驱动所述承载件2在所述转换腔103和所述处理腔100之间移动。
在一些实施例中,所述处理腔100设置为若干个,且各个所述处理腔100独立工作,所述驱动装置4用于驱动所述承载件2在各个所述处理腔100和所述转换腔103之间移动。在一些具体的实施例中,所述处理腔100可以设置为两个、三个、四个或更多数量。
在另外一些实施例中,所述处理腔100包括加热腔102和工艺腔101中的至少一种,所述加热腔102用于对晶圆进行加热,所述工艺腔101用于对晶圆进行工艺处理。在另外一些具体的实施例中,所述处理腔100设置为一个,且该所述处理腔100为加热腔102或工艺腔101。在又一些实施例中,所述处理腔100设置为两个,且两个所述处理腔100为两个所述工艺腔101、或者两个所述处理腔100为两个所述加热腔102、又或者两个所述处理腔100为一个所述工艺腔101和一个所述加热腔102。
值得说明的是,当一个晶圆处理设备11的所述处理腔100均设置为加热腔102或工艺腔101时,可以在与该晶圆处理设备11配合使用的晶圆处理设备11的处理腔100设置与前者不同的处理腔100。例如,第一个晶圆处理设备11的处理腔100为加热腔102,第二晶圆处理设备11的处理腔100为工艺腔101。
在之外一些实施例中,所述工艺腔101和/或所述加热腔102设置为至少两个。在之外一些具体实施例中,所述工艺腔101设置为两个、三个或更多个。在还有的一些实施例中,所述加热腔102设置为两个、三个或更多个。
本发明的一些实施例中,所述基体1设有所述处理腔100和所述转换腔103,所述驱动装置4设置于所述基体1。在一些实施例中,当该晶圆处理设备11同时设有所述工艺腔101和所述加热腔102时,所述基体1设有所述工艺腔101、所述加热腔102和所述转换腔103。
本发明的一些实施例中,所述处理腔100设置于所述转换腔103上侧或下侧,所述驱动装置4设置于所述转换腔103远离所述处理腔100的一侧。本发明的一些具体实施例中,所述处理腔100设置于所述转换腔103的上侧,所述驱动装置4设置于所述转换腔103的下侧。
本发明的一些实施例中,为了能够在对一个或一组晶圆进行加热的同时能够对另一个或一组晶圆进行工艺处理,或者为了能够在对一个或一组晶圆进行工艺处理的同时能够另一个或一组晶圆进行加热,将所述承载件2设置为两个。两个所述承载件2包括第一承载件202和第二承载件3。
在另外一些实施例中,所述承载件2的数量也可以设置为一个。即可以通过不同的处理腔100对该承载件2承载的晶圆进行不同步加工,具体的进行加热之后再进行工艺处理,或者进行工艺处理之后再进行加热。
值得说明的是,当所述加热腔102或所述工艺腔101均设置为两个、三个或更多个,且所述承载件2设置为至少两个时,可以通过不同的承载件2对不同的晶圆进行同步加工,也可以通过不同的或相同的承载件2对晶圆进行分部加工或加热。
在其他一些实施例中,所述承载件2的数量也可以设置为大于所述工艺腔101和所述加热腔102的数量之和。在一些实施例中,所述承载件2的数量还可以设置为三个。例如,一个承载件2进行加热的同时,另一个承载件2进行工艺加工,最后一个承载件2对接外部设备进行晶圆的输送。
值得说明的是,在实际使用时,可以将一个所述工艺腔101和一个所述加热腔102形成一组处理腔100组,在一个所述晶圆处理设备11上可以设置一组或多组所述处理腔100组,能够同时对一组或多组的晶圆进行同时间和/或同步骤的加工处理。
本发明的又一些具体实施例中,当该晶圆处理设备11同时设有所述工艺腔101和所述加热腔102时,所述转换腔103、所述工艺腔101和所述加热腔102设置于所述基体1内,且所述工艺腔101和所述加热腔102位于所述转换腔103的上侧。在另一些实施例中,所述工艺腔101和所述加热腔102也可以位于所述转换腔103的下侧。在又一些实施例中,所述工艺腔101和所述加热腔102还可以位于所述转换腔103的左侧或右侧。在还一些实施例中,所述加热腔102和所述工艺腔101又可以位于所述转换腔103的不同侧面。
在一些实施例中,所述工艺腔101设有喷头、喷淋面板或其他结构,所述喷头与所述供给装置5连接,这样使得能够对工艺腔101内的晶圆进行镀膜、沉积、蚀刻或其他工艺加工。
在一些实施例中,所述工艺腔101的外壳设置为矩形。在另一些实施例中,所述工艺腔101的外形也可以设置为方形、圆形、多边形或其他形状。在还一些实施例中,所述工艺腔101的外形还可以设置为规则形状或不规则形状。
在另一些实施例中,所述工艺腔101由第一盖体1011与所述基体1形成,所述第一盖体1011可拆卸的设置于所述基体1上。这样设置使得便于安装,便于对工艺腔101内的结构进行维修、清洗或更换。
在其他一些实施例中,所述加热腔102由第二盖体1021和所述基体1形成,所述第二盖体1021可拆卸的设置于所述基体1上。
在一些实施例中,所述供给装置5通常设置为器柜,所述供给装置5能够提供工艺原料。在另一些实施例中,所述供给装置5可以实现各种配料之间按固定比例的配比工作。
在一些实施例中,所述加热腔102内设有加热组件,所述加热组件能够对加热腔102内的空间进行加热工作。在另一些实施例中,所述加热组件也可以设置于所述加热腔102外侧。
在一些实施例中,所述加热腔102的外壳设置为圆形。在另一些实施例中,所述加热腔102的外形也可以设置为方形、圆形、多边形或其他形状。在还一些实施例中,所述加热腔102的外形还可以设置为规则形状或不规则形状。
在一些实施例中,所述转换腔103与所述工艺腔101和所述加热腔102连通。此处所述连通包括至少以下两种连通状态,以两个承载件2为例:(1)当所述第一承载件202和所述第二承载件3分别位于所述加热腔102和所述工艺腔101内时,所述加热腔102和所述工艺腔101均与所述转换腔103连通;(2)当所述第一承载件202和所述第二承载件3均位于所述转换腔103时,所述加热腔102和所述工艺腔101均与所述转换腔103连通。在另一些实施例中,所述转换腔103与所述工艺腔101和所述加热腔102连通也可以包括:所述工艺腔101或所述加热腔102中的一个与所述转换腔103连通。具体的说,所述转换腔103与所述工艺腔101和所述加热腔102连通,即所述驱动装置4能够直接带动所述第一承载件202和/或所述第二承载件3在所述加热腔102和所述转换腔103之间移动,所述驱动装置4能够直接带动所述第一承载件202和/或所述第二承载件3在所述工艺腔101和所述转换腔103之间移动,又或者所述驱动装置4能够经所述加热腔102将所述第一承载件202和/或所述第二承载件3输送至所述工艺腔101,再或者所述驱动装置4能够经所述工艺腔101将所述第一承载件202和/或所述第二承载件3输送至所述加热腔102。
在一些实施例中,所述第一支撑件和所述第二支撑件可以设置为盘状、板状、杆状或其他形状。所述第一支撑件和所述第二支撑件均活动设置于所述转换腔103内,所述驱动装置4设置于所述基体1。使用时通过所述驱动装置4带动所述第一承载件202和所述第二承载件3在所述工艺腔101、所述加热腔102和所述转换腔103之间进行移动。此处所述之间进行移动包括:带动所述承载件2在所述工艺腔101与所述转换腔103之间移动、带动所述承载件2在所述加热腔102与所述转换腔103之间移动、带动所述承载件2在所述工艺腔101与所述加热腔102之间移动、带动所述承载件2在一个所述工艺腔101与另一个所述工艺腔101之间移动、带动所述承载件2在一个所述加热腔102与另一个所述加热腔102之间移动。
值得说明的是,当所述承载件2直接在所述工艺腔101与所述加热腔102、在一个所述工艺腔101与另一个所述工艺腔101或在一个所述加热腔102与另一个所述加热腔102之间移动时,可以在所述工艺腔101与所述加热腔102之间、所述工艺腔101与所述工艺腔101之间或所述加热腔102与所述加热腔102之间设置开关装置,控制相邻两个腔室之间的通断。
图5为本发明第二种实施例中第一驱动机构的结构示意图。
本发明的一些实施例中,所述驱动装置4包括第一驱动机构401、第二驱动机构402和转换器403;所述转换器403设置于所述转换腔103,所述第一驱动机构401与所述转换器403连接,所述第一驱动机构401用于带动所述转换器403移动或转动;所述承载件2设置于所述转换器403,所述第二驱动机构402设置于所述转换器403一侧,所述第二驱动机构402用于带动所述承载件2在所述处理腔100与所述转换腔103之间移动。
具体的说,当所述处理腔100为所述工艺腔101和/或所述加热腔102时,所述第二驱动机构402用于带动所述承载件2在所述工艺腔101与所述转换腔103之间移动,和/或所述第二驱动机构402用于带动所述承载件2在所述加热腔102与所述转换腔103之间移动。
本发明的一些具体实施例中,所述转换器403设置为支撑板,所述转换器403上设有镂空处,所述承载件2设置于所述镂空处。所述第一驱动装置4为转动电机,所述转动电机的转动轴与所述转换器403连接,使得所述转换器403能够随着所述转动电机的转动而转动,进而带动所述承载件2水平转动,即水平面内对承载件2的位置进行调整。
通过调整能够使得所述承载件2从位于所述工艺腔101下侧的位置,移动至位于所述加热腔102下侧的位置。也能够通过调整使得所述承载件2从位于所述加热腔102下侧的位置,移动至位于所述工艺腔101下侧的位置。
所述第二驱动装置4为电缸、气缸、蜗轮蜗杆或其他结构。所述第二驱动机构402竖直设置,使用时通过所述第二驱动装置4能够带动所述第一承载件202和/或所述第二承载件3上下移动,即调整所述承载件2的高低位置,进而实现所述第一承载件202和所述第二承载件3在所述工艺腔101、所述加热腔102和所述转换腔103之间进行移动。
在一些实施例中,所述第二驱动机构402的固定部分设置于所述转换腔103下侧,所述第二驱动机构402的活动部分设置于所述转换腔103内。这样设置能够降低所述转换腔103的空间大小,避免所述转换腔103的空间设置太大,提升制造难度、或提升制造转换腔103需求环境的难度。
在另外一些实施例中,所述第一驱动机构401和/或所述第二驱动机构402也可以设置于所述转换腔103的前侧、后侧、左侧、右侧或其他方位。
在一些具体的实施例中,所述镂空部的内径小于所述承载件2的外径,这样能够随着所述第二驱动机构402的活动部的下降使得所述承载件2下降至所述转换器403上,并受到所述转换器403的制成,使得所述第二驱动机构402的活动部能够与所述承载件2脱离,反之同理。
图6为本发明第二种实施例中第三驱动机构的结构示意图。
本发明的一些实施例中,所述转换器403与所述第一驱动机构401为可拆卸连接。所述驱动装置4还包括第三驱动机构404;所述第三驱动机构404设置于所述转换器403一侧,所述第三驱动机构404用于带动所述转换器403和所述承载件2移动。
本发明的一些具体实施例中,通过所述转换器403下侧设有不规则凸起,所述第一驱动机构401的活动端设有与所述不规则凸起适配的凹槽,所述转接器和所述第一驱动机构401通过所述凸起和所述凹槽连接,所述第三驱动机构404设置于所述转换器403下侧。使用时所述第三驱动机构404向上顶升所述转换器403使得所述转换器403与所述第一驱动机构401分离,即通过所述第三驱动机构404代替所述第二驱动机构402使得所述承载件2在所述转换腔103与所述处理腔100之间移动。
在另外一些实施例中,所述驱动装置4还包括连接机构(图中未示);所述连接机构设置于所述承载件2或所述转换器403,所述连接机构(图中未示)设置第一卡接部,所述承载件2或所述转换器403设有与所述第一卡接部适配的第二卡接部,所述连接机构用于连接所述转换器403和所述连接件。使用时,通过所述连接机构求佛那个所述第一卡接部卡接至所述第二卡接部,使得所述承载件2和所述转换器403形成一体,使得所述第二驱动机构402驱动所述承载件2移动时所述转换器403可以达到联动的效果,进而使得所述转换器403上的所有承载件2同步上下移动。
本发明的一些实施例中,所述驱动装置4与所述基体1之间的密封方式为动密封。本发明的一些具体实施例中,所述动密封的形式可以为磁流体密封。这样使得所述第二驱动机构402的非活动部分整体设置于所述转换腔103外侧,能够降低所述第二驱动机构402的固定部分与活动部分之间的杂质进入所述转换腔103内。
在另一些实施例中,所述转换器403也可以设置为皮带或履带输送机构的形式,所述承载件2设置于所述皮带或履带输送机构上。所述第一驱动机构401设置为机械手、夹取机构或其他机构,所述第一驱动机构401将所述第一承载件202和/或所述第二承载件3移动至所述第二驱动机构402上。所述第二驱动机构402带动所述承载件2移动至所述工艺腔101或所述加热腔102内。
本发明的一些实施例中,所述工艺腔101设置为至少两个,所述承载件2至少为两个。在另外一些实施例中,所述第一承载件202和/或所述第二承载件3至少为两个。所述第二驱动机构402至少设置为两个,且各个所述第二驱动机构402独立工作。
本发明的一些具体实施例中,所述工艺腔101设置为两个,所述加热腔102设置为一个,所述第一承载件202和所述第二承载件3均设置为两个。所述第二驱动机构402设置为四个,且四个所述第二驱动机构402独立工作。
值得说明的是,当加热条件相同时,若干个所述承载件2可以在同一个加热腔102内进行加热,因此所述加热腔102的数量在所述承载件2设置为多个时仍可以设置为一个。
此外,当所述承载件2设置为一个,且所述第二驱动机构402设置为两个时,两个所述第二驱动机构402均用于驱动所述承载件2移动。例如,第一个所述第二驱动机构402驱动所述承载件2移动至所述加热腔102,第二个所述第二驱动机构402驱动所述承载件2移动至所述工艺腔101。
在另一些实施例中,所述工艺腔101可以设置为一个、三个、四个或其他数量。
在另一些实施例中,所述加热腔102可以设置为两个、三个或其他数量。
在另一些实施例中,所述第一承载件202和所述第二承载件3均可以设置为一个、三个、四个或其他数量。
在另一些实施例中,所述第二驱动机构402可以设置为一个、两个、三个、四个或其他数量。值得一说的是,在实际设置时同一个所述第二驱动机构402可以设置为同时控制两个、三个或更多个位置的承载件2的升降。例如,承载件2设置为五个,所述第二驱动机构402设置为两个,一个所述第二驱动机构402控制两个所述承载件2的升降,另一个所述第二驱动机构402控制三个所述承载件2的升降。
在其他一些实施例中,两个所述第二驱动机构402可以控制同一个所述承载将的升降。
本发明的一些实施例中,所述承载件2均设有N个支撑部201,所述支撑部201均用于支撑所述晶圆,N为大于的整数。
本发明的一些具体实施例中,所述承载件2设有二十五个支撑部201,这样使得一个承载件2能够同时设置二十五个晶圆。
在另一些实施例中,所述支撑部201也可以设置为其他任意数量。
本发明的一些实施例中,还包括设置于所述承载件2的密封件(图中未示),所述密封件用于隔断所述转换腔103与所述工艺腔101和/或所述加热腔102。
本发明的一些具体实施例中,所述密封件(图中未示)设置于所述第一承载件202和所述第二承载件3上,当所述第一支撑件或所述第二支撑件运动至所述工艺腔101或所述加热腔102内时,所述密封件的侧面与所述工艺腔101或所述加热腔102的侧壁抵接。此时,所述密封件与所述第一承载件202或所述第二承载件3使得所述工艺腔101/和或所述加热腔102与所述转换腔103隔离开。使得加热时仅对加热腔102进行加热,工艺处理时只对工艺腔101内的晶圆进行工艺加工。
在另一些实施例中,所述工艺腔101和/或所述加热腔102与所述转换腔103的连接处可以设置活动板、门阀或其他结构件,并通过设置移动机构带动所述活动板、所述门阀或所述其他结构件移动。使得所述第一承载件202和/或所述第二承载件3位于所述转换腔103时,仍可以通过所述活动板、所述门阀或所述其他结构件隔断所述工艺腔101和/或所述加热腔102与所述转换腔103之间的连通。
图8为本发明第四种实施例中第四驱动机构的结构示意图。
本发明的一些实施例中,还包括第四驱动机构6;所述第四驱动机构6设置于所述承载件2一侧,所述第四驱动机构6用于带动所述承载件2转动。在一些实施例中,所述第四驱动机构6设置于所述承载件2一侧,所述第四驱动机构6用于带动所述承载件2转动。
本发明的一些具体实施例中,所述第三驱动机构404设置于所述转换腔103内。所述第三驱动机构404为齿轮齿条机构,所述第三驱动机构404的齿轮设置于所述第一承载件202或所述第二承载件3,所述第三驱动机构404的齿条设置于所述转换腔103内,所述第三驱动机构404的驱动与所述齿条连接。使用时所述驱动带动所述齿条移动,并通过所述齿轮带动所述第一承载件202和/或所述第二承载件3转动一定的角度。
在一些实施例中,所述第四驱动机构6可以设置为一个或多个,当所述第四驱动机构6设置为一个时,所述第四驱动机构6对应的晶圆加工位置附带有转动功能或调整角度的功能。在另外一些实施例中,所述第四驱动机构6可以设置为多个,且各个所述第四驱动机构6与各个所述承载件2一一对应设置。
值得说明的是,为了避免所述第三驱动机构404和所述第二驱动机构402之间发生相互妨碍,可以将所述第三驱动机构404与所述转换器403设置为不同的高度。在又一些实施例中,所述第三驱动机构404也可以设置于所述转换器403上。
在另一些实施例中,所述第三驱动机构404也可以设置为双齿轮的形式。
在还一些实施例中,所述第三驱动机构404也可以设置于所述第二驱动机构402的活动端内,此时将所述第三驱动机构404设置为转动气缸、转动电机或其他驱动均可以。值得一说的是,当所述第三驱动机构404设置于所述第二驱动机构402时,所述第三驱动机构404会随着所述第二驱动机构402的活动端移动而移动。
本发明的一些实施例中,还包括第五驱动机构7;所述基体1包括第一固定部104和第二固定部105;所述工艺腔101和所述加热腔102设置于所述第一固定部104,所述第一固定部104和所述第二固定部105形成了所述转换腔103;所述第五驱动机构7设置于所述第一固定部104和/或所述第二固定部105,所述第五驱动机构7用于带动所述第一固定部104或所述第二固定部105移动。
本发明的一些具体实施例中,所述第一固定部104设置于所述第二固定部105上侧,所述工艺腔101和所述加热腔102设置于所述第一固定部104上侧。所述第一固定部104和所述第二固定部105围绕成所述转换腔103。所述第五驱动机构7为气缸、电缸或其他机构。所述第五驱动机构7的一端固定在所述第二固定部105上。使用时通过开启所述第五驱动机构7,使得所述第五驱动机构7的活动端移动至与所述第一固定部104贴合,随着所述第五驱动机构7的继续开启,所述第五驱动机构7将所述第一固定部104向上顶起,进而使得所述转换腔103开启。此时便可以对所述转换腔103内的结构进行清洗、维修或更换。当需要控制所述转换腔103关闭时,控制所述第五驱动机构7反向移动,所述第一固定部104在重力的作用下自动下降至与所述第二固定部105贴合。
在另一些实施例中,所述第五驱动机构7的顶端可以与所述第一固定部104固定设置,这样随着所述第五驱动机构7的收缩,第一固定部104与第二固定部105即会达到贴合的状态。
在还一些实施例中,所述第一固定部104和所述第二固定部105的位置关系可以为前后方向、左右方向。在再一些实施例中,所述第一固定部104和所述第二固定部105的位置关系还可以为倾斜方向。
在其他一些实施例中,所述第一固定部104和所述第二固定部105之间可以设置密封件进行密封,提升气密性。
在又一些实施例中,所述第五驱动机构7可以设置为多个。
本发明的一些实施例中,还包括加热装置8;所述加热装置8与所述转换腔103连通,所述加热装置8用于对所述转换腔103进行加热。
本发明的一些具体实施例中,所述加热装置8设置于所述转换腔103内,所述加热装置8产生热量,能够对所述转换腔103进行加热。
在一些实施例中,所述加热装置8可以为加热板、加热丝、加热片的形式设置于所述转换腔103内。在另外一些实施例中,所述加热装置8也可以设置为发热管、发热棒的形式。在其他一些实施例中,所述加热装置8还可以设置为发射光线的装置,该光线照射至所述晶圆上产生热量。例如,所述光线为红外光线。
本发明的一些实施例中,还包括第一抽气装置9;所述第一抽气装置9与所述转换腔103连通,所述第一抽气装置9用于将所述转换腔103内的气体抽出。
本发明的一些具体实施例中,所述转换腔103设有接管口,所述第一抽气装置9通过所述接管口与所述转换腔103连通。由于使用时需要保证所述转换腔103内为真空状态,设置所述第一抽气装置9便于抽出所述转换腔103内的气体,实现所述转换腔103的真空状态。
本发明的一些实施例中,还包括第二抽气装置(图中未示);所述第二抽气装置与所述处理腔100连通,所述第二抽气装置用于将所述处理腔100内的气体抽出。
本发明的一些具体实施例中,所述处理腔100设有气孔,所述第二抽气装置(图中未示)通过所述气孔与所述处理腔100连通。
图10为本发明实施例中晶圆处理***的立体结构示意图。
本发明的一些实施例中,包括传输设备10和上述任一种实施例中所述的晶圆处理设备11;所述晶圆处理设备11设有传输通道,所述传输设备10与所述传输通道连通,所述传输设备10用于输送所述晶圆。
本发明的一些具体实施例中,所述传输设备10与所述晶圆处理设备11之间设有传输通道,所述传输设备10设有机械手和驱动部,通过所述驱动部能够带动所述机械手移动。使用时,所述传输设备10能够将外部的晶圆传输至所述晶圆处理设备11。或者,所述传输设备10能够将所述晶圆处理设备11的晶圆传输至外部。
本发明的一些实施例中,所述晶圆处理设备11设置为至少两个,且各个所述晶圆处理设备11分别设置于所述传输设备10不同侧,所述传输设备10用于输送晶圆至各个所述晶圆处理设备11、且所述传输设备10用于输送各个所述晶圆处理设备11的晶圆。
本发明的一些具体实施例中,所述晶圆处理设备11设置为三个,所述三个晶圆处理设备11环绕设置于所述传输设备10周侧,所述传输设备10与三个所述晶圆处理设备11之间均设有传输通道。所述传输设备10能够对三个所述晶圆处理设备11取送晶圆。
在另一些实施例中,一个所述传输设备10周侧的所述晶圆处理设备11也可以设置为两个、四个、五个或其他数量。
本发明的一些实施例中,还包括前端处理设备12;所述前端处理设备12设置于所述传输设备10一侧,所述前端处理设备12设有晶圆流转盒(图中未示),所述传输设备10将所述晶圆输送至所述晶圆流转盒和/或所述晶圆处理设备11,所述前端处理设备12用于输送所述晶圆流转盒。
本发明的一些具体实施例中,通过设置所述前端处理设备12,并将所述前端处理设备12设置于所述传输设备10的一侧,使得所述传输设备10可以对所述前端处理设备12进行晶圆的取放。
由于使用要求,使得晶圆需要在无尘或真空环境中进行移动。在所述前端处理设备12内设置所述晶圆流转盒(图中未示),使得所述晶圆在移送时可以通过所述晶圆流转盒进行输送。具体的,可以在所述前端处理设备12内设置真空或无尘环境。将所述晶圆处理设备11的晶圆在所述前端处理设备12内放置至所述晶圆流转盒内、或者将外部的晶圆通过所述晶圆流转盒运送至所述前端处理设备12内,之后再输送至所述传输设备10或所述晶圆处理设备11,能够避免晶圆与外界接触。
在另一实施例中,可以在所述前端处理设备12内设置夹取机构、抓取机构或其他移送机构,并通过上述机构完成晶圆在所述晶圆流转盒和所述传输设备10之间的移动。
本发明的一些实施例中,还包括晶圆传送盒13和传输装置(图中未示);所述晶圆传送盒13设置于所述前端处理设备12,所述前端处理设备12用于将所述晶圆流转盒输送至所述晶圆传送盒13;所述传输装置用于输送所述晶圆传送盒13。
本发明的一些具体实施例中,所述晶圆传送盒13可移动设置于所述前端处理设备12。使用时将所述晶圆流转盒运送至所述晶圆传送盒13内,再通过所述传输装置(图中未示)对所述晶圆传送盒13进行移送。或者,通过所述传输装置将所述晶圆传送盒13内的所述晶圆流转盒移送至所述前端处理设备12。这样设置通过所述晶圆传送盒13对所述晶圆流转盒进行移送,进一步降低所述晶圆被污染的可能性。同时配置所述传输装置,便于所述晶圆传送盒13的输送。
在另一些实施例中,可以在所述晶圆传送盒13上设置开合结构。当所述晶圆传送盒13被移送至所述前端处理设备12或其他设备上时,控制所述开合结构打开,使得其内的所述晶圆流转盒能够被取出。
在还一些实施例中,也可以在所述前端处理设备12上设置于所述开合结构相同的结构,给所述晶圆流转盒的输入、输出进行限制,同时能够提升所述前端处理设备12的密封效果。
图11为本发明上述实施例中晶圆处理设备的控制方法的流程示意图。
本发明实施例还提供了一种晶圆处理设备的控制方法,该控制方法用于控制上述任一种实施例中所述的晶圆处理设备,包括:
S1、将晶圆输送至所述转换腔103内的所述承载件2上;
S2、通过所述驱动装置4带动所述承载件2移动至所述处理腔100;
S3、通过所述处理腔100对所述承载件2上的晶圆进行加工处理;
S4、通过所述驱动装置4带动所述承载件2将完成处理的晶圆输送至所述转换腔103;
S5、将完成处理的晶圆移出所述转换腔103。
本发明的一些具体实施例中,通常情况向,晶圆处理设备11与前端处理设备12和传输设备10配和使用。需要加工晶圆时,通过前端处理设备12中转加工后的或未加工的晶圆,通过传输设备10将未加工的晶圆输送至晶圆处理设备11的承载件2上,之后通过驱动装置4带动所述承载件2向上运动至处理腔100内,对承载件2上晶圆进行加工处理,再处理完成后通过所述驱动装置4控制所述承载件2下降至转换腔103的空间内,之后通过所述传输设备10将加工后的晶圆输送至前端处理设备12,完成加工。
本发明的一些实施例中,所述驱动装置4包括第一驱动机构401、第二驱动机构402和转换器403;所述S2具体包括:
S21、通过所述第一驱动机构401带动所述转换器403上的所述承载件2移动,调整所述承载件2位于所述转换腔103的位置;
S22、通过所述第二驱动机构402带动所述承载件2移动至所述处理腔100。
本发明的一些具体实施例中,通过所述第二驱动机构402带动所述转换器403水平转动,进而调整所述转换器403上的所述承载件2的所在位置,能够使得同一承载件2对应不同的处理腔100,并通过第二驱动机构402的作用,能够将该承载件2输送至不同的处理腔100内进行加工。
本发明的一些实施例中,所述处理腔100设置于所述转换腔103上侧或下侧,所述驱动装置4设置于所述转换腔103远离所述处理腔100的一侧;
所述S22具体包括:通过所述第二驱动机构402带动所述承载件2沿上下方向移动至所述处理腔100。
本发明的一些具体实施例中,所述处理腔100设置于所述转换腔103上侧,所述驱动装置4设置于所述转换腔103下侧,使用时通过所述第二驱动机构402带动所述承载件2上下移动,实现所述承载件2在所述转换腔103和所述处理腔100之间的移动。
本发明的一些实施例中,所述第二驱动机构402至少设置为两个,且各个所述第二驱动机构402独立工作所述;
S22还包括:通过至少两个所述第二驱动机构402分别带动所述承载件2沿上下方向移动至所述处理腔100。
本发明的一些具体实施例中,当所述承载件2位于不同的晶圆加工位置下侧时,分别通过不同的第二驱动机构402进行升降控制,便于对各个晶圆加工位置或各个承载件2的控制。
本发明的一些实施例中,所述处理腔100设置为若干个,且各个所述处理腔100独立工作,并且若干个所述处理腔100包括至少一个加热腔102和至少一个工艺腔101;
所述S2和所述S3具体包括:
S31、通过所述驱动装置4带动所述承载件2移动至所述加热腔102,对所述承载件2上的晶圆进行加热;
S32、通过所述驱动装置4带动所述承载件2移动至所述工艺腔101,对所述承载件2上的晶圆进行工艺处理。
本发明的一些具体实施例中,通过将所述处理腔100设置为多个,便于通过不同的处理腔100进行不同的处理加工,通过设置至少一个加热腔102和至少一个工艺腔101,能够在同一个晶圆处理设备11对同一进行加热和加工。
本发明的一些实施例中,所述加热腔102和所述处理腔100均设置为两个;
所述S31具体包括:
S311、通过所述驱动装置4带动所述承载件2移动至第一个所述加热腔102,对所述承载件2上的晶圆进行第一次加热;
S312、通过所述驱动装置4带动所述承载件2移动至第二个所述加热腔102,对所述承载件2上的晶圆进行第二次加热;
所述S32具体包括:
S321、通过所述驱动装置4带动所述承载件2移动至第一个所述工艺腔101,对所述承载件2上的晶圆进行第一次工艺处理;
S322、通过所述驱动装置4带动所述承载件2移动至第二个所述工艺腔101,对所述承载件2上的晶圆进行第二次工艺处理。
本发明的一些具体实施例中,通过将所述加热腔102和所述处理腔100均设置为两个,能够通过不同的加热腔102和不同的工艺腔101对同一承载件2上的晶圆进行分步加热或加工。
本发明的一些实施例中,所述承载件2、所述加热腔102和所述处理腔100均设置为两个;
所述S31具体包括:通过所述驱动装置4带动两个所述承载件2分别移动至两个所述加热腔102,对两个所述承载件2上的晶圆在两个所述加热腔102内进行加热;
所述S32具体包括:通过所述驱动装置4带动两个所述承载件2分别移动至两个所述工艺腔101,对两个所述承载件2上的晶圆在两个所述工艺腔101内进行工艺处理。
本发明的一些具体实施例中,通过将所述承载件2、所述加热腔102和所述处理腔100均设置为两个,能够通过不同承载件2对两组或两个晶圆进行同步加工,即同时进行加热加工,或同时进行工艺加工,又或一个或一组进行加热加工、另一个或另一组进行工艺加工。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式,但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是,能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是,应理解,这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且,在此说明的本发明可有其它的实施方式,并且可通过多种方式实施或实现。
Claims (31)
1.一种晶圆处理设备,其特征在于,包括驱动装置、转换腔、处理腔和承载件;
所述处理腔和所述驱动装置分别设置于所述转换腔的两侧,所述承载件设置于所述转换腔内,所述处理腔与所述转换腔连通,所述转换腔用于提供密封空间,所述处理腔用于处理晶圆,所述承载件用于承载晶圆,所述驱动装置用于调整所述承载件在所述转换腔的位置,所述驱动装置并用于驱动所述承载件在所述转换腔和所述处理腔之间移动。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述处理腔设置于所述转换腔上侧或下侧,所述驱动装置设置于所述转换腔远离所述处理腔的一侧。
3.根据权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述驱动装置包括第一驱动机构、第二驱动机构和转换器;
所述转换器设置于所述转换腔,所述第一驱动机构与所述转换器连接,所述第一驱动机构用于带动所述转换器移动或转动;
所述承载件设置于所述转换器,所述第二驱动机构设置于所述转换器一侧,所述第二驱动机构用于带动所述承载件在所述处理腔与所述转换腔之间移动。
4.根据权利要求3所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述转换器与所述第一驱动机构为可拆卸连接。
5.根据权利要求4所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述驱动装置还包括第三驱动机构;
所述第三驱动机构设置于所述转换器一侧,所述第三驱动机构用于带动所述转换器和所述承载件移动。
6.根据权利要求3所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述承载件设置为至少两个。
7.根据权利要求3所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述第二驱动机构设置为至少两个,且各个所述第二驱动机构独立工作。
8.根据权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述承载件设有N个支撑部,各个所述支撑部均用于支撑所述晶圆,N为大于1的整数。
9.根据权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述处理腔设置为若干个,且各个所述处理腔独立工作,所述驱动装置用于驱动所述承载件在各个所述处理腔和所述转换腔之间移动。
10.根据权利要求9所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述处理腔包括加热腔和工艺腔中的至少一种,所述加热腔用于对晶圆进行加热,所述工艺腔用于对晶圆进行工艺处理。
11.根据权利要求10所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述工艺腔和/或所述加热腔设置为至少两个。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括供给装置;
所述供给装置与所述处理腔连通,所述供给装置用于提供所述处理腔处理所述晶圆的原料。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括设置于所述承载件的密封件,所述密封件用于隔断所述转换腔与所述处理腔。
14.根据权利要求1至11中任一项所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括第四驱动机构;
所述第四驱动机构设置于所述承载件一侧,所述第四驱动机构用于带动所述承载件转动。
15.根据权利要求1至11中任一项所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括基体;
所述基体设有所述处理腔和所述转换腔,所述驱动装置设置于所述基体,且所述驱动装置与所述基体之间的密封方式为动密封。
16.根据权利要求15所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括第五驱动机构;
所述基体包括第一固定部和第二固定部;
所述处理腔设置于所述第一固定部,所述第一固定部和所述第二固定部形成了所述转换腔;
所述第五驱动机构设置于所述第一固定部和/或所述第二固定部,所述第五驱动机构用于带动所述第一固定部或所述第二固定部移动。
17.根据权利要求1至11中任一项所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括加热装置;
所述加热装置与所述转换腔连通,所述加热装置用于对所述转换腔进行加热。
18.根据权利要求1至11中任一项所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括第一抽气装置;
所述第一抽气装置与所述转换腔连通,所述第一抽气装置用于将所述转换腔内的气体抽出。
19.根据权利要求1至11中任一项所述的晶圆处理设备,其特征在于,还包括第二抽气装置;
所述第二抽气装置与所述处理腔连通,所述第二抽气装置用于将所述处理腔内的气体抽出。
20.一种晶圆处理***,其特征在于,包括传输设备和权利要求1至19中任一项所述的晶圆处理设备;
所述晶圆处理设备设有传输通道,所述传输设备与所述传输通道连通,所述传输设备用于输送所述晶圆。
21.根据权利要求20所述的晶圆处理***,其特征在于,所述晶圆处理设备设置为至少两个,且各个所述晶圆处理设备分别设置于所述传输设备不同侧,所述传输设备用于输送晶圆至各个所述晶圆处理设备、且所述传输设备用于输送各个所述晶圆处理设备的晶圆。
22.根据权利要求20或21所述的晶圆处理***,其特征在于,还包括前端处理设备;
所述前端处理设备设置于所述传输设备一侧,所述前端处理设备设有晶圆流转盒,所述传输设备将所述晶圆输送至所述晶圆流转盒和/或所述晶圆处理设备,所述前端处理设备用于输送所述晶圆流转盒。
23.根据权利要求22所述的晶圆处理***,其特征在于,还包括晶圆传送盒和传输装置;
所述晶圆传送盒设置于所述前端处理设备,所述前端处理设备用于将所述晶圆流转盒输送至所述晶圆传送盒;
所述传输装置用于输送所述晶圆传送盒。
24.根据权利要求1至19中任一项所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,包括:
S1、将晶圆输送至所述转换腔内的所述承载件上;
S2、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至所述处理腔;
S3、通过所述处理腔对所述承载件上的晶圆进行加工处理;
S4、通过所述驱动装置带动所述承载件将完成处理的晶圆输送至所述转换腔;
S5、将完成处理的晶圆移出所述转换腔。
25.根据权利要求24所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,所述驱动装置包括第一驱动机构、第二驱动机构和转换器;
所述S2具体包括:
S21、通过所述第一驱动机构带动所述转换器上的所述承载件移动,调整所述承载件位于所述转换腔的位置;
S22、通过所述第二驱动机构带动所述承载件移动至所述处理腔。
26.根据权利要求25所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,所述处理腔设置于所述转换腔上侧或下侧,所述驱动装置设置于所述转换腔远离所述处理腔的一侧;
所述S22具体包括:通过所述第二驱动机构带动所述承载件沿上下方向移动至所述处理腔。
27.根据权利要求26所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,所述第二驱动机构至少设置为两个,且各个所述第二驱动机构独立工作所述;
S22还包括:通过至少两个所述第二驱动机构分别带动所述承载件沿上下方向移动至所述处理腔。
28.根据权利要求24所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,所述处理腔设置为若干个,且各个所述处理腔独立工作,并且若干个所述处理腔包括至少一个加热腔和至少一个工艺腔;
所述S2和所述S3具体包括:
S31、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至所述加热腔,对所述承载件上的晶圆进行加热;
S32、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至所述工艺腔,对所述承载件上的晶圆进行工艺处理。
29.根据权利要求28所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,所述加热腔和所述处理腔均设置为两个;
所述S31具体包括:
S311、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第一个所述加热腔,对所述承载件上的晶圆进行第一次加热;
S312、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第二个所述加热腔,对所述承载件上的晶圆进行第二次加热;
所述S32具体包括:
S321、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第一个所述工艺腔,对所述承载件上的晶圆进行第一次工艺处理;
S322、通过所述驱动装置带动所述承载件移动至第二个所述工艺腔,对所述承载件上的晶圆进行第二次工艺处理。
30.根据权利要求28所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,所述承载件、所述加热腔和所述处理腔均设置为两个;
所述S31具体包括:通过所述驱动装置带动两个所述承载件分别移动至两个所述加热腔,对两个所述承载件上的晶圆在两个所述加热腔内进行加热;
所述S32具体包括:通过所述驱动装置带动两个所述承载件分别移动至两个所述工艺腔,对两个所述承载件上的晶圆在两个所述工艺腔内进行工艺处理。
31.根据权利要求24所述的晶圆处理设备的控制方法,其特征在于,还包括:
S0、提供前端处理设备和传输设备;
所述S1具体包括:通过所述前端处理设备存放待加工晶圆,通过所述传输设备将待加工晶圆移动至所述转换腔的承载件上。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210003273.6A CN116435215A (zh) | 2022-01-04 | 2022-01-04 | 晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法 |
TW111149803A TW202329303A (zh) | 2022-01-04 | 2022-12-23 | 晶圓處理裝置、晶圓處理系統及控制方法 |
US18/557,958 US20240203775A1 (en) | 2022-01-04 | 2022-12-23 | Wafer processing device, wafer processing system and control method |
EP22918427.0A EP4386822A1 (en) | 2022-01-04 | 2022-12-23 | Wafer processing device, wafer processing system and control method |
PCT/CN2022/141351 WO2023130984A1 (zh) | 2022-01-04 | 2022-12-23 | 晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210003273.6A CN116435215A (zh) | 2022-01-04 | 2022-01-04 | 晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116435215A true CN116435215A (zh) | 2023-07-14 |
Family
ID=87073073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210003273.6A Pending CN116435215A (zh) | 2022-01-04 | 2022-01-04 | 晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240203775A1 (zh) |
EP (1) | EP4386822A1 (zh) |
CN (1) | CN116435215A (zh) |
TW (1) | TW202329303A (zh) |
WO (1) | WO2023130984A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117096067B (zh) * | 2023-10-17 | 2024-03-01 | 广州市艾佛光通科技有限公司 | 干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4451076B2 (ja) * | 2003-04-16 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
CN100358097C (zh) * | 2005-08-05 | 2007-12-26 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 半导体工艺处理***及其处理方法 |
JP2007242764A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
CN106373907B (zh) * | 2015-07-22 | 2019-01-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种真空锁***及其对基片的处理方法 |
-
2022
- 2022-01-04 CN CN202210003273.6A patent/CN116435215A/zh active Pending
- 2022-12-23 WO PCT/CN2022/141351 patent/WO2023130984A1/zh active Application Filing
- 2022-12-23 EP EP22918427.0A patent/EP4386822A1/en active Pending
- 2022-12-23 TW TW111149803A patent/TW202329303A/zh unknown
- 2022-12-23 US US18/557,958 patent/US20240203775A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4386822A1 (en) | 2024-06-19 |
TW202329303A (zh) | 2023-07-16 |
US20240203775A1 (en) | 2024-06-20 |
WO2023130984A1 (zh) | 2023-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7305857B2 (ja) | インデックス可能な側方収容ポッド装置、加熱側方収容ポッド装置、システム、及び方法 | |
US20080038095A1 (en) | Apparatus for vacuum treating two dimensionally extended substrates and method for manufacturing such substrates | |
US20100147396A1 (en) | Multiple-Substrate Transfer Apparatus and Multiple-Substrate Processing Apparatus | |
JP6006643B2 (ja) | 真空処理装置 | |
US9257319B2 (en) | Parallel single substrate processing system with alignment features on a process section frame | |
KR100902330B1 (ko) | 반도체공정장치 | |
US9048271B2 (en) | Modular semiconductor processing system | |
KR101765234B1 (ko) | 트레이교환모듈, 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
CN116435215A (zh) | 晶圆处理设备、晶圆处理***及控制方法 | |
JP5247094B2 (ja) | 基板処理システム | |
CN210765501U (zh) | 一种晶圆镀膜工艺装置 | |
CN106033737B (zh) | 真空锁***及基片传送方法 | |
JP3974992B2 (ja) | 基板収納容器の蓋開閉装置および基板搬入搬出装置 | |
JP7425701B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
CN218812083U (zh) | 镀膜设备 | |
KR102622159B1 (ko) | 원자층 복합 증착 챔버 | |
JP2006108348A (ja) | 基板処理装置 | |
CN112242320A (zh) | 衬底处理装置及衬底搬送方法 | |
KR20080001318A (ko) | 반도체공정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: No. 27 Changjiang South Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province, China Applicant after: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. Address before: No.11 Lijiang Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. |