CN116366183B - 芯片发射功率的校准方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了芯片发射功率的校准方法、装置、电子设备及存储介质，包括：获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及目标芯片出厂时的第一发射功率差；基于预设的功率芯片配置表以及第一目标发射功率，确定出目标芯片的第二发射功率差；基于预设的发射功率温度曲线以及目标芯片的内部芯片温度，确定出目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；基于第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整。本申请通过利用第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以实现自动的完成发射功率的校准，提高了芯片的工作效率。
Description
技术领域
本申请涉及校准技术领域，尤其是涉及芯片发射功率的校准方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
随着互联网的迅速发展及普及，人们开始对互联网有了依赖性。随时随地上网的需求，产生了大量的WLAN（无线局域网）服务需求。 WiFi，这个通信时代最热门的无线技术基本上可以满足人们的需要。WiFi已经通过笔记本电脑、使用 WiFi无线上网的移动终端以及CDMA+WiFi业务等方面，越来越广泛地走进了人们的生活。
目前，在WiFi6 ***中，对发射机发射功率准确度的要求较高，需要达到±3dB的量级。而实际芯片通常会受到多重非理想因素的影响，导致发射机发射功率不准。所以，如何对芯片的发射功率进行校准成为了不容小觑的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供芯片发射功率的校准方法、装置、电子设备及存储介质，通过利用第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以实现自动的完成发射功率的校准，提高了芯片的工作效率。
本申请实施例提供了一种芯片发射功率的校准方法，所述校准方法包括：
获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；
基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；
基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；
基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
在一种可能的实施方式之中，所述基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差，包括：
在所述功率芯片配置表之中筛选出与所述第一目标发射功率最接近的参考发射功率；
基于所述参考发射功率与所述第一目标发射功率之间的差值，确定出所述第二发射功率差。
在一种可能的实施方式之中，所述基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差，包括：
基于所述目标芯片的内部芯片温度以及室温温度，确定出所述温度差值；
基于所述发射功率温度曲线，确定出所述温度差值相对应的所述第三发射功率差。
在一种可能的实施方式之中，所述基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致，包括：
将所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差进行相加，确定出所述目标芯片的总发射功率差；
基于所述总发射功率差确定出所述数字放大器的目标调整系数；
基于所述目标调整系数对所述数字放大器的当前调整系数进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
在一种可能的实施方式之中，通过以下步骤确定出所述功率芯片配置表：
基于所述目标芯片的使用场景以及性能参数，确定出所述目标芯片的发射功率范围，并对所述发射功率范围进行档位划分，确定出多个发射功率档位；
对每个所述发射功率档位配置初始芯片参数，检测所述初始芯片参数相对应的发射功率是否满足所述发射功率档位相对应的发射功率；
若否，则对所述初始芯片参数进行调整，直至调整后的所述初始芯片参数相对应的发射功率满足所述发射功率档位相对应的发射功率时，确定出所述发射功率档位相对应的芯片参数配置；
基于每个所述发射功率档位相对应的芯片参数配置，确定出所述功率芯片配置表。
在一种可能的实施方式之中，通过以下步骤确定出所述发射功率温度曲线：
基于功率测量仪器确定出多个样本芯片在室温温度下的室温发射功率；
根据所述样本芯片的使用环境要求确定出温度变化范围，基于所述温度变化范围确定出多个温度档位，并确定出每个温度档位下的所述样本芯片的内部芯片温度以及所述内部芯片温度相对应的发射功率；
针对于每个所述样本芯片，将该样本芯片的室温发射功率与内部芯片温度相对应的发射功率的差确定为第四发射功率差，将该样本芯片的所述内部芯片温度与所述室温温度的差确定为温度变化差；
基于每个样本芯片的所述第四发射功率差以及所述温度变化差，拟合出所述发射功率温度曲线。
在一种可能的实施方式之中，通过以下步骤确定出所述第一发射功率差：
在所述目标芯片出厂前，将所述目标芯片配置于发射状态并根据第二目标发射功率发射参考数据包；
基于功率测量仪器确定出所述参考数据包的发射功率，将所述第二目标发射功率与所述参考数据包的发射功率的差确定为所述第一发射功率差。
本申请实施例还提供了一种芯片发射功率的校准装置，所述校准装置包括：
获取模块，用于获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；
第一确定模块，用于基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；
第二确定模块，用于基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；
调整模块，用于基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如上述的芯片发射功率的校准方法的步骤。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行如上述的芯片发射功率的校准方法的步骤。
本申请实施例提供的芯片发射功率的校准方法、装置、电子设备及存储介质，所述校准方法包括：获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。通过利用第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以实现自动的完成发射功率的校准，提高了芯片的工作效率。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例所提供的一种芯片发射功率的校准方法的流程图；
图2为本申请实施例所提供的一种芯片发射功率的校准装置的结构示意图之一；
图3为本申请实施例所提供的一种芯片发射功率的校准装置的结构示意图之二；
图4为本申请实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，本申请中的附图仅起到说明和描述的目的，并不用于限定本申请的保护范围。另外，应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操作。应当理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本领域技术人员在本申请内容的指引下，可以向流程图添加一个或多个其他操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。
另外，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的全部其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为了使得本领域技术人员能够使用本申请内容，结合特定应用场景“对芯片的发射功率进行校准”，给出以下实施方式，对于本领域技术人员来说，在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用场景。
本申请实施例下述方法、装置、电子设备或计算机可读存储介质可以应用于任何需要对芯片的发射功率进行校准的场景，本申请实施例并不对具体的应用场景作限制，任何使用本申请实施例提供的芯片发射功率的校准方法、装置、电子设备及存储介质的方案均在本申请保护范围内。
首先，对本申请可适用的应用场景进行介绍。本申请可应用于校准技术领域。
经研究发现，在WiFi6 ***中，对发射机发射功率准确度的要求较高，需要达到±3dB的量级。而实际芯片通常会受到多重非理想因素的影响，导致发射机发射功率不准。这些非理想因素包括：（1）不同芯片之间由于生产制造的误差，即使在相同的配置下发射功率也可能不同；（2）同一芯片，当发射功率不同时，达到最优工作状态时的配置可能不同；（3）环境温度的变化可能导致发射功率的变化。所以，如何对芯片的发射功率进行校准成为了不容小觑的技术问题。
基于此，本申请实施例提供了一种芯片发射功率的校准方法，通过利用第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以实现自动的完成发射功率的校准，提高了芯片的工作效率。
请参阅图1，图1为本申请实施例所提供的一种芯片发射功率的校准方法的流程图。如图1中所示，本申请实施例提供的校准方法，包括：
S101：获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差。
该步骤中，获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及目标芯片在出厂时的第一发射功率差。
其中，不同的数据包对应的目标发射功率是不同的，可以在预先设定的“包类型-目标功率”的查找表之中确定出目标数据包的第一目标发射功率。
在一种可能的实施方式之中，通过以下步骤确定出所述第一发射功率差：
A：在所述目标芯片出厂前，将所述目标芯片配置于发射状态并根据第二目标发射功率发射参考数据包。
这里，在目标芯片出厂前，将目标芯片配置于发射状态并根据第二目标发射功率发射参考数据包。
其中，第二目标发射功率用于发射参考数据包。
B：基于功率测量仪器确定出所述参考数据包的发射功率，将所述第二目标发射功率与所述参考数据包的发射功率的差确定为所述第一发射功率差。
这里，根据功率测量仪器测量出目标芯片对参考数据包进行发射的发射功率，将第二目标发射功率与参考数据包的发射功率的差确定为第一发射功率差。
其中，在目标芯片出厂前先在产线上用仪器做一次功率校准，此次校准的结果记为第一发射功率差。
其中，目标芯片出厂前先在产线上用仪器做一次功率校准的步骤包括：将目标芯片配置于发射状态并按某个目标发射功率A发射信号，用仪器测量发射信号的实际功率为B，则第一发射功率差为(A-B)。
S102：基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差。
该步骤中，根据预设的功率芯片配置表以及第一目标发射功率，确定出目标芯片的第二发射功率差。
在一种可能的实施方式之中，所述基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差，包括：
（1）：在所述功率芯片配置表之中筛选出与所述第一目标发射功率最接近的参考发射功率。
这里，在功率芯片配置表之中筛选出与第一目标发射功率最接近的参考发射功率。
（2）：基于所述参考发射功率与所述第一目标发射功率之间的差值，确定出所述第二发射功率差。
这里，根据参考发射功率与第一目标发射功率之间的差值，确定出第二发射功率差。
其中，对于目标数据包，将其第一目标发射功率与功率芯片配置表中的每档功率做比较，找到一档最近的参考发射功率，将参考发射功率下的配置值配置给目标芯片，并计算第一目标发射功率与参考发射功率的差值，记为第二发射功率差。
在一种可能的实施方式之中，通过以下步骤确定出所述功率芯片配置表：
a：基于所述目标芯片的使用场景以及性能参数，确定出所述目标芯片的发射功率范围，并对所述发射功率范围进行档位划分，确定出多个发射功率档位。
这里，根据目标芯片的使用场景以及性能参数，确定出目标芯片的发射功率范围，并对发射功率范围进行档位划分，确定出多个发射功率档位。
其中，根据目标芯片的实际使用场景并结合芯片自身的性能参数确定发射功率的范围，然后在此范围内合理划分档位(档位过多占用存储空间过多，档位过少不够精确)。
b：对每个所述发射功率档位配置初始芯片参数，检测所述初始芯片参数相对应的发射功率是否满足所述发射功率档位相对应的发射功率。
这里，对每个发射功率档位配置初始芯片参数，检测初始芯片参数相对应的发射功率是否满足发射功率档位相对应的发射功率。
c：若否，则对所述初始芯片参数进行调整，直至调整后的所述初始芯片参数相对应的发射功率满足所述发射功率档位相对应的发射功率时，确定出所述发射功率档位相对应的芯片参数配置。
这里，若不满足，则说明初始芯片参数不满足发射此发射功率，需要对初始芯片参数进行调整，直至调整后的初始芯片参数相对应的发射功率满足所述发射功率档位相对应的发射功率时，确定出发射功率档位相对应的芯片参数配置，若满足，则直接将初始芯片参数确定为该发射功率档位相对应的芯片参数配置。
d：基于每个所述发射功率档位相对应的芯片参数配置，确定出所述功率芯片配置表。
这里，对每个发射功率档位相对应的芯片参数配置进行汇总，得到功率芯片配置表。
其中，给每个档位配置一组初始芯片参数，然后用仪器测量每个档位的实际发射功率，对初始芯片参数进行微调，进而确定每个档位的最终配置，形成一张“功率-芯片配置”查找表。
S103：基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差。
该步骤中，根据预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差。
其中，第三发射功率差是由于目标芯片所处于的环境差异构成的。
在一种可能的实施方式之中，所述基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差，包括：
基于所述目标芯片的内部芯片温度以及室温温度，确定出所述温度差值；基于所述发射功率温度曲线，确定出所述温度差值相对应的所述第三发射功率差。
这里，根据目标芯片的内部芯片温度以及室温温度确定出内部芯片温度以及室温温度之间的温度差值，根据发射功率温度曲线，确定出温度差值相对应的第三发射功率差。
其中，利用目标芯片内部的温度传感器测量目标芯片的内部芯片温度，进而根据“发射功率-温度”曲线计算出温度变化造成的发射功率偏移，记为第三发射功率差。
在一种可能实施的方式中，通过以下步骤确定出所述发射功率温度曲线：
I：基于功率测量仪器确定出多个样本芯片在室温温度下的室温发射功率。
这里，根据功率测量仪器确定出多个样本芯片在室温温度下的室温发射功率。
其中，将样本芯片置于恒温箱中，将恒温箱的温度设置为室温(约25摄氏度)，利用芯片内部的温度传感器测量芯片内部温度，记为室温下芯片内部温度，利用功率测量仪器测出该温度下的实际发射功率，记为室温下芯片的室温发射功率。
II：根据所述样本芯片的使用环境要求确定出温度变化范围，基于所述温度变化范围确定出多个温度档位，并确定出每个温度档位下的所述样本芯片的内部芯片温度以及所述内部芯片温度相对应的发射功率。
这里，根据样本芯片的使用环境要求确定出温度变化范围，根据温度变化范围确定出多个温度档位，并确定出每个温度档位下的样本芯片的内部芯片温度以及内部芯片温度相对应的发射功率。
III：针对于每个所述样本芯片，将该样本芯片的室温发射功率与内部芯片温度相对应的发射功率的差确定为第四发射功率差，将该样本芯片的所述内部芯片温度与所述室温温度的差确定为温度变化差。
这里，针对于每个样本芯片，将该样本芯片的室温发射功率与内部芯片温度相对应的发射功率的差确定为第四发射功率差，将该样本芯片的内部芯片温度与室温温度的差确定为温度变化差。
其中，根据前述温度档位逐个设置恒温箱的温度，利用芯片内部的温度传感器测量芯片内部温度，利用仪器测出该内部温度下的发射功率，这样可以得到一组(芯片内部温度，发射功率)的数据，将该组数据减去对应的(室温温度，室温发射功率)，得到一组测量数据，记为“发射功率-温度”数据。
IV：基于每个样本芯片的所述第四发射功率差以及所述温度变化差，拟合出所述发射功率温度曲线。
这里，根据每个样本芯片的第四发射功率差以及温度变化差，拟合出发射功率温度曲线。
S104：基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
该步骤中，根据第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
在一种可能的实施方式之中，所述基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致，包括：
i：将所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差进行相加，确定出所述目标芯片的总发射功率差。
这里，将第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差进行相加，确定出目标芯片的总发射功率差。
ii：基于所述总发射功率差确定出所述数字放大器的目标调整系数。
这里，根据总发射功率差确定出数字放大器的目标调整系数。
其中，关于如何确定出目标调整系数所采用的技术手段现有技术中的任一手段均可实现。
iii：基于所述目标调整系数对所述数字放大器的当前调整系数进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
这里，根据目标调整系数对数字放大器的当前调整系数进行调整，以使目标芯片的实际发射功率与第一目标发射功率相一致。
在具体实施例之中，设置不同数据包类型的目标发射功率，形成一张“包类型-目标功率”的查找表，设置不同的功率档位，每个档位可以独立地配置，形成一张“功率-芯片配置”查找表，对于某种包类型，将其第一目标发射功率与功率查找表中的每档功率做比较，找到一档最近的功率，将该档功率下的配置值配置给芯片，并计算第一目标发射功率与该档功率的差值，记为第二发射功率差；芯片出厂前先在产线上用仪器做一次功率校准，此次校准的结果记为第以发射功率差；测量多颗芯片的“发射功率-温度”数据，拟合出一条“发射功率-温度”曲线；利用芯片内部的温度传感器测量芯片温度，进而根据前述“发射功率-温度”曲线计算出温度变化造成的发射功率偏移，记为第三发射功率差；将前述三个功率差相加，得到总的功率差，然后调节发射机内部的数字放大器，使得发射机的发射功率与第一目标发射功率一致。
导致芯片的发射机发射功率不准的因素有：（1）不同芯片之间由于生产制造的误差，即使在相同的配置下发射功率也可能不同；（2）同一芯片，当发射功率不同时，达到最优工作状态时的配置可能不同；（3）环境温度的变化可能导致发射功率的变化。所以，本申请通过利用第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以实现自动的完成发射功率的校准，提高了芯片的工作效率。
本申请实施例提供的一种芯片发射功率的校准方法，所述校准方法包括：获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。通过利用第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以实现自动的完成发射功率的校准，提高了芯片的工作效率。
请参阅图2、图3，图2为本申请实施例所提供的一种芯片发射功率的校准装置的结构示意图之一；图3为本申请实施例所提供的一种芯片发射功率的校准装置的结构示意图之二。如图2中所示，芯片发射功率的校准装置200包括：
获取模块210，用于获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；
第一确定模块220，用于基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；
第二确定模块230，用于基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；
调整模块240，用于基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
进一步的，所述第一确定模块220在用于所述基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差时，所述第一确定模块220具体用于：
在所述功率芯片配置表之中筛选出与所述第一目标发射功率最接近的参考发射功率；
基于所述参考发射功率与所述第一目标发射功率之间的差值，确定出所述第二发射功率差。
进一步的，第二确定模块230在用于所述基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差时，第二确定模块230具体用于：
基于所述目标芯片的内部芯片温度以及室温温度，确定出所述温度差值；
基于所述发射功率温度曲线，确定出所述温度差值相对应的所述第三发射功率差。
进一步的，调整模块240在用于所述基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致时，调整模块240具体用于：
将所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差进行相加，确定出所述目标芯片的总发射功率差；
基于所述总发射功率差确定出所述数字放大器的目标调整系数；
基于所述目标调整系数对所述数字放大器的当前调整系数进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
进一步的，如图3所示，校准装置200还包括功率芯片配置表模块250，所述功率芯片配置表模块250用于：
基于所述目标芯片的使用场景以及性能参数，确定出所述目标芯片的发射功率范围，并对所述发射功率范围进行档位划分，确定出多个发射功率档位；
对每个所述发射功率档位配置初始芯片参数，检测所述初始芯片参数相对应的发射功率是否满足所述发射功率档位相对应的发射功率；
若否，则对所述初始芯片参数进行调整，直至调整后的所述初始芯片参数相对应的发射功率满足所述发射功率档位相对应的发射功率时，确定出所述发射功率档位相对应的芯片参数配置；
基于每个所述发射功率档位相对应的芯片参数配置，确定出所述功率芯片配置表。
进一步的，如图3所示，校准装置200还包括发射功率温度曲线模块260，所述发射功率温度曲线模块260用于：
基于功率测量仪器确定出多个样本芯片在室温温度下的室温发射功率；
根据所述样本芯片的使用环境要求确定出温度变化范围，基于所述温度变化范围确定出多个温度档位，并确定出每个温度档位下的所述样本芯片的内部芯片温度以及所述内部芯片温度相对应的发射功率；
针对于每个所述样本芯片，将该样本芯片的室温发射功率与内部芯片温度相对应的发射功率的差确定为第四发射功率差，将该样本芯片的所述内部芯片温度与所述室温温度的差确定为温度变化差；
基于每个样本芯片的所述第四发射功率差以及所述温度变化差，拟合出所述发射功率温度曲线。
进一步的，进一步的，如图3所示，校准装置200还包括第三确定模块270，所述第三确定模块270用于：
在所述目标芯片出厂前，将所述目标芯片配置于发射状态并根据第二目标发射功率发射参考数据包；
基于功率测量仪器确定出所述参考数据包的发射功率，将所述第二目标发射功率与所述参考数据包的发射功率的差确定为所述第一发射功率差。
本申请实施例提供的一种芯片发射功率的校准装置，所述校准装置包括：获取模块，用于获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；第一确定模块，用于基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；第二确定模块，用于基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；调整模块，用于基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。通过利用第一发射功率差、第二发射功率差以及第三发射功率差对目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以实现自动的完成发射功率的校准，提高了芯片的工作效率。
请参阅图4，图4为本申请实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。如图4中所示，所述电子设备400包括处理器410、存储器420和总线430。
所述存储器420存储有所述处理器410可执行的机器可读指令，当电子设备400运行时，所述处理器410与所述存储器420之间通过总线430通信，所述机器可读指令被所述处理器410执行时，可以执行如上述图1所示方法实施例中的芯片发射功率的校准方法的步骤，具体实现方式可参见方法实施例，在此不再赘述。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时可以执行如上述图1所示方法实施例中的芯片发射功率的校准方法的步骤，具体实现方式可参见方法实施例，在此不再赘述。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种芯片发射功率的校准方法，其特征在于，所述校准方法包括：
获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；
基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；
基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；
基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致；
所述基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致，包括：
将所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差进行相加，确定出所述目标芯片的总发射功率差；
基于所述总发射功率差确定出所述数字放大器的目标调整系数；
基于所述目标调整系数对所述数字放大器的当前调整系数进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
2.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差，包括：
在所述功率芯片配置表之中筛选出与所述第一目标发射功率最接近的参考发射功率；
基于所述参考发射功率与所述第一目标发射功率之间的差值，确定出所述第二发射功率差。
3.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，所述基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差，包括：
基于所述目标芯片的内部芯片温度以及室温温度，确定出所述温度差值；
基于所述发射功率温度曲线，确定出所述温度差值相对应的所述第三发射功率差。
4.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，通过以下步骤确定出所述功率芯片配置表：
基于所述目标芯片的使用场景以及性能参数，确定出所述目标芯片的发射功率范围，并对所述发射功率范围进行档位划分，确定出多个发射功率档位；
对每个所述发射功率档位配置初始芯片参数，检测所述初始芯片参数相对应的发射功率是否满足所述发射功率档位相对应的发射功率；
若否，则对所述初始芯片参数进行调整，直至调整后的所述初始芯片参数相对应的发射功率满足所述发射功率档位相对应的发射功率时，确定出所述发射功率档位相对应的芯片参数配置；
基于每个所述发射功率档位相对应的芯片参数配置，确定出所述功率芯片配置表。
5.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，通过以下步骤确定出所述发射功率温度曲线：
基于功率测量仪器确定出多个样本芯片在室温温度下的室温发射功率；
根据所述样本芯片的使用环境要求确定出温度变化范围，基于所述温度变化范围确定出多个温度档位，并确定出每个温度档位下的所述样本芯片的内部芯片温度以及所述内部芯片温度相对应的发射功率；
针对于每个所述样本芯片，将该样本芯片的室温发射功率与内部芯片温度相对应的发射功率的差确定为第四发射功率差，将该样本芯片的所述内部芯片温度与所述室温温度的差确定为温度变化差；
基于每个样本芯片的所述第四发射功率差以及所述温度变化差，拟合出所述发射功率温度曲线。
6.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，通过以下步骤确定出所述第一发射功率差：
在所述目标芯片出厂前，将所述目标芯片配置于发射状态并根据第二目标发射功率发射参考数据包；
基于功率测量仪器确定出所述参考数据包的发射功率，将所述第二目标发射功率与所述参考数据包的发射功率的差确定为所述第一发射功率差。
7.一种芯片发射功率的校准装置，其特征在于，所述校准装置包括：
获取模块，用于获取目标芯片对目标数据包进行发射的第一目标发射功率以及所述目标芯片出厂时的第一发射功率差；
第一确定模块，用于基于预设的功率芯片配置表以及所述第一目标发射功率，确定出所述目标芯片的第二发射功率差；
第二确定模块，用于基于预设的发射功率温度曲线以及所述目标芯片的内部芯片温度，确定出所述目标芯片的温度差值对应的第三发射功率差；
调整模块，用于基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致；
调整模块在用于所述基于所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差对所述目标芯片相对应的数字放大器进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致时，调整模块具体用于：
将所述第一发射功率差、所述第二发射功率差以及所述第三发射功率差进行相加，确定出所述目标芯片的总发射功率差；
基于所述总发射功率差确定出所述数字放大器的目标调整系数；
基于所述目标调整系数对所述数字放大器的当前调整系数进行调整，以使所述目标芯片的实际发射功率与所述第一目标发射功率相一致。
8.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至6任一所述的芯片发射功率的校准方法的步骤。
9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至6任一所述的芯片发射功率的校准方法的步骤。
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| CN202310629105.2A CN116366183B (zh) | 2023-05-31 | 2023-05-31 | 芯片发射功率的校准方法、装置、电子设备及存储介质 |
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| CN111970067A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-11-20 | 炬芯科技股份有限公司 | 一种校准输出功率的方法和装置 |
| CN113078963A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-06 | 展讯通信（上海）有限公司 | 一种芯片发射功率校准方法及装置 |
| CN115967405A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-14 | 恒玄科技(上海)股份有限公司 | 一种用于便携式智能设备的具有wifi无线通信功能的控制***、便携式智能设备 |
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2023
- 2023-05-31 CN CN202310629105.2A patent/CN116366183B/zh active Active
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