CN116390600A - 一种显示面板、显示设备及制作方法 - Google Patents

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焦志强
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李杨
李晓虎
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Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示设备及制作方法，该显示面板包括：基板，以及依次设置在所述基板上的像素层和透镜层；所述像素层包括阵列排布的多个子像素，每个所述子像素发出单色光；每个所述子像素划分为多个下分子像素；所述透镜层包括阵列排布的多个微透镜，其中，所述多个下分子像素与所述多个微透镜一一对齐设置。通过本发明提供了一种兼顾发光效率和功耗的显示面板。

Description

一种显示面板、显示设备及制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示设备及制作方法。
背景技术
随着电子技术的发展，显示面板在各种设备上的使用越来越多，同时也对显示面板的性能提出更高要求。
为了提高显示面板的出光效率，可以在显示面板中引入微透镜阵列层来扩大发光层的可出射光锥，以使得入射角大于光线出射的临界角的光线得以出射，从而提高器件的出光效率。
然而，对电视、平板电脑、电影屏幕等大尺寸显示设备，受材料和工艺限制，微透镜难以达到理想的增益值，难以兼顾产品的出光效率和功率消耗。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的显示面板、显示设备及制作方法。
第一方面，提供一种显示面板，包括：
基板，以及依次设置在所述基板上的像素层和透镜层；
所述像素层包括阵列排布的多个子像素，每个所述子像素发出单色光；每个所述子像素划分为多个下分子像素；
所述透镜层包括阵列排布的多个微透镜，其中，所述多个下分子像素与所述多个微透镜一一对齐设置。
可选的，所述像素层包括：沿远离所述基板的方向依次设置的第一电极层和发光层；所述第一电极层包括阵列排布的多个子像素电极，所述发光层包括阵列排布的多个子像素发光区，每个所述子像素包括对齐设置的一个所述子像素电极和一个所述子像素发光区；每个所述子像素电极包括多个下分电极，所述多个下分电极与所述多个微透镜一一对齐设置。
可选的，所述第一电极层包括：子像素界定结构和下分界定结构；所述子像素界定结构，位于相邻的所述子像素电极之间；所述下分界定结构位于相邻的所述下分电极之间。
可选的，每个所述下分子像素均位于对应的所述微透镜在所述像素层上的正投影之内。
可选的，所述微透镜的边缘与所述微透镜的焦点的连线与对应的所述下分子像素的边缘相交。
可选的，每个所述子像素包括的所述下分子像素的数量与对应的所述微透镜的增益以及预设的像素开口率相关。
可选的，所述像素层包括：沿远离所述基板的方向依次设置的所述第一电极层、空穴传输层、所述发光层、电子传输层和第二电极层；所述像素层和所述透镜层之间设置有封装层，所述透镜层远离所述基板的一侧覆盖有平坦层。
第二方面，提供一种显示面板的制备方法，包括：
提供基板；
在所述基板上制备像素层，所述像素层包括阵列排布的多个子像素，每个所述子像素发出单色光；每个所述子像素划分为多个下分子像素；
在所述像素层上制备透镜层，所述透镜层包括阵列排布的多个微透镜，其中，所述多个下分子像素与所述多个微透镜一一对齐设置。
可选的，所述在所述基板上制备像素层，包括：在所述基板上制备第一电极层，所述第一电极层包括阵列排布的多个子像素电极，每个所述子像素电极包括多个下分电极，所述多个下分电极与所述多个微透镜一一对齐设置；在所述第一电极层上制备发光层，所述发光层包括阵列排布的多个子像素发光区，其中，每个所述子像素包括对齐设置的一个所述子像素电极和一个所述子像素发光区。
第三方面，提供一种显示设备，包括第一方面所述的显示面板。
本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明实施例提供的显示面板、显示设备及制作方法，设置将像素层的每个单色光子像素(红色R子像素、蓝色B子像素或绿色G子像素)进一步作划分，划分为尺寸更小的多个下分子像素，并在每个下分子像素之上对齐设置一个微透镜，使得每个微透镜对应尺寸更小的下分子像素设置。这样，相对于原有的对应每个子像素去设置微透镜，减小了每个微透镜的宽度，从而能保证微透镜的拱高与底面宽度的比足够大，增加了微透镜的增益，提高了显示面板的出光率，从而降低了产品的功耗。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为微透镜与子像素对齐的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例中显示面板的结构图示意图一；
图3为本发明实施例中下分子像素的划分示例图一；
图4为本发明实施例中下分子像素的划分示例图二；
图5为本发明实施例中显示面板的结构图示意图二；
图6为本发明实施例中图4的剖面示意图；
图7为本发明实施例中显示面板的制备方法的流程图；
图8为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图一；
图9为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图二；
图10为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图三；
图11为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图四；
图12为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图五；
图13为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图六；
图14为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图七；
图15为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图八；
图16为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图九；
图17为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图十；
图18为本发明实施例中显示面板的制备方法的工艺示意图十一；
图19为本发明实施例中显示设备的结构图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
请参阅图1，为了提高显示面板出光率，可以在像素层上设置微透镜阵列(Mirco-Lens arra，MLA)，通过微透镜阵列来扩大像素层的可出射光锥角度，可以使得入射角大于光线出射的临界角的光线得以出射，从而提高显示面板的出光效率，尤其是提高显示面板正视角的出光亮度。如图1所示，可以在每个子像素(子像素按照三原色划分，一个像素分别分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，三种颜色的子像素交替排列设置)上对齐设置一个微透镜。然而，对于电视机或笔记本电脑等大屏幕设备，其显示面板上子像素的尺寸也相对较大。由于有机发光材料不能承受高温制程，其所能承受的温度需小于110℃，故目前制备微透镜需要采用低温有机工艺，而现有低温有机MLA胶材在低温工艺条件下，难以制备到较高的厚度。故对于有较大子像素尺寸的产品，微透镜的拱高无法达到理想设计高度。举例来讲，笔记本类产品显示面板的子像素大小为40um*40um，那么微透镜的直径需大于50um，则对应的拱高需为20um，而现有MLA胶材低温制备的厚度仅能达到10um，远小于目标值20um，因而制备的微透镜的增益值较低，难以提高该类显示面板的出光率。
请参阅图2，本发明提供了一种显示面板，包括：
基板1，以及依次设置在基板1上的像素层2和透镜层3。像素层2包括阵列排布的多个子像素21，每个子像素21发出单色光；每个子像素21划分为多个下分子像素211。透镜层3包括阵列排布的多个微透镜31，其中，多个下分子像素211与多个微透镜31一一对齐设置。
需要说明的是，该显示面板可以是有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode,OLED)显示面板，也可以是发光二极管(light emitting diode,LED)显示面板，在此不作限制。
具体来讲，显示面板的一般为RGB发光模式，即显示面板的像素层2中的每个像素至少可以分为红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素这三种发单色光的子像素21。本申请对每个发单色光的子像素21在结构上作进一步划分，将其分为多个下分子像素211，并对应在每个下分子像素211上设置一个微透镜31。由于下分子像素211的尺寸更小，故每个微透镜31的直径需求变小，进而对应的拱高需求也变小，采用现有MLA胶材低温制备工艺就能达到理想的拱高，从而提高微透镜31的增益值，保证显示面板的出光率。
在可选的实施方式中，微透镜31的形状可以如图2所示为拱形透镜，微透镜31的拱形上表面采用折射率在1.43左右的OCr材料，以保证微透镜31的折光效果，微透镜31靠近基板1的下层使用平坦性较好的有机材料。其中，透镜层3中各个微透镜31的尺寸可以相同也可以不相同，根据下分子像素211的尺寸来对应设置。
在可选的实施方式中，将子像素21划分为下分子像素211方式可以有多种。例如，在形状上，可以设置下分子像素211为正方形、圆形、六边形等。在尺寸上，可以设置同一子像素21中的下分子像素211的尺寸相同，也可以设置同一子像素21中的下分子像素211的尺寸不相同，例如，如图3所示，在尺寸较大的下分子像素211的间隙内设置尺寸相对较小的下分子像素211，以尽量多的增加像素开口率。
在可选的实施方式中，每个子像素21包括的下分子像素211的数量可以根据需要设置，例如，如图3所示每个子像素21划分为43个下分子像素211，也可以如图4所示划分为7个下分子像素211，还可以划分为24个下分子像素211，在此不作限制，在具体实施过程中，每个子像素21包括的下分子像素211的数量可以根据对应的微透镜31的增益以及预设的像素开口率来设置，以使得下分子像素211的尺寸能满足对应的微透镜31采用现有工艺能制备出合适的拱高与宽度比，且兼顾像素的开口率也能满足显示面板要求。
请参阅图5，可以设置像素层2包括沿远离基板1的方向依次设置的第一电极层4和发光层5。第一电极层4包括阵列排布的多个子像素电极41，发光层5包括阵列排布的多个子像素发光区51(子像素发光区51可以是单层发光材料层，也可以是多层发光材料层，在此不作限制)，每个子像素21包括对齐设置的一个子像素电极41和一个子像素发光区51。每个子像素电极41包括多个下分电极411，多个下分电极411与多个微透镜31一一对齐设置。其中，对齐设置可以是设置下分电极411的中轴线与对应的微透镜31的中轴线基本重合。
具体来讲，每个像素包括红色R子像素、绿色G子像素和蓝色B子像素，R子像素包括叠置对齐的R子像素电极41和R子像素发光区51，G子像素包括叠置对齐的G子像素电极41和G子像素发光区51，B子像素包括叠置对齐的B子像素电极41和B子像素发光区51。本申请通过将子像素电极41进一步划分为多个下分电极411来实现将子像素21划分为下分子像素211。每个下分子像素211包括一个下分电极411和子像素发光区51中与该下分电极411重叠的部分区域。由于像素子电极41的制备材料在现有工艺上的刻蚀精度更小、沉积工艺更成熟，故采用对像素子电极41进行划分来实现划分子像素21，在工艺上更便捷，划分精度也更高。当然，也可以对子像素发光区51进行划分来实现划分子像素21，在此不作限制。
在可选的实施方式中，还可以如图5所示，设置第一电极层4包括：子像素界定结构42(材料可以为SiO2、SiNx或SION)和下分界定结构43(可以与子像素界定结构42同材料制备)。子像素界定结构42位于相邻的子像素电极41之间，用于隔离划分出各子像素电极41，防止短路以及尖端放电。下分界定结构43位于相邻的下分电极411之间，用于在子像素电极41中隔离划分出各下分电极411，防止短路以及尖端放电。
在可选的实施方式中，可以设置每个下分子像素211均位于对应的微透镜31在像素层2上的正投影之内。还可以设置下分子像素211的中轴线与对应的微透镜31的中轴线基本重合。如图4所示，子像素界定结构42中的子像素21划分为7个下分子像素211(六边形黑色区域)，对应的上方设置有微透镜31，且下分子像素211位于微透镜31在像素层2上的正投影内，以保证下分子像素211发出的光线能经过微透镜31获得更大的出射率。
在可选的实施方式中，还可以设置微透镜31的边缘与微透镜31的焦点的连线与对应的下分子像素211的边缘相交(下分子像素211的边缘可以指下分电极的边缘，或者下分电极正上方的发光区的边缘)，以能获得最佳收光条件，使得微透镜31调光正视角亮度最大化。
举例来讲，采用如图4所示的下分子像素211的划分方式，每个子像素21分割成为7个下分子像素211。请参考图6(图6为图4的剖面图)，子像素发光区51的尺寸为50um*50um，通过下分界定结构43将子像素21的子像素电极41(例如阳极)分割为7个18m*18m大小的下分电极411，像素开口率减小约9％，但由于微透镜31能制备出需要的宽度与拱高的比(例如，使用低温工艺制备出宽度H与拱高D比值为2.5的微透镜，D＝19um，H＝7.2um，封装厚度L为10um)，并且按照最佳收光条件设置微透镜31的边缘与微透镜31的焦点的连线恰好经过对应的下分子像素211的边缘相交(即设置W1＝18um，W2＝2um)，从而使得微透镜31能提高30％的发光增益，总的发光增益效果约提高了20％。
在可选的实施方式中，如图5所示，还可以设置像素层2包括：沿远离基板1的方向依次设置的第一电极层4、空穴传输层6、发光层5、电子传输层7和第二电极层8。像素层2和透镜层3之间设置有封装层9，透镜层3远离基板1的一侧覆盖有平坦层10。
举例来讲，如图5所示，基板1上还可以设置晶体管层TFT以开关和驱动发光区。在晶体管层上依次设置第一电极层4、空穴注入层11、空穴传输层6、发光层5、电子传输层7、电子注入层12、第二电极层8、封装层9、透镜层3和平坦层10。第一电极层4为阳极，第二电极层8为阴极，当然，也可以设置第一电极层4为阴极，第二电极层8为阳极，在此不作限制。
具体来讲，设置将像素层的每个单色光子像素(红色R子像素、蓝色B子像素或绿色G子像素)进一步作划分，划分为尺寸更小的多个下分子像素，并在每个下分子像素之上对齐设置一个微透镜，使得每个微透镜对应尺寸更小的下分子像素设置。这样，相对于原有的对应每个子像素去设置微透镜，减小了每个微透镜的宽度，从而能保证微透镜的拱高与底面宽度的比足够大，增加了微透镜的增益，提高了显示面板的出光率，从而降低了产品的功耗。
并且，由于提高了显示面板的出光效率、故能获得高亮度下更好的寿命表现和色域表现，在随显示面板相同的驱动条件下，可以有效降低功耗，改善烧屏的问题。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，如图7所示，包括：
步骤S701，提供基板1；
步骤S702，在基板1上制备像素层2，像素层2包括阵列排布的多个子像素21，每个子像素21发出单色光；每个子像素21划分为多个下分子像素211；
步骤S703，在像素层2上制备透镜层3，透镜层3包括阵列排布的多个微透镜31。
在可选的实施方式中，步骤S701中，基板1上可以先采用沉积、刻蚀和清洁等半导体工艺，依次制备多晶硅层、栅极和源漏极，形成晶体管层。
在可选的实施方式中，步骤S702中，在基板1上制备像素层2，可以包括：先在基板1上制备第一电极层4，第一电极层4包括阵列排布的多个子像素电极41，每个子像素电极41包括多个下分电极411，多个下分电极411与多个微透镜31一一对齐设置。再在第一电极层4上制备发光层3，发光层3包括阵列排布的多个子像素发光区31，其中，每个子像素21包括对齐设置的一个子像素电极41和一个子像素发光区31。
举例来讲，如图8所示，基板1上再采用蒸镀、溅射或刻蚀等工艺形成第一电极层4，第一电极层4为金属或复合金属层，例如采用Ti/Al/Ti/ITO的多层结构。再如图9所示，在第一电极层4上涂覆并曝光显影形成图形化的光刻胶层901。再如图10所示，在图形化的光刻胶层901的阻挡下刻蚀第一电极层4，并去除光刻胶层901，形成分隔的子像素电极41。然后，如图11所示，沉积一层像素界定层材料902以填充子像素电极41之间的缝隙。再下来，如图12所示，在像素界定层材料902上再涂覆光刻胶，并通过曝光显影形成像素界定层材料902的刻蚀阻挡图形，再对像素界定层材料902进行刻蚀和光刻胶剥离，形成隔离子像素电极41的子像素界定结构42。
形成子像素界定结构42后，再如图13～14所示，在第一电极层4和子像素界定结构42上涂覆光刻胶层901并曝光显影对其图形化。然后，如图15所示，在图形化的光刻胶层901的阻挡下刻蚀第一电极层4，并去除光刻胶层901，形成分隔的多个下分电极411。接下来，沉积一层像素界定层材料以填充下分电极411之间的缝隙，并在像素界定层材料上再涂覆光刻胶，并通过曝光显影形成像素界定层材料的刻蚀阻挡图形，再对像素界定层材料进行刻蚀和光刻胶剥离，形成如图16所示的隔离下分电极411的下分界定结构43。然后，如图17所示，在第一电极层4上采用蒸镀工艺依次制备空穴注入层11、空穴传输层6、发光层5、电子传输层7、电子注入层12、第二电极层8和封装层9。
再如图18所示，在封装层上形成透镜胶层13，并在透镜胶层13上采用低温工艺制备透镜层3，其中，多个下分子像素211与多个微透镜31一一对齐设置。然后，如图5所示，在透镜层3上制备平坦层10以平坦表面。
由于本发明实施例所介绍的显示面板的制作方法，是本发明实施例介绍的显示面板对应的制作方法，其具体实现方式在介绍显示面板的过程中已经进行说明，故而基于本发明实施例所介绍的显示面板，本领域所属人员能够了解该方法的具体流程及变形，故而在此不再赘述。凡是本发明实施例的显示面板对应的制作方法都属于本发明所欲保护的范围。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示设备，如图19所示，为本发明实施例中显示设备的结构图，包括：本发明实施例提供的显示面板1901。
本发明实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
本发明实施例提供的显示面板、显示设备及制作方法，设置将像素层的每个单色光子像素(红色R子像素、蓝色B子像素或绿色G子像素)进一步作划分，划分为尺寸更小的多个下分子像素，并在每个下分子像素之上对齐设置一个微透镜，使得每个微透镜对应尺寸更小的下分子像素设置。这样，相对于原有的对应每个子像素去设置微透镜，减小了每个微透镜的宽度，从而能保证微透镜的拱高与底面宽度的比足够大，增加了微透镜的增益，提高了显示面板的出光率，从而降低了产品的功耗。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个，在上面对本发明的示例性实施例的描述中，本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。
本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的装置中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个装置中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。
此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围之内并且形成不同的实施例。例如，在下面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之一都可以以任意的组合方式来使用。
应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制，并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板，以及依次设置在所述基板上的像素层和透镜层；
所述像素层包括阵列排布的多个子像素，每个所述子像素发出单色光；每个所述子像素划分为多个下分子像素；
所述透镜层包括阵列排布的多个微透镜，其中，所述多个下分子像素与所述多个微透镜一一对齐设置。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素层包括：
沿远离所述基板的方向依次设置的第一电极层和发光层；
所述第一电极层包括阵列排布的多个子像素电极，所述发光层包括阵列排布的多个子像素发光区，每个所述子像素包括对齐设置的一个所述子像素电极和一个所述子像素发光区；
每个所述子像素电极包括多个下分电极，所述多个下分电极与所述多个微透镜一一对齐设置。
3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极层包括：
子像素界定结构和下分界定结构；
所述子像素界定结构，位于相邻的所述子像素电极之间；所述下分界定结构位于相邻的所述下分电极之间。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述下分子像素均位于对应的所述微透镜在所述像素层上的正投影之内。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述微透镜的边缘与所述微透镜的焦点的连线与对应的所述下分子像素的边缘相交。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述子像素包括的所述下分子像素的数量与对应的所述微透镜的增益以及预设的像素开口率相关。
7.如权利要求1-6任一所述的显示面板，其特征在于：
所述像素层包括：沿远离所述基板的方向依次设置的所述第一电极层、空穴传输层、所述发光层、电子传输层和第二电极层；
所述像素层和所述透镜层之间设置有封装层，所述透镜层远离所述基板的一侧覆盖有平坦层。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上制备像素层，所述像素层包括阵列排布的多个子像素，每个所述子像素发出单色光；每个所述子像素划分为多个下分子像素；
在所述像素层上制备透镜层，所述透镜层包括阵列排布的多个微透镜，其中，所述多个下分子像素与所述多个微透镜一一对齐设置。
9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上制备像素层，包括：
在所述基板上制备第一电极层，所述第一电极层包括阵列排布的多个子像素电极，每个所述子像素电极包括多个下分电极，所述多个下分电极与所述多个微透镜一一对齐设置；
在所述第一电极层上制备发光层，所述发光层包括阵列排布的多个子像素发光区，其中，每个所述子像素包括对齐设置的一个所述子像素电极和一个所述子像素发光区。
10.一种显示设备，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的显示面板。
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